CONWAY, Neil (12 Dunvegan Court Crossford, Dunfermline, Fife KY12 8YL, GB)
CHAMBERLAIN, Tim (86/2 Comely Bank Avenue, Edinburgh EH4 1HE, GB)
GIEBELER, Carsten (43 Barnton Park Avenue, Edinburgh EH4 6HD, GB)
CONWAY, Neil (12 Dunvegan Court Crossford, Dunfermline, Fife KY12 8YL, GB)
CHAMBERLAIN, Tim (86/2 Comely Bank Avenue, Edinburgh EH4 1HE, GB)
| Patentansprüche 1. Infrarotlichtdetektor mit einem Sensorchip (4), der ein aus einem pyroelektrisch sensitiven Material hergestelltes Dünnschichtelement (5) aufweist mit einem elektrischen Isolator (27), mindestens einem elektronischen Bauteil (17, 18) in Dünnschichtbauweise, das einen Teil einer Ausleseelektronik bildet, und einer Dünnschichtmembran (2), an der der Sensorchip (4) und das elektronische Bauteil (17, 18) nebeneinander liegend derart integriert angebaut sind, dass das elektronische Bauteil (17, 18) mit dem Dünnschichtelement (5) elektrisch leitend gekoppelt ist und an das elektronische Bauteil (17, 18) ein Signalverstärker (22) anschließbar ist, mit dem unter Zusammenwirken mit dem elektronischen Bauteil (17, 18) ein vom Sensorchip (4) abgegebenes elektrisches Signal verstärkbar ist. 2. Infrarotlichtdetektor gemäß Anspruch 1, wobei das mindestens eine elektronische Bauteil ein elektrischer Widerstand (17) und/oder ein Kondensator (18) mit einem dielektrischen Dünnschichtelement (19) ist. 3. Infrarotlichtdetektor gemäß Anspruch 2, wobei das pyroelektrische Dünnschichtelement (5) und das dielektrische Dünnschichtelement (19) gleichdick aus dem selben Material hergestellt sind. 4. Infrarotlichtdetektor gemäß Anspruch 2, wobei das dielektrische Dünnschichtelement (19) aus dem Material des Isolators (27), das ein Metalloxid ist, insbesondere Aluminiumoxid, hergestellt ist, wobei der Isolator (27) und das dielektrische Dünnschichtelement (19) gleichdick sind. 5. Infrarotlichtdetektor gemäß einem der Ansprüche 2 bis 4, wobei der elektrische Widerstand (17) 100 MΩ bis 500 GΩ und der Kondensator (18) 0,1 pF bis 100 pF haben. β. Infrarotlichtdetektorsystem mit einem Infrarotlichtdetektor gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5 und einem Sperrschicht- Feldeffekttransistor und/oder einem Operationsverstärker (22) für den Signalverstärker (22), wobei der Signalverstärker (22) an den Infrarotlichtdetektor (1) angeschlossen ist. 7. Verfahren zur Herstellung eines Infrarotlichtdetektors gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, mit den Schritten: Bereitstellen der Dünnschichtmembran (2); Abscheiden von pyroelektrisch sensitivem Material auf der Dünnschichtmembran (2) unter Ausbilden einer Dünnschicht aus dem pyroelektrisch sensitiven Material; Entfernen von überschüssigem Material von der Dünnschicht, so dass sowohl das pyroelektrische Dünnschichtelement (5) zusammen mit dem dielektrischen Dünnschichtelement (19) geformt werden. 8. Verfahren gemäß Anspruch 7, mit den Schritten: Abscheiden von Metall auf der Dünnschichtmembran (2) unter Ausbilden einer Metallschicht (6, 8); Entfernen von dem überschüssigen Material, so dass sowohl das pyroelektrische Dünnschichtelement (5) mit seiner Basiselektrode (6) zusammen mit einer Basisleitungsbahn (8) und dem dielektrischen Dünnschichtelement (19) auf der Basisleitungsbahn (8) geformt werden. 9. Verfahren gemäß Anspruch 7 oder 8, wobei das pyroelektrische Dünnschichtelement (5) und das dielektrische Dünnschichtelement (19) gleichdick und aus dem selben Material sind. 10. Verfahren zur Herstellung eines Infrarotlichtdetektors gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, mit den Schritten: Bereitstellen der Dünnschichtmembran (2); Abscheiden von Metall auf der Dünnschichtmembran (2) unter Ausbilden einer Metallschicht; Abscheiden von pyroelektrisch sensitivem Material auf der Metallschicht unter Ausbilden einer Dünnschicht aus dem pyroelektrisch sensitiven Material; Entfernen von überschüssigem Material von der Dünnschicht und der Metallschicht, so dass sowohl das pyroelektrische Dünnschichtelement (5) mit seiner Basiselektrode (6) zusammen mit einer Basisleitungsbahn (8) geformt werden, wobei die Basiselektrode (6) von dem pyroelektrischen Dünnschichtelement (5) mit einem Überstand lateral vorsteht; Abscheiden einer Metalloxidschicht unter Ausbilden eines elektrischen Isolators (27) auf dem Überstand der Basiselektrode (6) an der Stelle, an der eine Kopfleitungsbahn (9) vorgesehen ist, und unter Ausbilden des dielektrischen Dünnschichtelements (19) auf der Basisleitungsbahn (8), so dass das dielektrische Dünnschichtelement (19) zusammen mit dem Isolator (27) geformt werden. 