ALIMENTANT UNE MACHINE ELECTRIQUE

L ' invention concerne le calcul de la température d' éléments d 'un onduleur alimentant en énergie électrique une machine électrique.

Les onduleurs permettent de transformer une tens ion continue, par exemple fournie par une batterie, en une tension alternative. On utilise généralement des onduleurs fourniss ant trois phases de tension pour alimenter une machine électrique triphasée.

De manière clas sique, les onduleurs comprennent des diodes et des transistors bipolaires à grille isolée, bien connus de l ' homme du métier s ous l ' acronyme anglo-saxon « IGBT : Insulated-Gate B ipolar Transistor ») . Les composants des onduleurs sont généralement disposés de manière à former trois bras correspondant chacun à une phase. Lors du fonctionnement de ces composants, des pertes liées à la conduction électrique et aux commutations apparaissent. De ce fait, la température de ces éléments augmente très fortement lors du fonctionnement de l ' onduleur.

Afin d' éviter la détérioration des IGBT et des diodes au dessus d 'un seuil de température, on utilise généralement un système de refroidissement dont la puissance de fonctionnement est décidée en fonction de la température des éléments (diodes et IGBT). Il est donc néces saire d' obtenir une mesure précise des éléments d' un onduleur, afin d 'utiliser une puis sance de refroidiss ement appropriée sans gaspiller de l ' énergie. En outre, la connaiss ance de la température des éléments d' un onduleur permet de déterminer s ' il est nécessaire de mettre en œuvre un allégement de régime (« derating » en langue anglaise) du fonctionnement de l ' onduleur pour éviter s a détérioration.

Il convient de noter que la température des composants d 'un onduleur n' est pas homogène, et qu' elle est plus élevée au voisinage des composants par lesquels beaucoup de puissance électrique circule.

On pourra se référer au document JP200623 8546 qui décrit l ' utilisation d 'un capteur de température pour chacun des trois bras de l ' onduleur. Ce document propose également de ne prendre en considération que le capteur correspondant au bras par lequel passe la puiss ance électrique. Cette solution a notamment pour inconvénient de nécessiter trois capteurs .

Il a également été propos é d 'utiliser un procédé de calcul utilisant un modèle à cinq inconnues et qui ne prend pas en considération les variations de températures entre les différents bras . Cette s olution a pour inconvénient de nécessiter une puiss ance importante de calcul.

L ' invention a donc pour but de déterminer la température d ' éléments d 'un onduleur, en réduisant la puissance de calcul et en augmentant la précision du calcul.

Selon un aspect, il est proposé un système de calcul de la température d' éléments d ' un onduleur alimentant une machine électrique comprenant une pluralité de transistors bipolaires à grille is olée, une pluralité de diodes et un support de la pluralité de transistors bipolaires à grille is olée et de la pluralité de diodes .

Selon une caractéristique générale, le système comprend un unique capteur de température indiquant la température dudit support, et un calculateur apte à résoudre un ensemble de trois équations thermiques pour la température du transistor bipolaire à grille isolée le plus chaud, pour la température de la diode la plus chaude, et pour la température du support, une cartographie fourniss ant au calculateur des valeurs de la résistance thermique équivalente entre le transistor bipolaire à grille isolée le plus chaud et le support, et une cartographie fournis sant au calculateur des valeurs de la résistance thermique équivalente entre la diode la plus chaude et le support, les deux cartographies ayant pour entrées la position angulaire de la machine électrique et la vites se de rotation de la machine électrique.

On peut noter que dans la présente demande, le terme résistance thermique vise la rés istance thermique par conduction.

On obtient ainsi un système de trois équations à trois inconnues (la température de la diode la plus chaude, la température du transistor bipolaire à grille isolée le plus chaud et la température du support). Un tel système néces site moins de puissance de calcul pour être résolu.

On peut noter qu ' il est plus intéressant de ne connaître que la température de la diode ou du trans istor bipolaire à grille is olée le plus chaud que de connaître la température de chaque diode et de chaque trans istor bipolaire à grille isolée. Cette connaissance est la s eule nécess aire pour pouvoir contrôler un éventuel système de refroidissement, ou encore pour mettre en œuvre un allégement de puis sance.

Par ailleurs, en utilisant une cartographie qui fournit des valeurs de résistance thermique équivalente entre le trans istor bipolaire à grille isolée le plus chaud et le support, et une cartographie pour les valeurs de rés istance thermique équivalente entre la diode la plus chaude et le support, à partir de la position angulaire de la machine électrique et de la vitesse de rotation de la machine électrique, on peut prendre en considération le fait que la position angulaire de la machine électrique correspond à une utilisation des composants d' un bras de l ' onduleur. P lus précis ément, la puis sance électrique diss ipée est plus élevée dans le bras de l ' onduleur qui est le plus utilisé, et à ce bras correspond une position angulaire.

