Die Erfindung betrifft einen programmierbaren, nicht-flüchtigen, bi-stabilen Kondensator für den Hochfrequenzbereich. Der Kondensator kann als Varaktor (abstimmbarer Kondensator) oder als Speicherelement verwendet werden, insbesondere in HF-Kommunikationssystemen beispielsweise als steuerbare Mikrowellenkomponenten und als HF-Speicher beispielsweise in Radio Frequency Identification (RFI D) Tags zur Speicherung der I D-Nummer oder zur Speicherung der Betriebsfrequenz in Oszillatoren. Der Kondensator weist mindestens eine Schicht mit einem Material mit einer hohen abstimmbaren relativen Permittivität (abstimmbare Schicht 1 1 ) kombiniert mit mindestens einer Schicht eines Materials mit einer großen Energiebandlücke (Barriereschicht 1 2) und mindestens zwei Elektroden (1 0, 1 3) auf.

Beschreibung

Stand der Technik

Die Entwicklung moderner Halbleitertechnologien erhöht kontinuierlich die Anforderungen an Materialien, Systeme und Prozesstechniken. Beispiele sind dies immer höhere Integrierbarkeit und Multifunktionalität für Kommunikationssysteme, und eine höhere Dichte und Stabilität für dynamische Speicher.

Im Stand der Technik sind verschiedene Arten von Varaktoren und Speicherelementen bekannt, die als Festkörperschaltkreise ausgeführt sind:

Beim Betrieb in Sperrichtung variiert eine Diode die Dicke der Verarmungszone entsprechend der angelegten Spannung. Da die Kapazität umgekehrt proportional zur Dicke der Verarmungszone ist wird diese durch die angelegte Spannung gesteuert. Dioden weisen keine Funktion der Informationsspeicherung auf. In Speichersystemen mit Dioden sind alle nicht-flüchtigen Speicherfunktionen durch externe Schaltungen realisiert, welche die spezifischen Betriebsspannungen als vorgegebene Werte von zusätzlichen Speichern oder durch Echtzeit-Berechnung ermitteln.

(Ba,Sr)TiO ₃ (BST)-Dünnschichtkondensatoren für Anwendungen in der Hochfrequenztechnik besitzen in der Regel eine MIM-Struktur (Metall/Isolator/Metall), die als zwei entgegengesetzt geschaltete Schottky- Dioden betrachtet werden können. Eine relativ kleine Barrierenhöhe verursacht eine erhöhte Elektronen-Injektion. Der resultierende Leckstrom führt zu hohen dielektrischen Verlusten und kurzen Lebensdauern.

Die Kapazitäten von Varaktoren (abstimmbaren Kondensatoren) bestehend aus paraelektrischen Materialien können durch externe elektrische Felder aktiv abgestimmt werden. Grundlage hierfür ist die (nichtlineare) Abhängigkeit der induzierten Polarisation des paraelektrischen Materials von elektrischen Feldern.

Die relative Permittivität (Dielektrizitätskonstante) e _r solcher Materialien, die die Ableitung der Polarisation P in Bezug auf die elektrische Feldstärke E ist, zeigt symmetrische Eigenschaften und sinkt, wenn das angelegte elektrische Feld erhöht wird, wie in Fig. 1 a und Fig.1 c dargestellt. Beim Betrieb über ihrer Curie- Temperatur, im paraelektrischen Bereich des Materials, ist die verbleibende Hysterese vernachlässigbar. Diese Varaktoren benötigen externe Bauelemente um den jeweiligen Betriebspunkt zu speichern.

Eine weitere Möglichkeit besteht darin ferroelektrische Materialien anstelle des paraelektrischen Materials bei Betriebstemperaturen zu verwenden, bei denen die elektrischen Dipole spontane Polarisationen bilden. Durch Anlegen eines externen elektrischen Feldes, richtet sich die Polarisation der Dipole tendenziell entsprechend dem elektrischen Feld aus und behält diese Ausrichtung zum Teil bei auch nach Abschalten des elektrischen Feldes. Dadurch ist eine kapazitive Hysterese vorhanden, wie in Fig. 1 b und Fig. 1 d dargestellt. Durch die Erfassung der tatsächlichen Kapazität, wird der programmierte Wert aus der Polarisation ausgelesen ohne zusätzliche Schaltungselemente.

