本发明的实施例涉及一种芯片的绑定设备和方 法。 背景技术

为了更好的降低成本， 目前小尺寸液晶显示产品基本采用 COG ( Chip On Glas s )的芯片绑定工艺方法对液晶显示面板进行驱� �。具体为在棵芯片上形 成凸点后， 在基板上直接与液晶显示屏的引线相连接。

在 COG 绑定工艺过程中， 进行主压时， 高温的压头先接触到芯片， 通 过芯片将热量传导到各向异性导电胶和基板。 此时， 基板与所在平台的温度 差异较大， 造成两者之间膨胀尺寸有差异。 各向异性导电胶固化后， 芯片与 基板之间的相对位置就固定下来。 主压结束后， 芯片和基板冷却下来， 芯片 收缩的尺寸比基板大， 使得芯片的两端产生较大的对基板的应力， 这样就导 致芯片和基板产生翘曲。而芯片和基板产生翘 曲会导致芯片剥离、芯片断裂、 显示效果明暗不均等不良后果。

目前解决芯片和基板翘曲的问题主要采用低温 各向异性导电胶产品， 但 是目前该产品价格昂贵， 而且技术不成熟。 发明内容

本发明的实施例提供了一种芯片的绑定设备和 方法， 能够很大程度改善 芯片和基板在绑定后发生的翘曲问题。

本发明的第一方面提供了一种芯片的绑定设备 ， 包括基台和压头， 所述基台用于承载基板的一面具有向下凹陷的 第一弧度， 所述压头与芯 片接触的一面具有向下凸起的第二弧度， 具有第一弧度的所述基台和具有第 二弧度的所述压头匹配。

例如， 所述第一弧度和所述第二弧度的曲率半径相等 。

例如， 所述第一弧度的边缘的切线方向与水平面的夹 角为 0.5° ~1.5。 。 例如， 该绑定设备用于 COG芯片绑定。

本发明的第二方面提供了一种芯片的绑定工艺 方法， 包括：

将基板设置于具有向下凹陷的第一弧度的基台 上；

在所述基板上涂覆各向异性导电胶， 将芯片放置于所述各向异性导电胶 上并进行预固定；

利用具有向下凸起的第二弧度的压头， 将所述芯片绑定在所述基板上； 其中， 具有第一弧度的所述基台和具有第二弧度的所 述压头匹配。

例如， 所述第一弧度和所述第二弧度的曲率半径相等 。

例如， 所述第一弧度的边缘的切线方向与水平面的夹 角为 0.5° ~1.5。 。 例如， 所述各向异性导电胶涂覆于所述基板的两个相 邻的边缘侧。

例如， 利用具有第二弧度的所述压头， 将所述芯片绑定在所述基板上包 括：

所述压头的温度为 150°C ~170°C。

例如， 所述基板为玻璃基板。

例如， 该绑定方法是 COG芯片绑定方法。 附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案， 下面将对实施例描述中所 需要使用的附图作筒单地介绍。 显而易见地， 下面描述中的附图仅仅是本发 明的一些实施例， 而非对本发明的限制。

图 1为本发明实施例中的芯片的绑定设备的结构� �意图； 图 2为本发明实施例中的芯片的绑定设备的使用� �意图； 图 3为本发明实施例中的主压过程中芯片和基板� �形变情况示意图； 图 4为本发明实施例中的冷却后的芯片和基板的� �变情况示意图； 图 5为本发明实施例中的测试结果示意图；

图 6为本发明实施例中的芯片的绑定方法的流程� �意图。

附图标记说明：

1—基台； 2—压头； 3—基板；

4一芯片； 5—各向异性导电胶。 具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图， 对本发明实施例中的技术方案进行 清楚、 完整地描述。 显然， 所描述的实施例是本发明一部分实施例， 而不是 全部的实施例。 基于所描述的本发明的实施例， 本领域普通技术人员在无需 创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例， 都属于本发明保护的范围。

本发明实施例提供了一种芯片的绑定设备， 如图 1所示， 该芯片的绑定 设备包括基台 1和压头 2, 所述基台 1用于承载基板的一面具有向下凹陷的第一弧� �， 所述压头 2 与芯片接触的一面具有向下凸起的第二弧度， 具有第一弧度的所述基台 1和 具有第二弧度的所述压头 2匹配。 如图 1所示， 所述基台 1具有向下凹陷的第一弧度， 该第一弧度的曲率 半径为 _ri , 所述压头 2具有向下凸起的第二弧度， 该第二弧度的曲率半径为 r ₂ 。 当利用该基台 1和压头 2进行芯片绑定工艺时， 该基台 1和所述压头 2 相配合， 如图 2所示。 由于基板 3和芯片 4具有一定的弹性， 尤其芯片 4具 有一定的延展性， 故而基台 1和压头 2在进行主压过程时， 该基板 3和芯片 4具有一定的向下弯曲的弧度， 如图 3所示。 在芯片 4和基板 3在冷却的过 程中， 由于芯片 4收缩的尺寸比基板大， 就使得原本向下弯曲的基板 3和芯 片 4在冷却过程中向着弧形的圓心方向发生形变� � 冷却结束后芯片 4和基板 3变得较为平整， 如图 4所示。 本发明的实施例大大减小了芯片 4和基板 3 之间的应力， 防止芯片 4和基板 3产生翘曲， 进而防止芯片 4剥离、 芯片 4 断裂、 显示效果明暗不均等不良后果的产生。

如图 2-4所示， 位于芯片 4和基板 3之间的为一层各向异性导电胶 5。 各向异性导电胶 5主要包括树脂黏着剂、 导电粒子两大部分。 树脂黏着剂的 功能除了防湿气、 黏着、 耐热及绝缘功能外， 主要用于将芯片 4绑定在基板 3上， 固定芯片 4与基板 3间电极的相对位置， 并提供压迫力量以维持电极 与导电粒子间的接触面积。

