以下、本発明について実施形態及び例示� ��等を示して詳細に説明するが、本発明は以� ��の実施形態及び例示物等に限定されるもの� ��はなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲に� ��いて任意に変更して実施できる。

[I.色素]
 本発明の色素は、少なくとも、下記式[I]で� ��されるアゾ化合物(以下、適宜「本発明に係 るアゾ化合物」ということがある。)が金属� �オンに配位してなるアゾ金属キレート化合� �である。即ち、少なくとも本発明に係るア� �化合物に対応した配位子と金属イオンとを� �するアゾ金属キレート化合物である。また� �本発明の色素は、波長380nm以上430nm以下の青� ��光領域に適度の吸収を有し、青色レーザー� ��による記録に適する色素化合物である。

 式[I]中、環Aは、炭素原子及び窒素原子を有 して形成される含窒素複素芳香環を表す。X� �、C-R ¹ R ² 、酸素原子、硫黄原子、及びN-R ³ からなる群より選ばれるいずれかを表す。な お、R ¹ 、R ² 及びR ³ は、それぞれ独立に、水素原子、置換されて いてもよい直鎖又は分岐のアルキル基、置換 されていてもよいアラルキル基、置換されて いてもよいシクロアルキル基、置換されてい てもよい直鎖又は分岐のアルケニル基、置換 されていてもよいアリール基、並びに、-COR ⁴ で表されるアシル基からなる群より選ばれる いずれかを表す。また、R ⁴ は置換されていてもよい炭化水素基又は複素 環基を表す。ベンゼン環Bは、置換基を有し� �いてもよいベンゼン環を表す。なお、ベン� �ン環Bの置換基は、隣接する置換基同士で互� ��に結合して環を形成してもよい。

[I-1.アゾ化合物]
 本発明の色素において配位子となるアゾ化� ��物は、前記式[I]で示されるものである。本� ��明に係るアゾ化合物では、式[I]において、� ��ゾ基(-N=N-)の左側の複素芳香環はジアゾ成分 と呼ばれ、右側の構造はカップラー成分と呼 ばれる。これらの構造はケト-エノールの互� �異性構造をとり、式[I]の構造では下記式の� �うな構造をとりうる。ただし、本発明に係� �アゾ化合物は金属イオンと錯体を形成する� �には、エノールの水素原子が外れて-O ^- の形で配位する。即ち、式[II]で表される配� �子となって配位することになる。そこで、� �明細書においてはエノール型で統一して表� �する。

(式[II]において、環A、X及びベンゼン環Bは式[ I]と同様のものを表す。)

 〔X〕
 前記式[I]において、Xは2価の基を表し、具� �的には、C-R ¹ R ² 、酸素原子、硫黄原子、及びN-R ³ からなる群より選ばれるいずれかを表す。な お、C-R ¹ R ² 及びN-R ³ は結合手を描画して示すと以下の構造となっ ている。

 ここで、R ¹ 、R ² 及びR ³ は、それぞれ独立に、水素原子、直鎖又は分 岐のアルキル基、アラルキル基、シクロアル キル基、直鎖又は分岐のアルケニル基、アリ ール基、並びに-COR ⁴ で表されるアシル基からなる群より選ばれる いずれかを表す。

 R ¹ 、R ² 又はR ³ が直鎖又は分岐のアルキル基である場合、当 該アルキル基の炭素数は、通常1以上であり� �通常12以下、好ましくは8以下である。アル� �ル基の炭素数が大きすぎると単位重量あた� �の吸光度が小さくなり、記録特性が悪化す� �場合がある。なお、溶媒への溶解度を向上� �せたい場合には大きくすればよい。
 アルキル基の例としては、メチル基、エチ� ��基、n-ブチル基、イソプロピル基、イソブ� �ル基、2-エチルヘキシル基などが挙げられる 。

 R ¹ 、R ² 又はR ³ がアラルキル基である場合、当該アラルキル 基の炭素数は、通常7以上であり、通常18以下 、好ましくは12以下である。アラルキル基の� ��素数が大きすぎると単位重量あたりの吸光� ��が小さくなり、記録特性が悪化する場合が� ��る。
 アラルキル基の例としては、ベンジル基、� ��ェネチル基、α-メチルベンジル基などが挙� ��られる。

 R ¹ 、R ² 又はR ³ がシクロアルキル基である場合、当該シクロ アルキル基の炭素数は、通常3以上、好まし� �は5以上であり、通常8以下、好ましくは6以� �である。シクロアルキル基の炭素数が大き� �ぎると単位重量あたりの吸光度が小さくな� �、記録特性が悪化する場合がある。
 シクロアルキル基の例としては、シクロプ� ��ピル基、シクロブチル基、シクロペンチル� ��、シクロヘキシル基などが挙げられる。

 R ¹ 、R ² 又はR ³ が直鎖又は分岐のアルケニル基である場合、 当該アルケニル基の炭素数は、通常2以上で� �り、通常12以下、好ましくは8以下である。� �ルケニル基の炭素数が大きすぎると単位重� �あたりの吸光度が小さくなり、記録特性が� �化する場合がある。
 アルケニル基の例としては、ビニル基、1-� �ロペニル基、アリル基、2-ブテニル基などが 挙げられる。

 R ¹ 、R ² 又はR ³ がアリール基である場合、当該アリール基の 炭素数は、通常6以上であり、通常18以下、好 ましくは12以下である。アリール基の炭素数� ��大きすぎると単位重量あたりの吸光度が小� ��くなり、記録特性が悪化する場合がある。
 アリール基の例としては、フェニル基、ト� ��ル基、メシチル基、ナフチル基などが挙げ� ��れる。

 R ¹ 、R ² 又はR ³ が-COR ⁴ で表されるアシル基である場合、R ⁴ は、炭化水素基又は複素環基を表す。
 R ⁴ が炭化水素基である場合、その例としては、
メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロ ピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチ� ��基、n-へプチル基等の、炭素数が通常1以上� ��また、通常12以下、好ましくは8以下の、直� ��又は分岐のアルキル基;
シクロプロピル基、シクロペンチル基、シク ロヘキシル基等の、炭素数が通常3以上、好� �しくは5以上、また、通常8以下、好ましくは 6以下の環状アルキル基;
ビニル基、プロペニル基、ヘキセニル基等の 、炭素数が通常2以上、また、通常12以下、好 ましくは8以下の、直鎖又は分岐のアルケニ� �基;
シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等 の、炭素数が通常3以上、また、通常18以下の 環状アルケニル基;
ベンジル基、フェネチル基等の、炭素数が通 常7以上、また、通常18以下、好ましくは12以� ��のアラルキル基;
フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチ ル基等の、炭素数が通常6以上、また、通常18 以下、好ましくは12以下のアリール基;
などが挙げられる。

 一方、R ⁴ が複素環基である場合、その複素環基が有す るヘテロ原子の数は1個でもよく、2個以上で� ��よい。
 複素環として好ましい構造を挙げると、5~6� ��環の飽和複素環;5~6員環の単環及びその2縮� �環の芳香族複素環である。
 複素環基の例を挙げると、4-ピペリジル基� �モルホリノ基、2-モルホリニル基、ピペラジ ル基等の飽和複素環基;2-フリル基、2-ピリジ� ��基、2-チアゾリル基、2-キノリル基等の芳香 族複素環基などが挙げられる。

