Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines Bauelements Bauelemente vom Typ eines mikroelektromechanischen Systems (MEMS) , eines mikroelektrooptischen Systems (MEOPS) oder ei ^¬ nes mikroelektrooptischmechanischen Systems (MEOMS) verfügen über einen Chip, der mit Leiterbahnen verbundene Funktionsträger aufweist und auf einem Trägersubstrat montiert ist. Solche Chips werden in der Regel in Flip-Chip-Technologie po ^¬ sitioniert und zum Schutz vor Umgebungseinflüssen, wie Temperatur, Feuchtigkeit und elektromagnetische Strahlung, verkap ^¬ selt. Zur Verkapselung der Bauelemente wird beispielsweise eine

Jet- beziehungsweise Sprühtechnologie auf Basis von Polymeren verwendet. Diese Technologien haben jedoch den Nachteil, dass die verwendeten Polymere unter Temperaturbeanspruchung ausgasen und nicht hermetisch gegenüber Gas- und insbesondere Was- serdampfdiffusion sind. Zum hermetischen Verschluss der Verkapselung werden unter anderem auch metallische Nanopartikel mit anschließender galvanischer Verstärkung zur Verkapselung verwendet. Nanopartikel und dabei insbesondere metallische Nanopartikel sind beim Jetten vor einem Sinterschritt mit ei- nem organischen Film stabilisiert, der sich erst bei höheren Temperaturen zersetzt. Schon bei Standardbedingungen und besonders unter Temperaturbeanspruchung kann organisches Material austreten und so das Innere des verkapselten Bauelements kontaminieren .

Verwendet man zum Verschluss der Bauelemente aus einem Plas ^¬ mastrahl abgeschiedene Metallschichten, so weisen diese

Schichten Mikroporen auf und die Verkapselung ist ohne weite- re Maßnahmen nicht hermetisch. Weiterhin sind Verfahren wie Chip zu Substrat-Bonden, welche abgeleitet von Wafer zu Wa- fer-Bonden beziehungsweise Chip zu Wafer-Bonden sind, zwar möglich, jedoch technologisch sehr aufwändig.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Bauelement und ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelements zur Verfügung zu stellen, das einen verbesserten hermetischen Verschluss ermöglicht .

Die Aufgabe wird mit den unabhängigen Ansprüchen gelöst. Wei ^¬ terbildungen und Ausgestaltungen sind jeweils Gegenstand der abhängigen Ansprüche. In einer Ausführungsform umfasst ein Bauelement ein Substrat, einen Chip und einen Rahmen. Dabei umschließen der Rahmen, das Substrat und der Chip ein Volumen. Eine metallische Ver ^¬ schlussschicht ist vorgesehen und dazu eingerichtet, um das Volumen hermetisch und elektromagnetisch abzudichten.

Bevorzugt ist das Substrat gasdicht und weist eine Keramik auf, wie eine Hochtemperatur-Mehrlagenkeramik beziehungsweise HTCC (High Temperature Cofired Caramic) oder eine Niedertem- peratur-Einbrand-Keramik beziehungsweise LTCC (Low Temperatu- re Cofired Ceramic) . Je nach de Anforderungen sind auch hin ^¬ reichend gasdichte Polymere mit niedriger Wasserdampfabsorp- tion und Ausgasung wie zum Beispiel Substrate mit LCP Zwi ^¬ schenlagen (LCP = liquid crystal polymer) oder Substrate, de ^¬ ren Oberfläche passiviert ist, geeignet. Bevorzugt ist es weiterhin, dass der Chip Quarz, Lithiumtantalat , Lithiumnio- bat oder ähnliche Stoffe aufweist und Funktionselemente trägt, zum Beispiel Wandler für akustische Oberflächen- oder Volumenwellen. Dazu weist er beispielsweise ein piezoelektri- sches Material, elektroakustische Wandler und geeignete Lei ^¬ terbahnen auf.