Des étapes préalables d ' identification peuvent être prévues pour obtenir les cartographies .

Le système peut comprendre en outre un dispositif de refroidissement faisant circuler un fluide en contact avec ledit support, le dispositif fournissant au calculateur la valeur du débit du fluide et le système comprend en outre un capteur fourniss ant au calculateur la température du fluide au vois inage du support.

Le système peut comprendre en outre des cartographies des pertes de puissance liées aux diodes et des pertes de puis sance liées aux trans istors bipolaires à grille is olée à partir des courants efficaces entre phases, de la tension efficace entre phase et de la tension batterie. Le calculateur peut comprendre des moyens de comparaison entre une valeur calculée de la température du support et de la température mesurée du support.

Selon un autre aspect, il est proposé un véhicule automobile à traction électrique ou hybride équipé du système tel que décrit ci- avant.

Selon encore un autre aspect, il est proposé un procédé de calcul de la température des éléments d 'un onduleur alimentant une machine électrique comprenant une pluralité de transistors bipolaires à grille is olée, une pluralité de diodes et un support de la pluralité de transistors bipolaires à grille is olée et de la pluralité de diodes .

Selon une caractéristique générale, le procédé comprend une mesure de la température dudit support, et une résolution d' un ensemble de trois équations thermiques pour la température du transistor bipolaire à grille isolée le plus chaud, pour la température de la diode la plus chaude, et pour la température du support, et ladite résolution comprenant une acquisition à partir d' une cartographie ayant pour entrées la pos ition angulaire de la machine électrique et la vitesse de rotation de la machine électrique et pour s ortie des valeurs de la résistance thermique équivalente entre le transistor bipolaire à grille is olée le plus chaud et le support, et une acquis ition à partir d 'une cartographie ayant pour entrées la pos ition angulaire de la machine électrique et la vitess e de rotation de la machine électrique et pour sortie des valeurs de la résistance thermique équivalente entre la diode la plus chaude et le support.

Le procédé peut comprendre en outre un refroidissement par circulation d' un fluide en contact avec ledit support, ladite résolution utilisant la valeur du débit du fluide et le procédé comprenant en outre une mesure de la température du fluide au voisinage du support pour ladite résolution.

Le procédé peut comprendre en outre des lectures dans des cartographies des pertes de puiss ance liées aux diodes et des pertes de puiss ance liées aux transistors bipolaires à grille is olée. On peut comparer une valeur calculée de la température du support et la température mesurée du support.

D ' autres buts, caractéristiques et avantages apparaîtront à la lecture de la description suivante donnée uniquement en tant qu' exemple non limitatif et faite en référence aux dessins annexés sur lesquels :

- la figure 1 illustre schématiquement un onduleur en vue de dessus comportant trois bras,

- la figure 2 est une vue en coupe et illustre schématiquement un onduleur muni d 'un dispos itif de refroidiss ement,

- la figure 3 représente de manière schématique un mode de réalis ation selon l' invention.

Sur la figure 1 , on a représ enté un onduleur 1 comportant trois bras 2, 3 et 4. Chacun des bras 2 à 4 est destiné à fournir une phas e à une machine électrique tournante triphasée (non représentée ici).

Chacun des bras 2 à 4 comprend une pluralité d ' éléments, en particulier des diodes 5 et des transistors bipolaires à grille isolée 6. Les diodes 5 et les transistors bipolaires à grille isolée 6 sont répartis dans deux parties de chaque bras , une partie basse (2 a, 3 a et 4a sur la figure) et une partie haute (2b, 3 b et 4b sur la figure) . Les éléments de l ' onduleur 1 sont tous montés sur un substrat 7 , de préférence un substrat destiné à être utilisé pour recevoir des éléments de puiss ance, par exemple un substrat bien connu de l 'homme du métier sous l ' acronyme anglo-saxon « DCB : Direct Copper Bonding ».

Un unique capteur de température 8 est monté sur le substrat 7, ici entre les bras 2 et 3.

Il convient de noter que la température lue au moyen du capteur de température 8 est celle du substrat 7, mais elle n ' indique pas la température des diodes 5 et des transistors bipolaires à grille is olée 6, en particulier la température de ces éléments dans le bras 4 le plus éloigné du capteur. En effet, la température peut être plus élevée dans le bras travers é par la puiss ance électrique. Il est donc nécess aire de calculer la température de ces éléments , et tout particulièrement la température des éléments les plus chauds d'un onduleur.

