Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur Überwachung von Laserstrukturie- rungsprozessen, insbesondere von direkten Laserinterferenzstrukturierungs prozessen, die an Oberflächen von Bauteilen durchgeführt werden.

Es sind verschiedenste optische Anordnungen bekannt, mit denen das Verfah ren der direkten Laserinterferenzstrukturierung (DLIP) durchgeführt werden kann. Dabei können sehr kleine und filigrane Strukturen mit definierter Struk turperiode L durch Werkstoffabtrag oder eine Modifizierung von Werkstoff ausgebildet werden.

Das Problem der Überwachung des Strukturierungsprozesses, bei dem eine ausreichend genaue Erfassung der Position der jeweiligen Struktur oder der

Dimensionierung der Strukturelemente, mit denen die jeweilige Struktur aus gebildet wird, während des Strukturierungsprozesses ist aber nur unzurei- chend gelöst.

So wurde versucht mit einem zusätzlichen Strahlteiler, der im Strahlengang eines Laserstrahls angeordnet und mit dem ein Teilstrahl auf einen Sensor einer Abbildungseinrichtung gerichtet wurde, eine Regelung vorzunehmen. Dies hat aber den Nachteil, dass ein Teil der Laserstrahlung nicht für den Strukturierungsprozess genutzt werden kann, was den Wirkungsgrad redu ziert. Außerdem ist eine sehr genaue aufwändige Positionierung des Sensors erforderlich.

Bei einer anderen versuchten Möglichkeit wurde ein optischer Sensor vom Laserstrahl entkoppelt angeordnet, um Laserverluste zu vermeiden. Dazu wurde ein ringförmiges optisches fokussierendes Element im Strahlengang angeordnet. Durch das ringförmige optische Element kann der Laserstrahl dieses ringförmige optische Element unbeeinflusst passieren. Reflektierte La serstrahlung kann so für eine Detektion gesammelt werden. Ein solcher opti scher Aufbau ist aber ebenso aufwändig bei der Justierung und man kann kein kompaktes System zur Durchführung des Prozesses nutzen.

Bei einer Anordnung mehrerer Detektoren in Reihe neben der optischen An ordnung für die direkte Laserinterferenzstrukturierung kann nur gebrochene Laserstrahlung detektiert werden und es ist ebenfalls kein kompakter Aufbau möglich.

Es ist daher Aufgabe der Erfindung, Möglichkeiten für eine definierte Beein flussung des Prozesses einer Laserstrukturierung, insbesondere der direkten Laserinterferenzstrukturierung und dabei der Ausbildung von definierten Strukturen während des Strukturierungsprozesses anzugeben, die eine ausrei chende Genauigkeit, einen geringen Justageaufwand erfordert und einen kompakten Aufbau einer dafür ausgelegten Anordnung ermöglicht.

Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe mit einer Anordnung, die die Merkmale des Anspruchs 1 aufweist, gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiter bildungen der Erfindung können mit in untergeordneten Ansprüchen bezeich- neten Merkmalen realisiert werden. Die erfindungsgemäße Anordnung zur direkten Laserinterferenzstrukturierung auf Oberflächen von Bauteilen ist mit einer Anordnung optischer Elemente, die so ausgebildet ist, dass ein von einer Laserstrahlungsquelle emittierter Laserstrahl in mindestens zwei Teilstrahlen aufgeteilt wird und die mindestens zwei Teilstrahlen so auf die zu strukturierende Oberfläche eines Bauteils ge richtet werden, dass durch die Interferenz der mindestens zwei Teilstrahlen eine lokal definierte Struktur auf der jeweiligen Oberfläche des Bauteils mit vorgebbarer Strukturperiode L ausgebildet wird. Für eine solche Anordnung optischer Elemente kann man jede bekannte und/oder dafür geeignete An ordnung optischer Elemente, mit beispielsweise strahlteilenden, optisch bre chenden und/oder reflektierenden optischen Elementen, einsetzen.

Außerdem ist ein optischer Detektor, der zur ortsaufgelösten Erfassung von Intensitäten von an der zu strukturierenden oder bereits zumindest teilweise strukturierten Oberfläche reflektierter Laserstrahlung oder von an der bereits zumindest teilweise strukturierten Oberfläche reflektierten und gebrochenen Laserstrahlung ausgebildet ist, Bestandteil der Anordnung optischer Elemen te.

