以下、図面を参照しながら、好適な実施� ��態を説明する。なお、図面の説明において� ��一要素には同一符号を付し、重複する説明� ��省略する。また、図面は理解を容易にする� ��め一部を誇張して描いており、寸法比率は� ��明のものとは必ずしも一致しない。

 図1は、本発明の第1実施形態に係る回路� �材接続用接着剤の断面図であり、図2は、本� ��明の第2実施形態に係る回路部材接続用接着 剤の断面図である。

 図1に示す第1実施形態に係る回路部材接� �用接着剤1は、フィルム状接着剤であり、熱� ��塑性樹脂、架橋性樹脂及び硬化剤を含有す� ��樹脂組成物とこの樹脂組成物中に分散され� ��複合酸化物粒子とからなる接着剤10により� �成される。

 図2に示す第2実施形態に係る回路部材接� �用接着剤2は、フィルム状接着剤であり、熱� ��塑性樹脂、架橋性樹脂及び硬化剤を含有す� ��樹脂組成物と該樹脂組成物中に分散された� ��合酸化物粒子とからなる接着剤10と、この� �着剤10に分散された平均粒径3~5μmの導電粒子 12により構成される。

 図3は、本発明の回路部材接続用接着剤に より接合される、突出した接続端子を有する 半導体チップを示す断面図である。図3に示� �半導体チップ3は、半導体部品20とその主面� �突出して形成された接続端子22とを備えてい る。

 図4は、本発明の回路部材接続用接着剤に より接合される、配線パターンの形成された 基板を示す断面図である。図4に示す基板4は� ��絶縁基板30とその主面に形成された配線パ� �ーン(電極)32とを備えている。

 図5は、第1実施形態に係る回路部材接続� �接着剤により、半導体チップ及び基板が電� �的に接続され且つ接着された電子部品を示� �断面図である。図5に示す電子部品では、半� ��体部品20及び接続端子22を備える半導体チッ プ3と、絶縁基板30及び配線パターン32を備え� ��基板4とが、接続端子22と配線パターン32が� �向するように配置されており、接着剤10から なる第1実施形態に係る回路部材接続用接着� �1により、半導体チップ3と基板4が接着され� �とともに、接続端子22と配線パターン32との� ��触が図られ、これらが電気的に接続されて� ��る。

 図6は、第2実施形態に係る回路部材接続� �接着剤により、半導体チップ及び基板が電� �的に接続され且つ接着された電子部品を示� �断面図である。図6に示す電子部品では、半� ��体部品20及び接続端子22を備える半導体チッ プ3と、絶縁基板30及び配線パターン32を備え� ��基板4とが、接続端子22と配線パターン32が� �向するように配置されており、接着剤10及び 導電粒子12からなる第2実施形態に係る回路部 材接続用接着剤2により、半導体チップ3と基� ��4が接着されるともに、接続端子22と配線パ� ��ーン32との接触が図られ、これらが電気的� �接続されている。なお、導電粒子12は接続端 子22間又は配線パターン32間が短絡しない位� �に存在する。

 図7は、第2実施形態に係る回路部材接続� �接着剤により、半導体チップと基板が電気� �に接続され且つ接着された電子部品を示す� �面図であり、図6に示す電子部品とは異なる� ��様を示すものである。図7に示す電子部品で は、半導体部品20及び接続端子22を備える半� �体チップ3と、絶縁基板30及び配線パターン32 を備える基板4とが、接続端子22と配線パター ン32が対向するように配置されており、接着� ��10及び導電粒子12からなる第2実施形態に係� �回路部材接続用接着剤2により、半導体チッ� ��3と基板4が接着されるともに、導電粒子12を 介して接続端子22と配線パターン32との接触� �図られ、これらが電気的に接続されている� �なお、電気的接続に関与しない導電粒子12は 接続端子22間又は配線パターン32間が短絡し� �い位置に存在する。

 図8は、図5に示す電子部品の製造工程の� �形態を示す断面図である。図8(a)は、半導体� ��品20及び接続端子22を備える半導体チップ3� �接続端子22側に、接着剤10からなる第1実施形 態に係る回路部材接続用接着剤1が積層され� �積層体を示す断面図であり、図8(b)は、絶縁� ��板30及び配線パターン32を備える基板4を示� �断面図である。図8に示すように、接続端子2 2と配線パターン32が対向するようにして、図 8(a)の積層体と図8(b)の基板を圧着して、加圧� ��態で回路部材接続用接着剤1を加熱すること で図5に示す電子部品を得ることができる。

 図9は、図6又は図7に示す電子部品の製造� ��程の一形態を示す断面図である。図9(a)は、 半導体部品20及び接続端子22を備える半導体� �ップ3の接続端子22側に、接着剤10及び導電粒 子12からなる第2実施形態に係る回路部材接続 用接着剤2が積層された積層体を示す断面図� �あり、図9(b)は、絶縁基板30及び配線パター� �32を備える基板4を示す断面図である。図9に� ��すように、接続端子22と配線パターン32が対 向するようにして、図9(a)の積層体と図9(b)の� ��板を圧着して、加圧状態で回路部材接続用� ��着剤2を加熱することで図6又は7に示す電子� ��品を得ることができる。

