BESCHREIBUNG

Die Erfindung betrifft eine Anordnung mit einem Träger aus einem Glasmaterial mit einem optoelektronischen Halbleiterbauteil gemäß Patentanspruch 1 und ein Verfahren zum Herstellen einer Anordnung mit einem Träger aus einem Glasmaterial und einem optoelektronischen Halbleiterbauteil gemäß Pa ^¬ tentanspruch 17.

Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2015 119 343.4, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.

Aus DE 10 2014 100584 AI ist ein Verfahren zum Herstellen von optoelektronischen Halbleiterbauteilen und ein optoelektronisches Halbleiterbauteil bekannt, wobei das optoelektronische Halbleiterbauteil auf einem Glasträger angeordnet ist oder in einer Ausnehmung des Glasträgers angeordnet ist. Das Halblei ^¬ terbauteil ist über ein Füllmedium beispielsweise aus Silikon mit dem Glasträger mechanisch verbunden. Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine verbesserte An ^¬ ordnung mit einem Träger aus einem Glasmaterial und einem mit dem Träger verbundenen optoelektronischen Halbleiterbauteil bereitzustellen. Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein verbessertes Verfahren zum Herstellen einer Anord- nung aus einem Träger aus einem Glasmaterial und einem opto ^¬ elektronischen Halbleiterbauteil bereitzustellen.

Die Aufgabe der Erfindung wird durch die Anordnung gemäß Patentanspruch 1 und durch das Verfahren gemäß Patentan- spruch 17 gelöst.

Weitere Ausführungsformen der Anordnung des Verfahrens sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben. Ein Vorteil der beschriebenen Anordnung besteht darin, dass eine sichere und langzeitstabile Verbindung zwischen dem Trä ^¬ ger aus Glasmaterial und dem Halbleiterbauteil erreicht wird. Insbesondere ist die Verbindung alterungsunempfindlich gegenüber Wärme und Licht. Dieser Vorteil wird dadurch erreicht, dass das Halbleiterbauteil über eine Schmelzfläche aus Glas mit dem Träger verbunden ist. Auf diese Weise wird für die Ausbildung der mechanischen Verbindung zwischen dem Träger und dem Halbleiterbauteil auf organische Stoffe verzichtet.

In einer Ausführungsform ist wenigstens eine Frontseite des Halbleiterbauteils über die Schmelzfläche aus Glas mit dem Träger verbunden. Durch die Verbindung über die Frontseite ist eine großflächige Ankopplung zwischen dem Halbleiterbau ^¬ teil und dem Träger erreicht. Abhängig von der gewählten Ausführungsform können auch weitere Seiten des Halbleiterbauteils mit einer Schmelzfläche aus Glas mit dem Träger verbun ^¬ den sein. Die Frontseite kann die Seite sein, über die elekt- romagnetische Strahlung vom Halbleiterbauteil abgegeben oder aufgenommen wird. Das optoelektronische Halbleiterbauteil kann als Leuchtchip oder als Sensorchip ausgebildet sein. Der Leuchtchip kann als Leuchtdiode oder als Laserdiode ausgebil ^¬ det sein. Der Sensorchip kann ausgebildet sein, um elektro- magnetische Strahlung zu empfangen. Insbesondere kann der

Sensorchip als optischer Sensor oder als Solarzelle ausgebildet sein.

In einer weiteren Ausführungsform ist wenigstens eine Seiten- fläche des Halbleiterbauteils mit dem Träger über eine

Schmelzfläche aus Glas verbunden. Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann eine Verbindung nur über eine Seitenfläche für eine sichere Befestigung des Halbleiterbauteils am Träger ausreichen. Weiterhin können abhängig von der gewähl- ten Ausführungsform mehrere Seitenflächen, insbesondere alle Seitenflächen des Halbleiterbauteils über eine Schmelzfläche aus Glas mit dem Träger verbunden sein. Zudem kann zusätzlich zu den Seitenflächen auch eine Frontseite des Halbleiterbau- teils mit dem Träger über eine Schmelzfläche aus Glas verbun ^¬ den sein. Zudem können zusätzlich zu den Seitenflächen auch beide Frontseiten des Halbleiterbauteils mit dem Träger über eine Schmelzfläche aus Glas verbunden sein. Die elektrische Kontaktierung des Halbleiterbauteils ist dann über Durchführungen durch den Träger zum Halbleiterbauteil geführt.

Bei der Ausbildungsform, bei der das Halbleiterbauteil über wenigstens eine Seitenfläche mit dem Träger verbunden ist, kann die Frontseite des Halbleiterbauteils frei von dem Trä ^¬ ger angeordnet sein, wobei das Halbleiterbauteil in einer durchgehenden Ausnehmung des Trägers angeordnet ist und seit ^¬ lich mit dem Träger verbunden ist. In einer Ausführungsform ist die Schmelzfläche aus dem glei ^¬ chen Glasmaterial wie der Träger gebildet. Somit kann durch eine Erwärmung des Trägers und eine Kontaktierung des Halb ^¬ leiterbauteils mit dem Träger die Schmelzfläche zwischen dem Träger und dem Halbleiterbauteil ausgebildet werden. Damit ist die Schmelzfläche stoffeinheitlich aus dem gleichen Mate ^¬ rial wie der Träger gebildet. Dadurch wird eine sichere und langzeitstabile Befestigung des Halbleiterbauteils mit dem Träger ermöglicht. Weiterhin werden dadurch optoelektronische Eigenschaften des Trägers auch im Bereich der Schmelzfläche ohne wesentliche Änderung beibehalten. Insbesondere ist ein Brechungsindex des Glasmaterials des Trägers auch im Wesent ^¬ lichen im Bereich der Schmelzfläche erhalten. Somit kann eine definierte Ausbreitung von elektromagnetischer Strahlung im Übergangsbereich zwischen dem Halbleiterbauteil und dem Trä- ger erreicht werden. Dies ist insbesondere von Vorteil, wenn das optoelektronische Halbleiterbauteil als Leuchtchip, ins ^¬ besondere als Leuchtdiode oder als Laserdiode ausgebildet ist. Auch bei der Ausbildung des Halbleiterbauteils in Form eines Sensors ist diese Eigenschaft von Vorteil.

In einer weiteren Ausführungsform ist die Schmelzfläche aus einem Glasmaterial gebildet, das für den Verbindungsvorgang zwischen dem Träger und dem Halbleiterbauteil angeordnet wird. Das Glasmaterial kann im Wesentlichen eine ähnliche o- der gleiche Zusammensetzung wie das Glasmaterial des Trägers aufweisen. Weiterhin kann jedoch auch das Glasmaterial für die Ausbildung der Schmelzfläche eine andere Zusammensetzung als das Glasmaterial des Trägers aufweisen. Somit kann eine individuelle Anpassung der mechanischen, chemischen und/oder optischen Eigenschaften der Schmelzfläche unabhängig vom Glasmaterial des Trägers festgelegt werden. Dadurch werden eine erhöhte Flexibilität und insbesondere eine optimierte Ausbildung der Schmelzfläche ermöglicht.

