【발명의 명칭】

반도체용접착필름

【기술분야】

관련출원（들）과의 상호인용

본 출원은 2018년 2월 2일자 한국특허출원 제 10-2018-0013603및

2018년 12월 7일자 한국특허출원 제 10-2018-0157086호 에 기초한 우선권의 이익을주장하며， 해당 한국 특허 출원들의 문헌에 개시된 모든 내용은 본 명세서의 일부로서 포함된다.

본 발명은 반도체용 접착 필름에 관한 것으로서,，보다 상세하게는 향상된 경화물성으로 반도체 칩의 신뢰성을높일 수 있고 높은 내열성 및 접착력과 함께 향상된 기계적 물성을 구현할 뿐만 아니라 우수한 열전도 특성 및 전자파 흡수 성능을 구현할 수 있는 반도체용 접착 필름에 관한 것아다.

【발명의 배경이 되는기술】

최근 전자기기의 소형화, 고기능화, 대용량화추세가 확대되고 이에 따른 반도체 패키지의 고밀도화， 고집적화에 대한 필요성이 급격히 커짐에 따라 반도체 칩 크기가 점점 커지고 있으며 집적도 측면에서도 개선하기 위하여 칩을다단으로적층하는스택패키지 방법이 점차로증가하고 있다. 이와같이 다단의 반도체 스택 패키지의 사용에 따라서 칩의 두께는 얇아지고 회로의 집적도는 높아지고 있는데, 칩 자체의 모듈러스는 낮아져서 제조 공정이나 최종 제품의 신뢰성에 문제점을 야기 하고 있다. 이러한문제점을해결하기 위하여 반도체 패키징 과정에 사용되는 접착제의 물성을강화시키는방법들이 시도되어 왔다.

또한， 최근반도체 칩의 두께가얇아짐에 따라기존의 블레이드절삭 과정에서 칩이 손상되어 수율이 저하되는 문제가 있는데, 이를 해결하기 위하여 블레이드로 우선 반도체 칩을 절삭한 후 연마하는 제조 과정이 제시되고 있다. 이러한 제조 과정에서 접착제는 분단되어 있지 않으므로 레이저를 이용하여 접착제를 자른 후， 저온에서 기재필름의 익스펜딩 과정을 통하여 분단하고 있다. 또한 최근에는 칩 위와 회로를 보호하기 위하여 레이저를 이용하지 않고 오로지 저온 익스펜딩 과정과 열 2019/151645 1»（：1^1{2018/016352

수축과정을통하여 접착제를분단하는공정을적용하고있다.

한편, 최근 전자기기 및 전자부품이 경박단소화되는 경향에 따라 전기 소자의 집적도가 높아지고 있으며， 전기 에너지로 작동 하는 전기 소자의 발열량도 크게 증가하고 있다. 이에 따라, 전자기기 내부에서 발생된 열을 효과적으로 분산하여 발산시키는 방열 특성의 향상에 대한 요구가 높아 지고 있다. 또한， 전기 소자의 집적도가 높아짐에 따라서 전자파의 발생량도 증가하는데, 이러한 전자기파가 전자기기의 접합부, 연결부 등을 통하여 누출되어 다른 전기 소자 또는 전자 부품의 오작동을 유발하거;나 인체 면역 기능을 약화시키는 등의 유해 작용을 하는 문제점이 나타났다.

【발명의 내용】

[해결하고자하는과제】

본 발명은, 향상된 경화 물성으로 반도체 칩의 신뢰성을 높일 수 있고 높은 내열성 및 접착력과 함께 향상된 기계적 물성을 구현할 뿐만 아니라 우수한 열전도 특성 및 전자파 흡수 성능을 구현할 수 있는 반도체용접착필름을제공하기 위한것이다.

【과제의 해결수단】

본 명세서에서는， 접착 바인더; 및 방열 필러를 포함한 제 1층; 및 상기 제 1층의 적어도 일면에 형성되고， 접착바인더 및 자성 필러를포함한 제 2층;을 포함하고, 상기 제 1층 및 제 2층 각각에 포함되는 접착 바인더는 에폭시계 작용기를 포함한 （메트）아크릴레이트계 반복 단위와 방향족 작용기를 포함한 （메트）아크릴레이트계 반복 단위를 포함하는

（메트）아크릴레이트계 수지; 페놀 수지를 포함한 경화제; 및 에폭시 수지;를포함하는， 반도체용접착필름이 제공된다.

발명의 구체적인 구현예의 반도체용 접착 필름에 관하여 보다 상세하게 설명하기로한다. 본명세서에서， ’필러 '는복합시트에 열전도특성 또는전자파톱수 성능등의 특정 성질을부여하기 위하여 충진되는물질을의미한다.

