BESCHREIBUNG Die Erfindung betrifft ein Bauelement mit einem Licht emit ^¬ tierenden Halbleiterchip gemäß Patentanspruch 1.

Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2015 116 595.3, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.

Im Stand der Technik ist es bekannt, Bauelemente mit Licht emittierenden Halbleiterchips bereitzustellen, wobei der Halbleiterchip zum Schutz gegen Umwelteinflüsse mit einer Ab- deckung versehen ist.

Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein Bauelement mit einer verbesserten Leuchtdichte bereitzustellen. Die Aufgabe der Erfindung wird durch das Bauelement gemäß Pa ^¬ tentanspruch 1 gelöst. Weitere Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.

Das vorgeschlagene Bauelement weist den Vorteil auf, dass die Leuchtdichte in einem Abstrahlbereich des Bauelementes erhöht ist. Die erhöhte Leuchtdichte wird dadurch erreicht, dass die Abdeckung auf einer Abstrahlseite eine strukturierte Fläche aufweist. Aufgrund der strukturierten Fläche kann mehr Licht ausgekoppelt und/oder eine verbesserte Abstrahlung in der ge- wünschten Richtung erreicht werden.

In einer Ausführungsform ist die strukturierte Fläche in Form von planen Flächen ausgebildet, die in einem Winkelbereich zwischen 40° und 80° bezogen auf eine Flächennormale der Ab- Strahlseite angeordnet sind. Durch die Anordnung der planen

Flächen in diesem Winkelbereich wird eine verbesserte Strahllenkung in den gewünschten Abstrahlbereich erreicht. Eine Erhöhung der Leuchtdichte wird durch eine verbesserte Abstrahlung erreicht, wenn die planen Flächen in einem Winkelbereich zwischen 50° und 75° bezogen auf die Flächennorma ^¬ le der Abstrahlseite angeordnet sind.

In einer Ausführungsform weist die strukturierte Fläche eine aufgeraute Fläche auf, wobei die aufgeraute Fläche z.B. mit ^¬ tels Schleifen und/oder mittels Partikelstrahlen hergestellt wurde. Die aufgeraute Fläche kann eine mittlere Rauheit im Bereich von 0,1 ym bis 10 ym aufweisen. Weiterhin kann die mittlere Rauheit im Bereich von 0,1 bis 1 ym, insbesondere im Bereich von 0,4 ym liegen. Dadurch werden eine bessere Auskopplung des Lichtes und eine Erhöhung der Leuchtdichte er ^¬ reicht .

Eine Erhöhung der Leuchtdichte wird durch eine bessere Aus ^¬ kopplung erreicht, wenn mindestens 30% der Abstrahlseite eine strukturierte Fläche aufweisen.

Die planen Flächen können statistisch auf der Abstrahlseite verteilt sein. In einer weiteren Ausführungsform sind die planen Flächen wenigstens in einer Richtung plan ausgebildet, wobei die Flächen insbesondere in zwei Richtungen plan ausge- bildet sind oder insbesondere rotationssymmetrisch zu einer Achse ausgebildet sind. Die strukturierten Flächen können in Form von Kegelflächen, in Form von Pyramidenflächen oder in Form von Prismenflächen ausgebildet sein. Dabei können die strukturierten Flächen gleichmäßig verteilt auf der Abstrahl- seite angeordnet sein. Auch auf diese Weise wird eine Erhö ^¬ hung der Leuchtdichte in der Abstrahlrichtung erreicht.

In einer Ausführungsform ist die Abdeckung in einem Abstand zu dem Halbleiterchip angeordnet. Dabei kann ein Luftspalt zwischen dem Halbleiterchip und der Abdeckung vorgesehen sein. Zudem kann in einer weiteren Ausbildungsform zwischen der Abdeckung und dem Halbleiterchip eine Materialschicht, insbesondere eine Klebeschicht vorgesehen sein. In einer weiteren Ausführungsform weist die Abdeckung wenigstens eine erste und eine zweite Schicht auf, wobei die erste Schicht die Abstrahlseite aufweist, und wobei die erste

Schicht und die zweite Schicht insbesondere aus verschiedenen Materialien gebildet sind. Die zweiteilige Ausführung der Ab ^¬ deckung bietet eine erhöhte Flexibilität bei der Herstellung der Abdeckung. Somit kann die erste Schicht beispielsweise in Form einer dünnen Folie ausgebildet werden, wobei die zweite Schicht in Form einer Glasplatte ausgebildet werden kann.

