本发明涉及材料及医疗器械领域， 特别涉及镀覆纳米多层结构碳膜的 人工臼杯产品、 生产人工臼杯的磁控溅射镀膜装置及其制备方 法。

背景技术

高分子聚乙烯具有相对优越的物理、 化学、 力学性能， 仍是当前人工 关节臼杯的主流材料。 但多年临床观察和实验研究显示， 高分子聚乙烯臼 杯与金属股骨头配伍， 相对硬度低， 长期承受较大载荷， 高分子聚乙烯臼 杯会产生磨损颗粒引起局部界面骨溶解， 引发假体松动， 导致人工髋关节 使用寿命缩短， 增加了患者二次、 三次人工髋关节翻修手术的临床风险。

近年人工髋关节假体尝试了 "陶 -陶" 、 "金 -金" 同材质的配伍方式， 希望解决不同材质的界面磨损问题。但是， 临床应用证明， "陶 -陶" 、 "金 -金" 同样有难以克服的缺陷， 如 "陶 -陶" 关节易碎， 限制了术后人群的 活动量和活动范围； "金 -金" 关节对手术条件和医生手术水平要求更为严 格， 关节置换稍有偏差即会加大关节边缘磨损， 产生大量碎屑及异响。 因 此，人工髋关节的主流产品仍选择以高分子聚 乙烯臼杯 -金属球头配伍的方 式进行技术升级。

高分子聚乙烯的磨损主要受材料性能和加工方 式的影响， 因此， 国内 外学者通过交联改性和物理改性的方式提高高 分子聚乙烯耐磨性。 但是辐 射交联改性存在高分子聚乙烯在交联过程中氧 化和催化问题； 离子注入交 联改性， 离子注入层深度有限（注入能量 50 ~ 1 00 keV时， 层厚约 0. 1 ~ 0. 2 μ πι ) , 不能满足医用高分子聚乙烯材料的要求。 物理填充方式虽然提高了 耐磨性，但降低了如拉伸强度、抗冲击强度和 断裂伸长率等重要力学性能， 目前主要应用于工业领域。

涂层技术可以给基底材料增加额外的属性， 国内外学者尝试将类金刚 石膜镀覆于高分子聚乙烯臼杯表面， 在保障高分子聚乙烯材质属性的基础 上， 增加其耐磨损性能。 但是高分子聚乙烯作为软体材料， 耐热性差， 易 碳化、 易氧化， 在其上沉积涂层， 对镀膜工艺及设备要求较高， 如何在无 损的条件下， 实现高分子聚乙烯表面镀覆， 对镀膜材料体系的设计、 工艺 的标准和设备的性能要求极高， 目前， 世界上尚无类似的产品上市。

申请人的先前专利， 公开号为： 201210151152. 2， 公开了一种磁控溅 射镀膜装置、 纳米多层膜及其制备方法， 通过釆用专门的溅射装置及溅射 技术， 对以高分子聚乙烯为基体的人工关节等进行镀 覆纳米多层结构碳膜 技术， 分别镀覆有碳化钛和类石墨的过渡层、 类石墨层与类金刚石层交替 层叠的多层结构及类金刚石顶层膜结构， 该技术方案从材料体系入手， 根 据高分子聚乙烯耐热性差、 易氧化、 易碳化、 主链或侧链易游离、 易交联 的材料特点，在高分子聚乙烯臼杯表面上构建 新的材料体系及其制备方法， 解决膜与基体结合力差的问题， 同时， 以低温磁控溅射技术解决了高分子 聚乙烯易氧化、 碳化问题。

申请人通过研究及实践， 对申请的该技术方案还存在的不足之处进行 改进， 并同时针对生产产品的装置及方法均同时提出 改进方案， 以适应改 进技术方案的要求。 发明内容

本发明的目的是旨在至少解决上述技术缺陷之 一， 提高人工关节假体使 用寿命。

本发明实施例是通过以下技术方案实现的：

一种人工关节臼杯， 包括有基体和镀覆于基体上的纳米多层膜； 所述纳 米多层膜包括有与基体交联的纯 T i底层、纯 T i底层之上的 T i和 T iC过渡 层、 Ti和 Ti C过渡层上的复合层以及所述复合层上的纯碳� �层； 所述复合 层为类石墨与类金刚石单层膜交替沉积组成的 纳米多层结构； 从底层向复 合层方向上， 所述 T i和 Ti C过渡层中的 Ti 的质量百分比逐渐减小、 C的 质量百分比逐渐增大。