Die metallische Verschlussschicht wird in Form eines flüssi- gen Metalls oder einer flüssigen Metalllegierung auf das Bauelement aufgebracht. In der Folge erhärtet das Metall bezie ^¬ hungsweise die Metalllegierung und bildet eine hermetische Verkapselung . Diese Verkapselung kann in der Folge gegebenenfalls galvanisch verstärkt werden.

Zum Aufbringen der metallischen Verschlussschicht sind keine organischen Lösungsmittel oder Polymere notwendig. Zudem ent ^¬ stehen vorteilhafterweise beim Erhärten, das bevorzugt unter kontrollierten Bedingungen erfolgt, keine Poren oder Mikropo- ren in der Verschlussschicht. Das Bauelement ist somit gegen Kontamination geschützt.

Wenigstens zwei unterschiedliche Aufbauvarianten für das Bau ^¬ element sind möglich.

In einer Ausführungsform ist der Rahmen mit dem Substrat verbunden. Der Chip liegt auf dem Rahmen lediglich auf. Der Rahmen weist bevorzugt eine z.B. mittels Diamantfräsung geglät ^¬ tete plane Oberfläche auf. Dadurch ist es möglich, dass ein mit Bumpverbindungen versehener Chip nach einer Flip-Chip - Montage und Kollabieren (Kollapsing) der Bumpverbindungen in einem anschließenden Reflowprozess auf dem Rahmen gleichmäßig aufliegt und ein Spalt zwischen Chip und Rahmen bei entspre ^¬ chend angepassten Rahmenhöhen, Bumpverbindungshöhen und Kol- lapsing nahezu Null ist. Durch Druckbeaufschlagung des Chips bei geschmolzenen Bumpverbindungen und Abkühlen unter dem Schmelzpunkt der Bumps bei anhaltender Druckbeaufschlagung kann der Spalt zwischen Chip und Rahmen minimiert werden und bei diamantgefrästen Rahmen kleiner 10 nm betragen.

Die metallische Verschlussschicht wird entlang des Spalts zwischen Chip und Rahmen aufgebracht und verläuft entspre ^¬ chend entlang dieses Spaltes. Die Verbindung von Chip und Rahmen und damit die Verkapselung des Bauelements erfolgt in ^¬ dem das flüssige Metall beziehungsweise die flüssige Metall ^¬ legierung erhärtet.

In dieser Aufbauvariante wird in einem ersten Verfahrens ^¬ schritt ein großflächiges Substrat (z. B. aus HTCC, LTCC oder PCB aus LCP) mit einer Vielzahl von Rahmen versehen. Über diese Rahmen werden in weiteren Verfahrensschritten bebumpte Chips in Flip-Chip-Technologie aufgesetzt und in einem

Reflowprozess mit dem Substrat über die Bumps elektrisch und mechanisch verbunden. Nach der Verkapselung der Chips wird das Substrat mit den Chips entlang geeigneter Sägespuren zu Bauelementen vereinzelt.

In einer weiteren Ausführungsform beziehungsweise einer alternativen Aufbauvariante ist der Rahmen mit dem Chip verbunden. Der Rahmen liegt nach dem Aufsetzen auf dem Substrat auf oder bildet einen Spalt bis zu einigen ym Breite. Die Spalt ^¬ breite kann lokal schwanken. Diese Schwankung kann bei Bedarf durch Planarisieren des Rahmens bzw. des Substrats nach oben begrenzt werden.

Die metallische Verschlussschicht wird entlang eines Spalts, der zwischen Substrat und Rahmen verläuft, aufgebracht. Durch Erhärten des flüssigen Metalls beziehungsweise der flüssigen Metalllegierung entsteht eine Verbindung zwischen Substrat und Rahmen. Damit die metallische Verschlussschicht sich mit dem Substrat verbindet kann eine entsprechende Vorbehandlung des Substrats (z.B. eine Vorstrukturierung) erforderlich sein. In dieser alternativen Aufbauvariante trägt jeder Chip einen Rahmen. Die Notwendigkeit einer Vorbehandlung des Substrats hängt ab von der verwendeten Verschlussschicht. Das Substrat weist gegenüber den bebumpten Chips eine Metallisierungs ^¬ schicht in Form einer Underbumpmetallisierung auf und trägt auch elektrisch leitende Strukturen. Bei der Herstellung des Substrats können für die Metallisierungsschicht z. B. durch Lot benetzbare Rahmenstrukturen auf das Substrat aufgebracht werden . Nach einer weiteren Ausführungsform sind das Substrat, der Chip, der Rahmen und die metallische Verschlussschicht von einer galvanischen Schicht wenigstens teilweise umschlossen.

