以下、本発明を詳細に説明する。

 <組成物>
 -金属錯体-
 本発明の組成物に含有される金属錯体は、� ��記式(1)で表されるものである。

 前記式(2)で表される基は、Z ¹ 、Z ² 、Z ³ 、Z ⁴ 及びZ ⁵ のうち少なくとも2個が窒素原子のものであ� �、好ましくは2個又は3個が窒素原子のもので ある。特には、これら複数存在する窒素原子 が隣接しない(即ち、隣接位に存在しない)組� ��合わせであることが好ましい。具体的には� ��Z ¹ 、Z ² 、Z ³ 、Z ⁴ 及びZ ⁵ のうち2個又は3個が窒素原子であり、且つ、� ��素原子が隣接しないものである。該置換基� ��、Z ¹ 、Z ² 、Z ³ 、Z ⁴ 及びZ ⁵ のいずれかが炭素原子である場合には、該炭 素原子に結合する水素原子が置換基で置換さ れていてもよい。

 前記式(2)で表される基としては、以下の式� ��示される基が挙げられ、これらの中でも、� ��(2-1)で表される基、式(2-7)で表される基が好 ましい。
(式中、R’は、水素原子、ハロゲン原子、ア� ��キル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、� ��リール基、アリールオキシ基、アリールチ� ��基、アリールアルキル基、アリールアルコ� ��シ基、アリールアルキルチオ基、アシル基� ��アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、� ��ミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、� ��換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置� ��シリルアミノ基、1価の複素環基、ヘテロア リールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、ア リールアルケニル基、アリールアルキニル基 、置換カルボキシル基、又はシアノ基である 。複数存在するR’は、同一であっても異な� �ていてもよい。)

 前記式中、R’で表されるハロゲン原子、 アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基 、アリール基、アリールオキシ基、アリール チオ基、アリールアルキル基、アリールアル コキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル 基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基 、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基 、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、 置換シリルアミノ基、1価の複素環基、ヘテ� �アリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基� �アリールアルケニル基、アリールアルキニ� �基、置換カルボキシル基及びシアノ基は、� �述のRで表されるものと同じ定義、具体例で� ��る。

 前記式(1)で表される金属錯体は、Mで表さ れる金属原子、添え字mでその数を定義され� �いる配位子(以下、「2座キレート配位子」と もいう)と、添え字nでその数を定義されてい� ��前記式(3)で表されるモノアニオン性の2座配 位子(以下、「モノアニオン性の2座配位子」� ��もいう)から構成されている。なお、以下に おいて、単に「配位子」という場合には、前 記2座キレート配位子と、前記モノアニオン� �の2座配位子の両方の配位子を意味する。

 前記式(1)中、mは1~3の整数である。nは0~2� �整数であり、好ましくは0又は1であり、より 好ましくは0である。但し、m+nは金属原子Mに� ��合できる配位子の合計数である。例えば、� ��心金属がイリジウムである場合、m=1かつn=2� ��又はm=2かつn=1、又はm=3かつn=0であり、好ま� ��くは、m=3かつn=0、又はm=2かつn=1であり、よ� ��好ましくは、m=3かつn=0である。中心金属が� ��ロジウム、ルテニウム、オスミウムの場合� ��イリジウムと同様で、m=3かつn=0が好ましい� ��中心金属がパラジウム、白金の場合は、m=1� ��つn=1またはm=2かつn=0であり、好ましくはm=2� ��つn=0である。

 前記式(1)で表される金属錯体は、好ましく� ��下記式(1a):
(式中、M、R ¹ 、R ² 、R ³ 、R ⁴ 、R ⁵ 、R ⁶ 、R ⁷ 、及びR ⁸ 及びmは、前記と同じ意味を有する。)
で表されるもの(即ち、n=0)である。R ¹ 、R ² 、R ³ 、R ⁴ 、R ⁵ 、R ⁶ 、R ⁷ 、及びR ⁸ で表される原子及び基は、具体的には、後述 のRとして説明し例示する原子及び基と同じ� �ある。但し、化合物の安定性の観点から、� �記式(1a)中、mは2又は3であることが好ましい� ��

 金属錯体を構成する配位子は、金属錯体� ��発光色、発光強度、発光効率等に影響を与� ��る。したがって、金属錯体としては、配位� ��内におけるエネルギー失活過程を最少にす� ��構造からなる配位子から構成されるものが� ��ましい。さらに、配位子の有する置換基の� ��類及び/又は置換位置は、配位子の電子的特 性に影響を及ぼすので、金属錯体の特性に影 響を与える。以上の観点から、前記金属錯体 は、前記式(1)で表される構造をとることによ り、金属錯体の発光効率、安定性等を向上さ せることができると考えられる。

 前記金属錯体において、前記式(1)又は前記� ��(1a)におけるR ² 及びR ⁷ の少なくとも一方は前記式(2)で表される基で あり、R ⁷ が前記式(2)で表される基であることが好まし い。また、前記金属錯体において、R ² 及びR ⁷ がそれぞれ独立に、前記式(2)で表される基で ある構造も好ましい。R ⁷ が前記式(2-1)で表されるものであって前記R ² が水素原子であること、R ⁷ が前記式(2-7)で表されるものであって前記R ² が水素原子であること、前記R ² 及びR ⁷ がそれぞれ独立に、前記式(2-1)又は(2-7)で表� �れる基であることがより好ましい。本発明� �組成物のPL(フォトルミネッセンス)発光スペ� ��トルのピーク波長の少なくとも一つは、好� ��しくは550nm~800nmであり、さらに好ましくは57 0nm~750nmであり、より好ましくは570nm~700nmであ� ��、特に好ましくは600nm~700nmである。

 前記金属錯体の中心金属となる金属原子M は、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オ スミウム、イリジウム又は白金の金属原子で ある。これらの金属原子は、金属錯体にスピ ン-軌道相互作用を及ぼし、一重項状態と三� �項状態間の系間交差を起こし得るものであ� �。前記金属原子Mは、好ましくは、オスミウ� ��、イリジウム、白金であり、さらに好まし� ��は、イリジウム、白金であり、特に好まし� ��は、イリジウムである。

 前記式(1)又は前記式(1a)で表される金属錯体 において、前記2座キレート配位子としては� �下記式で表されるような構造が挙げられる� �
(式中、Rは、水素原子、ハロゲン原子、アル� ��ル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ア� ��ール基、アリールオキシ基、アリールチオ� ��、アリールアルキル基、アリールアルコキ� ��基、アリールアルキルチオ基、アシル基、� ��シルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イ� ��ン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置� ��シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換� ��リルアミノ基、1価の複素環基、ヘテロアリ ールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリ ールアルケニル基、アリールアルキニル基、 置換カルボキシル基又はシアノ基である。*� �金属原子Mと結合する部位を表す。複数存在� ��るRは、同一であっても異なっていてもよい 。)

 前記Rで表されるハロゲン原子としては、 フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原 子等が挙げられる。

 前記Rで表されるアルキル基は、直鎖、分 岐又は環状のいずれでもよい。このアルキル 基の炭素数は、通常、1~10程度である。アル� �ル基としては、メチル基、エチル基、プロ� �ル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブ� �ル基、s-ブチル基、t-ブチル基、ペンチル基� ��ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル� ��、オクチル基、2-エチルヘキシル基、ノニ� �基、デシル基、3,7-ジメチルオクチル基、ラ� ��リル基、トリフルオロメチル基、ペンタフ� ��オロエチル基、パーフルオロブチル基、パ� ��フルオロヘキシル基、パーフルオロオクチ� ��基等が挙げられ、t-ブチル基、ペンチル基� �ヘキシル基、オクチル基、2-エチルヘキシル 基、デシル基、3,7-ジメチルオクチル基が好� �しい。

 前記Rで表されるアルコキシ基は、直鎖、 分岐又は環状のいずれでもよい。このアルコ キシ基の炭素数は、通常、1~10程度である。� �ルコキシ基としては、メトキシ基、エトキ� �基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキ� �基、ブトキシ基、イソブトキシ基、s-ブトキ シ基、t-ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘ� ��シルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、� ��プチルオキシ基、オクチルオキシ基、2-エ� �ルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デ� �ルオキシ基、3,7-ジメチルオクチルオキシ基� ��ラウリルオキシ基、トリフルオロメトキシ� ��、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオ� ��ブトキシ基、パーフルオロヘキシル基、パ� ��フルオロオクチル基、メトキシメチルオキ� ��基、2-メトキシエチルオキシ基等が挙げら� �、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、� �クチルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基 、デシルオキシ基、3,7-ジメチルオクチルオ� �シ基が好ましい。

 前記Rで表されるアルキルチオ基は、直鎖 、分岐又は環状のいずれでもよい。このアル キルチオ基の炭素数は、通常、1~10程度であ� �。アルキルチオ基としては、メチルチオ基� �エチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロ� �ルチオ基、ブチルチオ基、イソブチルチオ� �、s-ブチルチオ基、t-ブチルチオ基、ペンチ� ��チオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシル� ��オ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、2 -エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デ� �ルチオ基、3,7-ジメチルオクチルチオ基、ラ� ��リルチオ基、トリフルオロメチルチオ基等� ��挙げられ、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ� ��、オクチルチオ基、2-エチルヘキシルチオ� �、デシルチオ基、3,7-ジメチルオクチルチオ� ��が好ましい。

 前記Rで表されるアリール基は、炭素数が、 通常、6~60程度のものであり、好ましくは7~48� ��ものである。アリール基としては、フェニ� ��基、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル基(「C ₁ ~C ₁₂ アルコキシ」は、アルコキシ部分の炭素数が 1~12であることを意味する。以下、同様であ� �。)、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル基(「C ₁ ~C ₁₂ アルキル」は、アルキル部分の炭素数が1~12� �あることを意味する。以下、同様である。)� ��1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセ� ��ル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニ ル基、ペンタフルオロフェニル基等が挙げら れ、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル基が好ましい。ここで、ア リール基とは、芳香族炭化水素から水素原子 1個を除いた原子団である。この芳香族炭化� �素としては、縮合環をもつもの、独立した� �ンゼン環又は縮合環2個以上が直接又はビニ� ��ン等の基を介して結合したものが含まれる� ��さらに、該アリール基は置換基を有してい� ��もよく、該置換基としては、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル基等が挙げられる。
 前記C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル基としては、メトキシフ ェニル基、エトキシフェニル基、プロピルオ キシフェニル基、イソプロピルオキシフェニ ル基、ブトキシフェニル基、イソブトキシフ ェニル基、s-ブトキシフェニル基、t-ブトキ� �フェニル基、ペンチルオキシフェニル基、� �キシルオキシフェニル基、シクロヘキシル� �キシフェニル基、ヘプチルオキシフェニル� �、オクチルオキシフェニル基、2-エチルヘキ シルオキシフェニル基、ノニルオキシフェニ ル基、デシルオキシフェニル基、3,7-ジメチ� �オクチルオキシフェニル基、ラウリルオキ� �フェニル基等が挙げられる。
 前記C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル基としては、メチルフェニ ル基、エチルフェニル基、ジメチルフェニル 基、プロピルフェニル基、メシチル基、メチ ルエチルフェニル基、イソプロピルフェニル 基、ブチルフェニル基、イソブチルフェニル 基、s-ブチルフェニル、t-ブチルフェニル基� �ペンチルフェニル基、イソアミルフェニル� �、ヘキシルフェニル基、ヘプチルフェニル� �、オクチルフェニル基、ノニルフェニル基� �デシルフェニル基、ドデシルフェニル基等� �挙げられる。