11. Verfahren gemäß Anspruch 10, wobei der Isolator (27) und das dielektrische Dünnschichtelement (19) gleichdick und aus dem selben Material sind. 12. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 7 bis 11, mit dem Schritt: Abscheiden eines Metalls auf dem dielektrischen Dünnschichtelement (19) unter Ausbilden eines Kondensators (18) und auf der Dünnschichtmembran unter Ausbilden einer Zwischenleitungsbahn (13). |
Infrarotlichtdetektor Die Erfindung betrifft einen Infrarotlichtdetektor mit einer kompakten Bauweise und ein Infrarotlichtdetektorsystem, das den Infrarotlichtdetektor aufweist. Ferner betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung des Infrarotlichtdetektors. Ein Infrarotlichtdetektor zum Detektieren von Wärmestrahlung weist beispielsweise einen pyroelektrischen Sensorchip in
Dünnschichtbauweise mit zwei Elektrodenschichten und einer zwischen den Elektrodenschichten angeordneten pyroelektrischen Schicht aus pyroelektrisch sensitivem Material auf. Dieses Material ist ferroelektrisches Blei-Zirkonat-Titanat (PZT) . Die Elektrodenschichten bestehen aus Platin oder aus einer die Wärmestrahlung absorbierenden Chrom-Nickel-Legierung. Die
Schichten sind mit einem Gasabscheideverfahren aufgebracht. Der Sensorchip ist auf einer Dünnschichtmembran angebracht, die in Sandwichbauweise aus Siliziumoxid und Siliziumnitrid
hergestellt ist. Zum Auslesen, Verstärken, Verarbeiten und/oder Weiterleiten eines aufgrund von Wärmestrahlung vom Sensorchip erzeugten elektrischen Signals ist eine Ausleseelektronik vorgesehen .
Das elektrische Signal ergibt sich aus einer
Ladungsverschiebung von der einen Elektrodenschicht via die pyroelektrische Schicht zu der anderen Elektrodenschicht, so dass an den Elektrodenschichten eine Differenzspannung und/oder Ladungen abgreifbar ist/sind. Die Ausleseelektronik, die beispielsweise eine elektronische Schaltung mit einem
Operationsverstärker oder einem Sperrschicht- Feldeffekttransistor aufweist, hat einen hohen elektrischen Widerstand, beispielsweise von 1 GΩ bis 100 GΩ, um ein geeignet weiterverarbeitbares Signal aus dem elektrischen Signal zu generieren. Somit weist die Ausleseelektronik in der Regel einen elektrischen Widerstand und, in Kombination mit einem Operationsverstärker, zusätzlich einen Kondensator auf, wobei der elektrische Widerstand und ggf. der Kondensator zusammen mit dem Operationsverstärker bzw. dem Sperrschicht- Feldeffekttransistor als diskrete Komponenten separat von dem Infrarotlichtdetektor beispielsweise auf einer Leiterplatte montiert sind. Zum Zusammenwirken der Ausleseelektronik mit dem Infrarotlichtdetektor ist die Ausleseelektronik an den
Infrarotlichtdetektor elektrisch angeschlossen. Dadurch, dass sowohl der Infrarotlichtdetektor als ein
separates Bauteil als auch die Ausleseelektronik bestehend aus dem Operationsverstärker bzw. dem Sperrschicht- Feldeffekttransistor, dem elektrischen Widerstand und dem
Kondensator als eine separate Baugruppe beispielsweise auf der Leiterplatte unterzubringen sind, ist der Platzbedarf dieser bekannten Anordnung hoch. Der hohe Platzbedarf ist insbesondere dann von Nachteil, wenn die Bauteile in einem Gehäuse
untergebracht werden müssen, in dem lediglich ein limitiertes Platzangebot vorliegt. Außerdem sind der Infrarotlichtdetektor und die Ausleseelektronik jeweils in einem separaten
Arbeitsschritt zu montieren. Dabei sind der
Infrarotlichtdetektor und die Ausleseelektronik mittels
Kabelverbindungen und Lötungen elektrisch miteinander zu verbinden. Somit ist die Montage des Infrarotlichtdetektors und der Ausleseelektronik aufwändig und kostenintensiv.
