以下、本発明について詳細に説明する。
 <組成物>
 本発明の組成物は、ピラジン環構造を有す� ��化合物と、燐光発光性化合物とを含むもの� ��ある。前記ピラジン環構造とは、置換基を� ��していてもよいピラジンから1~4個の水素原� ��を取り除いてなる基を意味する。

 前記ピラジン環構造としては、例えば、� ��記一般式(1)~(3)、(5)~(7)で表される構造、後� �の(A-1)、(A-2)で表される構造が挙げられる。

 前記ピラジン環構造を有する化合物が、下� ��一般式(1)~(3)、(5)~(7):


(式中、R及びR ₁ はそれぞれ独立に、水素原子又は一価の基を 表す。複数存在するR及びR ₁ は、同一であっても異なっていてもよい。)
で表されるピラジン環構造を有する高分子で ある場合には、該ピラジン環構造を主鎖及び /又は側鎖に有する高分子化合物であること� �好ましい。なお、1分子中に有する該ピラジ� ��環構造は、少なくとも一種である。

 前記式(1)~(3)、(5)、(6)中、R及びR ₁ はそれぞれ独立に、水素原子又は1価の基を� �し、好ましくは複数存在するR(又はR ₁ )の少なくとも一つが1価の基であり、より好� ��しくは複数存在するR(又はR ₁ )のすべてが1価の基である。

 前記1価の基としては、例えば、ハロゲン 原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アル キルチオ基、置換基を有していてもよいアリ ール基、アリールオキシ基、アリールチオ基 、アリールアルキル基、アリールアルキルオ キシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基 、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、 イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、 置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置 換シリルアミノ基、置換基を有していてもよ い1価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基� �ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニ� �基、アリールエチニル基、置換カルボキシ� �基、シアノ基等が挙げられ、好ましくは、� �ルキル基、アルコキシ基、置換基を有して� �よいアリール基、置換基を有してもよい1価� ��複素環基である。なお、N価の複素環基(Nは1 又は2)とは、複素環式化合物からN個の水素原 子を取り除いてなるものである。なお、1価� �複素環基としては、1価の芳香族複素環基が� ��ましい。

 前記式(1)~(3)、(5)、(6)で表されるピラジン 環構造が、結合手の位置で、置換基を有して もよいアリール基、置換基を有してもよい1� �の複素環基、置換基を有してもよいアリー� �ン基、置換基を有してもよい2価の複素環基� ��の環構造と結合している部分構造において� ��、前記式(1)~(3)、(5)、(6)中、前記Rの少なく� �も1つが、水素原子以外の原子の総数が3以上 の1価の基であることが好ましく、5以上の1価 の基であることがより好ましく、7以上の1価� ��基であることがさらに好ましく、10以上の1� ��の基であることが特に好ましい。

 また、R及びR ₁ の少なくとも一方が、アルキル基、アルコキ シ基、置換基を有していてもよいフェニル基 、又は置換基を有していてもよいヘテロアリ ール基であることも好ましく、Rの少なくと� �1つが、アルキル基、アルコキシ基、置換基� ��有していてもよいフェニル基、又は置換基� ��有していてもよいヘテロアリール基である� ��とも好ましい。

 前記ピラジン環構造を有する化合物として� ��、下記一般式(A-1)又は(A-2):


(式中、Y ¹ は、-C(R ^a )(R ^b )-、-C(=O)-、-N(R ^c )-、-O-、-Si(R ^d )(R ^e )-、-P(R ^f )-、-S-、-S(=O) ₂ -を表す。nは0~5の整数である。Ar ₁ は置換基を有していてもよい1価のアリール� �又は置換基を有していてもよい1価の複素環� ��を表す。Y ¹ が複数存在する場合には、それらは同一であ っても異なっていてもよい。R ^a ~R ^f はそれぞれ独立に、水素原子又は1価の基を� �す。Rは前記と同じ意味を有する。複数存在� ��るRは、同一であっても異なっていてもよい 。)
で表される化合物の残基を有する化合物も挙 げられる。なお、1分子中に有する該ピラジ� �環構造は、少なくとも一種である。