 前記Rで表されるアリールオキシ基は、炭素 数が、通常、6~60程度のものであり、好まし� �は7~48のものである。アリールオキシ基とし� ��は、フェノキシ基、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェノキシ基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェノキシ基、1-ナフチルオキシ基� ��2-ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェ� �ルオキシ基等が挙げられ、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェノキシ基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェノキシ基が好ましい。
 前記C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェノキシ基としては、メトキシ フェノキシ基、エトキシフェノキシ基、プロ ピルオキシフェノキシ基、イソプロピルオキ シフェノキシ基、ブトキシフェノキシ基、イ ソブトキシフェノキシ基、s-ブトキシフェノ� ��シ基、t-ブトキシフェノキシ基、ペンチル� �キシフェノキシ基、ヘキシルオキシフェノ� �シ基、シクロヘキシルオキシフェノキシ基� �ヘプチルオキシフェノキシ基、オクチルオ� �シフェノキシ基、2-エチルヘキシルオキシフ ェノキシ基、ノニルオキシフェノキシ基、デ シルオキシフェノキシ基、3,7-ジメチルオク� �ルオキシフェノキシ基、ラウリルオキシフ� �ノキシ基等が挙げられる。
 前記C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェノキシ基としては、メチルフェ ノキシ基、エチルフェノキシ基、ジメチルフ ェノキシ基、プロピルフェノキシ基、1,3,5-ト リメチルフェノキシ基、メチルエチルフェノ キシ基、イソプロピルフェノキシ基、ブチル フェノキシ基、イソブチルフェノキシ基、s-� ��チルフェノキシ基、t-ブチルフェノキシ基� �ペンチルフェノキシ基、イソアミルフェノ� �シ基、ヘキシルフェノキシ基、ヘプチルフ� �ノキシ基、オクチルフェノキシ基、ノニル� �ェノキシ基、デシルフェノキシ基、ドデシ� �フェノキシ基等が挙げられる。

 前記Rで表されるアリールチオ基は、炭素数 が、通常、6~60程度のものであり、好ましく� �7~48のものである。アリールチオ基としては� ��フェニルチオ基、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニルチオ基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニルチオ基、1-ナフチルチオ基� ��2-ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニ� �チオ基等が挙げられ、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニルチオ基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニルチオ基が好ましい。

 前記Rで表されるアリールアルキル基は、炭 素数が、通常、7~60程度のものであり、好ま� �くは7~48のものである。アリールアルキル基� ��しては、フェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキル基、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキル基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキル基、1-ナフチル-C ₁ ~C ₁₂ アルキル基、2-ナフチル-C ₁ ~C ₁₂ アルキル基等が挙げられ、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキル基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキル基が好ましい。

 前記Rで表されるアリールアルコキシ基は、 炭素数が、通常、7~60程度のものであり、好� �しくは7~48のものである。アリールアルコキ� ��基としては、フェニルメトキシ基、フェニ� ��エトキシ基、フェニルブトキシ基、フェニ� ��ペンチロキシ基、フェニルヘキシロキシ基� ��フェニルヘプチロキシ基、フェニルオクチ� ��キシ基等のフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルコキシ基、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルコキシ基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルコキシ基、1-ナフチル-C ₁ ~C ₁₂ アルコキシ基、2-ナフチル-C ₁ ~C ₁₂ アルコキシ基等が挙げられ、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルコキシ基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルコキシ基が好ましい。

 前記Rで表されるアリールアルキルチオ基は 、炭素数が、通常、7~60程度のものであり、� �ましくは7~48のものである。アリールアルキ� ��チオ基としては、フェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルチオ基、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルチオ基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルチオ基、1-ナフチル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルチオ基、2-ナフチル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルチオ基等が挙げられ、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルチオ基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルチオ基が好ましい。

 前記Rで表されるアシル基は、炭素数が、 通常、2~20程度のものであり、好ましくは2~18� ��ものである。アシル基としては、アセチル� ��、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチ� ��ル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリ� ��ルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾ� ��ル基等が挙げられる。

 前記Rで表されるアシルオキシ基は、炭素 数が、通常、2~20程度のものであり、好まし� �は2~18のものである。アシルオキシ基として� ��、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、� ��チリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、� ��バロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、� ��リフルオロアセチルオキシ基、ペンタフル� ��ロベンゾイルオキシ基等が挙げられる。

 前記Rで表されるアミド基は、炭素数が、 通常、2~20程度のものであり、好ましくは2~18� ��ものである。アミド基としては、ホルムア� ��ド基、アセトアミド基、プロピオアミド基� ��ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフ� ��オロアセトアミド基、ペンタフルオロベン� ��アミド基、ジホルムアミド基、ジアセトア� ��ド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミ� ��基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロア� ��トアミド基、ジペンタフルオロベンズアミ� ��基等が挙げられる。

 前記Rで表される酸イミド基とは、酸イミド からその窒素原子に結合した水素原子を1個� �いて得られる1価の残基を意味する。この酸� ��ミド基は、炭素数が、通常、2~60程度のもの であり、好ましくは2~48のものである。酸イ� �ド基としては、以下の構造式で示される基� �が挙げられる。
(式中、窒素原子から延びた線は結合手を表� �、Meはメチル基、Etはエチル基、n-Prはn-プロ� ��ル基を表す。以下、同様である。)

 前記Rで表されるイミン残基とは、イミン化 合物(即ち、分子内に-N=C-を持つ有機化合物で ある。その例としては、アルジミン、ケチミ ン、及びこれらの分子中の窒素原子に結合し た水素原子が、アルキル基等で置換された化 合物等が挙げられる。)から水素原子1個を除� ��た1価の残基を意味する。このイミン残基は 、通常炭素数2~20程度であり、好ましくは2~18� ��ある。具体的には、以下の構造式で示され� ��基等が挙げられる。
(式中、i-Prはイソプロピル基、n-Buはn-ブチル� ��、t-Buはt-ブチル基を表す。波線で示した結� ��は、「楔形で表される結合」及び/又は「破 線で表される結合」であることを意味する。 ここで、「楔形で表される結合」とは、紙面 からこちら側に向かって出ている結合を意味 し、「破線で表される結合」とは、紙面の向 こう側に出ている結合を意味する。)

 前記Rで表される置換アミノ基は、アルキル 基、アリール基、アリールアルキル基及び1� �の複素環基からなる群から選ばれる1個又は2 個の基で置換されたアミノ基を意味する。該 アルキル基、アリール基、アリールアルキル 基又は1価の複素環基は、置換基を有してい� �もよい。置換アミノ基の炭素数は、該置換� �の炭素数を含めないで、通常、1~60程度であ� ��、好ましくは2~48である。置換アミノ基とし ては、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、 エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピ ルアミノ基、ジプロピルアミノ基、イソプロ ピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブ チルアミノ基、イソブチルアミノ基、s-ブチ� ��アミノ基、t-ブチルアミノ基、ペンチルア� �ノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシル� �ミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミ� �基、2-エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミ ノ基、デシルアミノ基、3,7-ジメチルオクチ� �アミノ基、ラウリルアミノ基、シクロペン� �ルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、� �クロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシル� �ミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基、ジ� �リフルオロメチルアミノ基フェニルアミノ� �、ジフェニルアミノ基、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニルアミノ基、ジ(C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル)アミノ基、ジ(C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル)アミノ基、1-ナフチルアミ ノ基、2-ナフチルアミノ基、ペンタフルオロ� ��ェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリ� ��ジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピ� ��ジルアミノ基、トリアジルアミノ基フェニ� ��-C ₁ ~C ₁₂ アルキルアミノ基、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルアミノ基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルアミノ基、ジ(C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキル)アミノ基、ジ(C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキル)アミノ基、1-ナフチル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルアミノ基、2-ナフチル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルアミノ基等が挙げられる。

 前記Rで表される置換シリル基は、アルキル 基、アリール基、アリールアルキル基及び1� �の複素環基からなる群から選ばれる1、2又は 3個の基で置換されたシリル基を意味する。� �換シリル基の炭素数は、通常、1~60程度であ� ��、好ましくは3~48である。なお、該アルキル 基、アリール基、アリールアルキル基又は1� �の複素環基は置換基を有していてもよい。� �換シリル基としては、トリメチルシリル基� �トリエチルシリル基、トリプロピルシリル� �、トリイソプロピルシリル基、ジメチルイ� �プロピルシリル基、ジエチルイソプロピル� �リル基、t-ブチルジメチルシリル基、ペンチ ルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリ ル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチル ジメチルシリル基、2-エチルヘキシル-ジメチ ルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシ ルジメチルシリル基、3,7-ジメチルオクチル-� ��メチルシリル基、ラウリルジメチルシリル� ��、フェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルシリル基、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルシリル基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルシリル基、1-ナフチル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルシリル基、2-ナフチル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルシリル基、フェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルジメチルシリル基、トリフェニルシ リル基、トリ-p-キシリルシリル基、トリベン ジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、 t-ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェ� ��ルシリル基等が挙げられる。

 前記Rで表される置換シリルオキシ基は、ア ルコキシ基、アリールオキシ基、アリールア ルコキシ基及び1価の複素環オキシ基からな� �群から選ばれる1、2又は3個の基で置換され� �シリルオキシ基を意味する。置換シリルオ� �シ基の炭素数は、通常、1~60程度であり、好� ��しくは3~48である。該アルコキシ基、アリー ルオキシ基、アリールアルコキシ基又は1価� �複素環オキシ基は置換基を有していてもよ� �。置換シリルオキシ基としては、トリメチ� �シリルオキシ基、トリエチルシリルオキシ� �、トリプロピルシリルオキシ基、トリイソ� �ロピルシリルオキシ基、ジメチルイソプロ� �ルシリルオキシ基、ジエチルイソプロピル� �リルオキシ基、t-ブチルジメチルシリルオキ シ基、ペンチルジメチルシリルオキシ基、ヘ キシルジメチルシリルオキシ基、ヘプチルジ メチルシリルオキシ基、オクチルジメチルシ リルオキシ基、2-エチルヘキシル-ジメチルシ リルオキシ基、ノニルジメチルシリルオキシ 基、デシルジメチルシリルオキシ基、3,7-ジ� �チルオクチル-ジメチルシリルオキシ基、ラ� ��リルジメチルシリルオキシ基、フェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルシリルオキシ基、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルシリルオキシ基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルシリルオキシ基、1-ナフチル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルシリルオキシ基、2-ナフチル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルシリルオキシ基、フェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルジメチルシリルオキシ基、トリフェ ニルシリルオキシ基、トリ-p-キシリルシリル オキシ基、トリベンジルシリルオキシ基、ジ フェニルメチルシリルオキシ基、t-ブチルジ� ��ェニルシリルオキシ基、ジメチルフェニル� ��リルオキシ基等が挙げられる。

 前記Rで表される置換シリルチオ基は、アル キルチオ基、アリールチオ基、アリールアル キルチオ基及び1価の複素環チオ基からなる� �から選ばれる1、2又は3個の基で置換された� �リルチオ基を意味する。置換シリルチオ基� �炭素数は、通常、1~60程度であり、好ましく� ��3~48である。該アルコキシ基、アリールチオ 基、アリールアルキルチオ基又は1価の複素� �チオ基は置換基を有していてもよい。置換� �リルチオ基としては、トリメチルシリルチ� �基、トリエチルシリルチオ基、トリプロピ� �シリルチオ基、トリイソプロピルシリルチ� �基、ジメチルイソプロピルシリルチオ基、� �エチルイソプロピルシリルチオ基、t-ブチル ジメチルシリルチオ基、ペンチルジメチルシ リルチオ基、ヘキシルジメチルシリルチオ基 、ヘプチルジメチルシリルチオ基、オクチル ジメチルシリルチオ基、2-エチルヘキシル-ジ メチルシリルチオ基、ノニルジメチルシリル チオ基、デシルジメチルシリルチオ基、3,7-� �メチルオクチル-ジメチルシリルチオ基、ラ� ��リルジメチルシリルチオ基、フェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルシリルチオ基、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルシリルチオ基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルシリルチオ基、1-ナフチル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルシリルチオ基、2-ナフチル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルシリルチオ基、フェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルジメチルシリルチオ基、トリフェニ ルシリルチオ基、トリ-p-キシリルシリルチオ 基、トリベンジルシリルチオ基、ジフェニル メチルシリルチオ基、t-ブチルジフェニルシ� ��ルチオ基、ジメチルフェニルシリルチオ基� ��が挙げられる。