Aufgabe der Erfindung ist es, einen Infrarotlichtdetektor, ein Verfahren zur Herstellung des Infrarotlichtdetektors und ein Infrarotlichtdetektorsystem mit dem Infrarotlichtdetektor zu schaffen, wobei das Infrarotlichtdetektorsystem platzsparend und kostengünstig in der Herstellung ist.
Der erfindungsgemäße Infrarotlichtdetektor weist einen
Sensorchip, der ein aus einem pyroelektrisch sensitiven
Material hergestelltes Dünnschichtelement aufweist mit einem elektrischen Isolator, mindestens ein elektronisches Bauteil in Dünnschichtbauweise, das einen Teil einer Ausleseelektronik bildet, und eine Dünnschichtmembran auf, an der der Sensorchip und das elektronische Bauteil nebeneinander liegend derart integriert angebaut sind, dass das elektronische Bauteil mit dem Dünnschichtelement elektrisch leitend gekoppelt ist und an das elektronische Bauteil ein Signalverstärker anschließbar ist, mit dem unter Zusammenwirken mit dem elektronischen
Bauteil ein vom Sensorchip abgegebenes elektrisches Signal verstärkbar ist. Das erfindungsgemäße
Infrarotlichtdetektorsystem weist den Infrarotlichtdetektor und einen Sperrschicht-Feldeffekttransistor und/oder einen
Operationsverstärker für den Signalverstärker auf, wobei der Signalverstärker an den Infrarotlichtdetektor angeschlossen ist. Somit sind erfindungsgemäß die elektronischen Bauteile direkt auf dem Infrarotlichtdetektor integriert. Diese Integration der elektronischen Bauteile ist unmittelbar während der Herstellung des Infrarotlichtdetektors durchführbar, wodurch keine separate Herstellung von einer separaten Ausleseelektronik vorgesehen zu werden braucht. Dadurch ist die Herstellung des
Infrarotlichtdetektors und des Infrarotlichtdetektorsystems kostengünstig. Ferner ist die Bauweise des
Infrarotlichtdetektorsystems platzsparend, da die
elektronischen Bauteile auf dem Infrarotlichtdetektor
integriert angeordnet sind. Außerdem brauchen bei der Montage des Infrarotlichtdetektors die elektronischen Bauteile
zusätzlich zu dem Infrarotlichtdetektor nicht als separate Teile bereitgestellt zu werden, wodurch die Handhabung des Infrarotlichtdetektors bei der Montage einfach und
kostengünstig ist.
Ist beispielsweise der erfindungsgemäße Infrarotlichtdetektor für einen Infrarotgassensor vorgesehen, so ist es bekannt ein herkömmliches TO39- oder ein herkömmliches TO5-Gehäuse zum Unterbringen des Infrarotlichtdetektors zu verwenden. Wird der Infrarotgassensor zur Multigasanalyse eingesetzt, weist der Infrarotgassensor beispielsweise vier Sensorchips mit jeweils einer dazugehörigen Ausleseelektronik; auf, wodurch der
Infrarotgassensor einen komplizierten Aufbau hat. Dennoch können beim erfindungsgemäß ausgestalteten Infrarotgassensor die Sensorchips mit ihren dazugehörigen elektrischen Bauteilen effektiv und platzsparend in dem Gehäuse des Infrarotgassensors angeordnet sein.
Bevorzugtermaßen ist das mindestens eine elektronische Bauteil ein elektrischer Widerstand und/oder ein Kondensator mit einem dielektrischen Dünnschichtelement. Das pyroelektrische
Dünnschichtelement und das dielektrische Dünnschichtelement sind bevorzugt gleichdick aus dem selben Material hergestellt. Alternativ bevorzugt ist es, dass das dielektrische
Dünnschichtelement aus dem Material des Isolators, das ein Metalloxid ist, insbesondere Aluminiumoxid, hergestellt ist, wobei der Isolator und das dielektrische Dünnschichtelement gleichdick sind. Der elektrische Widerstand hat bevorzugt 100 MΩ bis 500 GΩ und der Kondensator hat bevorzugt 0,1 pF bis 100 P F.