Unter den verschiedenen Speichertechnologien bekamen ferroelektrische Speicher, unter anderem FeRAM (engl, ferroelectric random access memory), in der letzten Zeit eine besondere Beachtung als einer der zukünftigen nichtflüchtigen Speicher, da FeRAMs, im Vergleich mit anderen konventionellen nichtflüchtigen Technologien, schneller, robuster und kompakter sind. Die ferroelektrischen Speicher basieren auf der spontanen Polarisation ferroelektrischer Dünnschichten, die phänomenologisch als eine Hysterese in der CV (capacitance-voltage)- sowie PV (polarisation-voltage)-Kennlinie erscheint. Durch die Hysterese können zwei unterscheidbare logische Zustände anhand der Richtung der Polarisation und der darauffolgenden Schaltladung definiert werden, welche als die grundlegende Voraussetzung für die Anwendung als Speichervorrichtung dient.

Einer der Nachteile von ferroelektrischen Speichern ist die relativ aufwändige Schaltungsstruktur, die eine Kombination von einem oder mehreren Transistoren und Kondensatoren umfasst. Die gespeicherte Information, das hei ßt, die Ladung der Polarisation, wird durch die Lesespannung gelöscht und muss nach dem Lesevorgang erneuert werden. Au ßerdem weisen die Materialien in der ferroelektrischen Phase einen höheren dielektrischen Verlust auf, besonders bei hohen Frequenzen, verursacht durch die Umpolung der Polarisation und der Bewegung der ferroelektrischen Domänen. Diese Eigenschaft verhindert den Einsatz der Materialien in der ferroelektrischen Phase als Mikrowellenkomponente.

Keine dieser Möglichkeiten im Stand der Technik erlaubt eine Anwendung und Programmierbarkeit im Hochfrequenz-Bereich. Geringe Verluste sind eine wesentliche Voraussetzung für Hochfrequenz-Kondensatoren. Beim Betrieb nahe oder unterhalb der Curie-Temperatur, zeigen ferroelektrischen Materialien stark frequenzabhängige Eigenschaften im Mikrowellenbereich. Für typische ferroelektrische Materialien wie Pb (ZrTi) 0 ₃ , reduziert sich die Permittivität um 50% zwischen 300 MHz und 3 GHz, während die dielektrischen Verluste um mehr als das 1 ,5-fache zunehmen. Dies führt zu hohen Verlusten im Mikrowellenbereich. Die fehlende eigene Speicher-Funktion in Dioden oder in Varaktoren, die auf paraelektrischen Materialien basieren, führen zu peripherer Komplexität. Zusätzlich weisen Dioden bei Betrieb im Sperrbereich hohe Verluste auf. Dies erhöht den Stromverbrauch und ist der limitierende Faktor in semi- passiven Komponenten, z.B. Backscatter RFID.

Aufgabe

Es ist Aufgabe der Erfindung einen passiven, abstimmbaren, programmierbaren, nicht-flüchtigen und bistabilen Kondensator für die Hochfrequenztechnik zur Anwendung als Varaktor oder als Speicherelement zur Verfügung zu stellen.

Lösung der Aufgabe

Die Erfindung betrifft einen programmierbaren, nicht-flüchtigen, bi-stabilen Kondensator für den Hochfrequenzbereich nach Anspruch 1 . Der Kondensator kann als Varaktor (abstimmbarer Kondensator) oder als Speicherelement verwendet werden, insbesondere in HF-Kommunikationssystemen beispielsweise als steuerbare Mikrowellenkomponenten und HF-Speichern beispielsweise als Radio Frequency Identification (RFI D) Tags zur Speicherung der ID-Nummer oder zur Speicherung der Betriebsfrequenz in Oszillatoren. Der Kondensator weist mindestens eine Schicht mit einem Material mit einer hohen abstimmbaren relativen Permittivität (abstimmbare Schicht 1 1 ) kombiniert mit mindestens einer Schicht eines Materials mit einer großen Energiebandlücke (Barriereschicht 1 2, 14) und mindestens zwei Elektroden (10, 13) auf.