进一步的， 所述基体为高分子聚乙烯臼杯。

进一步的， 所述基体与纳米多层膜结合力〉 60N。

进一步的， 所述纳米多层膜的硬度〉 20Gpa。

进一步的， 所述纯 Ti底层的厚度为 100-300 nm。 进一步的， 所述 T i和 T i C过渡层的厚度为 300-500 nm

进一步的， 所述复合层的类石墨、 类金刚石单层膜交替沉积组成的纳 米多层结构中， 单层膜厚度为 1 0-25 nm， 复合层的总厚度为 1. 5-5. 0 进一步的， 所述纯碳膜的厚度为 1 00 nm-200nm _o

本发明实施例还提供了一种用于生产上述人工 关节臼杯的装置，用于在基 体上镀覆纳米多层膜； 包括有真空镀膜室、 溅射靶、 真空镀膜室底座上的 转架台和转架台上的工件架， 以及驱动转架台绕转架台的中心轴转动的第 一转动系统； 所述溅射靶设置在转架台周围并与转架台垂直 ， 所述溅射靶 包括两个第一溅射靶及一个第二溅射靶， 所述溅射靶位于与转架台同心的 圓周上， 两个所述第一溅射靶之间的圓弧为 180-240度， 所述第二溅射靶 等分所述圓弧； 所述转架台上固定设置有穿过转架台表面的隔 板， 在垂直 于转架台方向上， 所述隔板的两端均超出所述溅射靶的两端； 所述第一溅 射靶的底部设置有磁场屏蔽层。

进一步的，所述第一溅射靶为石墨靶，所述第 二溅射靶为钛靶或钽靶。 进一步的， 所述磁场屏蔽层为硅钢垫片。

进一步的， 所述隔板沿着转架台的直径穿过所述转架台， 且所述隔板 的宽度大于转架台的直径。

进一步的， 所述隔板与所述溅射靶所在圓周的间距为 2-1 0 cm 进一步的， 所述溅射靶为矩形。

进一步的， 所述隔板的材料为钛、 铝、 不锈钢或他们的组合。

进一步的， 还包括： 驱动转架台绕工件架的中心轴转动的第二转动 系 统。

进一步的， 所述工件架通过支架杆设置在转架台上， 同一支架杆上间 隔设置有多个工件架。

进一步的， 所述溅射靶设置在真空镀膜室的内壁上。

进一步的， 两个所述第一溅射靶之间的圓弧为 180度， 所述溅射靶还 包括另一第二溅射靶， 两个第二溅射靶相对设置， 该另一第二溅射靶为闲 置状态。

本发明实施例还提供一种利用上述人工关节臼 杯的生产装置生产人工 关节臼杯的方法， 用于在基体上镀覆纳米多层膜， 保持转架台匀速转动， 包 括：

步骤 1 ) 用磁场屏蔽层调整初始磁场强度 Gl， 使其达到高分子聚乙烯 臼杯表面无损溅射的需求；

步骤 2 )控制镀膜室初始工作气压为 Pl， 通入 99.9%的氩气清洗靶材 及基体；

步骤 3)控制镀膜室工作气压 P2，第一溅射靶工作磁场强度控制为 G2; 第二溅射靶用初始 II 电流、 偏压 VI在基体上镀覆纯钛层底层， 进行第一 预定时长的溅射；

步骤 4)保持第二溅射靶的偏压不变， 并从初始电流 II开始， 每隔第一 间隔时间 Tl， 所述第二溅射靶的工作电流减少△ II， 直到其工作电流为第一 预定电流值； 同时， 第一溅射靶从初始工作电流 12 开始， 偏压值为 V2， 每间隔第二间隔时间 T2， 所述第一溅射靶的工作电流增加 ΔΙ2， 直到其工 作电流为第二预定电流值； 所述第一溅射靶和所述第二溅射靶的工作电压 保持不变， 进行第二预定时长的溅射；

