Le domaine de l'invention est celui de l'assemblage 3D de semiconducteurs comprenant des interconnexions électriques.

Les solutions d'assemblage 3D présentent un grand intérêt pour différentes applications en microélectronique et en électronique de puissance. La connectique entre la puce et le circuit peut être réalisée par différentes techniques et notamment par câblage filaire couramment dénommé « wire bonding », par des rubans ou par les technologies de type report « Flip Chip ».

Le microcâblage ou assemblage par fils est la technologie la plus ancienne et la plus répandue dans l'industrie de la micro-électronique pour réaliser l'interconnexion d'un circuit en "puce" avec son environnement (boîtier, circuit imprimé, circuit hybride ..), il peut s'agir de « Wedge bonding » ou de « Bail bonding » :

- dans la technique de « wedge bonding », un fil, le plus souvent en aluminium est amené par l'outil (appelé stylet ou aiguille), puis appliqué sur le plot à souder. La liaison entre le fil et la zone à connecter s'effectue en combinant pression et vibration ultrasonore. Il s'agit d'une soudure « à froid». C'est l'énergie ultrasonique qui entraine un ramollissement du fil semblable à l'effet obtenu par une élévation de température. Le fil est en suite guidé par l'outil sur le second plot et une soudure est effectuée ;

- dans la technique de « Bail bonding », par exemple un fil d'or passe à travers un capillaire chauffé (100 à 200 °C). La boule formée à la sortie du capillaire (par la décharge d'un condensateur ou par une flamme d'hydrogène) est soudée sur un plot de sortie du circuit. Le capillaire est ensuite déplacé pour effectuer la deuxième soudure. Le fil est arraché par le capillaire, une nouvelle boule est reformée et une nouvelle connexion peut être effectuée. Les avantages des assemblages « Flip Chip » sont nombreux comme la forte intégration, la faible inductance parasite, et une meilleure évacuation du flux thermique généré par les semi-conducteurs.

La réalisation des interconnexions avec des « bumps » en soudure figure parmi l'une des techniques les plus utilisées en assemblage « Flip Chip », et consiste à déposer de la pâte à braser sur des plots de connexion couramment dénommés par l'homme de l'art « pad » localisés sur le circuit ou sur le composant électronique puis à aligner le composant et le circuit pour faire correspondre chaque « pad » de circuit au « pad » de semi- conducteur.

Le circuit et le substrat sont mis en contact et un procédé de brasage est réalisé permettant d'assurer le contact électrique et mécanique entre le semi-conducteur et le substrat. Cette technique n'est pas pratique pour toutes les applications et peut avoir plusieurs désavantages comme la nécessité des couches métalliques spécifiques sur les plots à connecter impliquant des procédés additionnels et par suite des coûts élevés, la nécessité d'une température au moins égale à celle de la fusion de la brasure, et la difficulté de rattraper une différence de plusieurs m ou plusieurs dizaines de m de hauteur pouvant être présente sur certains composants. De plus, le procédé de brasage induit un risque de court circuit non négligeable lorsque les distances entre électrodes sont faibles suite à l'écoulement de la brasure lors de sa fusion.

Une autre alternative comme le frittage direct de nanoparticules peut être utilisée comme décrit dans le brevet US 8,257,795 B2 « Nanoscale métal paste for interconnect and method of use». Elle consiste à remplacer la connexion dénommée couramment « bump » de brasure de la technique de « bump » en soudure par une pâte de nanoparticule (Ag, Au ou Cu) à fritter. Cette technologie présente également des inconvénients comme la nécessité d'une métallisation adaptée des plots (Au ou Ag mais non compatible avec l'Ai très souvent utilisée comme finition des puces électroniques). Un second désavantage de cette technique est la faible hauteur du joint (généralement 10 microns) qui peut limiter la fiabilité thermomécanique des joints ainsi que le choix des underfills (matériaux encapsulant) qui doivent remplir les gaps (le plus souvent par capillarité).

L'interconnexion par « stud bump » consiste quant à elle, à utiliser une machine de câblage « bail bonding ».

Plus précisément, une bille du métal est attachée au plot par utilisation des techniques de thermosonique ou thermo-compression. Le fil est coupé juste après la bille formant la forme de « stud bump » encore dénommé élément intermédiaire d'interconnexion. Ensuite les « stud bumps » formés sur le plot de connexion du semi-conducteur ou sur celui du circuit sont attachés à l'autre plot de connexion par thermo-compression. Un inconvénient de cette technique est la possibilité d'avoir des problèmes d'adhésion entre la métallisation et le « stud bump » lors de la thermo- compression due à l'absence ou à la faible épaisseur de la couche métallique nécessaire. Le brevet US 2002/0093108 A1 « FLIP CHIP PACKAGE D SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING DOUBLE STUD BUMPS AND METHOD OF FORMING SAME » permet d'éviter ce problème en réalisant des « stud bumps » coté circuit et semi-conducteurs et en venant thermo-compresser « stud bump » sur « stud bump » après. Le second inconvénient est la nécessité d'une pression et d'une température élevée pour assurer l'assemblage par thermo-compression ce qui n'est pas compatible avec les composants sensibles à la pression. De plus, cette technique d'assemblage ne permet pas de rattraper une différence de hauteur de plusieurs m ou plusieurs dizaines de m pouvant être présente sur certains composants suite au procédé de fabrication.