In einer weiteren Ausführungsform kann Konversionsmaterial in der Schmelzfläche angeordnet sein. Somit kann eine vom opto ^¬ elektronischen Bauelement ausgesendete elektromagnetische Strahlung wenigstens teilweise zu einer anderen Wellenlänge verschoben werden. Die Anordnung des Konversionsmaterials in der Schmelzfläche ermöglicht einen kompakten und einfachen Aufbau der Anordnung. In einer weiteren Ausführungsform weist das Halbleiterbauteil elektrische Kontakte auf, wobei Leiterbahnen auf dem Halblei ^¬ terbauteil und auf dem Träger angeordnet sind, die zu den elektrischen Kontakten des Halbleiterbauteils geführt sind. Dadurch ist eine erhöhte Flexibilität bei der Anordnung der Leiterbahnen gegeben.

In einer weiteren Ausführungsform sind die Leiterbahnen in eine Oberseite des Trägers gesintert. Auf diese Weise wird eine stabile Befestigung der Leiterbahnen mit dem Träger er- reicht. Insbesondere kann das Sintern der Leiterbahnen mit einem Abkühlen des Trägers während des Herstellungsverfahrens kombiniert werden kann. Somit kann die zur Verbindung des Trägers mit dem Halbleiterbauteil erforderliche hohe Tempera ^¬ tur des Trägers gleichzeitig für die Ausbildung der Leiter- bahnen, insbesondere zur Ausbildung von metallischen Leiterbahnen genutzt werden. In einer weiteren Ausführungsform weist das Halbleiterbauteil wenigstens teilweise ein Material auf, das für elektromagne ^¬ tische Strahlung durchlässig ist. Insbesondere kann das Halb ^¬ leiterbauteil als Leuchtchip ausgebildet sein. Dabei ist es von Vorteil, wenn der Leuchtchip ein Material aufweist, das durchlässig für die vom Leuchtchip ausgesendete elektromagne ^¬ tische Strahlung ist. Beispielsweise kann der Leuchtchip ein Saphirmaterial aufweisen. Bei dieser Ausführungsform kann der Leuchtchip in alle Richtungen abstrahlen.

In einer weiteren Ausführungsform ist die Ausnehmung in Form eines durch den Träger gehenden Loches ausgebildet, wobei ei ^¬ ne Frontseite des Halbleiterbauteils einer offenen Fläche der Ausnehmung zugeordnet ist. Auf diese Weise muss eine vom Halbleiterbauteil aufgenommene oder abgegebene elektromagne ^¬ tische Strahlung nicht durch das Glasmaterial des Trägers ge ^¬ hen. Somit kann eine Empfangscharakteristik und/oder eine Abstrahlcharakteristik des Halbleiterbauteils in der beschrie ^¬ benen Anordnung verbessert oder verändert werden.

In einer weiteren Ausführungsform sind mehrere Träger mit jeweils einem Halbleiterbauteil übereinander angeordnet. Dies ist insbesondere von Vorteil, wenn das Halbleiterbauteil aus einem Leuchtchip ausgebildet ist. Somit kann bei einer gerin- gen flächigen Ausbildung eine hohe Leuchtdichte durch die in der Höhe versetzten und seitlich versetzten Leuchtchips erreicht werden. Zudem können beim dieser Ausführung in den Trägern Leuchtchips angeordnet sein, die verschiedene Wellen ^¬ längen emittieren. Beispielsweise können Leuchtchips vorgese- hen sein, die blaues Licht, rotes Licht und grünes Licht emittieren. Insbesondere können Leuchtchips mit verschiedenen Wellenlängen vorgesehen sein, um ein Mischlicht mit einer gewünschten Farbe zu erzeugen. Beispielsweise kann ein Leucht ^¬ chip, der blaues Licht erzeugt, ein Leuchtchip, der rotes Licht erzeugt, und ein Leuchtchip, der grünes Licht erzeugt, im Träger vorgesehen sein, um weißes Mischlicht zu erzeugen. Zudem können auch Leuchtchips im Träger angeordnet sein, die Infrarotlicht oder UV-Licht erzeugen. Bei der Erzeugung von UV-Licht weist der Träger aus Glasmaterial den Vorteil auf, dass der Träger langzeitstabil für UV-Licht ist.

In einer weiteren Ausführungsform kann der Träger Elemente zum Beeinflussen der Strahlung, insbesondere Spiegelflächen, Farbpartikel und/oder strahlungsführende Strukturen aufwei ^¬ sen. Dadurch wird ein kompaktes Bauteil mit den zusätzlichen Funktionen bereitgestellt. In einer weiteren Ausführung weist der Träger ein poröses erstes Glasmaterial auf, in das wenigstens angrenzend an das Halbleiterbauteil ein niedriger schmelzendes zweites Glasma ^¬ terial eingebracht, insbesondere infiltriert ist. Das erste Glasmaterial weist einen höheren Schmelzpunkt als das zweite Glasmaterial auf. Zudem kann das erste Glasmaterial in Form einer Glasfritte ausgebildet sein, in die das zweite Glasma ^¬ terial infiltriert ist. Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann der Träger aus dem porösen ersten Glasmaterial bestehen, wobei in den gesamten Träger das zweite Glasmateri- al eingebracht ist.

In einer weiteren Ausführungsform ist wenigstens eine Seitenfläche des Trägers angrenzend an die Oberfläche geneigt ange ^¬ ordnet. Diese Seitenfläche kann beispielsweise für eine opti- sehe Kontrolle einer Lotverbindung verwendet werden. Wird auf die Oberfläche der Anordnung ein Bauteil mit einem Kontakt über eine Lotverbindung angebracht, so wird überflüssiges Lot seitlich auf die geneigte Seitenfläche gedrückt. Das Vorhan ^¬ densein von Lot auf der geneigten Fläche kann beispielsweise mit einer optischen Kontrolle zur Überprüfung einer korrekt ausgeführten Lotverbindung verwendet werden.

Das vorgeschlagene Verfahren weist den Vorteil auf, dass das Halbleiterbauteil über eine Schmelzfläche aus Glas mit dem Träger verbunden wird. Auf diese Weise kann für die Ausbil ^¬ dung der Verbindungsfläche auf organisches Material verzich ^¬ tet werden. Dadurch ist eine erhöhte Stabilität gegenüber elektromagnetischer Strahlung und/oder Wärme gegeben. In einer Ausführungsform kann das Substrat für das Halbleiterbauteil oder das Halbleiterbauteil in eine Glasschmelze des Trägers eingedrückt werden und auf diese Weise zusätzlich zur Ausbildung der Schmelzfläche auch die Ausnehmung in den Träger wenigstens teilweise eingebracht werden. Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann der Träger vor dem Eindrücken des Substrates bzw. des Halbleiterbauteils bereits eine Teilausnehmung aufweisen. Zudem kann abhängig von der gewähl- ten Ausführungsform der Träger eine plane Oberfläche aufwei ^¬ sen, in die das Substrat oder das Halbleiterbauteil einge ^¬ drückt wird.