步骤 5 ) 将第二溅射靶的工作电流保持在第一预定电流 值或设定并保 持在第三预定电流值， 第一溅射靶的工作电流保持在第二预定电流值 或将 第一溅射靶的工作电流设定并保持在第四预定 电流值， 所述第一溅射靶和 所述第二溅射靶的工作电压保持不变， 进行第三预定时长的溅射；

步骤 6 ) 将第二溅射靶的工作电流设定为零， 第一溅射靶的工作电流 保持在步骤 3) 阶段的工作电流或者将第一溅射靶的工作电流 设定并保持 在第五预定电流值， 进行第四预定时长的溅射。

可选的， 所述初始磁场强度 G1为 20-30GT; 初始工作气压为 P1为 1.0 mPa;所述工作气压 P2控制在 130 mPa-250 mPa;工作磁场强度 G2为 10-150 mT; 所述第二溅射靶用初始 II电流为 3.0-5.0A， 偏压 VI为 90-150V, 所 述 ΔΙ1为 0.5-1. OA, 所述所述第一预定电流值为 0.5-1. OA, 所述初始工作 电流 12为 0， 所述 ΔΙ2为 0.5-1. OA, 所述第二预定电流值为 3.0-6. OA, 所述偏压 V2为 60-100V; 所述 T1和 T2均为大于的正数。

进一步的， 所述第一预定时长为 10-30 min。 进一步的， 所述第二预定时长为 10-30min。

进一步的， 所述第三预定时长为 5-10h。

进一步的 ， 所述第四预定时长为 10_20min。

进一步的，所述第一间隔时间 T1为 3-10min;第二间隔时间 T2为 3-10min。 进一步的， 镀膜全过程温度控制在 30-40 °C。

本发明实施例是在低温磁控溅射镀膜设备基础 上， 对现有设备进一步 改造、 升级， 并从材料体系入手， 根据高分子聚乙烯耐热性差、 易氧化、 易碳化、 主链或侧链易游离、 易交联的材料特点， 在高分子聚乙烯臼杯表 面上构建新的材料体系及其制备方法。以 Ti做基底，与高分子聚乙烯交联， 以 Ti、 C元素之间比例的梯度变化作为过渡层， 解决膜与基体结合力差的问 题， 同时， 以低温磁控溅射技术解决了高分子聚乙烯易氧 化、 碳化问题。

在此基础上， 利用类石墨结构膜的超润滑性和类金 ¾ 'J结构膜结构的超 硬度， 构建一种类石墨膜和类金刚石膜的交替镀覆的 纳米多层结构 DL C膜。

本发明实施例提升了高分子聚乙烯臼杯的耐磨 性， 遏制蠕变导致的关 节精度偏差， 构建出表面硬度高、 结合力强、 有自润滑功能的超耐磨纳米 多层结构 DLC膜的新型人工髋关节臼杯。 附图说明

图 1为根据本发明实施例的磁控溅射镀膜装置的� �体结构示意图； 图 2为图 1所示的磁控溅射镀膜装置的俯视示意图；

图 3为高分子聚乙烯镀覆 Ti底层及纳米多层结构碳膜；

图 4为镀覆纳米多层结构碳膜高分子聚乙烯的拉� �光谱。 具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例， 所述实施例的示例在附图中示出， 其 中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似 的元件或具有相同或类似功 能的元件。 下面通过参考附图描述的实施例是示例性的， 仅用于解释本发 明， 而不能解释为对本发明的限制。

本发明实施例的一种人工关节臼杯， 包括有基体和镀覆于基体上的纳米 多层膜； 在本发明实施例中， 基体为可以人体植入类器材， 如骨关节头或 臼杯等， 还可以为其他基体， 如工程道具等等， 基体的材料可以为金属或 合金材料或其他材料等， 本实施例中的基体为高分子聚乙烯臼杯。

所述纳米多层膜包括有与基体交联的纯 Ti底层、 纯 Ti底层之上的 T i 和 Ti C过渡层、 Ti和 Ti C过渡层上的复合层以及所述复合层上的纯碳� �层； 所述复合层为类石墨与类金刚石单层膜交替沉 积组成的纳米多层结构； 从 底层向复合层方向上， 所述 T i和 Ti C过渡层中的 Ti的质量百分比逐渐减 小、 C 的质量百分比逐渐增大， 与底层具有更好的结合力， 并减少底层的 钛向过渡层渗透， 同时具有低的内应力和好的润滑性， 并通过顶层的纯碳 膜层提高润滑性能。 所述基体与纳米多层膜结合力〉 60N， 所述纳米多层膜 的硬度 >20Gpa。

