本発明の実施の形態について、図1を参照 しながら以下に説明する。図1は、本実施の� �態に係る検査用粘着シート(以下、「粘着シ� ��ト」という。)を概略的に示す断面模式図で ある。但し、説明に不要な部分は省略し、ま た説明を容易にする為に拡大または縮小等し て図示した部分がある。

 図1(a)に示すように、本発明に係る粘着シ ート10は、基材フィルム1上に粘着剤層3が設� �られた構成である。基材フィルム1及び粘着� ��層3はそれぞれ導電性を有しており、両者の 間には電気的な導通経路が設けられている。

 前記基材フィルム1は、例えば、図1(b)に� �すように、基材1a上に導電性蒸着層1bが設け� ��れた構造とすることができる。前記基材1a� �しては特に限定されず、その代表的な材料� �して、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖� �ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密� �ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ラ� �ダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重� �ポリプロピレン、ホモポリプロピレン、ポ� �ブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレ� �ィン、エチレン-酢酸ビニル共重合体、アイ� ��ノマー樹脂、エチレン-(メタ)アクリル酸共� ��合体、エチレン-(メタ)アクリル酸エステル( ランダム、交互)共重合体、エチレン-ブテン� ��重合体、エチレン-へキセン共重合体、ポリ ウレタン、ポリエチレンテレフタレート等の ポリエステル、ポリイミド、ポリエーテルケ トン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ 塩化ビニリデン、フッ素樹脂、シリコーン樹 脂、セルロース系樹脂およびこれらの架橋体 等のポリマーがあげられる。尚、前記例示し た材料は、必要に応じて官能基、機能性モノ マーや改質性モノマーをグラフトして用いて もよい。

 なお、前記基材1aは、単層フィルム又は� �層フィルムのいずれであってもよく、前記2� ��以上の樹脂をドライブレンドしたブレンド� ��ィルムであってもよい。多層フィルムは、� ��記樹脂などを用いて、共押出し法、ドライ� ��ミネート法等の慣用のフィルム積層法によ� ��製造できる。また、プラスチックフィルム� ��、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一� ��又は二軸の延伸処理を施してもよい。この� ��うにして製造されたプラスチックフィルム� ��面には、必要に応じてマット処理、コロナ� ��電処理、プライマー処理、架橋処理等の慣� ��の物理的または化学的処理を施すことがで� ��る。

 基材1aの厚み(多層フィルムの場合は総厚) は、通常10~300μm、好ましくは30~200μm程度であ る。

 前記導電性蒸着層1bとしては特に限定さ� �ず、例えば、アルミニウム蒸着膜等が挙げ� �れる。

 また、導電性蒸着層1bの厚さは1nm~10μmが� �ましく、より好ましくは10nm~1μmである。

 導電性蒸着層1bの導電性については導通検� �が可能な範囲であれば特に限定されない。� �通検査可能な範囲とは、具体的には、表面� �抗率が5ω/□以下、好ましくは1ω/□以下、特 に好ましくは5×10 ^-1 ω/□以下である。表面抵抗率が5ω/□を超え� �と、面内での任意の方向における導電性が� �下し、導通検査が困難になる場合がある。� �、下限値については、実用上 の観点から 1 ×10 ^-4 ω/□以上であることが好ましい。また、体積 抵抗率が1×10 ^-1 ω・cm以下、好ましくは1×10 ^-2 ω・cm以下、特に好ましくは1×10 ^-3 ω・cm以下である。体積抵抗率が1×10 ^-1 ω・cmを超えると、導電性が低下し導通検査� �支障を来す場合がある。尚、下限値につい� �は、実用上の観点から1×10 ^-7 ω・cm以上であることが好ましい。導電性評� �は、三菱化学製Lorester MP MCP-T350を用いて、J IS K7194に準じて行い、導電性蒸着層1b表面を� ��定することにより得られる。このとき、抵� ��率補正係数RCFは4.532として、表面抵抗率及� �体積抵抗率の算出を行う。なお、体積抵抗� �の算出については、基材フィルムの膜厚を� �力し、算出した。

 また、本発明の基材フィルム1は前記の構 成に限定されず、例えば、金属箔からなるも のであってもよい。金属箔を用いることによ り基材フィルム1に剛性を付与することがで� �る。金属箔の構成材料としては、例えば、� �等が挙げられる。金属箔からなる場合の基� �フィルム1の厚さは特に限定されず、通常10~3 00μm、好ましくは30~200μm、特に好ましくは50~1 50μmである。

