以下、本発明の実施の形態について説明� ��る。なお、本発明の図面において、同一の� ��照符号は、同一部分または相当部分を表わ� ��ものとする。

 (実施の形態1)
 図1(a)に本発明の裏面電極型太陽電池の一例 の裏面の模式的な平面図を示し、図1(b)に図1( a)のIb-Ibに沿った模式的な断面を示す。

 ここで、本発明の裏面電極型太陽電池は� ��第1導電型の半導体基板1の裏面に半導体基� �1よりも高濃度の第1導電型不純物を含む櫛形 状の第1導電型の第1の電極形成領域3を有して おり、第1の電極形成領域3上には第1導電型用 電極5が形成されている。

 また、半導体基板1の裏面には、第1の電� �形成領域3に向かい合うようにして第2導電型 不純物を含む櫛形状の第2導電型の第2の電極� ��成領域2が形成されており、第2の電極形成� �域2上には第2導電型用電極4が形成されてい� �。なお、第1の電極形成領域3と第2の電極形� �領域2とは、それぞれ櫛歯に相当する箇所が� ��いに向かい合うようにして設置されており� ��櫛歯に相当する箇所を交互に1本ずつ噛み合 わせるようにして配置されている。

 また、本発明の裏面電極型太陽電池の裏� ��には、裏面の櫛形状の第2の電極形成領域2� �櫛歯に相当する箇所の先端部分に、半導体� �板1よりも高濃度の第1導電型不純物を含む第 1導電型の島状の電極非形成領域6が形成され� ��いる。ここで、電極非形成領域6は、図1(b)� �示すように、第2の電極形成領域2と接するよ うにして形成されている。また、電極非形成 領域6の表面上には電極が形成されないこと� �好ましい。また、本発明の裏面電極型太陽� �池の裏面には、電極非形成領域6が複数形成� ��れている。

 このような構成とすることによって、本� ��明の裏面電極型太陽電池においては、第1導 電型不純物を含む電極非形成領域6と第2導電� ��不純物を含む第2の電極形成領域2との接合� �よって構成されるpn接合によって、第1導電� �用電極5と第2導電型用電極4との間に逆バイ� �ス電圧が印加された場合でも、ツェナー効� �および/またはアバランシェ効果によって上� ��のpn接合で優先してブレークダウンが発生� �るため、裏面電極型太陽電池全体の短絡破� �を抑止することができる。

 したがって、本発明の裏面電極型太陽電� ��においては、第1導電型不純物を含む第1導� �型の電極非形成領域6と第2導電型不純物を含 む第2導電型の第2の電極形成領域2との接合に よって構成されるpn接合を半導体基板1の裏面 に形成することによって、逆バイアス電圧に よる裏面電極型太陽電池の故障の防止機能を 容易に付加することができる。

 なお、上記の効果を得るためには、第1導電 型不純物を含む電極非形成領域6における第1� ��電型不純物の不純物濃度は1×10 ¹⁸ /cm ³ 以上とすることが好ましい。

 また、本発明においては、第2の電極形成 領域2、第1の電極形成領域3、第2導電型用電� �4、第1導電型用電極5および電極非形成領域6� ��それぞれの形状は、本明細書に記載の形状� ��限定されないことは言うまでもない。

 以上のような構成の裏面電極型太陽電池� ��、たとえば以下のようにして製造すること� ��できる。なお、以下においては、第1導電型 をp型とし、第2導電型をn型として説明するが 、本発明においては、p型とn型とを入れ替え� ��、第1導電型をn型とし、第2導電型をp型とし てもよい。

 まず、たとえばp型シリコン基板などから なる第1導電型の半導体基板1を用意する。こ� ��で、半導体基板1の厚さはたとえば50μm以上4 00μm以下とすることができる。なお、半導体� ��板1の構成はこれに限定されないことは言う までもない。

 次に、たとえば熱酸化法などにより、上記� ��用意した半導体基板1の受光面および裏面の それぞれの全面にたとえば厚さ300nm程度のSiO ₂ 膜などからなる第1拡散マスクを形成する。