 図10は、第1実施形態に係る回路部材接続� ��接着剤により半導体チップ及び基板が電気� ��に接続された電子部品を備える半導体装置� ��示す断面図である。図10に示す半導体装置� �、電子部品と、これを搭載する電子部品搭� �基板とから構成されている。図10の半導体装 置を構成する電子部品においては、半導体部 品20及び接続端子22を備える半導体チップ3と� ��絶縁基板30の一方面に配線パターン32を他方 面にはんだボール34を備える基板4とが、接続 端子22と配線パターン32が対向するように配� �されており、接着剤10からなる第1実施形態� �係る回路部材接続用接着剤1により、半導体� ��ップ3と基板4が接着されるとともに、接続� �子22と配線パターン32との接触が図られ、こ� ��らが電気的に接続されている。なお、配線� ��ターン32とはんだボール34とは絶縁基板30中� ��形成されたビア(図示せず)により導通が図� �れている。そして、図10に示す半導体装置は 、上述の電子部品と、絶縁基板40に接続端子4 2が形成された電子部品搭載基板5とを、はん� ��ボール34が電子部品搭載基板5の接続端子42� �に位置するように配置して、電気的に接続� �せてなるものである。

 本発明において、半導体チップ3に用いら れる接続端子22は、金ワイヤを用いて形成さ� ��る金スタッドバンプ、金属ボールを半導体� ��ップの電極に熱圧着や超音波併用熱圧着機� ��よって固定したもの及びめっきや蒸着によ� ��て形成されたものが用いられる。

 突出した接続端子22は、単一の金属で構� �されている必要はなく、金、銀、銅、ニッ� �ル、インジウム、パラジウム、スズ、ビス� �ス等複数の金属成分を含んでいてもよく、� �れらの金属層が積層された形をしていても� �い。また、突出した接続端子22を有する半導 体チップ3は、突出した接続端子を有する半� �体ウェハの状態でも差し支えない。

 半導体チップ3の突出した接続端子22と配� ��パターン32の形成された基板4を相対向して� ��置するために、半導体チップ3は突出した接 続端子22と同一面に位置合わせマーク(アライ メントマーク)を有することが好ましい。配� �パターン32の形成された回路基板4に用いら� �る回路基板は、通常の回路基板でもよく、� �た半導体チップでもよい。

 回路基板の場合、配線パターン32は、エ� �キシ樹脂やベンゾトリアジン骨格を有する� �脂をガラスクロスや不織布に含浸して形成� �た絶縁基板30上や、ビルドアップ層を有する 基板上に形成でき、ポリイミド、ガラス、セ ラミックスなどの絶縁基板30表面に形成され� ��銅などの金属層の不要な部分をエッチング� ��去することによっても形成することもでき� ��或いは、絶縁基板30表面にめっきや蒸着な� �を行って形成することもできる。

 配線パターン32は、単一の金属で形成さ� �ている必要はなく、金、銀、銅、ニッケル� �インジウム、パラジウム、スズ、ビスマス� �複数の金属成分を含んでいてもよく、これ� �の金属層が積層された形をしていてもよい� �さらに、基板が半導体チップの場合、配線� �ターン32は通常アルミニウムで構成されてい るが、その表面に、金、銀、銅、ニッケル、 インジウム、パラジウム、スズ、ビスマスな どの金属層を形成してもよい。

 回路部材接続用接着剤を、半導体チップ� ��突出した接続端子を有する面に貼付けた状� ��は、チップ化する前の突出した接続端子を� ��する半導体ウェハ、半導体ウェハの突出し� ��接続端子面に配置した回路部材接続用接着� ��、回路部材接続用接着剤側に粘着層を配置� ��たダイシングテープの順で積層された積層� ��を、ダイシングによって個片に切断し、ダ� ��シングテープから個片化した回路部材接続� ��接着剤付半導体チップをはく離する、こと� ��よって得ることができる。回路部材接続用� ��着剤を、半導体チップの突出した接続端子� ��有する面に貼付けた状態はまた、チップ化� ��る前の突出した接続端子を有する半導体ウ� ��ハの接続端子面に回路部材接続用接着剤を� ��置し、回路部材接続用接着剤を配置してい� ��い上記半導体ウェハの面に粘着層が接触す� ��ようにしてダイシングテープを配置した積� ��体を、ダイシングによって個片に切断し、� ��イシングテープから個片化した回路部材接� ��用接着剤付半導体チップをはく離する、こ� ��によっても得ることができる。

