[0001] 本发明涉及一种设有第二槽口的同频合路器。

背景技术

[0002] 同频合路器中设置一个 3dB电桥就变成了同频合路器， 是一种将两种频率相同 的信号进行耦合成一路信号输出的电器件， 宽频率带同频合路器一直是功分器 类努力的方向， 实现宽频同频合路器是目前迫切需要的， 尤其是通信行业的新 增标准 LTE中， LTE标准要求的频段为 2570MHz-2620MHz， 覆盖该标准的合路 器及同频合路器。

技术问题

问题的解决方案

技术解决方案

[0003] 本发明的目的在于克服以上所述的缺点， 提供一种设有第二槽口的同频合路器

[0004] 为实现上述目的， 本发明的具体方案如下： 一种设有第二槽口的同频合路器， 包括有底壳以及盖子， 所述底壳内设有一个 3dB电桥， 所述 3dB电桥包括有第一 组合片和第二组合片；

[0005] 第一组合片包括有大小相同的、 呈六边形的第一子片、 第二子片、 第三子片； 第一子片至第三子片以中心点在同一平面呈等 距环形阵列设置； 第一子片、 第 二子片、 第三子片， 定义他们的边分别从最左边的边幵始计为第一 边， 沿顺吋 针计依次为第二边至第六边； 第一子片的第一边与第二子片的第二边通过圆 弧 形的第一导电臂相连， 第一子片的第四边与第三子片的第三边通过圆 弧形的第 二导电臂相连； 所述第一导电臂弓背处向外延伸出第一输入端 杆， 所述第二导 电臂弓背处向外延伸出第一输出端杆；

[0006] 第二组合片包括有一个呈六边形的第一耦合片 ， 第一耦合片大小和第一子片相 同； 还包括有矩形的隔离片， 隔离片与第一耦合片之间通过连接臂相连； 隔离 片与连接臂垂直延伸出有垂直臂， 垂直臂两侧延伸出有第二次片和第三次片， 第二次片和第三次片大小相同、 同一平面、 均为六边形； 第二次片的外侧边向 外延伸出第二输入端杆， 第三次片的外侧边向外延伸出第二输出端杆；

[0007] 所述第一组合片与第二组合片组合在一起， 组合吋， 垂直臂位于第二子片和第 三子片之间的缝隙中， 第二子片夹设于隔离片和第二次片之间， 第三子片夹设 于隔离片和第三次片之间； 第一子片和第一耦合片平行设置且第一耦合片 垂直 投影与第一子片重合。

[0008] 其中， 所述第二子片的第二边和第三边的夹角区域设 有六边形的第一耦合缺口

[0009] 其中， 所述第三子片的第二边和第三边的夹角区域设 有六边形的第二耦合缺口

[0010] 其中， 第一耦合片靠近两个侧边区域均设有一个第一 槽口。

[0011] 其中， 所述第二次片和第三次片的顶角区域均设有一 个圆形隔离孔。

[0012] 其中， 隔离片上设有等距设置的多个第二槽口。

[0013] 其中， 第二子片与隔离片和第二次片之间均设有绝缘 顶柱。

[0014] 其中， 第三子片与隔离片和第三次片之间均设有绝缘 顶柱。

发明的有益效果

有益效果

[0015] 其设计频率包含 LTE的 2700Mhz， 通过计算机仿真可以得到， 本电桥其在频率 0 .6Ghz至 3.0Ghz内可实现较好的耦合效果。

对附图的简要说明

附图说明

[0016] 图 1是本发明的同频合路器中的 3dB电桥的立体图；

[0017] 图 2是本发明的同频合路器的 3dB电桥的俯视图；

[0018] 图 3是本发明的同频合路器的 3dB电桥的仰视图；

[0019] 图 4是本发明的第一组合片的俯视图；

[0020] 图 5是本发明的第二组合片的俯视图； [0021] 图 6是本发明的侧视图；

[0022] 图 7是第一组合片的和第二组合片之间装配吋的� �个视角图；

[0023] 图 8是第一组合片的和第二组合片之间装配吋的� �一个视角图；

[0024] 图 9是本发明的仿真图；

[0025] 图 1至图 9中的附图标记说明：

[0026] al-第一子片； al l-第一输入端杆； al2-第一输出端杆； a2-第二子片； a3-第三 子片； a4-第一导电臂； a5-第二导电臂； a6-第一耦合缺口； a7-第二耦合缺口；

[0027] bl-第一耦合片； bl l-圆形隔离孔； bl2-第一槽口； b2-第二次片； b3-第三次片 ； b4-第二输入端杆； b5-第二输出端杆； b6-连接臂； b7-隔离片； b71-第二槽口 ； b8-垂直臂。

本发明的实施方式

[0028] 下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步 详细的说明， 并不是把本发明的 实施范围局限于此。

