大観光徳 (〒50 鳥取県鳥取市湖山町南4丁目101番地国立大学法人鳥取大学内 Tottori, 6808550, JP)
OHASHI, Tsuyoshi (4-101 Koyamacho-Minami, Tottori-sh, Tottori 50, 6808550, JP)
大橋剛 (〒50 鳥取県鳥取市湖山町南4丁目101番地国立大学法人鳥取大学内 Tottori, 6808550, JP)
HIGUCHI, Makoto (LTD. EngineeredMaterials Sector PVD Materials Division, 2081, Oaza Tousen, Omuta-sh, Fukuoka 03, 8360003, JP)
国立大学法人鳥取大学 (〒50 鳥取県鳥取市湖山町南4丁目101番地 Tottori, 6808550, JP)
MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD. (11-1, Osaki 1-chome Shinagawa-k, Tokyo 84, 1418584, JP)
三井金属鉱業株式会社 (〒84 東京都品川区大崎1丁目11-1 Tokyo, 1418584, JP)
OHMI, Koutoku (4-101 Koyamacho-Minami, Tottori-sh, Tottori 50, 6808550, JP)
大観光徳 (〒50 鳥取県鳥取市湖山町南4丁目101番地国立大学法人鳥取大学内 Tottori, 6808550, JP)
OHASHI, Tsuyoshi (4-101 Koyamacho-Minami, Tottori-sh, Tottori 50, 6808550, JP)
| 一般式:Ba 2 (Si 1-x Al x )S 4 :Ce(但し、式中のxは0<x<1)で示される結晶を含有する青色蛍光体。 |
| 一般式:Ba 2 (Si 1-x Al x )S 4 :Ceで示される結晶を含有する青色蛍光体であって、前記式中のxが0.05~0.30であることを特徴とする青色蛍光体。 |
| CuKα線を用いたXRDパターンにおいて、回折角2θ=21~23.5°に現れる主ピークの半値幅が、一般式:Ba 2 SiS 4 :Ceのそのピークの半値幅よりも小さいことを特徴とする請求項1又は2に記載の青色蛍光体。 |
| CuKα線を用いたXRDパターンにおいて、回折角2θ=21~23.5°に現れる主ピークの半値幅が、一般式:Ba 2 SiS 4 :Ceのそのピークの半値幅の90~100%未満であることを特徴とする請求項3に記載の青色蛍光体。 |
| 励起源と、請求項1~4の何れかに記載の青色蛍光体とを備えた青色発光素子乃至装置。 |
| 励起源と、請求項1~4の何れかに記載の青色蛍光体と、黄色蛍光体とを備えた白色発光素子乃至装置。 |
本発明は、青色蛍光体に関する。より詳 くは、近紫外LED(発光ダイオード)を励起源 する照明用蛍光体として用いたり、FED(電界 射型ディスプレイ)、PDP(プラズマディスプ イ)、EL(エレクトロルミネッセンス)などのデ ィスプレイ用蛍光体として用いたりすること ができる青色蛍光体に関する。
現在の照明用光源の主流は、蛍光灯や白 電球であるが、LED(発光ダイオード)を光源 用いたものは、蛍光灯等に比べて消費電力 少なく、寿命も長く、手で触っても熱くな 安全性を備えている上、水銀等の有害物質 含まず環境面でも優れており、近い将来、 明用光源の主流となることが期待されてい 。
しかし、青色と黄色の光を混ぜて発光さ る従来の白色LEDは、自然な発色性を示す演 性に劣り、商店の商品照明や食卓などの屋 照明には不適当であった。白色LEDの演色性 改善する手法として、近紫外LEDと赤、緑、 の3種類の蛍光体とを組み合わせる方法が考 えられるが、既存の蛍光体は、近紫外光の励 起では発光効率が悪いため、近紫外光の励起 において高い発光強度を示す蛍光体の開発が 望まれていた。