Weiterhin kann die Ausbildung der Schmelzfläche durch ein Glasmaterial erzeugt werden, das zwischen dem Träger und dem Substrat oder dem Halbleiterbauteil eingebracht wird. Durch eine entsprechende Erwärmung des Glasmaterials wird das Glas ^¬ material verflüssigt, so dass sich eine Schmelzfläche an we ^¬ nigstens einer Fläche des Substrates oder des Halbleiterbau- teils ausbilden kann. Nach dem Abkühlen des Glasmaterials ist eine stabile Schmelzfläche aus dem Glasmaterial gebildet, wo ^¬ bei die Schmelzfläche sowohl am Substrat oder am Halbleiter ^¬ bauteil als auch am Träger ausgebildet ist. Auch bei dieser Ausführungsform kann auf organische Materialien zur mechani- sehen und/oder optischen Kopplung zwischen dem Träger und dem Halbleiterbauteil bzw. zwischen dem Träger und dem Substrat verzichtet werden.

Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann das Substrat oder das Halbleiterbauteil vor dem Ausbilden der Schmelzflä ^¬ che keine metallischen Kontakte oder Leiterbahnen aufweisen. Dadurch können höhere Temperaturen bei der Ausbildung der Schmelzfläche verwendet werden. In einer weiteren Ausführung kann das Halbleiterbauteil vor dem Ausbilden der Schmelzfläche metallische Kontakte und/oder metallische Leiterbahnen aufweisen. In einer Ausführungsform wird nach dem Anordnen des Substrates in der Ausnehmung des Trägers das optoelektronische Halb ^¬ leiterbauteil auf dem Substrat hergestellt, wobei insbesonde ^¬ re eine aktive Zone zum Empfangen und/oder zum Erzeugen von elektromagnetischer Strahlung auf dem Träger angrenzend an die Ausnehmung ausgebildet wird. Die aktive Zone wird insbe ^¬ sondere als Epitaxieschicht ausgebildet, wobei die Epita ^¬ xieschicht auf dem Substrat und auf dem Träger im We ^¬ sentlichen mit der gleichen Struktur ausgebildet wird. Auf diese Weise kann eine Nahordnung eines strukturierten Substrates, insbesondere eines strukturierten Saphirsubstrates in eine Fernordnung der aktiven Zone auf dem Träger übertragen werden. Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann sich die Epitaxieschicht mit der gleichen Struktur wie auf dem Substrat wenigstens einige ym oder einige mm oder mehr seitlicher Richtung weg von der Ausnehmung auf dem Träger ausbilden. Somit kann eine aktive Zone auch seitlich neben der Ausnehmung auf dem Träger ausgebildet werden. In einer weiteren Ausführungsform wird vor dem Einbringen des Substrates in die Ausnehmung des Trägers eine aktive Zone zum Senden und/oder zum Empfangen von elektromagnetischer Strahlung auf dem Substrat abgeschieden wird und ein optoelektro ^¬ nisches Halbleiterbauteil hergestellt.

Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbei- spiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden, wobei

Fig.1-4 ein erstes Verfahren zur Herstellung einer Anordnung mit einem Träger und einem Halbleiterbauteil,

Fig.5-8 ein zweites Verfahren zur Herstellung einer Anordnung mit einem Träger aus Glasmaterial und einem Halbleiterbauteil , Fig.9-12 ein drittes Verfahren zur Herstellung eines Trägers mit einem Halbleiterbauteil, Fig.13-15 ein viertes Verfahren zur Ausbildung einer Anordnung mit einem Träger und einem Halbleiterbauteil,

Fig. 16 eine weitere Ausführungsform eines Trägers mit einem

Halbleiterbauteil ,

Fig. 17 eine Ansicht der Anordnung der Fig. 16 von oben,

Fig. 18 eine weitere Anordnung mit Spiegelschichten, Fig.19-21 ein Verfahren zur Herstellung eines Trägers mit einem Halbleiterbauteil mit SMD-Kontakten,

Fig. 22 einen Träger mit Kontaktstiften, Fig. 23 einen Träger mit mehreren Halbleiterbauteilen,

Fig. 24 eine Anordnung mit zwei übereinander angeordneten

Trägern mit Halbleiterbauteilen, und Fig. 25 einen Träger mit drei Halbleiterbauteilen in einer

Ausnehmung zeigt.

Im Folgenden werden die vorgeschlagenen Anordnungen und die vorgeschlagenen Verfahren am Beispiel eines optoelektronischen Halbleiterbauteils in Form eines Leuchtchips beschrie ^¬ ben. Der Leuchtchip kann als Leuchtdiode oder als Laserdiode ausgebildet sein. Anstelle des Leuchtchips kann das opto ^¬ elektronische Halbleiterbauteil auch in Form eines Sensors, insbesondere in Form eines optischen Sensors ausgebildet sein. Der Sensor kann als optischer Sensor zum Empfangen einer elektromagnetischen Strahlung ausgebildet sein. Zudem kann der Sensor als Solarzelle ausgebildet sein. Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann das Halbleiterbauteil auf einem Saphirträger aufgebaut sein, auf dem eine aktive Zone beispielsweise zum Senden und/oder zum Empfangen elektromagnetischer Strahlung angeordnet ist. Die aktive Zone kann in Form einer Epischicht auf den Saphirträger aufgebracht sein. Weiterhin kann die Halbleiterschicht mit der aktiven Zone be ^¬ reits metallische Kontakte und/oder metallische Leiterbahnen aufweisen. Anstelle von Saphir kann auch jedes andere Halbleitermaterial verwendet werden, das sich für die Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils eignet.

Fig. 1 zeigt drei Verfahrensschritte zur Herstellung einer Anordnung mit einem Halbleiterbauteil 3 in einer Ausnehmung 4 eines Trägers 1 aus einem Glasmaterial. Das Halbleiterbauteil 3 weist ein Substrat 29 und eine aktive Zone 14 zum Senden und/oder zum Empfangen von elektromagnetischer Strahlung auf. Das Substrat 29 kann beispielsweise aus Saphir gebildet sein. Im Folgenden wird die Einbettung des Halbleiterbauteils 3 in den Träger 1 beschrieben. Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann die aktive Zone 14 auch erst nach dem Ausbil- den der Schmelzverbindung zwischen dem Substrat 29 und dem

Träger 1 auf dem Substrat 29 abgeschieden und somit erst nach dem Ausbilden der Schmelzverbindung zwischen dem Substrat und dem Träger 1 ein Halbleiterbauteil 3 erhalten werden. Fig. 1 zeigt einen Träger 1 in schematischer Seitenansicht, wobei der Träger 1 in Form einer Glasplatte ausgebildet ist. Der Träger 1 wird so hoch erhitzt, bis ein Schmelzpunkt des Glasmaterials erreicht wird und der Träger 1 wenigstens im Bereich einer Oberfläche 2 so weich wird, dass ein optoelekt- ronisches Halbleiterbauteil 3 in die Oberfläche 2 von selbst einsinken kann oder wenigstens teilweise eingedrückt werden kann .

