X c

其中， ^ω 为电磁波的角频率； d为天线反射面相位校正贴膜的厚度； c为光速。 进一步地， 所述人造微结构具有相交的第一主线和第二主 线， 所述第一主线及 所述第二主线相互垂直平分， 所述第一主线与所述第二主线的长度相同。 进一步地， 所述人造微结构分别以所述第一主线和所述第 二主线为对称轴成轴 对称结构。 进一步地， 所述第一主线两端连接有两个第一折角线， 所述两个第一折角线的 拐角为 90度， 所述第一主线与所述第一折角线的拐角的角平 分线重合。 进一步地， 所述第二主线两端连接有两个第二折角线， 所述两个第二折角线的 拐角为 90度， 所述第二主线与所述第二折角线的拐角的角平 分线重合。 进一步地， 所述第一折角线具有第一拐角点， 所述第一主线两端分别连接在两 个所述第一折角线的两个第一拐角点上， 所述第一折角线具有相同长度的第一水平 角边及第一竖直角边。 进一步地， 所述第二折角线具有第二拐角点， 所述第二主线两端分别连接在两 个所述第二折角线的两个第二拐角点上， 所述第二折角线具有相同长度的第二水平 角边及第二竖直角边。 进一步地， 所述第一主线两端连接在相同长度的两个第一 支线的中点上， 所述 第二主线两端连接在相同长度的两个第二支线 的中点上。 进一步地， 每一所述第一支线的两端向里弯折延伸出两个 第一折线， 每一所述 第二支线的两端向里弯折延伸出两个第二折线 。 进一步地， 人造微结构具有相交的第一主线及第二主线， 第一主线两端连接有 两个第一折角线， 第二主线两端连接有两个第二折角线， 第一主线及第二主线相互 垂直平分， 第一主线与第二主线的长度相同， 第一折角线具有第一拐角点， 第一主 线两端分别连接在两个第一折角线的两个第一 拐角点上， 第二折角线具有第二拐角 点， 第二主线两端分别连接在两个第二折角线的两 个第二拐角点上。 进一步地，两个第一折角线的拐角为 90度，第一主线与第一折角线的拐角的角 平分线重合，两个第二折角线的拐角为 90度，第二主线与第二折角线的拐角的角平 分线重合， 第一折角线具有相同长度的第一水平角边及第 一竖直角边， 第二折角线 具有相同长度的第二水平角边及第二竖直角边 ， 第一折角线与第二折角线具有相同 的尺寸。