 次に、フォトリソグラフィプロセスを用� ��て、半導体基板1の裏面の第1の電極形成領� �3と電極非形成領域6の形成領域に対応する箇 所以外の箇所の第1拡散マスクの表面にフォ� �レジストを形成し、その後、たとえばエッ� �ングなどによって、フォトレジストで覆わ� �ていない第1拡散マスクの部分を除去して、� ��導体基板1の裏面の一部を露出させる。

 次に、たとえばBBr ₃ を拡散源として第1導電型不純物であるボロ� �の気相拡散処理をたとえば970℃で50分程度行 なうことによって、半導体基板1の露出した� �面の領域にボロンを拡散させて、第1導電型� ��純物を含む第1導電型の第1の電極形成領域3� ��よび第1導電型不純物を含む第1導電型の電� �非形成領域6をそれぞれ形成する。

 次に、半導体基板1の裏面にたとえばCVD(Chemi cal Vapor Deposition)法により、たとえば厚さ400n m程度のSiO ₂ 膜などからなる第2拡散マスクを形成する。� �の第2拡散マスクは上記で形成された第1の電 極形成領域3および電極非形成領域6の保護と� ��後述する第2の電極形成領域2の形成時にお� �る第2導電型不純物の拡散に対する拡散マス� ��として機能する。

 次に、フォトリソグラフィプロセスを用� ��て、半導体基板1の裏面の第2の電極形成領� �2の形成領域に対応する箇所以外の箇所の第2 拡散マスクの表面にフォトレジストを形成し 、その後、たとえばエッチングなどによって 、フォトレジストで覆われていない第2拡散� �スクの部分を除去して、半導体基板1の裏面� ��一部を露出させる。

 次に、半導体基板1の露出した裏面に、たと えばPOCl ₃ を拡散源として第2導電型不純物であるリン� �気相拡散処理をたとえば770℃で30分程度行な うことによって、第2導電型不純物を含む第2� ��電型の第2の電極形成領域2を形成する。

 次に、半導体基板1の裏面の第2拡散マス� �を除去した後に、半導体基板1の裏面に形成� ��れた第1の電極形成領域3上にp電極としての� ��1導電型用電極5を形成し、第2の電極形成領� ��2上にn電極としての第2導電型用電極4を形成 する。ここで、第1導電型用電極5および第2導 電型用電極4はそれぞれ、たとえばフォトリ� �グラフィプロセスおよび真空蒸着法などを� �いて形成することができる。

 また、半導体基板1の受光面には、たとえ ば水酸化カリウム水溶液などのアルカリ水溶 液を用いたアルカリエッチングプロセスなど を用いてテクスチャ構造を形成し、その後、 反射防止膜を形成することが好ましい。

 以上のようにして、図1(a)および図1(b)に� �す構成を有する本発明の裏面電極型太陽電� �を作製することができる。

 なお、島状の電極非形成領域6の個数およ び大きさは適宜設定することが可能であるが 、たとえば半導体基板1の裏面の大きさがた� �えば2cm×2cmの正方形状である場合には、島状 の電極非形成領域6の数は、たとえば数十個� �ら100個程度とすることができ、電極非形成� �域6大きさおよび形状は、たとえば0.01~0.1mm径 の円形または角形とすることができる。

 また、電極非形成領域6は、半導体基板1� �裏面の端部近傍領域内に形成されていても� �い。なお、本発明において、半導体基板1の� ��面の端部近傍領域とは、半導体基板1の裏面 の外周から半導体基板1の裏面の内側に10mmだ� ��進向した領域のことを意味する。

 また、上記においては、第1導電型不純物 としてボロンを用い、第2導電型不純物とし� �リンを用いたが、第1導電型不純物および第2 導電型不純物はそれぞれこれらに限定されな いことは言うまでもない。

 (実施の形態2)
 図2(a)に本発明の裏面電極型太陽電池の他の 一例の裏面の模式的な平面図を示し、図2(b)� �図2(a)のIIb-IIbに沿った模式的な断面を示す。

 本実施の形態の裏面電極型太陽電池にお� ��ては、電極非形成領域6が櫛形状の第2の電� �形成領域2の櫛歯に相当する部分の先端だけ� ��なく、櫛歯に相当する部分の内部にも形成� ��れており、第2の電極形成領域2上に形成さ� �た第2導電型用電極4が複数に分断されるよう にして形成されている点に特徴がある。