 -COR ⁴ で表されるアシル基の好適な例を挙げると、 以下のものが挙げられる。

 また、R ¹ 、R ² 、R ³ 、及びR ⁴ は置換基を有していてもよい。即ち、R ¹ 、R ² 及びR ³ を構成する、直鎖又は分岐のアルキル基、ア ラルキル基、シクロアルキル基、直鎖又は分 岐のアルケニル基、アリール基、並びに、R ⁴ を構成する炭化水素基及び複素環基は、本発 明の効果を著しく損なわない限り、置換され ていてもよい。特に、R ¹ 、R ² 、R ³ 、及びR ⁴ が示すアルキル基のアルキル鎖部分は通常は 置換基を有していてもよい。この際、置換基 は1個であってもよく、2個以上であってもよ� ��。また2個以上の置換基を有する場合、置換 基の種類は1種であってもよく、2種以上が任� ��の組み合わせ及び比率で置換していてもよ� ��。さらに、置換基の置換位置も任意である� ��

 前記置換基の例を挙げると、
メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、� ��ソプロポキシ基、n-ブトキシ基、sec-ブトキ� ��基、tert-ブトキシ基等の炭素数1以上10以下� �アルコキシ基;
メトキシメトキシ基、エトキシメトキシ基、 プロポキシメトキシ基、エトキシエトキシ基 、プロポキシエトキシ基、メトキシブトキシ 基等の炭素数2以上12以下のアルコキシアルコ キシ基;
メトキシメトキシメトキシ基、メトキシメト キシエトキシ基、メトキシエトキシメトキシ 基、メトキシメトキシエトキシ基、エトキシ エトキシメトキシ基等の炭素数3以上15以下の アルコキシアルコキシアルコキシ基;
フェノキシ基、トリルオキシ基、キシリルオ キシ基、ナフチルオキシ基等の炭素数6以上12 以下のアリールオキシ基;
アリルオキシ基、ビニルオキシ基等の炭素数 2以上12以下のアルケニルオキシ基;
2-チエニル基、2-ピリジル基、4-ピペリジル基 、モルホリノ基等の複素環基;
シアノ基;
ニトロ基;
ヒドロキシル基;
メルカプト基;
メチルメルカプト基、エチルメルカプト基等 のアルキルチオ基;
アミノ基、N,N-ジメチルアミノ基、N,N-ジエチ� ��アミノ基等の炭素数1以上10以下のアルキル� ��ミノ基;
メチルスルホニルアミノ基、エチルスルホニ ルアミノ基、n-プロピルスルホニルアミノ基� ��の炭素数1以上6以下のアルキルスルホニル� �ミノ基;
フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲ ン原子(即ち、ハロゲン基);
メチルカロボニル基、エチルカルボニル基、 イソプロピルカルボニル基等のアルキルカル ボニル基;
メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル 基、n-プロポキシカルボニル基、イソプロポ� ��シカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基� �の炭素数2以上7以下のアルコキシカルボニル 基;
メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニ ルオキシ基、n-プロピルカルボニルオキシ基� ��イソプロピルカルボニルオキシ基、n-ブチ� �カルボニルオキシ基等の炭素数2以上7以下の アルキルカルボニルオキシ基;
メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカル ボニルオキシ基、n-プロポキシカルボニルオ� ��シ基、イソプロポキシカルボニルオキシ基� ��n-ブトキシカルボニルオキシ基等の炭素数2� ��上7以下のアルコキシカルボニルオキシ基;
トリメチルシリル基、トリエチルシリル基等 のトリアルキルシリル基;
などが挙げられる。

 なお、R ¹ 、R ² 、R ³ 、及びR ⁴ が有する置換基は、更に置換基を有していて もよい。この際、更に有する置換基は1個で� �ってもよく、2個以上であってもよい。また2 個以上の置換基を更に有する場合、更に有す る置換基の種類は1種であってもよく、2種以� ��が任意の組み合わせ及び比率で置換してい� ��もよい。さらに、更に有する置換基の置換� ��置も任意である。その例としては、上述し� ��R ¹ 、R ² 、R ³ 及びR ⁴ が有する置換基と同様のものが挙げられる。

 R ¹ 、R ² 及びR ³ のうち好適な例としては、それぞれ独立に、 水素原子、炭素数1以上12以下の直鎖又は分岐 のアルキル基、炭素数7以上18以下のアラルキ ル基、炭素数3以上8以下のシクロアルキル基� ��炭素数2以上12以下の直鎖又は分岐のアルケ� ��ル基、炭素数6以上18以下のアリール基、並� ��に、-COR ⁴ で表されるアシル基(ただし、R ⁴ が炭素数1以上12以下の直鎖又は分岐のアルキ ル基、炭素数7以上18以下のアラルキル基、及 び炭素数6以上18以下のアリール基からなる群 より選ばれるいずれかを表す)からなる群よ� �選ばれるいずれかであることが好ましい。� �れらの置換基の化合物は、出発原料の入手� �容易で、結晶性の良い中間体経由で合成で� �、これらの置換基の化合物自体の結晶性も� �いことから、合成が容易だからである。
 さらにその中でも、R ¹ 、R ² 及びR ³ は、炭素数1以上8以下の直鎖又は分岐のアル� ��ル基、炭素数7以上12以下のアラルキル基、� ��びに、炭素数2以上8以下の直鎖又は分岐の� �ルケニル基からなる群より選ばれるいずれ� �であることがより好ましい。単位重量あた� �の吸光度の増大させられるためである。

 上述したものの中でも、Xとしては、C-R ¹ R ² 、酸素原子、及び、N-R ³ からなる群より選ばれるいずれかが好ましい 。さらにその中でも、N-R ³ がより好ましい。合成上色々な種類のR ³ の導入が容易で、R ³ の種類を選択して溶解性など性能を調整する ことができるためである。

 〔環A〕
 前記式[I]において、環Aは、炭素原子及び窒 素原子を有して形成される含窒素複素芳香環 を表す。
 環Aの構造は、配位可能な位置に窒素原子を 有していれば単環でもよく、縮合環でも良い 。縮合環である場合における縮合する環の数 に制限はないが、通常2以上であり、また、� �常3以下である。ただし、単環が特に好まし� ��。

 環Aの例を挙げると、以下のようなものが 挙げられる。

 前記の例示において、D ¹ ~D ⁹ はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数1以上6� ��下の直鎖又は分岐のアルキル基、炭素数3以 上8以下の環状アルキル基、炭素数7以上18以� �のアラルキル基、炭素数2以上6以下の直鎖又 は分岐のアルケニル基、並びに、-COR ⁴ で表されるアシル基からなる群より選ばれる いずれかを表す。

 中でも、環Aとしては、吸収波長及び溶解性 の点から5~6員環の単環または2縮合環の含窒� �複素芳香環であることが好ましい。このよ� �な環Aの例を挙げると、イソキサゾール環、� ��リアゾール環、ピラゾール環、ピリジン環� ��ピリミジン環、イミダゾール環、チアゾー� ��環、オキサゾール環、オキサジアゾール環� ��チアジアゾール環、イソチアゾール環、ベ� ��ゾチアゾール環、ベンズイソキサゾール環� ��ベンズオキサゾール環、ベンズイミダゾー� ��環などが挙げられる。
 中でも、試薬の入手しやすさや反応性を考� ��すると、イソキサゾール環、トリアゾール� ��、ピラゾール環、チアジアゾール環、ピリ� ��ン環、ピリミジン環、イミダゾール環、チ� ��ゾール環、ベンズイソキサゾール環が好ま� ��く、トリアゾール環が特に好ましい。