Der elektrische Widerstand ist bevorzugt in Dünnschichtbauweise hergestellt, nämlich durch das Abscheiden einer dünnen
Titanschicht, wobei das Titan bei der Herstellung des
pyroelektrischen Dünnschichtelements verfügbar ist, da das PZT von drei separaten Targets von Blei, Zirkon und Titan
abgeschieden wird. Der Widerstand wird in einer
Sauerstoff/Argon Umgebung hergestellt, wobei der
Sauerstoffgehalt bevorzugt zwischen 30% bis 80% liegt und die Filmdicke zwischen 20 bis 200 nm liegt. Der Widerstandswert liegt bevorzugt zwischen 0,1 GΩ und 100 GΩ. Der
Infrarotlichtdetektor weist bevorzugt eine an der
Dünnschichtmembran angebrachte Basisleitungsbahn auf, die sowohl mit dem Sensorchip als auch mit dem elektrischen
Widerstand und dem Kondensator kontaktiert ist sowie an die der Signalverstärker anschließbar ist. Ferner weist bevorzugt der Infrarotlichtdetektor ein dielektrisches Dünnschichtelement, das mit seiner einen Seite auf einem der Dünnschichtmembran abgewandten Anschlussoberflächenabschnitt der Basisleitungsbahn angebracht ist und mit diesem kontaktiert ist, und eine erste Zwischenleitungsbahn auf, die mit einer anderen, der einen Seite abgewandten Seite kontaktiert ist, so dass der
Kondensator von der Basisleitungsbahn, dem dielektrischen
Dünnschichtelement und der ersten Zwischenleitungsbahn in
Schichtbauweise gebildet ist.
Die Kapazität des Kondensators ist definiert als C = εo ε r A/d, wobei C die Kapazität des Kondensators, A die Fläche des
Überlappungsbereichs der Basisleitungsbahn mit der ersten
Zwischenleitungsbahn senkrecht zur Dünnschichtmembran gesehen, d die Dicke des dielektrischen Dünnschichtelements, ε r die relative Dielektrizitätskonstante des dielektrischen
Dünnschichtelements und ε 0 die elektrische Feldkonstante sind. Ist beispielsweise das dielektrische Dünnschichtelement aus AI 2 O 3 mit einer Überlappungsfläche A von 300 μm 2 und einer Dicke d von 200 nm hergestellt, so ergibt sich eine Kapazität C für den Kondensator von 0,25 pF.
Der Infrarotlichtdetektor weist ferner bevorzugt eine zweite Zwischenleitungsbahn auf, mit der der elektrische Widerstand mittels elektrisch leitender Verbindung mit der
Basisleitungsbahn und der ersten Zwischenleitungsbahn parallel zum Kondensator geschaltet ist. Der elektrische Widerstand kann bevorzugt von einem Dünnschichtfilm gebildet sein. Ferner weist bevorzugt der Infrarotlichtdetektor eine Basiselektrode auf, die an der Dünnschichtmembran zum Aufnehmen des
pyroelektrischen Dünnschichtelements befestigt und mit diesem sowie mit der Basisleitungsbahn kontaktiert ist, so dass die
Basiselektrode und die Basisleitungsbahn auf der Oberfläche der Dünnschichtmembran verlaufen. Außerdem weist bevorzugt der Infrarotlichtdetektor eine Kopfleitungsbahn und der Sensorchip eine Kopfelektrode auf, die an der der Basiselektrode
abgewandten Seite des pyroelektrischen Dünnschichtelements angeordnet und mit diesem und der Kopfleitungsbahn kontaktiert ist. Die Kopfleitungsbahn wird über einen Isolator herausgeführt, der aus einer elektrisch isolierenden Metalloxidschicht gefertigt ist, bevorzugt eine
Aluminiumoxidschicht, die an der Flanke des pyroelektrischen Dünnschichtelements aufgebracht ist. Bevorzugt sind die
Basiselektrode, die Basisleitungsbahn und die Kopfelektrode aus Platin und die Zwischenleitungsbahnen aus Gold hergestellt.