 このような構成の裏面電極型太陽電池に� ��いても第1導電型不純物を含む第1導電型の� �極非形成領域6と第2導電型不純物を含む第2� �電型の第2の電極形成領域2との接合によって 構成されるpn接合によって、第1導電型用電極 5と第2導電型用電極4との間に逆バイアスが印 加された場合でも、ツェナー効果および/ま� �はアバランシェ効果によって、上記のpn接合 で優先してブレークダウンが発生するため、 裏面電極型太陽電池全体の短絡破壊を抑止す ることができる。

 したがって、図2(a)および図2(b)に示す構� �を有する本実施の形態の本発明の裏面電極� �太陽電池においても、第1導電型の電極非形� ��領域6と第2導電型の第2の電極形成領域2との 接合によって構成されるpn接合を半導体基板1 の裏面に形成することによって、逆バイアス 電圧による裏面電極型太陽電池の故障の防止 機能を容易に付加することができる。

 また、図2(a)および図2(b)に示す構成を有� �る本実施の形態の裏面電極型太陽電池にお� �ては、第1導電型不純物を含む第1導電型の電 極非形成領域6と第2導電型不純物を含む第2導 電型の第2の電極形成領域2との接合によって� ��成されるpn接合を半導体基板1の裏面に均一� ��分布させることができるため、本実施の形� ��の裏面電極型太陽電池に逆バイアス電圧が� ��加された場合でも局所的な温度の上昇を抑� ��ることができる傾向にある。上記以外の説� ��は実施の形態1と同様である。

 (実施の形態3)
 図3に、本発明の裏面電極型太陽電池の他の 一例の裏面の模式的な平面図を示す。本実施 の形態の裏面電極型太陽電池においては、第 2導電型の半導体基板7を用いており、その第2 導電型の半導体基板7の裏面の端部近傍領域� �に第1導電型不純物を含む第1導電型の電極非 形成領域6が島状に複数形成されている点に� �徴がある。なお、電極非形成領域6の表面上� ��は電極が形成されないことが好ましい。ま� ��、第2導電型の半導体基板7の裏面には、第1� ��電型不純物を含む櫛形状の第1導電型の第1� �電極形成領域3と、半導体基板7よりも高濃度 の第2導電型不純物を含む櫛形状の第2導電型� ��第2の電極形成領域2とが形成されており、� �1の電極形成領域3上には第1導電型用電極5が� ��成され、第2の電極形成領域2上には第2導電� ��用電極4が形成されている。

 なお、本発明において、半導体基板の裏� ��の端部近傍領域とは、半導体基板の裏面の� ��周から半導体基板の裏面の内側に10mmだけ進 向した領域のことを意味する。

 このような構成とすることによって、第1 導電型不純物を含む第1導電型の電極非形成� �域6と、電極非形成領域6に接する第2導電型� �半導体基板7の内部領域との接合によってpn� �合が構成されるため、第1導電型用電極5と第 2導電型用電極4との間に逆バイアス電圧が印� ��された場合でも、このpn接合で優先してブ� �ークダウンが発生するため、裏面電極型太� �電池全体の短絡破壊を抑止することができ� �。

 したがって、本実施の形態の裏面電極型� ��陽電池においても、第1導電型不純物を含む 第1導電型の電極非形成領域6と第2導電型の半 導体基板7の内部領域との接合によって構成� �れるpn接合を半導体基板7の裏面に形成する� �とによって、逆バイアス電圧による裏面電� �型太陽電池の故障の防止機能を容易に付加� �ることができる。

 また、本発明においては、第2の電極形成 領域2、第1の電極形成領域3、第2導電型用電� �4、第1導電型用電極5および電極非形成領域6� ��それぞれの形状は、本明細書に記載の形状� ��限定されないことは言うまでもない。

 以上のような構成の裏面電極型太陽電池� ��、たとえば以下のようにして製造すること� ��できる。なお、以下においては、第1導電型 をp型とし、第2導電型をn型として説明するが 、本発明においては、p型とn型とを入れ替え� ��、第1導電型をn型とし、第2導電型をp型とし てもよい。