Fig. 1 zeigt das optoelektronische Halbleiterbauteil 3 vor dem Eindrücken in den erwärmten Träger 1. In Fig. 1 ist auf der Oberfläche 2 unter dem Halbleiterbauteil 1 eine Schicht aus Konversionsmaterial 18 vorgesehen. Das Konversionsmaterial 18 kann zusätzlich auch seitlich am Halbleiterbauteil 3 angeordnet sein. Auf das Konversionsmaterial 18 kann auch verzichtet werden.

Fig. 2 zeigt die Anordnung mit dem Träger 1 nach dem Eindrü- cken des Halbleiterbauteils 3 in den Träger 1. Somit ist das Halbleiterbauteil 3 in einer Ausnehmung 4 des Trägers 1 ange ^¬ ordnet. Dabei kann auch Material des Trägers 1 verdrängt wer ^¬ den. Nach dem Abkühlen des Trägers 1 ist in diesem Ausführungsbeispiel sowohl an einer Frontseite 5 als auch an allen vier Seitenflächen 6, 7, 8 des Halbleiterbauteils 3 eine er ^¬ starrte Schmelzfläche ausgebildet, die das Halbleiterbauteil 3 mechanisch und optisch an das Glasmaterial des Trägers 1 koppelt. Die Schmelzfläche kann dabei auch teilweise auf eine Rückseite des Halbleiterbauteils 3 gelangen, die der Front- seite 5 gegenüber liegt. Zudem kann das Substrat 29 oder das Halbleiterbauteil 3 auch vollständig im Träger 1 eingebettet sein, so dass alle Seiten des Halbleiterbauteils 3 mit vom Träger 1 bedeckt sind. Die Schmelzfläche ist aus dem gleichen Material wie der Trä ^¬ ger 1 gebildet und ermöglicht eine sichere und stabile, ins ^¬ besondere langzeitstabile, mechanische Verbindung zwischen dem Halbleiterbauteil 3 und dem Träger 1. Insbesondere ist bei der Ausbildung des Trägers 1 aus einem Glasmaterial die Schmelzfläche langzeitstabil gegenüber Wärme und/oder elekt ^¬ romagnetischer Strahlung. Im Bereich der Frontseite 5 kann, wie im Beispiel dargestellt, Konversionsmaterial 18 in die Schmelzfläche und angrenzende Bereiche des Trägers 1 gemischt sein. Weiterhin kann der Träger 1 in einem Bereich angrenzend an die Frontseite 5 einen an das Material des Halbleiterbau ^¬ teils 3 angepassten Brechungsindex aufweisen. Der Brechungs ^¬ index kann sich mit zunehmendem Abstand von der Frontseite 5 an den normalen Brechungsindex des Materials des Trägers 1 annähern. Beispielsweise können in dem Bereich angrenzend an die Frontseite 5 im Material des Trägers 1 Partikel angeord ^¬ net sein, deren Konzentration mit zunehmendem Abstand von der Frontseite 5 abnimmt. Die Partikel können beispielsweise bei einem Träger 1 aus Glas aus Silber und/oder Thallium und/oder aus Nanopartikeln bestehen, um den Brechungsindex in Richtung auf die Frontseite 5 im Träger 1 anzuheben. Dadurch wird eine Lichtübertragung, insbesondere eine Lichtauskopplung zwischen dem Halbleiterbauteil 3 und dem Träger 1 verbessert.

Anschließend können, wie in Fig. 3 dargestellt, elektrische Kontakte 15,16 und Leiterbahnen 10,11 auf das Halbleiterbau ^¬ teil 3 und auf die Oberfläche 2 des Trägers 1 aufgebracht werden. Die Metallkontakte und die Leiterbahnen können Metal- le aufweisen, insbesondere aus Metall gebildet werden. Dabei können Bedampfungsverfahren und Fotolithographieverfahren verwendet werden. In dem dargestellten Ausführungsbeispiel stellt die Frontseite 5 die Abstrahlseite dar, über die elektromagnetische Strahlung in einer Abstrahlrichtung 9 über der Frontseite 5 des Halbleiterbauteils 3 abgegeben wird.

Schematisch sind in Fig. 3 eine erste und eine zweite Leiter ^¬ bahn 10, 11 dargestellt, die auf einer Oberseite des Halblei ^¬ terbauteils 3 und auf der Oberfläche 2 des Trägers 1 angeord ^¬ net sind. Eine aktive Zone zum Senden oder Empfangen einer elektromagnetischen Strahlung kann in einem oberen Bereich des Halbleiterbauteils 3 nahe der Oberseite 12 angeordnet sein .

Fig. 4 zeigt eine Ansicht von oben auf die Oberfläche 2 des Trägers 1. Abhängig von der gewählten Ausführungsform können die Oberfläche 2 des Trägers 1 und die Oberseite 12 des Halb ^¬ leiterbauteils 3 mit einer Spiegelschicht 13 teilweise oder vollständig beschichtet sein. Das Halbleiterbauteil 3 ist in einer Ausnehmung 4 des Trägers 1 angeordnet. Dabei sind so- wohl die Frontseite 5 als auch die Seitenflächen 6, 7, 8, Über eine erstarrte Schmelzfläche mit dem Glasmaterial des Trägers 1 verbunden. Weiterhin ist die Oberfläche 2 des Trä ^¬ gers 1 und die Oberseite 12 des Halbleiterbauteils 3 mit ei ^¬ ner Spiegelschicht 13 bedeckt. Zudem weist das Halbleiterbau- teil Kontaktpads 15, 16 auf, die jeweils mit einer Leiter ^¬ bahn 10, 11 elektrisch leitend verbunden sind. Die Kontakt ^¬ pads 15, 16 und die Leiterbahnen 10, 11 sind aus einem elektrisch leitenden Material, insbesondere aus Metall gebil- det. Abhängig von der gewählten Ausführungsform können die Leiterbahnen 10, 11 in die Oberfläche 2 des Trägers 1 gesin ^¬ tert sein. Dabei kann die hohe Temperatur des Trägers 1 nach dem Einschmelzvorgang des Halbleiterbauteils verwendet wer- den, d.h. die Leiterbahnen werden auf den noch heißen Träger 3 aufgebracht. Die Spiegelschicht 13 ist oberhalb der Leiter ^¬ bahnen 10, 11 ausgebildet. Beim Sintern der Leiterbahnen 10, 11 werden die Leiterbahnen 10, 11 auf die Oberfläche 2 des Trägers 1 aufgebracht, während die Oberfläche 2 des Trägers 1 noch eine sehr hohe Temperatur, beispielsweise über 300 °C aufweist. Auf diese Weise kann die hohe Temperatur der Ober ^¬ fläche 2 für einen Sinterprozess der Leiterbahnen 10, 11 ge ^¬ nutzt werden. Die Leiterbahnen 10, 11 werden beispielsweise aus Metall hergestellt.