Der optische Detektor ist mit einer elektronischen Auswerte- und Regeleinheit verbunden. Dabei ist die elektronische Auswerte- und Regeleinheit ausgebil det, den Prozess der direkten Laserinterferenzstrukturierung in Abhängigkeit der ortsaufgelöst erfassten Intensitäten zu regeln.

Der optische Detektor kann mit einer Reihenanordnung oder einer Reihen- und Spaltenanordnung optisch sensitiver Elemente gebildet sein. Es ist auch der Einsatz einer HSI-Kamera mit der zusätzlich eine spektralaufgelöste Erfas sung möglich ist, denkbar.

Die elektronische Auswerte- und Regeleinheit sollte so ausgebildet sein, Ab weichungen von einer vorgegebenen Strukturperiode L in mindestens einer Achsrichtung, die Strukturtiefe, Homogenität und/oder eine Verkippung der ausgebildeten Struktur in mindestens eine Richtung zu erkennen und zu be rücksichtigen. Dies betrifft bei der Homogenität insbesondere Modulationen oder Defekte. Sie kann außerdem so ausgebildet sein, die Laserstrahlungsquelle, mechani sche Achsen und/oder die Strukturperiode L zu regeln.

Vorteilhaft ist es auch, wenn der Detektor in die Anordnung optischer Ele mente integriert oder mit den Elementen dieser Anordnung in einem Gehäuse gemeinsam angeordnet ist.

Der Detektor und/oder die elektronische Auswerte- und Regeleinheit können ausgebildet sein, eine Regelung der Fokussierung mit der der Laserstrahl und/oder die Teilstrahlen durchführen zu können.

Beim DLIP-Verfahren werden mindestens zwei Teilstrahlen eines in geeigneter Form geteilten Laserstrahls mit einem definierten Winkel a auf die jeweilige Bauteiloberfläche gerichtet, um durch ihre Interferenz ganz bestimmte Struk turelemente an definierten Positionen, mit vorgegebener Strukturperiode L der Strukturelemente ausgebildet, wenn die Energie der Teilstrahlen in der Interferenzzone ausreichend groß ist. Dabei kann ein Werkstoffabtrag über wiegend mittels Ablation oder aber auch eine lokal definierte Modifizierung von Bauteilwerkstoff, die bevorzugt zu einer lokal definierten Änderung des optischen Brechungsindex führt und dadurch Strukturen ausgebildet werden, vorgenommen werden.

Dabei wird der größte Teil der Strahlung der miteinander interferierenden Teilstrahlen absorbiert. Ein Teil davon wird aber in Richtung, aus der die Teil strahlen auf die jeweilige Bauteiloberfläche emittiert werden, zurück reflek tiert. Die optischen Achsen der miteinander interferierenden Teilstrahlen und die reflektierte oder die an der Struktur gebrochene und reflektierte Strahlung sollten dabei in einem Winkel zwischen 0° und 90°, bevorzugt zwischen 0° und 20° in Bezug zur Ebene der Oberfläche des Bauteils ausgerichtet sein.

Der bereits erwähnte optische Detektor sollte dabei in den Aufbau mit der Anordnung optischer Elemente integriert sein.

Die Erfindung kann, wie bereits angedeutet, in zwei verschiedenen Moden betrieben werden. Bei einem Modus wird nur von der strukturierten oder der bereits zumindest teilweise strukturierten Bauteiloberfläche reflektierte Strahlung auf den optischen Detektor gerichtet und für die Regelung berück- sichtigt.

Wird in einem Modus detektiert, bei dem lediglich reflektierte Strahlung er fasst und für die Regelung genutzt wird, sollten die Teilstrahlen und reflektier te Strahlung mit einem gleichen Winkel a aber in anderen Richtungen ausge richtet sein.

Mit der Erfindung können orts- und ggf. auch zeitaufgelöste Informationen über den Arbeitsabstand, die Prozessqualität und die ausgebildeten Struktu ren erhalten und berücksichtigt werden.

Bei der Regelung kann die Leistung der Laserstrahlung, die Fokussierung der Teilstrahlen, die Strukturperiode L, ein gepulster Betrieb (Anzahl der Pulse, Pulslänge, Pausen zwischen einzelnen Pulsen), Vorschubgeschwindigkeit, und/oder Pulsüberlappung entsprechend Vorgaben angepasst werden.

Die ortsaufgelöst mit dem Detektor erfassten Intensitäten können in Bezug zur jeweiligen Position auf der strukturierten bzw. zu strukturierenden Bau teiloberfläche dargestellt, ausgewertet und bei der Regelung berücksichtigt werden.