 また、環Aは本発明の効果を著しく損なわ ない限り任意の置換基を有していてもよい。 この際、置換基は1個であってもよく、2個以� ��であってもよい。また2個以上の置換基を有 する場合、置換基の種類は1種であってもよ� �、2種以上が任意の組み合わせ及び比率で置� ��していてもよい。さらに、置換基の置換位� ��も任意である。

 これらの置換基の例としては、
メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロ ピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチ� ��基、n-へプチル基等の、置換されてもよい� �炭素数が通常1以上、また、通常12以下、好� �しくは8以下の、直鎖又は分岐のアルキル基;
シクロプロピル基、シクロペンチル基、シク ロヘキシル基、アダマンチル基等の、置換さ れていてもよい、炭素数が通常3以上、好ま� �くは5以上、また、通常8以下、好ましくは6� �下の環状アルキル基;
ビニル基、プロペニル基、ヘキセニル基等の 、置換されていてもよい、炭素数が通常2以� �、また、通常12以下、好ましくは8以下の、� �鎖又は分岐のアルケニル基;
シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等 の、置換されていてもよい、炭素数が通常3� �上、また、通常18以下の環状アルケニル基;
ベンジル基、フェネチル基等の、置換されて いてもよい、炭素数が通常7以上、また、通� �18以下、好ましくは12以下のアラルキル基;
メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、� ��ソプロポキシ基、n-ブトキシ基、sec-ブトキ� ��基、tert-ブトキシ基等の、置換されていて� �よい、炭素数が通常1以上、また、通常18以� �、好ましくは12以下、より好ましくは6以下� �、直鎖又は分岐のアルコキシ基;
メチルチオ基、エチルチオ基、n-プロピルチ� ��基、n-ブチルチオ基、sec-ブチルチオ基、tert -ブチルチオ基等の、置換されていてもよい� �炭素数が通常1以上、また、通常18以下、好� �しくは12以下、より好ましくは6以下の、直� �又は分岐のアルキルチオ基;
プロペニルオキシ基、ブテニルオキシ基、ペ ンテニルオキシ基等の、置換されていてもよ い、炭素数が通常3以上、また、通常18以下の 、直鎖又は分岐のアルケニルオキシ基;フェ� �ル基、トリル基、キシリル基、メシチル基� �ナフチル基等の、置換されていてもよい、� �素数が通常6以上、また、通常18以下、好ま� �くは12以下のアリール基;
2-チエニル基、2-ピリジル基、4-ピペリジル基 、モルホリノ基等の、置換されていてもよい 、飽和または不飽和の複素環基;
フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲ ン原子;
ニトロ基;
シアノ基;
メルカプト基;
ヒドロキシ基;
ホルミル基;
-COR ⁴ で表されるアシル基;
-NR ⁵ R ⁶ で表されるアミノ基;
-NHCOR ⁷ で表されるアシルアミノ基;
-NHCOOR ⁸ で表されるカーバメート基;
-COOR ⁹ で表されるカルボン酸エステル基;
-OCOR ¹⁰ で表されるアシルオキシ基;
-CONR ¹¹ R ¹² で表されるカルバモイル基;
-SO ₂ R ¹³ で表されるスルホニル基;
-SOR ¹⁴ で表されるスルフィニル基;
-SO ₂ NR ¹⁵ R ¹⁶ で表されるスルファモイル基;
-SO ₃ R ¹⁷ で表されるスルホン酸エステル基;
-NHSO ₂ R ¹⁸ で表されるスルホンアミド基;
などが挙げられる。

 ここでR ⁷ 、R ⁸ 、R ⁹ 、R ¹⁰ 、R ¹³ 、R ¹⁴ 、R ¹⁷ 、及びR ¹⁸ は、それぞれ独立に、R ⁴ と同様に、炭化水素基又は複素環基を表す。  なお、ここで炭化水素基及び複素環基は、R ⁴ と同様のものが挙げられる。
 また、R ⁵ 、R ⁶ 、R ¹¹ 、R ¹² 、R ¹⁵ 、及びR ¹⁶ は、それぞれ独立に、水素原子、炭化水素基 及び複素環基のいずれかを表す。なお、ここ で炭化水素基及び複素環基はR ⁴ と同様のものを表す。
 さらに、R ⁵ 、R ⁶ 、R ⁷ 、R ⁸ 、R ⁹ 、R ¹⁰ 、R ¹¹ 、R ¹² 、R ¹³ 、R ¹⁴ 、R ¹⁵ 、R ¹⁶ 、R ¹⁷ 、及びR ¹⁸ は、上述したR ¹ 、R ² 、R ³ 及びR ⁴ と同様に置換基を有していてもよい。

 具体例を挙げると、-NR ⁵ R ⁶ で表されるアミノ基としては、以下のものが 挙げられる。

 -NHCOR ⁷ で表されるアシルアミノ基としては、以下の ものが挙げられる。 

 -NHCOOR ⁸ で表されるカーバメート基としては、以下の ものが挙げられる。 

 -COOR ⁹ で表されるカルボン酸エステル基としては、 以下のものが挙げられる。

 -OCOR ¹⁰ で表されるアシルオキシ基としては、以下の ものが挙げられる。

 -CONR ¹¹ R ¹² で表されるカルバモイル基としては、以下の ものが挙げられる。

 -SO ₂ R ¹³ で表されるスルホニル基としては、以下のも のが挙げられる。

 -SOR ¹⁴ で表されるスルフィニル基としては、以下の ものが挙げられる。

 -SO ₂ NR ¹⁵ R ¹⁶ で表されるスルファモイル基としては、以下 のものが挙げられる。

 -SO ₃ R ¹⁷ で表されるスルホン酸エステル基としては、 以下のものが挙げられる。

 -NHSO ₂ R ¹⁸ で表されるスルホンアミド基としては、以下 のものが挙げられる。

 環Aが有する置換基の中でも好ましいものを 挙げると、合成の容易さ及び塗布溶媒への溶 解性などの点から、直鎖又は分岐のアルキル 基、環状アルキル基、直鎖又は分岐のアルケ ニル基、アラルキル基、直鎖又は分岐のアル コキシ基、直鎖又は分岐のアルキルチオ基、 アリール基、飽和又は不飽和の5~6員環の複素 環基、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、 メルカプト基、ヒドロキシ基、ホルミル基、 -COR ⁴ で表されるアシル基、-NR ⁵ R ⁶ で表されるアミノ基、-NHCOR ⁷ で表されるアシルアミノ基、-NHCOOR ⁸ で表されるカーバメート基、-COOR ⁹ で表されるカルボン酸エステル基、-OCOR ¹⁰ で表されるアシルオキシ基、-CONR ¹¹ R ¹² で表されるカルバモイル基、-SO ₂ R ¹³ で表されるスルホニル基、-SOR ¹⁴ で表されるスルフィニル基、-SO ₂ NR ¹⁵ R ¹⁶ で表されるスルファモイル基、-SO ₃ R ¹⁷ で表されるスルホン酸エステル基、-NHSO ₂ R ¹⁸ で表されるスルホンアミド基などが挙げられ る。

 これらの中でも特に好ましいものとしては� ��直鎖又は分岐のアルキル基、環状アルキル� ��、直鎖又は分岐のアルケニル基、アラルキ� ��基、直鎖又は分岐のアルコキシ基、直鎖又� ��分岐のアルキルチオ基、アリール基、飽和� ��は不飽和の5~6員環の複素環基、ハロゲン原� ��、ニトロ基、シアノ基、メルカプト基、ヒ� ��ロキシ基、ホルミル基、-COR ⁴ で表されるアシル基、-NR ⁵ R ⁶ で表されるアミノ基、-NHCOR ⁷ で表されるアシルアミノ基、-COOR ⁹ で表されるカルボン酸エステル基、-OCOR ¹⁰ で表されるアシルオキシ基、-CONR ¹¹ R ¹² で表されるカルバモイル基、-SO ₂ R ¹³ で表されるスルホニル基、-SOR ¹⁴ で表されるスルフィニル基、-SO ₂ NR ¹⁵ R ¹⁶ で表されるスルファモイル基、-NHSO ₂ R ¹⁸ で表されるスルホンアミド基が挙げられる。