On peut ains i contrôler un dispositif de refroidis sement ou encore mettre en œuvre un allégement de puiss ance afin de limiter la température maximale des éléments .

Sur la figure 2, on a représ enté schématiquement et en coupe l ' onduleur 1 . Des éléments tels que des trans istors bipolaires à grille is olée 6 sont représentés sur la figure, disposés sur un substrat 7.

On peut encapsuler les transistors bipolaires à grille isolée et les diodes qui forment l ' onduleur dans un gel 9 ou une résine de protection.

Sur la face du substrat oppos ée à celle supportant les diodes 5 et les trans istors bipolaires à grille isolée, on peut faire circuler un fluide de refroidissement au moyen d ' un dispositif de refroidissement (non représ enté sur la figure) . Sur la figure, on utilise une conduite 10 formée pour permettre la circulation d' un fluide FL (par exemple de l ' eau) dans une direction perpendiculaire à la figure. Le fluide FL est directement en contact avec le substrat 7.

Il est possible de connaître le débit du fluide FL qui peut être fournit directement par le dispositif de refroidissement, et il est poss ible de mesurer la température de ce fluide en utilisant un capteur de température (non représ enté sur la figure) .

Pour un onduleur alimentant un moteur électrique de véhicule automobile, on peut utiliser un calculateur du véhicule pour calculer la température des éléments de l ' onduleur 1 , par exemple une unité de commande électronique déj à présente dans le véhicule.

Ce calculateur peut être apte à rés oudre un ensemble de trois équations thermiques pour la température du transistor bipolaire à grille isolée le plus chaud, pour la température de la diode la plus chaude, et pour la température du support.

Au vu des figures 1 et 2, il est possible d ' établir l ' ensemble de trois équations thermiques pour un onduleur comportant des diodes , des transistors bipolaires à grille isolée et un système refroidissement comme indiqué dans les équations suivantes :

P loss IGBT , ^■ * DIODE T ¹ IGBT . T ¹ cool—T ¹ IGBT

T ¹ IGBT

RlGBT RlGBT→DIODE ^cool→IGBT (^)

EQ 1

Avec :

T _IGBT la température du transistor bipolaire à grille is olée le plus chaud,

T _DIODE ^{i a} température de la diode la plus chaude,

T _DCB la température du support,

T _COOL la température du fluide de refroidiss ement,

P _{loss IGBT} les pertes liées à un transistor bipolaire à grille is olée le plus chaud,

Pioss _DIODE les ertes liées à une diode la plus chaude,

R _IGBT la résistance thermique équivalente d' un transistor bipolaire à grille is olée,

R _IGBT→DIODE ^{i a} résistance thermique équivalente de conduction entre une diode et un transistor bipolaire à grille isolée,

R- _COOI → _IGBT (Φ) ^{i a} rés istance thermique équivalente de conduction entre le fluide de refroidiss ement et un transistor bipolaire à grille is olée le plus chaud, en fonction du débit du fluide Φ ,

R _COOI → _DIODE (®) ^{i a} rés istance thermique équivalente de conduction entre le fluide de refroidissement et une diode la plus chaude, en fonction du débit du fluide Φ ,

R _IGBT→DCB ^, <X>) la résistance équivalente de conduction entre le transistor bipolaire à grille isolée le plus chaud et le support, en fonction de la pos ition angulaire de la machine électrique Θ et de la vitesse de rotation ω de la machine électrique, et

R _DIODE → _DCB (^, CO) la résistance équivalente de conduction entre la diode la plus chaude et le support, en fonction de la pos ition angulaire de la machine électrique Θ et de la vites se de rotation ω de la machine électrique.

Les différents termes des trois équations peuvent être connus par des étapes préalables d ' identification.

Aus si, on peut connaître le débit du fluide Φ qui peut avantageusement être directement fournit par le dispositif de refroidissement.

La température du fluide de refroidiss ement peut également être connue au moyen d 'un capteur de température. Tel est également le cas de la température du support T _DCB qui peut être connue grâce au capteur 8 décrit en se référant à la figure 1 .

On peut noter que de manière classique, les pertes liées à un transistor bipolaire à grille is olée P _{LOSS IGBT} sont connues et sont dues aux pertes par commutation et par conduction. Tel est également le cas des pertes liées à une diode P _{LOSS DI0DE} . D e manière classique, on peut lire les pertes P _{LOSS DI0DE} et P _{LOSS IGBT} dans des cartographies ayant pour entrée la tension de la batterie alimentant l ' onduleur, la tension efficace entre les phases de l ' onduleur et le courant efficace entre les phases de l ' onduleur.