如图 3和图 4所示， 图 3为高分子聚乙烯镀覆 T i底层及纳米多层结构 碳膜； 通过图 3能够观察到， 镀覆 Ti底层后， 高分子聚乙烯表面呈现金属 光泽， 未出现碳化现象； 镀覆纳米多层结构碳膜， 高分子聚乙烯表面呈亮 黑色。 图 4 为镀覆纳米多层结构碳膜高分子聚乙烯的拉曼 光谱； 通过图 4 的拉曼光谱分析了高分子聚乙烯镀膜纳米多层 结构碳膜样品， 在 1349cm -、 在 1596 cm— 有类石墨 （s p2 ) 、 类金刚石 （s p 3 ) 的特征峰。

需要说明的是， 在本发明实施例中， 所述 Ti和 Ti C过渡层指该过渡层 为混合有钛和碳化钛的膜层， 也就是说， 该过渡层同时掺有钛和碳化钛。

在本发明实施例中， 对复合层中类石墨与类金刚石单层膜交替沉积 组 成的纳米多层结构的层数不做限定。

如图 1 和图 2所示， 本发明的实施例还公开了一种生产人工关节臼 杯 的装置， 用于在基体上镀覆纳米多层膜； 本实施例中的生产人工关节臼杯的 装置为磁控溅射镀膜装置， 包括有真空镀膜室、 溅射靶、 真空镀膜室底座 上的转架台和转架台上的工件架， 以及驱动转架台绕转架台的中心轴转动 的第一转动系统， 温控系统； 同时， 本装置还包括有其它必要部件， 如加 热装置、冷却水循环系统及与溅射靶电连接的 电源系统等（图中未示出）。 所述溅射靶设置在转架台周围并与转架台垂直 ， 所述溅射靶包括两个第一 溅射靶及一个第二溅射靶， 这些溅射靶位于与转架台同心的圓周上， 溅射 靶所在位置的圓周可以为实际部件， 例如真空镀膜室 100 的内壁， 也可以 是虚拟的圓周例如转架台与真空镀膜室之间的 任意位置上， 其中， 两个第 一溅射靶 120a、 120b相对地平行设置， 且将所述圓周 104等分， 所述第二 溅射靶 130等分两个第一溅射靶 120a、 120b之间的圓弧， 即， 两个第一溅 射靶 120a、 120b之间的弧度基本为 180° ， 第二溅射靶 130与第一溅射靶 120a, 120b之间的弧度基本为 90。 ， 所述第一溅射靶 120a、 120b可以为 某一种元素的溅射靶， 所述第二溅射靶可以为另一种元素的溅射靶， 可以 根据具体需要溅射的产品来选择溅射靶的材料 ， 例如， 本实施例中， 所述 第一溅射靶为石墨靶、 所述第二溅射靶为钛靶， 在其他实施例中， 所述第 一溅射靶可以为碳靶， 所述第二溅射靶还可以为钽靶等。

在其他实施例中， 两个第一溅射靶及一个第二溅射靶在圓周上还 可以 是设置为其他角度的间隔设置， 例如， 两个第一溅射靶 120a、 120b之间的 圓弧的弧度为 180° -240° 之间的其他角度，而一个第二溅射靶等分所述 圓 弧， 这样， 第二溅射靶与第一溅射靶之间的圓弧的弧度可 以在 90-120。 之 间，第二溅射靶 130与第一溅射靶 120a、120b之间的圓弧的弧度为 120° 。

在本实施例中， 所述转架台 102为圓台， 在所述转架台 102上固定设 置有隔板 110， 优选地， 该隔板 110为一直板， 隔板的材料可以为钛、 铝、 不锈钢等或这些材料的组合， 所述隔板 110穿过转架台的直径垂直设置在 转架台 102上， 通过该隔板 110将转架台 102分隔为两个相互独立的区域 102-1、 102-2, 在垂直于转架台的方向上， 隔板 110的两端均超出溅射靶 120a, 120b, 130 的两端， 这样， 隔板阻挡住某一区域另一面的溅射靶， 可以使该区域只接受该区域面对的溅射靶的镀 膜， 更优地， 为了取得更好 的阻挡效果， 所述隔板的宽度大于转架台的直径， 其中， 所述宽度指所述 隔板穿过转架台直径方向的长度， 更优地， 所述隔板与所述溅射靶所在圓 周的间距 d为 2_10cm。