 なお、環Aが有する置換基は、本発明の効果 を著しく損なわない限り、更に置換基を有し ていてもよい。特に、置換基としての直鎖又 は分岐のアルキル基、環状アルキル基、直鎖 又は分岐のアルケニル基、環状アルケニル基 、直鎖又は分岐のアルコキシ基、直鎖又は分 岐のアルキルチオ基、及び、R ⁴ ~R ¹⁸ が示すアルキル基のアルキル鎖部分は、通常 は更に置換基を有していてもよい。この際、 更に有する置換基は1個であってもよく、2個� ��上であってもよい。また2個以上の置換基を 更に有する場合、更に有する置換基の種類は 1種であってもよく、2種以上が任意の組み合� ��せ及び比率で置換していてもよい。また、� ��に有する置換基の置換位置も任意である。� ��の例としては、上述したR ¹ 、R ² 、R ³ 及びR ⁴ が有する置換基と同様のものが挙げられる。

 〔ベンゼン環B〕
 前記式[I]において、ベンゼン環Bは置換基を 有していてもよいベンゼン環を表す。この際 、置換基は1個であってもよく、2個以上であ� ��てもよい。また2個以上の置換基を有する場 合、置換基の種類は1種であってもよく、2種� ��上が任意の組み合わせ及び比率で置換して� ��てもよい。さらに、置換基の置換位置も任� ��である。このような置換基としては、上述� ��た環Aが有する置換基と同様のものが挙げら れる。
 さらに、ベンゼン環Bが有する置換基は、環 Aが有する置換基と同様に、本発明の効果を� �しく損なわない限り、更に置換基を有して� �てもよい。

 また、ベンゼン環Bが有する置換基は、隣接 する置換基同士が互いに縮合して縮合環を形 成していてもよい。形成される縮合環は炭素 原子からなる環であってもよいが、炭素原子 以外に例えば酸素原子、硫黄原子、窒素原子 等のヘテロ原子を含む環であってもよい。ま た、この縮合環は飽和結合のみからなるもの であってもよく、飽和結合だけでなく不飽和 結合も含んで形成される環であってもよい。
 また、前記式[I]のXがCR ¹ R ² 若しくはNR ³ である場合は、R ¹ 、R ² 若しくはR ³ とベンゼン環Bとは縮合した構造を形成して� �よい。
 さらに、縮合環の構造としては、5~7員環構� ��が合成のしやすさや安定性から好ましく、� ��に好ましいのは飽和の5~6員環である。

 ベンゼン環Bの好ましい例を、Xを含む環� �構造と共に以下に示す。

 〔アゾ化合物に関するその他の事項〕
 本発明に係るアゾ化合物の分子量は、好ま� ��くは1000以下、より好ましくは700以下である 。分子量が大きすぎるとグラム吸光係数が減 少するため、色素の量に対して吸収が小さく なる傾向があるからである。

 本発明に係るアゾ化合物の例を挙げると� ��以下のものが挙げられる。なお、Meはメチ� �基を表し、Etはエチル基を表し、t-Buはt-ブチ ル基を表し、i-Buはイソブチル基を表し、i-Pr� ��イソプロピル基を表す。

[I-2.金属イオン]
 本発明の色素を構成する金属イオン(以下、 適宜「本発明に係る金属イオン」という)は� �本発明に係るアゾ化合物と結合してアゾ金� �キレート化合物を形成する金属のイオンで� �る。本発明に係る金属イオンの種類は、配� �形成能力を有していれば特に制限はなく、� �移元素でもよく、典型元素でもよく、また� �の酸化数も問わない。

 中でも、本発明に係る金属イオンは、周� ��表の第3族~第12族元素から選ばれる金属のイ オンであることが好ましい。遷移金属との錯 体は典型元素との塩と比較してモル吸光係数 が高い場合が多く、また、安定な錯体を得ら れる場合が多いためである。

 また、本発明の色素では、本発明に係るア� ��化合物と金属イオンとが形成する錯体構造� ��おいて本発明に係るアゾ化合物は-1価の電� �をもつ配位子となりやすい。このため、本� �明に係る金属イオンは、2価の遷移金属のイ� ��ンであることが好ましい。2価の遷移金属イ オン1に対しアゾ化合物2の割合で配位でき、� ��体を形成しやすくなるからである。
 この観点から、本発明に係る金属イオンの� ��適な例を挙げると、ニッケル、コバルト、� ��、鉄、亜鉛、マンガンなどの2価の遷移金属 のイオンが挙げられる。中でも、ニッケル及 びコバルトが好ましい。特に、本発明に係る アゾ化合物において環Aがトリアゾール環で� �る場合に、金属イオンがニッケルまたはコ� �ルトであることが特に好ましい。

[I-3.錯体構造]
 本発明の色素は、少なくとも上述した本発� ��に係るアゾ化合物が金属イオンに配位子し� ��なる錯体である。この際、通常は、本発明� ��係るアゾ化合物のカップラー成分に存在す� ��水酸基の水素原子が外れて、前記式[II]で表 される配位子となり、この配位子が金属イオ ンに配位することになる。

 本発明の色素において、本発明に係る金� ��イオンとアゾ化合物との比に特に制限はな� ��。したがって、本発明の色素は、金属イオ� ��及びアゾ化合物の組み合わせに応じて、1個 又は2個以上の金属イオンに対して1個又は2個 以上のアゾ化合物が配位した任意の錯体構造 をとることができる。ただし、錯体の形成の しやすさから金属イオンとアゾ化合物との比 は1:2となることが好ましく、例えば、2価の� �移金属イオン1に対してアゾ化合物2の割合で 配位した錯体構造が好ましい。

 また、本発明の色素において本発明に係� ��アゾ色素が2個以上配位する場合、アゾ色素 の種類は1種でもよく、2種以上を任意の組み� ��わせ及び比率で用いてもよい。一方、本発� ��の色素が本発明に係る金属イオンを2個以上 含む場合、金属イオンの種類は1種でもよく� �2種以上を任意の組み合わせ及び比率で用い� ��もよい。

 本発明の色素は、本発明に係るアゾ化合� ��及び金属イオン以外の成分を含んでいても� ��い。例えば、本発明の色素は、本発明に係� ��アゾ化合物及び金属イオン以外に電荷を有� ��る対イオンを含んでいてもよい。

 本発明の色素の例を挙げると、以下のも� ��が挙げられる。

[I-4.製造方法]
 本発明の色素の製造方法は特に限定される� ��のではないが、通常は、下記反応式に示す� ��うにして製造できる。即ち、まずジアゾ成� ��に対応する芳香族複素環アミンを、酸性溶� ��中で、亜硝酸ナトリウム、ニトロシル硫酸� ��によりジアゾ化し、これを0℃付近でカップ ラー溶液に滴下してアゾ化合物を合成する。 その後、アゾ化合物を適切な溶媒に溶かし、 そのアゾ化合物溶液に金属塩の溶液を滴下し て錯体を精製させる。なお、下記反応式では 2価の金属イオンMとアゾ化合物とが存在比2:1� ��錯体を合成した場合の構造を示している。