 粘着剤層3は導電性粒子の含有により、少 なくとも厚さ方向に対し電気的な導通が確保 されていれば特に限定されない。粘着剤層3� �導電性は、導電性粒子が相互に接触した状� �で分散した構造となっていることにより得� �れている。

 前記導電性粒子5の相互接触した状態は、 少なくとも膜厚方向に対しなされていること により当該方向での導電性を可能にする。そ の結果、ダイシングにより粘着剤層3が完全� �切断分離されても基材フィルム1との間で電� ��的な導通経路の確保を可能にしている。尚� ��例えば、膜厚方向にのみ導電性を示す異方� ��電性とする場合には、粘着剤層3中の導電性 粒子5が相互に離間した状態で分散させた後� �所定の膜厚となる様に膜厚方向に圧縮させ� �ことにより厚み方向にのみ導電性粒子5が相� ��に接触した分散状態にすればよい。

 粘着剤層3は、導通検査が可能な範囲で導電 性を有していればよい。導通検査が可能な粘 着シート10の導電性とは、具体的にはその表� ��における表面抵抗率が1×10 ³ ω/□以下、好ましくは5×10 ² ×ω/□以下、特に好ましくは1×10 ² ω/□以下である。尚、下限値については、実 用上の観点から1×10 ^-3 ω/□以上であることが好ましい。また、粘着 剤層3の体積抵抗率が1ω・cm以下、好ましくは 1×10 ^-1 ω・cm以下、特に好ましくは1×10 ^-2 ω・cm以下である。尚、下限値については、� �用上の観点から1×10 ^-5 ω・cm以上であることが好ましい。導電性評� �は、三菱化学製Lorester MP MCP-T350を用いて、J IS K7194に準じて行い、粘着シート10の粘着剤� ��面を測定することにより得られる。このと� ��、抵抗率補正係数RCFは4.532として、表面抵� �率及び体積抵抗率の算出を行う。また、体� �抵抗率の算出については、粘着シート10の膜 厚を入力し算出した。

 導電性粒子5の含有量は、粘着剤層3を構� �するベースポリマー成分100重量部に対し1~500 重量部、好ましくは5~500重量部、特に好まし� ��は10~200重量部である。含有量が1重量部未満 であると、導電性粒子5同士の相互接触が困� �になり、導電性が低下する場合がある。そ� �一方、含有量が1000重量部を超えると、粘着� ��層3に占める導電性粒子の割合が高くなり過 ぎて粘着剤層3の粘着性が低下する場合があ� �。

 本発明で用いられる導電性粒子5の種類と しては特に限定されず、例えばニッケル、金 、銀、銅、アルミ、半田、白金などの金属系 粒子、ITO(インジウム・スズ酸化物)、ATI、酸� ��チタン、酸化スズ、酸化銅、酸化ニッケル� ��どの金属酸化物系粒子、ダイアモンド、カ� ��ボンブラック、カーボンチューブ、カーボ� ��ファイバーなどのカーボン系粒子、ポリス� ��レンなどのプラスチック粒子の表面に導電� ��を被覆した複合導電粒子などが挙げられる� ��また、これら導電性粒子5の形状も特に限定 されず、球状、針状、繊維状、フレーク状、 スパイク状、コイル状などが挙げられる。

 更に、導電性粒子5の大きさとしては特に 限定されないが、例えば粒径が100μm以下、好 ましくは1nm~100μm、特に好ましくは10nm~50μmで� ��る。粒径が100μmを超える場合、粘着剤層3の 膜厚のバラツキや表面凹凸が大きくなり、ダ イシング性が低下する場合がある。尚、当該 粒径は、BET法により測定した値である。

 また、粘着剤層3は基材フィルム1側から第1� ��電性粘着剤層3a及び第2導電性粘着剤層3bが� �次積層された構造としてもよい(図1(c)参照)� �この場合、第1導電性粘着剤層3aの表面抵抗� �は1×10 ^-2 ~1ω/□、第1導電性粘着剤層3bの表面抵抗率は1 ×10 ^-1 ~1×10 ¹ ω/□であることが好ましい。これにより、両 者間での電気的な導電経路を一層良好なもの にすることができる。尚、表面抵抗率は、粘 着剤層を25μm厚の銅箔フィルム上に形成し前� ��の測定方法により測定された値である。