An der Basisleitungsbahn ist bevorzugt ein
Basisanschlusselement, an den Zwischenleitungsbahnen ist bevorzugt ein Zwischenanschlusselement und an der
Kopfleitungsbahn ist bevorzugt ein Kopfanschlusselement
angebracht, so dass zwischen dem Basisanschlusselement und dem Kopfanschlusselement eine Differenzspannung und/oder Ladungen des Sensorchips abgreifbar sind. Bevorzugtermaßen hat der elektrische Widerstand 100 MΩ bis 500 GΩ und der Kondensator 0,1 bis 100 pF.
Das Verfahren zur Herstellung des Infrarotlichtdetektors weist die Schritte auf: Bereitstellen der Dünnschichtmembran;
Abscheiden von pyroelektrisch sensitivem Material auf der
Dünnschichtmembran unter Ausbilden einer Dünnschicht aus dem pyroelektrisch sensitiven Material; Entfernen von
überschüssigem Material von der Dünnschicht, so dass sowohl das pyroelektrische Dünnschichtelement zusammen mit dem
dielektrischen Dünnschichtelement geformt werden. Es sind die weiteren Schritte bevorzugt: Abscheiden von Metall auf der Dünnschichtmembran unter Ausbilden einer Metallschicht, wobei darauffolgend das Abscheiden von dem pyroelektrisch sensitiven Material auf der Metallschicht unter Ausbilden der Dünnschicht aus dem pyroelektrisch sensitiven Material erfolgen wird;
Entfernen von dem überschüssigen Material von der Metallschicht und der Dünnschicht, so dass sowohl das pyroelektrische
Dünnschichtelement mit seiner Basiselektrode zusammen mit einer Basisleitungsbahn und dem dielektrischen Dünnschichtelement auf der Basisleitungsbahn geformt werden. Das pyroelektrische
Dünnschichtelement und das dielektrische Dünnschichtelement sind bevorzugtermaßen gleichdick. Somit wird mit dem erfindungsgemäßen Verfahren gleichzeitig sowohl das pyroelektrische Dünnschichtelement als auch das dielektrische Dünnschichtelement ausgebildet, das auf dem
Anschlussoberflächenabschnitt der Basisleitungsbahn angeordnet ist. Dadurch ist das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung des erfindungsgemäßen Infrarotlichtdetektors effizient und kostengünstig. Ferner weist bevorzugt das Verfahren den Schritt auf: Abscheiden eines Metalls auf dem dielektrischen
Dünnschichtelement unter Ausbilden eines Kondensators und auf der Dünnschichtmembran unter Ausbilden der zweiten
Zwischenleitungsbahn.
Das andere Verfahren zur Herstellung des Infrarotlichtdetektors weist die Schritte auf: Bereitstellen der Dünnschichtmembran; Abscheiden von Metall auf der Dünnschichtmembran unter
Ausbilden einer Metallschicht; Abscheiden von pyroelektrisch sensitivem Material auf der Metallschicht unter Ausbilden einer Dünnschicht aus dem pyroelektrisch sensitiven Material;
Entfernen von überschüssigem Material von der Dünnschicht und der Metallschicht, so dass sowohl das pyroelektrische
Dünnschichtelement mit seiner Basiselektrode zusammen mit einer Basisleitungsbahn geformt werden, wobei die Basiselektrode von dem pyroelektrischen Dünnschichtelement mit einem Überstand lateral vorsteht; Abscheiden einer Metalloxidschicht unter Ausbilden eines elektrischen Isolators auf dem Überstand der Basiselektrode an der Stelle, an der eine Kopfleitungsbahn vorgesehen ist, und unter Ausbilden des dielektrischen
Dünnschichtelements auf der Basisleitungsbahn, so dass das dielektrische Dünnschichtelement zusammen mit dem Isolator geformt werden. Hierbei ist es bevorzugt, dass der Isolator und das dielektrische Dünnschichtelement gleichdick sind. Als weiteren bevorzugten Schritt weist das Verfahren auf:
Abscheiden eines Metalls auf dem dielektrischen
Dünnschichtelement unter Ausbilden eines Kondensators und auf der Dünnschichtmembran unter Ausbilden einer
Zwischenleitungsbahn. Ferner wird bevorzugt gleichzeitig das Metall derart abgeschieden, dass damit die Kopfleitungsbahn hergestellt wird.
