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| CN101587913A | 2009-11-25 | |||
| CN101840953A | 2010-09-22 | |||
| CN101882650A | 2010-11-10 |
上海信好专利代理事务所（普通合伙） (CN)
| 权利要求 1. 一种抗 PID晶硅太阳能电池， 其特征在于， 该太阳能电池包含： P型硅片基底 （5 ); 设置在 P型硅片基底 （5 ) 上方的 N型区 （4)， 该 N型区 （4) 为所 述太阳能电池受光的正表面； 均匀覆盖设置在所述 N型区 （4) 的上方的减反射膜 （2); 设置在所述减反射膜 （2) 上的金属银电极栅线 （1 ); 在所述减反射膜（2)与 N型区 （4)之间还均匀设置有氧化膜（3 ); 及 设置在所述 P型硅片基底 （5 ) 下方的铝背场 （6)及底银电极 （7)。 2. 如权利要求 1所述的抗 PID晶硅太阳能电池， 其特征在于， 所述的减反射 膜 （2) 为一层 Si3N4膜或两层 Si3N4膜。 3. 如权利要求 1所述的抗 PID晶硅太阳能电池，其特征在于，所述的氧化膜 (3 ) 为 Si02膜， 厚度为 5-20nm。 4. 如权利要求 1所述的抗 PID晶硅太阳能电池，其特征在于，所述的 P型硅 片基底为单晶硅片或多晶硅片。 |
本实用新型涉及一种太阳能电池， 尤其是涉及一种抗 PID晶硅太阳能电 池。 背景技术
随着化石能源日益枯竭和地球环境污染的不断 严重， 使可再生能源和各 种绿色能源得到了越来越多的重视。 太阳能发电的使用也越来越普及。 随着 太阳能组件在不同环境中使用， 各种不同的因素影响组件的功率， 导致组件 功率衰减， PID (Potential Induced Degradation, 晶体硅光伏组件的电位诱发 衰减） 概念孕育而生， 目前， PID已作为评价光伏组件的一个重要指标。 根 据目前报道和实验结果发现光伏组件的 PID现象主要与玻璃、 电池和胶膜有 较大关系， 降低光伏组件的 PID现象， 可分别从这三个方面进行考虑。 发明的公开
本实用新型的目的就是为了克服上述现有技术 存在的缺陷而提供一种制 作简单、 抗 PID效果好的抗 PID晶硅太阳能电池。
本实用新型的目的可以通过以下技术方案来实 现：
一种抗 PID晶硅太阳能电池， 该太阳能电池受光的正表面为 N型区，所 述的正表面的上表面覆盖均匀的减反射膜， 所述的减反射膜上设有金属银电 极栅线， 减反射膜与正表面之间还设置一层均匀的氧化 膜，
N型区的下方设置 P型硅片基底， 该硅片基底的下方为铝背场及底银电 极。
所述的减反射膜为一层或两层 Si 3 N 4 膜。
所述的减反射膜为采用管式或板式等离子化学 气相沉积方法制备得到的 减反射膜。
所述的氧化膜为厚度 5-20nm的 Si0 2 膜。
1 确认本 所述的氧化膜为 PECVD (等离子增强化学气相沉积， Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, 简称 PECVD) 法、 管式氧化方法或化学催化氧 化方法制备得到的氧化膜。
P型硅片基底为单晶硅片或多晶硅片。
N型区通过管式扩散或离子注入方法制作形成 N型区。
本电池起到抗 PID的主要部分为 Si 3 N 4 和 Si0 2 薄膜， 这层复合膜对硅片 表面起到了比较好的钝化作用， 使负电荷难以在电池表面聚集， 从而可以减 小 PID现象的产生。
与现有技术相比， 本实用新型具有以下优点：
1、 制备流程简单： 使用目前常规的工艺生产线即可完成电池片的 制备， 易于实现量产化；
2、抗 PID效果好:本电池制备的组件,在加负偏压 1000V,温度为 85±2°C， 湿度为 85%±5%的测试条件下， 持续 42小时， 组件的功率损失小于 1%， 且 电致发光 EL (Electroluminesence)测试未发现发黑现象，表现出 PID效果。 附图的简要说明
图 1为本实用新型的一种抗 PID晶硅太阳能电池的结构示意图。 实现本发明的最佳方式
下面结合附图和具体实施例对本实用新型进行 详细说明。
实施例
一种抗 PID晶硅太阳能电池， 其结构如图 1所示， 该太阳能电池受光的 正表面为通过管式扩散或离子注入方法制作形 成的 N型区 4，在 N型区 4的 上方均匀覆盖设置减反射膜 2， 该层减反射膜 2为一层或两层 Si 3 N 4 膜，采用 管式或板式等离子化学气相沉积方法制备得到 。 在减反射膜 2上均匀间隔设 有金属银电极栅线 1。 另外， 在减反射膜 2与 N型区 4之间还设置一层均匀 的氧化膜 3， 黏附在减反射膜 2上， 本实施例中氧化膜采用的是厚度 5-20nm 的 Si0 2 膜，使用 PECVD方法制备得到。在 N型区 4的下方设置 P型硅片基 底 5， 可以采用单晶硅片或多晶硅片， 在 P型硅片基底 5的下方为铝背场 6， 另外还可以设置底银电极 7。 本电池起到抗 PID的主要部分为 Si 3 N 4 膜和 Si0 2 薄膜， 这层复合膜对硅 片表面起到了比较好的钝化作用， 使负电荷难以在电池表面聚集， 从而可以 减小 PID现象的产生。
分别对制作得到的具有上述结构的 4组抗 PID晶硅太阳能电池的性能进 行检测， 一共测试了四组数据， 如表 1所示。
表 1 : 4组抗 PID晶硅太阳能电池的性能测试结果
由上表 1中的数据可见， 本实用新型的抗 PID晶硅太阳能电池在加负偏 压 1000V, 温度为 85士 2°C， 湿度为 85%士5%的测试条件下， 持续 42小时， 组件的功率损失小于 1%， 且 EL测试未发现发黑现象， 表现出抗 PID效果。
另外， 本实用新型产品的制备工艺与常规工艺相差较 小， 在常规生产线 上仅添加一步工序即可制备出本实用新型产品 ， 对现有生产线改动较小， 有 利于实现量产化生产。
尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作 了详细介绍， 但应当认识 到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。 在本领域技术人员阅读了上述 内容后， 对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见 的。 因此， 本发明的 保护范围应由所附的权利要求来限定。