 また、第1導電性粘着剤層3aの粘着力は1N/2 0mm以下、好ましくは0~1N/20、第2導電性粘着剤� ��3bの粘着力は1N/20mm以上、好ましくは1~10N/20mm であり、第2導電性粘着剤層3bの粘着力は第1� �電性粘着剤層3aの粘着力よりも大きいことが 好ましい。第2導電性粘着剤層3bの粘着力を第 1導電性粘着剤層3aよりも大きくすることによ り、第2導電性粘着剤層3b上に貼り合わせる半 導体ウェハや半導体チップを確実に固定する ことができ、ダイシング用途にも好適に適用 することができる。尚、粘着力は、シリコン ウェハに対する常温での粘着力(90度ピール値 、剥離速度300mm/分)に基づくものである。粘� �力をシリコンミラーウェハを用いて規定し� �いるのは、シリコンミラーウェハ表面の粗� �の状態が一定程度平滑であること、ダイシ� �グ及びピックアップの対象である被加工物� �しての半導体ウェハ等と同質材料であるこ� �による。また、測定温度23±3℃に於ける粘着 力を基準としているのは、通常ピックアップ が行われるのが室温(23℃)下であることによ� �。

 第1導電性粘着剤層3aの厚さは5~100μmが好� �しく、より好ましくは20~50μmである。第1導� �性粘着剤層3aの厚みが5μm未満であると、ダ� �シング時に基材フィルムまで切り込まず第1� ��電性粘着剤層でダイシングを止める場合に� ��材フィルム1まで切り込んでしまう場合があ る。その一方、第1導電性粘着剤層3aの厚みが 100μmを超えると、その導電性を確保するため に導電性粒子の配合量を増量させる必要があ り好ましくない場合がある。更に、半導体ウ ェハのダイシングの際に生じるが振動が大き くなり過ぎ、半導体チップの欠け(チッピン� �)が生じる場合がある。

 また、第2導電性粘着剤層3bの厚さは1~30μm が好ましく、より好ましくは3~20μmである。� �2導電性粘着剤層3bの厚みが1μm未満であると� ��粘着力が低下し、ダイシングの際の半導体� ��ップの保持が不十分となりチップ飛びが発� ��する場合がある。その一方、第2導電性粘着 剤層3bの厚みが30μmを超えると、その導電性� �確保するために導電性粒子の配合量を増量� �せる必要があり好ましくない場合がある。� �に、半導体ウェハのダイシングの際に生じ� �が振動が大きくなり過ぎ、半導体チップの� �け(チッピング)が生じる場合がある。

 第1導電性粘着剤層3a及び第2導電性粘着剤 層3b中に含まれる導電性粒子の含有量はそれ� ��れの粘着剤層を構成するベースポリマー成� ��100重量部に対し1~500重量部の範囲内であり� �好ましくは5~500重量部、特に好ましくは10~200 重量部である。含有量が1重量部未満である� �、導電性粒子5同士の相互接触が困難になり� ��導電性が低下する場合がある。その一方、� ��有量が500重量部を超えると、粘着剤層3に占 める導電性粒子の割合が高くなり過ぎて粘着 剤層3の粘着性が低下する場合がある。但し� �第1導電性粘着剤層3aにおける導電性粒子の� �有量は、第2導電性粘着剤層3bにおける導電� �粒子の含有量よりも大きいことが好ましい� �これにより、第1導電性粘着剤層3aの導電性� �第2導電性粘着剤層3bの導電性よりも大きく� �ると共に、第1導電性粘着剤層3aの粘着力を� �2導電性粘着剤層3bの粘着力よりも小さくす� �ことができる。

 尚、第1導電性粘着剤層3a及び第2導電性粘 着剤層3bにそれぞれ含有させる導電性粒子は� ��適宜必要に応じて同材料としてもよく異な� ��材料としてもよい。また、同じ材料同士で� ��っても、粒子の形状や粒径を異ならせても� ��い。

 粘着剤層3の形成材料としては、(メタ)ア� ��リル系ポリマーやゴム系ポリマーなどを含� ��公知の粘着剤を用いることができる。なか� ��も、半導体ウェハへの汚染性などの点から� ��アクリル系ポリマーをベースポリマーとす� ��アクリル系粘着剤が好ましい。