 前記Rで表される置換シリルアミノ基は、ア ルキルアミノ基、アリールアミノ基、アリー ルアルキルアミノ基及び1価の複素環アミノ� �からなる群から選ばれる1、2又は3個の基で� �換されたシリルアミノ基を意味する。置換� �リルアミノ基の炭素数は、通常、1~60程度で� ��り、好ましくは3~48である。該アルコキシ基 、アリールアミノ基、アリールアルキルアミ ノ基又は1価の複素環アミノ基は置換基を有� �ていてもよい。置換シリルアミノ基として� �、トリメチルシリルアミノ基、トリエチル� �リルアミノ基、トリプロピルシリルアミノ� �、トリイソプロピルシリルアミノ基、ジメ� �ルイソプロピルシリルアミノ基、ジエチル� �ソプロピルシリルアミノ基、t-ブチルジメチ ルシリルアミノ基、ペンチルジメチルシリル アミノ基、ヘキシルジメチルシリルアミノ基 、ヘプチルジメチルシリルアミノ基、オクチ ルジメチルシリルアミノ基、2-エチルヘキシ� ��-ジメチルシリルアミノ基、ノニルジメチル シリルアミノ基、デシルジメチルシリルアミ ノ基、3,7-ジメチルオクチル-ジメチルシリル� ��ミノ基、ラウリルジメチルシリルアミノ基� ��フェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルシリルオキシ基、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルシリルアミノ基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルシリルアミノ基、1-ナフチル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルシリルアミノ基、2-ナフチル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルシリルアミノ基、フェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルキルジメチルシリルアミノ基、トリフェ ニルシリルアミノ基、トリ-p-キシリルシリル アミノ基、トリベンジルシリルアミノ基、ジ フェニルメチルシリルアミノ基、t-ブチルジ� ��ェニルシリルオアミノ基、ジメチルフェニ� ��シリルアミノ基等が挙げられる。

 前記Rで表される1価の複素環基は、複素環� �化合物から水素原子1個を除いた残りの原子� ��を意味する。1価の複素環基の炭素数は、通 常、3~60程度であり、好ましくは3~20である。� ��お、1価の複素環基の炭素数には、置換基の 炭素数は含まれない。ここで、複素環式化合 物とは、環式構造を持つ有機化合物のうち、 環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸 素、硫黄、窒素、燐、硼素等のヘテロ原子を 環内に含むものをいう。1価の複素環基とし� �は、チエニル基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基 、ピリジル基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルピリジル基、ピペリジル基、キノリ ル基、イソキノリル基等が例示され、チエニ ル基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルチエニル基、ピリジル基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルピリジル基が好ましい。また、1価� �複素環基は、1価の芳香族複素環基であるこ� ��が好ましい。

 前記Rで表されるヘテロアリールオキシ基は 、炭素数が、通常、6~60程度のものであり、� �ましくは7~48のものである。ヘテロアリール� ��キシ基としては、チエニル基、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシチエニル基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルチエニル基、ピリジルオキシ基、ピ リジルオキシ基、イソキノリルオキシ基等が 挙げられ、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシピリジル基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルピリジル基が好ましい。
 前記C ₁ ~C ₁₂ アルコキシピリジル基としては、メトキシピ リジル基、エトキシピリジル基、プロピルオ キシピリジル基、イソプロピルオキシピリジ ル基、ブトキシピリジル基、イソブトキシピ リジル基、s-ブトキシピリジル基、t-ブトキ� �ピリジル基、ペンチルオキシピリジル基、� �キシルオキシピリジル基、シクロヘキシル� �キシピリジル基、ヘプチルオキシピリジル� �、オクチルオキシピリジル基、2-エチルヘキ シルオキシピリジル基、ノニルオキシピリジ ル基、デシルオキシピリジル基、3,7-ジメチ� �オクチルオキシピリジル基、ラウリルオキ� �ピリジル基等が挙げられる。
 前記C ₁ ~C ₁₂ アルキルピリジルオキシ基としては、メチル ピリジルオキシ基、エチルピリジルオキシ基 、ジメチルピリジルオキシ基、プロピルピリ ジルオキシ基、1,3,5-トリメチルピリジルオキ シ基、メチルエチルピリジルオキシ基、イソ プロピルピリジルオキシ基、ブチルピリジル オキシ基、イソブチルピリジルオキシ基、s-� ��チルピリジルオキシ基、t-ブチルピリジル� �キシ基、ペンチルピリジルオキシ基、イソ� �ミルピリジルオキシ基、ヘキシルピリジル� �キシ基、ヘプチルピリジルオキシ基、オク� �ルピリジルオキシ基、ノニルピリジルオキ� �基、デシルピリジルオキシ基、ドデシルピ� �ジルオキシ基等が挙げられる。

 前記Rで表されるヘテロアリールチオ基は、 炭素数が、通常、6~60程度のものであり、好� �しくは7~48のものである。ヘテロアリールチ� ��基としては、ピリジルチオ基、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシピリジルチオ基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルピリジルチオ基、イソキノリルチオ 基等が挙げられ、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシピリジルチオ基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルピリジルチオ基が好ましい。

 前記Rで表されるアリールアルケニル基は、 炭素数が、通常、8~60程度のものであり、好� �しくは8~48のものである。アリールアルケニ� ��基としては、フェニル-C ₂ ~C ₁₂ アルケニル基(「C ₂ ~C ₁₂ アルケニル」は、アルケニル部分の炭素数が 2~12であることを意味する。以下、同様であ� �。)、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル-C ₂ ~C ₁₂ アルケニル基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル-C ₂ ~C ₁₂ アルケニル基、1-ナフチル-C ₂ ~C ₁₂ アルケニル基、2-ナフチル-C ₂ ~C ₁₂ アルケニル基等が挙げられ、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル-C ₂ ~C ₁₂ アルケニル基、C ₂ ~C ₁₂ アルキルフェニル-C ₁ ~C ₁₂ アルケニル基が好ましい。

 前記Rで表されるアリールアルキニル基は、 炭素数が、通常、8~60程度のものであり、好� �しくは8~48のものである。アリールアルキニ� ��基としては、フェニル-C ₂ ~C ₁₂ アルキニル基(「C ₂ ~C ₁₂ アルキニル」は、アルキニル部分の炭素数が 2~12であることを意味する。以下、同様であ� �。)、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル-C ₂ ~C ₁₂ アルキニル基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル-C ₂ ~C ₁₂ アルキニル基、1-ナフチル-C ₂ ~C ₁₂ アルキニル基、2-ナフチル-C ₂ ~C ₁₂ アルキニル基等が挙げられ、C ₁ ~C ₁₂ アルコキシフェニル-C ₂ ~C ₁₂ アルキニル基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル-C ₂ ~C ₁₂ アルキニル基が好ましい。

 前記Rで表される置換カルボキシル基は、 炭素数が、通常、2~60程度のものであり、好� �しくは2~48のものであり、アルキル基、アリ� ��ル基、アリールアルキル基又は1価の複素環 基で置換されたカルボキシル基を意味する。 置換カルボキシル基としては、メトキシカル ボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキ シカルボニル基、イソプロポキシカルボニル 基、ブトキシカルボニル基、イソブトキシカ ルボニル基、s-ブトキシカルボニル基、t-ブ� �キシカルボニル基、ペンチルオキシカルボ� �ル基、ヘキシロキシカルボニル基、シクロ� �キシロキシカルボニル基、ヘプチルオキシ� �ルボニル基、オクチルオキシカルボニル基� �2-エチルヘキシロキシカルボニル基、ノニル オキシカルボニル基、デシロキシカルボニル 基、3,7-ジメチルオクチルオキシカルボニル� �、ドデシルオキシカルボニル基、トリフル� �ロメトキシカルボニル基、ペンタフルオロ� �トキシカルボニル基、パーフルオロブトキ� �カルボニル基、パーフルオロヘキシルオキ� �カルボニル基、パーフルオロオクチルオキ� �カルボニル基、ピリジルオキシカルボニル� �、ナフトキシカルボニル基、ピリジルオキ� �カルボニル基等が挙げられる。該アルキル� �、アリール基、アリールアルキル基又は1価� ��複素環基は、置換基を有していてもよい。� ��換カルボキシル基の炭素数には、該置換基� ��炭素数は含まれない。

 前記モノアニオン性の2座配位子としては、 前記式(3)におけるR ^x とR ^y とを結ぶ円弧の部分は水素原子以外の原子数 が3~30の2価の基であることが好ましく、例え� ��、以下の構造が挙げられる。
(式中、*は金属原子Mと結合する部位を示す。 )

 前記金属錯体としては、以下に示すものが� ��げられる。

 前記金属錯体M-1~M-51のうち、代表的な金� �錯体のLUMOのエネルギーレベルの絶対値を列� ��すると、金属錯体M-1は1.62eV、金属錯体M-3は1 .92eV、金属錯体M-7は2.08eV、金属錯体M-16は2.05eV 、金属錯体M-51は2.46eVである。

 前記金属錯体としては、安定した高効率� ��光の観点から、禁制遷移を解きやすい三重� ��励起状態の寿命が短い金属錯体が好ましい� ��

 なお、前記金属錯体は、一種単独で用い� ��も二種以上を併用してもよい。

 次に、前記金属錯体の製造方法を説明する� ��
 前記金属錯体は、例えば、配位子となる化� ��物と金属化合物とを溶液中で反応させるこ� ��により合成することができる。必要に応じ� ��、反応系中に塩基、銀塩化合物等が存在し� ��いてもよい。また、2-フェニルピリジン誘� �体を配位子に有する金属錯体とヘテロ環芳� �族化合物とのカップリング反応により、前� �金属錯体を合成することができる。

 錯体化の方法(即ち、配位子となる化合物 と金属化合物とを溶液中で反応させる方法)� �しては、イリジウム錯体の場合、J. Am. Chem.  Soc. 1984, 106, 6647 ;Inorg. Chem. 1991, 30, 1685; Inorg. Chem. 1994, 33, 545;Inorg. Chem. 2001, 40, 17 04;Chem.Lett., 2003, 32, 252等に記載の方法が例� �され、白金錯体の場合、Inorg.Chem.,1984, 23, 42 49;Chem. Mater. 1999, 11, 3709;Organometallics, 1999,  18, 1801等に記載の方法が挙げられ、パラジウ ム錯体の場合、J.Org.Chem.,1987, 52, 73等に記載� ��方法が挙げられる。

 錯体化の反応温度は、通常、溶媒の融点� ��ら沸点の間で反応させることができ、-78℃~ 溶媒の沸点が好ましい。反応時間は、通常、 30分間から30時間程度である。但し、錯体化� �応においてマイクロウェーブ反応装置を使� �する場合、溶媒の沸点以上で反応させるこ� �もでき、反応時間は数分から数時間程度で� �る。

 前記配位子となる化合物は、例えば、2-� �ェニルピリジン誘導体とヘテロ環芳香族化� �物とのSuzukiカップリング、Grignardカップリン グ、Stilleカップリング等により合成すること ができる。必要に応じて有機溶媒に溶解し、 例えば、アルカリ、適切な触媒等を用い、有 機溶媒の融点以上沸点以下の温度で反応させ ることにより合成することができる。この合 成には、例えば、“オルガニック シンセシ� ��(Organic Syntheses)”、コレクティブ第6巻(Collec tive Volume VI)、407-411頁、ジョンワイリー ア� ��ド サンズ(John Wiley&Sons, Inc.)、1988年;ケ� ��カル レビュー(Chem. Rev.)、第106巻、2651頁(20 06年);ケミカル レビュー(Chem. Rev.)、第102巻� �1359頁(2002年);ケミカル レビュー(Chem.Rev.)、� �95巻、2457頁(1995年);ジャーナル オブ オルガ ノメタリック ケミストリー(J.Organomet.Chem.)、 第576巻、147頁(1999年)等に記載の方法を用いる ことができる。

 前記ヘテロ環芳香族化合物は、“HOUBEN-WEYL  METHODS OF ORGANIC CHEMISTRY 4 ^TH  EDITION”, 第E9b巻、1頁、GEORG THIEME VERLAG STU TTGART;HOUBEN-WEYL METHODS OF ORGANIC CHEMISTRY 4 ^TH  EDITION, 第E9c巻、667頁、GEORG THIEME VERLAG STUT TGART等に記載の方法で合成することができる� ��

 -有機化合物-
 前記有機化合物は、低分子化合物であって� ��高分子化合物であってもよいが、発光素子� ��用いた時に発光効率や寿命等の素子特性や� ��膜性の観点から、ポリスチレン換算の数平� ��分子量が2×10 ³ 以上であることが好ましく、2×10 ³ ~1×10 ⁸ であることがより好ましく、1×10 ⁴ ~1×10 ⁶ であることが特に好ましい。なお、本明細書 において、ポリスチレン換算の数平均分子量 が2×10 ³ 以上の化合物を高分子化合物といい、他方、 単一の組成からなるものを低分子化合物(通� �、数平均分子量は2×10 ³ 未満である。)という。また、前記有機化合� �はデンドリマーやオリゴマー等の、低分子� �合物と高分子化合物との中間的な構造であ� �ものであってもよい。