所述转架台 102 设置有驱动转架台绕其中心轴转动的第一转动 系统 (图中未示出） ， 即， 转架台及隔板随着转架台一起绕转架台的中心 轴做 转动。在三个溅射靶上述设置的位置情况下， 在转架台转动到任一位置时， 在隔板 102的遮挡下， 转架台的一个区域 102-1面对第一溅射靶 120a (如 石墨靶）和第二溅射靶 1 30 (钛靶）， 从而该区域 1 0 ² _1的待镀膜产品（或 基体）上可以镀覆上钛或类金刚石： 碳化钛膜（钛和碳化钛混合的膜层）， 而转架台的另一个区域 1 02-2面对第一溅射靶 120b (石墨靶） ， 从而该区 域 1 02-2 的产品上镀覆上碳膜， 而随着转架台的转动， 不同区域上的产品 将会层叠的镀覆上钛或类金钢石： 碳化钛膜及碳膜， 从而实现产品上纳米 多层膜的镀覆， 而通过调控转架台的转速， 可以控制单层膜的厚度， 该装 置结构简单， 对工艺的控制简单， 解决了多层膜的制备， 适宜于工业化。

在其他实施例中，所述隔板 1 1 0还可以垂直设置在转架台的其他位置， 也可以为弯折板或其他任意可以将转架台分隔 为两个相互独立的区域的隔 板。

在本实施例中， 该装置还具有驱动转架台绕工件架的中心轴转 动的第 二转动系统， 也就是说， 工件架可以自转， 通过支架杆 1 60在所述转架台 1 02上设置有多个工件架 140， 同一支架杆 160上可以间隔设置多个工件架 150 , 来提高加工效率， 工件架 140用来放置要加工的基体（或产品） 150， 产品 1 50可以均匀地设置在工件架 140的圓周上。 通过工件架的自转， 可 以使每个工件架上的待镀膜产品上镀覆的膜层 具有较好的均匀性。

以上为本发明较佳实施例的磁控溅射镀膜装置 ，与该实施例不同的是， 在另一较佳实施例中， 所述溅射靶为四个 （图中未示出） ， 设置在转架台 的四周， 也就是说， 所述溅射靶包括两个第一溅射靶及两个第二溅 射靶， 两个第一溅射靶相对设置， 两个第二溅射靶相对设置， 四个溅射靶等分圓 周，但在进行多层膜的制备时，其中一个第二 溅射靶并不工作，也就是说， 两个第一溅射靶及一个第二溅射靶设置相应的 靶电流、 电压等参数进行靶 溅射镀膜， 而另一个第二溅射靶不进行靶溅射镀膜， 为闲置状态。 在此实 施例中， 虽然设置了四个溅射靶， 但其中一个溅射靶并不进行溅射镀膜。

在本发明的所有实施例中， 在第一溅射靶的底部设置有磁场屏蔽层。 在本实施例中， 利用硅钢的磁场屏蔽效果， 在第一溅射靶（石墨靶材） 底 部垫加两块 5mm厚硅钢片和三层导热膜； 两块纯石墨靶与一块纯 T i靶垂直 于水平面呈 1 20度角交替排列。 依据高分子聚乙烯及其它聚合物表面氧化 及碳化的发生条件， 调整磁场的强弱， 达到对高分子聚乙烯和其它聚合物 表面无损溅射的要需求。

以上对本发明实施例的磁控溅射镀膜装置进行 了详细的描述， 在进行 制备时， 根据具体的需求， 进行各个工艺参数的设定进行纳米多层膜的制 备。 为此， 本发明实施例还提供了利用上述任一磁控溅射 镀膜装置在基材 上进行镀膜的方法， 该方法包括：

步骤 1 ) 用磁场屏蔽层调整初始磁场强度 G l， 使其达到高分子聚乙烯 臼杯表面无损溅射的需求；

步骤 2 )控制镀膜室初始工作气压为 Pl， 通入 99. 9%的氩气清洗靶材 及基体；

步骤 3 )控制镀膜室工作气压 P2，第一溅射靶工作磁场强度控制为 G2 ; 第二溅射靶用初始电流 I I、 偏压 VI 在基体上镀覆纯钛层底层， 进行第一 预定时长的溅射；