 (メタ)アクリル系ポリマーを形成するモ� �マー成分としては、例えば、メチル基、エ� �ル基、n-プルピル基、イソプルピル基、n-ブ� ��ル基、t-ブチル基、イソブチル基、アミル� �、イソアミル基、ヘキシル基、ヘプチル基� �シクロヘキシル基、2-エチルヘキシル基、オ クチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソ ノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデ シル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラ デシル基、ステアリル基、オクタデシル基、 及びドデシル基などの炭素数30以下、好まし� ��は炭素数4~18の直鎖又は分岐のアルキル基を 有するアルキル(メタ)アクリレートが挙げら� ��る。これらアルキル(メタ)アクリレートは1� ��単独で用いてもよく、2種以上を併用しても よい。

 上記以外のモノマー成分としては、例え� ��、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシ� ��チル(メタ)アクリレート、カルボキシペン� �ル(メタ)アクリレート、イタコン酸、マレイ ン酸、フマール酸、及びクロトン酸などのカ ルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸 や無水イタコン酸などの酸無水物モノマー、 (メタ)アクリル酸2-ヒドロキシエチル、(メタ) アクリル酸2-ヒドロキシプロピル、(メタ)ア� �リル酸4-ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル� ��6-ヒドロキシヘキシル、(メタ)アクリル酸8-� ��ドロキシオクチル、(メタ)アクリル酸10-ヒ� �ロキシデシル、(メタ)アクリル酸12-ヒドロキ シラウリル、及び(4-ヒドロキシメチルシクロ ヘキシル)メチル(メタ)アクリレートなどのヒ ドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホ ン酸、アリルスルホン酸、2-(メタ)アクリル� �ミド-2-メチルプロパンスルホン酸、(メタ)ア クリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプ ロピル(メタ)アクリレート、及び(メタ)アク� �ロイルオキシナフタレンスルホン酸などの� �ルホン酸基含有モノマー、2-ヒドロキシエチ ルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基 含有モノマーなどが挙げられる。これらモノ マー成分は1種単独で用いてもよく、2種以上� ��併用してもよい。

 また、(メタ)アクリル系ポリマーの架橋� �理等を目的に多官能モノマーなども必要に� �じて共重合モノマー成分として用いること� �できる。

 多官能モノマーとしては、例えば、ヘキ� ��ンジオールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)エ チレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポ リ)プロピレングリコールジ(メタ)アクリレー ト、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリ� ��ート、ペンタエリスリトールジ(メタ)アク� �レート、トリメチロールプロパントリ(メタ) アクリレート、テトラメチロールメタンテト ラ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトー� ��トリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリ� �ールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエ リスリトールモノヒドロキシペンタ(メタ)ア� ��リレート、ジペンタエリスリトールヘキサ( メタ)アクリレート、エポキシ(メタ)アクリレ ート、ポリエステル(メタ)アクリレート、及� ��ウレタン(メタ)アクリレートなどが挙げら� �る。これら多官能モノマーは1種単独で用い� ��もよく、2種以上を併用してもよい。

 多官能モノマーの使用量は、粘着特性等� ��観点より全モノマー成分の30重量%以下であ� ��ことが好ましく、さらに好ましくは15重量%� ��下である。

 (メタ)アクリル系ポリマーの調製は、例� �ば1種又は2種以上のモノマー成分を含む混合 物を溶液重合方式、乳化重合方式、塊状重合 方式、又は懸濁重合方式等の適宜な方式を適 用して行うことができる。

 重合開始剤としては、過酸化水素、過酸� ��ベンゾイル、t-ブチルパーオキサイドなど� �過酸化物系が挙げられる。単独で用いるの� �望ましいが、還元剤と組み合わせてレドッ� �ス系重合開始剤として使用することもでき� �。還元剤としては、例えば、亜硫酸塩、亜� �酸水素塩、鉄、銅、コバルト塩などのイオ� �化の塩、トリエタノールアミン等のアミン� �、アルドース、ケトース等の還元糖などを� �げることができる。また、アゾ化合物も好� �しい重合開始剤であり、2,2’-アゾビス-2-メ� ��ルプロピオアミジン酸塩、2,2’-アゾビス-2, 4-ジメチルバレロニトリル、2,2’-アゾビス-N, N’-ジメチレンイソブチルアミジン酸塩、2,2� ��-アゾビスイソブチロニトリル、2,2’-アゾ� �ス-2-メチル-N-(2-ヒドロキシエチル)プロピオ� ��アミド等を使用することができる。また、� ��記重合開始剤を2種以上併用して使用するこ とも可能である。