在本发明的一些实施例中， 基台 1用于承载基板 3的一面的尺寸和形状 基本对应于基板 3的尺寸和形状。 例如， 基台 1用于承载基板 3的一面的尺 寸基本等于或略大于基板 3的尺寸。 例如， 如图 2所示， 在本发明实施例的 绑定过程中， 当基板 3设置于基台 1上时， 基台 1的边缘与基板 3的边缘基 本对准。

例如， 为了提高基台 1和压头 2之间的配合程度， 所述第一弧度和所述 第二弧度的曲率半径应相等， 即 例如， 为了防止在主压过程中， 芯片 4或基板 3发生断裂等不良后果， 所述第一弧度的边缘的切线方向与水平面 的夹角 Θ—般为 0.5° ~1.5。 。 例如， 第一弧度的边缘的切线方向与水平面的 夹角 Θ取值应视基板的尺寸而定。 下表示出了几种常见尺寸的基板的 Θ的取 值对基板的影响。

Θ

尺寸 0.25° 0.50° 0.75° 1.00° 1.25° 1.50° 1.75° 2.00° 2.25° 2.50°

4.3" L1 L0 L1 L2 破裂 - - - - -

6.0" L3 L2 L0 L1 L2 破裂 - - - -

10.1" L3 L2 L1 L0 L0 L1 L2 L3 破裂

14.0" L3 L3 L2 L2 L1 L0 L1 L2 L3 破裂 上表中的 L0~L3表示基板产生的不良现象的轻重程度， L0不良现 象最轻， L0至 L3依次加重， L3为最重。

由上表中可知， 每一尺寸的基板都有一个最为合适的夹角 Θ的取值。 一 般来说， 该尺寸的基板 3和芯片 4在具有最合适的夹角对应的弧度的基台 1 和压头 2的作用下进行绑定。 对冷却后的基板 3和芯片 2进行平坦度测试， 即测试绑定后的芯片 2的翘曲程度。 翘曲程度的测量方法是使用非接触式探 头连续测试绑定后的芯片中的被测表面的高度 ， 得到一条连续的曲线， 然后 取曲线最高点与最低点的高度差来表示翘曲程 度。 一般的， 高度差越大， 表 示该芯片 2的翘曲程度越厉害； 反之， 高度差越小， 表示该芯片 2的翘曲程 度越小。

在本发明实施例中， 如图 5所示， 正面测试（即芯片 2位于基板 3的上 方， 非接触式探头从上方测量） 时基板 3和芯片 2近似处于水平状态， 此时 最高点和最低点之间的差值仅为 0.01mm (见图 5中虚线）； 反面测试（即芯 片 2位于基板 3的下方， 非接触式探头从上方透过基板测量） 时最高点和最 低点之间的差值为 0.15mm (见图 5中实线）。 对于本发明实施例所提供的基 板 3和芯片 2而言， 重力的影响较小。 由此可知本发明实施例所提供的芯片 的绑定设备大大减小了芯片 4两端对基板 3的应力， 能有效地防止芯片和基 板产生 曲。

在本实施例的技术方案中， 芯片绑定的设备的基台具有向下凹陷的第一 弧度， 压头具有向下凸起的第二弧度， 具有第一弧度的所述基台和具有第二 弧度的所述压头匹配。 该基台和压头在对芯片和基板进行主压以将芯 片绑定 在基板上的过程中， 芯片与基板具有一定的向下弯曲的弧度。 芯片与基板在 冷却的过程中， 由于芯片收缩的尺寸比基板大， 向下弯曲的基板和芯片在冷 却过程中向着弧形的圓心方向发生形变。 冷却结束后芯片和基板变得较为平 整， 大大减小了芯片和基板之间的应力， 防止芯片和基板产生翘曲， 进而防 止芯片玻璃、 芯片断裂、 显示效果明暗不均等不良后果的产生。

进一步的， 本发明实施例还提供了一种利用上述的芯片的 绑定设备的芯 片的绑定方法， 具体如图 6所示， 该方法包括：

步骤 S101 : 将基板设置于具有向下凹陷的第一弧度的基台 上； 步骤 S102: 在所述基板上涂覆各向异性导电胶， 将芯片放置于所述各向 异性导电胶上并进行预固定；

步骤 S103: 利用具有向下凸起的第二弧度的压头， 将所述芯片绑定在所 述基板上；

具有第一弧度的所述基台和具有第二弧度的所 述压头匹配。

例如， 为了提高基台 1和压头 2的配合程度， 所述第一弧度和所述第二 弧度的曲率半径相等。

例如， 为了防止基板 3在主压的过程中破损， 所述第一弧度的边缘的切 线方向与水平面的夹角为 0.5° ~1.5° 。

例如， 由于芯片 4通常设置在基板的两个相邻的边缘侧， 所述各向异性 导电胶 5涂覆于所述基板 3的两个相邻的边缘侧。

通常， 各向异性导电胶 5需要得到 150°C~170°C的温度， 才能进行熔化 其内部的树脂黏着剂， 进行绑定处理。 所以步骤 S103中， 所述压头 2的温 度优选为 150°C~170°C。 在本发明的其它实施例中， 压头 2的温度应根据各 向异性导电胶 5的适用温度来选择。

例如， 所述基板 3玻璃基板。 在本发明的其它实施例中， 所述基板 3还 可为塑料等透明材质。

以上所述， 仅为本发明的具体实施方式， 但本发明的保护范围并不局限 于此， 任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露 的技术范围内， 可轻易 想到变化或替换， 都应涵盖在本发明的保护范围之内。 因此， 本发明的保护 范围应以所述权利要求的保护范围为准。