[II.光記録媒体]
 本発明の光記録媒体は、基板と、この基板� ��に設けられ光が照射されることにより情報� ��記録又は再生が可能な記録層とを有し、記� ��層が本発明の色素を含有して構成されるも� ��である。この際、記録層に含有される本発� ��の色素は、1種でもよく、2種以上を任意の� �み合わせ及び比率で用いてもよい。

 以下、本発明の光記録媒体について実施形� ��を示して説明する。ただし、本発明は以下� ��示す実施形態に限定されるものではない。
 図1は、本発明の一実施形態としての膜面入 射構成の追記型光記録媒体を模式的に示す断 面図である。本実施形態の光記録媒体20は、� ��を形成した基板21上に、少なくとも光反射� �能を有する層(反射層23)と、未記録(記録前)� �態において記録再生光に対して吸収を有す� �色素を主成分とする光吸収機能を有する記� �層22と、前記記録層22に接する界面層30とカ� �ー層24とが順次積層された構造を有して構成 される。そして、この光記録媒体20には、カ� ��ー層24側から対物レンズ28を介して集光され た記録再生光ビーム27を入射して、情報の記� ��及び再生を行うようになっている。即ち、� ��実施形態の光記録媒体20は「膜面入射構成� �(Reverse stackともいう)をとる。
 なお、以下の説明においては、光反射機能� ��有する層23を単に「反射層23」と記し、色素 を主成分とする光吸収機能を有する記録層22� ��単に「記録層22」と記す。

 膜面入射構成のカバー層24側に記録再生光� �ーム27を入射するに当たり、高密度記録のた めに、通常、NA(開口数)=0.6~0.9程度の高NA(開口 数)の対物レンズ28が用いられる。
 また、記録再生光ビーム27の波長(記録再生� ��波長)λは、赤色から青紫色波長(350nm~600nm程� ��)がよく用いられる。さらに、高密度記録の ためには、波長は350nm以上が好ましく、380nm� �上がより好ましく、また、450nm以下が好まし いが、必ずしもこれに限定されない。

 本実施形態においては、図1において、記 録再生光ビーム27のカバー層24への入射面(記� ��再生光ビームが入射する面)29から見て遠い� ��の案内溝部(記録再生光ビームが入射する面 から遠い側の案内溝部)を記録溝部とし、記� �溝部に形成した記録ピット部の反射光強度� �記録溝部の未記録時の反射光強度より高く� �るような記録(以下、LtoH記録と記載)を行う� �うになっている。その主たるメカニズムは� �反射光強度の増加が主として前記記録ピッ� �部での反射光の位相変化によることを用い� �。即ち、主として記録溝部における反射光� �往復光路長の記録前後で変化を利用する。

 また、膜面入射型の光記録媒体20では、記� �再生光ビーム27のカバー層24への入射面(記録 再生光ビームが入射する面)29から遠い案内溝 部(基板の溝部と一致)をカバー層溝間部25(in-g roove)と呼び、記録再生光ビーム27が入射する� ��から近い案内溝間部(基板の溝間部と一致)� �カバー層溝部26(on-groove)と呼ぶことにする。
 このような構成では、溝形状や各層の屈折� ��等の光学特性を制御することにより、カバ� ��層溝間部25(in-groove)を記録トラックとする記 録(以下、これを「in-groove記録」という)をLtoH 記録で実現することが可能となる。

 以下、図1に示す層構成における各層の具 体的材料及び態様のうち好ましいものを、青 色波長レーザーの開発が進んでいる状況を考 慮し、特に記録再生光ビーム27の波長λが405nm 近傍の場合を想定して説明する。

 〔基板21〕
 基板21は、膜面入射構成では、例えば、適� �な加工性と剛性を有するプラスチック、金� �、ガラス等の材料で形成することができる� �膜面入射構成の光記録媒体20の基板21の材料� ��は、基板入射構成と異なり、透明性や複屈� ��に対する制限はない。なお、基板21を形成� �る材料は、1種であってもよく、2種以上を任 意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。

 基板21の表面に案内溝を形成するのであ� �が、通常、金属及びガラス等で形成される� �板21では、表面に光硬化性又は熱硬化性の薄 い樹脂層を設け、そこに、溝を形成すること になる。この点、プラスチック材料を用い、 射出成型によって、基板21形状(特に円盤状)� �表面の案内溝とを一挙に形成するほうが製� �上は好ましい。

 射出成型できるプラスチック材料としては� ��例えば、従来CDやDVDで用いられたポリカー� �ネート樹脂、ポリオレフィン樹脂、アクリ� �樹脂、エポキシ樹脂等を用いることができ� �。
 基板21の厚みとしては0.5mm~1.2mm程度とするの が好ましい。なかでも基板厚とカバー層厚を 合わせて、従来のCDやDVDと同じ1.2mmとするこ� �が好ましい。従来のCDやDVDで使われるケ-ス� �をそのまま用いることができるからである� �なお、基板厚を1.1mm、カバー層厚みを0.1mmと� ��ることが、ブルーレイ・ディスクでは規定� ��れている。

 基板21にはトラッキング用の案内溝が形� �される。本実施形態では、カバー層溝間部25 が記録溝部となるトラックピッチは、CD-R、DV D-Rより高密度化を達成するためには0.1μm以上 が好ましく、0.2μm以上がより好ましく、また 、0.6μm以下が好ましく、0.4μm以下がより好ま しい。溝深さは、概ね30nm~70nmの範囲にあるこ とが好ましい。溝深さは、前記範囲内で、未 記録状態の記録溝部反射率、記録信号の信号 特性、プッシュプル信号特性、記録層22の光� ��特性等を考慮して適宜最適化される。

 本実施形態では、主として記録溝部と記� ��溝間部(即ち、隣り合った記録溝部の間の部 分)とにおけるそれぞれの反射光の位相差に� �る干渉を利用しているから、両方が集束光� �ポット内に存在することが好ましい。この� �め、記録溝幅(カバー層溝間部25の幅)は、記� ��再生光ビーム27の記録層22の面におけるスポ ット径(溝横断方向の直径)より小さくするこ� ��が好ましい。例えば、記録再生光波長λ=405n m、NA(開口数)=0.85の光学系で、トラックピッ� �を0.32μmとする場合、記録溝幅は0.1μm以上0.2� �m以下の範囲とすることが好ましい。これら� ��範囲外では、溝または溝間部の形成が困難� ��なる場合が多い。

 案内溝の形状は、通常、矩形となる。特� ��、後述の塗布による記録層22の形成時に、� �素を含む溶液(色素溶液)の溶剤がほとんど蒸 発するまでの数十秒間に、基板21の溝部に、� ��素が選択的に溜まることが望ましい。この� ��め、案内溝を矩形に形成する場合でも、溝� ��溝の間の肩を丸くして、色素溶液が溝部に� ��下して溜まりやすくすることも好ましい。� ��のような丸い肩を有する溝形状は、プラス� ��ック基板若しくはスタンパの表面を、プラ� ��マやUVオゾン等に数秒から数分さらしてエ� �チングすることで形成できる。特にプラズ� �によるエッチングでは、基板の溝部の肩(溝� ��部のエッジ)のような尖った部分が選択的に 削られる性質があるので、丸まった溝部の肩 の形状を得るのに適している。

 案内溝は、通常は、アドレスや同期信号� ��の付加情報を付与するために、溝蛇行、溝� ��さ変調等の溝形状の変調、記録溝部あるい� ��記録溝間部の断続による凹凸ピット等によ� ��付加信号を有する。例えば、ブルーレイ・� ��ィスクでは、MSK(minimum-shift-keying)とSTW(saw-toot h-wobbles)という2変調方式を用いたウォブル・� ��ドレス方式が用いられている。