Mit Hilfe der galvanischen Schicht kann die metallische Ver- schlussschicht weiter verstärkt werden. Die metallische Ver ^¬ schlussschicht dient als eine Kristallationskeimschicht be ^¬ ziehungsweise "Seedlayer" für die anschließende Galvanik.

In einer weiteren Ausführungsform stellt die metallische Ver- schlussschicht eine Jet-Strahlstruktur dar und ist durch Jet ^¬ drucken nach Daten erzeugt.

Zum Bilden der Jet-Strahlstruktur wird die metallische Verschlussschicht beziehungsweise das flüssige Metall oder die flüssige Metalllegierung mit Hilfe eines Jetverfahrens aufge ^¬ bracht. Auf diese Weise lässt sich eine hohe Ortsgenauigkeit erzielen und die metallische Verschlussschicht entlang des jeweiligen Spalts in den verschiedenen Aufbauvarianten anbringen .

In einer weiteren Ausführungsform stellt die metallische Ver- schlussschicht eine Lotstruktur dar.

Mit Hilfe der Lotstruktur lässt sich das flüssige Metall be ^¬ ziehungsweise die flüssige Metalllegierung zunächst als Lot ^¬ depot und ohne notwendigen direkten Kontakt zum entsprechen- den Spalt in den verschiedenen Aufbauvarianten aufbringen. Zum Aktivieren der metallischen Verschlussschicht wird die Lotstruktur bevorzugt erhitzt, sodass Teile des flüssigen Me ^¬ talls beziehungsweise der flüssigen Metalllegierung in den Spalt eindringen und diesen durch Erhärten verschließen kön- nen.

In einer weiteren Ausführungsform ist der Chip an einer dem umschlossenen Volumen zugeneigten Oberfläche mit wenigstens einer Bumpverbindung, insbesondere Studbumps oder Lotbumps, mit dem Substrat elektrisch und mechanisch verschaltet.

In einer weiteren Ausführungsform weist der Rahmen ein Metall oder eine Mehrschichtstruktur von Metallen auf. Der Rahmen auf dem Substrat ist bevorzugt aus Kupfer, Nickel, Silber oder einer Mehrschichtstruktur dieser Metalle gefertigt und gasdicht mit dem Substrat oder dem Chip verbunden.

Die Verwendung von Metallen beziehungsweise Mehrschichtstruk- turen aus Metallen ist vorteilhaft, weil diese entweder di ^¬ rekt oder mittels chemischer Funktionalisierung benetzend gegenüber dem flüssigen Metall beziehungsweise der flüssigen Metalllegierung der metallischen Verschlussschicht sind. Andere Materialien für den Rahmen, wie beispielsweise Keramik oder Glaslot, sind ebenfalls denkbar. Diese Materialien können selektiv z.B. mit dem Verfahren des „Rapid Prototyping" durch Lasersintern nach Daten aufgebracht werden.

In einer weiteren Ausführungsform weist das flüssige Metall oder die flüssige Metalllegierung zum Bilden der metallischen Verschlussschicht Metalle mit Schmelzpunkten Smp von kleiner 300 °C unter Normbedingungen auf.

Geeignete Beispiele umfassen: AuSn (Smp = 283°C), Sn (Smp = 231°C), SnAg, SnCu, SnAgCu, 90InlOAg (Smp = 237°C), In (Smp = 157°C), 97In3Ag (Smp = 143°C), 52In48Sn (Smp = 118°C),

42Sn58Bi (Smp = 138°C), SnBi, SnBiAg, SnZn.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist das flüssige Metall oder die flüssige Metalllegierung zum Bilden der metallischen Verschlussschicht Metalle auf, die Chip und Substrat zwar benetzen, aber nicht auf dem Chip oder dem Substrat verlaufen. Dabei ist beispielsweise In geeignet, weil es sowohl den Chip wie auch Keramik benetzt.