La présente invention vise à résoudre un ou plusieurs des inconvénients des différentes techniques citées ci-dessus. Elle consiste à réaliser des interconnexions électriques et mécaniques mixtes comprenant des éléments d'interconnexion dits intermédiaires pouvant correspondre par exemple à des « stud bumps » combinés avec des joints frittés obtenus par exemple à partir de pâte ou de film de microparticules ou de nanoparticules métalliques. Plus précisément, la présente invention a pour objet un assemblage comprenant :

- au moins un premier élément comprenant au moins un premier plot de connexion électrique ;

- au moins un second élément comprenant au moins un second plot de connexion électrique ou une métallisation en surface ; - des moyens d'interconnexion électrique et mécanique ;

caractérisé en ce que lesdits moyens d'interconnexion électrique et mécanique comprennent :

- au moins un premier élément intermédiaire métallique d'interconnexion, à la surface d'au moins le premier plot de connexion électrique ;

- au moins un joint fritté de microparticules ou de nanoparticules métalliques empilé avec ledit premier élément intermédiaire métallique d'interconnexion ;

- la température de fusion dudit premier élément intermédiaire métallique d'interconnexion étant supérieure à la température de frittage desdites microparticules ou desdites nanoparticules métalliques.

Un des intérêts de la présente invention réside dans le fait que les éléments intermédiaires d'interconnexion sont préalablement définis, et présentent une tenue en température qui n'est pas altérée par le frittage des microparticules ou des nanoparticules métalliques, permettant de réaliser des interconnexions d'éléments empilés hétérogènes qui assurent les fonctionnalités recherchées.

Selon des variantes de l'invention, l'assemblage comporte en outre au moins un second élément intermédiaire métallique d'interconnexion, à la surface d'au moins un second plot de connexion électrique.

Selon des variantes de l'invention, au moins l'un des éléments comprend un composant semi-conducteur.

Selon des variantes de l'invention, au moins l'un des éléments comprend un circuit électronique.

La configuration de l'assemblage de la présente invention est particulièrement bien adaptée, pour compenser des hauteurs (encore dénommées épaisseurs) par exemple dans le cadre de puce(s) rapportée(s) à un circuit de connexion dans ledit assemblage.

C'est pourquoi, l'invention a pour objet un assemblage selon l'invention et comprenant au moins :

- au moins un composant à la surface dudit second élément ; - au moins un premier empilement comprenant au moins une alternance de plusieurs éléments intermédiaires métalliques d'interconnexion et de joints frittés ;

- au moins un second empilement en contact avec ledit composant comprenant au moins un élément intermédiaire métallique d'interconnexion et au moins un joint fritté ;

- le nombre d'éléments intermédiaires métalliques dans ledit second empilement étant inférieur au nombre d'éléments intermédiaires métalliques d'interconnexion dans ledit premier empilement.

Dans des variantes de l'assemblage de l'invention, le nombre d'éléments intermédiaires métalliques d'interconnexion en contact avec un plot de connexion varie le long de l'épaisseur des moyens d'interconnexion électrique et mécanique.

Dans des variantes de l'assemblage de l'invention, la taille des éléments intermédiaires métalliques d'interconnexion varie le long de l'épaisseur des moyens d'interconnexion électrique et mécanique.

Les deux types de configurations précitées permettent notamment d'obtenir des structures pyramidales dans les moyens d'interconnexion électrique et mécanique, permettant d'en renforcer la stabilité.

L'assemblage de la présente invention peut ainsi comprendre également plusieurs composants pouvant présenter des hauteurs différentes et dont les variations de hauteurs peuvent être compensées par des nombres d'éléments intermédiaires métalliques d'interconnexion et des nombres de joints différents.

Selon des variantes de l'invention, au moins l'un des éléments est un substrat céramique pouvant être en Al ₂ 0 ₃ ou en Si ₃ N ₄ ou en AIN et pouvant comporter au moins une couche métallique sur l'une de ses faces.

Selon des variantes de l'invention, le au moins premier plot de connexion et/ou le au moins second plot de connexion est(sont) en argent ou en or ou en cuivre.

Selon des variantes de l'invention, le au moins second plot de connexion est en aluminium, le au moins premier plot de connexion étant en argent ou en or ou en cuivre. En effet, cela permet la réalisation de l'opération de frittage nécessaire qui ne peut être réalisée sur un plot de connexion en aluminium.

Dans, le cas d'un assemblage comprenant au moins un premier élément intermédiaire métallique d'interconnexion et au moins un second élément intermédiaire métallique d'interconnexion, isolant ainsi au moins un premier plot de connexion d'au moins un joint fritté et au moins un second plot de connexion dudit joint fritté, il est possible d'avoir des plots de connexion en aluminium au niveau d'au moins un des deux éléments. L'assemblage peut ainsi comprendre un au moins second plot de connexion en aluminium, et/ou un au moins premier plot de connexion en aluminium.

Selon des variantes de l'invention, l'élément intermédiaire métallique d'interconnexion est une bille métallique pressée.

Selon des variantes de l'invention, le joint fritté est en argent ou en or ou en cuivre ou en alliage de métaux comprenant deux des métaux précités.

Selon des variantes de l'invention, le joint fritté a une épaisseur de l'ordre de quelques microns, pouvant être comprise entre 1 micron et quelques dizaines de microns.

Selon des variantes de l'invention, l'élément intermédiaire métallique d'interconnexion a une épaisseur de l'ordre de plusieurs dizaines de microns, pouvant être comprise entre 10 microns et 100 microns.

Selon des variantes de l'invention, l'assemblage comportant plusieurs éléments intermédiaires métalliques d'interconnexion, au moins une partie des interconnexions comprenant lesdits joints et lesdits éléments intermédiaires métalliques d'interconnexion présentent des hauteurs différentes de joints et/ou d'éléments d'interconnexion.