他方、FED(電界放射型ディスプレイ)、PDP( ラズマディスプレイ)、EL(エレクトロルミネ ッセンス)などのディスプレイ技術において 、青色蛍光体、赤色蛍光体および緑色蛍光 を組み合わせるか、或いは、青色蛍光体と 変換材料とを組み合わせることでカラー表 を実現しており、純度が高い青色を発光し 輝度が高く、かつ環境に優しい蛍光体の開 が求められていた。
従来、無機ELなどのディスプレイ用青色蛍 体として、(1)SrS:Ce、(2)MGa 2 S 4 :Ce(M=Sr、Ca)、(3)BaAl 2 S 4 :Eu、(4)Ba 2 SiS 4 :Ce等が知られている。また、LEDランプ用の青 色蛍光体として(5)(Ba,Mg)Al 10 O 17 :Eu、(6)Sr 5 (PO 4 ) 3 Cl:Eu等が知られている。
また、本出願人らは、色純度が良く、輝度 高く、化学的安定性が良く、且つ結晶化温 が低い青色蛍光体として、Ba 2 SiS 4 :Ceからなる青色蛍光体を開示している(特許 献1参照)。
本発明は、特許文献1で開示したBa 2 SiS 4 :Ceについてさらに研究を進め、輝度がより一 層高く、特に近紫外領域の励起によって優れ た発光強度を示す新たな青色蛍光体を提供せ んとするものである。
本発明は、一般式:Ba 2 (Si 1-x Al x )S 4 :Ce(但し、式中のxは0<x<1)で示される結晶 含有する青色蛍光体、すなわち、一般式:Ba 2 SiS 4 :Ceで示される結晶のSiサイトの一部をAlに置 してなる結晶を含有する青色蛍光体を提案 るものである。
一般式:Ba 2
SiS 4
:Ceで示される青色蛍光体におけるSiサイトの
部をAlに置換することにより、近紫外領域(3
50nm~420nm程度)の励起による発光スペクトルの
光強度をより一層高めることができ、輝度
さらに向上させることができる。
この要因として、先ずは、Siサイトの一部
Alに置換したことで、3価のAlが2価のSiのサイ
トに導入されたことによる電荷補償効果の影
響が考えられるが、同じく3価のGaやYを添加
ても発光強度の向上が確認されなかった結
からすると、Al特有の効果であるとも考えら
れる。
本発明の青色蛍光体によれば、近紫外領 (350nm~420nm程度)の励起による発光スペクトル の発光強度を高めることができるから、例え ば近紫外LED(例えば405nm)を励起源とする照明 置用蛍光体として用いたり、例えばFED(電界 射型ディスプレイ)、PDP(プラズマディスプ イ)、EL(エレクトロルミネッセンス)などのデ ィスプレイの発光素子乃至装置用の蛍光体と して用いたりすることができる。
また、本発明の青色蛍光体と、黄色蛍光 と、励起源とを組合わせることにより、水 、Se、Cd等の有害物質を含まず、輝度の高い 白色発光素子乃至装置を構成することもでき る。
以下に本発明の実施形態について詳細に べるが、本発明の範囲が以下に説明する実 形態に限定されるものではない。
本実施形態に係る青色蛍光体(以下「本青色 蛍光体」という)は、一般式:Ba 2 (Si 1-x Al x )S 4 :Ce(但し、式中のxは0<x<1)で示される結晶 含む蛍光体であって、好ましくは当該結晶 らなる単一相からなる蛍光体である。
本青色蛍光体の発光中心(発光イオン)は、3 のCe 3+ であることが重要である。
Ce 3+ の濃度は、Ba 2 SiS 4 に対して0.1~5mol%であるのが好ましく、特に1~2 mol%であるのが好ましい。なお、Ceの添加量が 増えると、発光色が緑色方向にシフトし、明 るく見えるようになるため、輝度向上を重視 すると、Ce 3+ の濃度は、Ba 2 SiS 4 に対して0.5~4mol%であるのが好ましく、特に1~2 mol%であるのが好ましい。
