本发明涉及一种印制电路用的电路基板及其制 作方法。 背景技术

近年来， 随着电子产品向多功能、 小型化的方向发展， 使用的电路板 朝着多层化、 布线高密度化以及信号传输高速化的方向发展 ， 对电路基 板一一覆金属箔层压板， 如覆铜板的综合性能提出了更高的要求。

例如， 随着信息通讯设备高性能化、 高功能化以及网络化的发展， 为 了高速传输及处理大容量信息， 操作信号趋向于高频化， 电子产品的使用 频率持续走高， 要求电路基板介电损耗越来越小， 而且要求电路基板介电 常数的稳定性、 均匀性要好。

目前覆铜板一般使用玻璃纤维布作为增强材料 。 因使用编织材料做增 强材料（如玻璃纤维布） ， 编织纤维布因编织的原因以及编织纤维交叉部 分的十字节点存在， 使得电路基板中绝缘介质 （如玻璃成分） 并不是均匀 的分布， 使得电路板中的介电常数在 X、 Υ、 Ζ 方向的不是各向同性（其 中， X、 Υ、 Ζ 方向分别为电路板的长度、 宽度、 厚度方向） ， 存在 X、 Υ、 Ζ 方向的介电常数差异。 这样高频信号在高频电路基板中传输时， 电 磁波不仅在 X、 Υ方向传输， 而且也在 Ζ方向传输， 因在 X、 Υ、 Ζ方向 的介电常数的不同产生信号的衰减， 影响信号传输的稳定性。 为了使信号 均匀稳定的传输， 必须尽量减少电路基板介质中 X、 Υ、 Ζ 方向的介质分 布的差别。

另外， 随着电子产品电路互联密度的提高， 要求电路基板的尺寸稳定 性越来越高， 为了减少电路基板在制作的热沖击过程中产生 的热应力， 满 足元器件在安装及组装过程的孔对位精确， 要求基板在 X、 Υ、 Ζ 方向的 热膨胀系数（Coefficient of Thermal Expansion, CTE )越小越好。 特别是 用于 IC封装的电路基板， 对于 X、 Y 方向的 CTE要越接近于硅芯片的 CTE ( 3ppm/°C )越好， 因为如果电路基板的 CTE 和封装在电路基板上的 芯片的 CTE相差太大， 会使得芯片在环境冷热沖击过程中产生^艮大� �应力 应变而损坏。

目前所用覆铜板（FR-4 )—般都以玻璃纤维布作为增强材料， 因受到 板材中玻璃纤维布与树脂比例的影响， 其 X、 Υ方向的 CTE为 16~18ppm/ °c。

为了降低 X、 Y方向的 CTE, 美国专利申请 US20040037950A1使用 薄型的玻璃膜来替代玻璃纤维布进行覆铜板的 制作。 该专利申请揭示了一 种多层板材的结构由玻璃膜、 树脂层以及铜箔层构成， 但是该专利申请并 没有揭示如何在玻璃膜表面和树脂层之间获得 良好的结合力。 因玻璃膜的 表面是光滑的， 这样树脂层无法和玻璃膜形成良好的结合力， 使得附着在 树脂层上的电路铜导线随着树脂层一起容易从 玻璃膜上剥落下来， 进而会 造成这种方式制作的覆铜板在制作及使用过程 的可靠度不高， 会产生电子 产品的报废。 发明内容

因此， 本发明的目的在于提供一种电路基板， 采用经过表面粗糙化处 理形成粗糙层的玻璃膜为载体材料， 使得树脂粘接层与玻璃膜表面具有良 好的结合力。

本发明的另一目的在于提供使用上述经过表面 粗糙化处理形成粗糙层 的玻璃膜制作的电路基板， 具有介电常数在 X、 Υ、 Ζ 方向差别小的特 点。

本发明的再一目的在于提供一种电路基板的制 作方法， 采用经过表面 粗糙化处理形成粗糙层的玻璃膜为载体材料， 具有良好的成型性， 工艺操 作筒便。

为实现上述目的， 本发明提供一种电路基板， 包括经过表面粗糙化处 理形成粗糙层的玻璃膜、 分别位于所述玻璃膜两侧粗糙层上的树脂粘接 层、 以及位于树脂粘接层外侧的金属箔， 所述玻璃膜、 树脂粘接层及金属 箔通过压制结合在一起。