Bi-Stabilität bedeutet, dass der Kondensator zwei logische Zustände aufweist, die nach der Entfernung der zuvor angelegten elektrischen Spannung verbleiben (d.h. sie sind nicht-flüchtig), und anschließend durch Anlegen einer Spannung umgeschaltet werden können (d.h. sie sind programmierbar).

Die abstimmbare Schicht 1 1 weist ein Material mit einer nicht-linearen relativen

Permittivität auf, besonders bevorzugt eines der folgenden Materialien oder eine Kombination aus den folgenden Materialien: BaTiO ₃ , SrTiO, (Ba,Sr)TiO ₃ ,

(Ba,Ca)TiO ₃ , Ba(Ti,Zr)O ₃ , Ba(Ti,Sn)O ₃ und weiteren Materialien mit nicht linearer relativer Permittivität.

Die Barriereschicht 12, 14 weist bevorzugt eines der folgenden Materialien auf SiO ₂ , Si ₃ N ₄ , AI ₂ O ₃ , ZrO ₂ , ZrSiO ₄ , HfO ₂ , HfSiO ₄ , La ₂ O ₃ , Y ₂ O ₃ , MgO, CaO, SrO. Der besonders bevorzugte Frequenzbereich für die Anwendung des erfindungsgemäßen Kondensators für den Hochfrequenzbereich startet bei unter 1 MHz und geht bis über 1 0 GHz.

Diese Erfindung kombiniert die Funktionen der paraelektrischen und ferroelektrischen Materialien und hat den Vorteil, dass die Verluste im Hochfrequenz-Bereich minimal gehalten werden können, wobei sich die Kapazität deutlich verändert entsprechend der unterschiedlichen Programmierungen. Weiterhin reduziert die hochohmige Barriereschicht 1 2, 1 4 den Leckstrom auf 0, 1 %. Dies ermöglicht Schaltungen mit sehr geringem Stromverbrauch.

Die Kombination von Materialien mit niedriger Permittivität wie z. B. Al ₂ 0 ₃ und hoher Permittivität wie z. B. (Ba,Sr)Ti0 ₃ ermöglicht das Speichern von Ladungen an der BST/Al ₂ 0 ₃ -Grenzfläche und kann eine „künstliche" Hysterese im paraelektrischen Material erzeugen, die sonst nur in ferroelektrischen Materialien zu sehen ist. Das Hystereseverhalten ist nicht mit einer Ferroelektrizität verknüpft, bietet aber eine ähnliche Bistabilität. Au ßerdem weisen die Kondensatoren, die auf paraelektrischem Material wie z.B. (Ba,Sr)Ti0 ₃ basieren, eine einfache Schaltungsstruktur sowie niedrige dielektrische Verluste auf, womit sie sich für die Anwendung als Mikrowellenkomponente eignen. Das bedeutet, dass durch diese Methode ein neues Element - ein bistabiler Kondensator - realisiert werden kann, der gleichzeitig Mikrowelleneigenschaften und Speichereigenschaften besitzt, welche mit nur paraelektrischen oder nur ferroelektrischen Materialien nicht realisiert werden kann.

Bei dem bistabilen Kondensator handelt es sich um einen passiven (d. h. geringer Energieverbrauch), programmierbaren und nicht flüchtigen Speicher. Dies bedeutet, dass die zwei logischen Zustände, in diesem Fall die unterschiedlich gro ßen Kapazitäten, die der Kondensator bietet, nach der Entfernung der zuvor angelegten elektrischen Spannung verbleiben (d. h. sie sind nicht flüchtig) und anschließend durch Anlegen einer Spannung umgeschaltet werden können (d. h. sie sind programmierbar). Durch eine kleine Lesespannung kann der Zustand ausgelesen werden und der Lesevorgang wird die gespeicherte Information nicht löschen. Ein typisches Schaltverhalten eines solchen Kondensators ist in Fig. 5 gezeigt. Hierbei wird das Schaltverhalten mit Hilfe der zeitabhängigen Kapazitätsmessung charakterisiert.