폴리스티렌 환산의 중량평균분자량（단위: g/mol）을의미한다. 상기 GPC법에 의해 측정한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량을 측정하는 과정에서는， 통상적으로 알려진 분석 장치와 시차 굴절 검출기（Refract ive Index Detector） 등의 검출기 및 분석용 컬럼을 사용할 수 있으며, 통상적으로 적용되는온도조건， 용매, f low rate를 적용할수 있다. 상기 측정 조건의 구체적인 예로， 30°C의 온도， 클로로포름용매（Chloroform） 및 1 mL/min의 f low rate를들수있다. 발명의 일 구현예에 따르면, 접착 바인더; 및 방열 필러를 포함한 제 1층; 및상기 제 1층의 적어도 일면에 형성되고， 접착 바인더 및 자성 필러를 포함한 제 2층;을 포함하고， 상기 제 1층 및 제 2층 각각에 포함되는 접착 바인더는 에폭시계 작용기를 포함한 （메트）아크릴레이트계 반복 단위와 방향족 작용기를 포함한 （메트）아크릴레이트계 반복 단위를 포함하는 （메트）아크릴레이트계 수지; 페놀 수지를 포함한 경화제; 및 에폭시 수지;를포함하는， 반도체용접착필름이 이 제공될수 있다.

본 발명자들은 반도체 소자의 접착 또는 패키징에 사용될 수 있는 성분에 대한 연구를 진행하여， 상기 특정 조성을 갖는 접착 바인더를 포함하고 각각 방열 필러 및 자성 필러를 포함한 2종류의 층을 포함하는 반도체용접착필름이 향상된 경화물성으로 반도체 칩의 신뢰성을높일 수 있고 높은 내열성 및 접착력과 함께 향상된 기계적 물성을 구현할 뿐만 아니라우수한 열전도특성 및 전자파흡수 성능을 구현할수 있다는 점을 실험을통하여 확인하고발명을완성하였다.

상기 제 1층 및 제 2층 각각에 포함되는 접착 바인더는 에폭시계 작용기를 포함한 （메트）아크릴레이트계 반복 단위와 방향족 작용기를 포함한（메트）아크릴레이트계 반복단위를포함할수 있다.

상기 （메트）아크릴레이트계 수지가 방향족 작용기를 포함한 （메트）아크릴레이트계 반복 단위를 포함함에 따라서, 상기 반도체용 접착 필름은 포함되는 성분들간의 보다높은 상용성 및 결합력을 확보하고 높은 탄성을 가질 수 있으며， 상대적으로 향상된 초기 인장모듈러스를 가질 수 2019/151645 1»（：1^1{2018/016352

있다.

또한， 상기 （메트）아크릴레이트계 수지가 에폭시계 작용기를포함한 （메트）아크릴레이트계 반복 단위를 포함함에 따라， 상기 반도체용 접착 필름은보다균일하고 견고한내부구조를가지게 되어 극박웨이퍼의 다단 적층시 높은내충격성을확보할수 있으며 반도체 제조 이후전기적 특성을 향상시킬수있다.

또한， 상기 （메트）아크릴레이트계 수지는 0.15 ₆ （ ₁ /1 _¾ 이하, 또는 0.10 ₆ （ ₁ 八 _§ 이하의 수산기 당량을나타내어상기 수지 조성물의 다른성분, 예를 들어 에폭시 수지 또는 페놀 수지와 상용성을 저해하지 않으면서도 에폭시와함께 보다원활하고균일하게 경화되며， 특히 상기 반도체용접착 필름이 보다균일하고견고한내부구조를가질수있게 한다.

상기 （메트）아크릴레이트계 수지의 수산기 당량이 높은 경우, 예를 들어 0.15 ₆ 다八 _¾ 초과하는 경우, 에폭시 수지 또는 페놀 수지 등과 상용성이 저하되어 상기 반도체용 접착 필름의 외관 특성이나 기계적 물성의 균일성이 저하될수있다.

상기 （메트）아크릴레이트계 수지 중 방향족 작용기를 포함한

（메트）아크릴레이트계 작용기의 함량이 2 내지 4◦중량%， 또는 3 내지

30중량%또는 5내지 25중량%일수있다.

상기 （메트）아크릴레이트계 수지 중 방향족 작용기를 포함한 （메트）아크릴레이트계 작용기의 함량이 너무 낮으면, 상기 에폭시 수지 또는페놀수지와의 상용성이 증대되는효과가미미할수 있으며 또한최종 제조되는접착필름의 흡습성을낮추는효과가미미하다.

상기 （메트）아크릴레이트계 수지 중 방향족 작용기를 포함한

（메트）아크릴레이트계 작용기의 함량이 너무 높으면， 최 상기 반도체용 접착필름의 접착력이 저하될수 있다.

상기 방향족 작용기는 탄소수 6 내지 20의 아릴기（ ₃₁ 1）; 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴기 및 탄소수 1 내지 10¾ 알킬렌기를 포함하는 아릴알킬렌기일수있다.