 〔光反射機能を有する層(反射層23)〕
 光反射機能を有する層(反射層23)は、記録再 生光波長に対する反射率が高く、記録再生光 波長に対して70%以上の反射率を有する材料で 形成することが好ましい。記録再生用波長と して用いられる可視光、特に、青色波長域で 高反射率を示す材料の例を挙げると、Au、Ag� �Al及びこれらを主成分とする合金などが挙げ られる。より好ましくは、波長λ=405nmでの反� ��率が高く、吸収が小さいAgを主成分とする� �金である。例えば、Agを主成分として、Au、C u、希土類元素(特に、Nd)、Nb、Ta、V、Mo、Mn、M g、Cr、Bi、Al、Si、Ge等の添加元素を0.01原子%~1 0原子%含有させることで、水分、酸素及び硫� ��等に対する耐食性が高めることができ、好� ��しい。この他に、誘電体層を複数積層した� ��電体ミラーを反射層23として用いることも� �能である。なお、反射層23を形成する材料は 、1種であってもよく、2種以上を任意の組み� ��わせ及び比率で併用してもよい。

 反射層23の膜厚は、基板21表面の溝段差を保 持するために、70nm以下が好ましく、より好� �しくは65nm以下とする。後述の、多層記録媒� ��(図2を参照)を形成する場合を除いて、反射� ��23の膜厚は、30nm以上が好ましく、より好ま� ��くは40nm以上とする。
 反射層23の表面粗さRaは、5nm以下であること が好ましく、1nm以下であることがより好まし い。Agは添加物を含有させることによって平� ��性が増す性質があり、この意味でも、上記� ��添加元素を0.1原子%以上含有させることが好 ましく、0.5原子%以上含有させることがより� �ましい。
 反射層23は、例えば、スパッタリング法、� �オンプレーティング法、電子ビーム蒸着法� �どで形成することができる。

 〔色素を主成分とする光吸収機能を有する� ��(記録層22)〕
 本実施形態では、記録層22は反射層23を介し て基板21上に設けられた層であって、この記� ��層22に記録再生光ビーム27が照射されること により情報の記録又は再生がなされるように なっている。
 記録層22は色素を含有して構成されるが、� �実施形態においては、記録層22は色素として 上述した本発明の色素を含有している。

 本実施形態において使用する色素は、300nm~8 00nmの可視光(及びその近傍)波長領域に、その 構造に起因した顕著な吸収帯を有する有機化 合物をいう。このような色素を記録層22とし� ��形成した場合に未記録(記録前)の状態にお� �て記録再生光ビーム27の波長λに吸収を有し� ��記録により変質して記録層22に再生光の反� �光強度の変化として検出されうる光学的変� �を起こす色素を、「主成分色素」と呼ぶ。
 主成分色素は単独の色素が記録再生光ビー� ��27の波長λに対して吸収があり、記録によっ て変質して上記光学的変化を生じることが好 ましい。ただし、主成分色素は、複数の色素 の混合物として、上記の機能を発揮するもの であってもよい。例えば、複数種の色素を用 いた場合、一方の色素が記録再生光ビーム27� ��波長λに対する吸収を有し、発熱すること� �、間接的に他方の色素を変質させ光学的変� �を起こさせるように機能分担されていても� �い。
 通常、本発明の色素は前記の主成分色素と� ��て記録層22に含有される。この際、記録層22 には1種の本発明の色素を含有させるように� �てもよく、2種以上の本発明の色素を任意の� ��み合わせ及び比率で併用するようにしても� ��い。

 記録層22における主成分色素の含有量は� �記録層材料全量に対して50重量%以上が好ま� �く、80重量%以上がより好ましく、90重量%以� �がさらに好ましい。

 また、記録層22には、本発明の効果を著� �く阻害しない限り、本発明の色素に加えて� �の他の色素を含有させるようにしてもよい� �この場合、前記の主成分色素として本発明� �色素以外の色素を併用してもよいが、主成� �色素以外の色素を併用してもよい。例えば� �光吸収機能を有する色素の経時安定性(温度� ��湿度、光に対する安定性)を改善するため、 いわゆるクエンチャーとしての色素を併用し てもよい。なお、併用する色素は1種でもよ� �、2種以上を任意の組み合わせ及び比率で併� ��してもよい。

 また、記録層22には色素以外の成分が含有� �れていてもよい。そのような成分の例を挙� �ると、低分子材料又は高分子材料からなる� �合剤(バインダー)、褪色防止剤、誘電体等が 挙げられる。なお、これらの成分は、1種で� �よく、2種以上を任意の組み合わせ及び比率� ��併用してもよい。
 結合剤としては、例えば、セルロース誘導� ��、天然高分子物質、炭化水素系樹脂、ビニ� ��系樹脂、アクリル樹脂、ポリビニールアル� ��ール、エポキシ樹脂等の有機高分子等を使� ��ことができる。
 褪色防止剤は記録層22の耐光性を向上させ� �ものである。褪色防止剤としては、通常は� �重項酸素クエンチャーが用いられる。一重� �クエンチャー等の褪色防止剤の使用量は、� �記記録層材料(記録層22に含まれる褐色防止� �以外の成分)に対して、通常0.1重量%以上、好 ましくは1重量%以上、より好ましくは5重量%� �上であり、また、通常50重量%以下、好まし� �は30重量%以下、より好ましくは25重量%以下� �ある。

 記録層22の厚みは、通常5nm以上、好まし� �は10nm以上、より好ましくは20nm以上であり、 通常100nm以下、好ましくは50nm以下、より好ま しくは40nm以下である。記録層22が薄すぎると 記録感度が低下する傾向があり、厚すぎると 良好な記録状態が得られない傾向がある。

 記録層22の形成方法に制限はないが、例え� �、塗布法、真空蒸着法等で形成することが� �きる。中でも、塗布法で形成することが好� �しい。
 塗布法で記録層22を形成する場合、色素を� �成分として結合剤、クエンチャー等ととも� �適切な溶剤に溶解して色素溶液(塗布液)を調 製し、前述の反射層23上に塗布し、乾燥させ� ��ばよい。

 色素溶液中の主成分色素の濃度は、通常0 .01重量%以上、好ましくは0.1重量%以上、より� ��ましくは0.2重量%以上であり、通常10重量%以 下、好ましくは5重量%以下、より好ましくは2 重量%以下である。これにより、通常は1nm~100n m程度の厚みに記録層22が形成される。また、 記録層22の厚みを50nm未満としたい場合には、 色素溶液中の主成分色素の濃度を1重量%未満� ��することが好ましく、0.8重量%未満とするこ とがより好ましい。また、塗布をスピンコー ト法で行う場合は回転数を調整することも好 ましい。

 色素溶液を調製するための溶剤としては� ��例えば、エタノール、n-プロパノール、イ� �プロパノール、n-ブタノールジアセトンアル コール等のアルコール;テトラフルオロプロ� �ノール(TFP)、オクタフルオロペンタノール(OF P)等のフッ素化炭化水素系溶剤;エチレングリ コールモノメチルエーテル、エチレングリコ ールモノエチルエーテル、プロピレングリコ ールモノメチルエーテル等のグリコールエー テル類;酢酸ブチル、乳酸エチル、セロソル� �アセテート等のエステル;ジクロルメタン、� ��ロロホルム等の塩素化炭化水素;ジメチルシ クロヘキサン等の炭化水素;テトラヒドロフ� �ン、エチルエーテル、ジオキサン等のエー� �ル;メチルエチルケトン、シクロヘキサノン� ��メチルイソブチルケトン等のケトン;などを 挙げることができる。具体的な溶剤の種類は 溶解すべき主成分色素材料等の溶解性を考慮 して適宜選択すればよい。また、溶剤は、1� �でもよく、2種以上を任意の組み合わせ及び� ��率で併用してもよい。