H 0 .01 mm≤ H < 0 .5 mm 进一步地，人造微结构各处的厚度相同，其厚 度为

人造微结构各处的线宽相同， 其线宽为 ， 0.08 ^< W≤ 0.3 mm . 第一折角线与其相邻的第二折角线的距离为 ^ ， 0 .08 mm≤ d < l mm ； 并且， 相邻两个人造微结构之间的间隔为 ^ ， .08 mm≤ WL≤ l _mm . 相邻两个人造微结构之间的距离为 进一步地，第一基板与第二基板厚度相同，其 厚度为 ， 0 A mm≤H < l mm 。 进一步地， 第一基板与第二基板的介电常数相同， 其介电常数取值范围为 2.5-2.8。 进—步地， 第一基板及第二基板由陶瓷材料、 F4B复合材料、 FR-4复合材料或 聚苯乙烯制成。 进 -步地， 人造微结构由铜线或者银线制成， 第一基板上的多个人造微结构通 过蚀刻、 电镀、 钻刻、 光刻、 电子刻或离子刻的方法得到。 进—步地， 柔性基板为聚酰亚胺或聚脂薄膜。 进—步地， 所述天线反射面相位校正贴膜设有缝隙。 进—步地， 所述天线反射面相位校正贴膜还包括保护层和 /或封边。 进— -步地， 所述天线反射面相位校正贴膜局部或全部地覆 盖待贴附的物体表面 上。 进一步地， 所述天线反射面相位校正贴膜通过粘接、 紧固件固定、 扣合和卡接 方式中的一种或多种而连接到待贴附的物体表 面上。 本发明的天线反射面相位校正贴膜， 内部具有特定的折射率分布， 使得贴附在 传统的反射面上即可校正反射面表面出射相位 ， 可以改善由安装或者是加工带来的 相位误差， 从而得到一个平整的出射等相位面， 进而可以改进天线的远场性能 （例 如更高的增益）。 另外本发明还提供一种贴附有上述的天线反射 面相位校正贴膜的反射面天线。 附图说明 下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说 明， 附图中： 图 1是贴附有本发明的天线反射面相位校正贴膜� �一种反射面天线； 图 2是本发明的天线反射面相位校正贴膜的结构� �意图 （透视）； 图 3是图 2所示的天线反射面相位校正贴膜去掉第二基� �后的正视图； 图 4是单个人造微结构的结构示意图； 图 5是本发明另一种形式的人造微结构的结构示� �图； 图 6是本发明另一种形式的人造微结构的结构示� �图； 图 7是图 2所示实施例的天线反射面相位校正贴膜的折� �率相对于频率的电磁 响应仿真曲线示意图； 图 8是本发明的天线反射面相位校正贴膜的设计� �法示意图。 具体实施方式 本发明的天线反射面相位校正贴膜包括第一基 板、 第二基板及设置在第一基板 与第二基板之间的至少一个导电几何结构， 第一基板及第二基板为柔性基板， 电磁 波经过贴附有该天线反射面相位校正贴膜的天 线反射面反射后， 出射的电磁波具有 等相位面。 其中， 导电几何结构优选地为人造微结构。 人造微结构优选地具有相交的第一 主线和第二主线， 以及具有分别对称设置于第一主线两端的两个 第一辅助线结构和 分别对称设置于第二主线两端的两个第二辅助 线结构。 进一步优选地是， 第一辅助 线结构和第二辅助线结构的大小和结构相同。 另外优选地是， 第一主线和第二主线 的大小和结构相同， 第一主线和第二主线垂直相交于各自的中点。 还优选地是， 人 造微结构相对于第一主线和第二主线均为轴对 称结构。 本发明的天线反射面相位校正贴膜， 内部由于具有导电几何结构而具有特定的 折射率分布， 使得贴附在传统的天线反射面上即可校正反射 面表面出射相位， 可以 改善由安装或者是加工带来的相位误差， 从而得到一个平整的出射等相位面， 进而 可以改进天线的远场性能 （例如更高的增益）。 其中， 天线反射面相位校正贴膜摊平时， 优选其边缘具有一定的缝隙， 使得其 包覆表面为曲面或不规则形状的天线反射面等 待贴附物体时， 能够通过缝隙的拼合 从而与天线反射面的表面刚好吻合。 另外， 天线反射面相位校正贴膜还可以包括保护层和 /或封边。 设置保护层和 / 或封边， 有利于天线反射面相位校正贴膜抵御外界环境 的压力。 而且， 天线反射面相位校正贴膜还包括设置于第二基 板一侧的至少一个第三基 板， 第二基板和第三基板之间以及每两个相邻的第 三基板之间均设置至少一个导电 几何结构。 也就是说， 天线反射面相位校正贴膜的以人造微结构为代 表的导电几何 结构可以是多层的。 本发明还提供反射面天线， 反射面天线的天线反射面上贴附有本发明的天 线反 射面相位校正贴膜。 在待贴附的物体表面例如反射面天线的天线反 射面的整个表面上可以完整地贴 附有一块的天线反射面相位校正贴膜。 但是， 也可以是两层以上的天线反射面相位 校正贴膜贴附于反射面天线的天线反射面上的 局部或全部表面上。 进一步地， 所述天线反射面相位校正贴膜通过粘接、 紧固件固定、 扣合和卡接 方式中的一种或多种而连接到待贴附的物体表 面上。 