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Patent Searching and Data


Title:
CIRCUIT SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD, AND CIRCUIT SUBSTRATE
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2008/087995
Kind Code:
A1
Abstract:
Provided is a circuit substrate manufacturing method, which is characterized in that the area other than a portion having a circuit chip arranged therein is made of such a green layer as is cured selectively before or after the circuit chip is arranged, and in that the green layer is used as a sheet circuit substrate sheet having such a softness that the circuit chip can be buried therein when the circuit chip arranged on its surface is depressed. According to the circuit substrate manufacturing method, the circuit chip can be highly precisely buried in the circuit substrate so that the circuit substrate can be manufactured simply and highly precisely.

Inventors:
FUKUDA TATSUO (JP)
NAKABAYASHI MASAHITO (JP)
IZUMI NAOFUMI (JP)
Application Number:
PCT/JP2008/050478
Publication Date:
July 24, 2008
Filing Date:
January 17, 2008
Export Citation:
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Assignee:
LINTEC CORP (JP)
FUKUDA TATSUO (JP)
NAKABAYASHI MASAHITO (JP)
IZUMI NAOFUMI (JP)
International Classes:
H05K3/46
Foreign References:
JP2005079276A2005-03-24
JP2006332094A2006-12-07
Attorney, Agent or Firm:
SAKAI, Hiroaki (Kasumigaseki Building2-5, Kasumigaseki 3-chom, Chiyoda-ku Tokyo, JP)
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Claims:
 回路チップを回路基板シートの内部に埋め込む回路基板の製造方法であって、
 前記回路基板シートは前記回路チップが配置された箇所以外を前記回路チップの配置前または配置後に選択的に硬化可能な未硬化層から構成され、該未硬化層はその表面に配置された回路チップが押圧されると該回路チップを回路基板シートの内部に埋め込ませることができる軟性を有する回路基板の製造方法。
 前記回路基板シートの未硬化層が前記回路チップの厚みを超える厚みに形成されていることを特徴とする請求項1に記載の回路基板の製造方法。
 前記未硬化層が活性エネルギー線硬化性樹脂から構成されていることを特徴とする請求項1に記載の回路基板の製造方法。
 活性エネルギー線の照射により硬化可能な未硬化層を有する回路基板シートの前記未硬化層の表面に回路チップを配置し、該回路チップを押圧して前記回路チップを前記未硬化層内に埋め込む回路チップ埋め込み工程と、
 前記回路チップを埋め込んだ回路基板シートに活性エネルギー線を照射して該回路基板シートを硬化させて回路チップを埋め込んでなる回路基板を得る回路基板シート硬化工程と、
を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
 前記未硬化層の表面に回路チップを配置する前に、選択的に活性エネルギー線を遮蔽するマスクを前記未硬化層の表面に貼合し、前記マスクを貼合した側から前記未硬化層に活性エネルギー線を照射することにより、未硬化部と硬化部とを選択的に形成し、その後、回路チップを前記未硬化部の表面に配置することを特徴とする請求項4に記載の回路基板の製造方法。
 前記未硬化層の表面に回路チップを配置する前に、選択的に開口部を設けた孔開き剥離シートを前記未硬化層の上に貼合し、活性エネルギー線を前記未硬化層に照射することにより、未硬化部と硬化部とを選択的に形成し、その後、回路チップを前記未硬化部の表面に配置することを特徴とする請求項4に記載の回路基板の製造方法。
 前記未硬化層の表面に回路チップを配置した後に、該未硬化層の回路チップが配置された側から該未硬化層に活性エネルギー線を照射することにより、未硬化部と硬化部とを選択的に形成し、その後、回路チップを押圧して前記回路チップを前記未硬化層内に埋め込むことを特徴とする請求項4に記載の回路基板の製造方法。
 請求項4に記載の回路基板の製造方法により得られた回路基板。 
Description:
回路基板の製造方法および回路 板

 本発明は、回路チップがその表面に配置 れた後に回路チップを内部に押圧すること よって容易に精度良く埋め込ませることの きる回路基板の製造方法および該回路基板 製造方法を用いて得られた回路基板に関す ものである。

 液晶ディスプレイ、有機ELディスプレイ のディスプレイを構成する回路基板には、 ィスプレイの各画素を制御するための微小 子デバイスが配置されるとともに、各微小 子デバイスの入出力信号を伝達する回路が 成されている。従来、この回路基板におい は、微小電子デバイスは、ガラス製の回路 板上に直接その場で作製することにより、 置されている。すなわち、ガラス基板上に CVD(化学気相堆積)法などの真空技術を用いて 、絶縁膜、半導体膜などを順次に積層し、こ れらの堆積膜に、半導体集積回路の作製工程 と同様の工程を適用して、薄膜トランジスタ (TFT)などの微小電子デバイスを形成している これらの微小電子デバイスは、各画素の近 に形成され、各画素のオン、オフ、濃淡な の制御を行って、ディスプレイ上の画像形 を実現している。

 近年、ディスプレイに対して40インチ~100 ンチという大画面化が望まれ、市販される 至っているが、前述のガラス基板と真空技 を用いた多段階工程を要する回路基板作製 法がネックとなり、コストの削減が困難と っている。大画面ディスプレイが広く用い れるためには、コスト削減が必須であり、 画面ディスプレイの製造コストを低減可能 回路基板の製造方法が模索されている。

 大画面ディスプレイに対する前述のコス 削減の要望に対して、最近、新たな技術が 案されている(特許文献1)。この特許文献1に 開示の技術は、微小電子デバイスとして別途 作製した回路チップを用い、回路基板として 安価で軽量なプラスチック基板を用い、印刷 技術を適用して前記回路チップを前記プラス チック基板上に配置するとともに回路を製造 することにより、大画面ディスプレイを安価 に提供可能とする技術である。