 まず、たとえばn型シリコン基板などから なる第2導電型の半導体基板7を用意する。な� ��、半導体基板7の構成はこれに限定されない ことは言うまでもない。

 次に、たとえば熱酸化法などにより、上記� ��用意した半導体基板7の受光面および裏面の それぞれの全面にたとえば厚さ300nm程度のSiO ₂ 膜などからなる第1拡散マスクを形成する。

 次に、フォトリソグラフィプロセスを用� ��て、半導体基板7の裏面の第1の電極形成領� �3と電極非形成領域6の形成領域に対応する箇 所以外の箇所の第1拡散マスクの表面にフォ� �レジストを形成し、その後、たとえばエッ� �ングなどによって、フォトレジストで覆わ� �ていない第1拡散マスクの部分を除去して、� ��導体基板7の裏面の一部を露出させる。

 次に、たとえばBBr ₃ を拡散源として第1導電型不純物であるボロ� �の気相拡散処理をたとえば970℃で50分程度行 なうことによって、半導体基板7の露出した� �面の領域にボロンを拡散させて、第1導電型� ��純物を含む第1導電型の第1の電極形成領域3� ��よび第1導電型不純物を含む第1導電型の電� �非形成領域6をそれぞれ形成する。

 次に、半導体基板7の裏面にたとえばCVD(Chemi cal Vapor Deposition)法により、たとえば厚さ400n m程度のSiO ₂ 膜などからなる第2拡散マスクを形成する。� �の第2拡散マスクは上記で形成された第1の電 極形成領域3および電極非形成領域6の保護と� ��後述する第2の電極形成領域2の形成時にお� �る第2導電型不純物の拡散に対する拡散マス� ��として機能する。

 次に、フォトリソグラフィプロセスを用� ��て、半導体基板7の裏面の第2の電極形成領� �2の形成領域に対応する箇所以外の箇所の第2 拡散マスクの表面にフォトレジストを形成し 、その後、たとえばエッチングなどによって 、フォトレジストで覆われていない第2拡散� �スクの部分を除去して、半導体基板7の裏面� ��一部を露出させる。

 次に、半導体基板7の露出した裏面に、たと えばPOCl ₃ を拡散源として第2導電型不純物であるリン� �気相拡散処理をたとえば770℃で30分程度行な うことによって、第2導電型不純物を含む第2� ��電型の第2の電極形成領域2を形成する。

 次に、半導体基板7の裏面の第2拡散マス� �を除去した後に、半導体基板7の裏面に形成� ��れた第1の電極形成領域3上にp電極としての� ��1導電型用電極5を形成し、第2の電極形成領� ��2上にn電極としての第2導電型用電極4を形成 する。ここで、第1導電型用電極5および第2導 電型用電極4はそれぞれ、たとえばフォトリ� �グラフィプロセスおよび真空蒸着法などを� �いて形成することができる。

 また、半導体基板7の受光面には、たとえ ば水酸化カリウム水溶液などのアルカリ水溶 液を用いたアルカリエッチングプロセスなど を用いてテクスチャ構造を形成し、その後、 反射防止膜を形成することが好ましい。

 以上のようにして、図3に示す構成を有す る本発明の裏面電極型太陽電池を作製するこ とができる。

 なお、島状の電極非形成領域6の個数およ び大きさは適宜設定することが可能であるが 、たとえば半導体基板7の裏面の大きさがた� �えば2cm×2cmの正方形状である場合には、島状 の電極非形成領域6の数は、たとえば数十個� �ら100個程度とすることができ、電極非形成� �域6大きさおよび形状は、たとえば0.01~0.1mm径 の円形または角形とすることができる。

 また、上記においては、第1導電型不純物 としてボロンを用い、第2導電型不純物とし� �リンを用いたが、第1導電型不純物および第2 導電型不純物はそれぞれこれらに限定されな いことは言うまでもない。

 (実施の形態4)
 図4に、本発明の裏面電極型太陽電池の他の 一例の裏面の模式的な平面図を示す。本実施 の形態の裏面電極型太陽電池においては、電 極非形成領域6の形状が島状ではなく、帯状� �なっている点に特徴がある。