Fig. 5 bis 7 zeigen verschiedene Verfahrensschritte eines weiteren Verfahrens zur Herstellung einer Anordnung mit einem Träger 1, wobei ein Halbleiterbauteil 3 in einer Ausnehmung 4 des Trägers 1 aus Glasmaterial angeordnet ist und über eine Schmelzfläche mit dem Träger 1 verbunden ist. Fig. 5 zeigt in einer schematischen Anordnung einen Träger 1, der aus einem Glasmaterial besteht. In eine Oberfläche 2 des Trägers 1 ist eine Ausnehmung 4 eingebracht. Die Ausnehmung 4 kann im Wesentlichen die Form und die Größe des Halbleiterbauteils 3 aufweisen oder etwas größer in der Länge und/oder in der

Breite und/oder in der Höhe sein. In die Ausnehmung 4 wird das optoelektronische Halbleiterbauteil 3 eingelegt, wie in Fig. 6 dargestellt ist. Anschließend wird der Träger 1 we ^¬ nigstens im Bereich der Ausnehmung 4 so hoch erhitzt, dass das Glasmaterial des Trägers 1 weich wird und sich an wenigs ^¬ tens eine, insbesondere an alle Flächen des Halbleiterbau ^¬ teils 3 anlegt. Anschließend wird die Anordnung abgekühlt. Auf diese Weise wird das Halbleiterbauteil über Schmelzflä ^¬ chen aus Glasmaterial des Trägers 1 mit dem Träger 1 mecha- nisch verbunden.

In einem folgenden Prozessschritt, der in Fig. 7 dargestellt ist, werden Kontaktpads 15, 16 auf die Oberseite 12 des Halb- leiterbauteils 3 aufgebracht. Zudem werden Leiterbahnen 10, 11 auf die Oberseite 12 des Halbleiterbauteils 3 und auf die Oberfläche 2 des Trägers 1 aufgebracht. Die Kontaktpads und/oder die Leiterbahnen können Metall aufweisen oder aus Metall gebildet sein. Dazu können Bedampfungsverfahren und Fotolithographieverfahren verwendet werden. Zudem kann eine Spiegelschicht 13 auf die Oberseite 12 des Halbleiterbauteils 3 und auf die Oberfläche 2 des Trägers 1 aufgebracht werden. Auch bei dieser Ausführungsform kann Konversionsmaterial zwi- sehen dem Halbleiterbauteil und dem Träger, insbesondere im Bereich der Frontseite 5 des Halbleiterbauteils vor dem

Schmelzvorgang angeordnet werden.

Fig. 8 zeigt eine Ansicht der Anordnung der Fig. 7 von oben. Abhängig von der gewählten Ausführungsform können die Leiterbahnen 10, 11 in die Oberfläche 2 des Trägers 1 gesintert werden. Dazu kann die hohe Temperatur des Trägers 1 beim Um- schmelzen des Halbleiterbauteils 3 ausgenutzt werden. Abhängig von der gewählten Ausführungsform können bei dem beschriebenen Verfahren der Figuren 1 und 2 die elektrischen Kontaktpads 15, 16 aus elektrisch leitendem Material, insbe ^¬ sondere aus Metall und die Leiterbahnen 10, 11, die ebenfalls Metall aufweisen können, bereits auf dem Halbleiterbauteil 3 angeordnet sein, bevor das Halbleiterbauteil 3 in den Trä ^¬ ger 1 eingebracht und über wenigstens eine Schmelzfläche mit dem Träger 1 verbunden wird.

Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann gemäß einem weiteren Verfahren die Schmelzfläche zwischen dem Halbleiterbauteil 3 und dem Träger 1 mithilfe von Glasmaterial 17 her ^¬ gestellt werden, das zwischen das Halbleiterbauteil 3 und den Träger 1 vor dem Schmelzprozess eingebracht wird. Fig. 3 zeigt in einer schematischen Darstellung entsprechende Ver- fahrensschritte . In Fig. 9 ist ein Träger 1 aus einem Glasma ^¬ terial mit einer Ausnehmung 4 vorgesehen. In die Ausnehmung 4 ist wenigstens auf einer Fläche der Ausnehmung 4, insbesonde ^¬ re auf allen Flächen der Ausnehmung 4, Glasmaterial 17 ange- ordnet. Das Glasmaterial 17 kann in Form von Pulver oder Pas ^¬ te oder einer pastösen Flüssigkeit ausgebildet sein. Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann das Glasmaterial 17 die gleiche oder eine andere Zusammensetzung als das Glasma- terial des Trägers 1 aufweisen. Insbesondere kann das Glasma ^¬ terial 17 den gleichen oder einen anderen Brechungsindex als das Glasmaterial des Trägers 1 aufweisen. Auf diese Weise kann durch eine entsprechende Wahl des Glasmaterials 17 eine thermische, optische, chemische und/oder physikalische ver- besserte Kopplung zwischen dem Halbleiterbauteil 3 und dem Träger 1 erreicht werden. Zudem kann Konversionsmaterial 18 an die Flächen der Ausnehmung aufgebracht werden. Das Glasmaterial 17 kann mit dem Konversionsmaterial 18 gemischt sein. Das Halbleiterbauteil 3 wird, wie in Fig. 10 dargestellt ist, in die Ausnehmung 4 eingelegt und anschließend wird der Um- schmelzprozess ausgeführt. Dabei wird wenigstens das Glasma ^¬ terial 17 soweit erwärmt, dass eine Schmelzfläche am Halblei ^¬ terbauteil 3 und/oder am Träger 1 ausgebildet wird. Anschlie ^¬ ßend wird die Anordnung abgekühlt. Zudem kann auch der Träger 1 wenigstens angrenzend an die Ausnehmung 4 so hoch erwärmt werden, dass wenigstens Bereiche angrenzend an die Ausnehmung 4 verflüssigt werden und mit dem Glasmaterial 17 verschmel ^¬ zen . Wie in Fig. 11 dargestellt ist, können Kontaktpads 15, 16 und elektrische Leiterbahnen 10, 11 auf die Oberseite 12 des Halbleiterbauteils 3 und auf die Oberfläche 2 des Trägers 1 aufgebracht werden. Die Kontaktpads und/oder die Leitungsbah ^¬ nen können Metall aufweisen oder aus Metall gebildet sein. Dazu können Bedampfungsverfahren und Fotolithographieverfahren eingesetzt werden.

Fig. 12 zeigt in einer schematischen Darstellung eine Ansicht von oben auf die Anordnung der Fig. 11. Dabei kann eine Spie- gelschicht 13 zusätzlich auf die Oberfläche 2 des Trägers 1 und auf die Oberseite 12 des Halbleiterbauteils 3 aufgebracht werden . In der gleichen Weise wie das Glasmaterial 17 kann anstelle oder zusätzlich ein Konversionsmaterial 18 zwischen den Träger 1 und dem Halbleiterbauteil 3 eingebracht werden. Die Fi ^¬ guren 13 bis 15 zeigen ein entsprechendes Verfahren, bei dem an Flächen der Ausnehmung 4, insbesondere an einer Bodenfläche der Ausnehmung 4 ein Konversionsmaterial 18 angeordnet ist. Fig. 13 zeit den Verfahrensschritt, bei dem das Halblei ^¬ terbauteil 3 wird in die Ausnehmung 4 eingelegt wird, wobei zwischen dem Halbleiterbauteil 3 und dem Träger 1 Konversi- onsmaterial 18 insbesondere im Bereich der Frontseite 5 ange ^¬ ordnet ist. Zudem weist in dieser Ausführung das Halbleiterbauteil 3 Kontaktpads 15,16 mit Metall auf. Auch bei den an ^¬ deren Verfahren könnte das Halbleiterbauteil 3 vor dem

Schmelzvorgang Kontaktpads 15,16 aufweisen. Zudem könnte bei diesem Verfahren auch ein Halbleiterbauteil ohne Kontaktpads verwendet werden.