 基材テープに粘着材が塗布されたダイシ� ��グテープは、市販のダイシングテープを適� ��することができる。UV照射によって粘着層� �硬化が進行し、粘着力が減少し、粘着面に� �層された被着体のはく離を容易とするよう� �放射線反応型のダイシングテープは市販の� �のを適用することができる。

 回路部材接続用接着剤は、半導体チップ� ��突出した接続端子を有する面に貼付けた状� ��で、回路部材接続用接着剤を透過してチッ� ��の回路面に形成された位置合わせマークを� ��別できる事が好ましい。位置合わせマーク� ��通常のフリップチップボンダーに搭載され� ��チップ認識用の装置で識別することができ� ��。

 この認識装置は通常ハロゲンランプを有� ��るハロゲン光源、ライトガイド、照射装置� ��及びCCDカメラから構成される。CCDカメラで� ��り込んだ画像は画像処理装置によってあら� ��じめ登録された位置合わせ用の画像パター� ��との整合性が判断され、位置合わせ作業が� ��われる。

 本発明で言うところの位置合わせマーク� ��識別することが可能であることとは、フリ� ��プチップボンダーのチップ認識用装置を用� ��て取り込まれた位置合わせマークの画像と� ��登録されている位置合わせマークの画像と� ��整合性が良好であり、位置合わせ作業が行� ��れることを指す。

 例えば、アスリートFA株式会社製、商品� �フリップチップボンダーCB-1050を使用し、回� ��部材接続用接着剤が突出した接続端子を有� ��る面に貼付いた積層体の、接続端子面とは� ��対の面で、フリップチップボンダーの吸着� ��ズルに積層体を吸引した後、装置内の認識� ��置で接着剤層を透過して半導体チップ表面� ��形成された認識マークを撮影し、あらかじ� ��画像処理装置に取り込んだ半導体チップの� ��識マークとの整合性がとれて位置合わせが� ��えた場合を識別できる回路部材接続用接着� ��とし、位置合わせできなかった場合を識別� ��きない回路部材接続用接着剤として選択す� ��ことができる。

 回路部材接続用接着剤は、未硬化時の平� ��透過率が15~100%であることが好ましく、18~100 %であることがより好ましく、25~100%であるこ� ��がさらに好ましい。平行透過率が15%未満で� ��ると、フリップチップボンダーでの認識マ� ��ク識別が行えなくなって、位置合わせ作業� ��できなくなる傾向がある。

 平行透過率は、日本電色株式会社製の濁� ��計、商品名NDH2000を用い、積分球式光電光度 法で測定することができる。例えば、膜厚50� �mの帝人デュポンフィルム株式会社製のPETフ� ��ルム(ピューレックス、全光線透過率90.45、� ��イズ4.47)を基準物質として校正した後、PET� �材に25μm厚で回路接続用接着剤を塗工し、こ れを測定する。測定結果からは濁度、全光線 透過率、拡散透過率及び平行透過率を求める ことができる。

 可視光透過率は、株式会社日立製作所製� ��商品名U-3310形分光光度計で測定することが� ��きる。例えば、膜厚50μmの帝人デュポンフ� �ルム株式会社製のPETフィルム(ピューレック� ��、555nm、透過率86.03%)を基準物質としてベー� ��ライン補正測定を行った後、PET基材に25μm� �で回路接続用接着剤を塗工し、400nm~800nmの可 視光領域の透過率を測定することができる。 フリップチップボンダーで使用されるハロゲ ン光源とライトガイドの波長相対強度におい て550nm~600nmが最も強いことから、本発明にお� ��ては555nmの透過率をもって透過率の比較を� �うことができる。

 回路部材接続用接着剤は、180℃で20秒間加� �した後のDSC測定での反応率が、80%以上であ� �ことが好ましい。反応率は84%以上がより好� �しく、86%以上がさらに好ましい。なお、反� �率は、例えば以下の方法により測定可能で� �る。先ず、アルミ製測定容器に反応前の回� �部材接続用接着剤を2~10mg秤量し、DSCを用い� �30~300℃まで20℃/minの昇温速度で発熱量測定� �行って、初期発熱量を求める。次に、熱圧� �装置の加熱ヘッドを用いて回路部材接続用� �着剤を180℃で20秒間加熱して加熱後の回路部 材接続用接着剤を得る。この回路部材接続用 接着剤を2~10mg採取し、上記と同様の条件でDSC にて発熱量測定を行い、これを加熱後発熱量 とする。そして、得られた発熱量から次式に より反応率(%)を算出する。
(初期発熱量-加熱後発熱量)/(初期発熱量)×100

 回路部材接続用接着剤は、UV照射後のダ� �シングテープへの接着力が10N/m以下で、かつ 半導体ウェハへの接着力が70N/m以上であるこ� ��が好ましい。UV照射後のダイシングテープ� �の接着力が10N/mを超えると、ダイシング後の 個片化した回路部材接続用接着剤付き半導体 チップをダイシングテープからはく離する作 業において、チップ破壊の発生や接着剤層の 変形が発生する傾向がある。一方、半導体ウ ェハへの接着力が70N/m未満であると、ダイシ� ��グ時のブレードの回転切削による衝撃と水� ��の影響でチップと接着剤界面ではく離が発� ��する傾向がある。