Die Erfindung wird nun anhand von Zeichnungen näher beschrieben : Fig. 2 zeigt einen ersten Schichtaufbau des erfindungsgemäßen Kondensators mit einem Schichtstapel bestehend aus einer ersten Elektrode 1 0, einer abstimmbaren Schicht 1 1 , einer Barriereschicht 1 2 und einer zweiten Elektrode 1 3. Für die Elektroden 1 0 und 1 3 kann jedes leitende Material verwendet werden wie Metalle oder Halbleiter, beispielsweise Pt. Die abstimmbare Schicht 1 1 besteht aus Materialien mit einer hohen Permittivität (insbesondere > 1 00), die abhängig ist vom elektrischen Feld. Die Barriereschicht 1 2 besteht aus Materialien mit einer großen Energiebandlücke E _g (typischer Wert > 5 eV) und geringer Permittivität (< 50). Je grö ßer der Unterschied der Permittivitäten zwischen der Barriereschicht 1 2 und der abstimmbaren Schicht 1 1 ist, umso besser ist dies für die Funktion des Kondensators. Der Faktor zwischen den beiden Permittivitäten sollte bevorzugt grö ßer als 1 0 sein. Fig. 3 zeigt das Schema eines Energieband Diagrammes eines Varaktors und das Prinzip der Ladungsträgerinjektion. Die Barriereschicht 1 2 bildet eine hohe Trennschicht zwischen der abstimmbaren Schicht 1 1 und einer der Elektroden 1 0, 13. Wenn keine Spannung angelegt ist, ist das Bauelement in einem so genannten "flat-band Situation" wie in Fig. 3 a dargestellt. Wenn eine Spannung auf das Bauelement angelegt wird, wird abhängig von der Polarität der Spannung das Ferminiveau der einen Elektrode 1 0 oder 1 3 erniedrigt in der andern Elektrode 1 3 oder 1 0 erhöht. Aufgrund der viel tieferen Permittivität der Barriereschicht 1 2 hat diese Schicht eine viel geringere Kapazität als die abstimmbare Schicht 1 1 . Dadurch wird eine signifikante Spannung U auf die Sperrschicht 1 2 abfallen entsprechend der folgenden Gleichung: U ₁₂ = UC„/(C„+C ₁₂ ), (1) wobei U ₁₂ die Spannung an der Barriereschicht 1 2 ist und Cu und C ₁₂ sind die Kapazitäten der abstimmbaren Schicht 1 1 und der Barriereschicht 1 2. Wenn an die erste Elektrode 1 0 wie in Fig. 3 b gezeigt eine negative Spannung angelegt wird, wird das Ferminiveau der ersten Elektrode 1 0 erhöht. Wenn die Spannung einen bestimmten Wert erreicht wird das Ferminiveau der ersten Elektrode 1 0 nahe an oder sogar über das Minimum des Ferminiveaus des Leitungsbandes der abstimmbaren Schicht 1 1 verschoben. Elektronen sind damit in der Lage in die dünne Barriereschicht 1 2 vorzudringen und einige Elektronen 1 6 werden in der Grenzfläche der abstimmbaren Schicht 1 1 und der Barriereschicht 1 2 nahe zum Leitungsband eingefangen. Dies gilt auch für Löcher 1 5 die durch die Barriereschicht 1 2 des Valenzbandes in die abstimmbare Schicht 1 1 zur oberen Elektrode 1 0 dringen. In diesem Fall ist die Grenzfläche der abstimmbaren Schicht 1 1 und der Barriereschicht 1 2 negativ geladen durch die eingefangenen Elektronen 1 6. Der umgekehrte Fall ist in Fig. 3 c dargestellt, wo an die erste Elektrode 1 0 eine positive Spannung angelegt ist. In diesem Fall sind die meisten der eingefangenen Elektronen 1 6 von der Grenzfläche entfernt und die Löcher 15 sind dort eingefangen, so dass der Grenzfläche positiv geladen ist.