상기 에폭시계 작용기를 포함한 （메트）아크릴레이트계 반복 단위는 에폭시 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬메틸 （메트）아크릴레이트 반복 2019/151645 1»（：1^1{2018/016352

단위를 포함할 _. 수 있다. 상기 "에폭시 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬메틸"은 에폭시기가 결합된 탄소수 3 내지 30의 사이클로 알킬이 메틸기에 치환된 구조를의미한다. 상기 에폭시 탄소수 3내지 20의 사이클로알킬메틸 （메트）아크릴레이트의 일 예로 글리시딜 （메트）아크릴레이트 또는 3, 4 -에폭시시클로핵실메틸 （메타）아크릴레이트 등을들수 있다.

한편， 상기 （메트）아크릴레이트계 수지는 반응성 작용기를 포함한 비닐계 반복 단위 및 탄소수 1 내지 10의 알킬기를 포함하는 （메트）아크릴레이트계 작용기로 이루어진 군에서 선택된 1이상의 반복 단위를더 포함할수있다.

상기 반응성 작용기는 알코올， 아민， 카르복실산, 에폭사이드， 이미드， （메트）아크릴레이트， 니트릴, 노보넨, 올레핀, 폴리에틸렌글리콜， 싸이올 및 비닐기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 작용기를 포함할 수있다.

상기 （메트）아크릴레이트계 수지가 반응성 작용기를 포함한 비닐계 반복단위 및 탄소수 ₁ 내지 1 ₀ 의 알킬기를포함하는 （메트）아크릴레이트계 작용기로 이루어진 군에서 선택된 1이상의 반복 단위를 더 포함하는 경우， 상기 （메트）아크릴레이트계 수지는 상기 에폭시계 작용기를 포함한 （메트）아크릴레이트계 반복 단위를 0.1 내지 20중량%， 또는 0.5 내지 10 중량%포함할수있다.

상기 （메타）아크릴레이트계 수지는 _10°〔내지 20°（:, 또는 _5°〔내지

15°（:의 유리 전이 온도를 가질 수 있다. 상술한 유리 전이 온도를 갖는

（메타）아크릴레이트계 수지를 사용함에 따라서 상기 상기 반도체용 접착 필름이 높은 접착력을 확보할수 있고， 박막 필름 등의 형태로 제조하기가 용이하다.

또한， 상기 （메타）아크릴레이트계 수지는 5000내지 1,000,000, 또는 100,000내지 900 ,000의 중량평균분자량을가질수있다.

한편， 상기 반도체용 접착 필름에서, 상기 （메트）아크릴레이트계 수지, 에폭시 수지 및 페놀수지 총 중량 대비 상기 （메트）아크릴레아트계 2019/151645 1»（：1^1{2018/016352

수지의 중량의 비율이 0.55내지 0.95일수 있다.

상기 반도체용접착필름이 상기 （메트）아크릴레이트계 수지, 에폭시 수지 및 페놀수지 총중량대비 상기 （메트）아크릴레이트계 수지를상술한 범위로 포함함에 따라서， 상기 반도체용 접착 필름은 초기 인장시 상대적으로 높은 모듈러스를 나타내면서도 높은 탄성， 우수한 기계적 물성 및높은접착력을구현할수있다.

상기 （메트）아크릴레이트계 수지， 에폭시 수지 및 페놀수지 총중량 대비 상기 （메트）아크릴레이트계 수지의 중량비가 상술한 범위보다 낮은 경우, 상기 반도체용 접착 필름의 접착성이 줄어 들어 웨이퍼에서는 젖음성이 줄어들고 이는 균일한 분단성을 기대할 수 없게 하고, 신뢰성 측면에서는 웨이퍼와 접착 필름 계면 간의 밀착력 저하로 인하여 접착력 저하를초래하여 신뢰성이 취약해질수 있다.

그리고， 상기 상기 （메트）아크릴레이트계 수지， 에폭시 수지 및 페놀 수지 총 중량 대비 상기 （메트）아크릴레이트계 수지의 중량비가 상술한 범위보다 높은 경우， 상기 반도체용 접착 필름을 상온에서 5% 내지 15% 신장시 발생하는 모듈러스가충분하지 않을 수 있고， 매우 높아지고， 상기 접착필름이 갖는상온에서의 인장율은매우크게높아질수있다.

상기 반도체용 접착 필름에서 에폭시 수지 및 페놀 수지의 중량비율은 최종 제조되는 제품의 특성을 고려하여 조절 가능하며， 예를 들어 10: 1내지 1: 10의 중량비일수 있다.