 前記有機化合物としては、例えば、トリ� ��ゾール誘導体、オキサゾール誘導体、イミ� ��ゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、� ��ルオレノン誘導体、アントラキノジメタン� ��導体、トリアジン誘導体、ピリミジン誘導� ��、ピリジン誘導体、及びそれらの残基を有� ��る化合物等が挙げられ、トリアジン誘導体� ��ピリミジン誘導体が好ましい。

 前記有機化合物としては、より一層の駆動� ��圧の低減の観点から、下記式(A’):
(式中、Ar ^y1 、Ar ^y2 及びAr ^y3 はそれぞれ独立に、アリール基又は1価の複� �環基を表す。Z ⁶ 、Z ⁷ 及びZ ⁸ はそれぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を 表す。但し、Z ⁶ 、Z ⁷ 及びZ ⁸ の少なくとも2個は、窒素原子である。Z ⁶ 、Z ⁷ 及びZ ⁸ のいずれかが炭素原子である場合には、該炭 素原子に結合する水素原子は置換基により置 換されていてもよい。)で表される化合物、� �はその残基を有する化合物であることが好� �しく、下記式(A):
(式中、Ar ^x1 及びAr ^x2 はアリーレン基又は2価の複素環基を表す。Ar ^y3 及びZ ⁶ ~Z ⁸ は前記と同じ意味を有する。)
で表される2価の基を有する化合物であるこ� �がより好ましく、前記式(A)で表される2価の� ��を有する化合物が前記式(A)で表される2価の 基を繰り返し単位として有する高分子化合物 であることが特に好ましく、これらにおいて Z ⁶ 、Z ⁷ 及びZ ⁸ が窒素原子である化合物であることがとりわ け好ましい。

 前記式(A)中、Ar ^x1 及びAr ^x2 で表されるアリーレン基としては、フェニレ ン基(例えば、下式1~3)、ナフタレンジイル基( 例えば、下式4~13)、アントラセン-ジイル基(� �えば、下式14~19)、ビフェニル-ジイル基(例え ば、下式20~25)、ターフェニル-ジイル基(例え� ��、下式26~28)、縮合環化合物基(例えば、下式 29~35)、フルオレン-ジイル基(例えば、下式36~3 8)、スチルベン-ジイル基(下式39~42)、ジスチ� �ベン-ジイル基(例えば、下式43、44)、ベンゾ� ��ルオレン-ジイル基(例えば、下式A-1~A-3)、ジ ベンゾフルオレン-ジイル基(例えば、下式A-4) 等が例示される。

(式中、Rは、前記と同じ意味を有する。R ³ は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、 アルキルチオ基、アミノ基、置換アミノ基、 シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、ア シル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミ ド基、酸イミド基、1価の複素環基、カルボ� �シル基、置換カルボキシル基、ニトロ基、� �アノ基を表す。複数あるR及びR ³ は、各々、同一であっても異なっていてもよ い。)

 前記式(A)中、Ar ^y3 で表されるアリール基は、前記Rで表される� �リール基の項で説明し例示したものと同じ� �ある。

 Ar ^x1 及びAr ^x2 で表される2価の複素環基としては、例えば� �ピリジンジイル基(例えば、下式45~50)、ジア� ��フェニレン基(例えば、下式51~54)、キノリン ジイル基(例えば、下式55~69)、キノキサリン� �イル基(例えば、下式70~74)、アクリジンジイ� ��基(例えば、下式75~78)、ビピリジルジイル基 (例えば、下式79~81)、フェナントロリンジイ� �基(例えば、下式82~84)、カルバゾール構造を� ��する基(例えば、下式85~87)等の、ヘテロ原子 として窒素を含む2価の複素環基;ヘテロ原子� ��して酸素、けい素、窒素、硫黄、セレン等� ��含む5員環複素環基(例えば、下式88~92);ヘテ� ��原子として酸素、けい素、窒素、セレン等� ��含む5員環縮合複素環基(例えば、下式93~103); ヘテロ原子として酸素、けい素、窒素、硫黄 、セレン等を含む5員環複素環基でそのヘテ� �原子のα位で結合し2量体やオリゴマーにな� �ている基(例えば、下式104~105);ヘテロ原子と� ��て酸素、けい素、窒素、硫黄、セレン等を� ��む5員環複素環基でそのヘテロ原子のα位で� ��ェニル基に結合している基(例えば、下式106 ~112);ヘテロ原子として酸素、窒素、硫黄等を 含む5員環縮合複素環基にフェニル基やフリ� �基、チエニル基が置換した基(例えば、下式1 13~118)等が挙げられる。

(式中、Rは、前記と同様である。)

 Ar ^y3 で表される1価の複素環基は、前記Rで表され� ��1価の複素環基として説明し例示したものと 同じである。

 前記式(A’)中、Ar ^y1 及びAr ^y2 で表されるアリール基は、前記Ar ^x1 及びAr ^x2 で表されるアリーレン基として説明し例示し たものにおいて、2本の結合手のうち1本がRに 置き換わったものと同様である。

 前記式(A’)中、Ar ^y3 で表されるアリール基は、前記Rで表される� �リール基として説明し例示したものと同じ� �ある。

 前記式(A’)中、Ar ^y1 及びAr ^y2 で表される1価の複素環基は、前記Ar ^x1 及びAr ^x2 で表される2価の複素環基として説明し例示� �たものにおいて、2本の結合手のうち1本がR� �置き換わったものと同様である。

 前記式(A’)中、Ar ^y3 で表される1価の複素環基は、前記Rで表され� ��1価の複素環基として説明し例示したものと 同じである。

 前記式(A)及び(A’)中、Ar ^x1 ~Ar ^x3 、Ar ^y1 ~Ar ^y3 で表される基が有してもよい置換基としては 、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ 基、アリール基、アリールオキシ基、アリー ルチオ基、アリールアルキル基、アリールア ルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリ ールアルケニル基、アリールアルキニル基、 アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シ リル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオ キシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基 、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カ� �ボキシル基、シアノ基及びニトロ基が挙げ� �れる。これらの置換基は、前記Rで表される� ��、原子として説明し例示したものと同じで� ��る。

 前記式(A)で表される2価の基としては、以下 のものが挙げられる。

 前記有機化合物が高分子化合物である場� ��、薄膜にした時の電荷輸送性、発光素子に� ��いた時に発光効率や寿命等の素子特性の観� ��から、共役系高分子が好ましい。ここで、� ��役系高分子とは、ポリマーの主鎖骨格に沿� ��て非局在π電子対が存在している高分子化� �物を意味する。この非局在電子としては、2� ��結合のかわりに不対電子又は孤立電子対が� ��鳴に加わる場合もある。

 前記有機化合物が高分子化合物である場合� ��発光特性や電荷輸送特性を損なわない範囲� ��、非共役の単位で連結されていてもよいし� ��繰り返し単位にそれらの非共役部分が含ま� ��ていてもよい。非共役な結合構造としては� ��以下に示す式で表される構造、及び以下に� ��す式で表される構造のうち2個以上を組み合 わせた構造が挙げられる。なお、以下に示す 式中、Rは、前記と同じ意味を有する。Arは芳 香族炭化水素環又は複素環を表す。

 前記有機化合物が高分子化合物である場� ��、ランダム共重合体、ブロック共重合体又� ��グラフト共重合体であってもよいし、それ� ��の中間的な構造を有する高分子、例えば、� ��ロック性を帯びたランダム共重合体であっ� ��もよい。蛍光又はりん光の量子収率の高い� ��分子発光体を得る観点からは完全なランダ� ��共重合体より、ブロック性を帯びたランダ� ��共重合体、ブロック共重合体、又はグラフ� ��共重合体が好ましい。さらに、前記有機化� ��物には、主鎖に枝分かれがあり、末端部が3 つ以上あるものやデンドリマーも含まれる。

 前記式(A)で表される2価の基を繰り返し単位 として有する高分子化合物は、さらに、下記 式(B):
  -(Ar ² )-   (B)
(式中、Ar ² は、置換基を有していてもよいアリーレン基 、又は置換基を有していてもよい2価の複素� �基を表す。)
で表される繰り返し単位を有していてもよい 。

 前記式(B)中、Ar ² で表される置換基を有していてもよいアリー レン基としては、置換基を有していてもよい フェニレン基又は置換基を有していてもよい ナフチレン基、下記式(3a)で表される基が挙� �られる。
(式中、P環及びQ環はそれぞれ独立に芳香環を 示すが、P環は存在してもしなくてもよい。2� ��の結合手は、P環が存在する場合には、それ ぞれ、P環又はQ環上に存在し、P環が存在しな い場合には、それぞれ、Y ¹ を含む5員環若しくは6員環、又はQ環上に存在 する。P環、Q環、及びY ¹ を含む5員環若しくは6員環は、それぞれ独立� ��、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチ� ��基、アリール基、アリールオキシ基、アリ� ��ルチオ基、アリールアルキル基、アリール� ��ルコキシ基、アリールアルキルチオ基、ア� ��ールアルケニル基、アリールアルキニル基� ��アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換� ��リル基、ハロゲン原子、アシル基、アシル� ��キシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド� ��、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カ ルボキシル基及びシアノ基からなる群から選 ばれる少なくとも一種の置換基を有していて もよい。Y ¹ は、-C(R ¹¹ )(R ¹² )-、-C(R ¹⁴ )(R ¹⁵ )-C(R ¹⁶ )(R ¹⁷ )-又は-C(R ³² )=C(R ³³ )-を表す。R ¹¹ 、R ¹² 、R ¹⁴ ~R ¹⁷ 、R ³² 及びR ³³ は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基 、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール 基、アリールオキシ基、アリールチオ基、ア リールアルキル基、アリールアルコキシ基、 アリールアルキルチオ基、アリールアルケニ ル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置 換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリ ルオキシ基、置換シリルオキシ基、1価の複� �環基又はハロゲン原子を表す。)

 前記式(3a)中、P環、Q環、及びY ¹ を含む5員環又は6員環が有していてもよい置� ��基であるアルキル基、アルコキシ基、アル� ��ルチオ基、アリール基、アリールオキシ基� ��アリールチオ基、アリールアルキル基、ア� ��ールアルコキシ基、アリールアルキルチオ� ��、アリールアルケニル基、アリールアルキ� ��ル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基� ��置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、� ��シルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸� ��ミド基、1価の複素環基、カルボキシル基、 置換カルボキシル基及びシアノ基は、前記R� �表される基、原子として説明し例示したも� �と同じである。

 前記式(3a)中、R ¹¹ 、R ¹² 、R ¹⁴ ~R ¹⁷ 、R ³² 及びR ³³ で表されるアルキル基、アルコキシ基、アル キルチオ基、アリール基、アリールオキシ基 、アリールチオ基、アリールアルキル基、ア リールアルコキシ基、アリールアルキルチオ 基、アリールアルケニル基、アリールアルキ ニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基 、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリ ルオキシ基、1価の複素環基及びハロゲン原� �は、前記Rで表される基、原子として説明し� ��示したものと同じである。

 前記式(B)中、Ar ² で表される2価の複素環基とは、複素環式化� �物から水素原子2個を除いた残りの原子団を� ��い、該基は置換基を有していてもよい。前� ��複素環式化合物とは、環式構造を持つ有機� ��合物のうち、環を構成する元素が炭素原子� ��けでなく、酸素原子、窒素原子、ケイ素原� ��、ゲルマニウム原子、スズ原子、リン原子� ��ホウ素原子、硫黄原子、セレン原子及びテ� ��ル原子からなる群から選ばれる原子を一種� ��上有するものをいう。また、2価の複素環基 は、2価の芳香族複素環基であることが好ま� �い。2価の複素環基の置換基を除いた部分の� ��素数は、通常、3~60程度である。2価の複素� �基の置換基を含めた全炭素数は、通常、3~100 程度である。