一般式:Ba 2 (Si 1-x Al x )S 4 :Ceは、一般式:Ba 2 SiS 4 :Ceで示される化合物におけるSiサイトの一部 Alに置換してなる構造を示しており、一般 :Ba 2 (Si 1-x Al x )S 4 :CeにおいてAlの置換比率を示すxの値は、0<x <0.1であればよいが、好ましくは0.05以上で り、特に好ましくは0.1以上である。また、 限値は0.4以下であるのが好ましく、特に0.3 下、中でも0.2以下であるのが特に好ましい
一般式:Ba 2 SiS 4 :Ceで示される化合物と対比すると、当該化合 物のSiサイトの一部をAlに置換することによ 、輝度が向上することが確認されており、 にxが0.05以上であればより一層輝度を向上さ せることができ、0.1以上であれば輝度を30%程 度も向上させることができる。他方、Alを添 し過ぎると、例えばx=0.5以上添加すると、Ba Al 2 S 4 などの異相が析出し発光輝度が低下するよう になる。
(本青色蛍光体の特徴)
本青色蛍光体を、CuKα線を用いたX線回折(XRD
)すると、XRDパターンにおいて、回折角2θ=21~2
3.5°に現れる主ピークの半値幅を、一般式:Ba 2
SiS 4
:Ceのそのピークの半値幅よりも小さくするこ
とができ、一般式:Ba 2
SiS 4
:Ceのそのピークの半値幅の90~100%未満に、さ
には90~98%に、またさらには90~95%にすること
できる。かかる観点からすると、一般式:Ba 2
(Si 1-x
Al x
)S 4
:CeにおいてAlの置換比率を示すxの値が0.05~0.3(
特に0.3未満)、中でも特に0.1~0.2であるのが好
しい。
常識的には、不純物を添加すれば結晶性が
下して半値幅が大きくなるのが通常である
、本青色蛍光体の場合は、Siサイトの一部
Alに置換しても、置換しないものに比べて結
晶ピークの半値幅を同じか若しくは小さくす
ることができるという特徴を有している。
なお、回折角2θ=21~23.5°に現れる主ピークは
(012)面のピークと推察される。
また、本青色蛍光体は、波長250nm~480nmの 、特に近紫外領域(350nm~420nm程度)の光によっ 励起され、青色光を発光する特徴を備えて る。
発光スペクトルに関して言えば、本青色 光体は、波長405nmの光励起によって、少な とも波長435nm±30nmの領域に発光ピークを有す るという特徴を備えている。
(製造方法)
次に、本青色蛍光体の好ましい製造方法の
例について説明する。但し、下記に説明す
製造方法に限定されるものではない。
本青色蛍光体は、バリウム原料、ケイ素 料、アルミニウム原料およびセリウム原料 必要に応じてさらにイオウ原料をそれぞれ 量して混合し、還元雰囲気中1000~1400℃で焼 し、必要に応じて分級して得ることができ 。
上記のバリウム原料としては、BaS、BaCO 3 等を挙げることができる。
ケイ素原料としては、Si、SiS 2 等を挙げることができる。
アルミニウム原料としては、Al、Al 2 S 3 等を挙げることができる。
イオウ原料としては、S、BaS、SiS 2 、Ce 2 S 3 等を挙げることができる。
セリウム原料としては、Ce 2 S 3 、Ce 2 (CO 3 ) 3 等を挙げることができる。
演色性を向上させるために、Pr、Smなどの 希土類元素を色目調整剤として原料に添加し てもよい。
励起効率の向上のために、Sc、La、Gd、Lu の希土類族元素から選択される1種以上の元 を増感剤として原料に添加するようにして よい。
ただし、上記の添加量は、それぞれ5モル %以下とするのが好ましい。これらの元素の 有量が5モル%を超えると、異相が多量に析出 し、輝度が著しく低下するおそれがある。