L'invention a aussi pour objet un procédé de fabrication d'un assemblage comportant :

- au moins un premier élément comprenant au moins un premier plot de connexion électrique ;

- au moins un second élément comprenant au moins un second plot de connexion électrique ;

- des moyens d'interconnexion électrique et mécanique comprenant au moins un premier élément intermédiaire métallique d'interconnexion, ledit procédé comprenant les étapes suivantes :

- la réalisation d'au moins un premier élément intermédiaire métallique d'interconnexion sur au moins un premier plot de connexion;

- l'utilisation d'au moins une pâte ou un film de microparticules ou nanoparticules métalliques ;

- une opération de frittage de ladite pâte ou dudit film de microparticules ou nanoparticules métalliques, de manière à réaliser un joint fritté empilé avec au moins ledit élément intermédiaire métallique d'interconnexion ;

- la température de fusion dudit premier élément intermédiaire métallique d'interconnexion étant supérieure à la température de frittage desdites microparticules ou des nanoparticules métalliques.

Selon des variantes de l'invention, le procédé comprend en outre la réalisation d'au moins un second élément intermédiaire métallique d'interconnexion sur au moins un second plot de connexion.

Avantageusement dans le cadre du report d'un élément comprenant un composant à assembler à au moins un plot de connexion électrique en regard, le procédé comprend la réalisation d'au moins un élément intermédiaire métallique d'interconnexion à la surface d'au moins un joint fritté préalablement réalisé. Cela permet de réaliser des empilements de connexion pouvant comprendre une alternance de joints frittés et d'éléments intermédiaires métalliques dont le nombre varie pour compenser l'épaisseur du composant dans l'assemblage, par rapport aux interconnexions constituées de joints frittés et d'éléments intermédiaires métalliques.

Selon des variantes de l'invention, le nombre d'éléments métalliques d'interconnexion en contact avec un joint fritté varie le long de l'épaisseur desdits moyens d'interconnexion électrique et mécanique.

Selon des variantes de l'invention, la taille des éléments intermédiaires métalliques d'interconnexion en contact avec un joint fritté varie le long de l'épaisseur desdits moyens d'interconnexion électrique et mécanique. Selon des variantes de l'invention, l'opération de frittage est réalisée à une faible pression inférieure ou égale à 100 g/cm ² .

Selon des variantes de l'invention, le procédé comprend en outre l'application d'une première pression sur au moins ledit premier élément intermédiaire métallique d'interconnexion, avant l'opération de frittage.

Selon des variantes de l'invention, l'élément intermédiaire métallique d'interconnexion est réalisé à la surface d'au moins un plot de connexion électrique, à partir d'un fil métallique en formant une bille métallique rendue solidaire dudit plot de connexion électrique par une technique thermosonique ou par thermocompression.

Selon des variantes de l'invention, l'élément intermédiaire est un pilier métallique, ledit pilier métallique (pouvant être en cuivre) peut être réalisé selon les procédés classiques de la microélectronique utilisant la photolithographie de résine et l'électro-déposition du cuivre pour former des piliers métalliques sur des substrats. La découpe du substrat pour avoir des pièces unitaires (puces) peut être faite généralement après l'obtention des piliers.

Selon des variantes de l'invention, l'opération de frittage est réalisée à une seconde pression inférieure à ladite première pression.

Selon des variantes de l'invention, le procédé comprend les étapes suivantes :

- la réalisation d'au moins un premier élément intermédiaire métallique d'interconnexion à la surface d'au moins un premier plot de connexion électrique ;

- le dépôt d'une pâte de microparticules ou de nanoparticules métalliques à la surface d'au moins ledit premier élément intermédiaire métallique d'interconnexion ;

- le positionnement d'au moins un second plot de connexion électrique en regard d'au moins ledit premier plot de connexion électrique pour former un ensemble comprenant au moins le premier élément et le second élément ;

- une opération de frittage de ladite pâte de manière à former au moins un joint fritté métallique.

Selon des variantes de l'invention, le procédé comprend le chauffage et le pressage dudit premier élément intermédiaire métallique d'interconnexion mis en contact avec un film sec de microparticules ou de nanoparticules métalliques pouvant être à la surface d'un support souple, conduisant à la pénétration d'une partie dudit premier élément intermédiaire dans ledit film sec métallique, à la cassure dudit film sec et à la formation d'au moins un élément de film sec métallique de microparticules ou de nanoparticules à la surface d'au moins ledit élément intermédiaire d'interconnexion.

L'invention a aussi pour objet un assemblage obtenu selon le procédé de fabrication de l'invention.

L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre donnée à titre non limitatif et grâce aux figures annexées parmi lesquelles :

- les figures 1 a à 1 f illustrent les principales étapes d'un premier exemple de procédé de fabrication d'un assemblage selon l'invention ;

- les figures 2a à 2f illustrent les principales étapes d'un second exemple de procédé de fabrication d'une seconde variante d'assemblage selon l'invention, comprenant des seconds éléments intermédiaires d'interconnexion ;

- les figure 3a à 3f illustrent les principales étapes d'un troisième exemple de procédé de fabrication d'un assemblage selon l'invention avec utilisation d'un film sec de nanoparticules métalliques ;

- les figures 4a à 4e illustrent un exemple de procédé avec la réalisation de piliers métalliques ;

- les figures 5a et 5b illustrent un exemple d'assemblage de l'invention comprenant un empilement d'une alternance d'éléments intermédiaires et de joints frittés permettant de compenser la hauteur d'une puce dans un assemblage ;

- les figures 6a à 6h illustrent les étapes d'un exemple de procédé de l'invention permettant de réaliser l'exemple d'assemblage illustré en figures 5b ; - la figure 7 illustre une variante d'exemple d'assemblage comprenant un empilement de plusieurs éléments intermédiaires et de plusieurs joints frittés ;

- la figure 8 illustre une variante d'exemple d'assemblage comprenant des tailles différentes d'éléments intermédiaires dans les empilements ;

- les figures 9a à 9h illustrent les étapes d'un exemple de procédé de l'invention permettant de réaliser un exemple d'assemblage comprenant des nombres différents d'éléments intermédiaires métalliques d'interconnexion, le long des empilements : éléments intermédiaires métalliques d'interconnexion/joint fritté ;

- les figures 10a et 10b illustrent les caractéristiques électriques d'un composant HEMT en nitrure de Gallium assemblé en « flip chip » sur un circuit de type DBC.