 R ^a ~R ^f で表される1価の基としては、アルキル基、� �ルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基� �アリールオキシ基、アリールチオ基、アリ� �ルアルキル基、アリールアルコキシ基、ア� �ールアルキルチオ基、アリールアルケニル� �、アリールアルキニル基、アミノ基、置換� �ミノ基、シリル基、置換シリル基、シリル� �キシ基、置換シリルオキシ基、1価の複素環� ��、ハロゲン原子が挙げられる。

 なお、発光効率の観点からは、前記ピラジ� ��環構造を有する化合物は、下記一般式(A-3):

(式中、Z環は、炭素原子、Z ₁ 及びZ ₂ を含む環状構造である。Z ₁ 及びZ ₂ はそれぞれ独立に、-C(H)=又は-N=を表す。)
で表される化合物の残基以外のピラジン環構 造を有することが好ましい。

 前記式(A-3)中、前記環状構造としては、� �換基を有していてもよい芳香環、置換基を� �していてもよい非芳香環が挙げられ、具体� �には、ベンゼン環、複素環、脂環式炭化水� �環、これらの環が複数縮合してなる環、こ� �らの環の水素原子の一部が置換されたもの� �が挙げられる。

 前記式(A-1)~(A-3)で表される化合物の残基� �は、該化合物における水素原子の一部又は� �部を取り除いてなる基を意味する。

 前記ピラジン環構造を有する化合物は、そ� ��他の部分構造を含んでいてもよい。その他� ��部分構造の種類は、それが末端に存在する� ��否かによって異なる。他の部分構造が末端� ��存在する場合は、該他の部分構造は、安定� ��1価の基であるが、合成の容易さ等の観点か ら、前記R及びR ₁ に含まれる1価の置換基又は水素原子が好ま� �い。他の部分構造が末端に存在しない場合� �、該他の部分構造は、安定な多価の基であ� �が、LUMOのエネルギーレベルの点で、共役す� ��性質の多価の基が好ましい。このような基� ��して、具体的には、2価の芳香族基、3価の� �香族基が挙げられる。ここで、芳香族基と� �、芳香族性を示す有機化合物から誘導され� �基である。そのような芳香族基としては、� �ェニル基、ナフチル基、アントラセニル基� �ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基� �が挙げられる。

 前記ピラジン環構造を有する化合物が高分� ��である場合には、該化合物に含まれていて� ��よい好ましい他の部分構造の一つとして、� ��記式(4):

で表される構造が挙げられる。

 前記式(4)で表される構造は、アルキル基� ��アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール� ��、アリールオキシ基、アリールチオ基、ア� ��ールアルキル基、アリールアルコキシ基、� ��リールアルキルチオ基、アリールアルケニ� ��基、アリールアルキニル基、アミノ基、置� ��アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロ� ��ン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミ� ��残基、アミド基、酸イミド基、1価の複素環 基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及 びシアノ基からなる群から選ばれる置換基を 有していてもよい。

 前記式(4)中、P環及びQ環はそれぞれ独立に� �香環を示すが、P環は存在してもしなくても� ��い。2つの結合手は、P環が存在する場合は� �それぞれP環又はQ環上に存在し、P環が存在� �ない場合は、それぞれYを含む5員環若しくは 6員環上又はQ環上に存在する。また、前記P環 、Q環、Yを含む5員環若しくは6員環は、その� �上に、アルキル基、アルコキシ基、アルキ� �チオ基、アリール基、アリールオキシ基、� �リールチオ基、アリールアルキル基、アリ� �ルアルコキシ基、アリールアルキルチオ基� �アリールアルケニル基、アリールアルキニ� �基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、� �換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、ア� �ルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イ� �ド基、1価の複素環基、カルボキシル基、置� ��カルボキシル基及びシアノ基からなる群か� ��選ばれる置換基を有していてもよい。Yは、 -O-、-S-、-Se-、-B(R ₁ )-、-Si(R ₂ )(R ₃ )-、-P(R ₄ )-、-PR ₅ (=O)-、-C(R ₆ )(R ₇ )-、-N(R ₈ )-、-C(R ₉ )(R ₁₀ )-C(R ₁₁ )(R ₁₂ )-、-O-C(R ₁₃ )(R ₁₄ )-、-S-C(R ₁₅ )(R ₁₆ )-、-N-C(R ₁₇ )(R ₁₈ )-、-Si(R ₁₉ )(R ₂₀ )-C(R ₂₁ )(R ₂₂ )-、-Si(R ₂₃ )(R ₂₄ )-Si(R ₂₅ )(R ₂₆ )-、-C(R ₂₇ )=C(R ₂₈ )-、-N=C(R ₂₉ )-又は-Si(R ₃₀ )=C(R ₃₁ )-を表す。ここで、R ₁ ~R ₃₁ はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、 アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基 、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリ ールアルキル基、アリールアルコキシ基、ア リールアルキルチオ基、アリールアルケニル 基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換 アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリル オキシ基、置換シリルオキシ基、1価の複素� �基又はハロゲン原子を表す。この中では、� �ルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基� �アリール基、アリールオキシ基、アリール� �オ基、アリールアルキル基、アリールアル� �キシ基、1価の複素環基が好ましく、アルキ� ��基、アルコキシ基、アリール基、1価の複素 環基がより好ましく、アルキル基、アリール 基が特に好ましい。