 回路部材接続用接着剤とUV照射後のダイ� �ングテープの接着力は、例えば以下の方法� �測定することができる。先ず、回路部材接� �用接着剤を加熱温度80℃に設定したラミネー タによってウェハにラミネートした後、UV照� ��前のダイシングテープの粘着面を回路部材� ��続用接着剤に接触させて40℃でラミネート� �行った後、ダイシングテープ側に15mWで300mJ� �度のUV照射を行う。次に、UV照射後のダイシ� ��グテープに10mm幅の切込みを入れて引張り測 定用の短冊を準備する。

 そして、ウェハをステージに押さえつけ� ��短冊にしたダイシングテープの一端を引張� ��測定機の引張り治具に固定し、回路部材接� ��用接着剤とUV照射後のダイシングテープを� �き剥がして、90°ピール試験を行う。この測� ��によって回路部材接続用接着剤とUV照射後� �ダイシングテープの接着力が測定できる。

 回路部材接続用接着剤と半導体ウェハの� ��着力は、例えば以下の方法で測定すること� ��できる。先ず、回路部材接続用接着剤を加� ��温度80℃に設定したラミネータによってウ� �ハにラミネートした後、回路部材接続用接� �剤に粘着面を向けてカプトン(登録商標)テー プ(日東電工株式会社製、10mm幅、25μm厚)を貼� ��けて十分に密着させた後、カプトン(登録商 標)テープを接着した回路部材接続用接着剤� �10mm幅に切込みを入れる。

 出来上がった回路部材接続用接着剤とカ� ��トン(登録商標)テープの積層体の一端をウ� �ハから引き剥がし、引張り測定機の引張り� �具に固定する。ウェハをステージに押さえ� �け、短冊を引き上げ、回路部材接続用接着� �をウェハから引き剥がし、90°ピール試験を� ��う。この測定によって回路部材接続用接着� ��と半導体ウェハの接着力が測定できる。

 回路部材接続用接着剤は、接続後は半導体� ��ップと回路基板を接続した後の温度変化や� ��加熱吸湿による膨張等を抑制し、高接続信� ��性を達成するため、硬化後の40℃~100℃の線� ��張係数が70×10 ^-6 /℃以下であることが好ましく、60×10 ^-6 /℃以下であることがより好ましく、55×10 ^-6 /℃以下であることがさらに好ましく、50×10 ^-6 /℃以下であることが特に好ましい。硬化後� �線膨張係数が70×10 ^-6 /℃を超えると、実装後の温度変化や加熱吸� �による膨張によって半導体チップの接続端� �と回路基板の配線間での電気的接続が保持� �きなくなる傾向がある。

 回路部材接続用接着剤は、接着樹脂組成� ��と複合酸化物粒子を含むものであり、接着� ��脂組成物は平行透過率15%以上のものが好ま� ��く、30%以上のものがより好ましく、40%以上� ��ものがさらに好ましい。平行透過率が40%以� ��であれば、複合酸化物粒子を高充填した場� ��であっても所定の透過率を満足することが� ��きるため好ましい。接着樹脂組成物の平行� ��過率が15%未満であると、複合酸化物粒子を� ��加しない状態であってもフリップチップボ� ��ダーでの認識マーク識別が行えなくなって� ��位置合わせ作業が出来なくなる傾向がある� ��

 本発明に用いられる複合酸化物粒子は、� ��折率が1.5~1.7のものが好ましく、1.53~1.65のも のがより好ましい。複合酸化物粒子の屈折率 が1.5未満であると、接着樹脂組成物に配合し た際に樹脂組成物との屈折差が大きくなるた め回路部材接続用接着剤の内部を光が透過す る際に散乱してしまい、位置合わせが行えな くなる傾向がある。一方、屈折率が1.7を超え る場合も、同様に樹脂との屈折率差が大きく なるため、散乱が発生して位置合わせ出来な くなる傾向がある。屈折率はアッベ屈折計を 用い、ナトリウムD線(589nm)を光源として測定� ��ることができる。

 本発明に用いられる複合酸化物粒子は、� ��均粒径が15μm以下で、かつ最大粒径が40μm以 下のものが好ましく、平均粒径が5μm以下が� �り好ましく、平均粒径が3μm以下がさらに好� ��しい。複合酸化物粒子は、平均粒径が3μm以 下で、かつ最大粒径が20μm以下の粒子、さら� ��は平均粒径が3μm以下で、かつ最大粒径が5μ m以下の粒子が特に好ましい。平均粒径が15μm を超えると、チップのバンプ(接続端子)と及� ��回路基板(配線パターンの形成された基板)� �電極間に複合酸化物粒子がかみこみ、特に� �圧で実装する場合やバンプの材質がニッケ� �等の硬質である場合には埋め込まれなくな� �ため、電気的接続の妨げとなって好ましく� �い。また最大粒径が40μmを超える場合はチッ プと基板のギャップよりも大きくなる可能性 が発生し、実装時の加圧でチップの回路又は 基板の回路を傷つける原因となる傾向がある 。