Die Barriereschicht weist bevorzugt eine Dicke von 5-1 0 nm auf. Die besonders bevorzugte Struktur ist die Pt/BST/Al ₂ 0 ₃ /Pt. Fig. 4 zeigt das Prinzip der kapazitiven Spannungshysterese (capacitance-voltage (CV)) des Bauteils nach Fig. 2. Wenn eine geringe negative Spannung an der ersten Elektrode 1 0 angelegt wird (Fig. 4b), wird eine kleine Anzahl von Elektronen von der oberen Elektrode injiziert und durch die Barriereschicht 1 2 in der Grenzschicht eingefangen. Wenn eine höhere Spannung an der ersten Elektrode 1 0 angelegt wird (point b / Fig. 4c), werden viele Elektronen in der Grenzschicht nach der Barriereschicht 12 eingefangen. Wird die negative Spannung erniedrigt (Fig. 4 c), ist immer noch eine große Anzahl von Elektronen eingefangen solange die Polarität der Spannung sich nicht ändert. Auch wenn das gleiche externe elektrische Feld E (Spannung L//Dicke d) an das Bauteil angelegt wird in Fig. 4b und 4d werden im Fall von Fig. 4d mehr Elektronen eingefangen, welches das interne Feld in der abstimmbaren Schicht 1 1 erhöht (E ₃ > Ei). Dieses vergrößerte elektrische Feld führt zu einer Reduktion der Kapazität und bildet eine Hysterese. Wenn sich die Polarität der Spannung an der ersten Elektrode 1 0 ändert und diese eine positive Spannung erhält werden die meisten eingefangene Elektronen wieder von den Fallen in der Grenzschicht entfernt und Löcher werden injiziert und übernehmen den Platz der Elektronen. Die zwei gespiegelten CV-Kennlinien bilden dann eine symmetrische Hysterese.

Fig. 5 beschreibt die Lese-Schreib-Funktion der Bauteile nach Fig. 2. Der Betrieb des bistabilen Kondensators besteht aus einem Schreibvorgang und einem Lesevorgang, die zwei unterschiedlich großen Spannungen entsprechen. Für die Lese-Funktion wird eine Lesespannung U _R , welche zwischen 0 V und der Polarisationsspannung U _P gewählt werden kann, am Bauteil angelegt und die zugehörige Kapazität C ₁ oder C ₂ kann ausgelesen werden, welche von der vorhergehenden CV Hysterese abhängig ist. Die Polarisationsspannung Up ist die Spannung, die benötigt wird um die Polarität der geladenen Grenzschicht zwischen der abstimmbaren Schicht 1 1 und der Barriereschicht 12 zu verändern. Bei der Polarisationsspannung Up ist das interne elektrische Feld kompensiert durch das externe elektrische Feld und dadurch erreicht die Kapazität des Bauelementes ihren maximalen Wert. Die Differenz zwischen d oder C ₂ verschwindet bei einer Spannung von 0 V und erreicht ein Maximum bei U _P . Im Prinzip kann die Lesespannung U _R beliebig auf einen Wert zwischen 0 und U _P gesetzt werden. Aber um einen größeren Unterschied der Lesewerte zu erreichen wird ein U _R nahe der Polarisationsspannung Up bevorzugt.

Für die Schreiboperation wird eine Schreibspannung U _w angelegt. Die Schreibspannung U _w muss grösser als die Spannung U _P sein, bei der die Flachband-Situation (flat-band Situation) und die maximale Kapazität in der abstimmbaren Schicht 1 1 erreicht wird, womit eine hinreichend hohe Ladungsträgerinjektion gestattet werden kann. Je grösser Uw ist, desto grösser und stabiler ist die gespeicherte Ladung an der Grenzfläche. Dabei spielt wiederum die Feldstärke die entscheidende Rolle und eine Reduzierung der Schreibspannung U _w ist durch die Reduzierung der Schichtdicke d der abstimmbaren Schicht 1 1 möglich, auch ohne auf die Stabilität der Ladung verzichten zu müssen.