 上記式(4)で表される構造としては、下記式( 4-1)、(4-2)又は(4-3):

(式中、A環、B環、及びC環はそれぞれ独立に� �香環を示す。式(4-1)、(4-2)及び(4-3)は、それ� �れ、アルキル基、アルコキシ基、アルキル� �オ基、アリール基、アリールオキシ基、ア� �ールチオ基、アリールアルキル基、アリー� �アルコキシ基、アリールアルキルチオ基、� �リールアルケニル基、アリールアルキニル� �、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置� �シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシ� �オキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミ� �基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換� ��ルボキシル基及びシアノ基からなる群から� ��ばれる置換基を有していてもよい。Yは前記 と同じ意味を表す。)
で表される構造、及び下記式(4-4)又は(4-5):

(式中、D環、E環、F環及びG環はそれぞれ独立� ��、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチ� ��基、アリール基、アリールオキシ基、アリ� ��ルチオ基、アリールアルキル基、アリール� ��ルコキシ基、アリールアルキルチオ基、ア� ��ールアルケニル基、アリールアルキニル基� ��アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換� ��リル基、ハロゲン原子、アシル基、アシル� ��キシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド� ��、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カ ルボキシル基及びシアノ基からなる群から選 ばれる置換基を有していてもよい芳香環を表 す。Yは前記と同じ意味を表す。)
で表される構造が挙げられる。上記式(4-4)、( 4-5)中、Yは、炭素原子、窒素原子、酸素原子� ��は硫黄原子であることが、より高い発光効� ��を得るという点で好ましい。

 上記式(4-1)、(4-2)、(4-3)、(4-4)及び(4-5)中、 A環、B環、C環、D環、E環、F環及びG環はそれ� �れ独立に芳香環を示す。該芳香環としては� �ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン� �、テトラセン環、ペンタセン環、ピレン環� �フェナントレン環等の芳香族炭化水素環;ピ� ��ジン環、ビピリジン環、フェナントロリン� ��、キノリン環、イソキノリン環、チオフェ� ��環、フラン環、ピロール環等の複素芳香環� ��挙げられる。

 前記ピラジン環構造を有する化合物が高分� ��である場合には、該化合物に含まれていて� ��よい好ましい他の部分構造の一つとして、� ��下の式で表される基が挙げられる。

(式中、Ar ₆ 、Ar ₇ 、Ar ₈ 及びAr ₉ はそれぞれ独立に、アリーレン基又は2価の� �素環基を示す。Ar ₁₀ 、Ar ₁₁ 及びAr ₁₂ はそれぞれ独立に、アリール基又は1価の複� �環基を示す。Ar ₆ 、Ar ₇ 、Ar ₈ 、Ar ₉ 、及びAr ₁₀ は置換基を有していてもよい。x及びyはそれ� ��れ独立に、0又は1であり、0≦x+y≦1である。 )