La présente invention a pour objet un assemblage et un procédé de fabrication d'un assemblage permettant de réaliser des interconnexions électriques pouvant fonctionner à des températures supérieures à 300 °C avec un profil de température de procédé inférieur à 250 °C et des pressions très faibles < 100 g/cm ² .

Elle permet aussi de compenser des différences de hauteur d'éléments intermédiaires d'interconnexion électrique allant jusqu'à plusieurs dizaines de m.

Elle consiste tout d'abord à réaliser au moins un élément intermédiaire d'interconnexion électrique.

L'élément intermédiaire de connexion électrique peut typiquement être un élément correspondant à un « stup bump », sur un plot de connexion d'un premier élément pouvant typiquement être un circuit ou sur le plot de connexion d'un second élément pouvant typiquement comprendre un ou plusieurs composants semi-conducteurs ou les deux, l'élément intermédiaire pouvant être obtenu par technique thermosonique ou thermo-compression.

Une pression peut ensuite être appliquée sur l'élément intermédiaire de connexion de type « stud bump » pour le déformer et dans le cas de plusieurs éléments intermédiaires d'interconnexion pour en uniformiser leur hauteur.

Les éléments intermédiaires d'interconnexion peuvent êtres couverts par de la pâte de microparticules ou de nanoparticules métalliques par dispense (quantité contrôlée sans utilisation des masques).

Les plots des semi-conducteurs sont alignés avec les plots correspondant de circuit et une faible pression (<1 00g/cm ² ) est appliquée pour assurer un contact entre les plots. Un cycle de température permettant de fritter la pâte de nanoparticules est ensuite appliqué.

A la fin du procédé, une interconnexion électrique et mécanique est assurée entre le semi-conducteur et le circuit.

Cette technique d'interconnexion présente les avantages suivants :

- une faible pression pour les composants sensibles (comparée à la thermo-compression) ;

- une haute conductivité électrique et thermique comparée à la brasure classique ;

- la possibilité d'un assemblage sans flux et sans masque permettant une simplicité du procédé de fabrication ;

- une hauteur du joint ajustable par les « stud bumps » et la pâte permet une utilisation d'une plus grande variété de matériaux encapsulant à cause de la simplicité du remplissage des vides ayant des hauteurs plus élevée (encapsulant ayant des viscosités plus grandes et chargé avec des particules plus grandes) et une minimisation des contraintes thermomécaniques) ;

- une compatibilité avec différentes finitions des plots utilisées en microélectroniques (Al, Au, Ag, Cu) pour l'interface avec les éléments intermédiaires d'interconnexion pouvant être de type «stud bumps» et des finitions de préférence en Au ou Ag pour l'interface avec la pate de nanoparticules d'Ag ;

- une compensation d'une différence de hauteur de plusieurs dizaines de m avec les éléments intermédiaires d'interconnexion (en utilisant des fils de bonding de différentes épaisseurs, ou en appliquant des pressions différentes sur les éléments d'interconnexion). Des différences de hauteurs inférieures à une dizaine m peuvent être compensées par la pâte de nanoparticules métalliques ;

- un faible risque de court circuit entre différents plots de connexion proches de l'ordre d'une dizaine de m (comparé à la brasure lors de la fusion) et possibilité de vérifier la fonctionnalité électrique (présence de court circuit ou de circuit ouvert) avant l'assemblage final puisque la pâte se solidifie lors du procédé d'assemblage contrairement à la brasure.

Un premier exemple de procédé de fabrication d'une première variante d'assemblage selon l'invention est décrit ci-après :

Première étape illustrée en figure 1 a :

A partir d'un premier élément de type substrat DBC, 100 comportant un substrat céramique 1 1 , et une couche métallique inférieure 10 et des plots de connexion 12, on réalise des éléments intermédiaires d'interconnexion 13 par thermosonique.

Les plots de connexion sont réalisés avec une couche de finition Ni/Au (2 m/50nm).

A l'aide d'une machine de « bail bonding » en utilisant une technique thermosonique connue de l'homme de l'art, on réalise les éléments intermédiaires d'interconnexion 13.

Le diamètre du fil en Au utilisé est de 38 m. La taille minimale des plots de connexion 12 sur lesquels les éléments intermédiaires d'interconnexion seront réalisés doit être de préférence au moins 2 fois supérieure au diamètre de fils de bonding.

Une matrice de 7x7 éléments intermédiaires d'interconnexion est réalisée avec une distance de 300 m entre deux éléments intermédiaires d'interconnexion consécutifs.