 このような構成の裏面電極型太陽電池に� ��いても、第1導電型不純物を含む第1導電型� �電極非形成領域6と、電極非形成領域6に接す る第2導電型の半導体基板7の内部領域との接� ��によってpn接合が構成されるため、このpn接 合によって第1導電型用電極5と第2導電型用電 極4との間に逆バイアス電圧が印加された場� �でも、ツェナー効果および/またはアバラン� ��ェ効果によって上記のpn接合で優先してブ� �ークダウンが発生するため、裏面電極型太� �電池全体の短絡破壊を防止することができ� �。

 したがって、図4に示す構成を有する本実 施の形態の裏面電極型太陽電池においても、 第1導電型不純物を含む第1導電型の電極非形� ��領域6と第2導電型の半導体基板7の内部領域� ��の接合によって構成されたpn接合を半導体� �板7の裏面に形成することによって、逆バイ� ��ス電圧による裏面電極型太陽電池の故障の� ��止機能を容易に付加することができる。上� ��以外の説明は実施の形態3と同様である。

 (実施の形態5)
 図11(a)に本発明の裏面電極型太陽電池の他� �一例の裏面の模式的な平面図を示し、図11(b) に図11(a)のXIb-XIbに沿った模式的な断面を示す 。

 本実施の形態の裏面電極型太陽電池にお� ��ては、第1導電型の半導体基板1を用いてお� �、半導体基板1の裏面の櫛形状の第1導電型の 第1の電極形成領域3の櫛歯に相当する箇所の� ��端部分に、半導体基板1よりも高濃度の第2� �電型不純物を含む第2導電型の電極非形成領� ��16が島状に形成されている点に特徴がある� �なお、電極非形成領域16の表面上には電極が 形成されないことが好ましい。また、第1導� �型の半導体基板1の裏面には、第1導電型不純 物を含む櫛形状の第1導電型の第1の電極形成� ��域3と、半導体基板1よりも高濃度の第2導電� ��不純物を含む櫛形状の第2導電型の第2の電� �形成領域2とが形成されており、第1の電極形 成領域3上には第1導電型用電極5が形成され、 第2の電極形成領域2上には第2導電型用電極4� �形成されている。

 このような構成の裏面電極型太陽電池に� ��いても第2導電型不純物を含む第2導電型の� �極非形成領域16と第1導電型不純物を含む第1� ��電型の第1の電極形成領域3との接合によっ� �構成されるpn接合によって、第1導電型用電� �5と第2導電型用電極4との間に逆バイアスが� �加された場合でも、ツェナー効果および/ま� ��はアバランシェ効果によって、上記のpn接� �で優先してブレークダウンが発生するため� �裏面電極型太陽電池全体の短絡破壊を抑止� �ることができる。

 したがって、図11(a)および図11(b)に示す構 成を有する本実施の形態の本発明の裏面電極 型太陽電池においても、第2導電型の電極非� �成領域16と第1導電型の第1の電極形成領域3と の接合によって構成されるpn接合を半導体基� ��1の裏面に形成することによって、逆バイア ス電圧による裏面電極型太陽電池の故障の防 止機能を容易に付加することができる。

 また、図11(a)および図11(b)に示す構成を有 する本実施の形態の裏面電極型太陽電池にお いては、第2導電型不純物を含む第2導電型の� ��極非形成領域16と第1導電型不純物を含む第1 導電型の第1の電極形成領域3との接合によっ� ��構成されるpn接合を半導体基板1の裏面に均� ��に分布させることができるため、本実施の� ��態の裏面電極型太陽電池に逆バイアス電圧� ��印加された場合でも局所的な温度の上昇を� ��えることができる傾向にある。

 以上のような構成の裏面電極型太陽電池� ��、たとえば以下のようにして製造すること� ��できる。なお、以下においては、第1導電型 をp型とし、第2導電型をn型として説明するが 、本発明においては、p型とn型とを入れ替え� ��、第1導電型をn型とし、第2導電型をp型とし てもよい。

 まず、たとえばp型シリコン基板などから なる第1導電型の半導体基板1を用意する。こ� ��で、半導体基板1の厚さはたとえば50μm以上4 00μm以下とすることができる。なお、半導体� ��板1の構成はこれに限定されないことは言う までもない。