Bei dem Modus, bei dem nur reflektierte Strahlung erfasst und berücksichtigt wird, können bei Zweistrahlinterferenz zwei Maximalwerte erkannt und da durch Daten, die mit den jeweiligen Positionen korrelieren, erhalten werden.

So kann beispielsweise die Fokussierung automatisch durch Korrelation der Abstände der Maximalwerte der erfassten Intensitäten zur Position der An ordnung optischer Elemente für die jeweilige Probe angepasst werden.

Bei einer Asymmetrie der Positionen der Maximalwerte von erfassten Intensi täten kann diese einer unerwünschten Neigung der zu strukturierenden Bau teiloberfläche in Bezug zur Anordnung optischer Elemente zugeordnet und bei der Regelung berücksichtigt oder korrigiert werden.

Bei einem Modus, bei dem reflektierte und gebrochene Strahlung erfasst und berücksichtigt wird, kann mit ausreichender Energie der Teilstrahlen ein Inter- ferenzmuster als Struktur, insbesondere infolge lokal definierter Ablation, in dem Bereich in dem die Teilstrahlen miteinander interferieren ausgebildet werden. Insbesondere bei Mehrfachpulsen oder großer Überdeckung der Teil strahlen kann gebrochene und an der strukturierten Bauteiloberfläche reflek tierte Strahlung erfasst und berücksichtigt werden. Die gebrochene Strahlung wird dabei mit dem Winkel a _D nach dem Brechungsgesetz a _D = sin ¹ (sin a _in - q * l/L) reflektiert. Dabei ist a _in der Einfallswinkel der Teilstrahlen, l ist die Wellenlän ge der eingesetzten Laserstrahlung, L die Strukturperiode der jeweiligen aus gebildeten Struktur und q die Brechungsordnung. Die gebrochene Strahlung wird zurück in die Richtung der einfallenden Teilstrahlen reflektiert und kann mit einem fokussierenden optischen Element der Anordnung optischer Ele mente auf den optischen Detektor gerichtet werden.

Bei der Analyse der ortaufgelöst erfassten gebrochenen und reflektierten Strahlung kann nicht nur die Positionsinformation, wie beim Modus bei dem nur reflektierte Strahlung erfasst und berücksichtigt wird, erhalten werden. Zusätzlich kann man dabei Informationen über die jeweilige Strukturperiode L der ausgebildeten Struktur aus dem Abstand von Maximalwerten der mit dem Detektor ortaufgelöst erfassten gebrochenen und reflektierten Strahlung, sowie die Tiefe und/oder Qualität der ausgebildeten Struktur aus den Intensi täten der Maximalwerte erhalten.

Bei der Erfindung ist es auch vorteilhaft, dass man die zeitabhängige Entwick lung der jeweiligen Struktur auf der Bauteiloberfläche während der Durchfüh rung des Verfahrens der direkten Laserinterferenzstrukturierung, wenn die miteinander interferierenden Teilstrahlen die jeweilige Struktur ausbilden, erkennt und bei der Regelung berücksichtigt. Dabei kann beispielsweise ge zielt der Werkstoffabtrag an der Bauteiloberfläche lokal definiert geregelt werden. Außerdem, kann ein zeitversetztes Auftreffen der Teilstrahlen auf die jeweilige Oberfläche ebenso detektiert werden und deswegen durch optische Anpassungen minimiert werden.

Die Information der Intensität der reflektierten oder gebrochenen Strahlung kann insbesondere genutzt werden, um die Prozessparameter an die ge wünschte Strukturqualität anzupassen. Zum Beispiel können periodische Un regelmäßigkeiten oder Modulationen in dem eingebrachten Interferenzmus ter von sekundären Signalen detektiert und dementsprechend genutzt wer den, um die Prozessparametern anpassen zu können.

Mit der Erfindung ist ein einfacher kompakter Aufbau möglich, bei dem keine zusätzlichen und ggf. extern anzuordnenden optischen Elemente, wie bei spielsweise eine zusätzliche Beleuchtung der Bauteiloberfläche, erforderlich sind. Zusätzlich ist eine zeitaufgelöste Analyse der Prozessschritte und deren Berücksichtigung bei der Regelung möglich.

Nachfolgend soll die Erfindung beispielhaft näher erläutert werden.