 本発明において、「高分子」は、同じ構造� ��位(繰り返し単位)が少なくとも2つ以上化合� ��中に存在するものを意味する。前記ピラジ� ��環構造を有する化合物が高分子である場合� ��該化合物のポリスチレン換算の重量平均分� ��量は、成膜性の観点から、3×10 ² 以上が好ましく、3×10 ² ~1×10 ⁷ がより好ましく、1×10 ³ ~1×10 ⁷ がさらに好ましく、1×10 ⁴ ~1×10 ⁷ が特に好ましい。

 前記ピラジン環構造を有する化合物は、広� ��発光波長領域にて用いることができるが、� ��化合物の最低三重項励起エネルギー(以下、 「T ₁ エネルギー」ともいう。)が2.7eV以上であるこ とが好ましく、2.8eV以上であることがより好� ��しく、2.9eV以上であることがさらに好まし� �、3.0eV以上であることがとりわけ好ましく、 3.1eV以上であることが特に好ましい。また、� ��常、上限は5.0eVである。

 前記ピラジン環構造を有する化合物の最� ��非占有分子軌道(LUMO)のエネルギーレベルは� ��LUMOのエネルギーレベルの絶対値が2.1eV以上� ��あることが好ましく、2.2eV以上であること� �さらに好ましく、2.3eV以上であることがより 好ましく、2.4eV以上であることが特に好まし� ��。また、通常、上限は4.0eVである。

 本明細書において、前記T ₁ エネルギー、LUMOのエネルギーレベルの値は� �計算科学的手法にて算出した値である。本� �細書において、計算科学的手法として、量� �化学計算プログラムGaussian03を用い、HF(Hartree -Fock)法により、基底状態の構造最適化を行い 、該最適化された構造において、B3P86レベル� ��時間依存密度汎関数法を用いて、T ₁ エネルギー、LUMOのエネルギーレベルの値を� �出した。その際、基底関数として6-31g*を用� �た。

 前記ピラジン環構造を有する化合物が高分� ��である場合であって、該化合物を構成する� ��り返し単位が1種類のときには、該単位をA� �すると、該化合物は、下記式:

(式中、nは重合数を表す。)
で表される。ここで、n=1、2及び3の構造に対� ��てLUMOのエネルギーレベルを算出し、算出さ れたLUMOのエネルギーレベルを(1/n)の関数とし て線形近似した場合のn=∞の値を、該化合物� ��LUMOのエネルギーレベルと定義する。T ₁ エネルギーについても同様に定義する。

 前記ピラジン環構造を有する化合物が高分� ��である場合であって、該化合物を構成する� ��り返し単位が複数存在するときには、存在� ��るすべての場合の中で最低のT ₁ エネルギーを該化合物のT ₁ エネルギーと定義する。LUMOのエネルギーレ� �ルは、最低のT ₁ エネルギーを与える構造におけるLUMOのエネ� �ギーレベルと定義する。

 前記ピラジン環構造を有する化合物が、� ��記一般式(1)、(2)、(3)、(5)、(6)又は(7)で表さ� ��るピラジン環構造を含む場合には、該ピラ� ��ン環構造に隣接する少なくとも2個のπ共役� ��子を有する部分構造が存在することが好ま� ��い。上記一般式(1)、(2)、(3)、(5)、(6)又は(7)� ��表されるピラジン環構造と、該ピラジン環� ��造に隣接する少なくとも2個のπ共役電子を� ��する(他の)部分構造との間の二面角は、通� �、20°以上であり、好ましくは30°以上、より 好ましくは40°以上、さらに好ましくは50°以� ��、とりわけ好ましくは60°以上、特に好まし くは70°以上である。

 ここで、本発明における二面角とは、基底� ��態における最適化構造から算出される角度� ��意味する。二面角は、前記一般式(1)、(2)、( 3)、(5)、(6)又は(7)で表されるピラジン環構造� ��おいて、少なくとも2個のπ共役電子を有す� ��部分構造との結合位置にある炭素原子(a ₁ )とそれに隣接する炭素原子(a ₂ )、及び該ピラジン環構造と結合している構� �の結合位置にある原子(a ₃ )とそれに隣接する原子(a ₄ )で定義される。ここで、原子の組み合わせ(a ₁ 、a ₂ 、a ₃ 、a ₄ )が複数選択可能な場合は、すべての場合に� �いて二面角を算出し、その中で絶対値が最� �の値を二面角とする。原子(a ₃ )及び(a ₄ )はπ共役電子を有する原子であっても、有し ない原子であってもよいが、好ましくはπ共� ��電子を有する原子であり、より好ましくは� ��炭素原子、窒素原子、珪素原子、リン原子� ��ある。本明細書においては、計算科学的手� ��により求められる該構造の基底状態におけ� ��最適化構造(即ち、該構造の生成エネルギー が最小となる構造)から算出する。