한편， 상기 반도체용 접착 필름에 포함되는 경화제는 100^ 이상의 연화점을갖는페놀수지를포함할수 있다. 상기 페놀수지는 100^ 이상， 또는 110°〔내지 160°（:， 또는 115°（:내지 150°（:의 연화점을가질수 있다. 상기 반도체용 접착 필름은 상대적으로 높은 연화점을 갖는 페놀 수지를 포함할수 있으며, 이와 같이 100^ 이상， 또는 110 내지 160°（1， 또는 115°〔내지 150°（:의 연화점을갖는페놀수지는상기 액상에폭시 수지 및 상기 （메트）아크릴레이트계 수지와 함께 접착 성분의 기재（또는 매트릭스）를 형성할수 있으며， 상기 접착필름이 상온에서 보다높은 인장 2019/151645 1»（：1^1{2018/016352

모듈러스와 우수한 접착력을 갖도록 하고 반도체에 최적화된 유동 특성을 갖도록한다.

이에 반하여, 상기 페놀수지의 연화점이 상술한범위 미만인 경우， 상기 반도체용 접착 필름이 갖는 상온에서의 인장 모듈러스가 낮아지거나 상온 인장율이 크게 증가할수 있으며, 또한상기 필름이 갖는용융 점도가 감소하거나 또는 모듈러스가 낮아질 수 있으며， 또한 상기 접착 필름을 결합하는 과정이나상기 접착 필름이 고온 조건에 장시간 노출되는 경우에 흘러내림 01 _{66(1 0111} ：)이 다수발생할수있다 .

또한， 상기 페놀수지는 80 _§ 八 내지 400용八다의 수산기 당량, 또는 90 g/e^ 내지 250 _§ / _{6 1} 의 수산기 당량, 또는 또는 100 요/근다 내지 178 요八다의 수산기 당량, 또는 210 내지 240 _§ / _6¾ 수산기 당량을 가질 수 있다. 상기 페놀 수지가 상술한 수산기 당량 범위를 가짐에 따라서， 짧은 경화시간에서도 경화도를 높일 수 있으며， 이에 따라 상기 반도체용 접착 필름이 상온에서 보다 높은 인장 모듈러스와 우수한 접착력의 특성을 부여할수있다.

상기 페놀 수지는 비스페놀 쇼 노볼락 수지 및 바이페닐노볼락 수지로이루어잔군에서 선택된 1종이상을포함할수 있다.

한편, 상기 에폭시 수지는 상기 반도체용 접착 필름의 경화도 조절이나접착성능등을높이는역할을할수있다 .

상기 에폭시의 수지의 구체적인 예로는， 바이페닐계 에폭시 수지, 비스페놀쇼 에폭시 수지 , 비스페놀 ? 에폭시 수지， 크레졸 노볼락 에폭시 수지， 페놀 노볼락 에폭시 수지, 4관능성 에폭시 수지, 트리페놀메탄형 에폭시 수지， 알킬 변성 트리페놀메탄형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지 및 디시클로펜타디엔 변성 페놀형 에폭시 수지로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 고분자 수지를 들 수 있다.

상기 에폭시 수지의 연화점은 50°〔 내지 120 일 수 있다. 상기 에폭시 수지의 연화점이 너무 낮으면 상기 반도체용 접착 필름의 점착력이 높아져서 다이싱 후 칩 픽업성이 저하될 수 있으며, 상기 에폭시 수지의 2019/151645 1»（：1^1{2018/016352

연화점이 너무 높으면 상기 반도체용 접착 필름의 고온에서의 유동성이 저하될수있고상기 반도체용접착필름의 접착력이 저하될수있다.

상기 에폭시 수지의 에폭시 당량은 100내지 300용八다일수 있다. 상기 경화제는 아민계 경화제， 및 산무수물계 경화제로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물을 더 포함할 수 있다. 상기 경화제의 사용량은최종제조되는접착필름의 물성 등을고려하여 적절히 선택할수 있으며， 예를 들어 상기 에폭시 수지 100 중량부를 기준으로 10 내지 700중량부， 또는 30내지 300중량부로사용될수있다.

상기 반도체용접착필름은경화촉매를더 포함할수있다.

상기 경화촉매는상기 경화제의 작용이나상기 반도체용 접착필름 의 제조과정에서 경화를촉진 시키는 역할을하며， 반도체 접착필름등의 제조에 사용되는것으로 알려진 경화촉매를큰제한없이 사용할수 있다. 예를들어， 상기 경화촉매로는 인계 화합물, 붕소계 화합물 및 인-붕소계 화합물 및 이미다졸계 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을사용할 수 있다. 상기 경화족매의 사용량은최종 제조되는접착필름의 물성 등을 고려하여 적절히 선택할 수 있으며， 예를 들어 상기 액상 및 고상 에폭시 수지， （메타）아크릴레이트계 수지 및 페놀 수지의 총합 100 중량부를 기준으로 0.5내지 10중량부로사용될수있다.

상기 반도체용 접착 필름은 지르코늄， 안티몬, 비스무스, 마그네슘 및 알루미늄으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 금속을 포함한 금속 산화물; 다공성 실리케이트; 다공성 알루미노 실리케이트; 또는 제올라이트를포함하는이온포착제를더 포함할수있다.

