以下、図面を参照して本発明の実施の形態� ��ついて説明するが、本発明はこれに限定さ� ��るものではない。
 図1(a)~(f)は本発明のチップヒューズ10を製造 する工程を示した平面図であり、図2は図1(f)� ��A-A線におけるチップヒューズ10の断面図で� �る。
 チップヒューズ10は、絶縁基板11の上に蓄熱 層12が形成され、蓄熱層12の上にヒューズ膜13 が設けられ、ヒューズ膜13は、両端に配置さ� ��た表電極部13aと、これら両端の表電極部13a� ��接続するヒューズ要素部13bとを有し、ヒュ� ��ズ要素部13bの上にはNiとSnめっき膜またはSn� ��っき膜が形成され、このめっき膜が溶断部1 4となる。さらに、ヒューズ要素部13bの上に� �、蓄熱層12よりも熱伝導性が高い材料からな る第一の保護層15が設けられ、第一の保護層1 5の上に第二の保護層16が形成され、絶縁基板 11の裏側の両端に裏電極17が設けられ、絶縁� �板11の両端面に端面電極18が設けられ、電極� ��っき膜19が表電極13a、端面電極18及び裏電極 17を覆うように設けられる。

 ここで、蓄熱層12はエポキシ樹脂、シリ� �ーン樹脂、ポリイミド樹脂等の樹脂材料を� �成分とする膜から形成することが可能であ� �、第一の保護層15は、例えば、珪酸アルミを 含有するエポキシ樹脂のように、フィラーと して無機物を含む樹脂材料から形成すること ができる。以上のような構成により、例えば 、蓄熱層12は熱伝導率をほぼ0.05W/m℃程度とし 、第一の保護層15は、蓄熱層12よりも高いほ� �0.1W/m℃程度の熱伝導率にすることができる� �

 ヒューズ要素部13bは、図1(b)に示したように 、両端の表電極部13aを接続するように比較的 狭い幅で形成され、蓄熱層12は、ヒューズ膜1 3が絶縁基板11に接触しないように、ヒューズ 膜13よりも若干大きく、ほぼ同じ形状に形成� ��れるか、または同じ大きさで同じ形状に形� ��される。
 このように蓄熱層12とヒューズ膜13が重ね合 わされることにより、絶縁基板11における両� ��の表電極部13aで挟まれた領域11a(ヒューズ要 素部の形成される領域)には、蓄熱層12とヒュ ーズ膜13の何れによっても覆われていない面� ��生じ、この面上を、図1(d)のように第一の保 護層15で被覆することで、第一の保護層15は� �ューズ要素部13bと絶縁基板11の両方に接触す るものとなる。

 以上のような構成により、チップヒュー� ��10が通電されてヒューズ要素部13bに熱が発� �すると、その熱は下方に伝わり蓄熱層12に蓄 えられる一方で、上方に伝わった熱は第一の 保護層15を介して絶縁基板11から放熱され、� �れにより、高定格電流域においても、定常� �の温度上昇を抑制することができ、且つ、� �ューズ要素部13bの溶断を遅延させることが� �能になる。

 次に、チップヒューズ10の製造方法につい� �、図1及び図2を参照して説明する。
 チップヒューズを製造するための絶縁基板� ��しては、例えば、アルミナの純度が96%程度� ��アルミナ基板を使用することができる。絶� ��基板は、これを縦方向及び横方向に切断す� ��ことにより複数のチップヒューズ10が形成� �きる寸法の基板(以下、集合絶縁基板と言う� ��ともある)を使用し、この集合絶縁基板上に 複数層にわたり各構成を形成した後に、縦方 向及び横方向に切断し、一個ずつのチップ状 のヒューズを製造するものであるが、図1(a)~( e)の平面図では、集合絶縁基板の一区画、す� ��わち、一つのチップヒューズが形成される� ��画のみで示し、単に、絶縁基板11と記載す� �。

[集合絶縁基板の溝刻設工程]
 最初に、レーザー等の手段により集合絶縁� ��板(図示せず)に切断用の溝(図示せず)を刻設 する。集合絶縁基板には、予め切断用の溝が 形成されたものもあり、その場合には、溝の 刻設工程は省かれる。