Da die Hysterese symmetrisch ist, kann die Polarität von Uw und UR beliebig korreliert werden. Fig. 5 zeigt den Fall bei dem beispielsweise eine positive Lesespannung von U _R = 2 V gewählt wurde. Die Programmierung des Bauteils erfolgt mit einem kurzen Spannungspuls von U _W - Wenn z.B. eine Schreibspannung von 15V angelegt ist, befindet sich die CV-Kennlinie auf der unteren Kurve (durchgezogene Linie der Hysterese in Fig. 5) und der Kondensator weist bei z. B. 2V eine niedrige Kapazität auf, die als binär „0" definiert werden kann. Um den Zustand der Kapazität umzukehren wird entsprechend eine Schreibspannung von z.B. -1 5V angelegt. Der Kondensator weist dann bei z. B. 2V eine hohe Kapazität auf, die als binär„1 " definiert werden kann. Die Definition der binären Zustände„0" und„1 " ist auch umkehrbar und hängt von der Schaltung der endgültigen Vorrichtung ab.

Bei der zeitabhängigen Kapazitätsmessung in Fig. 5 (rechts) ist zu erkennen, dass die zwei Zustände der Kapazität nach der Entfernung von Uw beim kontinuierlichen Auslesen erhalten bleiben und die Programmierung mehrmals wiederholt werden kann. Durch die anliegende Lesespannung ist eine leichte Abnahme, insbesondere bei der hohen Kapazität, zu sehen.

Für die Schreiboperation wird eine Schreibspannung U _w angelegt, wobei diese Spannung grö ßer sein muss als die Polarisationsspannung Up. The Polarität der geladenen Grenzschicht wird verändert und die CV Hysterese verläuft entlang der durchgezogenen Linie in Fig. 5. In diesem Fall ist die logische „1 " (oder „0"), welche mit der Kapazität Ci korrespondiert, in dem Bauteil gespeichert, abhängig von der Schaltung. Um den gespeicherten Zustand zu löschen wird eine negative

Spannung U _w angelegt und die CV Hysterese läuft entlang der gestrichelten

Linie in Fig. 5 zurück. In diesem Fall wird eine logische„0" (oder„1 ") in das Bauteil geschrieben, welche mit der größeren Kapazität C ₂ korrespondiert.

Da die CV Hysterese des Bauteils symmetrisch ist, verlaufen die Lese-Schreib- Funktionen genauso, wenn die umgekehrten Betriebsspannungen verwendet werden.

Die Verteilung des elektrischen Feldes in dem Schichtstapel kann mit folgender Gleichung ausgedrückt werden :

(2) sowie

wobei σ die Flächendichte der gespeicherten Ladung an der Grenzfläche von der abstimmbaren Schicht 1 1 und der Barriereschicht 1 2 ist. su und ει ₂ sind die Permittivitäten der abstimmbaren Schicht 1 1 bzw. der Barriereschicht 1 2. En und E ₁₂ sind die elektrische Feldstärken in der abstimmbaren Schicht 1 1 bzw. der Barriereschicht 1 2. U ist die gesamte angelegte Spannung, du und ab sind die Dicke der abstimmbaren Schicht 1 1 bzw. der Barriereschicht 12.

Durch obige Gleichungen ergibt sich die Feldstärke in der jeweiligen Schicht wie folgt (4)

Die Größe der Hysterese hängt von der Polarisationsspannung U _P ab, bei der das elektrische Feld in der abstimmbaren Schicht 1 1 gleich null ist (E _{? ?} =0). Daraus ergibt sich