Somit wird mit dem erfindungsgemäßen anderen Verfahren
gleichzeitig sowohl der Isolator als auch das dielektrische Dünnschichtelement ausgebildet. Dadurch ist ebenfalls das andere erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung des
erfindungsgemäßen Infrarotlichtdetektors effizient und
kostengünstig. Bevorzugtermaßen sind bei der Anwendung des einen erfindungsgemäßen Verfahrens das pyroelektrische
Dünnschichtelement und das dielektrische Dünnschichtelement gleichdick ausgebildet. Bei der Anwendung des anderen
erfindungsgemäßen Verfahrens sind bevorzugtermaßen der
elektrische Isolator und das dielektrische Dünnschichtelement gleichdick ausgebildet.
Im Folgenden wird ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Infrarotlichtdetektors und eines
erfindungsgemäßen Infrarotlichtdetektorsystems anhand der beigefügten schematischen Zeichnungen erläutert. Es zeigen:
Figur 1 einen schematischen Schaltplan des Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Infrarotlichtdetektorsystems und Figur 2 eine Draufsicht des Ausführungsbeispiels des
erfindungsgemäßen Infrarotlichtdetektors .
Wie es aus Figuren 1 und 2 ersichtlich ist, weist ein
Infrarotlichtdetektor 1 eine Dünnschichtmembran 2 auf, die von einem Trägerrahmen 3 aufgespannt ist. Auf der
Dünnschichtmembran 2 ist ein Sensorchip 4 befestigt, der von einem pyroelektrischen Dünnschichtelement 5, einer
Basiselektrode β und einer Kopfelektrode 7 gebildet ist, wobei das pyroelektrische Dünnschichtelement 5 zwischen der
Basiselektrode 6 und der Kopfelektrode 7 in Schichtbauweise angeordnet ist. Die Basiselektrode 6 ist auf der
Dünnschichtmembran 2 angebracht, so dass das pyroelektrische Dünnschichtelement 5 mit der Kopfelektrode 7 von der Basiselektrode 6 auf der Dünnschichtmembran 2 aufgenommen ist. Das pyroelektrische Dünnschichtelement 5 ist mit seiner
Basiselektrode 6 und seiner Kopfelektrode 7 in etwa mittig im Trägerrahmen 3 auf der Dünnschichtmembran 2 angeordnet.
Ferner ist auf der Dünnschichtmembran 2 eine Basisleitungsbahn 8 angebracht, die elektrisch leitend mit der Basiselektrode 6 verbunden ist und sich von der Basiselektrode 6 weg auf der Dünnschichtmembran 2 in Richtung zu dem Trägerrahmen 3
erstreckt. In analoger Weise ist an dem Sensorchip 4 eine Kopfleitungsbahn 9 vorgesehen, die elektrisch leitend mit der Kopfelektrode 7 verbunden ist und sich ebenfalls in Richtung zu dem Trägerrahmen 3 erstreckt, wobei die Kopfleitungsbahn 9 mit der Basisleitungsbahn 8 einen rechten Winkel einschließt. Die Basiselektrode 6 steht von dem pyroelektrischen
Dünnschichtelement 5 mit einem Überstand lateral vor, wobei eine Aluminiumoxidschicht unter Ausbilden eines elektrischen Isolators 27 auf dem Überstand der Basiselektrode 6
abgeschieden ist. Die Kopfleitungsbahn 9 ist über dem Isolator 27 herausgeführt, der an der Flanke des pyroelektrischen
Dünnschichtelements 5 aufgebracht ist. Mit Hilfe des Isolators 27 ist eine elektrische Isolation der Kopfleitungsbahn 9 von der Basiselektrode 6 erzielt, so dass ein elektrischer
Kurzschluss von der Basiselektrode 6 und der Kopfleitungsbahn 9 unterbunden ist. Auf dem Trägerrahmen 3 ist ein
Basisanschlusselement 10 angebracht, bis zu dem sich die
Basisleitungsbahn 8 erstreckt und mit dem die Basisleitungsbahn 8 kontaktiert ist. Ferner ist auf dem Trägerrahmen 3 ein
Kopfanschlusselement 11 angebracht, bis zu dem sich die
Kopfleitungsbahn 9 erstreckt und mit dem die Kopfleitungsbahn 9 kontaktiert ist.