In einer Ausführungsform ist die erste Schicht aus einem Substrat gebildet. Zudem kann die Abdeckung, das heißt die erste und/oder die zweite Schicht wenigstens teilweise Glas, Sa- phir, Plastik, Silikon, Epoxymaterial oder Halbleitermaterial aufweisen .

In einer weiteren Ausführungsform sind der Halbleiterchip und/oder die Abdeckung seitlich von einem Rahmen umgeben, wo- bei der Rahmen wenigstens teilweise Licht reflektierend und/oder Licht streuend ausgebildet ist. Beispielsweise kann der Rahmen ein Material aufweisen, das weißes Licht reflektiert. Auf diese Weise wird eine weitere Erhöhung der Leucht ^¬ dichte erreicht, da ein seitliches Abstrahlen von Licht er- schwert wird.

In einer Ausführungsform ist die strukturierte Fläche der Ab ^¬ deckung mit einer Abdeckschicht versehen, wobei der Bre ^¬ chungsindex des Materials der strukturierten Fläche ungleich dem Brechungsindex der Abdeckschicht ist. Insbesondere ist der Brechungsindex des Materials der strukturierten Fläche größer als der Brechungsindex der Abdeckschicht. Dadurch kann eine verbesserte Abstrahlung erreicht werden. Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbei- spiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei zeigen in jeweils schematisierter Darstellung Figur 1 ein Bauelement mit einem Halbleiterchip und einer Abdeckung, wobei die Abstrahlseite in Form einer separaten Schicht ausgebildet ist,

Figur 2 eine schematische Ansicht von oben auf ein Bauelement mit einer aufgerauten Fläche,

Figur 3 eine zweite Ausführungsform eines Bauelementes, wobei die Abdeckung mit der strukturierten Abstrahlseite einteilig ausgebildet ist,

Figur 4 eine weitere Ausführungsform eines Bauelementes, bei dem das Bauelement und die Abdeckung von einem reflektieren- den Rahmen umgeben sind,

Figur 5 eine weitere Ausführungsform eines Bauelementes, bei dem die Abdeckung auf dem Halbleiterchip befestigt ist, Figur 6 eine schematische Ansicht von oben auf das Bauelement der Figur 5, und

Figur 7 eine schematische Darstellung einer Leuchtdichte in Abhängigkeit von einem Flankenwinkel der strukturierten Flä ^¬ chen .

Figur 1 zeigt in einer schematischen Darstellung eine erste Ausführungsform des Bauelementes 1, das einen Licht emittie ^¬ renden Halbleiterchip 2 aufweist. Der Halbleiterchip 2 ist auf einem Träger 3 angeordnet. Zudem ist eine Abdeckung 4 vorgesehen, die den Halbleiterchip 2 z.B. gegenüber Umwelteinflüssen schützt. Die Abdeckung 4 ist auf dem Träger 3 be- festigt und deckt eine Oberseite 6 und vier Seitenflächen 7 des Halbleiterchips 2 ab. Der Halbleiterchip 2 ist ausgebil ^¬ det, um Licht, das heißt elektromagnetische Strahlung auf der Oberseite 6 abzugeben. Beispielsweise ist der Halbleiterchip 2 in Form einer Licht emittierenden Diode ausgebildet. Der Halbleiterchip 2 kann als Oberflächenemitter der als Volumenemitter ausgebildet sein. Die Abdeckung 4 weist eine Schicht 8 auf, die gegenüberlie ^¬ gend zur Oberseite 6 des Halbleiterchips 2 auf einer Obersei ^¬ te der Abdeckung 4 angeordnet ist. Die Schicht 8 weist auf einer Oberseite eine Abstrahlseite 5 mit einer strukturierten Fläche 9 auf. Die strukturierte Fläche kann in Form von pla ^¬ nen Flächen 9 ausgebildet sein, die in einem Winkelbereich 21 zwischen 40° und 80° bezogen auf eine Flächennormale 10 der Abstrahlseite 5 der Abdeckung 4 angeordnet sind. Der Winkel ^¬ bereich 21 relativ zur Flächennormalen 10 zwischen 40° und 80° entspricht einem Flankenwinkel 22 der planen Flächen 9 zwischen 10° und 50°. Die Flächennormale 10 steht in der dar ^¬ gestellten Ausführung auch senkrecht auf einer Ebene der Oberseite 6 des Halbleiterchips 2. Die Schicht 8 ist eben ^¬ falls parallel zur Ebene der Oberseite 6 des Halbleiterchips 2 angeordnet. Das vom Halbleiterchip 2 abgegebene Licht wird in einem rotationssymmetrisch angeordneten Abstrahlbereich 11 abgegeben. Der Abstrahlbereich 11 kann in einem Abstrahlkegel mit einer Öffnungsweite von 120° vorgesehen sein, der rotati ^¬ onssymmetrisch und mittig zur Abstrahlseite 5 angeordnet ist.