所述玻璃膜的玻璃成分优选碱金属氧化物含量 小于 0.3% (重量 ) 的铝 硅酸盐玻璃或碱金属氧化物含量小于 0.3% (重量） 的硼硅酸盐玻璃。

所述玻璃膜的厚度可以选择在 20μηι到 1.1mm之间。 为了获得良好的 玻璃膜和树脂粘接层的结合力， 发明人通过研究发现， 在玻璃膜上形成大 于一定厚度的 凸不平的粗糙层， 可以提高玻璃膜和树脂粘接层的结合 力。 具体的是， 所述粗糙层的厚度大于或等于 0.3μηι, 可以获得满意的粘 合力。 本文中， 粗糙层的厚度是指该粗糙层的微观不平度十点 高度 ( Rz ) 。

所述玻璃膜的表面可以通过拉毛、 蒙砂、 化学蚀刻、 溶胶 -凝胶法和机 械打磨中的一种或多种方法进行粗糙化， 增大接触面积， 使玻璃膜与树脂 粘接层达到更好的结合。

发明人通过研究发现， 使用蒙砂法、 溶胶-凝胶法很容易在玻璃膜的表 面形成一层厚度大于或等于 0.3μηι的粗糙层， 制作的电路基板产生了良好 的粘合力。

为了获得更好的玻璃膜和树脂粘接层的结合力 以及有效降低电路基板 的 CTE, 发明人通过大量的研究发现， 所述粗糙层的厚度优选在 5μηι到 20μηι之间， 而且所述玻璃膜两侧粗糙层的总厚度不大于玻 璃膜总厚度的 1/2。

另外， 发明人通过研究还发现， 玻璃膜经过高温退火处理后 （400°C ~600°C ) , 可以获得更好的尺寸稳定性。

所述树脂粘接层中的树脂选自环氧树脂、 氰酸酯树脂、 酚醛树脂、 聚 苯醚树脂、 聚丁二烯树脂、 聚丁二烯与苯乙烯共聚物树脂、 聚四氟乙烯树 月旨、 聚苯并恶嗪树脂、 聚酰亚胺、 含硅树脂、 双马来酰亚胺树脂、 LCP ( Liquid Crystal Polymer )树脂、 双马来酰亚胺三嗪树脂 （ BT树脂） 中的 一种或多种。

上述树脂粘接层中还可以加入粉末填料， 粉末填料起着改善尺寸稳定 性、 降低 CTE等目的。 所述粉末填料的含量按体积百分比计小于树脂 粘接 层中树脂和粉末填料总量的 70%。 粉末填料选自结晶型二氧化硅、 熔融型 的二氧化硅、 球型二氧化硅、 钛酸锶、 钛酸钡、 钛酸锶钡、 氮化硼、 氮化 铝、 碳化硅、 氧化铝、 二氧化钛、 玻璃粉、 玻璃短切纤维、 滑石粉、 云母 粉、 碳黑、 碳纳米管、 金属粉、 聚苯硫醚粉和 PTFE粉中的一种或多种。 其中， 优选的粉末填料是熔融型的二氧化硅或二氧化 钛。 粉末填料的粒径 中度值为 0.01~35μηι, 优选粉末填料的粒径中度值为 0.1~10μηι。 为达到更 好的性能， 粉末填料的表面可以经过处理， 如使用偶联剂进行处理。 所述 树脂粘接层还包括助剂， 助剂包括有乳化剂及分散剂等。

所述金属箔的材料为铜、 铝、 镍、 或这些金属的合金。

本发明还提供上述电路基板的一种制作方法， 包括如下步骤： 步骤 1 : 提供玻璃膜， 对玻璃膜进行表面粗糙化处理形成粗糙层； 步骤 2: 在已形成粗糙层的玻璃膜的两面分别叠合一张 或数张预浸 料；

步骤 3: 在预浸料未与玻璃膜接触的一面分别叠合一张 金属箔； 步骤 4: 将叠合好的叠层放进压机进行热压制得所述电 路基板， 固化 温度为 100°C~400°C , 固化压力为 10Kg/cm ² ~65Kg/cm ² 。

该制作方法的步骤 1 中， 所述玻璃膜的表面通过拉毛、 蒙砂、 化学蚀 刻、 溶胶 -凝胶法和机械打磨中的一种或多种方法进行� �糙化， 所形成的粗 糙层的厚度大于或等于 0.3μηι。

