本申请主张在 2014 年 4 月 18 日在中国提交的中国专利申请号 No. 20141 0158960.0的优先权， 其全部内容通过引用包含于此。

尤其涉及一种 AMOLED ( Active

Matrix/Organic Light Emitting Diode ；有机发光二极管） 像素驱动电

电流型 AMOLED像素驱动电路直接采用电流型信号进行像 素电路的驱 动， OLED的亮度和驱动电流的大小成正比， 可以实现多级灰阶的显示。

如图 1所示，现有的电流型 AMOLED像素驱动电路包括驱动晶体管 TP1、 数据写入晶体管 TP2和存储单元， TP 1和 TP2为 PMOS管， 所述存储单元包 括相互并联的存储电容 C和电阻 R， 在数据写入阶段， 接入 TP2的栅极的数 据写入控制信号 Gate为低电平， TP2导通， Idata通过 TP2对存储电容 C进 行充电； 在像素点亮阶段， 接入 TP 1的栅极的发光控制信号 EM为低电平， TP 1 导通， C放电以点亮 OLED， OLED的阴极与驱动电源的低电平输出端 ELVSS连接。 现有的电流型 AMOLED像素驱动电路需要一定大小的驱动电 流才能够驱动 OLED， 并且由于在数据写入阶段对存储电容充电的量 固定， 在此过程中无法对该充电量进行调节， 因此无法调节灰阶。

本公开的主要目的在于提供一种 AMOLED像素驱动电路、 方法和显示 装置， 以通过很小的数据电流就可以驱动 OLED， 并且可以通过调节在像素 点亮阶段流过 OLED的电流的大小来调节灰阶。

为了达到上述目的， 本公开提供了一种像素驱动电路， 用于驱动有机发 光光二二极极管管 OOLLEEDD，， 包包括括：： 电电荷荷存存储储单单元元，， ffiffi于于在在数数据据写写入入阶阶段段被被 充充电电并并在在像像 素素点点亮亮阶阶段段放放电电以以点点亮亮 所所述述 OOLLEEDD;; 数数据据写写入入单单元元，， ffiffi于于在在数数据据写写入入阶阶段段写写 入入数数据据电电流流；； 发发光光控控制制单单元元，， 用用于于在在像像素素点点亮亮阶阶段段控控 制制导导通通所所述述电电荷荷存存储储单单 元元和和所所述述 OOLLEEDD的的连连接接；；所所述述 AAMMOOLLEEDD像像素素驱驱动动电电路路还还包包 括括电电流流放放大大单单元元，， 其其用用于于在在数数据据写写入入阶阶段段 放放大大数数据据电电流流，， 并并通通过过放放大大后后的的数数据据电电 流流对对所所述述电电荷荷 存存储储单单元元充充电电。。

实实施施时时，， 电电流流放放大大单单元元在在数数据据写写 入入阶阶段段的的全全部部时时间间放放大大 数数据据电电流流，， 并并通通 过过放放大大后后的的数数据据电电流流对对 电电荷荷存存储储单单元元充充电电。。

实实施施时时，， 电电路路放放大大单单元元根根据据灰灰阶阶 的的要要求求选选择择在在数数据据写写入入 阶阶段段的的部部分分时时间间 通通过过放放大大后后的的数数据据电电流流 对对电电荷荷存存储储单单元元充充电电。。

实实施施时时，， 所所述述数数据据写写入入阶阶段段包包括括 电电流流放放大大阶阶段段和和直直接接充充 电电阶阶段段；； 在在电电流流放放大大阶阶段段，， 所所述述电电流流放放大大单单元元放放大大 数数据据电电流流并并且且所所述述数数据据 写写入入单单 元元通通过过放放大大的的数数据据电电流流 对对所所述述电电荷荷存存储储单单元元充充 电电，， 在在直直接接充充电电阶阶段段，， 所所述述数数 据据写写入入单单元元还还用用于于通通过过 所所述述数数据据电电流流直直接接对对所所 述述电电荷荷存存储储单单元元充充电电。。