Die Basisleitungsbahn 8 weist einen
Anschlussoberflächenabschnitt 21 auf, der von der
Dünnschichtmembran 2 abgewandt angeordnet ist und bezüglich der Längsausrichtung der Basisleitungsbahn 8 mittig angesiedelt ist. Auf dem Anschlussoberflächenabschnitt 21 der
Basisleitungsbahn 8 ist ein dielektrisches Dünnschichtelement 19 angeordnet, und am Anschlussoberflächenabschnitt 21 mit der Basisleitungsbahn 8 kontaktiert. Auf dem dielektrischen
Dünnschichtelement 19, also auf der Seite des dielektrischen Dünnschichtelements 19, die dem Anschlussoberflächenabschnitt 21 der Basisleitungsbahn 8 abgewandt angeordnet ist, ist ein Längsende 20 einer ersten Zwischenleitungsbahn 12 befestigt und mit dem dielektrischen Dünnschichtelement 19 kontaktiert. Die von dem Längsende 20 der ersten Zwischenleitungsbahn 12 und dem Anschlussoberflächenabschnitt 21 der Basisleitungsbahn 8 in Normalrichtung der Dünnschichtmembran 2 gebildete
Überlappungsfläche ist 300 μm 2 groß. Von dem Längsende 22 der ersten Zwischenleitungsbahn 12, dem dielektrischen
Dünnschichtelement 19 und dem Anschlussoberflächenabschnitt 21 der Basisleitungsbahn 8 ist ein Kondensator 18 gebildet, der eine Kapazität von 0,25 pF hat.
Die erste Zwischenleitungsbahn 12 erstreckt sich von ihrem Längsende 20 in Richtung zu dem Trägerrahmen 3 zu einem daran befestigten Zwischenanschlusselement 16, an das die erste Zwischenleitungsbahn 12 kontaktiert ist. Zwischen dem
Zwischenanschlusselement 16 und dem Längsende 20 der ersten Zwischenleitungsbahn 12 ist eine erste Leitungskreuzung 15 vorgesehen, von der kontaktiert sich eine zweite
Zwischenleitungsbahn 13 erstreckt. Die zweite
Zwischenleitungsbahn 13 endet schließlich an einer zweiten Leitungskreuzung 14, die die zweite Zwischenleitungsbahn 13 mit der Basisleitungsbahn 8 zwischen dem
Anschlussoberflächenabschnitt 21 der Basisleitungsbahn 8 und der Basiselektrode 6 ausbildet. In der zweiten
Zwischenleitungsbahn 13 ist ein elektrischer Widerstand 17 vorgesehen, der somit parallel zu dem Kondensator 18 geschaltet ist.
Auf den Sensorchip 4 einfallende Wärmestrahlung 26 erzeugt in dem pyroelektrischen Dünnschichtelement 5 eine Ladungsverschiebung, so dass zwischen der Basiselektrode 6 und der Kopfelektrode 7 eine Differenzspannung oder Ladungen ausgebildet werden. Die Stärke der Differenzspannung oder die Anzahl der Ladungen ist ein Maß für die Stärke der einfallenden Wärmestrahlung 26, so dass die Differenzspannung als ein Signal für eine Auswertung verwendbar ist. Eine wünschenswerte
Verstärkung der Signalstärke ist mit einem Operationsverstärker 22 bewerkstelligbar, der einen invertierenden Eingang 23, einen nichtinvertierenden Eingang 24 und einen Ausgang 25 aufweist.
In Fig. 1 ist ein Schaltbild eines Infrarotlichtdetektorsystems mit dem Infrarotlichtdetektor 1 und dem Operationsverstärker 22 gezeigt. Der Operationsverstärker 22 ist mit seinem
invertierenden Eingang 23 an das Basisanschlusselement 10, mit seinem nichtinvertierenden Eingang 24 an das
Kopfanschlusselement 11 und mit seinem Ausgang 25 an das
Zwischenanschlusselement 16 elektrisch leitend angeschlossen. Somit liegt die zwischen der Kopfelektrode 7 und der
Basiselektrode 6 anliegende Differenzspannung zwischen dem invertierenden Eingang 23 und dem nichtinvertierenden Eingang 24 an, wobei in Rückkopplungsfunktion der Kondensator 18 und der elektrische Widerstand 17 in Parallelschaltung zwischen dem invertierenden Eingang 23 und dem Ausgang 25 geschaltet sind. Der Kondensator 18, gebildet von dem
Anschlussoberflächenabschnitt 21 der Basisleitungsbahn 8, dem dielektrischen Dünnschichtelement 19 und dem Längsende 20 der ersten Zwischenleitungsbahn 11, der elektrische Widerstand 17, der in Dünnschichtbauweise auf der Dünnschichtmembran 2
angeordnet ist, und die Zwischenleitungsbahnen 12 und 13 sind auf der Dünnschichtmembran 2 integriert angeordnet und somit integrale Bestandteile des Infrarotlichtdetektors 1. Der
Operationsverstärker 22 ist mit seinen Anschlüssen 23 bis 25 an die entsprechende Anschlusselemente 10, 11 und 16 des
Infrarotlichtdetektors angeschlossen und bildet somit ein vom Infrarotlichtdetektor 1 separates Bauteil, wobei der
Infrarotlichtdetektor 1 ebenfalls ein separates Bauteil ist. Dadurch ist der Infrarotlichtdetektor 1 platzsparend in seiner Bauform und kostengünstig in der Herstellung.