该制作方法的步骤 1 中， 还包括在玻璃膜的粗糙层上用偶联剂进行处 理， 所述偶联剂选自硅烷类或钛酸酯类偶联剂。

该制作方法的步骤 1 中， 在对玻璃膜进行表面粗糙化处理前， 还包括 对所述玻璃膜在 400°C~600°C的温度下进行高温退火处理。

本发明还提供上述电路基板的另一种制作方法 ， 包括如下步骤： 步骤 1 : 提供玻璃膜， 对玻璃膜进行表面粗糙化处理形成粗糙层； 步骤 2 : 在已形成粗糙层的玻璃膜的两面分别叠合一张 涂树脂金属 箔；

步骤 3 : 将叠合好的叠层放进压机进行热压制得所述电 路基板， 固化 温度为 100°C~400°C , 固化压力为 10Kg/cm ² ~65Kg/cm ² 。

该制作方法的步骤 1 中， 所述玻璃膜的表面通过拉毛、 蒙砂、 化学蚀 刻、 溶胶 -凝胶法和机械打磨中的一种或多种方法进行� �糙化， 所形成的粗 糙层的厚度大于或等于 0.3μηι。

该制作方法的步骤 1 中， 还包括在玻璃膜的粗糙层上用偶联剂进行处 理， 所述偶联剂选自硅烷类或钛酸酯类偶联剂。

该制作方法的步骤 1 中， 在对玻璃膜进行表面粗糙化处理前， 还包括 对所述玻璃膜在 400°C~600°C的温度下进行高温退火处理。

本发明的有益效果： 首先， 采用经过表面粗糙化处理的玻璃膜为载体 材料， 使得树脂粘接层与玻璃膜具有良好的结合力；

其次， 使用上述经过表面粗糙化处理具有一定厚度的 粗糙层的玻璃膜 制作的电路基板， 具有介电常数在 X、 Υ、 Ζ方向差别小的特点；

再次， 控制玻璃膜数量， 使电路基板中玻璃的体积百分率 （相对于玻 璃与树脂粘接层的体积总和） 大于 45%, 从而使电路基板的 X、 Υ、 Ζ 方 向的 CTE与原来使用玻璃纤维布作增强材料的覆铜板 相比得到了降低； 另外： 本发明的电路基板制作工艺筒便， ^量生产容易。 、 、 参阅以下有关本发明的详细说明与附图， 相信本发明的目的、 特征与特 点， 应当可由此得到深入且具体的了解， 然而附图仅提供参考与说明用， 并非用来对本发明加以限制。 附图说明

下面结合附图， 通过对本发明的具体实施方式详细描述， 将使本发明 的技术方案及其他有益效果显而易见。

附图中，

图 1为本发明电路基板的结构示意图。 具体实施方式

如图 1 所示， 本发明的电路基板， 包括经过表面粗糙化处理形成粗糙 层 11的玻璃膜 10、 分别位于所述玻璃膜 10两侧粗糙层 11上的树脂粘接 层 20、 以及位于树脂粘接层 20外侧的金属箔 30, 所述玻璃膜 10、 树脂粘 接层 20及金属箔 30通过压制结合在一起。

所述玻璃膜 10的玻璃成分优选碱金属氧化物含量小于 0.3% (重量） 的铝硅酸盐玻璃或碱金属氧化物含量小于 0.3% (重量） 的硼硅酸盐玻璃。

所述玻璃膜 10的厚度可以选择在 20μηι到 1.1mm之间。

为了获得良好的玻璃膜 10和树脂粘接层 20的结合力， 发明人通过研 究发现， 在玻璃膜 10上形成大于一定厚度的凹凸不平的粗糙层 11 , 可以 提高玻璃膜 10和树脂粘接层 20的结合力。 具体的是， 所述粗糙层 11 的 厚度大于或等于 0.3μηι, 可以获得满意的粘合力。 本文中， 所述粗糙层 11 的厚度是指粗糙层 11的微观不平度十点高度（Rz ) 。

所述玻璃膜 10 的表面可以通过拉毛、 蒙砂、 化学蚀刻、 溶胶-凝胶法 和机械打磨中的一种或多种方法进行粗糙化， 增大接触面积， 使玻璃膜 10 与树脂粘接层 20达到更好的结合。