实实施施时时，， 所所述述数数据据写写入入单单元元和和所所 述述电电荷荷存存储储单单元元的的连连接接 点点为为写写入入节节点点；； 所所述述电电流流放放大大单单元元包包括括 电电流流放放大大控控制制模模块块和和比比 例例电电流流镜镜，， 其其中中，， 所所述述电电流流放放大大控控制制模模块块 ，， 用用于于在在数数据据写写入入阶阶段段的的 全全部部时时间间或或部部分分时时间间导导 通通所所述述写写入入节节点点与与所所述述 比比例例电电流流镜镜的的电电流流输输入入 端端之之间间的的连连接接；；

所所述述比比例例电电流流镜镜的的电电流流 输输出出端端与与所所述述写写入入节节点点 连连接接；；

所所述述比比例例电电流流镜镜，， 用用于于对对所所述述数数据据电电流流进进 行行放放大大。。

实实施施时时，， 所所述述数数据据写写入入单单元元包包括括 ：： 数数据据写写入入晶晶体体管管，， 栅栅极极接接入入数数据据写写入入 控控制制信信号号，， 第第一一极极接接入入所所述述数数据据电电 流流，， 第第二二极极与与所所述述写写入入节节点点 连连接接。。

放放大大控控制制三三极极管管，， 基基极极与与所所述述写写入入节节点点连连 接接，， 第第一一极极接接入入电电流流放放大大控控 制制 写入控制晶体管， 栅极接入所述数据写入控制信号， 第一极与所述比例 电流镜的电流输入端连接， 第二极与所述放大控制三极管的第二极连接。

实施时， 电流放大控制信号和数据写入控制信号的时序 相同或不同。 实施时， 所述数据写入晶体管和写入控制晶体管为 PMOS管。 实施时， 所述数据写入晶体管和写入控制晶体管的一个 或全部为 NMOS 管。

实施时， 所述比例电流镜包括输入支路和输出支路；

所述输入支路包括：

第一 PMOS管， 第一极与驱动电源的高电平输出端连接； 以及， 第一 NMOS管， 櫥极与所述第一 NMOS管的第一极连接， 第一极与驱 动电源的低电平输出端连接， 第二极与所述第一 PMOS管的第二极连接； 所述第一 NMOS管的第二极为所述比例电流镜的电流输入� �；

所述输出支路包括：

第二 PMOS管， 栅极与所述第一 PMOS管的栅极连接， 第一极与所述驱 动电源的高电平输出端连接，第二极与所述第 二 PMOS管的栅极连接；以及， 第二 NMOS管， 櫥极与所述第一 NMOS管的栅极连接， 第一极为所述 电流输出端， 第二极与所述第二 PMOS管的第二极连接。

实施时，所述第二 PMOS管的宽长比与所述第二 NMOS管的宽长比相等； 所述第一 PMOS管的宽长比与所述第一 NMOS管的宽长比相等；

所述第二 PMOS管的宽长比为所述第一 PMOS管的宽长比的 K倍， K大 于 i。

实施时， 所述发光控制单元包括驱动晶体管； 所述驱动晶体管的栅极接 入发光控制信号，第一极与所述写入节点连接 ，第二极与 0LED 的阳极连接; 0LED的阴极与驱动电源的低电平输出端连接。

实施时， 所述电荷存储单元包括相互并联的存储电容和 电阻；

所述存储电容， 一端与所述写入节点连接， 另一端与所述驱动电源的低 电平输出端连接。

本公开还提供了一种像素驱动方法， 包括：

在数据写入阶段， 数据写入单元写入数据电流；

在数据写入阶段的全部时间或部分时间， 电流放大单元放大所述数据电 流， 并通过放大后的数据电流对电荷存储单元充电 ；

在像素点亮阶段，发光控制单元控制导通电荷 存储单元与 0LED的连接， 电荷存储单元放电以点亮所述 0LED。 实施时， 所述数据写入阶段包括电流放大阶段和直接充 电阶段； 在电流放大阶段， 所述电流放大单元放大数据电流， 所述数据写入单元 通过放大的数据电流对所述电荷存储单元充电 ；