Dabei zeigen:

Figur 1 in schematischer Form das Auftreffen zweier Teilstrahlen auf eine zu strukturierende Bauteiloberfläche und von dort in Richtung optischem Detektor zurück reflektierte Strahlung;

Figur 2 in schematischer Darstellung zwei in einem Interferenzbereich interferierende Teilstrahlen und von der strukturierten Oberfläche gebroche ner und reflektierter Strahlung in zwei Ansichten;

Figur 3 in schematischer Darstellung, wie von einer strukturierten Bau teiloberfläche reflektierte Strahlen auf einen optischen Detektor auftreffen und ein Diagramm, das die mit dem optischen Detektor ortsaufgelöst erfass ten Intensitäten widergibt;

Figur 4 in schematischer Darstellung, wie von einer strukturierten Bau teiloberfläche gebrochene und reflektierte Strahlen auf einen optischen De tektor auftreffen und ein Diagramm, das die mit dem optischen Detektor ortsaufgelöst erfassten Intensitäten widergibt und

Figur 5 ein Beispiel einer Anordnung optischer Elemente in einem Ge häuse mit einem optischen Detektor, der als Reihenanordnung optischer Sen- soren, mit denen eine eindimensionale ortsaufgelöste Erfassung von Intensi täten möglich ist, ausgebildet ist.

In Figur 1 ist gezeigt, wie zwei Teilstrahlen 1, die im Bereich der zu strukturie renden Oberfläche eines Bauteils 3 interferieren und dabei in einem Winkel a _in auf die Bauteiloberfläche auftreffen. Von dort reflektierte Laserstrahlung 5 wird in eine andere Richtung, nämlich auf den hier nicht dargestellten opti schen Detektor 4 gerichtet.

In Figur 2 ist in zwei Ansichten, nämlich einer Vorder- und einer Seitenansicht (rechts) gezeigt, wie zwei Teilstrahlen 1 auf die zu strukturierende oder be reits zumindest teilweise strukturierte Oberfläche des Bauteils 3 gerichtet sind und im Bereich der Oberfläche des Bauteils 3 miteinander interferieren.

An der strukturierten Bauteiloberfläche gebrochene und von dort reflektierte Laserstrahlung 6 trifft auf den im Gehäuse 7 angeordneten optischen Detektor 4 auf. Wie man Figur 2 entnehmen kann erfolgt die Bestrahlung mit den Teil strahlen 1 und die Reflexion der gebrochenen und reflektierten Strahlung 6 in verschiedene Richtungen in Bezug zur optischen Achse 8.

Figur 3 kann man entnehmen, wie von der zu strukturierenden Oberfläche reflektierte Strahlung 5 auf den optischen Detektor 4, der im Gehäuse 7 ange ordnet und Bestandteil der Anordnung optischer Elemente 9 ist. Das Dia gramm zeigt zwei mit dem optischen Detektor 4 erfasste Maximalwerte für die Intensität reflektierter Strahlung 5 an verschiedenen Positionen.

Figur 4 zeigt, wie an der zu strukturierenden Oberfläche gebrochene und von dort reflektierte Strahlung 6 auf den optischen Detektor 4, der im Gehäuse 7 angeordnet und Bestandteil der Anordnung optischer Elemente 9 ist. Das Dia gramm zeigt zwei mit dem optischen Detektor 4 erfasste Maximalwerte für die Intensität reflektierter Strahlung 5 an verschiedenen Positionen.

Figur 5 kann man entnehmen, wie ein von einer nicht dargestellten Laser strahlungsquelle emittierter Laserstrahl 2 mittels der Anordnung optischer Elemente 9 in zwei Teilstrahlen 1 aufgeteilt und die Teilstrahlen 1 so auf die Oberfläche des Bauteils 3 gerichtet werden, dass sie dort miteinander interfe- rieren. Die Teilstrahlen 1 werden dabei durch das Gehäuse 7 an dem opti schen Detektor 4 vorbei und durch ein fokussierendes optisches Element 10 geführt. Die von der zu strukturierenden oder strukturierten Bauteiloberfläche reflek tierte Strahlung 5 ist durch das fokussierende optische Element 10 auf den optischen Detektor 4 gerichtet.

Mittels der ortsaufgelöst erfassten Intensitäten kann mit einer nicht darge- stellten elektronischen Auswerte- und Regeleinheit, an die die mit dem opti schen Detektor 4 ortsaufgelöst erfassten Intensitätsmesswerte übertragen werden, der Prozess der direkten Laserinterferenzstrukturierung geregelt werden.