 次に、たとえば熱酸化法などにより、上記� ��用意した半導体基板1の受光面および裏面の それぞれの全面にたとえば厚さ300nm程度のSiO ₂ 膜などからなる第1拡散マスクを形成する。

 次に、フォトリソグラフィプロセスを用� ��て、半導体基板1の裏面の第1の電極形成領� �3に対応する箇所以外の箇所の第1拡散マスク の表面にフォトレジストを形成し、その後、 たとえばエッチングなどによって、フォトレ ジストで覆われていない第1拡散マスクの部� �を除去して、半導体基板1の裏面の一部を露� ��させる。

 次に、たとえばBBr ₃ を拡散源として第1導電型不純物であるボロ� �の気相拡散処理をたとえば970℃で50分程度行 なうことによって、半導体基板1の露出した� �面の領域にボロンを拡散させて、第1導電型� ��純物を含む第1導電型の第1の電極形成領域3� ��形成する。

 次に、半導体基板1の裏面にたとえばCVD(Chemi cal Vapor Deposition)法により、たとえば厚さ400n m程度のSiO ₂ 膜などからなる第2拡散マスクを形成する。� �の第2拡散マスクは上記で形成された第1の電 極形成領域3の保護と、後述する第2の電極形� ��領域2と電極非形成領域16の形成時における� ��2導電型不純物の拡散に対する拡散マスクと して機能する。

 次に、フォトリソグラフィプロセスを用� ��て、半導体基板1の裏面の第2の電極形成領� �2の形成領域と電極非形成領域16の形成領域� �対応する箇所以外の箇所の第2拡散マスクの� ��面にフォトレジストを形成し、その後、た� ��えばエッチングなどによって、フォトレジ� ��トで覆われていない第2拡散マスクの部分を 除去して、半導体基板1の裏面の一部を露出� �せる。

 次に、半導体基板1の露出した裏面に、たと えばPOCl ₃ を拡散源として第2導電型不純物であるリン� �気相拡散処理をたとえば770℃で30分程度行な うことによって、第2導電型不純物を含む第2� ��電型の第2の電極形成領域2と第2導電型の電� ��非形成領域16を形成する。

 次に、半導体基板1の裏面の第2拡散マス� �を除去した後に、半導体基板1の裏面に形成� ��れた第1の電極形成領域3上にp電極としての� ��1導電型用電極5を形成し、第2の電極形成領� ��2上にn電極としての第2導電型用電極4を形成 する。ここで、第1導電型用電極5および第2導 電型用電極4はそれぞれ、たとえばフォトリ� �グラフィプロセスおよび真空蒸着法などを� �いて形成することができる。

 また、半導体基板1の受光面には、たとえ ば水酸化カリウム水溶液などのアルカリ水溶 液を用いたアルカリエッチングプロセスなど を用いてテクスチャ構造を形成し、その後、 反射防止膜を形成することが好ましい。

 以上のようにして、図11(a)および図11(b)に 示す構成を有する本発明の裏面電極型太陽電 池を作製することができる。

 なお、島状の電極非形成領域16の個数お� �び大きさは適宜設定することが可能である� �、たとえば半導体基板1の裏面の大きさがた� ��えば2cm×2cmの正方形状である場合には、島� �の電極非形成領域16の数は、たとえば数十個 から100個程度とすることができ、電極非形成 領域16大きさおよび形状は、たとえば0.01~0.1mm 径の円形または角形とすることができる。

 また、電極非形成領域16は、半導体基板1� ��裏面の端部近傍領域内に形成されていても� ��い。なお、本発明において、半導体基板1の 裏面の端部近傍領域とは、半導体基板1の裏� �の外周から半導体基板1の裏面の内側に10mmだ け進向した領域のことを意味する。

 また、上記においては、第1導電型不純物 としてボロンを用い、第2導電型不純物とし� �リンを用いたが、第1導電型不純物および第2 導電型不純物はそれぞれこれらに限定されな いことは言うまでもない。

 (実施の形態6)
 図12(a)に本発明の裏面電極型太陽電池の他� �一例の裏面の模式的な平面図を示し、図12(b) に図12(a)のXIIb-XIIbに沿った模式的な断面を示� ��。