Les conditions de liaison dénommée « bonding » (température du substrat, puissance et temps des ultrasons, pression appliquée) sont optimisées pour obtenir une tenue en cisaillement de 80g / élément intermédiaire d'interconnexion. Seconde étape illustrée en figure 1 b :

La hauteur des éléments intermédiaires d'interconnexion est uniformisée en appliquant une force de 100g/ élément intermédiaire d'interconnexion par une surface plane et rigide (verre ou silicium). Cette force est suffisante pour déformer les éléments intermédiaires d'interconnexion et obtenir une hauteur d'élément intermédiaire d'interconnexion de 40 m. Le diamètre de l'élément intermédiaire d'interconnexion pressé est de 120 m environ. Troisième étape illustrée en figure 1 c :

Une pâte de nanoparticules d'argent est utilisée pour attacher les éléments intermédiaires d'interconnexion réalisés sur le circuit DBC au métal de finition de la puce correspondant au second élément à assembler (le métal de finition peut typiquement être de l'or). Une quantité contrôlée de la pâte de nanoparticules 14 est déposée sur les éléments intermédiaires d'interconnexion à l'aide d'un dispenseur manuel. Le procédé de dispense peut se faire automatiquement grâce à des machines de dispenses automatiques présentes sur le marché (par exemple : ASYMTEK Quantum séries).

Quatrième étape illustrée en figure 1 d :

Une puce en silicium 200 comprenant un composant 20 et une couche une finition Ni/Au 21 est ensuite reportée en technique « Flip chip » sur la matrice du circuit.

Cinquième étape illustrée en figure 1 e :

Une pression de 100 g/cm ² est appliquée sur la puce pour assurer le contact entre les différents plots 21 , les éléments de pâte 14 empilés préalablement aux éléments intermédiaires d'interconnexion 13 réalisés à la surface des plots de connexion 12 pour réaliser l'assemblage du circuit 100 et la puce 200.

Sixième étape illustrée en figure 1 f :

Une étape de frittage de la pâte contenant des nanoparticules d'argent est réalisée en montant à 250 °C sous air pour 20 minutes avec une rampe de montée contrôlée (5 °C/min). Suite à cette étape, tous les matériaux organiques formant la pâte (solvant, liant, dispersant) sont évaporés et le joint final est formé juste d'argent.

A la fin du procédé, un essai de rigidité mécanique en cisaillement est réalisé pour tester la rigidité mécanique du joint. Une force de 3 kg (moyenne de 3 tests réalisés) est nécessaire pour arracher la puce, ce qui revient à une force moyenne de 61 g / empilement d'interconnexion. Le joint se détache à l'interface entre le joint fritté et la finition de la puce qui est l'interface la plus critique dans la présente configuration. Typiquement le joint fritté peut présenter une épaisseur comprise entre environ 1 μηι et 10 μηι.

Un second exemple de procédé de fabrication d'une seconde variante d'assemblage comportant des premiers et des seconds éléments intermédiaires d'interconnexion électrique et mécanique selon l'invention est décrit ci-après :

Première étape illustrée en figure 2a :

A partir d'un premier élément de type substrat DBC, 100 comportant un substrat céramique 1 1 , et une couche métallique inférieure 10 et des plots de connexion 12, on réalise des premiers éléments intermédiaires d'interconnexion 13 par thermosonique.

En parallèle, on réalise également sur un second élément type puce en silicium 200 comprenant un composant 20 et une couche une finition Ni/Au 21 , des seconds éléments intermédiaires d'interconnexion 22 par thermosonique.

Seconde étape illustrée en figure 2b :

La hauteur des éléments intermédiaires d'interconnexion 13 et 22 est uniformisée en appliquant une force de 100g/ élément intermédiaire d'interconnexion par une surface plane et rigide (verre ou silicium). Cette force est suffisante pour déformer les éléments intermédiaires d'interconnexion et obtenir une hauteur d'élément intermédiaire d'interconnexion de 40 m. Le diamètre de l'élément intermédiaire d'interconnexion pressé est de 120 m environ. Troisième étape illustrée en figure 2c :

Une pâte de nanoparticules d'argent est utilisée pour attacher les éléments intermédiaires d'interconnexion réalisés sur le circuit DBC aux éléments intermédiaires d'interconnexion de la puce correspondant au second élément à assembler (le métal de finition peut typiquement être de l'or). Une quantité contrôlée de la pâte de nanoparticules 14 est déposée sur les éléments intermédiaires d'interconnexion 13 à l'aide d'un dispenseur manuel. Le procédé de dispense peut se faire automatiquement grâce à des machines de dispenses automatiques présentes sur le marché (par exemple : ASYMTEK Quantum séries).

Quatrième étape illustrée en figure 2d :

La puce en silicium 200 comprenant un composant 20, une couche une finition Ni/Au 21 , des éléments intermédiaires d'interconnexion 22, est ensuite reportée en technique « Flip chip » sur la matrice du circuit 100.

Cinquième étape illustrée en figure 2e :

Une pression de 100 g/cm ² est appliquée sur la puce pour assurer le contact entre les différents plots 21 , les éléments intermédiaires d'interconnexion 22, les éléments de pâte 14 empilés préalablement aux éléments intermédiaires d'interconnexion 13 réalisés à la surface des plots de connexion 12 pour réaliser l'assemblage du circuit 100 et la puce 200. Sixième étape illustrée en figure 2f :

Une étape de frittage de la pâte contenant des nanoparticules d'argent est réalisée en montant à 250 °C sous air pour 20 minutes avec une rampe de montée contrôlée (5 °C/min). Suite à cette étape, tous les matériaux organiques formant la pâte (solvant, liant, dispersant) sont évaporés et le joint final est formé juste d'argent. Un troisième exemple de procédé de fabrication d'un assemblage comportant des premiers éléments intermédiaires d'interconnexion électrique et mécanique selon l'invention est décrit ci-après : Les première et seconde étapes du procédé illustrées en figure 3a et 3b, sont identiques à celles du premier exemple de procédé (illustrées en figure 1 a et 1 b).