In einer weiteren Ausführungsform ist das Bauelement mit ei- nem der folgenden Verfahren hergestellt.

In einer Ausführungsform eines Verfahrens zum Herstellen eines Bauelements mit einem Substrat, einem Chip und einem Rah ^¬ men sind die folgenden Schritte vorgesehen. Zunächst wird ein Volumen mittels des Rahmens, des Substrats und des Chips um ^¬ schlossen. Schließlich wird mit einer metallischen Verschlussschicht das Volumen hermetisch verschlossen, indem der Spalt zwischen Rahmen und Chip bzw. zwischen Rahmen und Sub- strat durch ein flüssiges Metall oder eine flüssige Metallle ^¬ gierung verschlossen wird. In der Folge erhärtet das Metall beziehungsweise die Metalllegierung. Die metallische Ver ^¬ schlussschicht bildet so eine hermetische Verkapselung. Diese Verkapselung kann in der Folge gegebenenfalls galvanisch verstärkt werden.

Zum Aufbringen der metallischen Verschlussschicht sind keine organischen Lösungsmittel oder Polymere notwendig. Zudem ent- stehen vorteilhafterweise beim Erhärten, das bevorzugt unter kontrollierten Bedingungen erfolgt, keine Poren oder Mikropo- ren in der Verschlussschicht. Das Bauelement ist somit gegen Kontaminationen und andere Umwelteinflüsse geschützt. In einer weiteren Ausführungsform wird der Rahmen mit dem

Substrat verbunden. Der Chip liegt lediglich auf dem Rahmen auf. Die metallische Verschlussschicht wird entlang eines Spalts zwischen Chip und Rahmen aufgebracht. Durch Erhärten des flüssigen Metalls oder der flüssigen Metalllegierung wird der Chip und der Rahmen verbunden.

In einer weiteren Ausführungsform wird der Rahmen mit dem Chip verbunden. Der Rahmen liegt partiell auf dem Substrat auf und/oder bildet dazwischen einen Spalt von einigen ym. Die metallische Verschlussschicht wird entlang eines Spalts zwischen Substrat und Rahmen aufgebracht. Durch Erhärten des flüssigen Metalls oder der flüssigen Metalllegierung wird das Substrat mit dem Rahmen verbunden. Das flüssige Metall bzw. die flüssige Metalllegierung kann mit folgenden Verfahren aufgebracht werden:

durch Jetten von Lotmaterialien

durch Sprühen von Lotmaterialien durch Tauchen des mit Chips bestückten Substrats in ein flüssiges Lotbad und Entfernen des überschüssigen Lots durch Abblasen z. B. mittels N2, ähnlich wie beim „Hot Air Levelling" Verfahren.

Die Erfindung wird nachfolgend an mehreren Ausführungsbei ^¬ spielen anhand von Figuren erläutert. So weit sich Teile oder Bauelemente in ihrer Funktion entsprechen, wird deren Beschreibung nicht in jeder der folgenden Figuren wiederholt.

Es zeigen:

Figuren 1A, 1B, IC jeweils beispielhafte Ausführungsformen eines Bauelements nach dem vorgeschlagenen Prinzip,

Figuren 2A, 2B, 2C und 2D beispielhafte Ausführungsformen eines Bauelements in einer ersten Aufbauvariante mit unterschiedlichen metallischen Verschlussschichten nach dem vorgeschlagenen Prinzip.

