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Patent Searching and Data


Title:
BLUE PHOSPHOR
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2009/066452
Kind Code:
A1
Abstract:
Disclosed is a blue phosphor containing a crystal represented by the following general formula: Ba2(Si1-xAlx)S4:Ce (wherein x satisfies 0 < x < 1) which is obtained by substituting a part of Si site by Al in a blue phosphor represented by the following general formula: Ba2SiS4:Ce. The thus-obtained blue phosphor is further improved in luminous intensity of the emission spectrum by near ultraviolet excitation, thereby being further improved in luminance.

Inventors:
OHMI, Koutoku (4-101 Koyamacho-Minami, Tottori-sh, Tottori 50, 6808550, JP)
大観光徳 (〒50 鳥取県鳥取市湖山町南4丁目101番地国立大学法人鳥取大学内 Tottori, 6808550, JP)
OHASHI, Tsuyoshi (4-101 Koyamacho-Minami, Tottori-sh, Tottori 50, 6808550, JP)
大橋剛 (〒50 鳥取県鳥取市湖山町南4丁目101番地国立大学法人鳥取大学内 Tottori, 6808550, JP)
HIGUCHI, Makoto (LTD. EngineeredMaterials Sector PVD Materials Division, 2081, Oaza Tousen, Omuta-sh, Fukuoka 03, 8360003, JP)
Application Number:
JP2008/003384
Publication Date:
May 28, 2009
Filing Date:
November 19, 2008
Export Citation:
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Assignee:
TOTTORI UNIVERSITY (4-101, Koyamacho-Minami Tottori-sh, Tottori 50, 6808550, JP)
国立大学法人鳥取大学 (〒50 鳥取県鳥取市湖山町南4丁目101番地 Tottori, 6808550, JP)
MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD. (11-1, Osaki 1-chome Shinagawa-k, Tokyo 84, 1418584, JP)
三井金属鉱業株式会社 (〒84 東京都品川区大崎1丁目11-1 Tokyo, 1418584, JP)
OHMI, Koutoku (4-101 Koyamacho-Minami, Tottori-sh, Tottori 50, 6808550, JP)
大観光徳 (〒50 鳥取県鳥取市湖山町南4丁目101番地国立大学法人鳥取大学内 Tottori, 6808550, JP)
OHASHI, Tsuyoshi (4-101 Koyamacho-Minami, Tottori-sh, Tottori 50, 6808550, JP)
International Classes:
C09K11/64; C09K11/08; H01J1/63; H01J11/02; H01J29/20; H05B33/14; H01L33/50; C09K11/64; C09K11/08; H01J1/00; H01J11/02; H01J29/20; H05B33/14; H01L33/00
Attorney, Agent or Firm:
TAKEUCHI, ICHIZAWA & ASSOCIATES (6F. Akasaka 2-chome Annex, 19-8 Akasaka 2-chome, Minato-k, Tokyo 52, 1070052, JP)
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Claims:
 一般式:Ba 2 (Si 1-x Al x )S 4 :Ce(但し、式中のxは0<x<1)で示される結晶を含有する青色蛍光体。
 一般式:Ba 2 (Si 1-x Al x )S 4 :Ceで示される結晶を含有する青色蛍光体であって、前記式中のxが0.05~0.30であることを特徴とする青色蛍光体。
 CuKα線を用いたXRDパターンにおいて、回折角2θ=21~23.5°に現れる主ピークの半値幅が、一般式:Ba 2 SiS 4 :Ceのそのピークの半値幅よりも小さいことを特徴とする請求項1又は2に記載の青色蛍光体。
 CuKα線を用いたXRDパターンにおいて、回折角2θ=21~23.5°に現れる主ピークの半値幅が、一般式:Ba 2 SiS 4 :Ceのそのピークの半値幅の90~100%未満であることを特徴とする請求項3に記載の青色蛍光体。
 励起源と、請求項1~4の何れかに記載の青色蛍光体とを備えた青色発光素子乃至装置。
 励起源と、請求項1~4の何れかに記載の青色蛍光体と、黄色蛍光体とを備えた白色発光素子乃至装置。
 
Description:
青色蛍光体

 本発明は、青色蛍光体に関する。より詳 くは、近紫外LED(発光ダイオード)を励起源 する照明用蛍光体として用いたり、FED(電界 射型ディスプレイ)、PDP(プラズマディスプ イ)、EL(エレクトロルミネッセンス)などのデ ィスプレイ用蛍光体として用いたりすること ができる青色蛍光体に関する。