Wobei die Polarisationsspannung U=U _P der Spannung entspricht, bei der die maximale Kapazität auftritt. Die maximal auftretende Kapazität hängt stark von der Dicke der Barriereschicht 12 (di ₂ ) ab. Das heißt, wenn die abstimmbare Schicht 1 1 die gleiche Dicke hat, fällt umso mehr Spannung an die Barriereschicht 12 ab umso dicker die Barriereschicht 12 ist. Die Spannung, die an der abstimmbaren Schicht 1 1 abfällt ist geringer. Dies erfordert eine höhere Polarisationsspannung U _P um das interne elektrische Feld in der abstimmbaren Schicht 1 1 zu kompensieren, welche durch die geladene Grenzschicht generiert wurde um die Flachband-Situation (flat-band Situation) zu erreichen. Dies ermöglicht es die Größe der CV Hysterese-Schleife durch Veränderung der Dicke der Barriereschicht 12 zu verändern.

Fig. 6 zeigt eine zweite Struktur der Erfindung. Diese Struktur hat das gleiche Funktionsprinzip wie die erste Struktur, die in Fig. 2 gezeigt ist, außer das sich die Barriereschicht 12 zwischen der abstimmbaren Schicht 1 1 und der zweiten Elektrode 13 befindet.

Fig. 7 zeigt eine dritte Struktur der Erfindung. Diese Struktur besteht aus einer abstimmbaren Schicht 1 1 , welche zwischen zwei Barriereschichten 12, 14 angeordnet ist und zwei Elektroden 10 und 13. Im Vergleich mit der ersten Struktur, gezeigt in Fig. 2, hat dieser Aufbau sowohl das gleiche Prinzip für die Ladungsinjektion und Formation der CV Hysterese als auch für die Lese- und Schreib-Funktion. Diese Struktur besitzt zwei Grenzschichten zwischen der abstimmbaren Schicht 1 1 und den Barriereschichten 12, 14, welche die Dichte der Fallen für die injizierten Ladungen und damit das interne elektrische Feld in der abstimmbaren Schicht 1 1 bestimmen. Als Ergebnis kann die kapazitive Differenz zwischen den zwei logischen Zuständen C1 und C2 wie in Fig. 5 gezeigt erhöht werden.

Basierend auf den bistabilen Kondensatoren können passive programmierbare Hochfrequenz-Bauteile zur Radiofrequenz-Identifizierung (engl, radio frequency Identification, Abk. RFID) realisiert werden. Hierzu werden zwei exemplarische Schaltungen und die entsprechenden Funktionsprinzipien vorgestellt.

Wie in Fig. 8 dargestellt, besteht die erste Schaltung aus bistabilen Kondensatoren B-i bis B _n und Mikrowellenresonatoren R bis R _n , verbunden mit einer Antenne (ANT) am Eingang. Jeder Resonator arbeitet bei einer einzelnen Frequenz. Die Kodierung der ersten Schaltung erfolgt in einer Frequenzdomäne. Wenn die Schaltung durch das externe Lesegerät bei Hochfrequenz in einer Bandbreite zwischen den Frequenzen und f _n angefragt wird, streuen die Resonatoren das Signal in ihre einzelnen Frequenzen zurück, wie die Peaks in durchgezogenen Linien in Fig. 8 zeigen. Diese rückgestreuten Signale werden dann extern detektiert. Die einzelnen Frequenzen f und f _n stellen die ID-Codes von Bit 1 bis Bit n des RFI D-Tags dar. Wenn die bistabilen Kondensatoren B bis B _n durch die Schreib-Schnittstellen (engl, word lines) W bis W _n geschrieben werden, werden die Kapazitäten zwischen den zwei Zuständen geschaltet. Da die Resonatoren parallel miteinander verbunden sind, führen die Kapazitäten der Kondensatoren zu einem Spektrum mit einzelnen Verschiebungen der Resonanzfrequenzen, wie die Peaks in gestrichelten Linien zeigen. Wenn die Kondensatoren unterschiedlich eingestellt sind, stellen die spektralen Lagen der Resonanzfrequenzen eine Folge von binären Zuständen„0" und„1 " dar und der RFID-Tag wird dadurch programmiert.