また、アルカリ金属元素、Ag + 等の1価の陽イオン金属、Cl - 、F - 、I - 等のハロゲンイオンを電荷補償剤として原料 に添加するようにしてもよい。その添加量は 、電荷補償効果及び輝度の点で、アルミニウ ム族や希土類族の含有量と等量程度とするの が好ましい。
原料の混合は、乾式、湿式いずれで行な てもよい。
乾式混合する場合、その混合方法を特に 定するものではなく、例えばジルコニアボ ルをメディアに用いてペイントシェーカー ボールミル等で混合し、必要に応じて乾燥 せて、原料混合物を得るようにすればよい
湿式混合する場合は、原料を懸濁液の状 とし、上記同様にジルコニアボールをメデ アに用いてペイントシェーカーやボールミ 等で混合した後、篩等でメディアを分離し 減圧乾燥や真空乾燥などの適宜乾燥法によ て懸濁液から水分を除去して乾燥原料混合 を得るようにすればよい。
焼成する前に、必要に応じて、上記如く られた原料混合物を粉砕、分級、乾燥を施 ようにしてもよい。但し、必ずしも粉砕、 級、乾燥を施さなくてもよい。
焼成は、800℃以上で焼成するのが好まし 。
この際の焼成雰囲気としては、少量の水 ガスを含有する窒素ガス雰囲気、一酸化炭 を含有する二酸化炭素雰囲気、硫化水素、 硫化炭素、不活性ガス又は還元性ガスの雰 気などを採用することができる。
焼成温度が800℃未満である場合には、焼 に長時間を要したり、焼成が不十分であっ りする傾向がある。一方、焼成温度の上限 焼成炉の耐久温度、生成物の分解温度等に って決まるが、本青色蛍光体の製造方法に いては1000~1200℃で焼成することが特に好ま い。また、焼成時間は焼成温度と関連する 、2~24時間程度である。
なお、上記焼成に先立って、仮焼成する うにしてもよい。
この際、仮焼成は、少量の水素ガスを含 する窒素ガス雰囲気、一酸化炭素を含有す 二酸化炭素雰囲気、硫化水素、二硫化炭素 不活性ガス又は還元性ガスなどの雰囲気中 、800℃以上の温度で2時間~24時間仮焼しても よい。この仮焼の場合には、焼成の場合と違 って還元性ガス雰囲気中で実施することもで きる。
仮焼温度が800℃未満では、原料に炭酸塩 用いる場合などは、炭酸ガスの分解が不十 であり、また、ハロゲン化物を使う場合は フラックス効果が十分に得られない。一方 1100℃を超える高温では異常粒成長を起こし て、均一な微粒子が得られにくくなる。また 、仮焼時間が1時間未満では物質特性に再現 が得られにくく、12時間を超えると物質飛散 の増加による組成変動の問題が生じる。
仮焼後、さらに混合粉体全体が均一とな ように、粉砕混合し、そして焼成するよう してもよい。
上記焼成及び仮焼成において、原料混合 中にイオウ原料を含ませない場合には、硫 水素又は二硫化炭素の雰囲気中で焼成する 要がある。しかし、原料混合物中にイオウ 料を含む場合には、硫化水素、二硫化炭素 は不活性ガスの雰囲気中で焼成することが きる。この場合の硫化水素及び二硫化炭素 イオウ化合物となることもあり、また生成 の分解を抑制する機能もある。
他方、焼成雰囲気又は仮焼雰囲気に硫化水 又は二硫化炭素を用いる場合には、これら 化合物もイオウ化合物となるため、例えば 原料成分としてBaSを用いる場合には、バリ ム化合物及びイオウ化合物を用いたことに り、SiS 2 を用いる場合には、ケイ素化合物及びイオウ 化合物を用いたことになる。
また、バリウム原料、ケイ素原料、イオ 原料、アルミニウム原料及びセリウム原料 内の2成分を含む混合物を硫化水素、二硫化 炭素、不活性ガス又は還元性ガスの雰囲気中 で800℃以上の温度で2~24時間仮焼し、分級し 次いで残りの原料を混合して得られる混合 を用いることもできる。
本青色蛍光体の製造方法においては、蒸 用ペレットの形状で焼成することができる そのペレット形状の青色蛍光体の製造例を 6~図8の製造工程図で示す。