 現在の照明用光源の主流は、蛍光灯や白 電球であるが、LED(発光ダイオード)を光源 用いたものは、蛍光灯等に比べて消費電力 少なく、寿命も長く、手で触っても熱くな 安全性を備えている上、水銀等の有害物質 含まず環境面でも優れており、近い将来、 明用光源の主流となることが期待されてい 。

 しかし、青色と黄色の光を混ぜて発光さ る従来の白色LEDは、自然な発色性を示す演 性に劣り、商店の商品照明や食卓などの屋 照明には不適当であった。白色LEDの演色性 改善する手法として、近紫外LEDと赤、緑、 の3種類の蛍光体とを組み合わせる方法が考 えられるが、既存の蛍光体は、近紫外光の励 起では発光効率が悪いため、近紫外光の励起 において高い発光強度を示す蛍光体の開発が 望まれていた。

 他方、FED(電界放射型ディスプレイ)、PDP( ラズマディスプレイ)、EL(エレクトロルミネ ッセンス)などのディスプレイ技術において 、青色蛍光体、赤色蛍光体および緑色蛍光 を組み合わせるか、或いは、青色蛍光体と 変換材料とを組み合わせることでカラー表 を実現しており、純度が高い青色を発光し 輝度が高く、かつ環境に優しい蛍光体の開 が求められていた。

 従来、無機ELなどのディスプレイ用青色蛍 体として、(1)SrS:Ce、(2)MGa 2 S 4 :Ce(M=Sr、Ca)、(3)BaAl 2 S 4 :Eu、(4)Ba 2 SiS 4 :Ce等が知られている。また、LEDランプ用の青 色蛍光体として(5)(Ba,Mg)Al 10 O 17 :Eu、(6)Sr 5 (PO 4 ) 3 Cl:Eu等が知られている。

 また、本出願人らは、色純度が良く、輝度 高く、化学的安定性が良く、且つ結晶化温 が低い青色蛍光体として、Ba 2 SiS 4 :Ceからなる青色蛍光体を開示している(特許 献1参照)。

特開2007-211265

 本発明は、特許文献1で開示したBa 2 SiS 4 :Ceについてさらに研究を進め、輝度がより一 層高く、特に近紫外領域の励起によって優れ た発光強度を示す新たな青色蛍光体を提供せ んとするものである。

 本発明は、一般式:Ba 2 (Si 1-x Al x )S 4 :Ce(但し、式中のxは0<x<1)で示される結晶 含有する青色蛍光体、すなわち、一般式:Ba 2 SiS 4 :Ceで示される結晶のSiサイトの一部をAlに置 してなる結晶を含有する青色蛍光体を提案 るものである。

 一般式:Ba 2 SiS 4 :Ceで示される青色蛍光体におけるSiサイトの 部をAlに置換することにより、近紫外領域(3 50nm~420nm程度)の励起による発光スペクトルの 光強度をより一層高めることができ、輝度 さらに向上させることができる。
 この要因として、先ずは、Siサイトの一部 Alに置換したことで、3価のAlが2価のSiのサイ トに導入されたことによる電荷補償効果の影 響が考えられるが、同じく3価のGaやYを添加 ても発光強度の向上が確認されなかった結 からすると、Al特有の効果であるとも考えら れる。

 本発明の青色蛍光体によれば、近紫外領 (350nm~420nm程度)の励起による発光スペクトル の発光強度を高めることができるから、例え ば近紫外LED(例えば405nm)を励起源とする照明 置用蛍光体として用いたり、例えばFED(電界 射型ディスプレイ)、PDP(プラズマディスプ イ)、EL(エレクトロルミネッセンス)などのデ ィスプレイの発光素子乃至装置用の蛍光体と して用いたりすることができる。

 また、本発明の青色蛍光体と、黄色蛍光 と、励起源とを組合わせることにより、水 、Se、Cd等の有害物質を含まず、輝度の高い 白色発光素子乃至装置を構成することもでき る。