Wie in Fig. 9 dargestellt, werden in der zweiten Schaltung Übertragungsleitungen TL-i bis TL _n zwischen den Kondensator-geladenen Resonatoren eingeführt. Die Kodierung dieser Schaltung arbeitet im Zeitbereich. Die Schaltung wird auf einer einzigen Frequenz f vom externen Lesegerät angefragt und die rückgestreuten Signale werden in der zeitlichen Abfolge gemessen. Wenn ein Impuls bei der Frequenz f von der Antenne empfangen wird, breitet er sich durch TL bis TL _n fortlaufend aus. Zugleich streut der Impuls bei jedem Kondensator-geladenen Resonator je nach seiner Impedanz zurück. Wie die durchgezogenen Linien im Kodierungsschema in Fig. 9 zeigen, werden die RückStreuungen der Impulse zu unterschiedlichen Zeitpunkten ti bis t _n empfangen, welche die ID-Codes Bit 1 bis Bit n darstellen. Wenn die Kondensatoren B bis B _n durch die Schreib-Schnittstellen W bis W _n geschrieben werden, werden die Kapazitäten zwischen den zwei Zuständen geschaltet. Bei der Frequenz f verändert sich an jedem Resonator die Phasenverschiebung der reflektierten Impulse durch die veränderte Kapazität, wie die gestrichelten Linien zeigen. Wenn die Kondensatoren unterschiedlich eingestellt sind, stellen in diesem Fall statt Resonanzfrequenzen die Phasenverschiebungen eine Folge von binären Zuständen „0" und„1 " dar und der RFID-Tag ist dadurch programmiert.

Bezugszeichenliste

10 erste Elektrode

1 1 abstimmbare Schicht 12 erste Barriereschicht

13 zweite Elektrode

14 zweite Barriereschicht

15 Elektronen

16 Löcher

Zeichnungen:

Fig. 1 zeigt die Anhängigkeit der induzierten Polarisation und der relative Permittivität vom elektrischen Feld für paraelektrisches und ferroelektrisches Material Fig. 2 zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel mit einem ersten Schichtaufbau der Erfindung

Fig. 3 zeigt ein schematisches Energiebanddiagramm zur ersten Struktur nach Fig. 2 unter Flachband Situation, in Sperr- und Durchlassrichtung. Diese Kurve zeigt die prinzipielle Ladungsinjektion an der Grenzschicht der Elektrode 10 und der abstimmbaren Schicht 12. Punkte und Kreise zeigen Elektronen 15 bzw. Löcher 16.

Fig. 4 zeigt die Formation der kapazitiven Spannungshysterese durch die Ladungsträgerinjektion und eingefangene Ladungen an der Grenzschicht zur abstimmbaren Schicht 1 1 und zur Barriereschicht 12, entsprechend der ersten Struktur wie in Fig. 2 gezeigt. Fig. 5 zeigt das Prinzip der Lese-/Schreib-Funktion.

Fig. 6 zeigt ein zweites Ausführungsbeispiel.

Fig. 7 zeigt ein drittes Ausführungsbeispiel.

Fig. 8 zeigt eine exemplarische Schaltung und das Kodierungsschema für die Anwendungen der bistabilen BST-Kondensatoren als RFID-Tags in der Frequenzdomäne. R _n , B _n und W _n deuten die Widerstände, bistabile Kondensatoren und Schreib-Schnittstellen (engl, word lines) an.

Fig. 9 zeigt eine exemplarische Schaltung und das Kodierungsschema für die Anwendungen der bistabilen BST-Kondensatoren als RFI D-Tags in der Zeitdomäne. R _n , B _n und W _n deuten die Widerstände, bistabile Kondensatoren und Schreib- Schnittstellen (engl, word lines) an.

Abkürzungen:

P Polarisation

ε _Γ relative Permittivität (oder Dielektrizitätskonstante)

E elektrische Feldstärke

U elektrische Spannung

UR Lesespannung

Uw Schreibspannung

UP Polarisationsspannung

σ Flächendichte der Ladung

d Dicke

Rn Widerstände

B _n bistabilen Kondensatoren

W _n Schreib-Schnittstellen

TU Übertragungsleitungen