 前記式(B)中、Ar ² で表される2価の複素環基としては、下記式(3 b):
(式中、P’環及びQ’環はそれぞれ独立に芳香 環を示すが、P’環は存在してもしなくても� �い。2本の結合手は、P’環が存在する場合に は、それぞれ、P’環又はQ’環上に存在し、P ’環が存在しない場合には、それぞれ、Y ² を含む5員環若しくは6員環、又はQ’環上に存 在する。P’環、Q’環及びY ² を含む5員環若しくは6員環は、それぞれ独立� ��、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチ� ��基、アリール基、アリールオキシ基、アリ� ��ルチオ基、アリールアルキル基、アリール� ��ルコキシ基、アリールアルキルチオ基、ア� ��ールアルケニル基、アリールアルキニル基� ��アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換� ��リル基、ハロゲン原子、アシル基、アシル� ��キシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド� ��、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カ ルボキシル基及びシアノ基からなる群から選 ばれる少なくとも一種の置換基を有していて もよい。Y ² は、-O-、-S-、-Se-、-B(R ⁶ )-、-Si(R ⁷ )(R ⁸ )-、-P(R ⁹ )-、-PR ¹⁰ (=O)-、-N(R ¹³ )-、-O-C(R ¹⁸ )(R ¹⁹ )-、-S-C(R ²⁰ )(R ²¹ )-、-N-C(R ²² )(R ²³ )-、-Si(R ²⁴ )(R ²⁵ )-C(R ²⁶ )(R ²⁷ )-、-Si(R ²⁸ )(R ²⁹ )-Si(R ³⁰ )(R ³¹ )-、-N=C(R ³⁴ )-又は-Si(R ³⁵ )=C(R ³⁶ )-を表す。R ⁶ ~R ¹⁰ 、R ¹³ 、R ¹⁸ ~R ³¹ 及びR ³⁴ ~R ³⁶ は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基 、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール 基、アリールオキシ基、アリールチオ基、ア リールアルキル基、アリールアルコキシ基、 アリールアルキルチオ基、アリールアルケニ ル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置 換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリ ルオキシ基、置換シリルオキシ基、1価の複� �環基又はハロゲン原子を表す。)
で表される基が挙げられる。

 前記式中、P’環、Q’環及びY ² を含む5員環又は6員環が有してもよい置換基� ��あるアルキル基、アルコキシ基、アルキル� ��オ基、アリール基、アリールオキシ基、ア� ��ールチオ基、アリールアルキル基、アリー� ��アルコキシ基、アリールアルキルチオ基、� ��リールアルケニル基、アリールアルキニル� ��、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置� ��シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシ� ��オキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミ� ��基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換 カルボキシル基及びシアノ基は、前記Rで表� �れる基、原子として説明し例示したものと� �じである。

 前記式中、R ⁶ ~R ¹⁰ 、R ¹³ 、R ¹⁸ ~R ³¹ 及びR ³⁴ ~R ³⁶ で表されるアルキル基、アルコキシ基、アル キルチオ基、アリール基、アリールオキシ基 、アリールチオ基、アリールアルキル基、ア リールアルコキシ基、アリールアルキルチオ 基、アリールアルケニル基、アリールアルキ ニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基 、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリ ルオキシ基、1価の複素環基及びハロゲン原� �は、前記Rで表される基、原子として説明し� ��示したものと同じである。

 前記式(3a)、前記式(3b)で表される基として� �、下記式(3-1)、下記式(3-2)又は下記式(3-3):
(式中、A環、B環及びC環はそれぞれ独立に芳� �環を表す。式(3-1)、(3-2)及び(3-3)は、それぞ� �、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチ� �基、アリール基、アリールオキシ基、アリ� �ルチオ基、アリールアルキル基、アリール� �ルコキシ基、アリールアルキルチオ基、ア� �ールアルケニル基、アリールアルキニル基� �アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換� �リル基、ハロゲン原子、アシル基、アシル� �キシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド� �、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カ� ��ボキシル基及びシアノ基からなる群から選� ��れる置換基を有していてもよい。Yは、前記 と同じ意味を表す。)
で表される基;下記式(3-4)又は下記式(3-5):
(式中、D環、E環、F環及びG環はそれぞれ独立� ��、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチ� ��基、アリール基、アリールオキシ基、アリ� ��ルチオ基、アリールアルキル基、アリール� ��ルコキシ基、アリールアルキルチオ基、ア� ��ールアルケニル基、アリールアルキニル基� ��アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換� ��リル基、ハロゲン原子、アシル基、アシル� ��キシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド� ��、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カ ルボキシル基及びシアノ基からなる群から選 ばれる1個以上の置換基を有していてもよい� �香環を示す。Yは前記と同じ意味を表す。)
で表される基が挙げられ、前記式(3-4)又は前� ��式(3-5)で表される基が好ましい。

 前記式中、Yは、-S-、-O-、-C(R ¹¹ )(R ¹² )-であることが、高発光効率の観点から好ま� ��く、さらに好ましくは-S-、-O-である。ここ� ��、R ¹¹ 、R ¹² は前記と同じ意味を表す。

 前記式(3-1)~(3-5)における芳香環としては� �ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン� �、テトラセン環、ペンタセン環、ピレン環� �フェナントレン環等の芳香族炭化水素環;ピ� ��ジン環、ビピリジン環、フェナントロリン� ��、キノリン環、イソキノリン環、チオフェ� ��環、フラン環、ピロール環等の複素芳香環� ��挙げられる。

 前記式(3-1)~(3-5)で表される基が有しても� �い置換基としては、アルキル基、アルコキ� �基、アルキルチオ基、アリール基、アリー� �オキシ基、アリールチオ基、アリールアル� �ル基、アリールアルコキシ基、アリールア� �キルチオ基、アリールアルケニル基、アリ� �ルアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基� �シリル基、置換シリル基、アシルオキシ基� �イミン残基、アミド基、酸イミド基、1価の� ��素環基、カルボキシル基、置換カルボキシ� ��基が好ましい。

 前記式(3-1)~(3-5)で表される基の中でも、下� �式(C):
(式中、R ¹⁰⁹ 、R ¹¹⁰ 、R ¹¹¹ 、R ¹¹² 、R ¹¹³ 及びR ¹¹⁴ は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原 子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキ ルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、 アリールチオ基、アリールアルキル基、アリ ールアルキルオキシ基、アリールアルキルチ オ基、アルケニル基、アルキニル基、アリー ルアルケニル基、アリールアルキニル基、ア シル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミ ド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリ ル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ 基、置換シリルアミノ基、シアノ基、ニトロ 基、1価の複素環基、ヘテロアリールオキシ� �、ヘテロアリールチオ基、アルキルオキシ� �ルボニル基、アリールオキシカルボニル基� �アリールアルキルオキシカルボニル基、ヘ� �ロアリールオキシカルボニル基又はカルボ� �シル基を表し、R ¹⁰⁹ とR ¹¹⁰ 、及びR ¹¹² とR ¹¹³ は、それぞれ一緒になって環を形成していて もよい。Aは、-O-、-Si(R ²⁴ )(R ²⁵ )-、-C(R ²⁶ )(R ²⁷ )-、-P(R ⁹ )-又は-PR ¹⁰ (=O)-を表す。R ⁹ 、R ¹⁰ 、R ²⁴ ~R ²⁷ は、前記と同じ意味を有する。)
で表される基が好ましい。

 前記式(B)で表される繰り返し単位としては� ��以下の式B-1~B-8で表される繰り返し単位が挙 げられる。

 前記式(A)で表される2価の基を繰り返し単位 として有する高分子化合物は、さらに、2価� �芳香族アミン基を繰り返し単位として有し� �いてもよい。この2価の芳香族アミン基とし� ��は、下記式(5):
(式中、Ar ⁶ 、Ar ⁷ 、Ar ⁸ 及びAr ⁹ はそれぞれ独立に、アリーレン基又は2価の� �素環基を表す。Ar ⁶ 、Ar ⁷ 、及びAr ⁸ は互いに結合して環を形成していてもよい。 Ar ¹⁰ 、Ar ¹¹ 及びAr ¹² はそれぞれ独立に、アリール基又は1価の複� �環基を表す。Ar ⁶ ~Ar ¹² は置換基を有していてもよい。x及びyはそれ� ��れ独立に、0又は1であり、0≦x+y≦1である。 )
で表される繰り返し単位が好ましい。

 前記式(5)中、Ar ⁶ ~Ar ⁹ で表されるアリーレン基、2価の複素環基は� �前記Arで表される2価の複素環基として説明� �例示したものと同じである。

 前記式(5)中、Ar ¹⁰ ~Ar ¹² で表されるアリール基及び1価の複素環基は� �前記Rで表されるアリール基及び1価の複素環 基として説明し例示したものと同じである。

 前記式(5)中、アリーレン基、2価の複素環 基、アリール基及び1価の複素環基が有して� �よい置換基としては、アルキル基、アルコ� �シ基、アルキルチオ基、アリール基、アリ� �ルオキシ基、アリールチオ基、アリールア� �キル基、アリールアルコキシ基、アリール� �ルキルチオ基、アリールアルケニル基、ア� �ールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ� �、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子� �アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、� �ミド基、酸イミド基、1価の複素環基、カル� ��キシル基、置換カルボキシル基、シアノ基� ��びニトロ基が挙げられる。これらの置換基� ��、前記金属錯体を構成する配位子が有して� ��よい置換基として説明し例示したものと同� ��である。

 前記式(5)で表される繰り返し単位としては� ��以下の式C-1~C-11で表される繰り返し単位が� �げられる。

 上記式中、芳香環上の水素原子は独立に� ��炭素原子数1~20のアルキル基、炭素原子数1~2 0のアルコキシ基、炭素原子数7~26のフェニル� ��ルキル基、炭素原子数7~26のフェニルアルコ キシ基、フェニル基、フェノキシ基、炭素原 子数7~26のアルキル基置換フェニル基、炭素� �子数7~26のアルコキシ基置換フェニル基、炭� ��原子数2~21のアルキルカルボニル基、ホルミ ル基、炭素原子数2~21のアルコキシカルボニ� �基、又はカルボキシル基で置換されていて� �よい。また、2個の置換基が存在する場合、� ��れらが互いに結合して環を形成していても� ��い。

 フェニルアルキル基としては、炭素原子� ��が7~26、好ましくは11~21、より好ましくは14~1 8のものが挙げられ、具体的にはフェニルメ� �ル基、フェニルエチル基、フェニルプロピ� �基、フェニルブチル基、フェニルペンチル� �、フェニルヘキシル基、フェニルヘプチル� �、フェニルオクチル基、フェニルノニル基� �フェニルデシル基、フェニルドデシル基等� �挙げられる。

 フェニルアルコキシ基としては、炭素原� ��数が7~26、好ましくは11~21、より好ましくは1 4~18のものが挙げられ、具体的には、フェニ� �メトキシ基、フェニルエトキシ基、フェニ� �プロピルオキシ基、フェニルブトキシ基、� �ェニルペンチルオキシ基、フェニルヘキシ� �オキシ基、フェニルヘプチルオキシ基、フ� �ニルオクチルオキシ基、フェニルノニルオ� �シ基、フェニルデシルオキシ基、フェニル� �デシルオキシ基等が挙げられる。

 アルキル基置換フェニル基とは、フェニ� ��基上の1個以上の水素原子が炭素原子数1~20� �アルキル基で置換された基、即ち、モノア� �キルフェニル基、ジアルキルフェニル基、� �リアルキルフェニル基、テトラアルキルフ� �ニル基、及びペンタアルキルフェニル基を� �う。アルキル基置換フェニル基としては、� �素原子数が7~26、好ましくは11~21、より好ま� �くは14~18のものが挙げられ、具体的には、モ ノ、ジ、トリ、テトラ、又はペンタメチルフ ェニル基;モノ、ジ、トリ、テトラ、又はペ� �タエチルフェニル基;モノ、ジ、トリ、テト� ��、又はペンタプロピルフェニル基;モノ、ジ 、トリ、テトラ、又はペンタイソプロピルフ ェニル基;モノ、ジ、トリ、テトラ、又はペ� �タブチルフェニル基;モノ、ジ、トリ、テト� ��、又はペンタイソブチルフェニル基;モノ、 ジ、トリ、テトラ、又はペンタ-s-ブチルフェ ニル基;モノ、ジ、トリ、テトラ、又はペン� �-t-ブチルフェニル基;モノ、ジ、トリ、テト� ��、又はペンタペンチルフェニル基;モノ、ジ 、トリ、テトラ、又はペンタイソアミルフェ ニル基;モノ、ジ、トリ、テトラ、又はペン� �ヘキシルフェニル基;モノ、ジ、トリ、テト� ��、又はペンタヘプチルフェニル基;モノ、ジ 、トリ、テトラ、又はペンタオクチルフェニ ル基;モノ、ジ、トリ、テトラ、又はペンタ(2 -エチルヘキシル)フェニル基;モノ、ジ、トリ 、テトラ、又はペンタノニルフェニル基;モ� �、ジ、トリ、テトラ、又はペンタデシルフ� �ニル基;モノ、ジ、トリ、テトラ、又はペン� ��(3,7-ジメチルオクチル)フェニル基;モノ、ジ 、トリ、テトラ、又はペンタドデシルフェニ ル基等が挙げられる。