図6~図8において、「(S化合物)」の記載は オウ化合物を添加する場合と添加しない場 とがあることを意味しているが、仮焼雰囲 及び焼成雰囲気の両方で硫化水素又は二硫 炭素を用いていない場合にはイオウ化合物 添加は必須である。
また、本青色蛍光体の製造方法において 、スパッタ用ターゲットの形状で焼成する とができる。そのターゲット形状の青色蛍 体の製造、加工、ボンディングの例を図9の 製造工程図で示す。
図6~図9において、調合の条件については 一に混合できれば特には制限はない。例え 、ペイントシェイカーで100分間混合するこ ができる。
仮焼及び焼成の条件は前記した通りである 分級については、後の混合、成形が容易で れば特には制限はない。例えば、150メッシ 以下に分級する。蒸着用ペレット形状の青 蛍光体を得るためには200kg/cm 2 程度で成形することができる。
(用途)
本青色蛍光体は、励起源と組合わせて青色
光素子乃至装置を構成し、各種用途に用い
ことができる。例えば一般照明のほか、特
光源、液晶のバックライトやEL、FED、CRT用
示デバイスなどの表示デバイスなどに利用
ることができる。
本青色蛍光体とこれを励起し得る励起源と
組合わせた青色発光素子乃至装置の一例と
て、波長250nm~480nmの光を発生する発光体の
傍、すなわち該発光体が発光した光を受光
得る位置に本青色蛍光体を配置することに
り構成することができる。
具体的には、発光体からなる発光体層上に、
本青色蛍光体からなる蛍光体層を積層するよ
うにすればよい。
この際、蛍光体層は、例えば、粉末状の 青色蛍光体を、結合剤と共に適当な溶剤に え、充分に混合して均一に分散させ、得ら た塗布液を、発光層の表面に塗布及び乾燥 て塗膜(蛍光体層)を形成するようにすれば い。
また、本青色蛍光体をガラス組成物に混 してガラス層内に本青色蛍光体を分散させ ようにして蛍光体層を形成することもでき 。
さらにまた、本青色蛍光体をシート状に 形し、このシートを発光体層上に積層する うにしてもよいし、また、本青色蛍光体を 光体層上に直接スパッタリングさせて製膜 るようにしてもよい。
(用語の解説)
本青色蛍光体は、粉体、成形体のいずれの
態であってもよい。
また、本発明において「青色発光素子乃 装置」或いは「白色発光素子乃至装置」に ける「発光素子」とは、少なくとも蛍光体 その励起源としての発光源とを備えた、比 的小型の光を発する発光デバイスを意図し 「発光装置」とは、少なくとも蛍光体とそ 励起源としての発光源とを備えた、比較的 型の光を発する発光デバイスを意図するも である。
本明細書において「X~Y」(X、Yは任意の数 )と記載した場合、特にことわらない限り「 X以上Y以下」の意と共に、「好ましくはXより 大きい」或いは「好ましくはYより小さい」 意も包含する。
以下、実施例に基づいて本発明を説明す 。但し、本発明はこれらに限定されて解釈 れるものではない。
<PL発光スペクトルの測定>
分光蛍光光度計(日立社製、F-4500)を用いてPL
(フォトルミネッセンス)スペクトルを測定
た。
<XRD測定>
X線回折用のサンプルをビオデンメッシュセ
メントでガラスホルダーに充填し、RINT-2200V((
株)リガク製)を使用し、CuKα線を用いてXRDパ
ーンを得、回折角2θ=21~23.5°に現れる主ピー
(この範囲の最大ピーク)の半値幅(FWHM)を求
た。
この際の精密化は、上記RINT-2200V附属のアプ
リケーションソフト(ソフト名:格子定数の精
化)を用いて実施した。
(試験例1)
出発原料としてBaS、Si、Ce 2
S 3
及びAl 2
S 3
を用い、Al/Siの原子比が0/1~0.5/0.5の比率にな
ように配合し、φ3mmのジルコニアボールをメ
