本実施形態の卑金属粉末は、ニッケル,銅 およびコバルト等の卑金属を主成分とするも のである。卑金属の成分としてはニッケルま たは銅であることが望ましい。ニッケルまた は銅は、金、銀、パラジウムおよび白金など の貴金属に比較して安価であることから、積 層型の電子部品を構成する導体膜に適用した 場合に製造コストを低減できるという利点が ある。

 本実施形態の卑金属粉末は、平均粒径が5 ~30nmである(図1参照)。卑金属粉末の平均粒径� ��5nm以上であると、結晶性が高く、かつ高純� ��の卑金属粉末となり、不均一な反応が抑え� ��れ、加熱時の凝集を抑制できる。また、前� ��平均粒径が30nm以下であると、誘電体層等の 絶縁体の表面に、きわめて薄い導体膜を形成 できることから、導体膜による段差を低減で きる。それゆえ、絶縁体と導体膜とが多層に 積層された電子部品において、デラミネーシ ョン等の発生を抑制できる。

 特に、卑金属粉末の平均粒径としては7~10 nmが好ましい。平均粒径がこの範囲であると� ��卑金属粉末の反応性をより安定化できるこ� ��から凝集が抑制され、薄層化が可能になる� ��

 これに対して、卑金属粉末の平均粒径が5 nmよりも小さいと、結晶性が低くなり、立方� ��密構造(ccp)の割合が低下する。さらには、� �金属粉末の形状が不揃いになりやすいこと� �ら、不均一な反応が起こりやすくなる。こ� �ため凝集しやくなり、その結果、導体膜を� �層化することが困難となる。

 また、卑金属粉末の平均粒径が30nmよりも 大きいと、誘電体層等の絶縁体の表面に薄層 の導体膜を形成することが困難となる。この ため、絶縁体と導体膜とが多層に積層された 電子部品において、導体膜の厚みによる段差 が大きくなり、デラミネーション等の不良が 発生しやすくなる。

 前記平均粒径は、後述するように、走査� ��電子顕微鏡を用いて測定される値である。� ��た、前記平均粒径は、後述する本実施形態� ��製法において、例えば(c)工程における還元� ��囲気中の加熱温度を調節することによって� ��所望の値に制御することができる。

 本実施形態の卑金属粉末は、X線回折パタ ーンにおいて、前記卑金属の六方最密構造(hc p)の主ピークおよび前記卑金属の酸化物の主� ��ークのうちの強い方の回折強度が、前記卑� ��属の立方最密構造(ccp)の主ピークの回折強� �の10%以下である。

 具体例を挙げると、図2は、本実施形態の 卑金属粉末の一例であるニッケル粉末のX線� �折パターンである。図2に示すX線回折パター ンのうち(a)は、後述する実施例における試料 No.3の加熱温度が250℃の場合、(b)は、実施例� �おける試料No.6の加熱温度が400℃の場合であ� ��。

 同図に示すように、本実施形態の卑金属� ��末は、X線回折パターンにおいて、卑金属(� �ッケル:Ni)の六方最密構造(hcp)の主ピーク(111) および卑金属の酸化物(酸化ニッケル:NiO)の主 ピーク(200)のうちの強い方の回折強度が、卑� ��属の立方最密構造(ccp)の主ピーク(111)の回折 強度の10%以下である。

 本実施形態の卑金属粉末は、上述のよう� ��平均粒径を有していても、金属として高い� ��密充填構造を有する立方最密構造の割合が� ��いために、金属のすべり面が現れやすいこ� ��から展性や延性に富み、かつ導電性の高い� ��のを得ることができる。

 特に、卑金属の六方最密構造(hcp)の主ピ� �クおよび卑金属の酸化物の主ピークのうち� �強い方の回折強度が、卑金属の立方最密構� �(ccp)の主ピークの回折強度の5%以下であるこ� ��がより望ましく、その卑金属粉末における� ��金属の含有量は99%以上であることが好まし� ��。これにより、卑金属粉末の焼結体中にお� ��る異相の生成を抑制でき、展性や延性およ� ��導電性を高めることが可能になる。