 アルコキシ基置換フェニル基とは、フェ� ��ル基上の1個以上の水素原子が炭素原子数1~2 0のアルコキシ基で置換された基、即ち、モ� �アルコキシフェニル基、ジアルコキシフェ� �ル基、トリアルコキシフェニル基、テトラ� �ルコキシフェニル基、及びペンタアルコキ� �フェニル基をいう。アルコキシ基置換フェ� �ル基としては、炭素原子数が7~26、好ましく� ��11~21、より好ましくは14~18のものが挙げられ 、具体的には、モノ、ジ、トリ、テトラ、又 はペンタメトキシフェニル基;モノ、ジ、ト� �、テトラ、又はペンタエトキシフェニル基;� ��ノ、ジ、トリ、テトラ、又はペンタプロピ� ��オキシフェニル基;モノ、ジ、トリ、テトラ 、又はペンタイソプロピルオキシフェニル基 ;モノ、ジ、トリ、テトラ、又はペンタブト� �シフェニル基;モノ、ジ、トリ、テトラ、又� ��ペンタイソブトキシフェニル基;モノ、ジ、 トリ、テトラ、又はペンタ-s-ブトキシフェニ ル基;モノ、ジ、トリ、テトラ、又はペンタ-t -ブトキシフェニル基;モノ、ジ、トリ、テト� ��、又はペンタペンチルオキシフェニル基;モ ノ、ジ、トリ、テトラ、又はペンタヘキシル オキシフェニル基;モノ、ジ、トリ、テトラ� �又はペンタヘプチルオキシフェニル基;モノ� ��ジ、トリ、テトラ、又はペンタオクチルオ� ��シフェニル基;モノ、ジ、トリ、テトラ、又 はペンタ(2-エチルヘキシルオキシ)フェニル� �;モノ、ジ、トリ、テトラ、又はペンタノニ� ��オキシフェニル基;モノ、ジ、トリ、テトラ 、又はペンタデシルオキシフェニル基;モノ� �ジ、トリ、テトラ、又はペンタ(3,7-ジメチル オクチルオキシ)フェニル基;モノ、ジ、トリ� ��テトラ、又はペンタドデシルオキシフェニ� ��基等が挙げられる。

 アルキルカルボニル基としては、炭素原� ��数が2~21、好ましくは5~15、より好ましくは8~ 12のものが挙げられ、具体的には、アセチル� ��、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチ� ��ル基、ペンタノイル基、ヘキサノイル基、� ��プタノイル基、オクタノイル基、2-エチル� �キサノイル基、ノナノイル基、デカノイル� �、3,7-ジメチルオクタノイル基、ドデカノイ� ��基等が挙げられる。

 アルコキシカルボニル基としては、炭素� ��子数が2~21、好ましくは5~15、より好ましく� �8~12のものが挙げられ、具体的には、メトキ� ��カルボニル基、エトキシカルボニル基、プ� ��ピルオキシカルボニル基、イソプロピルオ� ��シカルボニル基、ブトキシカルボニル基、� ��ソブトキシカルボニル基、s-ブトキシカル� �ニル基、t-ブトキシカルボニル基、ペンチル オキシカルボニル基、ヘキシルオキシカルボ ニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オク チルオキシカルボニル基、2-エチルヘキシル� ��キシカルボニル基、ノニルオキシカルボニ� ��基、デシルオキシカルボニル基、3,7-ジメチ ルオクチルオキシカルボニル基、ドデシルオ キシカルボニル基等が挙げられる。

 上記式(5)で表される繰り返し単位の中で、� ��記式(6):
(式中、R ³ 、R ⁴ 及びR ⁵ は、独立に、炭素原子数1~20のアルキル基、� �素原子数1~20のアルコキシ基、炭素原子数7~26 のフェニルアルキル基、炭素原子数7~26のフ� �ニルアルコキシ基、フェニル基、フェノキ� �基、炭素原子数7~26のアルキル基置換フェニ� ��基、炭素原子数7~26のアルコキシ基置換フェ ニル基、炭素原子数2~21のアルキルカルボニ� �基、ホルミル基、炭素原子数2~21のアルコキ� ��カルボニル基、又はカルボキシル基を表す� ��あるいは、R ³ とR ⁴ は、上記の基を表す代わりに、一緒になって 、環を形成していてもよい。x及びyは独立に0 ~4の整数であり、zは1又は2であり、wは0~5の整 数である。R ³ 、R ⁴ 及びR ⁵ の少なくとも1種が複数存在する場合には、� �の複数存在する基は同一であっても異なっ� �いてもよい。)
で表される繰り返し単位が好ましい。

 前記式(6)中のR ³ とR ⁴ が、上記の基を表す代わりに、一緒になって 、環を形成する場合、その環としては、例え ば、置換基を有していてもよいC ₅ ~C ₁₄ の複素環が挙げられる。複素環としては、例 えば、モルホリン環、チオモルホリン環、ピ ロール環、ピペリジン環、ピペラジン環等が 挙げられる。

 このような前記式(6)で示される繰り返し単� ��としては、下記式(6-1)~(6-10)で示される繰り� ��し単位が挙げられる。

 前記式(A’)で表される有機化合物(低分子化 合物)としては、以下のものが挙げられる。

 前記有機化合物(A'-1)~(A'-31)のうち、代表的� �有機化合物のLUMOのエネルギーレベルの絶対� ��を、以下の表に示す。

 前記有機化合物は、駆動電圧低減の観点� ��ら、LUMOのエネルギーレベルの値が、-1.00~-2. 50eVであることが好ましく、-1.30~-2.40eVである� ��とがより好ましい。

 前記有機化合物は、一種単独で用いても� ��種以上を併用してもよい。

 -組み合わせ-
 本発明の組成物において、前記金属錯体のL UMOのエネルギーレベルの絶対値と前記有機化 合物のLUMOのエネルギーレベルの絶対値との� �は0.40eV未満であり、好ましくは0.35eV以下で� �り、より好ましくは0.30eV以下であるが、発� �効率の観点から、前記金属錯体のLUMOのエネ� ��ギーが前記有機化合物のLUMOのエネルギーよ りも小さいことが望ましい。

 本発明の組成物において、金属錯体のLUMOの エネルギーレベルの絶対値と有機化合物のLUM Oのエネルギーレベルの絶対値との差が0.40eV� �満となる金属錯体と有機化合物との組み合� �せとしては、例えば、以下の態様が考えら� �る。
 1)1種の金属錯体と1種の有機化合物との組み 合わせ
 金属錯体のLUMOのエネルギーレベルの絶対値 と有機化合物のLUMOのエネルギーレベルの絶� �値との差が0.40eV未満となる組み合わせ。
 2)1種の金属錯体と2種以上の有機化合物との 組み合わせ
 金属錯体のLUMOのエネルギーレベルの絶対値 と、すべての有機化合物の中でLUMOのエネル� �ーレベルが最大である有機化合物のLUMOのエ� ��ルギーレベルの絶対値との差が0.40eV未満と� ��る組み合わせ。
 3)2種以上の金属錯体と1種の有機化合物との 組み合わせ
 すべての金属錯体の中でLUMOのエネルギーレ ベルが最大である金属錯体のLUMOのエネルギ� �レベルの絶対値と、有機化合物のLUMOのエネ� ��ギーレベルの絶対値との差が0.40eV未満とな� ��組み合わせ。
 4)2種以上の金属錯体と2種以上の有機化合物 との組み合わせ
 すべての金属錯体の中でLUMOのエネルギーレ ベルが最大である金属錯体のLUMOのエネルギ� �レベルの絶対値と、すべての有機化合物の� �でLUMOのエネルギーレベルが最大である有機� ��合物のLUMOのエネルギーレベルの絶対値との 差が0.40eV未満となる組み合わせ。

 本明細書において、前記LUMOのエネルギー レベルの値は、計算科学的手法にて算出した 値である。本明細書において、計算科学的手 法とは、量子化学計算プログラムGaussian03を� �い、B3LYPレベルの密度汎関数法により、基底 状態の構造最適化を行い、該最適化された構 造におけるLUMOのエネルギーレベルの値を算� �する。その際、基底関数として中心金属原� �にはLANL2DZを、それ以外の原子には6-31g*を用� ��る。

 前記LUMOのエネルギーレベルとは、前記有 機化合物が高分子化合物であって繰り返し単 位を有する場合、前記有機化合物が有する繰 り返し単位について考えられるすべての組み 合わせで3量体を形成し、該3量体のLUMOのエネ ルギーレベルの絶対値を求めたときに、その 絶対値が最大となるLUMOのエネルギーレベル� �絶対値を、該有機化合物のLUMOのエネルギー� ��ベルの絶対値(即ち、LUMOのエネルギーレベ� �の値が負の場合、絶対値とは当該負の符号� �取った値を意味する。本明細書において同� �である。)と定義する。

 前記有機化合物が低分子化合物であるか� ��高分子化合物であって繰り返し単位を有し� ��い場合、該有機化合物そのものについて上� ��計算科学的手法を適用し、求められるLUMOの エネルギーレベルの絶対値を、該有機化合物 のLUMOのエネルギーレベルの絶対値と定義す� �。

 次に、本発明の組成物において、前記金属� ��体と前記有機化合物の好ましい組み合わせ� ��LUMOのエネルギーレベルの絶対値の差と共に 、以下の表に示す。
 1)有機化合物が低分子化合物である場合
 2)有機化合物が高分子化合物である場合
*表中、「F8」は下記式:
で表される繰り返し単位、「-」は当該金属� �体、当該繰り返し単位が存在しないことを� �味する。

 前記表を補足しつつ、前記金属錯体と前記� ��機化合物との組み合わせの代表例を説明す� ��と、金属錯体がM-6、M-8、M-14、M-18である場� �、有機化合物は、例えば、(A'-1)~(A'-31)であり ;金属錯体がM-10、M-11、M-12である場合、有機� �合物は、例えば、(A'-1)~(A'-31)であり;金属錯� �がM-20である場合、有機化合物は、例えば、( A'-5)~(A'-12)、(A'-26)~(A'-28)の低分子化合物、(A-5) ~(A-12)、(A-26)~(A-28)のいずれかで表される2価の 基と、下記式:
で表される繰り返し単位(F8)とからなる高分� �化合物であり;金属錯体M-22である場合、有機 化合物は、例えば、(A'-5)~(A'-12)、(A'-26)~(A'-28)� ��低分子化合物、(A-5)~(A-12)、(A-26)~(A-28)のいず れかで表される2価の基と繰り返し単位F8とか らなる高分子化合物である。

 本発明の組成物は、電荷輸送材料及び/又 は発光材料を含んでいてもよい。

 前記電荷輸送材料は、正孔輸送材料と電� ��輸送材料に分類され、有機化合物(低分子有 機化合物及び/又は高分子有機化合物)等があ� ��。

 前記正孔輸送材料としては、芳香族アミ� ��、カルバゾール誘導体、ポリパラフェニレ� ��誘導体等、有機エレクトロルミネッセンス� ��子の正孔輸送材料として公知のものが挙げ� ��れる。前記電子輸送材料としては、有機エ� ��クトロルミネッセンス素子に電子輸送材料� ��して公知のもの、例えば、オキサジアゾー� ��誘導体アントラキノジメタン及びその誘導� ��、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキ� ��ン及びその誘導体、アントラキノン及びそ� ��誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタ� ��及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジ� ��ェニルジシアノエチレン及びその誘導体、� ��フェノキノン誘導体、8-ヒドロキシキノリ� �及びその誘導体の金属錯体が挙げられる。� �記電荷輸送材料の低分子有機化合物とは、� �分子有機エレクトロルミネッセンス素子に� �いられるホスト化合物、電荷注入輸送化合� �を意味し、具体的には、例えば、「有機ELデ ィスプレイ」(時任静士、安達千波矢、村田� �幸共著、オーム社)107頁、月刊ティスプレイ( vol.9、No.9、2003年26-30頁)、特開2004-244400号公報 、特開2004-277377号公報等に記載の化合物が挙� ��られる。これら電荷輸送材料の種類にもよ� ��が、一般的には、金属錯体からの良好な発� ��を得るためには、これら電荷輸送材料の最� ��三重項励起エネルギーが、金属錯体の最低� ��重項励起エネルギーよりも大きいことが好� ��しい。