상기 지르코늄, 안티몬, 비스무스， 마그네슘 및 알루미늄으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 금속을 포함한금속 산화물의 예로는 산화지르코늄 , 안티몬의 산화물 , 비스무스의 산화물 , 산화마그네슘， 산화알루미늄， 안티몬 비스무스계 산화물 , 지르코늄 비스무스계 산화물， 지르코늄 마그네슘계산화물， 마그네슘 알루미늄계 산화물 , 안티몬 마그네슘계 산화물， 안티몬 알루미늄계 산화물, 안티몬지르코늄계 산화물, 지르코늄 알루미늄계 산화물， 비스무스 마그네슘계 산화물， 비스무스 알루미늄계산화물또는이들의 2종이상의 혼합물을들수 있다. 2019/151645 1»（：1^1{2018/016352

상기 이온포착제는상기 반도체용 접착필름내부에 존재하는금속 이온 또는 할로겐 이온 등을 흡착하는 역할을 할 수 있으며, 이에 따라 상기 접착필름과접촉하는배선의 전기적 신뢰성을증진시킬수있다.

상기 반도체용 접착 필름 중 이온 포착제의 함량이 크게 제한되는 5 것은 아니나， 전이 금속 이온과의 반응성， 작업성 및 상기 상기 반도체용 접착 필름 중량을 기준으로 0.01 내지 20 중량%， 바람직하게는 0.01 내지 10중량%로포함될수있다.

한편， 상기 반도체용 접착 필름은 커플링제 및 무기 충진제로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 첨가제를 더 포함할 수 있다. 상기 ₁₀ 커플링제 및 무기 충진제의 구체적이 예가 한정되는 것은 아니며， 반도체 패키징용 접착제에 사용될 수 있는 것으로 알려진 성분을 큰 제한 없아 사용할수 있다. 상술한 바와 같이， 상기 제 1층은 접착 바인더; 및 방열 필러를 ₁₅ 포함할수있다.

상기 방열 필러는 반도체용 접착필름에 사용되어 전기 소자등에서 발생하는열을빠르게 헛싱크로 전달하는작용또는효과를발휘할수 있다. 이러한 방열 필러의 구체적인 예로 알루미나（시 ₂₀₃ ）, 질화붕소犯비, 질화알미늄（시 ， 탄화규소（ ， 산화마그네슘 的）， 산화아연（¾0）， ₂₀ 수산화알미늄（사（0 ₃ ）또는이들의 혼합물등을들수 있다.

상술한바와같이 , 상기제 2층은접착바인더 및 자성 필러를포함할 수있다.

상기 자성 필러는 연자성 금속 합금 입자 또는 페라이트계 자성 입자를포함할수 있다. 상기 연자성 금속 합금 입자는 외부에서 자기장이 ₂₅ 인가되었을 때 신속하게 자화될 수 있는 금속합금을 포함할 수 있으며 , 반도체용 접착 필름에서 특정 주파수의 전자기파 노이즈를 를수하여 제가하는 작용또는 효과를구현할수 있다. 이러한자성 입자의 구체적인 예로 철-실리콘-알루미늄합금， 철-실리콘합금， 철-크롬-실리콘합금, 철_ 크롬 합금， 니켈-철 합금， 카보닐 철， 이들의 혼합물 또는 이들의 합금 ₃₀ 등을 들 수 있다. 상기 페라이트계 자성 입자는 세라믹계 물질로서 외부 자기장에 쉽게 자화가 되는 스피넬 구조의 물질을 포함할수 있으며 , 이의 구체적인 예로 니켈-아연 페라이트, 망간-아연 페라이트로， 이들의 혼합물 또는이들의 합금등을들수있다.

상기 자성 필러의 모양에는별다른제한이 없으며, 예를들어 구형, 원형 , 판상형， 다면체， 회전체등의 모양일수있다. 이와같이, 상술한접착바인더와더불어 방열 필러 및 자성 필러를 각각 포함하는 반도체용 접착 필름은 상기 구조 및 조성에 따라서 특정한 열전도도 특성과주파수에 따른 Radi ated EMI 노이즈를 선택적으로 흡수할 수 있는특징을가질수있다.

한편， 상기 제 1층 및 상기 제 2층은각각 1 _// m내지 300 _의 두께를 가질 수 있다. 또한， 상기 제 1층 및 상기 제 2층은 각각 1 m 이상, 3 m 이상， 5 m이상， 10，이상의 두께를가질 수 있다. 또한， 상기 제 1층및 상기 제 2층은각각 300 m이하, 또는 loo m이하， 또는 90 m이하, 또는 70 m이하의 두께를가질수 있다.

상기 제 1층및 상기 제 2층간의 두께 비율등이 크게 한정되는 것은 아니나， 상술한고유의 효과를 최적화하기 위해서 상기 제 1증의 두께 대비 상기 제 2층의 두께의 비율이 0.2내지 5일수 있다.