在直接充电阶段， 所述数据写入单元通过所述数据电流直接对所 述电荷 存储单元充电。

本公开还提供了一种显示装置， 包括 OLED和上述的像素驱动电路， 所 述像素驱动电路^于驱动所述 OLED。

与现有技术相比， 本公开所述的像素驱动电路、 方法和显示装置， 采用 电流放大单元在数据写入阶段放大数据写入单 元写入的数据电流， 通过放大 后的数据电流对电荷存储单元充电， 在像素点亮阶段电荷存储单元放电以点 亮 OLED, 从而通过很小的数据电流就可以驱动 OLED， 并且通过控制电流 放大单元对数据电流进行放大的时间， 可以调节在像素点亮阶段流过 OLED 的电流的大小， 从而可以调节灰阶。

图 1是现有的电流型 AMOLED像素驱动电路的电路图；

图 2是本公开实施例所述的 AMOLED像素驱动电路的结构框图； 图 3是本公开另一实施例所述的 AMOLED像素驱动电路的结构框图； 图 4是本公开又一实施例所述的 AMOLED像素驱动电路的结构图； 图 5是本公开再一实施例所述的 AMOLED像素驱动电路的电路图； 图 6是如图 5所示的 AMOLED像素驱动电路的实施例的工作信号时序 图。

下面将结合本公开实施例中的附图， 对本公开实施例中的技术方案进行 清楚、 完整地描述， 显然， 所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例， 而 不是全部的实施例。 基于本公开中的实施例， 本领域普通技术人员在没有做 出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例 ， 都属于本公开保护的范围。

本公开所有实施例中采用的晶体管均可以为薄 膜晶体管或场效应管或其 他特性相同的器件。 在本公开实施例中， 为区分晶体管除栅极之外的两极， 将其中一极称为源极， 另一极称为漏极。

如图 2所示， 本公开实施例所述的 AMOLED像素驱动电路， 用于驱动 OLED (Organic Light- Emitting Diode, 有机发光二极管）， 包括：

电荷存储单元 21， 用于在数据写入阶段被充电并在像素点亮阶段 放电以 点亮所述 OLED;

数据写入单元 22， 用于在数据写入阶段写入数据电流 Idata;

发光控制单元 23， 用于在像素点亮阶段控制导通所述电荷存储单 元 21 和所述 OLED的连接；

以及， 电流放大单元 24， 其用于在数据写入阶段放大数据电流 ata， 并 通过放大后的数据电流 Idata对所述电荷存储单元 21充电。

本公开实施例所述的 AMOLED像素驱动电路， 是一种电流型 AMOLED 像素驱动电路， 采用电流放大单元在数据写入阶段放大数据写 入单元写入的 数据电流， 通过放大后的数据电流对电荷存储单元充电， 在像素点亮阶段电 荷存储单元放电以点亮 OLED，从而通过很小的数据电流就可以驱动 OLED, 并—巨.通过控制电流放大单元对数据电流进� �放大的时间， 可以调节在像素点 亮阶段流过 OLED的电流的大小， 从而可以调节灰阶。

在以上实施例中， 电流放大单元可以在数据写入阶段的全部时间 放大数 据电流， 并通过放大后的数据电流对电荷存储单元充电 ； 也可以根据灰阶的 要求选择在数据写入阶段的部分时间通过放大 后的数据电流对电荷存储单元 充电。

具体的， 当电流放大单元在数据写入阶段的部分时间放 大数据电流时， 可以将所述数据写入阶段划分为电流放大阶段 和直接充电阶段；

所述电流放大单元在电流放大阶段放大数据电 流并且所述数据写入单元 通过放大的数据电流对所述电荷存储单元充电 ， 所述数据写入单元还) ¾于在 直接充电阶段通过所述数据电流直接对所述电 荷存储单元充电。