[蓄熱層の形成工程]
 蓄熱層12を形成するため、絶縁基板11上に感 光基を有する樹脂材料を主成分とするシート 状材料を貼る。シート状材料としては、例え ば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂及び感光基 を含み、厚さ30μ程度に形成されたB状態のも� ��を使用することができる。貼り付け工程を� ��所定温度、所定圧力で行うことにより、シ� ��ト状材料は接着後に厚さ25μ程度になる。蓄 熱層12を更に厚くする場合には、同様のシー� ��状材料を同様の条件で貼り重ねる。
 次に、シート状材料の上にフォトマスクを� ��して露光した後、炭酸ナトリウム溶液をス� ��レーにより吹き付けることにより、シート� ��材料は、図1(a)に示したような形状に形成さ れ、絶縁基板11上には蓄熱層12で被覆されて� �ない領域11aが形成される。
 以上のように蓄熱層12を形成すれば、その� �伝導率をほぼ0.05W/m℃程度にできる。また上� ��のような工程において、シート状材料とし� ��感光基を含むものを使用すれば、蓄熱層12� �寸法精度が高まり、蓄熱層12の上に形成する 第一の保護膜15と絶縁基板11との接触面積が� �精度化し、溶断特性のばらつきを低減する� �とができる。

[ヒューズ膜の形成工程]
 蓄熱層12を形成した絶縁基板11上に電解銅箔 を貼り付ける。この貼り付け工程は、常温よ りも高い温度で所定圧力を所定時間加えるこ とにより行われる。次に、電解銅箔の上にネ ガタイプのドライフィルムを貼るか、又は液 状のレジストを塗布し、その上からフォトマ スクを介して露光した後、電解銅箔をエッチ ングしてドライフィルム又は液状レジストを 剥離させる。
 以上のような工程により、ヒューズ膜13が� �1(b)に示したように形成される。ヒューズ膜1 3は蓄熱層12よりも若干小さく、ほぼ同じ形状 であり、絶縁基板11に接触せず、絶縁基板11� �の領域11aは蓄熱層12とヒューズ膜13の何れに� ��っても被覆されない状態で維持される。

[ヒューズ膜溶断部の形成工程]
 ヒューズ要素部13bのほぼ中央部には、電気� ��っき法により、NiとSnめっき膜またはSnめっ� ��膜を設けることで、図1(c)に示したような溶 断部14を形成し、これによりヒューズ膜13の� �断特性にM効果を得る。

[保護層の形成工程]
 絶縁基板11上において、蓄熱層12及びヒュー ズ膜13で被覆されていない領域11aへの熱伝導� ��を高めるため、図1(d)に示したように、第一 の保護層15を形成する。第一保護膜15は、ヒ� �ーズ要素部13bに生じた熱を絶縁基板11へと伝 えて放熱させるものである。
 さらに詳細に説明すれば、第一の保護層15� �、熱伝導率がほぼ0.05W/m℃程度である蓄熱層1 2と比較して、これよりも高いほぼ0.1W/m℃程� �の熱伝導率になるように、熱伝導性の高い� �料から形成する。そのような材料としては� �例えば、エポキシ樹脂のなかに、珪酸アル� �、窒化アルミ、アルミナ等の無機フィラー� �分散された材料を挙げることができる。そ� �材料に含まれる無機フィラーの含有率は20%~5 0%程度が適切である。その含有率が20%以下で� ��れば、スクリーン印刷性が低下し、特に滲� ��という不具合が発生する。さらに、それを� ��用したチップヒューズは表面温度が75℃以� �という前記規定値より高くなる問題が発生� �る。また、50%以上であってもスクリーン印� �性が低下し、特に、擦れという不具合が発� �する。さらに、それを適用したチップヒュ� �ズは溶断特性が所定の目標値を満足するこ� �ができない。
 第一の保護層15を形成した後、その上に感� �性ソルダーレジストを設け、エポキシ系樹� �材料により、図1(e)のように第二の保護層16� �形成する。

[裏電極、端面電極等の形成工程]
 第一及び第二の保護層15,16を形成した後に� �絶縁基板11の裏側にスクリーン印刷法で銀ペ ーストを塗布して焼き付け、裏電極17を形成� ��る。次に、集合絶縁基板を縦溝に沿って切� ��して短冊状の絶縁基板を形成し、この短冊� ��絶縁基板の長辺方向の側面に銀ペーストを� ��布して焼き付けること、またはスパッタ法� ��より、Cr膜とNi膜を製膜することにより端面 電極18を形成する。さらに、短冊状の絶縁基� ��を横溝に沿って切断し、一個ずつのチップ� ��し、バレルめっき法によりダミーとともに� ��に入れ、Cu膜、Ni膜及びSn膜からなる電極め� ��き膜19を形成すれば、図1(f)に示したように� ��本発明のチップヒューズ10が完成する。

 次に、図3は、本発明による定格電流5Aの� ��ップヒューズと、特許文献1の発明による定 格電流5Aのチップヒューズとの溶断特性を比� ��したグラフである。本発明と従来例とを比� ��すると、本発明のチップヒューズでは、特� ��文献1のチップヒューズよりも、溶断時間を 10倍以上遅延させることが可能になる。