步骤 4 )保持第二溅射靶的偏压不变， 并从初始电流 I I开始， 每隔第一 间隔时间 Tl， 所述第二溅射靶的工作电流减少△ I I， 直到其工作电流为第一 预定电流值； 同时， 第一溅射靶从初始工作电流 12 开始， 偏压值为 V2， 每间隔第二间隔时间 T2， 所述第一溅射靶的工作电流增加 Δ Ι 2， 直到其工 作电流为第二预定电流值； 所述第一溅射靶和所述第二溅射靶的工作电压 保持不变， 进行第二预定时长的溅射；

步骤 5 ) 将第二溅射靶的工作电流保持在第一预定电流 值或设定并保 持在第三预定电流值， 第一溅射靶的工作电流保持在第二预定电流值 或将 第一溅射靶的工作电流设定并保持在第四预定 电流值， 所述第一溅射靶和 所述第二溅射靶的工作电压保持不变， 进行第三预定时长的溅射；

步骤 6 ) 将第二溅射靶的工作电流设定为零， 第一溅射靶的工作电流 保持在步骤 3 ) 阶段的工作电流或者将第一溅射靶的工作电流 设定并保持 在第五预定电流值， 进行第四预定时长的溅射。

在本发明的制备方法的实施例中， 都是三个溅射靶进行工作， 即两个 第一溅射靶和一个第二溅射靶工作， 在还包括另一个第二溅射靶的实施例 中，该第二溅射靶为闲置状态，在纳米多层膜 的制备中，一直不进行溅射。

在一些实施例中， 磁控溅射镀膜装置的第一溅射靶为石墨靶、 第二溅 射靶为钛靶， 首先将待镀膜的基体 （或待镀膜的产品） 置入真空镀膜室的 工件架上， 用 99%的酒精超声波清洗高分子聚乙烯臼杯 5min后， 再用超纯 水超声波清洗 5min， 冷风吹干。

同时， 用硅钢垫片调整初始磁场强度 20-30GT, 使其达到高分子聚乙 烯臼杯表面无损溅射的需求；并将真空镀膜室 抽真空至 1.0 mPa 时， 通入 99.9%的氩气清洗靶材及基体 5min。

而后， 进行溅射， 整个溅射过程中， 转架台勾速转动， 待镀膜的基材 也可以自转。

具体的， 控制镀膜室工作气压保持在 130 mPa-250 mPa, 第一溅射靶 (比如石墨靶） 磁场强度为 10-150 mT， 第二溅射靶 （比如钛靶） 电流

2.0-5. OA、偏压 90-150V在基体上镀覆纯钛层底层，镀膜时间为 10-30 min， 厚度为 100-300 讓。

然后将第二溅射靶电流以每降低 0.5-1. OA为一个梯度变化，经 5次从

3.0-5. OA逐渐降到 0.5-1. OA, 同时， 将两个第一溅射靶（石墨靶） 电流以 每升高 0.5-1.0A为一个梯度变化， 经 6次由 0逐渐升至 3.0-6.0A, 也就 是说， 第二溅射靶的电流呈阶梯式的减少， 第一溅射靶的电流呈阶梯式的 增加， 他们的增加和减少的幅度可以相同或不同， 间隔的时间可以相同或 不同。 整个过程中他们的靶电压保持不变偏压 60-100V, 镀覆 Ti和 TiC梯 度膜， 镀覆时间为 10-30min， 厚度为 300-500 nm。

然后保持第二溅射靶、 两个第一溅射靶电流、 偏压值不变， 在过渡层 基础上镀覆类石墨、 类金刚石单层交替沉积组成的纳米多层结构碳 膜， 单 层膜厚度为 10-25 nm， 总厚度为 1.5-5.0画， 总时间为 5_10h。 第二溅射 靶电流设置为 0， 继续在多层膜结构上沉积纯碳膜， 时间为 10-20min， 纯 碳膜厚度为 100讓- 200nm。由此，纳米多层结构碳膜总厚度为 2.0-6. Ο μπι, 镀膜全过程温度控制在 30-40°C。