상기 반도체용 접착 필름을 상온에서 0.3 mm/sec 의 속도로 5%까지 인장시 모듈러스가 100 MPa 이상일 수 있다. 또한， 상기 반도체용 접착 필름을상온에서 0.3 mm/sec의 속도로 10%신장시 발생하는모듈러스가 55 MPa이상이며， 15%신장시 발생하는모듈러스가 40 MPa이상일수 있다. 상기 반도체용 접착 필름은 반도체 칩의 다단적층 구조의 패키지에 적용되어 보다 안정적인 구조 및 우수한 내열성 및 내충격성 등의 기계적 물성을 구현하며， 또한 리들로우 균열 등을 방지할 수 있고, 특히 반도체 제조 과정에서 적용되는 고온 조건에 장시간 노출되어도 보이드 (void)가 실질적으로발생하지 않을수있다.

또한， 상기 반도체용 접착 필름은 높은 파단 강도 및 낮은 파단 신율을 가져서 칼날을 이용한 웨이퍼 절단 방법뿐만 아니라 기타 비접촉식 접착제 절단 방법， 예를 들어 DBG(Dicing Before Gr inding)에도 적용 2019/151645 1»（：1^1{2018/016352

가능하며， 또한 저온에서도 분단성이 우수하여 절단 후 실온에 방치하더라도 재점착 가능성이 낮아서 반도체 제조 공정의 신뢰성 및 효율을높일수있다.

상기 접착필름은리드프레임 또는기판과다이를접착하거나다이와 다이를 접착하는 다이 어태치 필름 요 으로 사용될 수 있다. 이에 따라， 상기 접착필름은다이 본딩 필름또는다이싱 다이 본딩 필름등의 형태로 가공될수있다.

【발명의 효과】

본발명에 따르면， 향상된 경화물성으로반도체 칩의 신뢰성을높일 수 있고 높은 내열성 및 접착력과 함께 향상된 기계적 물성을구현할뿐만 아니라 우수한 열전도 특성 및 전자파 흡수 성능을 구현할 수 있는 반도체용접착필름이 제공될수 있다.

또한， 상기 반도체용 접착 필름은 다양한 반도체 패키지 제조 방법으로 적용 가능하며, 반도체 팁과 기판이나 하층의 칩 등의 지지 부재와의 접착 공정에서 높은 신뢰성을 확보하게 하며， 반도체 패키지에서 반도체 팁을 실장시 요구되는 내열성， 내습성 및 절연성을 확보하면서 우수한작업성을구현할수있다.

【발명을실시하기 위한구체적인내용】

발명의 구체적인 구현예를 하기의 실시예에서 보다 상세하게 설명한다. 단, 하기의 실시예는 발명의 구체적인 구현예를 예시하는 것일 뿐， 본발명의 내용이 하기의 실시예에 의하여 한정되는것은아니다.

［합성예 1: 열가소성수지 1의 합성］

톨루엔 100용에 부틸 아크릴레이트 7¾， 아크릴로니트릴 15 _§, 글리시딜 메타크릴레이트 5용및 벤질메타크릴레이트 10 _§ 을혼합하여 80에서 약 12시간 동안 반응하여 글리시딜기가 분지쇄로 도입된 아크릴레이트 수지 1（중량평균분자량약 90만, 유리전이온도 14°0를합성하였다.

그리고， 상기 아크릴레이트 수지 1를 디클로로메탄에 용해시킨 후, 냉각시키고 0. ^ 메탄올 용액으로 적정하여 수산기 당량이 약 2019/151645 1»（：1^1{2018/016352

0.03 ₆ （ ₁ 八 _¾ 인 점을확인하였다.

［합성예 2: 열가소성수지 2의 합성］

톨루엔 100 _§ 에 부틸 아크릴레이트 65 _§ 아크릴로니트릴 15 _§, 글리시딜 메타크릴레이트 5 _§ 및 벤질메타크릴레이트 15 _§ 을혼합하여 80에서 약 12시간 동안 반응하여 글리시딜기가 분지쇄로 도입된 아크릴레이트 수지 2（중량평균분자량약 52만， 유리전이온도 14^）를합성하였다.

그리고, 상기 아크릴레이트 수지 1를 디클로로메탄에 용해시킨 후, 냉각시키고 0. ^ 메탄올 용액으로 적정하여 수산기 당량이 약 0.03 ₆ （ ₁ 八 _¾ 인 점을확인하였다.

［합성예 3: 열가소성수지 3의 합성］

톨루엔 100 _§ 에 부틸 아크릴레이트 60 _§ , 아크릴로니트릴 15 _§, 글리시딜 메타크릴레이트 5 _§ 및 벤질메타크릴레이트 20 _§ 을혼합하여 80에서 약 12시간 동안 반응하여 글리시딜기가 분지쇄로 도입된 아크릴레이트 수지 2（중량평균분자량약 52만， 유리전이온도 15° 를합성하였다.