 これに対して、卑金属の六方最密構造(hcp )の主ピークおよび卑金属の酸化物の主ピー� �のうちの強い方の回折強度が、卑金属の立� �最密構造(ccp)の主ピークの回折強度に対して 10%よりも高いと、展性や延性および高い導電 率を得ることが困難となる。

 前記X線回折パターンにおける回折強度は 、後述するように、X線回折装置を用いて測� �される値である。また、卑金属の六方最密� �造(hcp)の主ピークおよび卑金属の酸化物の主 ピークのうちの強い方の回折強度を、卑金属 の立方最密構造(ccp)の主ピークの回折強度の1 0%以下とするには、本実施形態の製法におい� ��、例えば(c)工程における還元雰囲気中の加� ��温度を調節することによって、所望の値に� ��御することができる。

 次に、本実施形態の卑金属粉末の製法につ� ��て説明する。本実施形態の卑金属粉末の製� ��は、以下の(a)~(c)の工程を具備する。
 (a)工程では、図3に示すガラス製容器10に、� ��金属の硝酸塩と、オレイン酸ナトリウムま� ��はマレイン酸ナトリウムとを入れる。さら� ��水と、該水よりも極性の低い2種の溶媒とを 加えて、これら3種の混合溶媒中に卑金属の� �分が溶解した卑金属含有溶液を調製する。

 前記卑金属の硝酸塩としては、硝酸ニッ� ��ル、硝酸銅または硝酸コバルトを用いるの� ��好ましく、硝酸ニッケルまたは硝酸銅を用� ��るのがより好ましい。これらの硝酸塩は水� ��物であっても良いが、高純度の卑金属粉末� ��得られるという理由から、用いる硝酸塩の� ��度は99%以上であることが好ましい。

 また、添加剤として、オレイン酸ナトリ� ��ムまたはマレイン酸ナトリウムを、硝酸塩1 00質量部に対して5~20質量部添加するのが好ま しい。これにより、反応終了後に生成する卑 金属を含む前駆体の凝集を抑制できるととも に、前駆体を構成する有機物の分解反応を促 進でき、微粒の卑金属粉末が得られるという 利点がある。

 また、本実施形態の卑金属粉末の製法で� ��、上記卑金属を含む硝酸塩を溶解させ、か� ��反応終了後に卑金属を含む前駆体を形成す� ��ための溶媒として、上述の通り、水と、該� ��よりも極性の低い2種の溶媒とを用いる。以 下、水を第1の溶媒、該水よりも極性の低い2� ��の溶媒を第2,第3の溶媒として説明する。

 第1の溶媒である水(極性:21)は、イオン交� ��水を用いるのが良い。水よりも極性の低い� ��媒である第2の溶媒としては、ブチルアルコ ール(極性:10.7)、ヘキサン(極性:7.3)およびオ� �タン(極性:7.0)から選ばれる1種の溶媒を用い� ��ことが好ましい。なお、溶媒の極性とは、� ��分原子の電気陰性度の違いのために電子雲� ��分布が偏り、正負の電荷の重心が一致せず� ��双極子が形成された状態を表す量であり、� ��媒のモル蒸発エネルギーを1モル当たりの体 積で除した値の平方根で表される値である。

 また、水よりも極性の低い第3の溶媒とし ては、水と第2の溶媒との中間の極性を持つ� �媒を選択するのがよく、例えば、メチルア� �コール、エチルアルコールおよびプロピル� �ルコールから選ばれる1種の溶媒を用いるこ� ��が好ましい。

 本実施形態の製法において、極性の異な� ��3種の溶媒を用いるのは以下の理由からであ る。すなわち、第1の溶媒として、極性の高� �水を用いるのは、卑金属を含む硝酸塩を溶� �し易く、また、後述のオレイン酸ナトリウ� �またはマレイン酸ナトリウムに含まれるナ� �リウム成分を水に溶解させておくことがで� �るからである。