試験例1で得られた蛍光体それぞれのX 回折(XRD)チャートを並べて示した図である。 試験例1で得られた蛍光体それぞれのフ ォトルミネセンス(PL)発光スペクトルを示し 図である。 試験例1で得られた蛍光体それぞれのフ ォトルミネセンス(PL)励起スペクトルを示し 図である。 試験例2で得られた蛍光体それぞれのフ ォトルミネセンス(PL)発光スペクトルを示し 図である。 試験例2で得られた蛍光体について、Ce 度とピーク波長との関係、並びに、Ce濃度 ピーク強度との関係を示した図である。 ペレット形状の青色蛍光体の製造工程 である。 ペレット形状の青色蛍光体の別の製造 程図である。 ペレット形状の青色蛍光体の更に別の 造工程図である。 ターゲット形状の青色蛍光体の製造、 工、ボンディングの例示す製造工程図であ 。

発明を実施するための形態

 以下に本発明の実施形態について詳細に べるが、本発明の範囲が以下に説明する実 形態に限定されるものではない。

 本実施形態に係る青色蛍光体(以下「本青色 蛍光体」という)は、一般式:Ba 2 (Si 1-x Al x )S 4 :Ce(但し、式中のxは0<x<1)で示される結晶 含む蛍光体であって、好ましくは当該結晶 らなる単一相からなる蛍光体である。

 本青色蛍光体の発光中心(発光イオン)は、3 のCe 3+ であることが重要である。

 Ce 3+ の濃度は、Ba 2 SiS 4 に対して0.1~5mol%であるのが好ましく、特に1~2 mol%であるのが好ましい。なお、Ceの添加量が 増えると、発光色が緑色方向にシフトし、明 るく見えるようになるため、輝度向上を重視 すると、Ce 3+ の濃度は、Ba 2 SiS 4 に対して0.5~4mol%であるのが好ましく、特に1~2 mol%であるのが好ましい。

 一般式:Ba 2 (Si 1-x Al x )S 4 :Ceは、一般式:Ba 2 SiS 4 :Ceで示される化合物におけるSiサイトの一部 Alに置換してなる構造を示しており、一般 :Ba 2 (Si 1-x Al x )S 4 :CeにおいてAlの置換比率を示すxの値は、0<x <0.1であればよいが、好ましくは0.05以上で り、特に好ましくは0.1以上である。また、 限値は0.4以下であるのが好ましく、特に0.3 下、中でも0.2以下であるのが特に好ましい

 一般式:Ba 2 SiS 4 :Ceで示される化合物と対比すると、当該化合 物のSiサイトの一部をAlに置換することによ 、輝度が向上することが確認されており、 にxが0.05以上であればより一層輝度を向上さ せることができ、0.1以上であれば輝度を30%程 度も向上させることができる。他方、Alを添 し過ぎると、例えばx=0.5以上添加すると、Ba Al 2 S 4 などの異相が析出し発光輝度が低下するよう になる。

(本青色蛍光体の特徴)
 本青色蛍光体を、CuKα線を用いたX線回折(XRD )すると、XRDパターンにおいて、回折角2θ=21~2 3.5°に現れる主ピークの半値幅を、一般式:Ba 2 SiS 4 :Ceのそのピークの半値幅よりも小さくするこ とができ、一般式:Ba 2 SiS 4 :Ceのそのピークの半値幅の90~100%未満に、さ には90~98%に、またさらには90~95%にすること できる。かかる観点からすると、一般式:Ba 2 (Si 1-x Al x )S 4 :CeにおいてAlの置換比率を示すxの値が0.05~0.3( 特に0.3未満)、中でも特に0.1~0.2であるのが好 しい。

 常識的には、不純物を添加すれば結晶性が 下して半値幅が大きくなるのが通常である 、本青色蛍光体の場合は、Siサイトの一部 Alに置換しても、置換しないものに比べて結 晶ピークの半値幅を同じか若しくは小さくす ることができるという特徴を有している。
なお、回折角2θ=21~23.5°に現れる主ピークは (012)面のピークと推察される。

 また、本青色蛍光体は、波長250nm~480nmの 、特に近紫外領域(350nm~420nm程度)の光によっ 励起され、青色光を発光する特徴を備えて る。

 発光スペクトルに関して言えば、本青色 光体は、波長405nmの光励起によって、少な とも波長435nm±30nmの領域に発光ピークを有す るという特徴を備えている。

(製造方法)
 次に、本青色蛍光体の好ましい製造方法の 例について説明する。但し、下記に説明す 製造方法に限定されるものではない。

 本青色蛍光体は、バリウム原料、ケイ素 料、アルミニウム原料およびセリウム原料 必要に応じてさらにイオウ原料をそれぞれ 量して混合し、還元雰囲気中1000~1400℃で焼 し、必要に応じて分級して得ることができ 。