特開2003-248436号公報

 前記特許文献1に開示の技術においては、 プラスチック基板上の所要位置に回路チップ を配置するための穴を予め空けておく。一方 では、回路チップの表面に磁気に感応するニ ッケル膜を積層しておく。これらニッケル膜 を有する所要数の回路チップを所定のパター ンに従って磁気的に吸着し、これら回路チッ プを一度に前記プラスチック基板上の穴に嵌 め込み、配線パターンを形成する。

 前記従来の技術では、プラスチック基板 に回路チップを配置させ、埋め込むための を予め空けておく必要がある。この埋め込 穴のサイズを回路チップのサイズより大き すればする程、回路チップの配置作業は楽 なるが、その一方では回路基板上に配置さ る回路チップの取り付け位置精度が低下す ことになる。逆に前記埋め込み穴のサイズ 回路チップのサイズに近づければ、基板上 回路チップの取り付け位置の精度が高くな が、その一方では回路チップの配置作業、 なわち、埋め込み穴への回路チップの填め み作業が難しくなる。

 本発明は、上記事情に鑑みてなされたも であって、その課題は、基板に回路チップ 埋め込み穴を形成することなく回路チップ 、容易かつ正確に、配置し埋め込めせるこ ができる回路基板の製造方法、および該回 基板の製造方法を用いて得られた回路基板 提供することにある。

 前記課題を解決するために、本発明者ら 、鋭意検討を重ねて本発明に到った。すな ち、本発明にかかる回路基板の製造方法は 回路チップを内部に埋め込む回路基板の製 方法であって、回路基板シートが前記回路 ップが配置された箇所以外を前記回路チッ の配置前または配置後に選択的に硬化可能 未硬化層から構成され、該未硬化層はその 面に配置された回路チップが押圧されると 回路チップを内部に埋め込ませることがで る軟性を有することを特徴とする。

 本発明の回路基板の製造方法において、 路基板シートを構成する前記未硬化層は、 記回路チップの厚みを超える厚みに形成さ ていることが好ましい。

 前記未硬化層を形成する材料としては、 硬化部と硬化部とを選択的に形成できる材 であれば、いかなるものでも良いが、未硬 部と硬化部の選択形成が容易かつ正確に行 ることから活性エネルギー線により硬化可 な活性エネルギー線硬化性樹脂が好適であ 。

 また、本発明の回路基板の製造方法は、 性エネルギー線の照射により硬化可能な未 化層を有する回路基板シートの前記未硬化 の表面に回路チップを配置し、該回路チッ を押圧して前記回路チップを前記未硬化層 に埋め込む回路チップ埋め込み工程と、前 回路チップを埋め込んだ回路基板シートに 性エネルギー線を照射して該回路基板シー を硬化させて回路チップを埋め込んでなる 路基板を得る回路基板シート硬化工程と、 有することを特徴とする。

 前記の回路基板の製造方法において、前 未硬化層の表面に回路チップを配置する前 、選択的に活性エネルギー線を遮蔽するマ クを前記未硬化層の表面に貼合し、前記マ クを貼合した側から前記未硬化層に活性エ ルギー線を照射することにより、未硬化部 硬化部とを選択的に形成し、その後、回路 ップを前記未硬化部の表面に配置してもよ 。

 また、前記回路基板の製造方法において 前記未硬化層の表面に回路チップを配置す 前に、選択的に開口部を設けた孔開き剥離 ートを前記未硬化層の上に貼合し、活性エ ルギー線を前記未硬化層に照射することに り、未硬化部と硬化部とを選択的に形成し その後、回路チップを前記未硬化部の表面 配置してもよい。

 また、本発明の回路基板の製造方法にお て、前記未硬化層の表面に回路チップを配 した後に、該未硬化層の回路チップが配置 れた側から該未硬化層に活性エネルギー線 照射することにより、未硬化部と硬化部と 選択的に形成し、その後、回路チップを前 未硬化層の表面に押圧して前記回路チップ 前記未硬化層内に埋め込むようにしてもよ 。

 また、本発明の回路基板は、前記本発明 回路基板の製造方法のいずれかにより得ら た回路基板である。

 本発明によれば、回路チップがその表面 配置された後に回路チップを内部に押圧す ことによって容易に精度良く埋め込ませる とのできる回路基板の製造方法と、回路基 を提供することができる。

活性エネルギー線硬化性樹脂から構成 た回路基板シートの側面断面図である。 回路基板シートにマスクを介して活性 ネルギー線を照射して未硬化部を選択的に 成している状態の側断面図である。 未硬化部と硬化部とを露出した状態の 路基板シートの側面断面図である。 回路チップを回路基板シートに配置し 状態を示す側面断面図である。 回路基板シート表面に配置された回路 ップを平面プレス機により回路基板シート に埋め込んだ状態を示す側面断面図である 回路チップを埋め込んだ回路基板シー に活性エネルギー線を照射して硬化させて る状態を示す側面断面図である。 回路チップの埋め込みと回路基板シー の硬化とが完了して得られた回路基板の側 断面図である。 活性エネルギー線硬化性樹脂から構成 た回路基板シートの露出面に孔開き剥離シ トを密着した状態の側面断面図である。 回路基板シートに孔開き剥離シートを して活性エネルギー線を酸素含有雰囲気下 照射して未硬化部と硬化部を選択的に形成 ている状態を示す側面断面図である。 未硬化部と硬化部とを露出した状態の 回路基板シートの側面断面図である。 回路基板シートの未硬化層上に回路チ ップを配置した状態を示す側面断面図である 。 回路基板シートの未硬化層上の回路チ ップをマスクとして活性エネルギー線を照射 して未硬化部と硬化部を選択的に形成してい る状態を示す側面断面図である。

符号の説明

 1 回路基板シート
 2 未硬化層
 2a 未硬化部
 2b 硬化部
 3 ガラス基板
 4 重剥離型剥離シート
 5 マスク
 6 回路チップ
 10 平面プレス機
 11 剥離シート
 12 ガラス基板
 13 回路基板
 20 孔開き剥離シート
 20a 孔