 反応温度は通常50~85℃程度、反応時間は1~ 8時間程度とされる。また、前記製造法のな� �でも溶液重合法が好ましく、(メタ)アクリル 系ポリマーの溶媒としては一般に酢酸エチル 、トルエン等の極性溶剤が用いられる。溶液 濃度は通常20~80重量%程度とされる。

 前記粘着剤には、ベースポリマーである( メタ)アクリル系ポリマーの数平均分子量を� �めるため、架橋剤を適宜に加えることもで� �る。架橋剤としては、ポリイソシアネート� �合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物� �メラミン樹脂、尿素樹脂、無水化合物、ポ� �アミン、カルボキシル基含有ポリマーなど� �あげられる。架橋剤を使用する場合、その� �用量は引き剥がし粘着力が下がり過ぎない� �とを考慮し、一般的には、上記ベースポリ� �ー100重量部に対して、0.01~5重量部程度配合� �るのが好ましい。また粘着剤層3を形成する� ��着剤には、必要により、前記成分のほかに� ��従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤� ��充填剤、老化防止剤、着色剤等の慣用の添� ��剤を含有させることができる。

 半導体チップからの剥離性を向上させる� ��め、粘着剤は、紫外線、電子線等の放射線� ��より硬化する放射線硬化型粘着剤とするこ� ��が好ましい。放射線硬化型の粘着剤を用い� ��場合には、放射線(例えば、紫外線)照射に� �って粘着剤層3の粘着力が低下するため、粘� ��剤層3に放射線を照射することによって、粘 着シートの剥離を容易に行うことができる。 なお、粘着剤として放射線硬化型粘着剤を用 いる場合には、前記導電性繊維基材の開口度 が10%以上であるものを用いることが好ましい 。

 放射線硬化型粘着剤としては、炭素-炭素 二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、 かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用す ることができる。放射線硬化型粘着剤として は、例えば、前述の(メタ)アクリル系ポリマ� ��に放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマ� ��成分を配合した放射線硬化性粘着剤が挙げ� ��れる。

 配合する放射線硬化性のモノマー成分や� ��リゴマー成分としては、例えば、ウレタン( メタ)アクリレート、トリメチロールプロパ� �トリ(メタ)アクリレート、テトラメチロール メタンテトラ(メタ)アクリレート、ペンタエ� ��スリトールトリ(メタ)アクリレート、ペン� �エリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、 ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペン タ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリト� ��ルヘキサ(メタ)アクリレート、及び1,4-ブチ� ��ングリコールジ(メタ)アクリレートなどが� �げられる。これらは1種単独で用いてもよく� ��2種以上を併用してもよい。

 放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマ� ��成分の配合量は、特に制限されるものでは� ��いが、粘着性を考慮すると、粘着剤を構成� ��る (メタ)アクリル系ポリマー等のベースポ リマー100重量部に対して、5~500重量部程度で� ��ることが好ましく、さらに好ましくは60~150� ��量部程度である。

 また、放射線硬化型粘着剤としては、ベ� ��スポリマーとして、炭素-炭素二重結合をポ リマー側鎖または主鎖中もしくは主鎖末端に 有するものを用いることもできる。このよう なベースポリマーとしては、(メタ)アクリル� ��ポリマーを基本骨格とするものが好ましい� ��この場合においては、放射線硬化性のモノ� ��ー成分やオリゴマー成分を特に加えなくて� ��よく、その使用は任意である。