 塗布方法としては、例えば、スプレー法� ��スピンコート法、ディップ法、ロ-ルコート 法等が挙げられる。中でも、ディスク状の光 記録媒体においては、スピンコート法が好ま しい。スピンコート法が好ましいのは、膜厚 の均一性を確保しかつ、欠陥密度を低減でき るためである。

 〔界面層30〕
 本実施形態においては、特に、記録層22と� �バー層24の間に適当な界面層30を設けること� ��、光学的に好ましい特性を得ることが出来� ��。
 界面層30は、例えば、金属、半導体等の酸� �物、窒化物、炭化物、硫化物;マグネシウム( Mg)、カルシウム(Ca)等のフッ化物等の誘電体� �合物;並びにそれらの混合物などの材料で形� ��することが好ましい。界面層30を形成する� �料は、1種であってもよく、2種以上を任意の 組み合わせ及び比率で併用してもよい。

 界面層30の高い硬度及び厚みを調整するこ� �により、記録層22の変形(特に、カバー層24側 へのふくらみ変形)を促進したり、抑制した� �することができる。ふくらみ変形を有効に� �用するためには、比較的、硬度の低い誘電� �材料により界面層30を形成することが好まし い。具体例を挙げると、ZnO、In ₂ O ₃ 、Ga ₂ O ₃ 、ZnS、希土類金属の硫化物等に、他の金属又 は半導体の酸化物、窒化物又は炭化物等を混 合した材料が好ましい。
 また、界面層30は、プラスチックのスパッ� �膜、炭化水素分子のプラズマ重合膜などに� �り形成することもできる。

 界面層30の屈折率は、記録層22及びカバー層 24の屈折率との差が1以下のものが好ましい。 界面層30の屈折率の値としては、1以上2.5以下 の範囲にあることが望ましい。
 また、界面層30の膜厚は、好ましくは1nm以� �、より好ましくは5nm以上であり、また、好� �しくは50nm以下、より好ましくは30nm以下であ る。

 〔カバー層24〕
 カバー層24は、通常、記録再生光ビーム27に 対して透明で複屈折の少ない材料で形成され る。具体的には、記録再生光ビーム27の波長� �に対するカバー層24の透過率は、70%以上であ ることが好ましく、80%以上であることがより 好ましい。

 カバー層24は、例えば、プラスチック板(以� ��、適宜「シート」という)を接着剤で貼り合 せて形成できる。
 シートとして用いられるプラスチックは、� ��えば、ポリカーボネート、ポリオレフィン� ��アクリル、三酢酸セルロース、ポリエチレ� ��テレフタレート等が挙げられる。シートの� ��着には、例えば、光硬化樹脂、放射線硬化� ��脂、熱硬化樹脂等の硬化性樹脂;感圧性の接 着剤などが用いられる。感圧性接着剤として は、例えば、アクリル系、メタクリレート系 、ゴム系、シリコン系、ウレタン系の各ポリ マーからなる接着剤を使用できる。

 カバー層24を形成する具体的な手順の例を� �げると、以下のものが挙げられる。
 例えば、接着層(カバー層を記録層22又は界� ��層30に接着する接着剤の層)を構成する光硬� ��性樹脂を適切な溶剤に溶解して塗布液を調� ��した後、この塗布液を記録層22又は界面層30 上に塗布して塗布膜を形成し、塗布膜上にポ リカーボネート等のシートを重ね合わせる。 その後、必要に応じて光記録媒体を回転させ るなどして塗布液をさらに延伸展開した後、 UVランプで紫外線を照射して光硬化性樹脂を� ��化させる。これにより、シートが記録層22� �は界面層30に接着されてカバー層24が形成さ� ��る。
 あるいは、例えば、感圧性接着剤をあらか� ��めシートに塗布しておき、シートを記録層2 2又は界面層30上に重ね合わせた後、適度な圧 力で押さえつけて圧着してカバー層24を形成� ��る方法も挙げられる。

 前記接着剤としては、透明性、耐久性の� ��点から、アクリル系、メタクリレート系の� ��リマー接着剤が好ましい。具体例を挙げる� ��、2-エチルヘキシルアクリレート、n-ブチル アクリレート、iso-オクチルアクリレートな� �を主成分モノマーとし、これらの主成分モ� �マーを、アクリル酸、メタクリル酸、アク� �ルアミド誘導体、マレイン酸、ヒドロキシ� �エチルアクリレート、グリシジルアクリレ� �ト等の極性モノマーを共重合させたポリマ� �接着剤が挙げられる。これらは、主成分モ� �マーの分子量の調整、その短鎖成分の混合� �アクリル酸による架橋点密度の調整などに� �り、ガラス転移温度Tg、タック性能(低い圧� �で接触させたときに直ちに形成される接着� �)、剥離強度、せん断保持力等の物性を制御� ��ることができる。

 また、接着剤は、必要に応じて溶剤と混合� ��て使用する。溶剤の種類に制限はないが、� ��えばアクリル系ポリマーの溶剤としては、� ��酸エチル、酢酸ブチル、トルエン、メチル� ��チルケトン、シクロヘキサン等が用いられ� ��。
 さらに、接着剤は、その他の成分を含有し� ��いてもよい。そのような成分の例を挙げる� ��、ポリイソシアネート系架橋剤などが挙げ� ��れる。

 感圧性接着剤は、通常、シートの記録層22� �に接する表面に所定量を均一に塗布され、� �剤を乾燥させた後、記録層22側表面(界面層30 を有する場合は界面層30の表面)に貼り合わせ 、ローラー等により圧力をかけて硬化させる 。この場合、シートを光記録媒体の表面に接 着する際には、空気を巻き込んで泡を形成し ないように、真空中で貼り合せることが好ま しい。
 また、離型フィルム上に上記接着剤を塗布� ��て溶剤を乾燥した後、シートを貼り合わせ� ��さらに離型フィルムを剥離してシートと接� ��層とを一体化した後、シートを光記録媒体� ��貼りあわせるようにしても良い。

 また、カバー層24は、例えば、材料を塗布� �、光、放射線、熱等で硬化して形成するこ� �もできる。このように塗布法によってカバ� �層24を形成する場合には、塗布法としては例 えばスピンコート法、ディップ法等が用いら れる。中でも、ディスク状の光記録媒体を形 成する場合には、スピンコート法を用いるこ とが好ましい。
 塗布法によりカバー層24を形成する場合、� �バー層24の材料としては、ウレタン系、エポ キシ系、アクリル系の樹脂等を用いることが できる。通常は、これらの材料を塗布後、紫 外線、電子線、放射線を照射し、ラジカル重 合もしくは、カチオン重合を促進して硬化さ せて、カバー層24を形成する。

 カバー層24は、さらにその入射光側表面(� ��録再生光ビーム27が入射する面)29に、耐擦� �性及び耐指紋付着性などの機能を付与する� �めに、厚さ0.1μm~50μm程度の層(ハードコート� ��等)を別途設けることもある。