 (活性エネルギー線硬化性樹脂)
 本発明の回路基板の製造に使用する回路基 シートの材料は、回路チップが配置された 所以外を、回路チップの配置前または配置 に選択的に硬化可能なもので、その表面に 置された回路チップが押圧されると回路チ プを回路基板シート内部に埋め込み可能な のであれば、特に制限ないが、選択的に未 化層が容易に設けられ、回路チップを容易 つ正確に配置し埋め込み可能な活性エネル ー線硬化性樹脂が好適に使用される。この 性エネルギー線硬化性樹脂は、紫外線、電 線等の活性エネルギー線を照射することに り、重合、硬化する樹脂である。

 本発明で用いる前記活性エネルギー線硬 性樹脂としては、例えば、(1)アクリル系重 体と活性エネルギー線重合性オリゴマーお び/または重合性モノマーと所望により光重 合開始剤を含む樹脂、(2)側鎖に重合性不飽和 基を有する活性エネルギー線硬化性官能基が 導入されてなるアクリル系重合体と所望によ り光重合開始剤を含む樹脂などを挙げること ができる。

 前記(1)の樹脂において、アクリル系重合 としては、エステル部分のアルキル基の炭 数が1~20の(メタ)アクリル酸エステルと、所 により用いられる活性水素を持つ官能基を する単量体および他の単量体との共重合体 すなわち(メタ)アクリル酸エステル共重合 を好ましくは挙げることができる。

 ここで、エステル部分のアルキル基の炭 数が1~20の(メタ)アクリル酸エステルの例と ては、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アク リル酸エチル、(メタ)アクリル酸プロピル、( メタ)アクリル酸ブチル、(メタ)アクリル酸ペ ンチル、(メタ)アクリル酸ヘキシル、(メタ) クリル酸シクロヘキシル、(メタ)アクリル酸 2-エチルヘキシル、(メタ)アクリル酸イソオ チル、(メタ)アクリル酸パルミチル、(メタ) クリル酸ステアリルなどが挙げられる。こ らは1種を単独で用いても良いし、2種以上 組み合わせて用いても良い。

 一方、所望により用いられる活性水素を つ官能基を有する単量体の例としては、(メ タ)アクリル酸2-ヒドロキシエチル、(メタ)ア リル酸2-ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリ ル酸3-ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル 2-ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸3-ヒ ロキシブチル、(メタ)アクリル酸4-ヒドロキ ブチルなどの(メタ)アクリル酸ヒドロキシ ルキルエステル;(メタ)アクリル酸モノメチ アミノエチル、(メタ)アクリル酸モノエチル アミノプロピルなどの(メタ)アクリル酸モノ ルキルアミノアルキル;アクリル酸、メタク リル酸、クロトン酸、マレイン酸、イタコン 酸、シトラコン酸などのエチレン性不飽和カ ルボン酸などが挙げられる。これらの単量体 は1種を単独で用いても良いし、2種以上を組 合わせて用いても良い。

 (メタ)アクリル酸エステル共重合体中、( タ)アクリル酸エステルは5~100重量%、好まし くは50~95重量%含有され、活性水素を持つ官能 基を有する単量体は0~95重量%、好ましくは5~50 重量%含有される。

 また、所望により用いられる他の単量体 例としては、酢酸ビニル、プロピオン酸ビ ルなどのビニルエステル類;エチレン、プロ ピレン、イソブチレンなどのオレフィン類; 化ビニル、ビニリデンクロリドなどのハロ ン化オレフィン類;スチレン、α-メチルスチ ンなどのスチレン系単量体;ブタジェン、イ ソプレン、クロロプレンなどのジエン系単量 体;アクリロニトリル、メタクリロニトリル どのニトリル系単量体;アクリルアミド、N- チルアクリルアミド、N,N-ジメチルアクリル ミドなどのアクリルアミド類などが挙げら る。これらは1種を単独で用いても良いし、 2種以上を組み合わせて用いても良い。(メタ) アクリル酸エステル共重合体中、これらの単 量体は、0~30重量%含有することができる。

 該樹脂において、アクリル系重合体とし 用いられる(メタ)アクリル酸エステル系共 合体は、その共重合形態については特に制 はなく、ランダム、ブロック、グラフト共 合体のいずれであっても良い。また、分子 は、重量平均分子量で30万以上が好ましい。

 なお、上記重量平均分子量は、ゲルパー エーションクロマトグラフィー(GPC)法によ 測定したポリスチレン換算の値である。

 本発明においては、この(メタ)アクリル エステル系共重合体は1種を単独で用いても いし、2種以上を組み合わせて用いても良い 。

 また、活性エネルギー線重合性オリゴマ としては、例えば、ポリエステルアクリレ ト系、エポキシアクリレート系、ウレタン クリレート系、ポリエーテルアクリレート 、ポリブタジェンアクリレート系、シリコ ンアクリレート系などが挙げられる。

 上記重合性オリゴマーの重量平均分子量 、GPC法で測定した標準ポリスチレン換算の で、好ましくは500~100,000、より好ましくは1, 000~70,000、さらに好ましくは3,000~40,000の範囲 選定される。