具体的， 如图 3所示， 所述数据写入单元 22和所述电荷存储单元 21的 连接点为写入节点 N1 ;

所述电流放大单元包括电流放大控制模块 241和 t匕例电流镜 242,其中， 所述电流放大控制模块 241， 用于在数据写入阶段的全部时间或部分时 间导通所述写入节点 N1与所述比例电流镜 242的电流输入端 IN之间的连接； 所述比例电流镜 242的电流输出端与所述写入节点 ΝΊ连接；

所述比例电流镜 242 , 用于放大数据电流 Idata;

在如图 3所示的实施例中， 釆用了比例电流镜来放大数据电流 Idata， 由 于比例电流镜能够放大电流而 ϋ不受工艺和温度的影响， 进一步保证了显示 画面的稳定性。

具体的， 如图 4所示， 所述数据写入单元包括： 数据写入晶体管 ΤΙ， 其 »极接入数据写入控制信号 Gate , 第一极接入所述数据电流 Idata， 第二极与 所述写入节点 N1连接；

所述电流放大控制模块包括：

放大控制三极管 TC， 其基极与所述写入节点 Nl连接， 第一极接入电流 放大控制信号 Gatel ;

写入控制晶体管 TIC， 其栅极接入所述数据写入控制信号 Gate， 第一极 与所述比例电流镜 242的电流输入端 IN连接，第二极与所述放大控制三极管 TC的第二极连接。

在如图 4所示的实施例中， TI和 TIC为 PMOS管 （p沟道金属氧化物半 导体场效应晶体管），在实际操作时， TI和 TIC也可以全部或择一选用層 OS 管， 只需相应调整管脚连接及控制信号即可。

在如图 4所示的实施例中， Gatel的时序可以和 Gate的时序相同，此时， 电流放大控制模块在数据写入阶段的全部时间 导通所述写入节点 N1 与所述 比例电流镜 242的电流输入端 IN之间的连接；

Gatel的时序也可以和 Gate的时序不同， 即当 Gate控制 TC和 TIC导通 时，在部分时间内 Gatel控制 TC导通，在其余的时间内 Gatel控制 TC关闭， 电流放大控制模块在数据写入阶段的部分时间 导通所述写入节点 N1 与所述 比例电流镜 242的电流输入端 IN之间的连接。

具体的， 如图 5所示， 所述比例电流镜包括输入支路和输出支路； 所述输入支路包括：

第一 PMOS管 TP1，其第一极与驱动电源的高电平输出端 ELVDD连接； 以及

第一 NM0S管 ΤΉΊ , 其栅极与所述第一 NM0S管 ΤΝΊ的第一极连接， 第一极与驱动电源的低电平输出端 ELVSS 连接， 第二极与所述第一 PM0S 管 TP1的第二极连接；

所述第一 NM0S管 TN1的第二极为所述比例电流镜的电流输入端 IN; 所述输出支路包括：

第二 PM0S管 TP2 , 其栅极与所述第一 PM0S管 TP1的 »极连接， 第一 极与所述驱动电源的高电平输出端 ELVDD连接， 第二极与所述第二 PM0S 管 TP2的栅极连接； 以及

第二 NM0S管 ΤΉ2 , 其栅极与所述第一 NM0S管 ΤΝΊ的栅极连接， 第 一极为所述比例电流镜的电流输出端， 第二极与所述第二 PM0S管 TP2的第 二极连接。

所述电荷存储单元包括相互并联的存储电容 C和电阻 R;

所述存储电容 C的一端与所述写入节点 N1连接， 所述存储电容 C的另 一端与驱动电源的低电平输出端 ELVSS连接；

所述发光控制单元包括驱动晶体管 DTFT;