 また、本発明に用いる複合酸化物粒子は� ��比重が4以下のものが好ましく、2~4のものが より好ましく、比重2~3.2のものがさらに好ま� ��い。比重が4を超えると、接着樹脂組成物の ワニスに添加した場合、比重差が大きいこと によってワニス中での沈降が発生する原因と なり、複合酸化物粒子が均一に分散した回路 部材接続用接着剤が得られなくなる傾向があ る。

 また、本発明に用いる複合酸化物粒子は� ��接着樹脂組成物との屈折率差が±0.06以内が� ��ましく、より好ましくは±0.02以内、さらに� ��ましくは±0.01以内である。屈折率差が±0.06� ��超えると、接着樹脂組成物に添加すること� ��よって透過率が減少し、半導体チップの突� ��した接続端子を有する面に貼付けた状態で� ��路部材接続用接着剤を透過してチップの回� ��面に形成された位置合わせマークを識別す� ��ことが出来なくなる場合がある。

 このような複合酸化物としては屈折率が1 .5~1.7であり、接着剤樹脂組成物との屈折率差 が±0.06以内のものが特に良好であり、そのよ うな複合酸化物としては、例えば、亜鉛、ア ルミニウム、アンチモン、イッテルビウム、 イットリウム、インジウム、エルビウム、オ スミウム、カドミウム、カルシウム、カリウ ム、銀、クロム、コバルト、サマリウム、ジ スプロシウム、ジルコニウム、錫、セリウム 、タングステン、ストロンチウム、タンタル 、チタン、鉄、銅、ナトリウム、ニオブ、ニ ッケル、バナジウム、ハフニウム、パラジウ ム、バリウム、ビスマス、プラセオジム、ベ リリウム、マグネシウム、マンガン、モリブ デン、ユウロピウム、ランタン、リン、ルテ チウム、ルテニウム、ロジウム、ボロン等金 属元素を含む酸化物が挙げられる。これらは 混合して用いることもできる。

 複合酸化物は、2種類以上の金属を原料と して含み、原料金属が単独で酸化物となった ときの構造とは異なる構造を有する化合物で あることが好ましい。特に好ましくはアルミ ニウム、マグネシウム又はチタンから選ばれ る少なくとも1種類の金属元素と、他の元素� �2種類以上を原料に含む酸化物の化合物から� ��る複合酸化物粒子である。このような複合� ��化物としてはホウ酸アルミニウム、コージ� ��ライト、フォルスライト、ムライト等が挙� ��られる。複合酸化物は、アルミニウム、ケ� ��素の複合酸化物にマグネシウムのような金� ��が元素置換された化合物であってもよい。� ��お、本発明においては、ケイ素やホウ素の� ��うなメタロイド元素(半金属)も複合酸化物� �構成する金属として取り扱う。

 複合酸化物粒子の線膨張係数は0~700℃以下� �温度範囲で7×10 ^-6 /℃以下であることが好ましく、3×10 ^-6 /℃以下であることがより好ましい。熱膨張� �数が7×10 ^-6 /℃を超えると、回路部材接続用接着剤の熱� �張係数を下げるために複合酸化物粒子を多� �に添加する必要性が生じる場合がある。

 複合酸化物としては屈折率の微調整が可能� ��ある点と低線膨張である点からコージェラ� ��トがさらに好ましい。コージェライトは一� ��的にMgO・Al ₂ O ₃ ・SiO ₂ からなる組成で示される化合物であり、屈折 率は1.54である。MgO/Al ₂ O ₃ /SiO ₂ の比は2/2/5であるが、この比を多少ずらすこ� ��で屈折率の微調整が可能である。また、結� ��時の線膨張係数は2×10 ^-6 /℃以下を示す。回路部材接続用接着剤に含� �れる複合酸化物粒子は、コージェライト粒� �を含有することが好ましい。複合酸化物粒� �はコージェライト粒子のみからなるもので� �、コージェライト粒子以外の複合酸化物粒� �を含有するものであってもよい。後者の場� �において、複合酸化物粒子全量を基準とす� �、コージェライト粒子の含有量は50重量%以� �であることが好ましく、70重量%以上である� �とがより好ましく、90重量%以上であること� �さらに好ましい。

 回路部材接続用接着剤において、樹脂組� ��物100重量部に対する複合酸化物粒子の含有� ��は25~200重量部が好ましい。含有量は、より� ��ましくは25~150重量部、さらに好ましくは50~1 50重量部、特に好ましくは75~125重量部である� ��複合酸化物粒子の配合量が25重量部未満で� �ると、回路部材接続用接着剤の線膨張係数� �増大と、弾性率の低下を招く場合があり、� �のような場合は圧着後の半導体チップと基� �の接続信頼性が低下する。一方、複合酸化� �粒子の配合量が200重量部を超えると、回路� �材接続用接着剤の溶融粘度が増加するため� �半導体の突出電極と基板の回路が十分に接� �ることが困難になる場合がある。