 この重合性オリゴマーは、1種を単独で用 いても良いし、2種以上を組み合わせて用い も良い。

 一方、活性エネルギー線重合性モノマー しては、例えば、(メタ)アクリル酸シクロ キシル、(メタ)アクリル酸2-エチルヘキシル (メタ)アクリル酸モルホリン、(メタ)アクリ ル酸イソボニルなどの単官能性アクリル酸エ ステル類、ジ(メタ)アクリル酸1,4-ブタンジオ ールエステル、ジ(メタ)アクリル酸1,6-ヘキサ ンジオールエステル、ジ(メタ)アクリル酸ネ ペンチルグリコールエステル、ジ(メタ)ア リル酸ポリエチレングリコールエステル、 (メタ)アクリル酸ネオペンチルグリコールア ジペートエステル、ジ(メタ)アクリル酸ヒド キシピバリン酸ネオペンチルグリコールエ テル、ジ(メタ)アクリル酸ジシクロペンタ ル、ジ(メタ)アクリル酸カプロラクトン変性 ジジクロペンテニル、ジ(メタ)アクリル酸エ レンオキシド変性リン酸エステル、ジ(メタ )アクリル酸アリル化シクロヘキシル、ジ(メ )アクリル酸イソシアヌレート、トリ(メタ) クリル酸トリメチロールプロパンエステル トリ(メタ)アクリル酸ジペンタエリスリト ツエステル、トリ(メタ)アクリル酸ペンタエ リスリトールエステル、トリ(メタ)アクリル プロピレンオキシド変性トリメチロールプ パンエステル、イソシアヌル酸トリス(アク リロキシエチル)、ペンタ(メタ)アクリル酸プ ロピオン酸変性ジペンタエリスリトールエス テル、ヘキサ(メタ)アクリル酸ジペンタエリ リトールエステル、ヘキサ(メタ)アクリル カプロラクトン変性ジペンタエリスリトー エステルなどが挙げられる。これらの重合 モノマーは1種を単独で用いても良いし、2種 以上を組み合わせて用いても良い。

 これらの重合性オリゴマーや重合性モノ ーの使用量は、通常、(メタ)アクリル酸エ テル共重合体の固形分100重量部に対し、3~500 重量部配合することができる。

 また、活性エネルギー線として、通常、 外線または電子線が照射されるが、紫外線 照射する際には、光重合開始剤を用いる。 の光重合開始剤としては、例えば、ベンゾ ン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾイ エチルエーテル、ベンゾインイソプロピル ーテル、ベンゾイン-n-ブチルエーテル、ベ ゾインイソブチルエーテル、アセトフェノ 、ジメチルアミノアセトフェノン、2,2-ジメ トキシ-1,2-ジフェニルエタン-1-オン、2,2-ジメ トキシ-2-フェニルアセトフェノン、2,2-ジエ キシ-2-フェニルアセトフェノン、2-ヒドロキ シ-2-メチル-1-フェニルプロパン-1-オン、1-ヒ ロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2- チル-1-[4-(メチルチオ)フェニル]-2-モルフォ ノ-プロパン-1-オン、4-(2-ヒドロキシエトキ )フェニル-2(ヒドロキシ-2-プロプル)ケトン、 ベンゾフェノン、p-フェニルベンゾフェノン 4,4’-ジエチルアミノベンゾフェノン、ジク ロロベンゾフェノン、2-メチルアントラキノ 、2-エチルアントラキノン、2-ターシャリ- チルアントラキノン、2-アミノアントラキノ ン、2-メチルチオキサントン、2-エチルチオ サントン、2-クロロチオキサントン、2,4-ジ チルチオキサントン、2,4-ジエチルチオキサ トン、ベンジルジメチルケタール、アセト ェノンジメチルケタール、アセトフェノン メチルケタール、p-ジメチルアミン安息香 エステル、オリゴ(2-ヒドロキシ-2-メチル-1-[4 -(1-プロペニル)フェニル]プロパノン)などが げられる。これらは、1種を単独で用いても いし、2種以上を組み合わせて用いても良い 。

 かかる光重合開始剤の配合量は、上述の 性エネルギー線硬化性樹脂の固形分100重量 に対し、通常0.1~10重量部である。

 次に、前記(2)の樹脂において、側鎖に重合 不飽和基を有する活性エネルギー線硬化性 能基が導入されてなるアクリル系重合体と ては、例えば、前述した(メタ)アクリル酸 ステル系重合体の側鎖に、-COOH、-NCO、エポ シ基、-OH、-NH 2 などの活性点を導入し、この活性点と重合性 不飽和基を有する化合物を反応させて、該ア クリル系重合体の側鎖に重合性不飽和基を有 するエネルギー線硬化性官能基を導入してな るものを挙げることができる。

 アクリル系重合体に前記活性点を導入する は、該アクリル系重合体を製造する際に、- COOH、-NCO、エポキシ基、-OH、-NH 2 などの官能基と、重合性不飽和基とを有する 単量体またはオリゴマーを反応系に共存させ ればよい。具体的には、前述の(1)の樹脂にお いて説明したアクリル系重合体を製造する際 に、-COOH基を導入する場合には、(メタ)アク ル酸などを、-NCO基を導入する場合には、2-( タ)アクリロイルオキシエチルイソシアナー トなどを、エポキシ基を導入する場合には、 (メタ)アクリル酸グリシジルなどを、-OH基を 入する場合には、(メタ)アクリル酸2-ヒドロ キシエチル、モノ(メタ)アクリル酸1,6-ヘキサ ンジオールエステルなどを、-NH 2 基を導入する場合には、N-メチル(メタ)アク ルアミドなどを用いればよい。

 これらの活性点と反応させる重合性不飽 基を有する化合物としては、例えば、2-(メ )アクリロイルオキシエチルイソシアナート 、(メタ)アクリル酸グリシジル、モノ(メタ) クリル酸ペンタエリスリトールエステル、 ノ(メタ)アクリル酸ジペンタエリスリトール エステル、モノ(メタ)アクリル酸ジペンタエ スリトールエステル、モノ(メタ)アクリル トリメチロールプロパンエステルなどの中 ら、活性点の種類に応じて、適宜選択して いることができる。

 このようにして、アクリル系重合体の側 に、前記活性点を介して重合性不飽和基を する活性エネルギー線硬化性官能基が導入 れてなるアクリル系重合体、すなわち、(メ タ)アクリル酸エステル共重合体が得られる

 この活性エネルギー線硬化性官能基が導 された(メタ)アクリル酸エステル共重合体 、重量平均分子量が100,000以上のものが好ま く、特に300,000以上のものが好ましい。なお 、上記重量平均分子量は、GPC法により測定し たポリスチレン換算の値である。