实施例 1

磁控溅射镀膜装置的两个第一溅射靶为石墨靶 、 一个第二溅射靶为钛 靶， 溅射装置中的第二溅射靶与第一溅射靶之间的 弧度基本为 90度， 转架 台转速为 1.5 rpm， 待镀膜的基材自转。 镀膜前， 首先将待镀膜的基体（或 待镀膜的产品） 置入真空镀膜室的工件架上， 用 99%的酒精超声波清洗高 分子聚乙烯臼杯 5min后， 再用超纯水超声波清洗 5min， 冷风吹干。

同时， 用硅钢垫片调整初始磁场强度 20GT， 使其达到高分子聚乙烯臼 杯表面无损溅射的需求；并将真空镀膜室抽真 空至 1. 0 mPa时， 通入 99. 9% 的氩气清洗靶材及基体 5min。

而后， 进行溅射， 整个溅射过程中， 转架台勾速转动， 待镀膜的基材 也可以自转。

具体的， 控制镀膜室工作气压保持在 150 mPa， 第一溅射靶（石墨靶） 磁场强度为 80mT， 第二溅射靶（钛靶） 电流 3. 0A、 偏压 90V在基体上镀覆 纯钛层底层， 镀膜时间为 10 min， 镀膜厚度为 150 nm。

然后将第二溅射靶电流以每降低 0. 5A为一个梯度变化，经 5次从 3. OA 逐渐降到 Q. 5A， 同时， 将两个第一溅射靶（石墨靶） 电流以每升高 0. 5A 为一个梯度变化， 经 6次由 0逐渐升至 3. 0A， 也就是说， 第二溅射靶的电 流呈阶梯式的减少， 第一溅射靶的电流呈阶梯式的增加， 他们的增加和减 少的幅度可以相同或不同， 间隔的时间可以相同或不同。 整个过程中他们 的靶电压保持不变偏压 60V， 镀覆 T i和 T iC梯度膜， 镀覆时间为 20min， 镀覆厚度为 350nm ( C比例逐渐增大， Ti比例逐渐减少 ) 。

然后保持第二溅射靶、 两个第一溅射靶电流、 偏压值不变， 在过渡层 基础上镀覆类石墨、 类金刚石单层交替沉积组成的纳米多层结构碳 膜， 单 层膜厚度为 10-25 nm， 总厚度为 2. 4um， 总时间为 8h。 第二溅射靶电流设 置为 0， 继续在多层膜结构上沉积纯碳膜， 时间为 10min， 纯碳膜厚度为 100 n腿 m。 由此， 纳米多层结构碳膜总厚度为 3. Ο μ πι, 镀膜全过程温度控 制在从 27 °C室温升至 37 °C工作温度，膜基结合力 87 N,膜硬度为 27. 5 Gpa。

实施例 2

磁控溅射镀膜装置的两个第一溅射靶为石墨靶 、 一个第二溅射靶为钛 靶， 溅射装置中的第二溅射靶与第一溅射靶之间的 弧度基本为 90度， 转架 台转速为 2. Q rpm， 待镀膜的基材自转， 镀膜前， 首先将待镀膜的基体（或 待镀膜的产品） 置入真空镀膜室的工件架上， 用 99%的酒精超声波清洗高 分子聚乙烯臼杯 5min后， 再用超纯水超声波清洗 5min， 冷风吹干。 同时， 用硅钢垫片调整初始磁场强度 25GT， 使其达到高分子聚乙烯臼 杯表面无损溅射的需求；并将真空镀膜室抽真 空至 1. 0 mPa时， 通入 99. 9% 的氩气清洗靶材及基体 5m in。

而后， 进行溅射， 整个溅射过程中， 转架台勾速转动， 待镀膜的基材 也可以自转。

具体的， 控制镀膜室工作气压保持在 250 mPa， 第一溅射靶（石墨靶） 磁场强度为 150mT， 第二溅射靶（钛靶） 电流 2. 0A、 偏压 1 00V在基体上镀 覆纯钛层底层， 镀膜时间为 15 mi n， 镀膜厚度为 250 nm。