 回路部材接続用接着剤は、樹脂組成物と� ��この樹脂組成物中に分散された複合酸化物� ��子とを含有しており、樹脂組成物は、熱可� ��性樹脂、架橋性樹脂及びこの樹脂に架橋構� ��を形成させることのできる硬化剤を含有す� ��。樹脂組成物又は回路部材接続用接着剤は� ��本発明の効果を妨げない程度において、そ� ��他の添加剤(フィラー、可塑剤、着色剤、架 橋助剤等)を含有していてもよい。なお、樹� �組成物は、熱可塑性樹脂、架橋性樹脂及び� �の樹脂に架橋構造を形成させることのでき� �硬化剤のみからなるようにしてもよく、回� �部材接続用接着剤は、樹脂組成物と、この� �脂組成物中に分散された複合酸化物粒子の� �からなるようにしてもよい。

 樹脂組成物が含有する熱可塑性樹脂とし� ��は、ポリオレフィン(ポリエチレン、ポリプ ロピレン等)、エチレン系共重合体(エチレン- αオレフィン共重合体、エチレン-酢酸ビニル 共重合体、エチレン-(メタ)アクリレート共重 合体等)、スチレン系ブロックコポリマー、� �クリル重合体((メタ)アクリロイル基を有す� �モノマーの重合体をいう)、アクリル共重合� ��((メタ)アクリロイル基を有するモノマーを� ��モノマーとして含む共重合体をいう)、フェ ノキシ樹脂が挙げられ、アクリル重合体、ア クリル共重合体又はフェノキシ樹脂が好まし い。熱可塑性樹脂は、重量平均分子量が100万 以下であることが好ましく、50万以下である� ��とがより好ましく、30万以下であることが� �らに好ましい。熱可塑性樹脂はまた、Tgが40� ��以下であることが好ましく、35℃以下であ� �ことがより好ましい。

 樹脂組成物が含有する架橋性樹脂は、加� ��・光照射などのエネルギー付与により、共� ��使用する硬化剤の作用で三次元に架橋する� ��脂(三次元架橋樹脂)であり、熱や光により� �化剤と反応する官能基を有するものが好ま� �い。このような架橋性樹脂としては、エポ� �シ樹脂、ビスマレイミド樹脂、トリアジン� �脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、シ� �ノアクリレート樹脂、フェノール樹脂、不� �和ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、尿素� �脂、ポリウレタン樹脂、ポリイソシアネー� �樹脂、フラン樹脂、レゾルシノール樹脂、� �シレン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ジア� �ルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ポリ� �ニルブチラール樹脂、シロキサン変性エポ� �シ樹脂、シロキサン変性ポリアミドイミド� �脂、アクリレート樹脂等が挙げられ、これ� �は単独又は2種以上の混合物として使用する� ��とができる。

 このような架橋性樹脂に架橋構造を形成� ��せる硬化剤は、架橋性樹脂の反応性(官能基 の種類等)に従って決定できる。硬化剤とし� �は、フェノール系、イミダゾール系、ヒド� �ジド系、チオール系、ベンゾオキサジン、� �フッ化ホウ素-アミン錯体、スルホニウム塩� ��アミンイミド、ポリアミンの塩、ジシアン� ��アミド、有機過酸化物系硬化剤が例示でき� ��。これらの硬化剤は、可使時間を長くする� ��めポリウレタン系、ポリエステル系の高分� ��物質等で被覆してマイクロカプセル化して� ��よい。

 熱可塑性樹脂は、重量平均分子量が100万� ��下(好ましくは50万以下、さらには30万以下)� ��Tg40℃以下(好ましくは35℃以下)で、かつ架� �性樹脂と反応可能な官能基を側鎖に少なく� �も一カ所含む共重合性樹脂であることが好� �しく、硬化剤としてはマイクロカプセル型� �化剤が好ましい。このような共重合性樹脂� �マイクロカプセル型硬化剤を併用すること� �特に好ましい。なお、Tg(ガラス転移温度)は� ��JIS K7121「プラスチックの転移温度測定方法 」に規定されたDSC法によって測定することが できる。

 重量平均分子量100万以下、Tg40℃以下で、 かつ架橋性樹脂と反応可能な官能基を側鎖に 少なくとも1カ所含む共重合性樹脂としては� �架橋性樹脂と反応可能な官能基として側鎖� �エポキシ基、カルボキシル基、ヒドロキシ� �基等を含んだアクリル共重合体が好ましい� �特にアクリル共重合体の原料としてグリシ� �ルアクリレート又はグリシジルメタアクリ� �ート等を使用し得られたエポキシ基含有ア� �リル共重合体が好ましい。