Figuren 1A bis IC zeigen jeweils ein Bauelement während (lin ^¬ kes Bauelement) und nach (rechtes Bauelement) dem jeweiligen Herstellungsverfahren einer Verschlussschicht. Figur 1A zeigt eine erste beispielhafte Ausführungsform eines Bauelements nach dem vorgeschlagenen Prinzip. Gezeigt ist eine erste Aufbauvariante in Flip-Chip-Technologie. In dieser ist auf einem Chip CH ein Metallrahmen MF aufgebracht, sodass der Metallrahmen MF partiell auf einem Substrat S aufliegt bzw. einen Spalt bis zu wenigen ym zum Substrat ausbildet. Der Metall- rahmen MF kann aus einem Material wie Cu bestehen oder aus einer Folge verschiedener Metalle. Der Chip CH ist mittels Bumpverbindungen B mit dem Substrat S elektrisch und mecha- nisch verbunden. Dazu werden beispielsweise Lotbumps oder Studbumps verwendet.

Der Spalt zwischen Metallrahmen und Chip ist bestimmt durch die Genauigkeit der Herstellungsprozesse des Rahmens und durch die Planität des Substrats im jeweiligen Rahmenbereich. Durch Planfräsen des Metallrahmens kann eine im sub-ym Bereich plane Rahmenoberfläche geschaffen werden. Ebenso kann, soweit erforderlich, das Substrat planarisiert werden. Der maximal zulässige Spalt für das Gelingen eines hermetischen

Verschlusses hängt wesentlich von der Menge des aufgebrachten Jetmetalls z.B. von der Lotmenge ab. Mit JET ist ein Tröpf ^¬ chen des flüssigen Jetmetalls während des Jettens darge ^¬ stellt.

Figur 1B zeigt eine beispielhafte Ausführungsform eines Bau ^¬ elements nach dem vorgeschlagenen Prinzip in einer zweiten Aufbauvariante in Flip-Chip-Technologie. In diesem Fall ist der Metallrahmen MF mit dem Substrat S verbunden. Der Metall- rahmen MF kann aus einem Material wie Cu bestehen oder aus einer Folge verschiedener Metalle. Der Chip CH ist mittels Bumpverbindungen B mit dem Substrat S elektrisch und mechanisch verbunden. Dazu werden beispielsweise Lotbumps oder Studbumps oder Cu/Sn Pillars verwendet.

Im Gegensatz zur ersten Aufbauvariante liegt in der zweiten Aufbauvariante der Chip CH partiell auf dem Metallrahmen MF auf oder bildet mit dem Metallrahmen einen hinreichend klei ^¬ nen Spalt. Substrat S, Metallrahmen MF und Chip CH umfassen wiederum ein Volumen V. Die folgenden Ausführungen lassen sich auf beide Aufbauvarianten nach den Figuren 1A und 1B anwenden. Sind Unterscheidungen nötig, so werden diese explizit erwähnt. Um das Volumen V hermetisch und vakuumdicht abzuschließen, wird mittels einer Jet-Strahltechnologie eine metallische Verschlussschicht SL auf das Bauelement gebracht. Dazu wird ein flüssiges Metall oder eine flüssige Metalllegierung auf das Bauelement entlang des Spaltes SP aufgebracht und bildet so die metallische Verschlussschicht SL. Der Spalt SP zwi ^¬ schen Metallrahmen MF und Substrat S beziehungsweise zwischen Metallrahmen MF und Chip CH wird somit durch gejettetes erstarrtes Metall abgedichtet. Je nachdem sich der Metallrah ^¬ men auf dem Chip oder auf dem Substrat befindet, sind Jetme- talle besonders geeignet, welche auch mit dem Substrat oder den Seitenflächen des Chips eine feste Verbindung eingehen. Das ist für beide Alternativen beispielsweise für In der Fall . Alternativ können gemäß Figur IC metallische Lotdepots LD auf den Metallrahmen MF gejettet werden und vor weiteren Prozessschritten zum Verlöten gebracht werden. Durch Benetzen der anliegenden Metallflächen des Metallrahmens MF und den benetzbaren Seitenflächen des Chips CH wird die metallische Verschlussschicht SL ausgeprägt und das Bauelement hermetisch verschlossen. Solches Verlöten kann zum Beispiel in einem Reflow-Ofen oder in einer Plasmaanlage mit oder ohne Einwirkung eines Oxid reduzierenden Gases (Beispiel: Formiergas) oder Plasmas stattfinden. Die Benetzbarkeit kann durch Auf- bringen einer benetzbaren Schicht während einer früheren Verfahrensstufe gewährleistet werden. Das Jetten von flüssigem Metall oder flüssiger Metalllegierungen erfolgt unter einem Winkel, der sich nach der Topolo- gie des Substrats S richtet. In anderem Fall, wenn Lotdepots erzeugt werden, die wie oben beschrieben im späteren Reflow- Prozess den Metallrahmen MF benetzen und dann das Bauelement verschließen, kann das Jetten unter dem technologisch einfacheren rechten Winkel gegen die Oberfläche bzw. Substratebene erfolgen, da ein direkter Kontakt von Lotdepots LD zu Chipoder Rahmenflanken in diesem Verfahren nicht zwingend notwen- dig ist (siehe Fig. IC) .