粘接方式可以是粘接剂， 紧固 件可以是螺栓、 螺钉、 销钉等， 卡接可以是开缝后插入的方式， 扣合则可能涉及利 用塑料或金属的弹性变形来实现。 以下将结合图 1至图 8对本发明的优选实施例进行具体说明。 如图 1至 2所示， 根据本发明实施例的天线反射面相位校正贴膜 TM包括第一 基板 1、第二基板 2及设置在第一基板 1与第二基板 2之间的多个人造微结构 3，所 述人造微结构 3为由导电材料制成的丝线， 所述第一基板 1及第二基板 2为柔性基 板， 合理设计天线反射面相位校正贴膜 TM的折射率分布， 使得电磁波经过贴附有 该天线反射面相位校正贴膜 TM的天线反射面 FS反射后， 出射的电磁波具有平整 的等相位面。 本发明实施例的柔性基板即为传统的柔性线路 板 （FPC ) 所使用的聚酰亚胺或 聚酯薄膜。人造微结构可以是金属微结构，其 印刷方式可以与传统的 FPC工艺类似。 只是相对于金属线路， 本发明的人造微结构是根据折射率的分布设计 出来的。 图 1 中的天线反射面 FS为抛物面反射面， 因为本发明实施例的天线反射面相 位校正贴膜 TM是柔性的， 所以可以很好的贴合抛物面反射面， 当然生产得到的天 线反射面相位校正贴膜 TM则是平面的， 可以通过适当的剪裁使得更好地紧密贴附 在天线反射面 FS的表面。 本发明实施例的人造微结构可以是如图 4所示的人造微结构， 如图 4所示， 所 述人造微结构 3具有相互垂直平分的第一主线 31及第二主线 32， 所述第一主线 31 与第二主线 32的长度相同， 所述第一折角线 ZJX1具有第一拐角点 Jl， 所述第一主 线 31两端分别连接在两个第一折角线 ZJX1 的两个第一拐角点 J1上， 所述第二折 角线 ZJX2具有第二拐角点 J2， 所述第二主线 32两端分别连接在两个第二折角线 ZJX2的两个第二拐角点 J2上。 所述两个第一折角线 ZJX1的拐角为 90度， 第一主 线 31与第一折角线 ZJX1的拐角的角平分线重合， 所述两个第二折角线 ZJX2的拐 角为 90度， 第二主线 32与第二折角线 ZJX2的拐角的角平分线重合， 所述第一折 角线 ZJX1具有相同长度的第一水平角边 SP1及第一竖直角边 SZ1， 第一水平角边 SP1及第一竖直角边 SZ1所成的夹角即为第一折角线 ZJX1的拐角， 所述第二折角 线 ZJX2具有相同长度的第二水平角边 SP2及第二竖直角边 SZ2，第二水平角边 SP2 及第二竖直角边 SZ2所成的夹角即为第二折角线 ZJX2的拐角。 另外， 所述第一折 角线 ZJX1与第二折角线 ZJX2具有相同的尺寸。 当然本发明的人造微结构还可以是图 5及图 6所示形态的人造微结构。 图 5所示为平面雪花状的人造微结构， 所述的雪花状的人造微结构具有相互垂 直平分的第一金属线 J1及第二金属线 J2，所述第一金属线 J1与第二金属线 J2的长 度相同， 所述第一金属线 J1两端连接有相同长度的两个第一金属分支 Fl， 所述第 一金属线 J1两端连接在两个第一金属分支 F1的中点上，所述第二金属线 J2两端连 接有相同长度的两个第二金属分支 F2， 所述第二金属线 J2两端连接在两个第二金 属分支 F2的中点上， 所述第一金属分支 F1与第二金属分支 F2的长度相等。 图 6为图 5的一种变形形式， 所述人造微结构 3具有相互垂直平分的第一主线 31及第二主线 32， 所述第一主线 31与第二主线 32的长度相同， 所述第一主线 31 两端连接有相同长度的两个第一支线 Zl， 所述第一主线 31两端连接在两个第一支 线 Z1的中点上，所述第二主线 32两端连接有相同长度的两个第二支线 Z2， 所述第 二主线 32两端连接在两个第二支线 Z2的中点上， 所述第一支线 Z1与第二支线 Z2 的长度相等， 每一所述第一支线 Z1 的两端向里弯折延伸出两个第一折线 ZX1 , 每 一所述第二支线 Z2的两端向里弯折延伸出两个第二折线 ZX2。 本实施例中， 所述 第一折线 ZX1与第一支线 Z1所成的夹角为 ^ ， 所述第二折线 ZX2与第二支线 Z2 所成的夹角为 ， 且有， θ ι ^{= θ} 2 ； ≤45。 。 优选地，所述第一折线 ZX1与第一支线 Z1所成的夹角 及所述第二折线 ZX2 与第二支线 Z2所成的夹角 均为 45度。 即相邻的第一折线 ZX1与第二折线 ZX2 平行。 图 2为透视图， 即假定第一基板 1与第二基板 2透明， 人造微结构 3不透明。 本发明例中， 如图 3及图 4所示， 所述人造微结构 3各处的厚度相同， 其厚度 为 H ₂ 0 . 01 mm≤ H ₂ ≤ 0.5 mm . 所述人造微结构 3各处的线宽相同， 其线宽为 ， 0. 08 ^< W≤ 0.3 mm . 所述第一折角线 ZJX1 与其相邻的第二折角线 ZJX2 的距离为 ^ ， 并且， 相邻两个人造微结构 3之间的间隔为 ^ ， 0 .08 mm≤ WL≤ l _mm . 如图