 共重合性樹脂の共重合に用いる原料とし� ��は、ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート� �ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、ヒ ドロキシブチル(メタ)アクリレート等のヒド� ��キシアルキル(メタ)アクリレート、またメ� �ルメタクリレート、ブチル(メタ)アクリレー ト、2-エチルヘキシル(メタ)アクリレート、� �クロヘキシル(メタ)アクリレート、フルフリ ル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アク� �レート、ステアリル(メタ)アクリレート、ト リメチルシクロヘキシル(メタ)アクリレート� ��トリシクロデシル(メタ)アクリレート、テ� �ラシクロドデシル-3-アクリレート等の(メタ) アクリル酸エステル、スチレン、ビニルトル エン、ポリプロピレングリコールモノメタク リレート、ヒドロキシエチルアクリレート、 アクリロニトリル、ベンジルメタアクリレー ト、シクロヘキシルマレイミド等が適用でき る。

 マイクロカプセル型硬化剤は、硬化剤を� ��としてポリウレタン、ポリスチレン、ゼラ� ��ン、ポリイソシアネート等の高分子物質や� ��ケイ酸カルシウム、ゼオライト等の無機物� ��及びニッケル、銅等の金属薄膜などの被膜� ��より実質的に覆われたものをいう。マイク� ��カプセル型硬化剤の平均粒径は、10μm以下� �好ましく、5μm以下がより好ましい。

 樹脂組成物は、マイクロカプセル型硬化� ��の他、マイクロカプセル型ではない硬化剤� ��含んでいてもよい。樹脂組成物はまた、接� ��強度を増大するためにカップリング剤を含� ��でもよく、フィルム形成性を補助するため� ��ポリエステル、ポリウレタン、ポリビニル� ��チラール、ポリアリレート、ポリメチルメ� ��クリレート、アクリルゴム、ポリスチレン� ��フェノキシ樹脂、NBR、SBR、ポリイミドやシ� ��コーン変性樹脂(アクリルシリコーン、エポ キシシリコーン、ポリイミドシリコーン)等� �熱可塑性樹脂を含んでもよく、また複合酸� �物粒子の表面改質の目的でシリコーンオイ� �、ポリシロキサン、シリコーンオリゴマー� �カップリング剤を含んでもよい。

 回路部材接続用接着剤は、有機高分子化� ��物で被覆された粒径3~5μmの導電粒子及び/又 は金属の導電粒子を添加して異方導電接着剤 とすることもできる。有機高分子化合物で被 覆する前の導電粒子としては、Au、Ag、Ni、Cu� ��はんだ等の金属粒子やカーボンなどであり� ��十分なポットライフを得るためには、表層� ��Ni、Cu等の遷移金属類ではなくAu、Ag、白金� �の貴金属類が好ましく、Auがより好ましい。

 また、Niなどの遷移金属類の表面を、Auな どの貴金属類で被覆したものでもよい。さら に、非導電性のガラス、セラミック、プラス チック等に前記した導通層を被覆などにより 形成し最外層を貴金属類とした場合や熱溶融 金属粒子の場合、加熱加圧により変形性を有 するので電極の高さのばらつきを吸収し、接 続時に電極との接触面積が増加して信頼性が 向上するので好ましい。貴金属類の被覆層の 厚みは良好な抵抗を得るためには、100オング ストローム以上が好ましい。

 しかし、Niなどの遷移金属の上に貴金属� �の層を設ける場合では、貴金属類層の欠損� �導電粒子の混合分散時に生じる貴金属類層� �欠損などにより生じる酸化還元作用で遊離� �ジカルが発生し保存性低下を引き起こすた� �、300オングストローム以上が好ましい。そ� �て、厚くなるとそれらの効果が飽和してく� �ので最大1μmにするのが望ましいが特に制限� ��るものではない。これらの導電粒子の表面� ��必要により有機高分子化合物で被覆する。

 被覆に用いられる有機高分子化合物は、� ��溶性であると被覆作業性が良好で好ましい� ��水溶性高分子としては、アルギン酸、ペク� ��ン酸、カルボキシメチルセルロース、寒天� ��カードラン及びプルラン等の多糖類;ポリア スパラギン酸、ポリグルタミン酸、ポリリシ ン、ポリリンゴ酸、ポリメタクリル酸、ポリ メタクリル酸アンモニウム塩、ポリメタクリ ル酸ナトリウム塩、ポリアミド酸、ポリマレ イン酸、ポリイタコン酸、ポリフマル酸、ポ リ(p-スチレンカルボン酸)、ポリアクリル酸� �ポリアクリルアミド、ポリアクリル酸メチ� �、ポリアクリル酸エチル、ポリアクリル酸� �ンモニウム塩、ポリアクリル酸ナトリウム� �、ポリアミド酸、ポリアミド酸アンモニウ� �塩、ポリアミド酸ナトリウム塩及びポリグ� �オキシル酸等のポリカルボン酸、ポリカル� �ン酸エステル及びその塩;ポリビニルアルコ� ��ル、ポリビニルピロリドン、ポリアクロレ� ��ン等のビニル系モノマー等が挙げられる。� ��れらは単一の化合物を用いてもよく、2以上 の化合物を併用してもよい。