ディアに用いてペイントシェイカーで100分間
混合した。
次いで、硫化水素雰囲気中、1150℃で4時間 焼した後、得られた仮焼品を円柱状に成形 、硫化水素雰囲気中で1150℃で4時間焼成し、 一般式:Ba 2 (Si 1-x Al x )S 4 :Ce(但し、式中のxは表1に示す)で示される蛍 体を得た。
得られた蛍光体を、ICP(Inductively Coupled Pl asma:誘導結合プラズマ)で分析した結果、表1 示すように、配合したAl/Siの原子比とICPによ る分析値は略同じであることを確認した。
また、得られた蛍光体のX線回折(XRD)を行 、XRDチャートをまとめて図1に示すと共に、 フォトルミネセンス(PL)強度(a.u.)を測定し、 の発光スペクトルを図2に示し、その励起ス クトルを図3に示した。
本青色蛍光体をX線回折(XRD)すると、図1に示
されるとおり、得られた蛍光体は、Ba 2
(Si 1-x
Al x
)S 4
:Ceで示される単一相からなるものであること
を確認することができた。
さらに、CuKα線を用いたXRDパターンから求
られる回折角2θ=21~23.5°に現れる主ピークの
値幅は、一般式:Ba 2
SiS 4
:Ceのそのピークの半値幅よりも小さく、一般
式:Ba 2
SiS 4
:Ceのそのピークの半値幅の90~95%になることが
判明した。
また、図2及び図3より、本青色蛍光体は 波長250nm~480nmの光によって励起され、青色光 を発光することが確認された。
発光スペクトルに関して言えば、本青色 光体は、波長405nmの光励起によって、少な とも波長435nm±30nmの領域に発光ピークを有す ることも確認された。
また、発光スペクトルの強度をより高め 観点から、Alの配合量xは0.05以上であるのが 好ましく、0.05~0.30(特に0.30未満)であるのがよ り好ましく、中でも0.10以上であるのが好ま く、その中でも特に0.10~0.20であるのが好ま いことが分かった。
(試験例2)
Al/Siの原子比が0.1/0.9の比率になるようにAl 2
S 3
を配合するか、或いは、当該Al 2
S 3
の代わりにGa 2
S 3
、Y 2
S 3
を使用し、M/Si(M=Ga又はY)の原子比が0.1/0.9の比
率になるように配合するかして、それ以外は
試験例1と同様に蛍光体を得た。
得られた蛍光体のフォトルミネセンス(PL) 強度(a.u.)を測定し、結果を図4に示した。
図4の結果、一般式:Ba 2 SiS 4 :Ceで示される青色蛍光体におけるSiサイトの 部をAlに置換することにより、近紫外領域 励起による発光スペクトルの発光強度をよ 一層高めることができ、輝度がより一層向 することが確認できた。
その一方、同じく3価のGaやYを添加しても 、発光スペクトルの発光強度を高めることは できないことが分かった。これより、このよ うな輝度の向上効果は、Al特有の効果である とが予想される。
(試験例3)
Al/Siの原子比が0.1/0.9の比率になるようにAl 2
S 3
を配合した場合において、0.5~4mol%の間でCe濃
を変化させ、それ以外は試験例1と同様に蛍
光体を得た。
得られた蛍光体のフォトルミネセンス(PL) 強度(a.u.)を測定し、Ce濃度とピーク波長との 係、並びに、Ce濃度とピーク強度との関係 図5に示した。
図5より、Ce 3+
の濃度は、Ba 2
SiS 4
に対して0.5mol%以上であれば、好ましくピー
強度に着目すると1~2mol%であるのが特に好ま
いことが分かる。但し、Ceの添加量が増え
と、発光色が緑色方向にシフトし、明るく
えるようになるため、輝度向上を重視する
、Ce 3+
の濃度は、Ba 2
SiS 4
に対して0.5~4mol%であるのが好ましく、特に1~2
mol%であるのが好ましいとが考えられる。