 カバー層24の厚みは、記録再生光ビーム27 の波長λや対物レンズ28のNA(開口数)にもよる� ��、好ましくは0.01mm以上、より好ましくは0.05 mm以上であり、好ましくは0.3mm以下、より好� �しくは0.15mm以下の範囲である。なかでも、� �着層(図示せず)及びハードコート層(図示せ� �)等の厚みを含む全体の厚みが、光学的に許� ��される厚み範囲となるようにすることが好� ��しい。例えば、いわゆるブルーレイ・ディ� ��クでは、100μm±3μm程度以下に制御すること� ��好ましい。

 〔その他の構成〕
 本実施形態において、光記録媒体20は上述� �た以外の構成を備えていてもよい。例えば� �前述の記録層22とカバー層24と間に形成され� ��界面層30の他に、基板21、反射層23及び記録� ��22のそれぞれの界面に、相互の層の接触、� �成材料の拡散防止、並びに、位相差及び反� �率の調整のために界面層を形成することも� �きる。

 〔利点〕
 本実施形態の光記録媒体20は、記録層22の形 成材料として本発明の色素を用いているため 、高速記録特性と再生耐久性との両方を向上 させることができる。これは本発明の色素が 、再生時の光照射強度下では強い耐光性をも つ一方、しきい値以上の光エネルギーを投入 すると速やかに分解する、という優れた性質 を利用したものである。

 〔他の実施形態〕
 本発明の光記録媒体は、上述したもの以外� ��実施形態において実施してもよい。例えば� ��上述した光記録媒体において、反射層の膜� ��を薄くし、記録再生光ビームの略50%以上が� ��射層を透過するような薄さにすると、いわ� ��る多層記録媒体が可能になる。この多層記� ��媒体は、基板上に、複数の記録層及び反射� ��(以下、記録層と反射層とを併せて情報層と 呼ぶことがある)を設けた光記録媒体である� �

 図2は、本発明の一実施形態としての多層記 録媒体を模式的に示す断面図である。なお、 図2においては溝形状の図示は省略している� �
 この光記録媒体100は基板101、反射層103、記� ��層102、中間層114、反射層113、記録層112及び� ��バー層111がこの順に積層されて構成され、� ��録層102及び反射層103から情報層(L0層)が構成 され、記録層112及び反射層113から情報層(L1層 )が構成されている。即ち、記録再生光ビー� �107が入射する側の情報層がL1層であり、記録 再生光ビーム107が入射する側から見て奥側に ある情報層がL0層である。そして、対物レン� ��108を介して記録層102,112に記録再生光ビーム 107を照射して、情報の記録及び再生が行われ る。

 L1層は、透過率が35%以上であることが好� �しく、50%以上であることがより好ましい。� �たがって、この透過率を実現するため、L1層 の反射層113が例えばAg合金で形成されている� ��合には、反射層113の膜厚は、通常1nm以上、� ��ましくは5nm以上であり、通常50nm以下、好ま しくは30nm以下、より好ましくは20nm以下であ� ��。このような透過性の高い反射層113は半透� ��反射層と呼ばれる。

 L0層とL1層との間には、それぞれの信号の混 信を防止するために、通常は透明な中間層114 が設けられる。
 この中間層114の厚みは光学系の構成に応じ� ��設定される。例えば、記録再生光ビーム107� ��波長λ=405nm、NA(開口数)=0.85の光学系では、� �間層114の厚みは通常は約25μmである。なお、 この場合、カバー層111の厚みは通常は約75μm� ��度である。さらに、中間層114の厚み分布は� ��±2μm程度以下とすることが好ましい。

 これら以外の構成については、記録層102� ��び記録層112の少なくとも一方、好ましくは� ��てに、本発明の色素が含まれていれば、本� ��施形態の光記録媒体100の構成は任意である� ��記録層102及び記録層112の少なくとも一方に� ��発明の色素が含有されることにより、本実� ��形態の光記録媒体100においても、高速記録� ��性と再生耐久性との両方を向上させること� ��できる。

 なお、通常は、基板101、記録層102,記録層112 、反射層103、カバー層111などは、図1で説明� �た光記録媒体20と同様の構成にすることがで きる。また、L0層とL1層とは、同一の層構成� �あってもよく、異なる層構成であってもよ� �。したがって、記録層102と記録層112とは、� �の色素の種類及び含有量などが同じであっ� �もよく、異なっていてもよい。
 さらに、図示していないが、記録層112とカ� ��ー層111との間には、図1で説明した光記録媒 体20と同様、界面層を設けることもできる。� ��た、記録層102と中間層114との間も同様に界� ��層を設けても良い。

 本実施形態の光記録媒体100は、主として� ��相変化を利用しているので、記録前後でL1� �を透過する光量がほとんど変化しないこと� �期待される。これは、L1層が記録・未記録で あるにかかわらず、L0層への透過光量、L0層� �らの反射光量がほとんど変化しないことを� �味し、L1層の状態に関わらず、安定的にL0層� ��の記録再生ができるので、好ましい。

[III.光記録方法]
 上述した光記録媒体20,及び光記録媒体100は� ��上記のように構成されているため、その情� ��の記録時には、カバー層24,及びカバー層111� ��の面から記録層22,記録層102,及び記録層112に 記録再生光ビーム27,及び記録再生光ビーム107 を照射して、情報の記録を行う。この際、記 録再生光ビーム27,及び記録再生光ビーム107と しては、波長380nm以上430nm以下のレーザー光� �用いることが好ましい。このような波長が� �いレーザー光を使用することで、高密度に� �報を記録することが可能となる。

 このような光記録を行うための光記録装置� ��基本構造は、従来の光記録装置と同じもの� ��用いることができる。例えば、フォーカス� ��ーボ方式及びトラッキングサーボ方式は、� ��来公知の方式を適用できる。
 光記録装置では、集束ビームの焦点位置の� ��ポットが、カバー層溝間部に照射され、ト� ��ッキングサーボによって、該カバー層溝間� ��を追従するようになっていればよい。通常� ��、プッシュプル(Push-pull)信号が利用されて� �る。

 カバー層溝間部に記録を行う場合、集束� ��れた記録再生光ビームは、記録層の主成分� ��素を昇温・発熱せしめて、変質(膨張、分解 、昇華、溶融等)を起こさせる。マーク長変� �記録を行う場合、記録再生光ビームのパワ� �(記録パワー)をマーク長に従って、強弱変調 させる。なお、マーク長変調方式は、特に制 限は無く、通常用いられるRun-Length-Limited符号 である、EFM変調(CD)、EFM+変調(DVD)、1-7PP変調(� �ルーレイ)等を適用できる。 

 ただし、HtoL極性信号を前提とした記録再 生系においては、LtoH記録に当たって、マー� �とスペースでの記録信号極性が逆になるよ� �に記録データ信号の極性を予め反転させて� �くことがある。これにより、記録後の信号� �、見かけ上、HtoL極性の信号と同等にできる� ��

 通常は、マーク部で記録パワーを高レベ� ��Pwとし、マーク間(スペース)で低レベルPsと� ��る。Ps/Pwは、通常0.5以下とする。Psは一回だ けの照射では、記録層に上記変質を生じさせ ないようなパワーであり、Pwに先行して記録� ��を予熱したりするために利用される。公知� ��記録パルスストラテジーは、本発明におい� ��も適宜使用できる。例えば、記録マーク部� ��対応する記録パワーPw照射時間はさらに、� �い時間で断続的に照射されたり、複数のパ� �ーレベルに変調したり、高レベルPwでの照射 後、低レベルPsでの照射に移行するまでの一� ��時間、低レベルPsよりもさらに低いパワー� �ベルPbを照射したりする等の記録ストラテジ ーが使用できる。