发明人通过研究发现， 使用蒙砂或溶胶-凝胶法很容易在玻璃膜 10 的 表面形成一层厚度大于或等于 0.3μηι的粗糙层 11 , 制作的电路基板产生了 良好的粘合力。

为了获得更好的玻璃膜 10和树脂粘接层 20的结合力以及有效降低电 路基板的 CTE, 发明人通过大量的研究发现， 所述粗糙层 11 的厚度优选 在 5μηι到 20μηι之间， 而且所述玻璃膜 10两侧粗糙层 11的总厚度不大于 玻璃膜 10总厚度的 1/2。

另外， 发明人通过研究还发现， 在对玻璃膜 10 进行表面粗糙化处理 前， 所述玻璃膜 10先经过高温退火处理后 （400°C~600°C ) , 可以获得更 好的尺寸稳定性。

所述树脂粘接层 20 中的树脂选自环氧树脂、 氰酸酯树脂、 酚醛树 月旨、 聚苯醚树脂、 聚丁二烯树脂、 聚丁二烯与苯乙烯共聚物树脂、 聚四氟 乙烯树脂、 聚苯并恶嗪树脂、 聚酰亚胺、 含硅树脂、 双马来酰亚胺树脂、 LCP ( Liquid Crystal Polymer )树脂、 双马来酰亚胺三嗪树脂 （ BT树月旨） 中的一种或多种。

发明人通过研究还发现， 在玻璃膜 10的粗糙层 11上用偶联剂进行处 理， 可以进一步提高玻璃膜 10和树脂粘接层 20的结合力。 所用的偶联剂 可以选自硅烷类或钛酸酯类偶联剂， 这些偶联剂优选带有可以和树脂进行 反应的官能团的偶联剂。

所述树脂粘接层 20 中还可以加入粉末填料， 粉末填料起着改善尺寸 稳定性、 降低 CTE等目的。 所述粉末填料的含量按体积百分比计小于树脂 粘接层 20 中树脂和粉末填料总量的 70%。 粉末填料选自结晶型二氧化 硅、 熔融型的二氧化硅、 球型二氧化硅、 钛酸锶、 钛酸钡、 钛酸锶钡、 氮 化硼、 氮化铝、 碳化硅、 氧化铝、 二氧化钛、 玻璃粉、 玻璃短切纤维、 滑 石粉、 云母粉、 碳黑、 碳纳米管、 金属粉、 聚苯硫醚粉和 PTFE粉中的一 种或多种。 其中， 优选的粉末填料是熔融型的二氧化硅或二氧化 钛。 粉末 填料的粒径中度值为 0.01~35μηι , 优选粉末填料的粒径中度值为 0.1~10μηι。 为达到更好的性能， 粉末填料的表面可以经过处理， 如使用偶 联剂进行处理。 所述树脂粘接层 20还包括助剂， 助剂包括有乳化剂及分 散剂等。

所述金属箔 30的材料为铜、 铝、 镍、 或这些金属的合金。

上述电路基板可通过多种方法制作而成， 上述电路基板的一种制作方 法为， 包括如下步骤：

步骤 1 : 提供玻璃膜， 对玻璃膜进行表面粗糙化处理形成粗糙层； 步骤 2: 在已形成粗糙层的玻璃膜的两面分别叠合一张 或数张预浸 料；

步骤 3: 在预浸料未与玻璃膜接触的一面分别叠合一张 金属箔； 步骤 4: 将叠合好的叠层放进压机进行热压制得所述电 路基板， 固化 温度为 100°C~400°C , 固化压力为 10Kg/cm ² ~65Kg/cm ² 。

该制作方法的步骤 1 中， 所述玻璃膜的表面通过拉毛、 蒙砂、 化学蚀 刻、 溶胶 -凝胶法和机械打磨中的一种或多种方法进行� �糙化， 所形成的粗 糙层的厚度大于或等于 0.3μηι, 以增大接触面积， 使玻璃膜与树脂粘接层 达到更好的结合。 优选地， 所述玻璃膜的表面通过蒙砂或溶胶 -凝胶法进行 粗糙化。