 上記のバリウム原料としては、BaS、BaCO 3 等を挙げることができる。

 ケイ素原料としては、Si、SiS 2 等を挙げることができる。

 アルミニウム原料としては、Al、Al 2 S 3 等を挙げることができる。

 イオウ原料としては、S、BaS、SiS 2 、Ce 2 S 3 等を挙げることができる。

 セリウム原料としては、Ce 2 S 3 、Ce 2 (CO 3 ) 3 等を挙げることができる。

 演色性を向上させるために、Pr、Smなどの 希土類元素を色目調整剤として原料に添加し てもよい。

 励起効率の向上のために、Sc、La、Gd、Lu の希土類族元素から選択される1種以上の元 を増感剤として原料に添加するようにして よい。

 ただし、上記の添加量は、それぞれ5モル %以下とするのが好ましい。これらの元素の 有量が5モル%を超えると、異相が多量に析出 し、輝度が著しく低下するおそれがある。

 また、アルカリ金属元素、Ag + 等の1価の陽イオン金属、Cl - 、F - 、I - 等のハロゲンイオンを電荷補償剤として原料 に添加するようにしてもよい。その添加量は 、電荷補償効果及び輝度の点で、アルミニウ ム族や希土類族の含有量と等量程度とするの が好ましい。

 原料の混合は、乾式、湿式いずれで行な てもよい。

 乾式混合する場合、その混合方法を特に 定するものではなく、例えばジルコニアボ ルをメディアに用いてペイントシェーカー ボールミル等で混合し、必要に応じて乾燥 せて、原料混合物を得るようにすればよい

 湿式混合する場合は、原料を懸濁液の状 とし、上記同様にジルコニアボールをメデ アに用いてペイントシェーカーやボールミ 等で混合した後、篩等でメディアを分離し 減圧乾燥や真空乾燥などの適宜乾燥法によ て懸濁液から水分を除去して乾燥原料混合 を得るようにすればよい。

 焼成する前に、必要に応じて、上記如く られた原料混合物を粉砕、分級、乾燥を施 ようにしてもよい。但し、必ずしも粉砕、 級、乾燥を施さなくてもよい。

 焼成は、800℃以上で焼成するのが好まし 。

 この際の焼成雰囲気としては、少量の水 ガスを含有する窒素ガス雰囲気、一酸化炭 を含有する二酸化炭素雰囲気、硫化水素、 硫化炭素、不活性ガス又は還元性ガスの雰 気などを採用することができる。

 焼成温度が800℃未満である場合には、焼 に長時間を要したり、焼成が不十分であっ りする傾向がある。一方、焼成温度の上限 焼成炉の耐久温度、生成物の分解温度等に って決まるが、本青色蛍光体の製造方法に いては1000~1200℃で焼成することが特に好ま い。また、焼成時間は焼成温度と関連する 、2~24時間程度である。

 なお、上記焼成に先立って、仮焼成する うにしてもよい。

 この際、仮焼成は、少量の水素ガスを含 する窒素ガス雰囲気、一酸化炭素を含有す 二酸化炭素雰囲気、硫化水素、二硫化炭素 不活性ガス又は還元性ガスなどの雰囲気中 、800℃以上の温度で2時間~24時間仮焼しても よい。この仮焼の場合には、焼成の場合と違 って還元性ガス雰囲気中で実施することもで きる。

 仮焼温度が800℃未満では、原料に炭酸塩 用いる場合などは、炭酸ガスの分解が不十 であり、また、ハロゲン化物を使う場合は フラックス効果が十分に得られない。一方 1100℃を超える高温では異常粒成長を起こし て、均一な微粒子が得られにくくなる。また 、仮焼時間が1時間未満では物質特性に再現 が得られにくく、12時間を超えると物質飛散 の増加による組成変動の問題が生じる。

 仮焼後、さらに混合粉体全体が均一とな ように、粉砕混合し、そして焼成するよう してもよい。

 上記焼成及び仮焼成において、原料混合 中にイオウ原料を含ませない場合には、硫 水素又は二硫化炭素の雰囲気中で焼成する 要がある。しかし、原料混合物中にイオウ 料を含む場合には、硫化水素、二硫化炭素 は不活性ガスの雰囲気中で焼成することが きる。この場合の硫化水素及び二硫化炭素 イオウ化合物となることもあり、また生成 の分解を抑制する機能もある。