De manière class ique, les valeurs R _coo i _→IGBT ( ) de résistances thermiques équivalentes de conduction entre le fluide de refroidissement et un transistor bipolaire à grille isolée le plus chaud et les valeurs R _coo i _→DIODE (^>) de résistances thermiques équivalentes de conduction entre le fluide de refroidis sement et une diode peuvent être calculées au moyen d 'un modèle thermique semi-empirique ou par identification ou par calibration.

Les deux résistances thermiques R _IGBT → _DCB ^, <X>) et

R _DIODE→DCB (^, CO) sont lues dans des cartographies obtenues par des étapes préalables d' identification ou de calibration.

On peut noter qu ' il est possible de réécrire le système de trois équations s ous une forme matricielle :

X = A _C X + B _C U

EQ2 Avec

τ

X τ D,IODE

τ D,CB

¹ loss IGBT

u D , et

" ^■ DIODl

T cool

Afin de faciliter la résolution du calcul par un calculateur, il est possible de mettre en œuvre une discrétisation. On facilite ainsi cette résolution en particulier pour les dérivées par rapport au temps. On pourra par exemple mettre en œuvre une discrétisation d'Euler :

x(t)

t.

Avec

x une variable (par exemple une des températures),

k un indice de temps discret, et

t _s la période d'échantillonnage du calculateur.

Il est possible de réécrire l'équation matricielle EQ2

Xi AX _k +BU _k

= cx,.

EQ3 Avec :

A = I + t _s A _c ,

B = IB _C ,

C = [0 0 l], et

I étant la matrice identité.

La matrice Yk correspond à l'estimation des états que l'on souhaite observer, la matrice C étant une matrice de mesure correspondant à la seule température qui peut être mesurée ici, celle du capteur 8 donnant T _D CB-

II est néanmoins préférable de mettre en œuvre une comparaison entre les résultats obtenus par la résolution du système et ceux mesurés (pour la température T _D CB). Une telle comparaison peut permettre de corriger le modèle présenté ci-avant (EQ3), par exemple de la manière suivante :

EQ4

Avec le signe« ^Λ » indiquant que la variable est celle obtenue par le calculateur. La valeur K est choisie telle qu'elle assure la convergence et la stabilité de l'observation. L'homme du métier peut, par exemple, s'appuyer sur les théorie de Luenberger ou Kalman pour trouver sa valeur.

Sur la figure 3, on a représenté de manière schématique un système SYS selon l'invention.

Ce système comprend une cartographie 11 dans laquelle on peut lire des valeurs de pertes P _{loss IGBT} liées à un transistor bipolaire à grille isolée. La cartographie 11 peut avoir pour entrée la tension de la batterie alimentant l'onduleur, la tension efficace entre les phases de l'onduleur et le courant efficace entre les phases de l'onduleur.

Le système SYS comprend également une cartographie 12 dans laquelle on peut lire des valeurs de pertes P _{loss DI0DE} liées à une diode.

La cartographie 12 peut avoir pour entrée la tension de la batterie alimentant l'onduleur, la tension efficace entre les phases de l'onduleur et le courant efficace entre les phases de l'onduleur.

Le système comprend des moyens 13 de détermination des valeurs R _COO I→I _G BT (Φ) de résistances thermiques équivalentes de conduction entre le fluide de refroidissement et un transistor bipolaire à grille isolée le plus chaud et les valeurs R _COO1→DIOD E (Φ) de résistances thermiques équivalentes de conduction entre le fluide de refroidissement et une diode, par exemple au moyen d'un modèle thermique ayant pour entrée le débit Φ.

Deux autres cartographies 14 et 15 permettent de lire les deux résistances thermiques R _IGBT→DCB (d,(o) et R _DIODE→DCB (0, o) à partir de la position angulaire Θ de la machine électrique et de la vitesse de rotation ω .

Les valeurs R[ _G BT→D _C B ^ ,οί) , RDI _O DE→D _C B (@,co) , P _{loss DI0DE} , Pi _{oss IGBT} , R _cooi→DIODE (^>) et R _COOL→IGBT (Φ) sont fournies à un calculateur 16 apte par exemple à résoudre le système EQ4.

On obtient en sortie les températures T _D IODE et TIGBT correspondant aux éléments les plus chauds de l'onduleur. On peut ainsi mettre en œuvre un allégement de puissance ou ajuster la puissance du dispositif de refroidissement.

Grâce à l'invention, on obtient un calcul précis de la température des éléments d'un onduleur alimentant une machine électrique, en utilisant un seul capteur de température sur l'onduleur.

L'invention permet donc d'obtenir un système plus simple et moins onéreux que ceux décrits dans l'art antérieur utilisant trois capteurs.