3所示， ^WL 即为其中一个人造微结构 3的第一拐角点 J1与另一个人造微结构 3的 与该第一拐角点 J1相邻的第二拐角点 J2的距离。 相邻两个人造微结构 3之间的距离为 如图 3所示， ^L 即 为相邻两个人造微结构 3中心点之间的距离，此处的中心点即为第一� �线 31与第二 主线 32的交点。 L的长度与入射电磁波有关， 通常 的长度小于入射电磁波的波 长， 例如 可以是入射电磁波的五分之一或十分之一， 这样可以对入射电磁波产生 连续的响应。 本发明实施例中， 所述人造微结构 3为由导电材料制成的丝线。 例如铜线、 银 线及其它金属线， 采用金属材料制成的人造微结构 3， 可以通过蚀刻、 电镀、 钻刻、 光刻、 电子刻或离子刻的方法得到。 例如， 可以在第一基板 1上覆上一定厚度的铜 膜或银膜， 再利用蚀刻的方法去掉多个人造微结构 3以外的部分铜膜或银膜 （利用 化学溶液溶解腐蚀）， 即能得到附着在第一基板 1上的多个人造微结构 3。 另外， 人造微结构 3还可以由其它非金属的导电材料制成， 例如， 铟锡氧化物、 碳纳米管或者石墨等。 本发明实施例中， 所述第一基板 1 与第二基板 2 厚度相同， 其厚度为 1 ， ^ ^ mm≤H < l mm 。 并且， 所述第一基板 i与第二基板 2的介电常数相同， 其介 电常数取值范围为 2.5-2.8。 本发明实施例中， 第一基板 1及第二基板 2可以由任意的介电材料制成， 例如 陶瓷材料、 高分子材料、 铁电材料、 铁氧材料或铁磁材料。 高分子材料， 例如可以 有 F4B复合材料、 FR-4复合材料或聚苯乙烯 （PS) 等。 本发明实施例中， 采用具有如下参数的天线反射面相位校正贴膜 进行仿真， 仿 真软件为 CST; 第一基板 1与第二基板 2的厚度为 1mm; 第一基板 1与第二基板 2为介电常数 为 2.7的 PS塑料板， 损耗正切为 0.0002。 相邻两个人造微结构 3之间的距离 ^L 为 2.7mm; 人造微结构 3的厚度 ^H 2 为 0.018mm; 人造微结构 3的线宽 为 0.14mm; 第一折角线 Z1与第二折角线 Z2的距离 为 0.14mm _; 相邻两个人造微结构 3之间的间隔 ^WL 为 0.14mm _; 对具有上述参数的天线反射面相位校正贴膜 TM进行仿真， 即测试该天线反射 面相位校正贴膜 TM在不同频率下的折射率， 得到折射率相对于频率的电磁响应曲 线如图 7所示。 由图 7可知， 所述天线反射面相位校正贴膜 TM能在非常宽的一段 频率上 （0~10GHz)有很好的低色散性能（即折射变化稳� ��）。 同时， 该天线反射面 相位校正贴膜 TM还具有很低的电磁损耗， 不会对原来的反射面天线的辐射性能产 生影响。 本发明实施例的天线反射面相位校正贴膜根据 需要设计， 例如可通过以下方法 设计， 如图 8所示， 首先， 定义由天线反射面 FS直接反射后得到的等相位面为原始 等相位面 XM， 定义原始等相位面 XM上任一点 （例如图中的 a点及 b点） 到理想 的等相位面 PZ的垂直距离为 ^D _m ，出射的电磁波在 ^D _m 这一距离上所经过的相位为 ^X - ， 则有，