 他方、焼成雰囲気又は仮焼雰囲気に硫化水 又は二硫化炭素を用いる場合には、これら 化合物もイオウ化合物となるため、例えば 原料成分としてBaSを用いる場合には、バリ ム化合物及びイオウ化合物を用いたことに り、SiS 2 を用いる場合には、ケイ素化合物及びイオウ 化合物を用いたことになる。

 また、バリウム原料、ケイ素原料、イオ 原料、アルミニウム原料及びセリウム原料 内の2成分を含む混合物を硫化水素、二硫化 炭素、不活性ガス又は還元性ガスの雰囲気中 で800℃以上の温度で2~24時間仮焼し、分級し 次いで残りの原料を混合して得られる混合 を用いることもできる。

 本青色蛍光体の製造方法においては、蒸 用ペレットの形状で焼成することができる そのペレット形状の青色蛍光体の製造例を 6~図8の製造工程図で示す。

 図6~図8において、「(S化合物)」の記載は オウ化合物を添加する場合と添加しない場 とがあることを意味しているが、仮焼雰囲 及び焼成雰囲気の両方で硫化水素又は二硫 炭素を用いていない場合にはイオウ化合物 添加は必須である。

 また、本青色蛍光体の製造方法において 、スパッタ用ターゲットの形状で焼成する とができる。そのターゲット形状の青色蛍 体の製造、加工、ボンディングの例を図9の 製造工程図で示す。

 図6~図9において、調合の条件については 一に混合できれば特には制限はない。例え 、ペイントシェイカーで100分間混合するこ ができる。

 仮焼及び焼成の条件は前記した通りである 分級については、後の混合、成形が容易で れば特には制限はない。例えば、150メッシ 以下に分級する。蒸着用ペレット形状の青 蛍光体を得るためには200kg/cm 2 程度で成形することができる。

(用途)
 本青色蛍光体は、励起源と組合わせて青色 光素子乃至装置を構成し、各種用途に用い ことができる。例えば一般照明のほか、特 光源、液晶のバックライトやEL、FED、CRT用 示デバイスなどの表示デバイスなどに利用 ることができる。

 本青色蛍光体とこれを励起し得る励起源と 組合わせた青色発光素子乃至装置の一例と て、波長250nm~480nmの光を発生する発光体の 傍、すなわち該発光体が発光した光を受光 得る位置に本青色蛍光体を配置することに り構成することができる。
具体的には、発光体からなる発光体層上に、 本青色蛍光体からなる蛍光体層を積層するよ うにすればよい。

 この際、蛍光体層は、例えば、粉末状の 青色蛍光体を、結合剤と共に適当な溶剤に え、充分に混合して均一に分散させ、得ら た塗布液を、発光層の表面に塗布及び乾燥 て塗膜(蛍光体層)を形成するようにすれば い。

 また、本青色蛍光体をガラス組成物に混 してガラス層内に本青色蛍光体を分散させ ようにして蛍光体層を形成することもでき 。

 さらにまた、本青色蛍光体をシート状に 形し、このシートを発光体層上に積層する うにしてもよいし、また、本青色蛍光体を 光体層上に直接スパッタリングさせて製膜 るようにしてもよい。

(用語の解説)
 本青色蛍光体は、粉体、成形体のいずれの 態であってもよい。

 また、本発明において「青色発光素子乃 装置」或いは「白色発光素子乃至装置」に ける「発光素子」とは、少なくとも蛍光体 その励起源としての発光源とを備えた、比 的小型の光を発する発光デバイスを意図し 「発光装置」とは、少なくとも蛍光体とそ 励起源としての発光源とを備えた、比較的 型の光を発する発光デバイスを意図するも である。

 本明細書において「X~Y」(X、Yは任意の数 )と記載した場合、特にことわらない限り「 X以上Y以下」の意と共に、「好ましくはXより 大きい」或いは「好ましくはYより小さい」 意も包含する。

 以下、実施例に基づいて本発明を説明す 。但し、本発明はこれらに限定されて解釈 れるものではない。

<PL発光スペクトルの測定>
 分光蛍光光度計(日立社製、F-4500)を用いてPL  (フォトルミネッセンス)スペクトルを測定 た。

<XRD測定>
 X線回折用のサンプルをビオデンメッシュセ メントでガラスホルダーに充填し、RINT-2200V(( 株)リガク製)を使用し、CuKα線を用いてXRDパ ーンを得、回折角2θ=21~23.5°に現れる主ピー (この範囲の最大ピーク)の半値幅(FWHM)を求 た。
 この際の精密化は、上記RINT-2200V附属のアプ リケーションソフト(ソフト名:格子定数の精 化)を用いて実施した。