 また、所望により用いられる光重合開始 としては、前述の(1)の樹脂の説明において 示した光重合開始剤を用いることができる

 前記の(1)および(2)の活性エネルギー線硬 性樹脂においては、本発明の効果が損なわ ない範囲で、所望により、架橋剤、粘着付 剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤 軟化剤、充填剤などを添加することができ 。

 前記架橋剤としては、例えば、ポリイソ アナート化合物、エポキシ樹脂、メラミン 脂、尿素樹脂、ジアルデヒド類、メチロー ポリマー、アジリジン系化合物、金属キレ ト化合物、金属アルコキシド、金属塩など 挙げられるが、ポリイソシアナート化合物 好ましく用いられる。この架橋剤は、上述 (メタ)アクリル酸エステル共重合体の固形 100重量部に対して、0~30重量部配合すること できる。

 ここで、ポリイソシアナート化合物の例 しては、トリレンジイソシアナート、ジフ ニルメタンジイソシアナート、キシリレン イソシアナートなどの芳香族ポリイソシア ート、ヘキサメチレンジイソシアナートな の脂肪族ポリイソシアナート、イソホロン イソシアナート、水素添加ジフェニルメタ ジイソシアナートなどの脂環式ポリイソシ ナートなど、およびそれらのビウレット体 イソシアヌレート体、さらにはエチレング コール、ネオペンチルグリコール、トリメ ロールプロパン、ヒマシ油などの低分子活 水素含有化合物との反応物であるアダクト などを挙げることができる。これらの架橋 は、1種を単独で用いても良く、2種以上を み合わせて用いても良い。

 なお、前記(1)および(2)の活性エネルギー 硬化性樹脂は、(1)のエネルギー線硬化性樹 に対し、(2)の側鎖に重合性不飽和基の活性 ネルギー線硬化性基を有する(メタ)アクリ 酸エステル共重合体を加えることができる 同様に(2)の活性エネルギー線硬化性樹脂に し、(1)のアクリル系重合体、または活性エ ルギー線重合性オリゴマーや活性エネルギ 線重合性モノマーを加えることができる。 た、所望により溶剤も添加させることがで る。用いられる溶剤としては、前記の(1)お び(2)の活性エネルギー線硬化性樹脂に溶解 が良好であり、前記(1)、(2)の樹脂に対して 活性な公知の溶剤の中から適宜選択して用 ることができる。このような溶剤としては 例えば、トルエン、キシレン、メタノール エタノール、イソブタノール、n-ブタノール 、アセトン、メチルエチルケトン、テトラヒ ドロフラン、酢酸エチルなどが挙げられる。 これらは1種を単独で用いても良く、2種以上 組み合わせても良い。

 なお、活性エネルギー線のうち、汎用性、 済性から紫外線が好ましく使用できる。紫 線を発生するランプとしては、高圧水銀ラ プ、メタルハイドライトランプ、キセノン ンプ、無電極紫外線ランプなどがある。紫 線の照射量としては、適宜選択されるが、 えば、光量は1~1500mJ/cm 2 、照度は10~500mW/cm 2 程度である。

 本発明に使用する回路基板シートは、前 活性エネルギー線硬化性樹脂を用いて、以 のように形成することができる。

(回路基板シートの形成)
 前記活性エネルギー線硬化性樹脂の塗工液 調製し、この塗工液を、剥離基材の片面に 離剤層が設けられた剥離シート(重剥離型剥 離シート)の剥離処理面に、塗布し、溶剤を む場合、加熱乾燥して、活性エネルギー線 化性樹脂からなる未硬化層を形成したシー とする。前記塗布方法は、ナイフコーター ロールコーター、バーコーター、ブレード ーター、グラビアコーターなどの方法で塗 し、室温~150℃、好ましくは60~130℃、1~10分の 条件で乾燥させる。また、剥離シートは公知 のものが使用でき、ポリエチレンフィルムや 、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンテ レフタレートフィルム、ポリエチレンナフタ レートフィルムなどの剥離基材にシリコーン 樹脂、アルキッド樹脂、長鎖アルキル樹脂な どの剥離剤を塗布して剥離剤層を設けたもの などが挙げられる。この剥離シートの厚さは 、通常、20~150μm程度である。

 同様にして、別に、剥離基材の片面に剥 剤層が設けられてなる剥離シート(軽剥離型 剥離シート)の剥離処理面に、前記塗工液を 布し、必要に応じて加熱乾燥して、活性エ ルギー線硬化性樹脂からなる未硬化層を有 るシートを製造する。ここで使用する剥離 ートの剥離力は前記重剥離型剥離シートよ 小さく設定されたものが使用される。

 前記重剥離型剥離シート上の未硬化層に 上記軽剥離型剥離シート上の未硬化層を積 し、軽剥離型剥離シートを剥離する。この 層工程を繰り返して、最終的に重剥離型剥 シートと軽剥離型剥離シートとにより挟ま た活性エネルギー線硬化性樹脂からなる所 厚さの未硬化層を有してなる回路基板シー を得る。前記未硬化層の厚さは、30~1000μm、 好ましくは50~500μmである。

 前記活性エネルギー線硬化性樹脂からな 未硬化層は、活性エネルギー線が照射され まで、未硬化状態にあり、未硬化状態の樹 は、回路チップが埋め込み可能な軟性を有 ている。従って、任意の手段により、この 硬化層の上に所望数の回路チップを配置し 後、これら回路チップを平面プレス機など 用いて未硬化層の表面に垂直に押圧すれば 回路チップを未硬化層内に埋め込むことが きる。回路チップを埋め込んだ後、前記未 化層全体に活性エネルギー線を照射すれば 未硬化層が硬化して、前記回路チップをし かりと固定するとともに、回路基板として 分な物理的強度が実現される。