Die Winkelanordnung der planen Flächen 9 kann für alle Flächen 9 identisch sein. Zudem können die planen Flächen 9 in dem Winkelbereich zwischen 40° und 80°, insbesondere zwischen 50° und 75° bezogen auf die Abstrahlrichtung 10 in verschie- denen Winkeln angeordnet sein.

Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann die strukturierte Fläche auch als aufgeraute Fläche ausgebildet sein. Die aufgeraute Fläche kann eine mittlere Rauheit (bei einer taktilen Messung) im Bereich von 0,1 ym bis 10 ym aufweisen. Insbesondere kann die Rauheit im Bereich von 0,1 bis 1 ym, insbesondere im Bereich von 0,4 ym liegen. Die aufgeraute Fläche kann mithilfe eines SchleifVerfahrens oder eines Par ^¬ tikelstrahlverfahrens hergestellt werden.

Zudem kann abhängig von der gewählten Ausführungsform nicht die gesamte Abstrahlseite 5 der Abdeckung 4, sondern nur ein vorgegebener Anteil der Abstrahlseite 5 eine strukturierte Fläche aufweisen. Beispielsweise können 30% Anteil an struk ^¬ turierter Fläche auf der Abstrahlseite 5 bereits eine ge ^¬ wünschte Erhöhung der Leuchtdichte in dem Abstrahlbereich 11 erzeugen .

Beispielsweise können die planen Flächen 9 wenigstens in ei ^¬ ner Richtung plan ausgebildet sein. Beispielsweise können die strukturierten Flächen 9 in Form von Kegelflächen ausgebildet sein, die rotationssymmetrisch zu der Abstrahlrichtung 10 an- geordnet sind. Zudem können die strukturierten Flächen auch in Form von Pyramidenflächen oder in Form Prismenflächen ausgebildet sein. Die strukturierten Flächen 9 können in einem periodischen Raster oder zufällig verteilt auf der Abstrahlseite 5 angeordnet sein. Zudem können auf der Abstrahlseite 5 verschiedenste Arten von strukturierten Flächen vorgesehen sein, die in dem Winkelbereich zwischen 40° und 80° bezogen auf die Abstrahlrichtung 10, insbesondere in einem Winkelbe ^¬ reich zwischen 50° und 75° bezogen auf die Abstrahlrichtung 10 angeordnet sind.

Zudem kann die Abstrahlseite 6 strukturierte Flächen aufwei ^¬ sen, die in Form von planen Flächen ausgebildet sind, wobei die planen Flächen in dem Winkelbereich zwischen 40° und 80° zur Abstrahlrichtung 10 angeordnet sind, und wobei die planen Flächen zudem aufgeraut sind. Dabei können die planen Flächen eine mittlere Rauheit im Bereich von 0,1 ym bis 10 ym aufwei ^¬ sen .

Zudem kann die Abstrahlseite 6 Teilflächen mit planen Flächen und Teilflächen mit aufgerauten Flächen aufweisen. Die planen Flächen sind in dem Winkelbereich zwischen 40° und 80° zur Abstrahlrichtung 10 angeordnet. Die aufgerauten Flächen weisen eine mittlere Rauheit im Bereich von 0,1 ym bis 10 ym auf .

