以下、本発明のブラシレスモータを各実� ��の形態に基づいて説明する。

  (実施の形態1)
 図1(a),図1(b)~図8は本発明の(実施の形態1)を� �す。

 図1(a)に示したブラシレスモータは図1(b)� �おけるA-AAの断面図である。図2は完成品の斜 視図、図3は分解斜視図、図4は図1(b)における B-BBの断面図である。

 モータケーシング4は、金属製のケーシン グ本体4aと金属製のケーシング蓋4bとで構成� �れている。ケーシング本体4aとケーシング蓋 4bとで形成されるモーターケーシングの内部� ��は、ロータ1とステータ2ならびに第1,第2の� �線基板3a,3bの一部が納められている。ステー タ2は、ロータ1の出力軸1aと同軸上に配置さ� �ている。第1の配線基板3aは、ロータ1とステ� ��タ2に対してロータ1の出力軸1aの反対方向の 端部に配置されている。第1の配線基板3aには 制御回路6とパワー素子7が実装されている。� ��5(c),図5(d)に第1の配線基板3aの上面と背面を� ��す。第1の配線基板3aの外周の一部13a,13b,13c� �、ケーシング本体4aの内周壁から離れるよう に直線状にカットされている。

  第1の配線基板3aの直線状にカットされ� �外周の一部13a,13cで挟まれた外周の一部13bに� ��、ガイド溝14が形成され、第1の配線基板3a� �背面にはガイド溝14に近接してランド15が設� ��られている。

 第1の配線基板3aの外周の一部13a,13cには、 第2の配線基板3bに向かって延びる電極片16の� ��端が固着され、半田付けにより電気接続さ� ��ている。

 なお、第1の配線基板3aとしては、パワー� ��子7が生じる発熱の放熱効果を高めるため、 パワー素子7が実装されている背面の銅箔の� �さは、通常の18μmや35μmよりも2倍以上厚く例 えば両面とも105μmの両面基板、あるいは少な くとも背面の銅箔の厚さが105μmで上面の銅箔 の厚さより厚い両面基板が使用されている。

 磁電変換素子5が実装された第2の配線基� �3bは、ロータ1と第1の配線基板3aの間に配置� �れている。詳しくは、ロータ1と第1の配線基 板3aの間にモータケーシング4の内部を仕切る ように第1の配線基板3aとは間隔L1をあけて配� ��されている。磁電変換素子5はロータ1に近� �して配置されている。図5(a),図5(b)に第2の配� ��基板3bの上面と背面を示す。

 第2の配線基板3bの外周の一部17a,17b,17cは� �第1の配線基板3aの外周の一部13a,13b,13cに対応 してケーシング本体4aの内周壁から離れるよ� ��に直線状にカットされており、外周の一部1 7a,17cには第1の配線基板3aに半田付けされた前 記電極片16の先端が接触するランド18を有す� �端子部19が突出して形成されている。また、 第2の配線基板3bの外周の一部17bにも、第1の� �線基板3aと同様にガイド溝20が形成されてい� ��。

 なお、第2の配線基板3bとしては、上面と� ��面の銅箔の厚さが、例えば18μmあるいは35μm の両面基板を使用している。

 この第1,第2の配線基板3a,3bは、図4と図6(a) ,図6(b),図6(c)に示すように電気絶縁性のスペ� �サ21aを、第1の配線基板3aの外周の一部13aと� �2の配線基板3bの外周の一部17aとの間にセッ� �し、電気絶縁性のスペーサ21bを、第1の配線� ��板3aの外周の一部13cと第2の配線基板3bの外� �の一部17cとの間にセットして、第1,第2の配� �基板3a,3bの間隔を前記間隔L1に保持すると共� ��、第1の配線基板3aの側の前記電極片16の先� �と第2の配線基板3bの端子部19の前記ランド18� ��を接続状態に保持している。

 ケーシング本体4aにロータ1とステータ2を 納めて、上記のようにスペーサ21a,21bで連結� �た第1,第2の配線基板3a,3bを次に納める際には 、ステータ2のステータ巻線のリード22を、ケ ーシング本体4aの内周壁23と第1の配線基板3a� �外周の13bとの間に形成される空間、ならび� �ケーシング本体4aの内周壁23と第2の配線基板 3bの外周の17bとの間に形成される空間から引� ��出しておき、第1,第2の配線基板3a,3bをケー� �ング本体4aに納めた後にステータ巻線のリー ド22を、図1(a),図1(b)と図5(a),図5(d)に示すよう� ��、第2の配線基板3bのガイド溝20と第1の配線� ��板3aのガイド溝14を通して、第1の配線基板3a の背面のランド15に接続されている。

 この結線が完了する前工程において、次� ��ようにして第1,第2の配線基板3a,3bを位置決� �し接続している。

 図7(a)はこの場合のケーシング本体4a、図7 (b)はケーシング本体4aのC-CC矢視図、図7(c)は� �の場合のケーシング蓋4bを示している。ケー シング本体4aの外周に形成した切り起こし片2 4をケーシング本体4aの内側へ折り曲げ、切り 起こし片24の先端部によって図6(b)に示すよう に第1の配線基板3aの外周部を受けて支持して 、第1,第2の配線基板3a,3bの軸方向高さを位置� ��めし、切り起こし片24に対応するケーシン� �本体4aの端部4cをカシメ加工することにより� ��定する。