Troisième étape illustrée en figure 3c et en figure 3d :

Les premiers éléments d'interconnexion 13 à la surface des premiers plots métalliques 12 sont chauffés puis pressés sur un film sec métallique de microparticules ou de nanoparticules 31 qui est posé sur un matériau souple formant le support 30. La température est de l'ordre de 100 °C pour activer l'adhésion lors du contact avec le film. La hauteur des éléments intermédiaires d'interconnexion est choisie supérieure à la profondeur de pénétration dans le film, de manière à ce que les plots de connexion 12 ne soient pas en contact avec ledit film.

Les premiers éléments intermédiaires d'interconnexion pénètrent plusieurs μηι dans le film et les surfaces du film sec qui sont en contact avec l'élément d'interconnexion peuvent se séparer du reste du film, créant des éléments de film sec 31 qui adhérent aux éléments intermédiaires d'interconnexion, (pour se faire, la force d'adhésion entre le premier élément et le film est supérieure à celle existant entre le film et le support souple), comme illustré en figure 3d. Le film est ainsi en quelque sorte tamponné sur les éléments d'interconnexion.

Quatrième étape illustrée en figure 3e :

Une puce en silicium comprenant un composant 20 et une couche une finition Ni/Au 21 est ensuite reportée en technique « Flip chip » sur la matrice du circuit.

Cinquième étape et sixième étape illustrée en figure 3f : Une pression de 10 kg/cm ² est appliquée sur la puce pour assurer le contact entre les différents plots 21 , les éléments de film 31 empilés préalablement aux éléments intermédiaires d'interconnexion 13 réalisés à la surface des plots de connexion 12 pour réaliser l'assemblage du circuit 100 et la puce 200. Une étape de frittage du film contenant des nanoparticules d'argent est réalisée en montant à 250 °C sous air pour 20 minutes avec une rampe de montée contrôlée (5 °C/min).

Un quatrième exemple de procédé de fabrication d'un assemblage comportant des premiers éléments intermédiaires d'interconnexion électrique et mécanique de type piliers, selon l'invention est décrit ci-après :

Première étape illustrée en figure 4a :

On réalise à la surface d'une puce en silicium comprenant un composant 20 et une couche une finition Ni/Au 21 , des piliers en cuivre 22 par des procédés classiques de la microélectronique utilisant la photolithographie de résines et l'électro-déposition du cuivre pour former des piliers métalliques sur des substrats. La découpe du substrat pour avoir des pièces unitaires (puces) peut être faite généralement après l'obtention des piliers. Seconde étape illustrée en figure 4b :

On réalise à la surface des piliers préalables élaborés 22, le dépôt de pâte de nanoparticules Une quantité contrôlée de la pâte de nanoparticules métalliques 14 est déposée sur les éléments intermédiaires d'interconnexion à l'aide d'un dispenseur manuel, de manière à former les éléments 23 de pâte métallique destinée à être frittée.

Troisième étape illustrée en figure 4c :

On vient reporter l'ensemble préalable élaboré et décrit précédemment sur un substrat DBC comportant un substrat céramique 1 1 , et une couche métallique inférieure 10 et des plots de connexion 12.

Quatrième étape illustrée en figure 4d :

Une pression de 100 g/cm ² est appliquée sur la puce pour assurer le contact entre les différents plots 21 , les éléments intermédiaires d'interconnexion 22, les éléments de pâte 23 empilés sur les plots de connexion 12 pour réaliser l'assemblage du circuit et de la puce.

Cinquième étape illustrée en figure 4e:

Une étape de frittage de la pâte contenant des nanoparticules d'argent est réalisée en montant à 250 °C sous air pour 20 minutes avec une rampe de montée contrôlée (5 °C/min). Suite à cette étape, tous les matériaux organiques formant la pâte (solvant, liant, dispersant) sont évaporés et le joint final est formé juste d'argent.

Selon la présente invention, il est particulièrement intéressant d'assembler une puce à la surface d'un substrat « DBC », à un autre substrat comportant des éléments de connexion, en utilisant un empilement de plusieurs joints frittés et d'éléments intermédiaires métalliques d'interconnexion de type billes métalliques couramment dénommé « bump ». La figure 5a illustre ainsi une puce 40, reliée via un joint 41 à un substrat DBC comprenant un substrat 20 pouvant être en céramique, présentant une surface métallique 24 et une surface métallique 25.

En utilisant un empilement de plusieurs niveaux de billes métalliques et de joints frittés, on obtient un assemblage illustré en figure 5b et comprenant depuis un substrat 1 1 , recouvert d'une surface métallique 10 et d'éléments métalliques 12, la succession d'éléments suivants en périphérie de la puce :

- des billes métalliques 13 ;

- des joints frittés 14 ;

- des billes métalliques 13 ;

- des joints frittés 14.

Au niveau de la puce, on obtient l'empilement :

- de billes métalliques 13 ;

- de joints frittés 14 ;

- de joints frittés 14.

L'intérêt de ce type d'empilement est notamment de compenser l'épaisseur de la puce dans l'empilement, cette épaisseur e _c pouvant typiquement être comprise entre 70 μηι et 300 μηι. Typiquement les épaisseurs des billes métalliques dans l'empilement peuvent présenter des épaisseurs comprises entre 10 μηι et 100 μπι. Exemple de procédé de fabrication de l'assemblage illustré en figure 5b :

Première étape illustrée en figure 6a :

On réalise à la surface d'éléments métalliques préalables élaborés

12, des éléments intermédiaires d'interconnexion 13 par technique thermosonique.