其中， ^ω 为电磁波的角频率； c为光速。 当原始等相位面上的点处于理想等相位面 ΡΖ的左侧时， 取正值， 当原始等相位面上的点处于理想等相位面 PZ的右侧时， 取负值； 例如图中的 a点， 其在理想等相位面 PZ的左侧， 则有该点在 ^。这一距离上所 coD

经过的相位为 。 ； 其中， «= ； 再例如图中的 b点， 其在理想等相位面 PZ的右侧， 则有该点在 ¾这一距离上 所经过的相位为 ; 其中， = -^ ; 本发明实施例中， 理想等相位面 PZ 即为上述的平整的等相位面。 等相位面上 的点的大小与单个人造微结构大小相当。 其次， 设计所述天线反射面相位校正贴膜对应于 等于零的部分其折射率为 一定值 "ι， 即 ^ » ⁼⁽⁾ _; 设计所述天线反射面相位校正贴膜对应于 m不等于零的 部分其折射率为"™ ， 且有， 其中， ^ω 为电磁波的角频率； d为天线反射面相位校正贴膜的厚度； c为光速。 当原始等相位面上的点处于理想等相位面 PZ 的左侧时，

式 （1) 代入公式 （2) 中， 简化公式， 得到： n, (3)；

即处于原始等相位面上左侧的点其在天线反射 面相位校正贴膜 TM上的投影点 的折射率小于 "1。且该些点的折射率的设计值只与原始等相� ��面上任一点到理想的 等相位面 PZ的垂直距离为 以及天线反射面相位校正贴膜的厚度 相关。 原始 等相位面可通过激光扫描的方式获得。 当原始等相位面上的点处于理想等相位面 PZ 的右侧时， 取负值， 将公式 式 （1) 代入公式 （2) 中， 简化公式， 得到：

D

(4); 即处于原始等相位面上左侧的点其在天线反射 面相位校正贴膜 TM上的投影点 的折射率大于 "1 。 以 a点及 b点为例， 对应于 a点， 则有: n = η ,— 对应于 b点， 则有: 因此， 知道了 a 、 ^D b (通过激光扫描获得）， 以及确定了" 1及 值， 就可 以设计出"。、 ⁿ b， 以使得 a点及 b点通过校正后的两个点会处于理想等相位面 PZ 上。 依此类推， 可以校正整个原始等相位面， 使得最终的等相位面与理想的等相位 面 PZ重合， 即完成了对特定反射面天线的相位校正。 另外本发明还提供一种贴附有上述的天线反射 面相位校正贴膜 TM的反射面天 线。 所述天线还可以包括馈源， 馈源设置在反射面天线的焦点上。 上面结合附图对本发明的实施例进行了描述， 但是本发明并不局限于上述的具 体实施方式， 上述的具体实施方式仅仅是示意性的， 而不是限制性的， 本领域的普 通技术人员在本发明的启示下， 在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围 情况 下， 还可做出很多形式， 这些均属于本发明的保护之内。