 本実施の形態の裏面電極型太陽電池にお� ��ては、第2導電型の電極非形成領域6が櫛形� �の第1導電型の第1の電極形成領域3の櫛歯に� �当する部分の先端だけでなく、櫛歯に相当� �る部分の内部にも形成されており、第1の電� ��形成領域3上に形成された第1導電型用電極5� ��複数に分断されるようにして形成されてい� ��点に特徴がある。

 このような構成の裏面電極型太陽電池に� ��いても第2導電型不純物を含む第2導電型の� �極非形成領域16と第1導電型不純物を含む第1� ��電型の第1の電極形成領域3との接合によっ� �構成されるpn接合によって、第1導電型用電� �5と第2導電型用電極4との間に逆バイアスが� �加された場合でも、ツェナー効果および/ま� ��はアバランシェ効果によって、上記のpn接� �で優先してブレークダウンが発生するため� �裏面電極型太陽電池全体の短絡破壊を抑止� �ることができる。

 したがって、図12(a)および図12(b)に示す構 成を有する本実施の形態の本発明の裏面電極 型太陽電池においても、第2導電型の電極非� �成領域16と第1導電型の第1の電極形成領域3と の接合によって構成されるpn接合を半導体基� ��1の裏面に形成することによって、逆バイア ス電圧による裏面電極型太陽電池の故障の防 止機能を容易に付加することができる。

 また、図12(a)および図12(b)に示す構成を有 する本実施の形態の裏面電極型太陽電池にお いては、第2導電型不純物を含む第2導電型の� ��極非形成領域16と第1導電型不純物を含む第1 導電型の第1の電極形成領域3との接合によっ� ��構成されるpn接合を半導体基板1の裏面に均� ��に分布させることができるため、本実施の� ��態の裏面電極型太陽電池に逆バイアス電圧� ��印加された場合でも局所的な温度の上昇を� ��えることができる傾向にある。上記以外の� ��明は実施の形態5と同様である。

 (実施の形態7)
 以下、図5~図9を参照して、図2(a)および図2(b )に示す構成を有する本発明の裏面電極型太� �電池の複数を電気的に接続して形成した本� �明の太陽電池ストリングの一例およびその� �陽電池ストリングを封止材で封止すること� �より形成した本発明の太陽電池モジュール� �一例について説明する。

 まず、図5の模式的平面図に示すように、 図2(a)および図2(b)に示す構成を有する本発明� ��裏面電極型太陽電池を3枚用意する。

 次に、図6の模式的平面図に示すように、 絶縁性基材8の表面上に導電性物質からなる� �線9が形成された配線基板10を用意する。

 ここで、配線基板10の絶縁性基材8の表面� ��に形成された配線9の形状は、図2(a)に示す� �1導電型用電極5および第2導電型用電極4の形� ��に対応した形状となっている。

 また、配線9は、導電性物質からなるもの であれば特に限定なく用いることができ、た とえば、銀、銅またはアルミニウムなどの金 属を用いることができる。

 また、絶縁性基材8としては、絶縁性物質 からなるものでであれば特に限定なく用いる ことができ、たとえば、PET(ポリエチレンテ� �フタレート)、PEN(ポリエチレンナフタレート )、ポリイミドまたはエチレンビニルアセテ� �トなどの絶縁性基材を用いることができる� �

 次に、図7に示すように、図5に示した3枚� ��裏面電極型太陽電池の半導体基板1の裏面側 を配線基板10側に向けるようにして半導体基� ��1を配線基板10の配線9上に設置することによ って、本発明の太陽電池ストリングが作製さ れる。ここで、裏面電極型太陽電池の電極(� �1導電型用電極5および第2導電型用電極4)が配 線基板10の配線9上に設置されるように3枚の� �面電極型太陽電池が配線基板10上に配列され て設置される。

 図8に、図7のVIII-VIIIに沿った模式的な断� �を示す。ここで、図8に示すように、本発明� ��太陽電池ストリングにおいては、隣り合う� ��面電極型太陽電池の一方の裏面電極型太陽� ��池の第1導電型用電極5と他方の裏面電極型� �陽電池の第2導電型用電極6とが配線9により� �気的に接続されている。