 前記未硬化部と硬化部とを選択的に形成 る時期は、回路チップを未硬化層上に配置 る前でも良いし、後でも良い。

 前記未硬化層に回路チップを配置する前 、回路チップが配置される箇所および周辺 深さ方向の領域を未硬化なままに残し、他 領域を硬化させるには、主に二通りの方法 ある。一つは、活性エネルギー線を選択的 遮蔽するマスクを未硬化層の表面に貼合し 前記マスクを貼合した側から活性エネルギ 線を照射し、照射した部分を硬化させ、マ クにより遮蔽された未照射部分を未硬化部 して残す方法である。前記活性エネルギー を遮蔽するマスクとしては、石英ガラスな の基板の上にクロムなどの金属薄膜を遮蔽 として形成したものが挙げられる。もう一 の方法は、ラジカル重合により硬化が進行 る活性エネルギー線硬化性樹脂は空気など 酸素含有雰囲気と接触すると、その硬化が 害される現象を利用した方法である。すな ち、活性エネルギー線を透過する剥離シー に選択的に孔を開けた孔開き剥離シートを 硬化層の上に置き、活性エネルギー線を照 すると、活性エネルギー線は未硬化層の全 に隈無く照射されるが、シートに覆われて 素と接触しない他の部分は硬化し、孔によ 酸素含有雰囲気と接触した部分は酸素によ 硬化が阻害されて未硬化のままになるので この現象を利用して、未硬化部を選択的に 成する方法である。なお、未硬化層の孔開 剥離シートが貼合されていない側は、ガラ 基板などを貼合して、酸素含有雰囲気に接 しないようにしておくのが好ましい。前記 開き剥離シートとしては、前記した剥離シ トを用いることができ、孔を開ける方法は 熱針やレーザーなど公知の方法で行うこと できる。孔開き剥離シートの厚みは、通常2 0~150μm程度である。

 更に前記未硬化層に回路チップを配置し 後に、回路チップが配置された箇所および 辺の深さ方向の領域を未硬化なままに残し 他の領域を硬化させるには、回路チップを スクとして用いて活性エネルギー線の照射 行う方法が挙げられる。すなわち、前記未 化層の表面に回路チップを配置した後に、 未硬化層の回路チップが配置された側の上 から該未硬化層に活性エネルギー線を照射 る。この照射により、前記回路チップをマ クとして、未硬化部と硬化部とが選択的に 成される。その後、回路チップを押圧して 記回路チップを前記未硬化層内に埋め込む

 以下に、前記各埋め込み方法を用いた回 基板の製造方法を図を参照して説明する。

(回路基板の製造方法(1))
 図1に示すように、上述のように作製した回 路基板シート1の軽剥離型剥離シート(不図示) を未硬化層2から剥がしてソーダライム、石 ガラス等のガラス基板3に貼合する。この時 活性エネルギー線を透過する重剥離型剥離 ート4は剥がさずに置く。

 図2に示すように、活性エネルギー線を遮 蔽する箇所が所要数(図では1箇所)、所要のパ ターンに形成されたマスク5を、前記重剥離 剥離シート4の上に貼合し、マスクを貼合し 側から活性エネルギー線を照射する。マス としては石英ガラス上に活性エネルギー線 遮蔽する箇所にクロムの薄膜を形成された の等を使用することができる。

 前記活性エネルギー線の照射の結果、マ ク5により活性エネルギー線の照射が遮蔽さ れた箇所が未硬化部2aとして残り、活性エネ ギー線が照射された他の部分が硬化部2bと る。その後、図3に示すように、他方の重剥 型剥離シート4を剥離して、未硬化部2aおよ 硬化部2bを露出させる。

 次に、図4に示すように、任意の手段によ り所要数(図では1個)の回路チップ6を回路基 シートの未硬化部2aの表面に配置する。

 前記所要数(図では1個)の回路チップ6を所 要箇所に配置された回路基板シート1をガラ 基板3とともに、図5に示すように、平面プレ ス機10に載置する。続いて、回路基板シート1 の上に剥離シート11とガラス基板12を順次載 て、徐々に上下からプレスする。なお、剥 シート11及びガラス基板12は先に挙げられた のが使用できる。すると、回路チップ6が配 置された未硬化部2aは未硬化で軟質であるた 、表面に配置されていた回路チップ6が回路 基板シート1内に埋め込まれ、その表面が回 基板シート1の表面と一続きの平面を構成す 。この時、回路基板シート1は、下方のガラ ス基板3と、上方のガラス基板12および剥離シ ート11により均一に加圧されるため、回路チ プ6が埋め込まれても表面の平坦性が損なわ れることがない。また、回路チップ6が埋め まれる深さ方向は、硬化部2bによって囲まれ て規制されているので、回路チップ6はシー 面に水平方向に位置ずれを生じることなく め込まれる。

 回路チップ6が埋め込まれた後、上方の剥 離シート11およびガラス基板12と、下方のガ ス基板3を付けたまま、平面プレス機10から り出す。その後、図6に示すように、下方の ラス基板3側から活性エネルギー線を回路基 板シート1の全体に照射して回路基板シート1 未硬化部2aを硬化させる。硬化後、上方の ラス基板12と剥離シート11を取り除くと、図7 に示すように、回路基板シート1が所望の回 チップ6が埋め込まれた後に全体が硬化され 得られた回路基板13を得る。

 前記回路基板13には、その後、真空蒸着 スパッタリング、フォトリソグラフィー技 などの周知の電極および配線形成方法によ 画素を制御するための配線が形成されて、 ィスプレイ用回路基板が完成する。

 図1~7を参照して上述した回路基板の製造 法では、マスク5を使用して未硬化部2aと硬 部2bを形成するが、その他に、本発明では 活性エネルギー線照射時に所要の局部を酸 に接触させることにより硬化阻害を起こし 未硬化粘着部を選択的に形成することも可 である。以下、その方法を図8~10を参照して 明する。

(回路基板の製造方法(2))
 図8に示すように、先に説明したように製造 した回路基板シート1の軽剥離型剥離シート( 図示)を未硬化層2から剥がしてガラス基板3 貼合する。その後、他方の重剥離型剥離シ ト(不図示)を剥がし、替わりに孔開き剥離 ート20を貼合する。この孔開き剥離シート20 は、所要数(図では1つ)の孔20aを所要のパタ ンで形成してある。