然后将第二溅射靶电流以每降低 0. 5A为一个梯度变化，经 5次从 3. 5A 逐渐降到 l . QA， 同时， 将两个第一溅射靶（石墨靶） 电流以每升高 0. 5A 为一个梯度变化， 经 6次由 0逐渐升至 3. 0A， 也就是说， 第二溅射靶的电 流呈阶梯式的减少， 第一溅射靶的电流呈阶梯式的增加， 他们的增加和减 少的幅度可以相同或不同， 间隔的时间可以相同或不同。 整个过程中他们 的靶电压保持不变偏压 80V， 镀覆 T i和 T i C梯度膜， 镀覆时间为 25m in， 镀覆厚度为为 450nm ( C比例逐渐增大， T i比例逐渐减少 ) 。

然后保持第二溅射靶、 两个第一溅射靶电流、 偏压值不变， 在过渡层 基础上镀覆类石墨、 类金刚石单层交替沉积组成的纳米多层结构碳 膜， 单 层膜厚度为 1 0-25 nm， 总厚度为 2. 0um， 总时间为 6h。 第二溅射靶电流设 置为 0， 继续在多层膜结构上沉积纯碳膜， 时间为 15m in， 纯碳膜厚度为 150 n腿 m。 由此， 纳米多层结构碳膜总厚度为 2. 75 μ πι， 镀膜全过程温度 控制在从 27 °C室温升至 37 °C工作温度，膜基结合力 90 N,膜硬度为 27. 8Gpa。

实施例 3

磁控溅射镀膜装置的两个第一溅射靶为石墨靶 、 一个第二溅射靶为钛 靶， 溅射装置中的第二溅射靶与第一溅射靶之间的 弧度基本为 90度， 转架 台转速为 2. 5 rpm， 待镀膜的基材自转， 镀膜前， 首先将待镀膜的基体 （或 待镀膜的产品） 置入真空镀膜室的工件架上， 用 99%的酒精超声波清洗高 分子聚乙烯臼杯 5mi n后， 再用超纯水超声波清洗 5min， 冷风吹干。

同时， 用硅钢垫片调整初始磁场强度 30GT， 使其达到高分子聚乙烯臼 杯表面无损溅射的需求；并将真空镀膜室抽真 空至 1. 0 mPa时， 通入 99. 9% 的氩气清洗靶材及基体 5min。

而后， 进行溅射， 整个溅射过程中， 转架台勾速转动， 待镀膜的基材 也可以自转。

具体的，控制镀膜室工作气压保持在 220 mPa，石墨靶磁场强度为 110mT， 第二溅射靶（钛靶） 电流 3.0A、 偏压 150V在基体上镀覆纯钛层底层， 镀 膜时间为 20 min, 镀膜厚度为 300 nm。

然后将第二溅射靶电流以每降低 0.8A为一个梯度变化，经 5次从 5. OA 逐渐降到 1.0A， 同时， 将两个第一溅射靶（石墨靶） 电流以每升高 1. OA 为一个梯度变化， 经 6次由 0逐渐升至 6.0A， 也就是说， 第二溅射靶的电 流呈阶梯式的减少， 第一溅射靶的电流呈阶梯式的增加， 他们的增加和减 少的幅度可以相同或不同， 间隔的时间可以相同或不同。 整个过程中他们 的靶电压保持不变偏压 100V， 镀覆 Ti和 TiC梯度膜， 镀覆时间为 30min， 镀覆厚度为 500nm ( C比例逐渐增大， Ti比例逐渐减少 ) 。

然后保持第二溅射靶、 两个第一溅射靶电流、 偏压值不变， 在过渡层 基础上镀覆类石墨、 类金刚石单层交替沉积组成的纳米多层结构碳 膜， 单 层膜厚度为 10-25 nm， 总厚度为 3.5um， 总时间为 10h。 第二溅射靶电流 设置为 0， 继续在多层膜结构上沉积纯碳膜， 时间为 20min， 纯碳膜厚度为 200 讓讓。 由此， 纳米多层结构碳膜总厚度为 4.5 μπι， 镀膜全过程温度控 制在从 27°C室温升至 37°C工作温度，膜基结合力 95 N,膜硬度为 28.5 Gpa。

尽管已经示出和描述了本发明的实施例， 对于本领域的普通技术人员 而言， 可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况 下可以对这些实施例 进行多种变化、 修改、 替换和变型， 本发明的范围由所附权利要求及其等 同限定。