 前記放射線硬化型粘着剤には、紫外線線� ��により硬化させる場合には光重合開始剤を� ��有させる。光重合開始剤としては、例えば� ��4-(2-ヒドロキシエトキシ)フェニル(2-ヒドロ� ��シ-2-プロピル)ケトン、α-ヒドロキシ-α,α-� �チルアセトフェノン、メトキシアセトフェ� �ン、2,2-ジメトキシ-2-フェニルアセトフェノ� ��、2,2-ジエトキシアセトフェノン、1-ヒドロ� ��シシクロヘキシルフェニルケトン、2-メチ� �-1-〔4-(メチルチオ)フェニル〕-2-モルホリノ� ��ロパン-1などのアセトフェノン系化合物、� �ンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソ� �ロピルエーテル、アニゾインメチルエーテ� �の如きベンゾインエーテル系化合物、2-メチ ル-2-ヒドロキシプロピルフェノンなどのα-ケ トール系化合物、ベンジルジメチルケタール などのケタール系化合物、2-ナフタレンスル� ��ニルクロリドなどの芳香族スルホニルクロ� ��ド系化合物、1-フェノン-1,1-プロパンジオン -2-(o-エトキシカルボニル)オキシムなどの光� �性オキシム系化合物、ベンゾフェノン、ベ� �ゾイル安息香酸、3,3’-ジメチル-4-メトキシ� ��ンゾフェノンなどのベンゾフェノン系化合� ��、チオキサンソン、2-クロロチオキサンソ� �、2-メチルチオキサンソン、2,4-ジメチルチ� �キサンソン、イソプロピルチオキサンソン� �2,4-ジクロロチオキサンソン、2,4-ジエチルチ オキサンソン、2,4-ジイソプロピルチオキサ� �ソンなどのチオキサンソン系化合物、カン� �ァーキノン、ハロゲン化ケトン、アシルホ� �フィノキシド及びアシルホスフォナートな� �が挙げられる。

 光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成� ��る (メタ)アクリル系ポリマー等のベースポ リマー100重量部に対して、0.1~10重量部程度で あることが好ましく、さらに好ましくは0.5~10 重量部程度である。

 また前記粘着剤層3の厚みは特に限定され ず、従来のダイシング用粘着シートと同様で あればよい。具体的には、1~50μmであり、好� �しくは3~20μm、特に好ましくは5~20μmである。 厚みが1μm未満であると、粘着力が低下し、� �イシングの際の半導体チップの保持が不十� �となりチップ飛びが発生する場合がある。� �の一方、厚みが50μmを超えると、粘着剤層3� �導電性を確保するために導電性粒子の配合� �を増量させる必要があり好ましくない場合� �ある。更に、半導体ウェハのダイシングの� �に生じるが振動が大きくなり過ぎ、半導体� �ップの欠け(チッピング)が生じる場合がある 。

 また、粘着シート10は、前記粘着剤層3上� ��セパレータが設けられていることが好まし� ��。セパレータを設けることにより積層シー� ��(粘着シート)をロール状にして加熱処理し� �り、保管することができる。また、粘着シ� �ト10を使用するまでの間、粘着剤層3の表面� �埃等から保護することができる。

 セパレータの構成材料としては、ポリエ� ��テルエーテルケトン,ポリエーテルイミド、 ポリアリレート,ポリエチレンナフタレート� �ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフ� �ルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエ� �フィルム、ポリメチルペンテンフィルム、� �リ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合� �フィルム,ポリエチレンテレフタレートフィ� ��ム、ポリブチレンテレフタレートフィルム� ��ポリウレタンフィルム、エチレン-酢酸ビニ ル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィ ルム、エチレン-(メタ)アクリル酸共重合体フ ィルム、エチレン-(メタ)アクリル酸エステル 共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、 及びポリカーボネートフィルム等のプラスチ ックフィルムなどが挙げられる。

 セパレータの片面には粘着剤層3からの剥 離性を高めるため、必要に応じてシリコーン 処理、長鎖アルキル処理、フッ素処理等の剥 離処理が施されていてもよい。また、必要に 応じて、粘着シート10が環境紫外線によって� ��応してしまわないように、紫外線透過防止� ��理等が施されていてもよい。セパレータの� ��みは、通常5~200μmであり、好ましくは25~100μ m、さらに好ましくは38~60μmである。

 セパレータの粘着剤層3と接触していない 表面は、梨地又は凹凸構造になっているもの を用いることもできる。

 粘着シート10は、例えばセパレータに粘� �剤層3を形成した後、それらを基材フィルム1 に貼り合せることにより製造できる。また、 別途、基材フィルム1表面に、粘着剤溶液を� �接塗布し、乾燥させて(必要に応じて加熱架� ��させて)粘着剤層3を形成し、必要に応じて� �の粘着剤層3の表面にセパレータを貼り合わ� ��ることでも製造できる。これら粘着剤層3は 1層、又は2層以上積層してもよい。