Seconde étape illustrée en figure 6b :

La hauteur des éléments intermédiaires d'interconnexion 13 est uniformisée en appliquant une pression P pouvant être de 100g/ élément intermédiaire métallique d'interconnexion par une surface plane et rigide (verre ou silicium) 300 (à la tolérance de planéité de la plaque de verre près). Cette force est suffisante pour déformer les éléments intermédiaires métalliques d'interconnexion et obtenir une hauteur d'élément intermédiaire d'interconnexion d'épaisseur comprise entre 10 μηι et 100 μηι.

Troisième étape illustrée en figure 6c :

Une quantité contrôlée de pâte de nanoparticules d'argent 14 est déposée sur les éléments intermédiaires métalliques d'interconnexion 13 à l'aide d'un dispenseur manuel. Le procédé de dispense peut se faire automatiquement grâce à des machines de dispenses automatiques présentes sur le marché (par exemple : ASYMTEK Quantum séries). Quatrième étape illustrée en figure 6d :

On réalise par une opération de thermocompression T.P., les joints frittés 14 à la surface des billes métalliques 13, via un substrat intermédiaire 301 . Cinquième étape illustrée en figure 6e :

On réalise un second niveau de billes métalliques 13 à la surface des joints frittés préalablement réalisés 14, par technique thermosonique. Sixième étape illustrée en figure 6f :

La hauteur des éléments intermédiaires métalliques d'interconnexion 13 est uniformisée en appliquant une pression P pouvant être de 100g/ élément intermédiaire d'interconnexion par une surface plane et rigide (verre ou silicium) 302 (à la tolérance de planéité de la plaque de verre près). Cette force est suffisante pour déformer les éléments intermédiaires d'interconnexion et obtenir une hauteur d'élément intermédiaire d'interconnexion d'épaisseur comprise entre 10 μηι et 100 μηι.

Septième étape illustrée en figure 6g :

Une quantité contrôlée de pâte de nanoparticules d'argent 14 est déposée sur les éléments intermédiaires d'interconnexion 13 à l'aide d'un dispenseur manuel. Le procédé de dispense peut se faire manuellement ou automatiquement grâce à des machines de dispenses automatiques présentes sur le marché (par exemple : ASYMTEK Quantum séries).

Huitième étape illustrée en figure 6h :

On réalise l'assemblage de la puce à la surface de son substrat avec l'ensemble préalablement élaboré et illustré en figure 6g. La figure 6h met en évidence les différents empilements.

En périphérie :

- des billes métalliques 13 ;

- des joints frittés 14 ;

- des billes métalliques 13 ;

- des joints frittés 14.

Au niveau de la puce 40, on obtient un empilement :

- de billes métalliques 13 ;

- de joints frittés 14 ;

- de joints frittés 14.

Cette opération peut être réalisée avec une machine de thermocompression pouvant être avec contrôle en « z » ou une machine de report thermique. Cette opération peut être réalisée à faible pression ou en utilisant une pâte à fritter commerciale de type « sans pression ».

Selon l'invention, la densification du joint fritté permet de repartir d'une surface plane pour empiler un second « bump ». Cette configuration est bien meilleure qu'un empilement de 2 « bumps » sans étape de frittage.

Cette étape peut être répétée plusieurs fois pour atteindre l'épaisseur désirée et un exemple d'assemblage est illustré en figure 7 qui montre un empilement réalisé successivement et comprenant 3 niveaux de « bump » 13 , deux « bumps » étant reliés entre eux via des joints frittés 14 un joint fritté reliant également le contact 24 sur le substrat 20 supportant la puce 40.

De nombreuses variantes peuvent permettre de compenser des épaisseurs importantes, jusqu'à 300μηι (différence d'épaisseur entre un composant de type transistor bipolaire à grille isolée « IGBT » silicium 70μηι et une diode SiC 300μηπ).

Les différents niveaux de « bumps » peuvent notamment présenter des « bumps » avec des diamètres différents ou des nombres différents par joint fritté de manière à assurer une structure pyramidale plus stable.

Par exemple, la figure 8 illustre un exemple d'assemblage dans lequel, deux niveaux de « bumps » 13 présentent des diamètres de « bumps » différents. Exemple de procédé de fabrication d'un assemblage présentant une structure de type pyramidale au niveau des éléments intermédiaires métalliques d'interconnexion et illustré grâce aux figure 9a à 9h.

Première étape illustrée en figure 9a :

On réalise à la surface d'éléments métalliques préalables élaborés

12, des éléments intermédiaires métalliques d'interconnexion 13i par technique thermosonique. Selon cet exemple, plusieurs éléments d'interconnexion 13i sont réalisés sur un élément métallique 12. Seconde étape illustrée en figure 9b.

La hauteur des éléments intermédiaires d'interconnexion 13i est uniformisée en appliquant une pression P pouvant être de 100g/ élément intermédiaire d'interconnexion par une surface plane et rigide (verre ou silicium) 300. Cette force est suffisante pour déformer les éléments intermédiaires d'interconnexion et obtenir une hauteur d'élément intermédiaire d'interconnexion d'épaisseur comprise entre 10 μηι et 100 μηι.

Troisième étape illustrée en figure 9c :

Une quantité contrôlée de pâte de nanoparticules d'argent 14 est déposée sur les éléments intermédiaires d'interconnexion 13i à l'aide d'un dispenseur manuel. Le procédé de dispense peut se faire automatiquement grâce à des machines de dispenses automatiques présentes sur le marché (par exemple : ASYMTEK Quantum séries).

Quatrième étape illustrée en figure 9d :

On réalise par une opération de thermocompression T.P., les joints frittés 14 à la surface des billes métalliques 13i, via un substrat intermédiaire 301 .