 前記電荷輸送材料の低分子有機化合物とし� ��は、以下の化合物が挙げられる。

 前記電荷輸送材料の高分子有機化合物と� ��ては、非共役系高分子、共役系高分子が挙� ��られる。非共役系高分子としては、ポリビ� ��ルカルバゾール等が挙げられる。共役系高� ��子としては、主鎖に芳香環を含むポリマー� ��挙げられ、例えば、置換基を有していても� ��いフェニレン基、置換基を有していてもよ� ��フルオレン、置換基を有していてもよいジ� ��ンゾチオフェン、置換基を有していてもよ� ��ジベンゾフラン、置換基を有していてもよ� ��ジベンゾシロール等を繰り返し単位として� ��鎖に含むものや、それらのユニットとの共� ��合体が挙げられる。具体的には、置換基を� ��していてもよいベンゼン環を部分構造とし� ��有することを特徴とする高分子化合物が挙� ��られる。より具体的には、例えば、特開2003 -231741号公報、特開2004-059899号公報、特開2004-0 02654号公報、特開2004-292546号公報、US5708130、WO 99/54385、WO00/46321、WO02/077060、「有機ELディス� �レイ」(時任静士、安達千波矢、村田英幸 � �著、オーム社)111頁、月刊ディスプレイ(vol.9� ��No.9、2002年)47~51頁等に記載の高分子が挙げ� �れる。

 前記電荷輸送材料の高分子有機化合物とし� ��は、その他にも、前記式(3a)又は(3b)で表さ� �る繰り返し単位を含む高分子が挙げられ、� �えば、以下の基(即ち、以下の例示において� ��括弧を除いたもの)を含むもの、以下の構造 を繰り返し単位として含むものが挙げられる 。

 前記電荷輸送材料の低分子有機化合物又は� ��分子有機化合物の最低三重項励起エネルギ� ��(TH)と、金属錯体の最低三重項励起エネルギ ー(TM)とが、
  TH>TM-0.2(eV)
の関係を満たすことが好ましい。

 前記電荷輸送材料の高分子有機化合物を用� ��る場合、該高分子有機化合物のポリスチレ� ��換算の数平均分子量は、好ましくは1×10 ³ ~1×10 ⁸ 、さらに好ましくは1×10 ⁴ ~1×10 ⁶ である。また、該高分子のポリスチレン換算 の重量平均分子量は、好ましくは1×10 ³ ~1×10 ⁸ であり、さらに好ましくは5×10 ⁴ ~5×10 ⁶ である。

 前記発光材料としては、公知のものが使� ��でき、例えば、ナフタレン誘導体、アント� ��セン及びその誘導体、ペリレン及びその誘� ��体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリ� ��系、シアニン系等の色素類、8-ヒドロキシ� �ノリン及びその誘導体の金属錯体、芳香族� �ミン、テトラフェニルシクロペンタジエン� �びその誘導体、テトラフェニルブタジエン� �びその誘導体等の低分子発光材料等が挙げ� �れる。

 本発明の組成物において、前記金属錯体� ��配合量は、組み合わせる有機化合物の種類� ��、最適化したい特性により異なるが、前記� ��機化合物の量を100重量部としたとき、通常� ��0.05~100重量部であり、好ましくは0.1~30重量� �である。

 本発明の組成物は、溶媒又は分散媒を含� ��でいてもよい。この溶媒、分散媒としては� ��薄膜の成分を均一に溶解又は分散し安定な� ��のを公知の溶媒から適宜選択して使用でき� ��。この溶媒としては、塩素系溶媒(クロロホ ルム、塩化メチレン、1,2-ジクロロエタン、1, 1,2-トリクロロエタン、クロロベンゼン、o-ジ クロロベンゼン等)、エーテル系溶媒(テトラ� ��ドロフラン、ジオキサン等)、芳香族炭化水 素系溶媒(ベンゼン、トルエン、キシレン等)� ��脂肪族炭化水素系溶媒(シクロヘキサン、メ チルシクロヘキサン、n-ペンタン、n-ヘキサ� �、n-へプタン、n-オクタン、n-ノナン、n-デカ ン等)、ケトン系溶媒(アセトン、メチルエチ� ��ケトン、シクロヘキサノン等)、エステル系 溶媒(酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセル� �ルブアセテート等)、多価アルコール及びそ� ��誘導体(エチレングリコール、エチレングリ コールモノブチルエーテル、エチレングリコ ールモノエチルエーテル、エチレングリコー ルモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、 プロピレングリコール、ジエトキシメタン、 トリエチレングリコールモノエチルエーテル 、グリセリン、1,2-ヘキサンジオール等)、ア� ��コール系溶媒(メタノール、エタノール、プ ロパノール、イソプロパノール、シクロヘキ サノール等)、スルホキシド系溶媒(ジメチル� ��ルホキシド等)、アミド系溶媒(N-メチル-2-ピ ロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド等)等が� ��げられる。これらの溶媒は、一種単独で用� ��ても二種以上を併用してもよい。

 前記溶媒又は分散媒を含む組成物をイン� ��ジェット法に適用する場合には、該組成物� ��吐出性及びその再現性を良好にするために� ��該組成物は更なる添加剤を含有していても� ��い。更なる添加剤としては、ノズルからの� ��発を押さえるために高沸点の溶媒(アニソー ル、ビシクロヘキシルベンゼン等)等が挙げ� �れる。前記溶媒又は分散媒を含む組成物は� �25℃における粘度が1~100mPa・sであることが好 ましい。

 <化合物>
 本発明の化合物は、前記式(1)で表される金� ��錯体の残基、及び有機化合物の残基を有す� ��化合物であって、計算科学的手法により算� ��した該金属錯体のLUMOのエネルギーレベルの 絶対値と、該有機化合物のLUMOのエネルギー� �ベルの絶対値との差が0.40eV未満である化合� �である。

 本発明の化合物は、典型的には高分子化合� ��であり、該高分子化合物としては、
1.高分子有機化合物の主鎖に金属錯体の残基� ��有する高分子化合物;
2.高分子有機化合物の末端に金属錯体の残基� ��有する高分子化合物;
3.高分子有機化合物の側鎖に金属錯体の残基� ��有する高分子化合物;
等が挙げられる。主鎖に金属錯体の残基を有 する場合は、線形高分子の主鎖に金属錯体が 組み込まれたものの他に、金属錯体から3個� �上の高分子鎖が結合しているものも含まれ� �。

 前記有機化合物としては、前記式(1)等で表� ��れる構造を有する金属錯体の残基を含み、� ��リスチレン換算の数平均分子量が1×10 ³ ~1×10 ⁸ であり、その側鎖、主鎖若しくは末端又はこ れらの2個以上に前記式(1)等で表される構造� �有する金属錯体の残基を有するものが挙げ� �れる。

 高分子有機化合物の主鎖に金属錯体の残基� ��有する高分子化合物は、例えば、下記式の� ��ずれかで示される。
(式中、M ¹ 、M ² は金属錯体の残基を示し、その結合手は、該 金属錯体の配位子が有する。該M ¹ 、M ² は該結合手により、高分子主鎖を形成する繰 り返し単位と結合している。実線は分子鎖を 表す。)

 高分子有機化合物の末端に金属錯体の残基� ��有する高分子化合物は、例えば、下記式で� ��される。
(式中、M ³ は金属錯体の1価の残基を表し、その結合手� �、該金属錯体の配位子が有する。該M ³ は該結合手により、Xと結合している。Xは単� ��合、置換されていてもよいアルケニレン基� ��置換されていてもよいアルキニレン基、置� ��されていてもよいアリーレン基、又は置換� ��れていてもよい2価の複素環基を表す。実線 は分子鎖を表す。)

 高分子有機化合物の側鎖に金属錯体の残基� ��有する高分子化合物は、例えば、式:-Ar’-� �示される。該式中、Ar’は、2価の芳香族基� �又は酸素原子、ケイ素原子、ゲルマニウム� �子、スズ原子、リン原子、ホウ素原子、硫� �原子、セレン原子及びテルル原子からなる� �から選ばれる原子を1個以上有する2価の複素 環基を表し、該Ar’は、-L-Xで示される基を1~4 個有し、Xは金属錯体の1価の残基を表し、Lは 、単結合、-O-、-S-、-C(=O)-、-C(=O)O-、-S(=O)-、-S (=O ₂ )-、-Si(R ⁶⁸ )(R ⁶⁹ )-、N(R ⁷⁰ )-、-B(R ⁷¹ )-、-P(R ⁷² )-、-P(=O)(R ⁷³ )-、置換されていてもよいアルキレン基、置� ��されていてもよいアルケニレン基、置換さ� ��ていてもよいアルキニレン基、置換されて� ��てもよいアリーレン基、又は置換されてい� ��もよい2価の複素環基を表し、該アルキレン 基、該アルケニレン基、該アルキニレン基が -CH ₂ -基を含む場合、該アルキレン基に含まれる-C H ₂ -基の1個以上、該アルケニレン基に含まれる- CH ₂ -基の1個以上、該アルキニレン基に含まれる- CH ₂ -基の1個以上が、それぞれ、-O-、-S-、-C(=O)-、 -C(=O)O-、-S(=O)-、-S(=O ₂ )-、-Si(R ⁷⁴ )(R ⁷⁵ )-、N(R ⁷⁶ )-、-B(R ⁷⁷ )-、-P(R ⁷⁸ )-及び-P(=O)(R ⁷⁹ )-からなる群から選ばれる基と置換されてい� ��もよい。R ⁶⁸ 、R ⁶⁹ 、R ⁷⁰ 、R ⁷¹ 、R ⁷² 、R ⁷³ 、R ⁷⁴ 、R ⁷⁵ 、R ⁷⁶ 、R ⁷⁷ 、R ⁷⁸ 、及びR ⁷⁹ は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基 、アリール基、1価の複素環基及びシアノ基� �らなる群より選ばれる基を表す。Ar’は、-L- Xで示される基以外に、さらに、アルキル基� �アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール� �、アリールオキシ基、アリールチオ基、ア� �ールアルキル基、アリールアルコキシ基、� �リールアルキルチオ基、アリールアルケニ� �基、アリールアルキニル基、アミノ基、置� �アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロ� �ン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミ� �残基、アミド基、酸イミド基、1価の複素環� ��、カルボキシル基、置換カルボキシル基及� ��シアノ基からなる群から選ばれる置換基を� ��していてもよい。Ar’が複数の置換基を有� �る場合、それらは同一であっても異なって� �てもよい。〕

 前記式中、R ⁶⁸ 、R ⁶⁹ 、R ⁷⁰ 、R ⁷¹ 、R ⁷² 、R ⁷³ 、R ⁷⁴ 、R ⁷⁵ 、R ⁷⁶ 、R ⁷⁷ 、R ⁷⁸ 、及びR ⁷⁹ で表されるアルキル基、アリール基、1価の� �素環基及びシアノ基、並びにAr’が有してい てもよい置換基であるアルキル基、アルコキ シ基、アルキルチオ基、アリール基、アリー ルオキシ基、アリールチオ基、アリールアル キル基、アリールアルコキシ基、アリールア ルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリ ールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基 、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、 アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、ア ミド基、酸イミド基、1価の複素環基、カル� �キシル基、置換カルボキシル基及びシアノ� �は、前記Rで表される置換基として、説明し� ��示したものと同じである。