그리고， 상기 아크릴레이트 수지 1를 디클로로메탄에 용해시킨 후, 냉각시키고 0. ^ 메탄올 용액으로 적정하여 수산기 당량이 약

［실시예 1내지 3 : 반도체용접착필름의 제조］

1. 접착바인더 및방열필러를포함한제 1층의 제조

（1）실시예 1

에폭시 수지의 경화제인 페놀 수지 ^-11600）1（：사 제품， 크레졸 노볼락 수지， 수산기 당량 190 g/eq , 연화점: 65 X:） 4 _§, 에폭시 수지 £10ᅡ1033（일본화약제품， 크레졸노볼락형 에폭시 수지 , 에폭시 당량 214 용八 연화점: 80 °0 2g , 액상 에폭시 수지 -3103（일본 화학 제품， 2019/151645 1»（：1'/¾1{2018/016352

비스페놀 쇼 에폭시 수지, 에폭시 당량 180 은 다） 5요, 알루미나 필러 06- 5와 -05를혼합한 필러 85용을 메틸 에틸 케톤 용매하에서 밀링기를 이용하여 밀링한다.

이후 이 혼합물에 열가소성 아크릴레이트 수지 10½: 52만, 유리전이온도: 10°0 4 _§ 실란 커플링제 쇼-187½£ 도시바 실리콘， 감마 굴리시독시프로필트리메톡시실란） 0.1용, 경화 촉진제 比 0.1 _§ ， 2齡-（® 0.1 _§ 를 넣고 2시간 동안 추가로 밀링하여 반도체 접착용 수지 조성물 용액（고형분 80중량% 농도）을 얻었다. 이 밀링액을 자동 도공기를 이용하여 두께 20_의 제 1층을얻었다，

（2）실시예 2내지 3

하기 표 1과 같이 조성을 달리한 점을 제외하고 실시셰 1과 동일한 방법으로두께 20 _/ 페의 제 1층을얻었다，

【표 1】 제 1층의 조성 （단위: 용）

（사용성분의 설명）

^-1160： 크레졸노볼락수지 比사, 연화점 약 90 °0 , 수산기 당량: 110客 ）

10¾-75: 자일록 노롤락수지（1）比사， 연화점 약 75°0 , 수산기 당량:

175당/ ₆ （ ₁ ）

則: -310 비스페놀쇼에폭시 수지（에폭시 당량 218용八다，액상）

£00^1045： 크레졸노볼락에폭시（일본화약南, 에폭시 당량: 180 _§ / _{6¾ ,} 연화점 : 90 °C）

NC-3000-H： 바이페닐 노볼락 에폭시 수지（에폭사 당량 180 g/eq, 연화점 65°C ）

중진제 ñ

CB-P05:쇼와덴코사알루미나필러， 평균입경 5im .

DAW-05:덴카사의 알루미나필러， 평균입경 0.5，

＜아크릴레이트수지＞

아크릴 수지 1： 부틸아크릴에티트: 아크릴로니트릴 : 글리시딜 메타크릴레이트 : 벤질메타크릴레이트 = 70: 15:5: 10의 조성비로 합성한 아크릴수지（중량평균분자량약 90만， 유리전이온도 14 °C）

아크릴 수지 2： 부틸아크릴에티트: 아크릴로니트릴 : 글리시딜 메타크릴레이트 : 벤질메타크릴레이트 = 65: 15:5: 15의 조성비로 합성한 아크릴수지（중량평균분자량약 52만， 유리전이온도 14 °C）

아크릴 수지 3： 부틸아크릴에티트 : 아크릴로니트릴 : 글리시딜 메타크릴레이트: 벤질메타크릴레이트 = 60: 15:5:20의 조성비로 합성한 아크릴수지（중량평균분자량약 52만， 유리전이온도 15 °C）

KG-3015： 아크릴레이트계 수지（글리시딜메타아크릴레이계 반복 단위 3중량%,중량평균분자량약 87만유리전이온도: 10 °C）

KG-3096： 아크릴레이트계 수지（글리시딜메타아크릴레이계 반복 단위 3중량%, 중량평균분자량약 15만유리전이온도: 17 °C）

＜첨가제＞

DICY: Dicyandiamide

2MA0K： Imidazole-based hardening accelerator 2. 접착바인더 및 자성 필러를포함한제 2층의 제조

에폭시 수지의 경화제인 페놀 수지 KA-1160（DIC사 제품, 크레졸 노볼락 수지， 수산기 당량 190 g/eq, 연화점 : 65 °C） 4g, 에폭시 수지 EOCN-103S（일본화약제품， 크레졸노볼락형 에폭시 수지， 에폭시 당량 214 g/eq, 연화점: 80 °C） 2g, 액상 에폭시 수지 RE-310S（일본 화학 제품, 비스페놀 A에폭시 수지， 에폭시 당량 180 g/eq） 5g, Mn-ferr ite와 MnMgSr- ferr i te 필러를 혼합한 필러 85g을 메틸 에틸 케톤 용매하에서 밀링기를 이용하여 밀링한다. 이후 이 혼합물에 열가소성 아크릴레이트 수지 1（중량평균분자량 약 90만， 유리전이온도 14 °C） 4g, 실란 커플링제 A-