Anschließend wird, wie in Fig. 14 schematisch dargestellt ist, der Träger 1 so hoch erwärmt, dass das Konversionsmate- rial 18 in das Glasmaterial des Trägers 1 aufgenommen wird und zusätzlich eine Schmelzfläche aus dem Glasmaterial des Trägers 1 gemischt mit dem Konversionsmaterial 18 an Seiten ^¬ flächen des Halbleiterbauteils 3 ausgebildet wird. Fig. 15 zeigt in einer schematischen Ansicht von oben die Anordnung der Fig. 14, wobei das Halbleiterbauteil 3 über

Schmelzflächen sowohl an den Seitenflächen als auch an der Frontseite 5 mit dem Träger 1 verbunden ist. Zudem ist Konversionsmaterial 18 im Bereich der Schmelzfläche im Träger 1 ausgebildet. Vor dem Umschmelzen des Halbleiterbauteils 3 o- der nach dem Umschmelzen des Halbleiterbauteils 3 können Kontaktpads 15, 16 auf der Oberseite 12 des Halbleiterbauteils 3 aufgebracht werden. Zudem können elektrische Leiterbahnen 10, 11, die mit den Kontaktpads 15, 16 elektrisch leitend verbun- den sind, auf die Oberfläche 2 des Trägers 1 und auf die Oberseite 12 des Halbleiterbauteils 3 aufgebracht werden. Weiterhin kann eine Spiegelschicht 13 auf die Oberfläche 2 des Trägers 1 und auf die Oberseite 12 des Halbleiterbau ^¬ teils 3 aufgebracht werden.

Fig. 16 zeigt in einer schematischen Querschnittsdarstellung eine weitere Ausführungsform, bei der der Träger 1 eine durchgehende Ausnehmung 4 aufweist, in der das Halbleiterbau ^¬ teil 3 angeordnet ist. In dieser Ausführungsform ist das Halbleiterbauteil 3 nur mit wenigstens einer Seitenfläche über eine Schmelzfläche mit dem Träger 1 verbunden. Bei die- ser Ausführungsform ist eine Frontseite 5 des Halbleiterbau ^¬ teils 3 frei von der Schmelzfläche und frei von Material des Trägers 1. Auch bei dieser Ausführungsform kann die Schmelzfläche durch das Material des Trägers 1 erzeugt worden sein. Zudem kann aber auch Glasmaterial 17 zwischen wenigstens ei- ner Seitenfläche des Halbleiterbauteils 3 und den Flächen der Ausnehmung 4 des Trägers 1 angeordnet und zu einer Schmelz ^¬ fläche umgewandelt worden sein. Zudem können, wie in Fig. 17 dargestellt, auf dem Halbleiterbauteil 3 Kontaktpads 15, 16 und Leiterbahnen 10, 11 aufgebracht werden, die sich bis auf die Oberfläche 2 des Trägers 1 erstrecken.

Fig. 18 zeigt in einer schematischen Querschnittsdarstellung einen Teil eines Trägers 1 mit zwei Halbleiterbauteilen 3, die Kontaktpads 15, 16 aufweisen, und wobei die Kontaktpads 15, 16 mit Leiterbahnen 10, 11 verbunden sind, die bis auf die Oberfläche 2 des Trägers 1 geführt sind. Weiterhin ist eine Spiegelschicht 13 auf der Oberfläche 2 des Trägers 1 und auf der Oberseite 12 der Halbleiterbauteile 3 aufgebracht. Fig. 19 bis 21 zeigen Verfahrensschritte zum Herstellen eines Trägers 1 mit mehreren Halbleiterbauteilen, die anschließend vereinzelt werden. In Fig. 19 ist ein Teil eines Trägers 1 dargestellt. Der Träger 1 weist mehrere Halbleiterbauteile 3 auf, die über wenigstens eines der beschriebenen Verfahren mit einer Schmelzfläche aus Glas hergestellt wurden. Zwischen den Halbleiterbauteilen 3 sind Gräben 20 beispielsweise in Form von V-Gräben in die Oberfläche 2 des Trägers 1 einge ^¬ bracht. Anschließend werden auf die Oberfläche 2 des Trägers 1 Leiterbahnen 10, 11 und eine Spiegelschicht 13 aufgebracht. Dabei werden auch die Seitenflächen 21, 22 der Gräben 20 mit der Spiegelschicht 13 bedeckt. Dieser Verfahrensstand ist in Fig. 20 dargestellt.

Anschließend werden SMD-Kontakte 23, 24 auf die Leiterbah ^¬ nen 10, 11 der Halbleiterbauteile 3 aufgebracht, wie in Fig. 21 dargestellt. Die SMD-Kontakte werden beispielsweise mit- hilfe von Lot 29 über eine Lotverbindung mit den Kontaktpads 15,16 und/oder mit den Leiterbahnen 10,11 verbunden. Bei der Ausbildung der Lotverbindung wird Lotmaterial 29 seitlich über die SMD-Kontakte 23, 24 auf die geneigte Seitenfläche 21,22 gedrückt. Dabei kann über eine optische Kontrolle der Seitenflächen 21, 22 überprüft werden, ob Lotmaterial vorhan- den ist. Ist kein Lotmaterial vorhanden, so kann dies auf ei ^¬ ne fehlerhafte Lotverbindung zwischen dem Kontaktpad bzw. der Leiterbahn und dem SMD Kontakt hinweisen. Anstelle von SMD- Kontakten können auch andere Kontakte vorgesehen sein. Zudem können anstelle von SMD Kontakten auch elektronische Bauteile direkt mit dem Halbleiterbauteil verbunden werden.

In einer weiteren Ausführungsform, die schematisch in Fig. 22 dargestellt ist, kann der Träger 1 zusätzlich Kontaktstif ^¬ te 25, 26 aufweisen. Die Kontaktstifte 25, 26 können bei- spielsweise während des Umschmelzprozesses in den weichen Träger 1 eingesteckt werden. In der dargestellten Ausführungsform ragen die Kontaktstifte 25, 26 aus einer Vordersei ^¬ te 27 des Trägers 1 heraus. Die Kontaktstifte 25, 26 können aus einem elektrisch leitenden Material, beispielsweise Me- tall, gebildet sein und in einem Endbereich an die Leiterbahnen 10, 11 angrenzen und mit den Leiterbahnen 10, 11

elektrisch kontaktiert sein. Somit können die Kontaktstif ^¬ te 25, 26 zur Montage des Trägers 1 und gleichzeitig zur elektrischen Kontaktierung der Leiterbahnen und damit der Halbleiterbauteile 3 verwendet werden. Abhängig von der ge ^¬ wählten Ausführungsform können die Kontaktstifte 25, 26 auch aus der Oberfläche 2 des Trägers 1 herausragen. Der Träger 1 besteht beispielsweise aus einem niedrigschmel ^¬ zenden Glas, das bereits bei einer Temperatur von 300 °C eine entsprechende Viskosität aufweist, um eine Schmelzfläche zwi ^¬ schen dem Träger 1 und dem Halbleiterbauteil 3 auszubilden.