(試験例1)
 出発原料としてBaS、Si、Ce 2 S 3 及びAl 2 S 3 を用い、Al/Siの原子比が0/1~0.5/0.5の比率にな ように配合し、φ3mmのジルコニアボールをメ ディアに用いてペイントシェイカーで100分間 混合した。

 次いで、硫化水素雰囲気中、1150℃で4時間 焼した後、得られた仮焼品を円柱状に成形 、硫化水素雰囲気中で1150℃で4時間焼成し、 一般式:Ba 2 (Si 1-x Al x )S 4 :Ce(但し、式中のxは表1に示す)で示される蛍 体を得た。

 得られた蛍光体を、ICP(Inductively Coupled Pl asma:誘導結合プラズマ)で分析した結果、表1 示すように、配合したAl/Siの原子比とICPによ る分析値は略同じであることを確認した。

 また、得られた蛍光体のX線回折(XRD)を行 、XRDチャートをまとめて図1に示すと共に、 フォトルミネセンス(PL)強度(a.u.)を測定し、 の発光スペクトルを図2に示し、その励起ス クトルを図3に示した。

 本青色蛍光体をX線回折(XRD)すると、図1に示 されるとおり、得られた蛍光体は、Ba 2 (Si 1-x Al x )S 4 :Ceで示される単一相からなるものであること を確認することができた。
 さらに、CuKα線を用いたXRDパターンから求 られる回折角2θ=21~23.5°に現れる主ピークの 値幅は、一般式:Ba 2 SiS 4 :Ceのそのピークの半値幅よりも小さく、一般 式:Ba 2 SiS 4 :Ceのそのピークの半値幅の90~95%になることが 判明した。

 また、図2及び図3より、本青色蛍光体は 波長250nm~480nmの光によって励起され、青色光 を発光することが確認された。

 発光スペクトルに関して言えば、本青色 光体は、波長405nmの光励起によって、少な とも波長435nm±30nmの領域に発光ピークを有す ることも確認された。

 また、発光スペクトルの強度をより高め 観点から、Alの配合量xは0.05以上であるのが 好ましく、0.05~0.30(特に0.30未満)であるのがよ り好ましく、中でも0.10以上であるのが好ま く、その中でも特に0.10~0.20であるのが好ま いことが分かった。

(試験例2)
 Al/Siの原子比が0.1/0.9の比率になるようにAl 2 S 3 を配合するか、或いは、当該Al 2 S 3 の代わりにGa 2 S 3 、Y 2 S 3 を使用し、M/Si(M=Ga又はY)の原子比が0.1/0.9の比 率になるように配合するかして、それ以外は 試験例1と同様に蛍光体を得た。

 得られた蛍光体のフォトルミネセンス(PL) 強度(a.u.)を測定し、結果を図4に示した。

 図4の結果、一般式:Ba 2 SiS 4 :Ceで示される青色蛍光体におけるSiサイトの 部をAlに置換することにより、近紫外領域 励起による発光スペクトルの発光強度をよ 一層高めることができ、輝度がより一層向 することが確認できた。

 その一方、同じく3価のGaやYを添加しても 、発光スペクトルの発光強度を高めることは できないことが分かった。これより、このよ うな輝度の向上効果は、Al特有の効果である とが予想される。

(試験例3)
 Al/Siの原子比が0.1/0.9の比率になるようにAl 2 S 3 を配合した場合において、0.5~4mol%の間でCe濃 を変化させ、それ以外は試験例1と同様に蛍 光体を得た。

 得られた蛍光体のフォトルミネセンス(PL) 強度(a.u.)を測定し、Ce濃度とピーク波長との 係、並びに、Ce濃度とピーク強度との関係 図5に示した。

 図5より、Ce 3+ の濃度は、Ba 2 SiS 4 に対して0.5mol%以上であれば、好ましくピー 強度に着目すると1~2mol%であるのが特に好ま いことが分かる。但し、Ceの添加量が増え と、発光色が緑色方向にシフトし、明るく えるようになるため、輝度向上を重視する 、Ce 3+ の濃度は、Ba 2 SiS 4 に対して0.5~4mol%であるのが好ましく、特に1~2 mol%であるのが好ましいとが考えられる。