 なお、本発明の太陽電池ストリングにお� ��ては、太陽電池ストリングを構成する図2(a) および図2(b)に示す構成を有する本発明の裏� �電極型太陽電池の第2導電型用電極4は複数に 分断されているが、分断された第2導電型用� �極4は、配線基板10の配線9によって電気的に� ��続されているため、特に問題とはならない� ��考えられる。

 以上のような構成の本発明の太陽電池ス� ��リングにおいては、従来のように第1導電型 の電極非形成領域6と第2導電型用電極4との間 に絶縁膜を設けるなどの手間を省くことがで きるため、容易にバイパスダイオード機能(� �発明の太陽電池ストリングを構成する裏面� �極型太陽電池の逆バイアス電圧による故障� �防止機能)を形成することができる。

 図9に、本発明の太陽電池モジュールの一 例の模式的な分解断面図を示す。ここで、本 発明の太陽電池モジュールは、図8に示す構� �を有する本発明の太陽電池ストリングの受� �面側に封止材11および透明基板13を配置し、� ��面側に封止材11および裏面フィルム12を配置 した構成となっている。

 ここで、封止材11としては、たとえば太� �光に対して透明な樹脂などを特に限定なく� �いることができ、なかでも、エチレンビニ� �アセテート樹脂、エポキシ樹脂、アクリル� �脂、ウレタン樹脂、オレフィン系樹脂、ポ� �エステル樹脂、シリコーン樹脂、ポリスチ� �ン樹脂、ポリカーボネート樹脂およびゴム� �樹脂からなる群から選択された少なくとも1� ��の透明樹脂を用いることが好ましい。

 また、透明基板13としては、たとえば太� �光に対して透明な基板を特に限定なく用い� �ことができ、たとえばガラス基板などを用� �ることができる。

 また、裏面フィルム12としては、たとえ� �従来から用いられている耐候性フィルム等� �シートを特に限定なく用いることができ、� �かでも絶縁性フィルムの間に金属フィルム� �挟み込んだ構成のものを用いることが好ま� �い。

 なお、絶縁性フィルムとしては、たとえ� ��従来から公知のものを用いることができ、� ��とえばポリエチレンテレフタレートフィル� ��などを用いることができる。また、金属フ� ��ルムとしては、従来から公知のものを用い� ��ことができるが、たとえば封止材中への水� ��気や酸素の透過を十分に抑制して長期的な� ��頼性を確保する観点からはたとえばアルミ� ��ウムなどの金属フィルムを用いることが好� ��しい。

 図9に示す構成を有する本発明の太陽電池 モジュールは、たとえば以下のようにして作 製することができる。まず、図8に示す構成� �有する本発明の太陽電池ストリングを封止� �11の間に設置するとともに、その封止材11を� ��明基板13と裏面フィルム12との間に設置して 、封止材11のセッティングを行なう。

 そして、上記のセッティング後の封止材1 1をその上下方向に加圧しながら加熱して封� �材11を硬化させる。これにより、図9に示す� �成を有する本発明の太陽電池モジュールが� �製される。

 また、本発明の太陽電池モジュールにお� ��て、裏面電極型太陽電池の電極(第1導電型� �電極5および第2導電型用電極4)と配線基板10� �配線9については、半田などの接続用導電性� ��質で予め固定していなくても封止材11の封� �後の圧力によってこれらを直接接触させな� �ら固定することができるため、半田などの� �続用導電性物質を用いる必要がない。

 したがって、本発明においては、裏面電� ��型太陽電池の電極(第1導電型用電極5および� ��2導電型用電極4)と配線基板10の配線9とを直� ��接触させて封止材11中に太陽電池ストリン� �を封止して太陽電池モジュールを作製する� �とが好ましい。

 また、本発明の太陽電池モジュールの外� ��にはたとえばアルミニウムなどからなる枠� ��が嵌め込まれていてもよい。また、本発明� ��太陽電池モジュールには発生した電流を外� ��に取り出すための端子ボックスが取り付け� ��れていてもよい。

 今回開示された実施の形態はすべての点� ��例示であって制限的なものではないと考え� ��れるべきである。本発明の範囲は上記した� ��明ではなくて請求の範囲によって示され、� ��求の範囲と均等の意味および範囲内でのす� ��ての変更が含まれることが意図される。