 切り起こし片24による第1,第2の配線基板3a ,3bの位置決め固定が完了すると、ステータ巻 線のリード22を、第1の配線基板3aの背面のラ� ��ド15に結線し、その後にケーシング蓋4bをケ ーシング本体4aに挿入し、カシメ加工により� ��定する。

 これによって、磁電変換素子5がロータ1� �磁極を検出した検出信号などは、第2の配線� ��板3bから電極片16を介して第1の配線基板3aの 制御回路6に入力され、制御回路6が同じ第1の 配線基板3aに搭載されているパワー素子7を介 してステータ巻線への通電を切り換えて回転 磁界を発生させてロータ1を回転駆動してい� �。

 さらに、ロータ1とステータ2の側が前述� �ように130℃程度に温度上昇していても、こ� �実施の形態ではロータ1とステータ2の側と第 1の配線基板3aとの間に、第2の配線基板3bが介 装されていて熱の輻射および対流を遮断して いるため、第1の配線基板3aに実装された制御 回路6ならびのパワー素子7付近の温度上昇を� ��来に比べて低減できる。

 ここで制御回路6からパワー素子7への信� �は、第1の配線基板3aの上面と背面とを接続� �るスルーホールによって供給できるため、� �ータ駆動用のインバータ回路を構成する際� �パワー素子7の裏側直近にパワー素子の駆動� ��路を配置する事が可能になるため、インバ� ��タ各相の配線長をほぼ等しくかつ配線距離� ��短くすることができるため、パワー素子と� ��てMOSFET等の高速スイッチング素子を使用す� ��際に各相のゲート駆動回路のインピーダン� ��をほぼ等しくかつインダクタンス成分を低� ��することができるので、スイッチング周波� ��の高速化による性能の向上および信頼性の� ��上を期待できる。

 また、この実施の形態のケーシング蓋4b� �形状は、ケーシング本体4aから突出している 第1,第2の配線基板3a,3bの一部を収容するシー� ��ドケースを形成するために、図3と図8に示� �ようにシールドケース底部25とシールドケー ス側壁26とが連接されており、シールドケー� ��側壁26の両端部27a,27bがシールドケース底部2 5の側面に沿うように絞り加工されている。� �らにケーシング蓋4bをケーシング本体4aに取� ��付けた後に、シールドケース側壁26の上部� �口28が金属製の補助蓋29で閉塞されている。

 また、第1の配線基板3aの外周の全部がケ� ��シング本体4aの内周に近接しているのでは� �く、第1の配線基板3aの外周の一部13a,13b,13cは 、ケーシング本体4aの内周壁から離れるよう� ��直線状にカットされているため、ケーシン� ��本体4aから第1の配線基板3aへの熱伝導も低� �されている。

  (実施の形態2)
 上記の実施の形態では第1,第2の配線基板3a,3 bは、スペーサ21a,21bで間隔保持された上で、� ��1の配線基板3aの位置をケーシング本体4aの� �り起こし片24によって軸方向の高さを位置決 めして組み立てたが、スペーサ21a,21bを使わ� �くても組み立てることができる。

 具体例を図9(a),図9(b),図9(c)に示す。

 図9(a)はこの場合のケーシング本体4a、図9 (b)はケーシング本体4aのD-DD矢視図、図9(c)は� �の場合のケーシング蓋4bを示している。

 ケーシング本体4aには、第1の配線基板3a� �固定する第1の切り起こし片30aとは別に、第2 の配線基板3bを固定する第2の切り起こし片30b を形成する。ケーシング本体4aに第2の配線基 板3bを挿入してこれを第2の切り起こし片30bで 軸方向の高さを位置決めしながら切り起こし 片30bに対応するケーシング本体4aの端部4dを� �シメ加工することにより固定する。次にケ� �シング本体4aに第1の配線基板3aを挿入してこ れを第1の切り起こし片30aで軸方向の高さを� �置決めしながらケーシング本体4aの切り起こ し片30aに対応する端部4eをカシメ加工して固� ��した後、ケーシング蓋4bをケーシング本体4a に挿入してケーシング本体4aにカシメ加工に� ��り固定することによって実現できる。

 上記の各実施の形態では、第1の配線基板 3aに制御回路6とパワー素子7を実装し、第2の� ��線基板3bに磁電変換素子5を実装したが、第1 の配線基板3aにパワー素子7を実装し、第2の� �線基板3bに磁電変換素子5と制御回路6を実装� ��て構成することもできる。

 上記の各実施の形態では、第1,第2の配線� ��板3a,3bの一部がケーシング本体4aから突出し 、この突出した部分をシールドできるように ケーシング蓋4bを形成したが、第1,第2の配線� ��板3a、3bがケーシング本体4aの内側に全部が� ��まる形状にした場合にも同様に実施するこ� ��ができる。

 上記の各実施の形態では、インナーロー� ��型を例に挙げて説明したが、図10に示すよ� �にアウターロータ型であっても同様に実施� �ることができる。ここでは内側の固定側に� �テータ2が取り付けられており、その外周に� ��テータ2と同軸上にロータ1が回転自在に支� �されている。なお、この場合のモーターケ� �シング4は、ロータ1の外周と間隙をもってロ ータ1を覆うように構成されており、第2の配� ��基板3bによってケーシング内部を仕切るこ� �によって、第1の配線基板3aへの熱の伝達を� �減することができる。