 粘着剤層3上にセパレータを設けた積層シ ートはロール状にして加熱処理することが好 ましい。積層シートを加熱処理することによ り、粘着剤の特性を安定化させることができ る。加熱処理における温度は30~60℃程度であ� ��、処理時間は12~100時間程度である。

 粘着シート10は、シート状、ロ-ル状など� ��用途に応じて適宜な形状をとり得る。ウェ� ��ダイシング用途では、例えば、あらかじめ� ��要な形状に切断加工されたものが好適に用� ��られる。また、粘着シート10の外径サイズ� �、半導体ウェハの外径サイズよりも大きく� �かつ、ダイシングリングの内径よりも小さ� �てもよい。

 また、粘着剤層3の粘着力は、シリコンウ ェハに対する常温での粘着力(90度ピール値、 剥離速度300mm/分)に基づいて、20N/20mm以下であ ることが好ましく、さらに好ましくは0.001~10N /20mm、特に好ましくは0.01~8N/20mmである。尚、� ��着剤層3の粘着力をシリコンミラーウェハを 用いて規定しているのは、シリコンミラーウ ェハ表面の粗さの状態が一定程度平滑である こと、ダイシング及びピックアップの対象で ある被加工物としての半導体ウェハ等と同質 材料であることによる。また、測定温度23±3� ��に於ける粘着力を基準としているのは、通� ��ピックアップが行われるのが室温(23℃)下で あることによる。

 粘着剤層3は、シリコンからなる半導体ウ ェハの貼着面に於ける表面有機物汚染増加量 δCが5%以下となる剥離性を有していることが� ��ましい。粘着剤層3がその様な剥離性を有す ることにより、ピックアップ後の半導体チッ プに糊残りが生じるのを低減することができ る。表面有機物汚染増加量δC(%)の値は、粘着 シート10を半導体ウェハに23℃で貼り合わせ� �半導体ウェハのダイシング後、ピックアッ� �直前に於いて23℃で粘着シート10を剥離した� ��きの表面有機物汚染量の値C1(%)から、半導� �ウェハの表面有機物汚染量の値C2(%)を差し引 いた値である。また、粘着剤層3が放射線硬� �型粘着剤を含み構成される場合、表面有機� �汚染増加量δCは、放射線を照射した後に剥� �したときの値を示す。

 本発明の粘着シート10は、前記の通り、� �ックアップ時の引き剥がし粘着力が低く制� �され、または制御可能に設定されている。� �かし、粘着力が低いと、前工程であるダイ� �ングを行なう際、切断分離されたチップを� �持することができず、ダイシング中にチッ� �が粘着シート10から剥離する(チップ飛びが� �生する)可能性が高い。そのため、放射線照� ��により硬化して粘着力を低下することが可� ��な放射線硬化型粘着剤により粘着剤層3を形 成し、ダイシング時にはある程度の粘着力を 維持しながら、ダイシング工程の後には放射 線照射によって、前記粘着力を低下できるも のを用いるのが好ましい。また、同様の観点 から、加熱により粘着力を低下することが可 能な加熱発泡剥離型粘着剤により粘着剤層を 形成することも好適である。このような場合 には、ダイシング後に、加熱などの公知の操 作を加え粘着力を低減してから、ピックアッ プすることができる。

 次に、本発明に係る半導体装置の製造方� ��について説明する。本発明の半導体装置の� ��造方法は、半導体ウェハを粘着シート10の� �着剤層3上に貼り合わせるマウント工程と、� ��導体ウェハ又は半導体チップの検査工程と� ��半導体ウェハをダイシングするダイシング� ��程と、半導体チップをピックアップするピ� ��クアップ工程とを有する。本発明に係る粘� ��シート10は、前述の通り、半導体ウェハを� �り合わせた状態でも導通工程を行うことが� �きる。従って、ダイシング工程前に半導体� �ェハに対し導通検査工程を行ってもよく、� �イシング工程後に各半導体チップに対し導� �検査工程を行ってもよい。尚、本発明の製� �方法は、半導体ウェハの厚さが100μm未満、� �には50μm未満である場合に好適に適用するこ とができる。