Die Schicht 8 kann beispielsweise in Form einer Folie oder eines Substrates ausgebildet sein. Die Abdeckung 4 kann in Form von Silikon, Kunststoff, Plastik, Saphir, Glas oder Halbleitermaterial ausgebildet sein. In dem dargestellten Ausführungsbeispiel ist zwischen der Abdeckung 4 und der Oberseite 6 des Halbleiterchips 2 ein Luftspalt 13 vorgese ^¬ hen. Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann anstelle des Luftspalts 13 auch eine Materialschicht vorgesehen sein, um beispielsweise eine bessere Anpassung der Brechungsindizes zu erreichen.

In einer weiteren Ausführungsform ist die Abstrahlseite 5 der Schicht 8 mit einer Abdeckschicht 24 bedeckt, wie in der Fi ^¬ gur 1 dargestellt ist. Der Brechungsindex der Schicht 8 ist ungleich dem Brechungsindex der Abdeckschicht 24. Insbesonde ^¬ re ist der Brechungsindex der Schicht 8 größer als der Bre ^¬ chungsindex der Abdeckschicht 24. Es kann jedoch auch auf die Abdeckschicht 24 verzichtet werden.

Figur 2 zeigt in einer schematischen Darstellung ein Bauelement 1, das im Wesentlichen gemäß Figur 1 aufgebaut ist, wo ^¬ bei jedoch die Abstrahlseite 5 der Abdeckung 4 mit einer auf- gerauten Fläche 23 versehen ist. Abhängig von der gewählten

Ausführungsform kann nur ein Teil der Abstrahlseite 5 mit einer aufgerauten Fläche 23 versehen sein. Zudem kann nur ein Teil der Abstrahlseite 5 der Abdeckung 4 mit planen Flächen versehen sein. Weiterhin kann ein Teil der Abstrahlseite 5 der Abdeckung 4 mit planen Flächen und mit einer aufgerauten Fläche versehen sein. Weiterhin kann wenigstens ein Teil der Abstrahlseite 5 der Abdeckung 4 mit planen Flächen versehen sein, wobei die planen Flächen zudem eine Rauheit aufweisen. Die Rauheit kann im Bereich zwischen 0,1 ym und 10ym aufwei- sen.

Auch bei dieser Ausführung kann die Abstrahlseite 5 der

Schicht 8 mit einer Abdeckschicht 24 bedeckt sein. Der Bre ^¬ chungsindex der Schicht 8 ist ungleich dem Brechungsindex der Abdeckschicht 24. Insbesondere ist der Brechungsindex der

Schicht 8 größer als der Brechungsindex der Abdeckschicht 24. Es kann jedoch auch auf die Abdeckschicht 24 verzichtet wer ^¬ den . Figur 3 zeigt eine weitere Ausführungsform des Bauelementes 1, wobei in dieser Ausführungsform die Abdeckung 4 nicht zweiteilig, sondern einteilig ausgebildet ist und die struk- turierten Flächen 9 direkt auf der Abstrahlseite 5 der Abde ^¬ ckung 4 angeordnet sind. Die strukturierten Flächen 9 können gemäß der Ausbildung der Figur 1 ausgebildet sein. Auch bei dieser Ausführung können die strukturierten Flächen 9 der Abdeckung 4 mit einer Abdeckschicht 24 bedeckt sein, wie in der Figur 3 dargestellt ist. Die strukturierten Flächen 9 sind z.B. aus dem gleichen Material wie die Abdeckung 4 gebildet. Der Brechungsindex der Abdeckung 4 ist ungleich dem Brechungsindex der Abdeckschicht 24. Insbesondere ist der Bre ^¬ chungsindex der Abdeckung 4 größer als der Brechungsindex der Abdeckschicht 24. Es kann jedoch auch auf die Abdeckschicht 24 verzichtet werden.