该制作方法的步骤 1 中， 还包括在玻璃膜的粗糙层上用偶联剂进行处 理， 可以进一步提高玻璃膜和树脂粘接层的结合力 。 所用的偶联剂可以选 自硅烷类或钛酸酯类偶联剂， 这些偶联剂优选带有可以和树脂进行反应的 官能团的偶联剂。 该制作方法中， 所述预浸料由树脂浸渍玻璃纤维布制作而成， 所述树 脂选自环氧树脂、 氰酸酯树脂、 酚醛树脂、 聚苯醚树脂、 聚丁二烯树脂、 聚丁二烯与苯乙烯共聚物树脂、 聚四氟乙烯树脂、 聚苯并恶嗪树脂、 聚酰 亚胺、 含硅树脂、 双马来酰亚胺树脂、 LCP ( Liquid Crystal Polymer )树 脂、 双马来酰亚胺三嗪树脂 （BT树脂） 中的一种或多种。

本发明还提供上述电路基板的另一种制作方法 ， 包括如下步骤： 步骤 1 : 提供玻璃膜， 对玻璃膜进行表面粗糙化处理形成粗糙层； 步骤 2 : 在已形成粗糙层的玻璃膜的两面分别叠合一张 涂树脂金属 箔；

步骤 3 : 将叠合好的叠层放进压机进行热压制得所述电 路基板， 固化 温度为 100°C~400°C , 固化压力为 10Kg/cm ² ~65Kg/cm ² 。

该制作方法的步骤 1 中， 所述玻璃膜的表面通过拉毛、 蒙砂、 化学蚀 刻、 溶胶 -凝胶法和机械打磨中的一种或多种方法进行� �糙化， 所形成的粗 糙层的厚度大于或等于 0.3μηι, 以增大接触面积， 使玻璃膜与树脂粘接层 达到更好的结合。 优选地， 所述玻璃膜的表面通过蒙砂或溶胶 -凝胶法进行 粗糙化。

该制作方法的步骤 1 中， 还包括在玻璃膜的粗糙层上用偶联剂进行处 理， 可以进一步提高玻璃膜和树脂粘接层的结合力 。 所用的偶联剂可以选 自硅烷类或钛酸酯类偶联剂， 这些偶联剂优选带有可以和树脂进行反应的 官能团的偶联剂。

该制作方法中， 该涂树脂金属箔通过在金属箔上涂覆树脂制作 而成， 所述树脂选自环氧树脂、 氰酸酯树脂、 酚醛树脂、 聚苯醚树脂、 聚丁二烯 树脂、 聚丁二烯与苯乙烯共聚物树脂、 聚四氟乙烯树脂、 聚苯并恶嗪树 脂、 聚酰亚胺、 含硅树脂、 双马来酰亚胺树脂、 LCP ( Liquid Crystal Polymer )树脂、 双马来酰亚胺三嗪树脂 （ BT树脂） 中的一种或多种。

针对上述制成的电路基板， 如下述实施例进一步给予详加说明与描 述。

实施例 1 :

取一张厚度为 30μηι 的铝硅酸盐玻璃膜， 用乙醇将玻璃膜表面进行清 洗后， 然后放入由 40.2质量份氢氟酸、 26.8质量份氟化氨、 3.9质量份硫 酸、 29.1 质量份去离子水所组成的溶液中， 在室温下浸泡 50 分钟， 取出 用水沖洗， 晾干后再用偶联剂进行处理， 测试玻璃膜上下两面各形成了厚 度为 6μηι的粗糙层。

在已形成粗糙层的玻璃膜上下两面各放一张用 厚度为 0.06mm玻璃纤 维布 （ 1080 玻璃纤维布）浸渍环氧树脂胶系 （双氰胺固化剂） 制成 FR-4 预浸料（即广东生益科技的 S1141 覆铜板产品用的半固化片 ) , 进行叠 合； 然后上下再各放上一张铜箔， 再进行叠合。

将上述叠合好的叠层放进压机， 在真空下， 固化温度为 180 °C , 固化 压力为 15Kg/cm ² 。 进行热压制得所述电路基板——覆铜板， 测试该制得的 电路基板， 铜箔与预浸料的剥离强度为 1.7N/mm, 预浸料和玻璃膜的剥离 强度为 0.9N/mm; 玻璃化转变温度前的 X、 Y方向的 CTE分别为 6.58ppm/ 。C、 6.6ppm/。C。

实施例 2:

取一张经过 500 °C退火处理的厚度为 ΙΟΟμηι的铝硅酸盐玻璃膜， 然后 放入由 22.1 质量份氢氟酸、 23质量份氟化氨、 37.2质量份盐酸、 17.7质 量份去离子水所组成的溶液中， 在室温下浸泡 120分钟， 取出用水沖洗， 晾干后再用偶联剂进行处理， 测试玻璃膜上下两面各形成了厚度为 15μηι 的粗糙层。