 前記式中、2価の芳香族基としては、例え ば、フェニレン基、ピリジニレン基、ピリミ ジレン基、ナフチレン基等が挙げられる。

 前記式中、2価の複素環基は、前記Ar ^x1 、Ar ^x2 で表される2価の複素環基として説明し例示� �たものと同じである。

 本発明の化合物は、キャリア(電子又は正 孔)輸送性が優れる共役系高分子であること� �好ましい。

 本発明の化合物において、金属錯体のLUMO のエネルギーレベルの絶対値、有機化合物の LUMOのエネルギーレベルの絶対値は、以下の(1 )~(3)の通り定義する。

 (1)本発明の化合物が金属錯体の残基を有す� ��繰り返し単位を持つ高分子化合物(共重合体 )である場合
 金属錯体のLUMOのエネルギーレベルの絶対値 :金属錯体の残基を有する繰り返し単位の1量� ��におけるLUMOのエネルギーレベルの絶対値。
 有機化合物のLUMOのエネルギーレベルの絶対 値:高分子化合物が有するその他の繰り返し� �位について考えられる全ての組み合わせに� �いて3量体を形成し、該3量体のLUMOのエネル� �ーレベルの絶対値を求めたときに、その絶� �値が最大となるLUMOのエネルギーレベルの絶� ��値。
(2)本発明の化合物が金属錯体の残基を末端に 有する高分子化合物である場合
 金属錯体のLUMOのエネルギーレベルの絶対値 :金属錯体の残基における結合手を水素原子� �置き換えてなる金属錯体のLUMOのエネルギー� ��ベルの絶対値。
 有機化合物のLUMOのエネルギーレベルの絶対 値:高分子化合物が有する繰り返し単位につ� �て考えられる全ての組み合わせについて3量� ��を形成し、該3量体のLUMOのエネルギーレベ� �の絶対値を求めたときに、その絶対値が最� �となるLUMOのエネルギーレベルの絶対値。
(3)本発明の化合物が上記(1)、(2)以外である場 合
 金属錯体のLUMOのエネルギーレベルの絶対値 :金属錯体の残基における結合手を水素原子� �置き換えてなる金属錯体のLUMOのエネルギー� ��ベルの絶対値。
 有機化合物のLUMOのエネルギーレベルの絶対 値:化合物中の金属錯体の残基以外の部分に� �いて、結合手を水素原子に置き換えてなる� �機化合物のLUMOのエネルギーレベルの絶対値� ��

 <素子>
 本発明の素子は、本発明の組成物を用いて� ��るものであり、例えば、陽極及び陰極から� ��る電極と、該電極間に設けられ前記金属錯� ��及び前記有機化合物を含む層とを有する素� ��である。また、本発明の組成物を用いて膜� ��形成させ、この膜を用いて本発明の素子を� ��製することもできる。以下、その代表的な� ��のとして、本発明の素子が発光素子である� ��合について説明する。

 本発明の発光素子は、陽極と陰極からな� ��一対の電極と、該電極間に少なくとも発光� ��を有する一層(単層型)又は複数層(多層型)か らなる薄膜が挟持されているものである。該 薄膜層の少なくとも1層は、本発明の組成物� �用いてなるものである。前記薄膜中の前記� �属錯体及び前記有機化合物の合計含有量は� �発光層全体の重量に対して、通常、0.1~100重� ��%であり、0.1~30重量%であることが好ましく� �0.5~15重量%であることがより好ましく、1~10重 量%であることが特に好ましい。

 本発明の発光素子が前記単層型である場合� ��は、前記薄膜が発光層であり、この発光層� ��前記金属錯体を含有する。また、本発明の� ��光素子が多層型である場合には、例えば、� ��下の層構成をとる。
(a)陽極/正孔注入層(正孔輸送層)/発光層/陰極
(b)陽極/発光層/電子注入層(電子輸送層)/陰極
(c)陽極/正孔注入層(正孔輸送層)/発光層/電子� ��入層(電子輸送層)/陰極

 本発明の発光素子の陽極は、正孔注入層� ��正孔輸送層、発光層等に正孔を供給するも� ��であり、4.5eV以上の仕事関数を有すること� �効果的である。陽極の材料には、金属、合� �、金属酸化物、電気伝導性化合物、これら� �混合物等を用いることができる。具体的に� �、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、� �化インジウムスズ(ITO)等の導電性金属酸化物 、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さら にこれらの導電性金属酸化物と金属との混合 物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅等の無機導 電性物質、ポリアニリン類、ポリチオフェン 類(PEDOT等)、ポリピロール等の有機導電性材� �、これらとITOとの積層物等が挙げられる。

 本発明の発光素子の陰極は、電子注入層� ��電子輸送層、発光層等に電子を供給するも� ��である。陰極の材料としては、金属、合金� ��金属ハロゲン化物、金属酸化物、電気伝導� ��化合物又はこれらの混合物を用いることが� ��きる。陰極の材料としては、アルカリ金属( リチウム、ナトリウム、カリウム等)並びに� �のフッ化物及び酸化物、アルカリ土類金属(� ��グネシウム、カルシウム、バリウム、セシ� ��ム等)並びにそのフッ化物及び酸化物、金、 銀、鉛、アルミニウム、合金及び混合金属類 (ナトリウム-カリウム合金、ナトリウム-カリ ウム混合金属、リチウム-アルミニウム合金� �リチウム-アルミニウム混合金属、マグネシ� ��ム-銀合金、マグネシウム-銀混合金属等)、� ��土類金属(インジウム、イッテルビウム等)� �が挙げられる。

 本発明の発光素子の正孔注入層及び正孔� ��送層は、陽極から正孔を注入する機能、正� ��を輸送する機能、陰極から注入された電子� ��障壁する機能のいずれかを有しているもの� ��あればよい。これらの層の材料には、カル� ��ゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキ� ��ゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、� ��ミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン� ��導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導� ��、フェニレンジアミン誘導体、アリールア� ��ン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、ス� ��リルアントラセン誘導体、フルオレノン誘� ��体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体� ��シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合� ��、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリ� ��ィン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポ� ��シラン系化合物、ポリ(N-ビニルカルバゾー� ��)誘導体、有機シラン誘導体等、これらを含 む重合体等が挙げられる。その他にも、アニ リン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポ リチオフェン等の導電性高分子オリゴマーが 挙げられる。これらの材料は1成分単独であ� �ても複数の成分が併用されていてもよい。� �た、前記正孔注入層及び前記正孔輸送層は� �前記材料の1種又は2種以上からなる単層構造 であってもよいし、同一組成又は異種組成の 複数層からなる多層構造であってもよい。

 本発明の発光素子の電子注入層及び電子� ��送層は、陰極から電子を注入する機能、電� ��を輸送する機能、陽極から注入された正孔� ��障壁する機能のいずれかを有しているもの� ��あればよい。これらの層の材料には、トリ� ��ゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキ� ��ジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、� ��ルオレノン誘導体、アントラキノジメタン� ��導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノ� ��誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カ� ��ボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタ� ��誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフ� ��レン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン� ��無水物、フタロシアニン誘導体、8 - キノ� ��ノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシ� ��ニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾ� ��ルを配位子とする金属錯体に代表される各� ��金属錯体、有機シラン誘導体等が挙げられ� ��。また、前記電子注入層及び前記電子輸送� ��は、前記材料の1種又は2種以上からなる単� �構造であってもよいし、同一組成又は異種� �成の複数層からなる多層構造であってもよ� �。

 また、本発明の発光素子において、電子� ��入層、電子輸送層の材料としては、絶縁体� ��は半導体の無機化合物も使用することもで� ��る。電子注入層、電子輸送層が絶縁体や半� ��体で構成されていれば、電流のリークを有� ��に防止して、電子注入性を向上させること� ��できる。このような絶縁体としては、アル� ��リ金属カルコゲニド、アルカリ土類金属カ� ��コゲニド、アルカリ金属のハロゲン化物及� ��アルカリ土類金属のハロゲン化物からなる� ��から選ばれる少なくとも1種の金属化合物を 使用できる。好ましいアルカリ金属カルコゲ ニドとしては、CaO、BaO、SrO、BeO、BaS、及びCaS eが挙げられる。また、電子注入層、電子輸� �層を構成する半導体としては、Ba、Ca、Sr、Yb 、Al、Ga、In、Li、Na、Cd、Mg、Si、Ta、Sb及びZn� �らなる群から選ばれる少なくとも1種の元素� ��含む酸化物、窒化物又は酸化窒化物等が挙� ��られる。これら酸化物、窒化物及び酸化窒� ��物は、一種単独で用いても二種以上を併用� ��てもよい。

 陰極と接する薄膜との界面領域に還元性� ��ーパントが添加されていてもよい。還元性� ��ーパントとしては、アルカリ金属、アルカ� ��土類金属の酸化物、アルカリ土類金属、希� ��類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ� ��属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸� ��物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希� ��類金属の酸化物、希土類金属のハロゲン化� ��、アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯� ��及び希土類金属錯体からなる群から選ばれ� ��少なくとも1種の化合物が好ましい。

 本発明の発光素子の発光層は、電圧印加� ��に陽極又は正孔注入層より正孔を注入する� ��とができ、陰極又は電子注入層より電子を� ��入することができる機能、注入した電荷(電 子と正孔)を電界の力で移動させる機能、電� �と正孔の再結合の場を提供し、これを発光� �つなげる機能を有するものである。本発明� �発光素子の発光層は、少なくとも前記金属� �体及び前記有機化合物を含有することが好� �しく、前記金属錯体及び前記有機化合物を� �スト材料とするホスト材料を含有させても� �い。前記ホスト材料としては、例えば、フ� �オレン骨格を有するもの、カルバゾール骨� �を有するもの、ジアリールアミン骨格を有� �るもの、ピリジン骨格を有するもの、ピラ� �ン骨格を有するもの、トリアジン骨格を有� �るもの、アリールシラン骨格を有するもの� �が挙げられる。前記ホスト材料のT1(最低三� �項励起状態のエネルギーレベル)は、ゲスト� ��料のそれより大きいことが好ましく、その� ��が0.2eVよりも大きいことがさらに好ましい� �前記ホスト材料は低分子化合物であっても� �高分子化合物であってもよい。また、前記� �スト材料と前記金属錯体等の発光材料とを� �合して塗布するか、或いは共蒸着等するこ� �によって、前記発光材料が前記ホスト材料� �ドープされた発光層を形成することができ� �。

 本発明の発光素子では、前記各層の形成� ��法としては、真空蒸着法(抵抗加熱蒸着法、 電子ビーム法等)、スパッタリング法、LB法、 分子積層法、塗布法(キャスティング法、ス� �ンコート法、バーコート法、ブレードコー� �法、ロールコート法、グラビア印刷、スク� �ーン印刷、インクジェット法等)等が挙げら� ��る。これらの中では、製造プロセスを簡略� ��できる点で、塗布で成膜することが好まし� ��。前記塗布法では、前記金属錯体及び前記� ��機化合物を溶媒に溶解して塗布液を調製し� ��該塗布液を所望の層(又は電極)上に、塗布� �乾燥することによって形成することができ� �。該塗布液中には、ホスト材料及び/又はバ� ��ンダーとして樹脂を含有させてもよく、該� ��脂は溶媒に溶解状態とすることも、分散状� ��とすることもできる。前記樹脂としては、� ��共役系高分子(例えば、ポリビニルカルバゾ ール)、共役系高分子(例えば、ポリオレフィ� ��系高分子)を使用することができる。より具 体的には、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカ ーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタ クリレート、ポリブチルメタクリレート、ポ リエステル、ポリスルホン、ポリフェニレン オキシド、ポリブタジエン、ポリ(N-ビニルカ ルバゾール)、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、� �ェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロ� �ス、酢酸ビニル、ABS樹脂、ポリウレタン、� �ラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ア� �キド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂等� �ら目的に応じて選択できる。溶液は目的に� �じて、任意成分として、酸化防止剤、粘度� �整剤等を含有してもよい。

 本発明の発光素子の各層の好ましい膜厚� ��、材料の種類や層構成によって異なるが、� ��般的には膜厚が薄すぎるとピンホール等の� ��陥が生じやすく、逆に厚すぎると高い印加� ��圧が必要となり発光効率が悪くなるため、� ��常、数nm~1μmが好ましい。

 本発明の発光素子の用途としては、例え� ��、面状光源、照明、光源、サイン用光源、� ��ックライト用光源、ディスプレイ装置、プ� ��ンターヘッド等が挙げられる。前記ディス� ��レイ装置としては、公知の駆動技術、駆動� ��路等を用い、セグメント型、ドットマトリ� ��ス型等の構成を選択することができる。