Figur 4 zeigt eine weitere Ausführungsform, bei dem die Abde ^¬ ckung 4 seitlich von einem Rahmen 15 umgeben ist. Zudem ist zwischen der Abdeckung 4 und dem Halbleiterchip 2 ein Luftspalt 13 oder eine Materialschicht mit einem niedrigen Bre ^¬ chungsindex von beispielsweise 1 angeordnet. Der Rahmen 15 ist aus einem Licht reflektierenden und/oder Licht streuenden Material gebildet und dient dazu, seitlich abgestrahltes Licht wieder zurück in Richtung auf die Abdeckung 4 oder in den Abstrahlbereich 11 zu reflektieren bzw. zu streuen. Der Rahmen 15 kann beispielsweise ausgebildet sein, um weißes Licht zu streuend. Beispielsweise kann der Rahmen 15 Ti ^¬ tanoxid aufweisen, das in Plastik oder Silikon eingebettet ist. In der dargestellten Ausführungsform ist der Rahmen 15 mit einer Oberseite 16 bis in eine Höhe geführt, in der die Abstrahlseite 5 der Abdeckung 4 angeordnet ist.

Weiterhin kann die Abdeckung 4 in Form eines Abdeckrahmens 17 ausgebildet sein, der auf dem Träger 3 angeordnet ist und den Halbleiterchip 2 auf allen vier Seiten umgibt. Auf den Rahmen 17 kann die Abdeckung 4, die als Platte ausgebildet ist, auf ^¬ geklebt werden, wie schematisch in Figur 4 dargestellt. Der Abdeckungsrahmen 17 kann aus Plastik, Silikon oder einem Kunststoff bestehen.

Auch bei dieser Ausführung können die strukturierten Flächen 9 der Abdeckung 4 mit einer Abdeckschicht 24 bedeckt sein, wie dargestellt. Die strukturierten Flächen 9 sind z.B. aus dem gleichen Material wie die Abdeckung 4 gebildet. Der Bre ^¬ chungsindex der Abdeckung 4 ist ungleich dem Brechungsindex der Abdeckschicht 24. Insbesondere ist der Brechungsindex der Abdeckung 4 größer als der Brechungsindex der Abdeckschicht 24. Es kann jedoch auch auf die Abdeckschicht 24 verzichtet werden .

Figur 5 zeigt eine weitere Ausführungsform des Bauelementes 1, wobei in dieser Ausführungsform die Abdeckung 4 nicht auf dem Träger 3, sondern auf dem Halbleiterchip 2 befestigt ist. Beispielsweise kann die Abdeckung 4 mit einer Unterseite 18 direkt auf dem Halbleiterchip 2 aufliegen oder mithilfe einer Klebeschicht 14 verbunden sein. Zudem sind in dieser Ausfüh- rungsform der Halbleiterchip 2 und die Abdeckung 4 mit einem Rahmen 15 umgeben. Die Abdeckung 4 ist in der dargestellten Ausführungsform in Form einer Folie mit einer Abstrahlseite 5 mit strukturierten Flächen 9 ausgebildet. Die strukturierten Flächen 9 können die zu Figur 1 ausgeführten Formen und Mate- rialien aufweisen. Ebenso kann die Abdeckung 4 auch die anhand der Figuren 1, 2 und 3 ausgeführten unterschiedlichen Strukturen und Ausführungsformen aufweisen.

Auch bei dieser Ausführung können die strukturierten Flächen 9 mit einer Abdeckschicht 24 bedeckt sein, wie in der Figur dargestellt ist. Die strukturierten Flächen 9 sind z.B. aus dem gleichen Material wie die Abdeckung 4 gebildet. Der Bre ^¬ chungsindex der Abdeckung 4 ist ungleich dem Brechungsindex der Abdeckschicht 24. Insbesondere ist der Brechungsindex der Abdeckung 4 größer als der Brechungsindex der Abdeckschicht 24. Es kann jedoch auch auf die Abdeckschicht 24 verzichtet werden. Bei Vorsehen der Abdeckschicht 24 ist der Rahmen bis zur Oberseite der Abdeckschicht 24 geführt. Ist keine Abdeck- Schicht 24 vorgesehen, dann endet der Rahmen 15 auf der Höhe der Oberseite der Abdeckung 4, wie mit gestrichelten Linien dargestellt ist. Figur 6 zeigt in einer schematischen Darstellung die Anordnung der Figur 5 von oben, wobei auf die Darstellung der Ab- deckschicht verzichtet wurde.