所述驱动晶体管 DTFT , 栅极接入发光控制信号 EM， 第一极与所述写入 节点 N1连接， 第二极与 0LED 的阳极连接；

0LED的阴极与驱动电源的低电平输出端 ELVSS连接。

在如图 5所示的实施例中， DTFT为 PMOS管， 在实际操作时， DTFT 也可以选用 NMOS管；

N2点是与 TP 1的欐极连接的节点， N3点是与 TN1的栅极连接的节点。 在如图 5所示的实施例中， 所述第二 PMOS管 TP2的宽长比与所述第二 NM0S管 TN2的宽长比相等； 所述第一 PMOS管 TPi的宽长比与所述第一 NM0S管 TN1的宽长比相等；

所述第二 PMOS管 TP2的宽长比为所述第一 PMOS管 TP i的宽长比的 K 倍， K大于 1， 则由 Iout=KIref， 其中， lout为比例电流镜的输出电流， Iref 为比例电流镜的输入电流。

如图 6所示， Gate的时序和 Gate 1的时序相同， 即在数据写入阶段电流 放大单元放大数据电流，并通过放大后的数据 电流对电荷存储单元进行充电。 如图 5所示的 AMOLED像素驱动电路在工作时，

在数据写入阶段 Tl， Gate和 Gate〗为低电平信号， EM为高电平信号， TI、 TIC和 TC开启， DTFT关闭， 首先： [data通过 TI输入 TC的基极， TC对 ata进行第一步的放大， 比例电流镜的输入电流 Iref为 N X Idata， 比例电流 镜的输出电流 lout为 KXN X Idaia, lout对存储电容 C充电， 其中 N为 TC 的放大倍数；

在数据写入阶段 T1，在 N2点和 N3点加合适的偏置电压使得 TP1、TP2、 TNI和 TN2全部工作在饱和区， 此时 Iref和 lout几乎与 ELVDD无关， 能避 免由于电源电压波动引起的电流不稳定引起的 闪烁， 保证了显示画面的稳定 性；

在像素点亮阶段 T2， Gate和 Gatel为高电平信号， EM为低电平信号， TI、 TIC和 TC关闭， DTFT开启， 存储电容放电以点亮 OLED。

在实际操作时， 可以通过调节 Gatel的时序来控制 TC的导通时间，进而 控制 lout, 能够调节灰阶。

如图 5所述的 AMOLED像素驱动电路的实施例中管子数目较多， 较适 )¾于顶发射，但是由于比例电流镜的输出电流 只与 MOS管的宽长比的比例有 关， 因此 MOS管的尺寸可以做的很小， 不会占用很多空间， 可以应用于单晶 硅衬底 OLED- on silicon (硅基有机发光二极管） 微型显示技术。

本公开还提供了一种 AMOLED像素驱动方法， 应) ¾于上述的 AMOLED 像素驱动电路， 包括：

在数据写入阶段， 数据写入单元写入数据电流；

在数据写入阶段， 电流放大单元放大所述数据电流， 并通过放大后的数 据电流对电荷存储单元充电；

在像素点亮阶段，发光控制单元控制导通电荷 存储单元与 OLED的连接， 电荷存储单元放电以点亮所述 OLED。

具体的， 当电流放大单元在数据写入阶段的部分时间放 大数据电流时， 所述数据写入阶段包括电流放大阶段和直接充 电阶段；

在电流放大阶段， 所述电流放大单元放大数据电流， 所述数据写入单元 通过放大的数据电流对所述电荷存储单元充电 ；

在直接充电阶段， 所述数据写入单元通过所述数据电流直接对所 述电荷 存储单元充电。

本公开还提供了一种显示装置， 包括 OLED和上述的 AMOLED像素驱 动电路， 所述 AMOLED像素驱动电路用于驱动所述 OLED。

以上所述是本公开的优选实施方式， 应当指出， 对于本技术领域的普通 技术人员来说， 在不脱离本公开所述原理的前提下， 还可以作出若千改进和 润饰， 这些改进和润饰也应视为本公开的保护范围。