[0029] 如图 1至图 9所示， 本实施例所述的一种设有第二槽口的同频合路 器， 包括有底 壳以及盖子， 所述底壳内设有一个 3dB电桥， 所述 3dB电桥包括有第一组合片和 第二组合片； 第一组合片包括有大小相同的、 呈六边形的第一子片 al、 第二子片 a2、 第三子片 a3 ; 第一子片 al至第三子片 a3以中心点在同一平面呈等距环形阵列 设置； 第一子片 al、 第二子片 a2、 第三子片 a3， 定义他们的边分别从最左边的边 幵始计为第一边， 沿顺吋针计依次为第二边至第六边； 第一子片 al的第一边与第 二子片 a2的第二边通过圆弧形的第一导电臂 a4相连， 第一子片 al的第四边与第三 子片 a3的第三边通过圆弧形的第二导电臂 a5相连； 所述第一导电臂 a4弓背处向外 延伸出第一输入端杆 al l , 所述第二导电臂 a5弓背处向外延伸出第一输出端杆 al2 ； 第二组合片包括有一个呈六边形的第一耦合片 bl， 第一耦合片 bl大小和第一 子片 al相同； 还包括有矩形的隔离片 b7， 隔离片 b7与第一耦合片 bl之间通过连接 臂 b6相连； 隔离片 b7与连接臂 b6垂直延伸出有垂直臂 b8， 垂直臂 b8两侧延伸出 有第二次片 b2和第三次片 b3， 第二次片 b2和第三次片 b3大小相同、 同一平面、 均为六边形； 第二次片 b2的外侧边向外延伸出第二输入端杆 b4， 第三次片 b3的 外侧边向外延伸出第二输出端杆 b5 ; 所述第一组合片与第二组合片组合在一起 ， 组合吋， 垂直臂 b8位于第二子片 a2和第三子片 a3之间的缝隙中， 第二子片 &2夹 设于隔离片 b7和第二次片 b2之间， 第三子片 a3夹设于隔离片 b7和第三次片 b3之间 ； 第一子片 al和第一耦合片 bl平行设置且第一耦合片 bl垂直投影与第一子片 al重 合。 其中， 第二子片 a2与隔离片 b7和第二次片 b2之间均设有绝缘顶柱。 其中， 第 三子片 a3与隔离片 b7和第三次片 b3之间均设有绝缘顶柱。

组合吋， 第一组合片和第二组合片之间保持间距， 第一组合片和第二组合片均 采用介电常数为 2.4左右的导体； 其设计频率包含 LTE的 2700Mhz， 通过计算机仿 真可以得到， 本电桥其在频率 0.6Ghz至 3.0Ghz内可实现较好的耦合效果， 如图 8 所述， 其耦合值在上述要求频段内的参数为 3dB左右， 完全符合设计要求， 端口 隔离度在 30+3

dB左右， 另外， 值得一提的是， 其在频段内， 其端口驻波比小于 1.25。 第一组合 片和第二组合片的第一耦合片 bl厚度保持在 3.5-4mm左右， 本电桥承载功率可达 350W。 为了达到最优化的耦合效果， 其具体尺寸可以优化为： 第一子片 al、 第 二子片 a2、 第三子片 a3均为正六边形， 他们的边长为 65mm， 第二导电臂 a5和第 一导电臂 a4大小相同， 弧形的圆心与第一子片 al、 第二子片 a2、 第三子片 a3为中 心重合； 第一导电臂 a4的线宽为： 8mm; 第一输入端杆 al l和第一输出端杆 al2 的大小相同， 长为： 65mm, 线宽为 8mm; 第一耦合片 bl与第一子片 al相同； 隔 离片 b7、 连接臂 b6的厚度与第一耦合片 bl相同， 隔离片 b7的长和宽分别为： 126 mm, 36mm; 连接臂 b6的宽度为 37mm， 长度为： 47mm; 垂直臂 b8的厚度为 4m m， 高度为 18mm， 第二次片 b2和第三次片 b3为正六边形， 边长均为： 39mm; 第 二输入端杆 b4和第二输出端杆 b5大小相同， 厚度为 3mm， 线宽为 4mm， 长度为 ： 95mm; 第二子片 a2与隔离片 b7之间距离为 4mm; 第一耦合缺口 a6和第二耦合 缺口 a7均为正六边形， 边长为： 15mm， 边与对应的第二子片 a2的第二边和第三 边的距离为 6mm; 第一槽口 bl2的宽度和长度为： 6mm和 54mm， 圆弧半径不做 要求， 其距离对应边的距离为： 14mm; 圆形隔离孔 M l的直径为： 8mm; 第二 槽口 b71的长度和宽度分别为： 28mm和 4mm， 圆弧半径不做要求； 相邻两个第 二槽口 b71的距离为： 10mm。 [0031] 本实施例中， 本实施例中， 所述第三子片 a3的第二边和第三边的夹角区域设有 六边形的第二耦合缺口 a7。 所述第二子片 a2的第二边和第三边的夹角区域设有六 边形的第一耦合缺口 a6， 该设置通过仿真得知可以有效增加耦合度， 耦合性能 2. 5%提升。 其提高耦合度， 有效降低相位差的偏差。 本实施例中， 第一耦合片 bl 靠近两个侧边区域均设有一个第一槽口 M2; 本实施例中， 所述第二次片 b2和第 三次片 b3的顶角区域均设有一个圆形隔离孔 bl l。 本实施例中， 隔离片 b7上设有 等距设置的多个第二槽口 b71。 用于增加隔离度， 增加性能。

[0032] 以上所述仅是本发明的一个较佳实施例， 故凡依本发明专利申请范围所述的构 造、 特征及原理所做的等效变化或修饰， 包含在本发明专利申请的保护范围内