Figur 7 zeigt in einer schematischen Darstellung ein Dia- gramm, das für die Verwendung von wenigstens in einer Ebene planen Flächen wie zum Beispiel Prismenflächen, Pyramidenflächen oder Kegelflächen eine Leuchtdichte L in Abhängigkeit von einem Winkel α der planen Fläche zu der Flächennormalen der Abstrahlseite 5 zeigt. Die Prismenflächen sind mit Drei- ecken, die Pyramidenflächen sind mit Kugeln und die Kegelflächen sind mit Quadraten dargestellt. Dabei ist deutlich zu erkennen, dass bei einer Anordnung der Flächen in einem Winkel α zwischen 80° und 50° bezogen auf die Flächennormale 10, d.h. bei einem Flankenwinkel der planen Fläche zwischen 10° und 40° bezogen auf eine Ebene der Abstrahlseite ein Ma ^¬ ximum des Lichtflusses erreicht wird.

Für die Erhöhung des Lichtflusses ist es nicht erforderlich, dass die Anordnung der planen Flächen periodisch ist. Wichtig ist dabei eine möglichst große Abdeckung der Abstrahlseite mit den planen Flächen. Die Abstrahlseite 5 kann auch Teil ^¬ flächen mit aufgerauten Flächen aufweisen. Somit können auf- geraute Flächen für eine erhöhte Lichtauskopplung und plane Flächen mit den genannten Winkelanordnungen für eine Verbes- serung der Lichtausbeute sorgen. Somit kann eine Helligkeits ^¬ steigerung des Bauelementes insbesondere bei LEDs erreicht werden. Eine Grundidee besteht darin, ein strukturiertes, transparentes Material als Abdeckung für die Halbleiterchips zu verwenden. Die Abdeckung kann wenigstens teilweise oder vollständig aus Glas, Saphir, Plastik, Silikon, Epoxy oder Halbleitermaterial und so weiter bestehen. Zudem kann ein seitlicher Rahmen vorgesehen sein, der als weißer Diffusor wirkt und seitliche Abstrahlverluste reduziert. Weiterhin kann die Abstrahlseite und/oder eine Unterseite 18 der Abde ^¬ ckung 4, die dem Halbleiterchip zugeordnet ist, mithilfe ei ^¬ ner Antireflexionsschicht beschichtet sein. Beispielsweise kann zur Ausbildung der Abdeckung Saphir verwendet werden, das einen Brechungsindex von 1,7 aufweist. Zudem kann zwi ^¬ schen der Abdeckung aus Saphir und dem Halbleiterchip eine Klebeschicht mit einem Brechungsindex von 1,6 vorgesehen sein. Weiterhin kann der Halbleiterchip einen Brechungsindex n von 3,2 aufweisen. Durch das Vorsehen der Klebeschicht kann eine verbesserte Indexanpassung erreicht werden.

Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann bei allen beschriebenen Ausführungen der Bauelemente nur ein Teil der Abstrahlseite 5 mit einer aufgerauten Fläche 23 versehen sein. Zudem kann nur ein Teil der Abstrahlseite 5 der Abdeckung 4 mit planen Flächen versehen sein. Weiterhin kann ein Teil der Abstrahlseite 5 der Abdeckung 4 mit planen Flächen und mit einer aufgerauten Fläche versehen sein. Weiterhin kann wenigstens ein Teil der Abstrahlseite 5 der Abdeckung 4 mit planen Flächen versehen sein, wobei die planen Flächen zudem eine Rauheit aufweisen. Die mittlere Rauheit der aufgerauten Fläche und der planen, aufgerauten Flächen kann im Bereich zwischen 0,1 ym und 10ym aufweisen.

Obwohl die Erfindung im Detail durch das bevorzugte Ausführungsbeispiel näher illustriert und beschrieben wurde, so ist die Erfindung nicht durch die offenbarten Beispiele einge ^¬ schränkt und andere Variationen können vom Fachmann hieraus abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen . BEZUGSZEICHENLISTE

1 Bauelement

2 Halbleiterchip

3 Träger

4 Abdeckung

5 Abstrahlseite

6 Oberseite

7 Seitenfläche

8 Schicht

9 Fläche

10 Abstrahlrichtung

11 Abstrahlbereich

13 Luftspalt

14 Kleberschicht

15 Rahmen

16 Oberseite

17 Abdeckrahmen

18 Unterseite

21 Winkelbereich

22 Flankenwinkel

23 aufgeraute Fläche

24 Abdeckschicht