Fig. 23 zeigt in einer schematischen Ansicht von oben einen Träger 1, in den eine Vielzahl von Halbleiterbauteilen 3 gemäß einem der vorab beschriebenen Verfahren eingebracht wurde. Die Halbleiterbauteile 3 sind wenigstens über eine

Schmelzfläche aus einem Glasmaterial mit dem Träger 3 mecha ^¬ nisch verbunden. Bei der gewählten Darstellung wurden Kon- taktpads und Leiterbahnen nicht dargestellt. Der Träger 1 kann in Untereinheiten mit wenigstens einem oder mehreren Halbleiterbauteilen vereinzelt werden.

Fig. 24 zeigt einen schematischen Querschnitt durch eine Anordnung, bei der zwei Träger 1, die beispielsweise gemäß Fi ^¬ gur 23 ausgebildet sind und gemäß einem der vorhergehenden Verfahren hergestellt wurde, übereinander angeordnet sind. Jeder Träger 1 weist mehrere Halbleiterbauelemente, insbeson ^¬ dere Leuchtchips, auf. In einem unteren Träger 1 sind drei Halbleiterbauelemente 3 in Form von Leuchtchips in einer Rei ^¬ he angeordnet. In dem oberen Träger 1 sind zwei Halbleiterbauteile 3 in einer Reihe angeordnet. Sowohl der obere als auch der untere Träger kann mehrere Reihen von Halbleiterbau ^¬ teilen aufweisen. Sowohl die Leuchtchips 3 des oberen Trägers 1 als auch die Leuchtchips 3 des unteren Trägers 1 sind in der Weise angeordnet, dass sie eine gemeinsame Abstrahlrich ^¬ tung 9 nach unten aufweisen. Mithilfe dieser Anordnung kann eine hohe Leuchtdichte bei einer geringen flächigen Ausbil ^¬ dung der Anordnung erreicht werden. Abhängig von der gewählten Ausführungsform können in jedem der zwei Träger nur ein Halbleiterbauteil oder mehrere Halbleiterbauteile 3, insbe ^¬ sondere Leuchtchips, angeordnet sein. Zudem können auch mehr als ein Träger übereinander angeordnet sein. Zudem können die Leuchtchips aus einem für die abgegebene elektromagnetische Strahlung durchlässigen Material bestehen, insbesondere können die Leuchtchips auf Saphirbasis gebildet sein. In der Darstellung der Fig. 24 sind einzelne Details wie die Anord ^¬ nung der Leiterbahnen, die Anordnung von Konversionsmaterial usw. nicht explizit dargestellt. Die Träger 1 können gemäß einem der vorab beschriebenen Verfahren hergestellt worden sein.

Ein Halbleiterbauteil 3 kann beispielsweise in Form einer Lu- miniszenzdiode ausgebildet sein und einen Saphirträger mit einer AlGaNIn-Epitaxieschicht aufweisen. Mithilfe der be- schriebenen Verfahren kann auf organische Verbindungsmateria ^¬ lien verzichtet werden und die Halbleiterbauteile können in eine anorganische Glasmatrix eingebettet sein.

Mithilfe der beschriebenen Verfahren sind die Halbleiterbau- teile wenigstens teilweise in Glas eingeschmolzen, wobei die aktive Schicht, insbesondere die Halbleiterepitaxieschicht frei zugänglich ist und weiter bearbeitet werden kann. Somit können nachträglich Strukturen, Kontaktflächen, Umverdrah- tungsschichten und/oder Spiegelflächen auf den Träger

und/oder auf das Halbleiterbauteil 3 aufgebracht werden.

Somit kann als Zwischenstufe ein Nutzen, d.h. ein Träger mit einer Vielzahl von in Glas eingebetteten Halbleiterbauteilen, insbesondere Lumineszenzdioden hergestellt werden. Dabei liegt die Kontaktseite der Halbleiterbauteile offen und ist frei zugänglich. Weiterhin können die feinen und kaum wahrnehmbaren elektrischen Leiterbahnen 10, 11 beispielsweise durch Siebdruckverfahren anschließend auf die Halbleiterbau ^¬ teile und auf die Oberseite des Trägers aufgebracht werden.

In einer ersten Verfahrensvariante, die besonders hohe Tempe ^¬ raturen, beispielsweise über 800 °C, zum Austreiben von

Stickstoff beim Umschmelzen des Halbleiterbauteils erlaubt, sind die in den Träger eingebetteten Halbleiterbauteile frei von metallischen Kontaktschichten und/oder Spiegelschichten und/oder Leitungsbahnen. In einer weiteren Verfahrensvariante, die ein Einschmelzen des Halbleiterbauteils mit geringe ^¬ ren Temperaturen ermöglicht, werden beispielsweise fertig konfektionierte Halbleiterbauteile, insbesondere Leuchtchips, das heißt insbesondere Lumineszenzdioden, mit metallischen Kontaktflächen, Spiegelflächen und Leiterbahnen in den Träger wenigstens teilweise eingeschmolzen.

Konfektionierte Leuchtdioden werden mit metallischen Kontaktflächen, Spiegelflächen und Umverdrahtungsschichten in den Träger eingebettet. Alternativ kann ein Träger erzeugt werden, der die Halbleiterbauteile nur seitlich einfasst und de- ren Kontaktseite und deren gegenüberliegende Frontseite offen zugänglich bleiben.

Das Einbetten erfolgt anorganisch entweder durch Erwärmen des Trägers oder durch Aufschmelzen eines Glasmaterials, das zwi- sehen dem Träger und dem Halbleiterbauteil angeordnet ist.

Das Glasmaterial kann mit einem Leuchtstoff durchmischt sein. Alternativ kann Leuchtstoff in die Ausnehmung des Trägers o- der auf den Träger aufgebracht werden und in die Schmelzflä ^¬ che miteingeschmolzen werden. Zudem können abhängig von der gewählten Ausführungsform nicht nur ein Halbleiterbauteil, sondern mehrere optoelektronische Halbleiterbauteile, insbe ^¬ sondere Leuchtchips, in eine Ausnehmung 4 des Trägers 1 ein ^¬ gebettet und mit Schmelzflächen mit dem Träger 1 verbunden werden .