 次に、図9に示すように、活性エネルギー 線を孔開き剥離シート20を貼合した側から未 化層2に向けて照射する。前述のように、孔 開き剥離シート20には、孔20aが開けられてい ため、その孔20aがある部分の未硬化層2は空 気と接している。この状態で、空気などの酸 素を含有する雰囲気下で、未硬化層2に活性 ネルギー線を照射すると、活性エネルギー は未硬化層2の全面に隈無く照射され、未硬 層2の全領域が光硬化するが、孔20aにより空 気と接した部分は空気中の酸素により硬化が 阻害されて未硬化なままとなり、未硬化部2a 選択的に形成され、残りの部分が硬化部2b なる。なお、図9では、活性エネルギー線を 開き剥離シート20を貼合した側から照射し いるが、ガラス基板3側から照射してもよい

 前述のように、孔開き剥離シート20を用 た空気などの酸素含有雰囲気下における照 の結果、未硬化部2aと硬化部2bが選択的に形 された後、孔開き剥離シート20を剥離して 図10に示すように、未硬化部2aおよび硬化部2 bを露出させる。その後、前述の図4~図7に示 た工程に従って、回路基板13を得る。

 上述の回路基板の製造方法(1)(2)では、未 化層2上に回路チップ6を配置する前に未硬 部2aと硬化部2bを形成するが、その他に、本 明では、未硬化層2上に回路チップ6を配置 た後に、未硬化部2aと硬化部2bを選択的に形 することも可能である。以下、その方法を 11~12を参照して説明する。

(回路基板の製造方法(3))
 図11に示すように、先に説明したように製 した回路基板シート1の軽剥離型剥離シート( 不図示)を未硬化層2から剥がしてガラス基板3 に貼合する。その後、重剥離型剥離シート( 図示)を剥がし、露出した未硬化層2の上に所 要数(図では1つ)の回路チップ6を所要のパタ ンで配置する。

 次に、図12に示すように、回路チップが 置された側から、活性エネルギー線を未硬 層2に向けて照射する。その結果、回路チッ 6がマスクの役目を果たし、回路チップ6の 部が未硬化部2aとなり、残りの部分が硬化部 2bとなる。その後、前述の図4~図7に示した工 に従って、回路基板13を得る。

 以下、本発明の回路基板の製造方法の実 例を示す。なお、以下に示す実施例は、本 明を好適に説明するための例示に過ぎず、 んら本発明を限定するものではない。

 以下に示す実施例1、2は、先に図1~7を参 して説明した回路基板の製造方法(1)に準じ 行った実施例である。同じく、実施例3は、 8~10を参照して説明した回路基板の製造方法 (2)に準じて行った実施例であり、実施例4は 図11、12を参照して説明した回路基板の製造 法(3)に準じて行った実施例である。

(実施例1)
(回路基板シートの形成)
 アクリル酸ブチル(関東化学社製)80重量部と アクリル酸(関東化学社製)20重量部とを酢酸 チル/メチルエチルケトン混合溶媒(重量比50: 50)中で反応させて得たアクリル酸エステル共 重合体(固形分濃度35重量%)に、共重合体中の クリル酸100当量に対し30当量となるように 2-メタクリロイルオキシエチルイソシアナー ト(国産化学社製)を添加し、窒素雰囲気下、4 0℃で48時間反応させて、側鎖に活性エネルギ ー線硬化性基を有する重量平均分子量が85万 活性エネルギー線硬化性官能基が導入され なるアクリル系共重合体を得た。

 得られた活性エネルギー線硬化性官能基 導入されてなるアクリル系共重合体溶液の 形分100重量部に対して、光重合開始剤であ 2,2-ジメトキシ-1,2-ジフェニルエタン-1-オン( チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製、商 品名「イルガキュア651」)3.0重量部と、活性 ネルギー線重合性の多官能モノマーおよび リゴマーからなる組成物(大日精化工業社製 商品名「14-29B(NPI)」)100重量部(固形分80重量 )と、ポリイソシアナート化合物からなる架 橋剤(東洋インキ製造社製、商品名「オリバ ンBHS-8515」)1.2重量部(固形分0.45部)とを溶解 せ、最後にメチルエチルケトンを加えて、 形分濃度を40重量%に調整し、均一な溶液と るまで撹拌して、塗工液とした。

 調製した前記塗工液を、ナイフコーター よって、厚さ38μmのポリエチレンテレフタ ートフィルムの片面にシリコーン系剥離剤 が設けられた重剥離型剥離シート「リンテ ク社製、商品名「SP-PET3811」の剥離処理面に 塗布し、90℃で90秒間加熱乾燥させ、厚さ50 mの活性エネルギー線硬化性樹脂からなる未 化層を形成した。

 同様にして、別に、厚さ38μmのポリエチ ンテレフタレートフィルムの片面にシリコ ン系剥離剤層が設けられてなる軽剥離型剥 シート「リンテック社製、商品名「SP-PET3801 )の剥離処理面に、前記塗工液を塗布し、90 で90秒間加熱乾燥させ、厚さ50μmの活性エネ ルギー線硬化性樹脂からなる未硬化層を形成 した。

 前記重剥離型剥離シート上の未硬化層に 上記軽剥離型剥離シート上の未硬化層を積 し、軽剥離型剥離シートを剥離した。この 層工程を繰り返して、最終的に重剥離型剥 シートと軽剥離型剥離シートとにより挟ま た活性エネルギー線硬化性樹脂からなる厚 400μmの未硬化層を有してなる回路基板シー を得た。