187（GE 도시바 실리콘, 감마-글리시독시프로필트리메톡시실란） O. lg, 경화 촉진제 DICY O. lg, 2MA-0K O . lg 를 넣고 2시간 동안 추가로 밀링하여 반도체 접착용 수지 조성물 용액（고형분 80중량% 농도）을 얻었다. 아 밀링액을 자동 도공기를 이용하여 상기 제조된 제 1층 상에 20；·의 두께로 형성하여 제 2층을제조하였다.

［실험예: 반도체용접착필름의 물성 평가］

실험예 1: 필름의 평탄화처리

상기 실시예에서 얻어진 반도체용 접차 필름을 70°C SUS ROLL열라미기를 통과하여 표면을 평탄화 하고， 평탄화 정도는 Opt i cal prof i ler를이용하여 필름의 중심선 평균거칠기（Ra）를측정하였다. 실험예 2: 제 1층필름의 열전도도측정

상기 실시예에서 얻어진 반도체용 접착 필름의 제 1층만을 코팅 및 평탄화 처리를 하고 고무롤 라미기를 이용하여 600 m 두께가 될 때까지 적층하였다.

이렇게 얻은 필름은 경화하여 최종적으로 경화 필름을 얻었다. 이 시편을 10_ _*10 mme단위로 시편을 제조하고 Lazer f lash 방식의 열전도도기기 LFA467를이용하여 열전도도를측정하였다. 실험예 3: 제 2층필름의 투자율측정

상기 실시예에서 얻어진 반도체용 접착 필름의 제 2층만을 코팅 및 평탄화 처리를 하고 고무롤 라미기를 이용하여 수 mm 두께로 적층한다. 이렇게 얻은 필름은 Toroidal shaped 모양으로 경화하여 샘플을 얻고， 이러한샘플을 이용하여 Impedance Analyzer (E4991A) 또는 Vector Network Analyzer (E5071C)를 이용하여 주파수별 자화율과 자화손실 값을 측정하였다. 실험예 4: 필름의 점도측정

상기 실시예에서 얻어진 반도체용 접착 필름을 코팅 및 평탄화 처리를 하여, 고무롤 라미기를 이용하여 600 두께가 될 때까지 적층하였다. 이 필름을 8™ 원형시편을 제조한 후에 쇼사의 쇼則: £ 2를 이용하여 점도를측정하였다. 실험예 5: 웨이퍼 젖음성 측정

상기 실시예에서 얻어진 반도체용 접착 필름을 코팅 및 평탄화 처리를 하여 얻은 필름을 지름 22 011의 원형으로 제조하였다. 이 필름을 점착층이 코팅된 的필름에 라미하여 다이싱 다이본딩 필름을 제조하였다. 이와는 별도로 80 쌔! \¾£라를 다이싱 필름에 라미네이션하고 8111111 _* 8™!의 크기로 자른 이후 마운팅 기기를 이용하여 70° (:에서 분단된 웨이퍼와 접착필름열라미를실시하면서 접착필름의 미접착여부를판별하였다. 실험예 6: 경화중잔존보이드제거모사실험

상기 실시예에서 얻어진 반도체용 접착 필름을 지름 22 011의 원형으로 제조하였다. 이 필름을 점착층이 코팅된 필름에 라미하여 다이싱 다이본딩 필름을 제조하고, 마운팅 기기를 이용하여 70° ⁽ :에서 웨이퍼와 열라미네이션을 실시하였다. 이후 크기로 웨이퍼와 접착필름을다이싱하였다.

그리고， 방열 필름을 다이 어태치하고， 7기압, 135°〔 30분 가압 경화를 실시하고， 이후 초음파 이미지 장치를 이용하여 PCB 전체를 스캐닝하여 방열필름의 매립성을평가하였다.

【표 2】실험예의 결과 상기 표 2에서 확인되는바와같이， 실시예 1내지 3의 반도체용접착 필름은 분자량과 조성이 제어된 아크릴레진을 포함하여 우수한 열전도도와 웨이퍼 부착성을 갖는다는 점이 확인되었다. 또한, 실시예들의 제 2층에 적용되는 EMI 흡수 소재에 대한 주파수별 자화 손실 값이 1 내지 3GHz 사이에서 tana = 11 을 가짐으로써 이 영역대에서 Radi ated EMI 노이즈를 흡수능력을가짐을알수있다.