Title:
CHARGED PARTICLE BEAM DEVICE AND EVALUATION METHOD USING THE CHARGED PARTICLE BEAM DEVICE
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2010/140649
Kind Code:
A1
Abstract:
A charged particle beam device has a problem that charged particle beams deflect due to a disturbance in the symmetry of equipotential distribution in the vicinity of the outer peripheral edge of a sample to be evaluated.
Electrode plates disposed in the interior of an electrostatic-adsorption sample holding mechanism comprise an inner electrode plate and an outer electrode plate, which are concentrically disposed. The outer diameter of the outer electrode plate is formed to a value larger than the outer diameter of the sample. Furthermore, the overlap surface area of the outer electrode plate and sample, and the surface area of the inner electrode plate are formed so as to have approximately equal size. Then, an optional voltage with a positive polarity relative to the reference voltage is applied to the inner electrode plate, and an optional voltage with a negative polarity relative to the reference voltage is applied to the outer electrode plate.
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Inventors:
KITSUNAI Hiroyuki (HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION 882, Oaza Ichige, Hitachinaka-sh, Ibaraki 04, 〒3128504, JP)
橘内 浩之 (〒04 茨城県ひたちなか市大字市毛882番地 株式会社 日立ハイテクノロジーズ 那珂事業所内 Ibaraki, 〒3128504, JP)
KANNO Seiichiro (HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION 882, Oaza Ichige, Hitachinaka-sh, Ibaraki 04, 〒3128504, JP)
菅野 誠一郎 (〒04 茨城県ひたちなか市大字市毛882番地 株式会社 日立ハイテクノロジーズ 那珂事業所内 Ibaraki, 〒3128504, JP)
MATSUSHIMA Masaru (HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION 882, Oaza Ichige, Hitachinaka-sh, Ibaraki 04, 〒3128504, JP)
橘内 浩之 (〒04 茨城県ひたちなか市大字市毛882番地 株式会社 日立ハイテクノロジーズ 那珂事業所内 Ibaraki, 〒3128504, JP)
KANNO Seiichiro (HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION 882, Oaza Ichige, Hitachinaka-sh, Ibaraki 04, 〒3128504, JP)
菅野 誠一郎 (〒04 茨城県ひたちなか市大字市毛882番地 株式会社 日立ハイテクノロジーズ 那珂事業所内 Ibaraki, 〒3128504, JP)
MATSUSHIMA Masaru (HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION 882, Oaza Ichige, Hitachinaka-sh, Ibaraki 04, 〒3128504, JP)
Application Number:
JP2010/059421
Publication Date:
December 09, 2010
Filing Date:
June 03, 2010
Export Citation:
Assignee:
HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION (24-14, Nishishimbashi 1-chome Minato-k, Tokyo 17, 〒1058717, JP)
株式会社 日立ハイテクノロジーズ (〒17 東京都港区西新橋一丁目24番14号 Tokyo, 〒1058717, JP)
KITSUNAI Hiroyuki (HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION 882, Oaza Ichige, Hitachinaka-sh, Ibaraki 04, 〒3128504, JP)
橘内 浩之 (〒04 茨城県ひたちなか市大字市毛882番地 株式会社 日立ハイテクノロジーズ 那珂事業所内 Ibaraki, 〒3128504, JP)
KANNO Seiichiro (HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION 882, Oaza Ichige, Hitachinaka-sh, Ibaraki 04, 〒3128504, JP)
菅野 誠一郎 (〒04 茨城県ひたちなか市大字市毛882番地 株式会社 日立ハイテクノロジーズ 那珂事業所内 Ibaraki, 〒3128504, JP)
株式会社 日立ハイテクノロジーズ (〒17 東京都港区西新橋一丁目24番14号 Tokyo, 〒1058717, JP)
KITSUNAI Hiroyuki (HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION 882, Oaza Ichige, Hitachinaka-sh, Ibaraki 04, 〒3128504, JP)
橘内 浩之 (〒04 茨城県ひたちなか市大字市毛882番地 株式会社 日立ハイテクノロジーズ 那珂事業所内 Ibaraki, 〒3128504, JP)
KANNO Seiichiro (HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION 882, Oaza Ichige, Hitachinaka-sh, Ibaraki 04, 〒3128504, JP)
菅野 誠一郎 (〒04 茨城県ひたちなか市大字市毛882番地 株式会社 日立ハイテクノロジーズ 那珂事業所内 Ibaraki, 〒3128504, JP)
International Classes:
H01J37/20; G01B15/00; H01L21/66; H01L21/683
Attorney, Agent or Firm:
ASAMURA PATENT OFFICE, p.c. (Room 331, New Ohtemachi Bldg. 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-k, Tokyo 04, 〒1000004, JP)
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