Zum Aufbringen der metallischen Verschlussschicht sind keine organischen Lösungsmittel oder Polymere notwendig. Zudem ent ^¬ stehen vorteilhafterweise beim Erhärten, das bevorzugt unter kontrollierten Bedingungen erfolgt, keine Poren oder Mikropo- ren in der Verschlussschicht. Das Bauelement ist somit gegen Kontamination und andere Umwelteinflüsse geschützt.

Das flüssige Metall oder die flüssige Metalllegierung bezie- hungsweise die Lotdepots zum Bilden der metallischen Verschlussschicht SL weisen Metalle mit Schmelzpunkten Smp von kleiner 300 °C unter Normbedingungen auf. Geeignete Beispiele umfassen: AuSn (Smp = 283°C), Sn (Smp = 231°C), SnAg, SnCu, SnAgCu, 90InlOAg (Smp = 237°C), In (Smp = 157°C), 97In3Ag (Smp = 143°C), 52In48Sn (Smp = 118°C), 42Sn58Bi (Smp =

138°C), SnBi, SnBiAg, SnZn.

Damit die Chips CH beim Jetten von flüssigem Metall bezie ^¬ hungsweise flüssiger Metalllegierungen und beim Jetten von Lotdepots auch in weiteren Benetzungsprozessen in Position bleiben, sind Bumpverbindungen B erforderlich, deren Schmelzpunkte Smp bevorzugt folgenden Beziehungen genügen: Smp (Bump) > Smp (Jetmetall)

(beim Jetten) < Smp (Bump) .

Diese Bedingung ist für Studbumps aus Au oder Cu(Pt) immer erfüllt, wenn als flüssiges Metall Lot eingesetzt wird.

Wärmeausdehnungskoeffizienten einander angepasst sind.

Die Figuren 2A, 2B, 2C und 2D zeigen beispielhafte Ausführungsformen eines Bauelements gemäß der ersten Aufbauvariante mit unterschiedlichen Ausgestaltungen nach dem vorgeschlagenen Prinzip. Die erste Aufbauvariante wird beispielhaft he ^¬ rangezogen und die gezeigten Prinzipien lassen sich, wenn nicht anders erwähnt, auch auf ein Bauelement nach der zwei ^¬ ten Aufbauvariante anwenden.

In Figur 2A umfasst der Metallrahmen MF eine Schichtenfolge aus erstem und zweitem Metall MF1, MF2. Dabei ist das zweite Metall MF2 in einer dünnen Schicht auf dem ersten Metall MF1 aufgetragen. Das zweite Metall umfasst beispielsweise Ag, Au, Pd, Pt oder Sn und ist so beschaffen, dass es vom flüssigen Jetmetall benetzt wird. Der Metallrahmen MF kann dabei voll ^¬ ständig oder nur auf seiner nach oben (unten) weisenden Oberfläche mit der dünnen Schicht versehen sein. Diese Schicht wird vorzugsweise stromlos abgeschieden, hat im Fall, dass sie aus Ag, Au, Pd oder Pt besteht, eine Dicke von kleiner 1 ym und im Fall von Au, Pd und Pt eine Dicke von vorzugsweise ca. lOOnm.