Beispielsweise können die optoelektronischen Halbleiterbau ^¬ teile in Form von Leuchtchips, insbesondere in Form von

Leuchtdioden mit unterschiedlichen Wellenlängen der emittierten elektromagnetischen Strahlung ausgebildet sein. Bei- spielsweise können drei Leuchtdioden in einer Ausnehmung 4 angeordnet sein, wobei eine erste Leuchtdiode rotes Licht, eine zweite Leuchtdiode grünes Licht und eine dritte Leucht ^¬ diode blaues Licht emittiert. Eine entsprechende Anordnung ist schematisch in Fig. 25 dargestellt. Der Träger 1 kann sowohl im Bereich der Ausnehmung 4 als auch auf einer Abstrahlseite optische Strukturen 28 aufweisen, die eine Führung der elektromagnetischen Strahlung ermöglichen. Die optischen Strukturen können in Form von konkaven und/oder konvexen Flächen ausgebildet sein. Zudem können die optischen Strukturen in Form von Linsen oder Reflektoren oder Spiegel ausgebildet sein. Die optischen Strukturen 28 können auch ausgebildet sein, um eine Mischung, d.h. eine Streuung der verschieden-farbigen elektromagnetischen Strahlungen der Halbleiterbauteile zu ermöglichen. Somit kann das Licht der drei unterschiedlichen Leuchtdioden als homogene Lichtquelle erscheinen.

Der oder die Träger 1 können in Form von planen Platten oder in Form von gebogenen Platten oder in Form von Platten mehreren in der Höhe versetzten Flächen ausgebildet sein. Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann das Einschmelzen der Halbleiterbauteile beim Glasziehverfahren in flüssigem Zustand des Trägers beispielsweise auf einem Zinn ^¬ bad erfolgen. Bei der Anordnung der Fig. 23 können die Halbleiterbauteile 3 der zwei Träger 1 Leuchtdioden aufweisen, die elektromagnetische Strahlung mit verschiedenen Wellenlängen emittieren. Somit können rotes, grünes und blaues Licht auch bei dieser An ^¬ ordnung gut gemischt werden und ein homogenes Licht erzeugt werden. Weiterhin kann bei der Stapelanordnung der Fig. 24 erreicht werden, dass die Leiterbahnen oder die Halbleiterbauteile selbst weniger sichtbar sind.

Zudem kann abhängig von der gewählten Ausführungsform der Träger 1 bereits Farbpartikel aufweisen und somit farbig und/oder schwarz gefärbt sein.

Durch die vorgeschlagenen Verfahren und Anordnungen wird eine strahlungsstabile Einbettung der Halbleiterbauteile in eine Glasmatrix ermöglicht. Die Auskopplung der elektromagneti ^¬ schen Strahlung beispielsweise bei der Ausbildung der optoelektronischen Halbleiterbauteile als Leuchtchips erfolgt da ^¬ bei direkt in Glas. Der Brechungsindex des Glasmaterials des Trägers kann dabei auf das Material des Halbleiterbauteils angepasst sein oder zumindest an den Brechungsindex des Halb ^¬ leiterbauteils angenähert sein. Weiterhin kann der Träger di ^¬ rekt als Lichtleiter zum Beispiel für eine Hintergrundbe- leuchtung oder ähnliches wie beispielsweise bei einem Mobil ^¬ telefon eingesetzt werden. Weiterhin wird aufgrund der Einbettung in den Träger aus einem Glasmaterial eine erhöhte thermische Leitfähigkeit bereitgestellt, so dass gegenüber der Verwendung von organischen Einbettmassen eine verbesserte Kühlung der Halbleiterbauteile erreicht werden kann.

Der Träger aus Glasmaterial kann mehrere Funktionen inneha ^¬ ben: mechanischer Leuchten- und Lampenträger, der beispielsweise auch mit einem SMD-Bauteil bestückt werden kann; Wärme- senke mit rückseitigen Metallbahnen als Spiegelflächen und zur Verbesserung der Wärmespreizung; Lichtverteilungs- und Lichtformungselemente (seitliche Lichtleiter, Diffusorober- fläche, (TIR) -Prismenoberfläche) ; Auskoppelelement (Prismen, Linsen usw.); Packaging-Material für Halbleiterbauteile, ins- besondere für Leuchtchips, insbesondere Leuchtdioden und Kon ^¬ verter; Plattform für elektrische Zuführungen; Designelement.

Die Ausbildung der Ausnehmungen 4 kann beispielsweise mithil- fe von Ätzverfahren, Tiefziehverfahren, Heißpressen, Heißprä- gen, Fräsen, Bohren oder Schleifen hergestellt werden. Abhängig von der gewählten Ausführungsform können SMD-Komponenten, wie beispielsweise Treiber und/oder Sensoren, auf die Träger und insbesondere auf die Halbleiterbauteile über entsprechen ^¬ de Kontaktierungen aufgebracht werden.

Als Glasmaterial für den Träger können verschiedenste Glasma ^¬ terialien verwendet werden. Gemäß zumindest einer Ausführungsform kann als Glasmaterial ein bei niedriger Temperatur schmelzendes Glas verwendet werden. Beispielsweise ist das niedrig schmelzende Glas ein Silikatglas, ein Boratglas oder ein Phosphatglas. Das Silikatglas enthält als Hauptbestand ^¬ teil Si02, das Boratglas enthält als Hauptbestandteil B203 und das Phosphatglas enthält als Hauptbestandteil P205. Das Silikatglas kann weitere Metalloxide wie B203, P205, Na20, K20 und/oder AgO enthalten, das Boratglas kann weitere Me ^¬ talloxide wie Si02, P205, Na20, K20, PbO und AgO enthalten und das Phosphatglas kann weitere Metalloxide wie B203, Si02, Na20, K20 und/oder AgO enthalten. Ein Anteil an AgO liegt zum Beispiel bei mindestens 20 Gewichts-% oder 40 Gewichts-%. Beispielsweise kann ein anorganisches Glas wie z.B. ein Kalk- Natronglas. Zudem können als Glasmaterial auch Gläser verwendet werden, die bei einer hohen Temperatur schmelzen. Weiter- hin können auch Glasmischungen als Glasmaterial verwendet werden. Zudem kann auch Glasmaterial in Form einer Glasfritte verwendet werden, in die ein weiteres Glasmaterial infil ^¬ triert ist. Obwohl die Erfindung im Detail durch das bevorzugte Ausführungsbeispiel näher illustriert und beschrieben wurde, so ist die Erfindung nicht durch die offenbarten Beispiele einge ^¬ schränkt und andere Variationen können vom Fachmann hieraus abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen.

BEZUGSZEICHENLISTE

1 Träger

2 Oberfläche

3 Halbleiterbauteil

4 Ausnehmung

5 Frontseite

6 erste Seitenfläche

7 zweite Seitenfläche

8 dritte Seitenfläche

9 Abstrahlrichtung

10 erste Leiterbahn

11 zweite Leiterbahn

12 Oberseite

13 Spiegelschicht

14 aktive Zone

15 erstes Kontaktpad

16 zweites Kontaktpad

17 Glasmaterial

18 Konversionsmaterial

19 Bodenfläche

20 Graben

21 erste Seitenfläche

22 zweite Seitenfläche

23 erster SMD-Kontakt

24 zweiter SMD-Kontakt

25 erster Kontaktstift

26 zweiter Kontaktstift

27 Vorderseite

28 optische Struktur

29 Substrat