(未硬化部と硬化部の選択的形成)
 前記未硬化層を有する前記回路基板シート 軽剥離型剥離シートを剥がし、5cm×5cmのソ ダライムガラス基板に貼合した。この状態 、他方の重剥離型剥離シート上にマスクを 合し、該マスクを介して回路基板シートに 度400mW/cm 2 、光量315mJ/cm 2 の条件で無電極ランプ(フュージョン社製、H ルブ)を光源とする紫外線を照射した。マス クは、石英ガラス上に紫外線を遮断するため にクロムの薄膜が形成されたもの(遮断箇所 サイズ:縦520μm×横520μm、間隔1740μm)を使用し た。前記紫外線をマスク上方側から照射する ことにより、未硬化層にサイズ縦520μm×横520 mの未硬化部が4箇所形成され、他の部分は硬 化部となった。

(回路基板シートへの回路チップの埋め込み)
 前記回路基板シートの重剥離型剥離シート 剥がし、前記4箇所の未硬化部の表面に4個 回路チップ(縦500μm×横500μm×厚さ200μm)を配 した。

(回路チップの埋め込み、および回路基板シ トの硬化)
 ガラス基板上の回路チップが配置された回 基板シートの上方に、剥離シート(リンテッ ク社製、商品名「SP-PET3801」)を介して、別に 意した5cm×5cmのガラス基板としてのソーダ イムガラス板を押し当て、平面プレス機を いて0.3MPaの圧力で5分間プレスした。常圧に した後、平面プレス機から剥離シート、上 のソーダライムガラス板と下方のガラス基 を付けたままの回路基板シートを取り外し 照度400mW/cm 2 、光量315mJ/cm 2 の条件で回路基板シートに無電極ランプ(フ ージョン社製、Hバルブ)を光源とする紫外線 を下方の回路チップを有しない面のガラス基 板側から照射して未硬化部を硬化させた。そ の後、回路基板上方のソーダライムガラス板 と剥離シートを取り除くと、下方のソーダラ イムガラス基板上に4個の回路チップが所望 配置で埋め込まれている回路基板を得た。

(実施例2)
 実施例1において、回路基板シートへ紫外線 を遮蔽するマスクとして、サイズが縦800μm× 800μm(間隔1740μm)の遮蔽箇所が形成されたマ クを用いた以外は、実施例1と同様な方法で 、回路チップの回路基板シートへの埋め込み 、および回路基板シートの硬化を行って、回 路基板を得た。

(実施例3)
 実施例1において、回路基板シートの未硬化 部と硬化部とを選択形成する工程を以下の通 りに変更した以外は、実施例1と同様にして 回路基板を得た。

(未硬化部と硬化部の選択的形成)
 前記未硬化層を有する前記回路基板シート 軽剥離型剥離シートを剥がし、5cm×5cmのソ ダライムガラス基板に貼合した。

 次に、厚さ38μmのポリエチレンテレフタ ートフィルムの片面にシリコーン系剥離層 設けられた剥離シート(リンテック株式会社 、商品名「SP-PET3801」)を用意し、この剥離 ートに、炭酸ガスレーザーを照射して、回 チップを配置する4箇所に対応する領域に520 m×520μm(間隔1740μm)の正方形の孔を開けた(孔 き剥離シート)。

 前記のようにして得られた孔開き剥離シー を、前記回路基板シートの重剥離型剥離シ トを剥がして露出した未硬化層の表面に貼 させた。この状態の回路基板シートを空気 囲気(酸素ガス含有雰囲気)下で、孔開き剥 シート側から回路基板シートの未硬化層に 度400mW/cm 2 、光量100mJ/cm 2 の条件でフュージョン社製無電極ランプ(Hバ ブ)を光源とする紫外線を照射した。その結 果、未硬化層にサイズ縦520μm×横520μmの未硬 部が4箇所形成され、他の部分は硬化部とな った。その後、実施例1と同様な方法で、回 チップの回路基板シートへの埋め込み、お び回路基板シートの硬化を行って、回路基 を得た。

(実施例4)
 実施例1において、回路チップを埋め込む前 までの工程を以下の通りに変更した以外は、 実施例1と同様にして、回路基板を得た。

(未硬化部と硬化部の選択的形成)
 前記未硬化層を有する前記回路基板シート 軽剥離型剥離シートを剥がし、露出した未 化層を5cm×5cmのソーダライムガラス基板に 合し、他方の表面の重剥離型剥離シートを がして未硬化層を露出させた。

 次に、前記未硬化層の上に4つの回路チップ を所定のパターンにて配置した。この状態の 回路基板シートの回路チップが配置された側 の真上から照度400mW/cm 2 、光量600mJ/cm 2 の条件でフュージョン社製無電極ランプ(Hバ ブ)を光源とする紫外線を回路基板シートの 未硬化層に照射した。その結果、回路チップ の下部の未硬化層に回路チップサイズ(サイ 縦500μm×横500μm)とほぼ同寸法の未硬化部が 成され、他の部分は硬化部となった。その 、実施例1と同様な方法で、回路チップの回 基板シートへの埋め込み、および回路基板 ートの硬化を行って、回路基板を得た。

(参考例1)
 実施例1において、回路チップを配置する前 に、回路基板シートに紫外線照射を行わずに 全面を未硬化粘着領域としたままにした以外 は、実施例1と同様な方法により回路基板を た。

(参考例2)
 実施例1において、使用するマスクの遮蔽部 のサイズを縦1300μm×横1300μm(間隔1740μm)とし こと以外は実施例1と同様にして、回路基板 得た。

(評価)
 前記各実施例における未硬化部の表面サイ と、回路チップの埋め込み開始位置と埋め み完了位置との水平方向のずれ幅(μm)とを 定した。評価試験は10回実施し(n=10)、その平 均値を出した。その結果を、表1に示した。

 表1から明らかなように、本発明の回路基 板の製造方法を用いれば、回路チップを回路 基板シートに容易にかつ位置ずれが僅かで正 確に埋め込み固定することができる。また、 本発明の回路基板の製造方法を用いて、回路 チップを正確に埋め込んだ回路基板を簡易に 製造することができる。

 以上説明したように、本発明によれば、 路チップがその表面に配置された後に回路 ップを内部に押圧することによって容易に 度良く埋め込ませることのできる回路基板 製造方法と、回路基板を提供することがで る。