Die Metallisierungsschicht ML auf dem Substrat S weist eben- falls unterschiedliche Materialien Ml, M2, M3 in Schichtenform auf. Die Metallisierungsschicht ML wird im Zuge der Her ^¬ stellung des Substrates S auf diesem aufgebracht und hat ebenfalls eine Rahmenstruktur. Beispielsweise kann die Metal- lisierungsschicht ML bei Verwendung von HTCC aus einer

Schichtenfolge Ml, M2, M3 bestehen. Diese kann etwa W, Ni und Au aufweisen. Wird LTCC als Keramik verwendet, so kann die Schichtenfolge Ml, M2, M3 beispielsweise Ag, Cu und Pd auf- weisen.. Die Metallisierungsschicht ML wird hergestellt, in ^¬ dem durch Abscheiden und gegebenenfalls Einsintern die jeweiligen Materialien. Die Dicke der Metallisierungsschicht ML ist dabei abhängig von der Topologie des Substrats S und so gewählt, dass diese vor dem Aufsetzen des oder der Chips CH plan gefräst werden kann.

Alternativ kann die Metallisierungsschicht ML verformbar sein und z.B. aus Sn hergestellt werden. Figur 2B zeigt eine ähnliche Struktur, die gegenüber der Ausführung nach Figur 2A keine dünne Schicht mit einem zweitem Metall MF2 auf dem Metallrahmen MF aufweist.

Figur 2C zeigt eine Ausführungsform, bei der vor dem Jetten über das mit Chips CH bestückte Substrat S und die Chips CH eine Metallschicht SPL bzw. Metall-Schichtenfolge aufgebracht ist. Diese Metallschicht kann zum Beispiel Au, Ag, Pt, Pd, Cu, TiCu, TiWCu, TiCuAu, TiCuAg aufweisen. Die Metall ^¬ schicht SPL ist so beschaffen, dass sie vom flüssigen Jetme- tall benetzt wird. Die Schicht SPL wird durch ein PVD-

Verfahren oder bevorzugt durch Sputtern aufgebracht, beispielsweise in einem Niedertemperatur-Plasmaverfahren.

Figur 2D ist beispielhaft die Bumpverbindung B durch eine Schichtenfolge aus einem ersten und zweiten Bumpmaterial Bl, B2 aufgebaut. Dabei ist ähnlich wie beim in der Figur 2A dargestellten Metallrahmen MF das zweite Bumpmaterial B2 in einer dünnen Schicht auf dem ersten Bumpmaterial Bl aufgetra- gen. Das zweite Bumpmaterial umfasst beispielsweise Ag, Au, Pd, Sn oder Pt und ist so beschaffen, dass es vom flüssigen Jetmetall benetzt wird. Dies erleichtert eine Verlötung der Bumpverbindung mit dem Substrat S über die Metallisierungs ^¬ schicht ML. Die Metallisierungsschicht ML weist dazu wiederum die Schichtenfolge Ml, M2, M3 auf.

In einer weiteren nicht gezeigten Ausführung der Erfindung kann die Metallverschlussschicht auch durch Tauchen des mit Chips CH bestückten Substrats S in ein flüssiges Lot erfol ^¬ gen. Dies erfolgt zweckmäßigerweise in einer Art Wellenlöt- verfahren. Das überschüssige Lot kann dann in einem Hot-Air- Level-Verfahren abgeblasen beziehungsweise abgeschleudert werden. Auch in dieser Ausführung ist es vorteilhaft, wenn die Temperatur des Lotes im Bad niedriger ist, als die

Schmelztemperatur der Bumpverbindungen B.

Bezugs zeichenliste

AG Spalt

B Bumpverbindung

Bl Bumpmaterial

B2 Bumpmaterial

CH Chip

JET Jetdrucktröpfchen

Ml Schichtmaterial

M2 Schichtmaterial

M3 Schichtmaterial

MF Rahmen

MF1 Metall

MF2 Metall

ML Metallisierungsschicht

LD Lotdepot

S Substrat

SL metallische Verschlussschicht

SPL Metallschicht

V Volumen