 被覆の厚みは、1μm以下が好ましく、この 被覆を排除して導電粒子が接続端子と接続端 子を電気的に接続するので、加熱、加圧時に は接続端子と接触する部分の被覆が排除され ることが必要である。導電性粒子は、接着剤 樹脂成分100体積部に対して0.1~30体積部の範囲 で用途により使い分ける。過剰な導電性粒子 による隣接回路の短絡などを防止するために は0.1~10体積部とするのがより好ましい。

 突出した接続端子を有する半導体ウェハ� ��回路部材接続用接着剤(又は回路部材接続用 異方導電接着剤)、UV照射によって硬化するタ イプのダイシングテープから構成される積層 体は、半導体ウェハと回路部材接続用接着剤 を加熱機構及び加圧ローラを有する装置又は 加熱機構及び真空プレス機構を有する装置に よってラミネートした後、さらにウェハマウ ンタ等の装置によってダイシングテープとラ ミネートしても得ることができる。

 また、突出した接続端子を有する半導体� ��ェハ、回路部材接続用接着剤(又は回路部材 接続用異方導電接着剤)、UV照射によって硬化 するタイプのダイシングテープから構成され る積層体は、回路部材接続用接着剤とダイシ ングテープをラミネートした積層体を準備し た後、加熱機構及び加圧ローラを有するウェ ハマウンタ又は加熱機構及び真空プレス機構 を有するウェハマウンタによって半導体ウェ ハにラミネートして得ることができる。

 半導体ウェハと回路部材接続用接着剤の� ��ミネート又は半導体ウェハと回路部材接続� ��接着剤の積層体のラミネートは、回路部材� ��続用接着剤が軟化する温度で行うことが好� ��しく、例えば40~80℃に加熱しながら行うこ� �が好ましく、60~80℃に加熱しながら行うこと がより好ましく、70~80℃に加熱しながらラミ� ��ートすることがさらに好ましい。

 回路部材接続用接着剤が軟化する温度未� ��でラミネートする場合、半導体ウェハの突� ��した接続端子の周辺への埋込不足が発生し� ��ボイドが巻き込まれた状態となり、ダイシ� ��グ時の剥がれ、ピックアップ時の回路部材� ��続用接着剤の変形、位置合わせ時の認識マ� ��ク識別不良、さらにボイドによる接続信頼� ��の低下などの原因となる傾向がある。

 半導体ウェハ、回路部材接続用接着剤、� ��イシングテープから構成される積層体をダ� ��シングする際、IR認識カメラを用いること� �よってウェハを透過して半導体ウェハの回� �パターン又はダイシング用の位置合わせマ� �クを認識し、スクライブラインの位置合わ� �を行うことができる。

 半導体ウェハ、回路部材接続用接着剤、� ��イシングテープから構成される積層体にお� ��て、半導体ウェハと回路部材接続用接着剤� ��切断する工程は通常のダイサーを用いて行� ��ことができる。ダイサーによる切断は一般� ��にダイシングと称される工程を適用できる� ��

 ダイシングは、第1段階としてウェハのみ を切断し、第2段階として、第1段階の切断溝� ��の残りのウェハと回路部材接続用接着剤と� ��イシングテープの界面まで又はダイシング� ��ープの内部まで切断するステップカットで� ��イシングすることが好ましい。

 半導体ウェハ、回路部材接続用接着剤、� ��イシングテープから構成される積層体のダ� ��シングはレーザを用いたダイシングを適用� ��ることもできる。ダイシング後のUV照射工� �は、ダイシングテープ側に通常の露光機等� �15~30mWで150~300mJ程度のUV照射を行ってできる� �

 ダイシングテープ側から半導体ウェハ側� ��突き上げてダイシングテープと接着剤をは� ��離させることによって個片化された接着剤� ��半導体チップを得る工程は、ウェハからチ� ��プをピックアップできる装置で実施可能で� ��り、半導体チップが積層されている面とは� ��対の面からダイシングテープを押し伸ばす� ��うに押し当てて回路部材接続用接着剤とUV� �射後のダイシングテープの界面ではく離さ� �て引き剥がすことによって行うことができ� �。

 接着剤付きチップの吸引工程、位置合わ� ��工程、加熱加圧工程は通常のフリップチッ� ��ボンダーで行うことができる。また、吸引� ��程、位置合わせ工程を行い、位置合わせ後� ��半導体チップを基板に仮固定した後、圧着� ��み行う圧着機で加熱加圧して接続すること� ��できる。さらに、加熱加圧だけでなく、超� ��波を印可しながら接続を行うこともできる� ��