Zur Herstellung des Infrarotlichtdetektors 1 sind die folgenden Schritte durchzuführen: Breitstellen der Dünnschichtmembran 2; Abscheiden einer Metallschicht auf der Dünnschichtmembran 2; Abscheiden eines pyroelektrisch sensitiven Materials auf der Metallschicht; Entfernen von überschüssigem Material von dem pyroelektrisch sensitivem Material und der Metallschicht, so dass sowohl die Basiselektrode β zusammen mit der
Basisleitungsbahn 8 als auch das pyroelektrische
Dünnschichtelement 5 zusammen mit dem dielektrischen
Dünnschichtelement 19 geformt werden; Abscheiden einer
Metalloxidschicht unter Ausbilden eines elektrischen Isolators 27 auf einem Überstand der Basiselektrode 6 an der Stelle, an der die Kopfleitungsbahn 9 vorgesehen ist; Abscheiden eines Metalls auf dem dielektrischen Dünnschichtelement 19 unter Ausbilden der ersten Zwischenleitungsbahn 12 und auf der
Dünnschichtmembran 2 unter Ausbilden der zweiten
Zwischenleitungsbahn 13 sowie der Kopfleitungsbahn 9, die auf dem Isolator 27 angeordnet wird. Abschließend wird die
Kopfelektrode 7 durch Abscheiden von Metall auf dem
dielektrischen Dünnschichtelement 5 hergestellt. Alternativ können die folgenden Schritte zur Herstellung des
Infrarotlichtdetektors 1 durchgeführt werden: Bereitstellen der Dünnschichtmembran 2 mit der Basiselektrode 6, der
Basisleitungsbahn 8 und dem pyroelektrischen Dünnschichtelement 5, wobei die Basiselektrode 6 von dem pyroelektrischen
Dünnschichtelement 5 mit einem Überstand vorsteht; Abscheiden einer Metalloxidschicht unter Ausbilden eines elektrischen Isolators 27 auf dem Überstand der Basiselektrode 6 an der Stelle, an der die Kopfleitungsbahn 9 vorgesehen ist, und unter Ausbilden eines dielektrischen Dünnschichtelements 19 auf der Basisleitungsbahn 8, so dass das dielektrische
Dünnschichtelement 19 zusammen mit dem Isolator 27 geformt werden; Abscheiden eines Metalls auf dem Isolator 27 unter Ausbilden der Kopfleitungsbahn 9 sowie auf dem dielektrischen Dünnschichtelement 19 unter Ausbilden der ersten
Zwischenleitungsbahn 12 und auf der Dünnschichtmembran 2 unter Ausbilden der zweiten Zwischenleitungsbahn 13. Abschließend wird die Kopfelektrode 7 durch Abscheiden von Metall auf dem dielektrischen Dünnschichtelement 5 hergestellt.
Bezugszeichenliste
1 Infrarotlichtdetektor
2 Dünnschichtmembran
3 Trägerrahmen
4 Sensorchip
5 pyroelektrisches Dünnschichtelement
6 Basiselektrode
7 Kopfelektrode
8 Basisleitungsbahn
9 Kopfleitungsbahn
10 Basisanschlusselement
11 Kopfanschlusselement
12 erste Zwischenleitungsbahn
13 zweite Zwischenleitungsbahn
14 zweites Leitungskreuzung
15 erstes Leitungskreuzung
16 Zwischenanschlusselement
17 elektrischer Widerstand
18 Kondensator
19 dielektrisches Dünnschichtelement
20 Längsende der ersten Zwischenleitungsbahn
21 Anschlussoberflächenabschnitt der Basisleitungsbahn
22 Operationsverstärker
23 invertierender Eingang
24 nichtinvertierender Eingang
25 Ausgang
26 einfallendes Licht
27 Isolator
Next Patent: MACHINE TOOL HAVING A PROTECTIVE COVER