 第2の溶媒として水よりも極性の低いブチ ルアルコール、ヘキサンおよびオクタンから 選ばれる1種の溶媒を用いるのは、上述のオ� �イン酸ナトリウムまたはマレイン酸ナトリ� �ムが溶解しやすく、またオレイン酸ナトリ� �ムまたはマレイン酸ナトリウムを核として� �成される卑金属を含むオレイン酸の前駆体� �たはマレイン酸の前駆体が形成されやすい� �らである。

 さらに、水と第2の溶媒との中間の極性を 有する第3の溶媒を用いるのは、第1の溶媒で� ��る水と第2の溶媒であるメチルアルコール(� �性:12.9)、エチルアルコール(極性:11.2)および� ��ロピルアルコール(極性:11.5)から選ばれる1� �の溶媒とを分離することなく均一に混合す� �ためである。これにより、水に溶解しやす� �卑金属の硝酸塩と第2の溶媒に溶解しやすい� ��レイン酸ナトリウムまたはマレイン酸ナト� ��ウムとを均一に混合することが可能になる� ��

 (b)工程では、卑金属含有溶液を静かに放� ��して、図3に示すように、卑金属を含むオレ イン酸の前駆体20またはマレイン酸の前駆体2 0を得る。卑金属含有溶液を静かに放置する� �とにより、卑金属含有溶液は、水21と、ブチ ルアルコール、ヘキサンおよびオクタンから 選ばれる1種の溶媒との間で分離していき、� �成するオレイン酸の前駆体20またはマレイン 酸の前駆体20が第2の溶媒中に生成する。この ときオレイン酸の前駆体20およびマレイン酸� ��前駆体20は重合体となっている。

 卑金属含有溶液を静かに放置するときの� ��件は、卑金属を含むオレイン酸の前駆体20� �たはマレイン酸の前駆体20の収率を高めると ともに、これらの前駆体20の加熱による分解� ��を高めるという理由から、温度10~50℃にて1~ 48時間が好ましい。

 次に、ガラス製容器10の排出口11を開けて 分離した下層側の溶液を排出し、卑金属を含 むオレイン酸の前駆体20またはマレイン酸の� ��駆体20を含む第2の溶媒のみを抽出する。こ� ��後、卑金属を含むオレイン酸の前駆体20ま� �はマレイン酸の前駆体20を含む溶液から溶媒 を乾燥させて卑金属を含むオレイン酸の前駆 体20またはマレイン酸の前駆体20を得る。

 次に、(c)工程では、得られた卑金属を含む� ��レイン酸の前駆体20またはマレイン酸の前� �体20を、還元雰囲気(N ₂ /5%H ₂ )中にて250~400℃の温度で加熱する。これによ� ��、超微粒で高純度の本実施形態の卑金属粉� ��が得られる。また、このような(a)~(c)の工程 を具備する本実施形態の卑金属粉末の製法は 、大量生産に適している。

 特に、得られる卑金属粉末において、立� ��最密構造(ccp)の割合が高く、平均粒径を7~10n mにできるという点で、加熱する温度は270~370� ��が好ましく、300~350℃がより好ましい。

 これに対して、加熱する温度が250℃より� ��低くなると、オレイン酸の前駆体20または� �レイン酸の前駆体20の分解反応が促進されず 前駆体20が残留しやすくなる。また、加熱す� ��温度が400℃よりも高いと、オレイン酸の前� ��体20またはマレイン酸の前駆体20の分解反応 が進み、残留する前駆体20の量は少なくなる� ��のの、得られる卑金属粉末が粒成長するた� ��、超微粒の卑金属粉末を得ることが困難と� ��る。

 次に、本実施形態の卑金属粉末を用いて� ��られる導体ペーストについて説明する。本� ��施形態の導体ペーストは、上記卑金属粉末� ��有機ビヒクルとを含むものである。前記有� ��ビヒクルとしては、例えばエチルセルロー� ��等のセルロース系高分子、エチレングリコ� ��ルおよびジエチレングリコール誘導体、ト� ��エン、キシレン、ミネラルスピリット、ブ� ��ルカルビトール、α-テルピネオール(ターピ ネオール)等の有機溶媒が挙げられ、これら� �1種または2種以上を混合して用いてもよい。