Cinquième étape illustrée en figure 9e :

On réalise un second niveau de billes métalliques 13j à la surface des joints frittés préalablement réalisés 14 par technique thermosonique. Sixième étape illustrée en figure 9f :

La hauteur des éléments intermédiaires d'interconnexion 13j est uniformisée en appliquant une pression P pouvant être de 100g/ élément intermédiaire d'interconnexion par une surface plane et rigide (verre ou silicium) 302. Cette force est suffisante pour déformer les éléments intermédiaires d'interconnexion et obtenir une hauteur d'élément intermédiaire d'interconnexion d'épaisseur comprise entre 10 μηι et 100 μηι.

Septième étape illustrée en figure 9g :

Une quantité contrôlée de pâte de nanoparticules d'argent 14 est déposée sur les éléments intermédiaires d'interconnexion 13j à l'aide d'un dispenseur manuel. Le procédé de dispense peut se faire automatiquement grâce à des machines de dispenses automatiques présentes sur le marché (par exemple : ASYMTEK Quantum séries). Huitième étape illustrée en figure 9h :

On réalise l'assemblage de la puce à la surface de son substrat avec l'ensemble préalablement élaboré et illustré en figure 9g. La figure 9h met en évidence les différents empilements.

En périphérie :

- des billes métalliques 13i ;

- des joints frittés 14 ;

- des billes métalliques 13j ;

- des joints frittés 14.

Au niveau de la puce, on obtient l'empilement :

- de billes métalliques 13i ;

- de joints frittés 14 ;

- de joints frittés 14.

Cette opération peut être réalisée à faible pression ou en utilisant une pâte à fritter commerciale de type « sans pression ».

Il est à noter que l'on peut réaliser une configuration de type « pyramide » à partir des deux substrats (donc également côté puce).

Il est à noter également que la compensation de hauteur peut aussi être effectuée sur le substrat côté puce.

Le Demandeur a réalisé des essais pour assembler un composant de type transistor en GaN HEMT (High Electron Mobility Transistor), sur un substrat de type « DBC » obtenu selon le premier exemple de procédé de fabrication d'un assemblage illustré en figure 1 a à 1 f.

Les essais menés après réalisation de l'assemblage selon l'invention ont prouvé la qualité de l'assemblage, le transitoire étant tout à fait fonctionnel.

Le composant présente une hauteur de grille inférieure de 10 m à celle de drain et source. Il a ainsi été possible de réaliser des interconnexions avec des éléments présentant des hauteurs adaptées et différentes.

La même interconnexion est réalisée et des tests électriques ont montré un transistor complètement fonctionnel comme illustré sur les figures 10a et 10b. La figure 10a représente les caractéristiques du courant Ids en fonction de la tension Vds (avec les références suivantes : d pour drain et s pour source) avec un temps de l'impulsion 100 με, d'un transistor GaN avec des tensions grille-source Vgs entre -4V (transistor bloqué) et 2V, avec des pas d'augmentation de 1 V. La figure 10b représente la variation du courant Ids en fonction de la tension Vgs pour une tension drain-source Vds de 1 V montrant les courants Ids lorsque le transistor est bloqué et ouvert.

Comparé à une brasure classique ou à une colle conductrice, le frittage de nanoparticules d'argent présente plusieurs avantages comme une meilleure conductivité thermique (plus que 4 fois supérieure à celle obtenue avec des brasures classiques), une température de procédé inférieure à 300 °C et une température de fonctionnement supérieure à 300 °C (dans le cas de la brasure, la température du procédé est supérieure à la température de fonctionnement). La technique utilisée permet d'éviter les courts circuits pouvant avoir lieu lors de la fusion de la brasure.

De plus, le joint poreux entre l'élément intermédiaire d'interconnexion et le plot du semiconducteur permet de mieux encaisser les contraintes mécaniques induites par la différence des coefficients de dilatation thermique entre les composants assemblés lors des cycles thermiques.

Il est à noter que la hauteur des éléments intermédiaires d'interconnexion peut être contrôlée et uniformisée en appliquant une pression suffisante pour les déformer.

Différentes hauteurs d'éléments intermédiaires d'interconnexion peuvent être envisagées sur un même substrat en :

- réalisant une première série avec les éléments les moins hauts puis en les pressant avec une pression convenable ;

- en faisant une série d'éléments plus hauts puis en les pressant. Cette hauteur des éléments intermédiaires d'interconnexion peut être contrôlée par le diamètre des fils, la pression de déformation exercée ou à travers la réalisation de « multi éléments intermédiaires d'interconnexion. Ces éléments intermédiaires d'interconnexion multi-hauteurs sont nécessaires si le profil de surface présente une variation de hauteur de plusieurs dizaines de m qui ne peut pas être compensée par la pâte seule.

Dans la présente invention des éléments intermédiaires d'interconnexion « stud bumps » en Au peuvent être réalisés. Des éléments intermédiaires d'interconnexion peuvent aussi être réalisés en utilisant d'autres métaux ou alliages (Cu, Ag, alliage Ag). Les éléments intermédiaires d'interconnexion peuvent être pressés pour avoir une hauteur contrôlée avec une variation inférieure au m. Il est toutefois possible de ne pas presser les « stud bumps » formés, pouvant générer une variation de hauteur de 1 à 5 m environ.

La pâte de microparticules ou de nanoparticules peut être d'argent ou d'or ou de cuivre ou d'alliage cuivre/argent.

II est à noter que dans le cas de frittage de microparticules, il convient d'utiliser de plus fortes pressions, pouvant typiquement être supérieures à 20 MPa.

Le dépôt de la pâte de nanoparticules peut être réalisé à l'aide d'un dispenseur. D'autres solutions de dépôt de pâte peuvent être envisagées comme le dépôt par sérigraphie « screen printing » ou l'impression directe « direct imprint » permettant d'avoir la pâte dans des zones bien localisées.