在已形成粗糙层的玻璃膜上下两面各放一张用 厚度为 0.06mm玻璃纤 维布（ 1080玻璃纤维布）浸渍环氧树脂胶系制成 FR-4预浸料（即广东生 益科技的 S1141 覆铜板产品用的半固化片 ) , 进行叠合； 然后上下再各放 上一张铜箔， 再进行叠合。

将上述叠合好的叠层放进压机， 在真空下， 固化温度为 180 °C , 固化 压力为 15Kg/cm ² 。 进行热压制得所述电路基板——覆铜板， 测试该制得的 电路基板， 铜箔与预浸料的剥离强度为 1.7N/mm, 预浸料和玻璃膜的剥离 强度为 l.lN/mm; 玻璃化转变温度前的 X、 Y方向的 CTE分别为 5.8ppm/ 。C、 6.1ppm/。C。

实施例 3:

在容器中放入由 45.1 质量份水玻璃 （硅酸钠） 、 37.2 质量份盐酸、

17.7质量份去离子水所组成的溶液中， 将溶液加热到 40 °C左右， 并搅拌约 30分钟， 形成反应液， 再将反应液緩慢搅拌 24 ~ 48 小时， 得到浸镀液。 取一张厚度为 ΙΟΟμηι硼硅酸盐玻璃膜， 进行充分清洗然后放入浸镀液中 30 - 40 秒， 即可得到一凝胶层。 再以 5 ~ 25cm/min 的匀速度将玻璃膜提 升。 然后在 110 ~ 150°C下干燥 20 ~ 30分钟。 最后在 400 ~ 590 °C下进行热 处理 30 分钟， 随后自然冷却到室温。 用水沖洗， 晾干后再用偶联剂进行 处理， 测试玻璃膜上下两面各形成了厚度为 18μηι的粗糙层。

在已形成粗糙层的玻璃膜上下两面各放一张用 厚度为 0.06mm玻璃纤 维布（ 1080玻璃纤维布）浸渍环氧树脂胶系制成 FR-4预浸料（即广东生 益科技的 S 1141 覆铜板产品用的半固化片） ， 进行叠合； 然后上下再各放 上一张铜箔， 再进行叠合。

将上述叠合好的叠层放进压机， 在真空下， 固化温度为 180 °C , 固化 压力为 15Kg/cm ² 。 进行热压制得所述电路基板——覆铜板， 测试该制得的 电路基板， 铜箔与预浸料的剥离强度为 1.7N/mm, 预浸料和玻璃膜的剥离 强度为 l . lN/mm; 玻璃化转变温度前的 X、 Y方向的 CTE分别为 5.8ppm/ 。C、 6.1ppm/。C。

比较例 1 :

用五张厚度为 0.1mm 的玻璃纤维布 （2116 玻璃纤维布）浸渍环氧树 脂胶系 （双氰胺固化剂）制成 FR-4预浸料（即广东生益科技的 S 1141 覆 铜板产品用的半固化片） ， 进行叠合， 然后上下再各放上一张铜箔， 再进 行叠合。

将上述叠合好的叠层放进压机， 在真空下， 固化温度为 180 °C , 固化 压力为 25Kg/cm ² 。 进行热压制得电路基板——覆铜板， 测试该制得的电路 基板， 铜箔的剥离强度为 1.75N/mm; 玻璃化转变温度前的 X、 Y方向的 CTE分别为 17.6ppm/°C、 17.3ppm/°C。

比较例 2:

取一张厚度为 60μηι 的玻璃膜， 在玻璃膜上下两面各放一张用厚度为 0.06mm玻璃纤维布（ 1080 玻璃纤维布）浸渍环氧树脂胶系 （双氰胺固化 剂）制成 FR-4预浸料（即广东生益科技的 S 1141 覆铜板产品用的半固化 片 ) , 进行叠合； 然后上下再各放上一张铜箔， 再进行叠合。

将上述叠合好的叠层放进压机， 在真空下， 固化温度为 180 °C , 固化 压力为 15Kg/cm ² 。 进行热压制得电路基板——覆铜板， 测试该制得的电路 基板， 铜箔粘附在预浸料上， 直接从玻璃膜上剥落下来， 显示预浸料和玻 璃膜的剥离强度为 0.1N/mm; 玻璃化转变温度前的 X、 Y方向的 CTE分别为 6.3ppm/°C、 6.3ppm/°C。