 前記マウント工程は、半導体ウェハの裏� ��(回路形成面とは反対側の面)と粘着剤層3側� ��が貼り合わせ面となる様に重ね合わせ、圧� ��ロール等の押圧手段により押圧しながら行� ��。また、加圧可能な容器(例えばオートクレ ーブ等)中で、半導体ウェハと粘着シート10を 前記のように重ね、容器内を加圧することに より貼り付けることもできる。この際、押圧 手段により押圧しながら貼り付けてもよい。 また、真空チャンバー内で、前記と同様に貼 り付けることもできる。貼り付けの際の貼り 付け温度は何ら限定されないが、20~80℃であ� ��ことが好ましい。

 ダイシング工程の前に半導体ウェハ9の導 通検査を行う場合、当該半導体ウェハ9は粘� �シート10を貼り合わせた状態で、導通検査ス テージ13上に載置される(図2(a)参照)。次に、� ��通検査用端子のうち、一方を半導体ウェハ9 の回路形成面(電極)15に当接し、他方の端子� �粘着剤層3又は導通検査ステージ13に当接し� �導通経路を確保する。その後、両端子間に� �定の電圧を印加し、そのときの抵抗値より� �導体ウェハ9に形成された回路の導通性を確� ��する。

 前記ダイシング工程は、半導体ウェハ9を 切断(ダイシング)して半導体チップを形成す� ��工程である。ダイシングは、半導体ウェハ� ��回路面側から常法に従い行われ、ブレード� ��イシング、レーザーダイシング、プラズマ� ��イシング、又はブレーキング等の公知の方� ��を用いることができる。また切断方法とし� ��は、粘着シート10まで切り込みを行うフル� �ットと呼ばれる切断方式等を採用できる。� �発明では、粘着シート10の基材フィルム1と� �着剤層3との間には導通経路が確保されてい� ��ため、粘着剤層3を完全に切断し、基材フィ ルム1の一部が切断される場合でも、後述の� �導体チップの導通検査工程を行うことがで� �る。本工程で用いるダイシング装置として� �特に限定されず、従来公知のものを用いる� �とができる。

 ダイシング工程後に半導体チップ11の導� �検査を行う場合、各半導体チップ11が粘着シ ート10に貼り合わされた状態のままで、導通� ��査ステージ13上に載置される(図2(b)参照)。� �に、導通検査用端子のうち、一方を各半導� �チップ11の回路形成面(電極)15に当接し、他� �の端子を粘着剤層3、ダイシングリング17又� �導通検査ステージ13に当接し、導通経路を確 保する。その後、両端子間に所定の電圧を印 加し、そのときの抵抗値より半導体チップ11� ��導通性を確認する。尚、ダイシング工程に� ��り粘着剤層3が完全に切断されている場合に は、導通検査ステージ13に他の端子を当接す� ��。粘着シート10は基材フィルム1と粘着剤層3 との間に導通経路が確保された構造であるた め、粘着剤層3が完全に切断され、基材フィ� �ム1の一部まで切り込みがされていても、導� ��検査が可能となる。尚、ダイシングリング1 7としては、導電性を有するものが好ましい� �

 ピックアップ工程は、粘着シート10に接� �固定された半導体チップ11を剥離する為に行 う。ピックアップの方法としては特に限定さ れず、従来公知の種々の方法を採用できる。 例えば、個々の半導体チップ11を粘着シート1 0側からニードルによって突き上げ、突き上� �られた半導体チップ11をピックアップ装置に よってピックアップする方法等が挙げられる 。

 ここで、放射線硬化型粘着剤層又は熱剥� ��型粘着剤層を有する粘着シート10を用いる� �合には、粘着剤層3を放射線照射又は加熱処� ��してもよい。これにより粘着性を低下させ� ��ピックアップの容易化を図る。放射線硬化� ��の粘着剤層3の場合、放射線照射の際の照射 強度、照射時間等の条件は特に限定されず、 適宜必要に応じて設定すればよい。また、熱 剥離型の粘着剤層3の場合、これを加熱する� �、熱発泡性又は熱膨張性成分により粘着剤� �3が膨張して、半導体チップ11との接着面積� �著しく減少させることができる。これによ� �、半導体チップに対する粘着シート10の粘着 力が低下し、半導体チップ11から粘着シート1 0の剥離が容易になる。その結果、半導体チ� �プ11を損傷させることなくピックアップが可 能となる。加熱処理を行う場合に於ける加熱 温度、加熱時間等の加熱条件は特に限定され ず、適宜必要に応じて設定すればよい。