 また、前記導体ペーストには、必要に応� ��て、導体ペースト本来の導電性(低抵抗率)� �半田耐熱性、接着強度等を著しく損なわな� �限りにおいて、種々の無機添加剤を副成分� �して含ませることができる。前記無機添加� �としては、例えばガラス粉末、無機酸化物� �その他種々のフィラー等が挙げられる。こ� �場合、無機添加剤は、平均粒径が卑金属粉� �と同等か、もしくはそれ以下の平均粒径を� �するものが好ましい。

 導体ペーストの調製は、例えば3本ロール ミルやその他の混練機を用いて、卑金属粉末 および各種添加剤を有機ビヒクルとともに所 定の配合比で直接混合し、相互に練り合わせ ればよい。

 導体ペースト中の卑金属粉末の含有量は� ��特に限定されるものではないが、主成分た� ��卑金属粉末の含有率が、ペースト全体の60~9 5質量%となるように各材料を混練するのがよ� ��。

 導体ペーストの調製に用いられる有機ビ� ��クルの添加量は、ペースト全体のほぼ1~40質 量%となる量が適当であり、1~20質量%となる量 が特に好ましい。また、無機添加剤としてガ ラス粉末やセラミック粉末を加える場合には 、卑金属粉末100質量部に対して5質量部以下� �割合で添加するのが好ましい。

 次に、本実施形態の電子部品について、� ��4に示す積層セラミックコンデンサを例に挙 げて説明する。本実施形態の導体ペーストを 用いて、以下のような積層セラミックコンデ ンサを形成できる。

 本実施形態における積層セラミックコン� ��ンサは、図4に示すように、コンデンサ本体 1の両端部に外部電極2が設けられている。コ� ��デンサ本体1は、絶縁体である誘電体層3と� �体膜である内部電極層4とが交互に積層され� ��成されている。

 内部電極層4は、上述した本実施形態の導 体ペーストによって形成されたものであり、 その厚みは誘電体層3の厚みが1μm以下である� ��合に、100nm以下、特に、50nm以下であること� ��望ましい。これにより、本実施形態の卑金� ��粉末を用いて得られる電子部品を薄型にで� ��、導体膜による段差を低減でき、デラミネ� ��ション等の発生を抑制することが可能にな� ��。

 次に、前記積層セラミックコンデンサの製� ��について説明する。
 まず、上述の導体ペーストを、焼成後に絶� ��体となるセラミックグリーンシート上に印� ��し、焼成後に導体膜となる導体パターンを� ��成する。このとき導体パターンの乾燥後の� ��みは100nm以下、特に、50nm以下が好ましい。� ��いで、上述の導体パターンが形成されたセ� ��ミックグリーンシートを複数層積層し、加� ��加熱して一体化させて母体積層体を形成す� ��。

 次に、得られた母体積層体を所定の寸法� ��切断し、焼成後にコンデンサ本体1となる未 焼成の積層体を得る。次に、この未焼成の積 層体を、大気中もしくは窒素雰囲気中にて脱 脂した後、水素-窒素の混合ガスの還元雰囲� �中にて1000~1300℃の範囲で1~5時間の条件で焼� �する。なお、必要に応じて、焼成温度より� �低い温度(900~1100℃)にて再加熱して酸化処理� ��行ってもよい。

 こうして絶縁体である誘電体層3と導体膜 である内部電極層4とが交互に積層され一体� �されたコンデンサ本体1が得られる。次に、� ��のコンデンサ本体1の対向する端部に、外部 電極ペーストを塗布して焼付けを行い外部電 極2が形成される。また、この外部電極2の表� ��に実装性を高めるためのメッキ膜を形成し� ��積層セラミックコンデンサを得る。

 以下、実施例を挙げて本発明についてさ� ��に詳細に説明するが、本発明は以下の実施� ��に限定されるものではない。