从以上实施例 1、 2、 3 可以看出， 以经表面进行粗糙化处理的玻璃膜 制作的电路基板材料不仅降低了电路基板的 X、 Y方向的 CTE, 而且具有 良好的剥离强度。 同时实施例 1、 2、 3 中， 由于使用玻璃膜， 使电路基板 中玻璃的体积百分率 （相对于玻璃与树脂粘接层的体积总和） 大于 45% , 这样电路基板可以同时获得良好的剥离强度和 X、 Y向的 CTE。

比较例 1 中所示的传统 FR-4覆铜板， 因使用玻璃纤维布作为增强材 料， 没有使用可以提高覆铜板中玻璃成分比例的玻 璃膜， 其 X、 Y 向的 CTE明显高于实施例 1、 2、 3 中使用了经过表面粗糙化处理形成粗糙层的 玻璃膜的 X、 Y方向的 CTE。

比较例 2 中所示的覆铜板， 因使用没有经过表面粗糙化处理的玻璃 膜， 制作的覆铜板 4艮容易分层剥落， 实用性不强。

实施例 4:

取一张实施例 2所示的经过表面粗糙化处理的玻璃膜， 在玻璃膜上下 两面各放一张涂覆了厚度为 50μηι环氧树脂的涂树脂铜箔 （Resin Coated Copper Foil, RCC ) , 进行叠合。

将上述叠合好的叠层放进压机， 在真空下， 固化温度为 180 °C , 固化 压力为 15Kg/cm ² 。 进行热压制得所述电路基板——覆铜板， 测试该制得的 电路基板， 树脂粘接层和玻璃膜的剥离强度为 1.8N/mm; 玻璃化转变温度 前的 X、 Y方向的 CTE均为 6.3ppm/°C , 测试 X、 Y方向介电常数均为 5.32 ( 10GHZ ) , Z方向介电常数为 5.37 ( 10GHZ ) , 介质损耗角正切为 0.008 ( 10GHZ ) 。

比较例 3 :

用五张厚度为 0.1mm 的玻璃纤维布 （2116 玻璃纤维布）浸渍环氧树 脂胶系 （双氰胺固化剂 )制成 FR-4预浸料（即广东生益科技的 S 1141 覆 铜板产品用的半固化片） ， 进行叠合， 然后上下再各放上一张铜箔， 再进 行叠合。

将上述叠合好的叠层放进压机， 在真空下， 固化温度为 180 °C , 固化 压力为 25Kg/cm ² 。 进行热压制得电路基板——覆铜板， 测试该制得的电路 基板， 铜箔的剥离强度为 1.75N/mm; 玻璃化转变温度前的 X、 Y方向的 CTE分别为 17.6ppm/°C、 17.3ppm/°C。 测试 X、 Y方向介电常数均为 4.11 ( 10GHZ ) , Z方向介电常数为 4.42 ( 10GHZ ) , 介质损耗角正切为 0.025 ( 10GHZ ) 。

以上实施例和比较例皆参照 IPC4101 标准对覆铜板进行检测， 介电性 能的 X、 Y方向检测方法采用 IPC-TM650-2.5.5.13法进行测试， 测试条件 为 A态， 10GHz; 介电性能的 Z方向检测方法采用 IPC-TM650-2.5.5.6法 进行测试， 测试条件为 A态， 10GHz。

以上实施例 4 中， 采用了涂树脂铜箔与玻璃膜配合制作电路基板 ， 因 为其中玻璃的含量大于 45%体积百分率， 获得了良好的剥离强度和低 X、 Y向 CTE, 同时 X、 Y、 Ζ方向的介电常数只相差了 0.04, 差别很小。 而 比较例 3 中采用玻璃纤维布进行电路基板的制作， 玻璃含量小， 因此 X、 Υ、 Ζ方向的 CTE大， 同时 X、 Υ、 Ζ方向的介电常数相差了 0.31 , 相差 较大。 以上实施方式制作的电路基板， 不仅可以用做电路板基材， 还可以用 做光波导通路使用。

以上所述， 对于本领域的普通技术人员来说， 可以根据本发明的技术 方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变 形， 而所有这些改变和变形 都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。