 前記ピラジン環構造を有する化合物の好� ��しいものとしては、繰り返し単位が上記一� ��式(1)、(2)、(3)、(5)、(6)又は(7)で表される構� ��である高分子や、上記一般式(1)、(2)、(3)、( 5)、(6)又は(7)で表される構造に加え、芳香環� ��ヘテロ原子を含有する5員環以上の複素環、 芳香族アミン、及び上記一般式(4)で表される 構造から選ばれる構造のいずれかを含む高分 子が挙げられる。また、前記ピラジン環構造 を有する化合物としては、以下の式(5-1)~(5-26) で表される高分子が挙げられる。

 下式(5-1)~(5-26)中、Rは水素原子又は置換基を 表す。Rの置換基としては、ハロゲン原子、� �ルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチ� �基、アリール基、アリールオキシ基、アリ� �ルチオ基、アリールアルキル基、アリール� �ルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基� �アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸� �ミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換� �リル基、置換シリルオキシ基、置換シリル� �オ基、置換シリルアミノ基、1価の複素環基� ��ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリール� ��オ基、アリールアルケニル基、アリールエ� ��ニル基、置換カルボキシル基、シアノ基が� ��示される。複数個のRは同一であっても異な っていてもよい。Rとしては、アルキル基、� �リール基、アリールアルキル基、1価の複素� ��基がより好ましい。




(式中、nは重合数を表す。Rは、前記と同じ意 味を有する。複数存在するRは、同一であっ� �も異なっていてもよい。)

 また、前記ピラジン環構造を有する化合物� ��具体的な構造としては、以下の高分子が挙� ��られる。

(式中、nは重合数を表す。)

 前記ピラジン環構造を有する化合物として� ��、以下の化合物も挙げることができる。

 前記燐光発光性化合物としては、三重項� ��光錯体等の公知のものが使用できる。例え� ��、従来から低分子系のEL発光性材料として� �用されてきたものが挙げられる。これらは� �Nature, (1998), 395, 151、Appl. Phys. Lett. (1999),� �75(1), 4、Proc. SPIE-Int. Soc. Opt. Eng. (2001), 41 05(Organic Light-Emitting Materials and DevicesIV), 119 、J. Am. Chem. Soc., (2001), 123, 4304、Appl. Phys.  Lett., (1997), 71(18), 2596、Syn. Met., (1998), 94( 1), 103、Syn. Met., (1999), 99(2), 1361、Adv. Mater. , (1999), 11(10), 852、 Inorg. Chem., (2003), 42, 8 609、 Inorg. Chem., (2004), 43, 6513、Journal of th e SID 11/1、161 (2003)、WO2002/066552、WO2004/020504� �WO2004/020448等に開示されている。中でも、金� ��錯体の最高占有分子軌道(HOMO)における、中� ��金属の最外殻d軌道の軌道係数の2乗の和が� �全原子軌道係数の2乗の和において占める割� ��が1/3以上であることが、高発光効率を得る� ��点で好ましい。例えば、中心金属が第6周期 に属する遷移金属である、オルトメタル化錯 体等が挙げられる。

 前記三重項発光錯体の中心金属としては� ��通常、原子番号50以上の原子で、該錯体に� �ピン-軌道相互作用があり、一重項状態と三� ��項状態間の項間交差を起こし得る金属であ� ��、例えば、金、白金、イリジウム、オスミ� ��ム、レニウム、タングステン、ユーロピウ� ��、テルビウム、ツリウム、ディスプロシウ� ��、サマリウム、プラセオジウム、ガドリニ� ��ム、イットリビウムの原子が挙げられるが� ��好ましくは、金、白金、イリジウム、オス� ��ウム、レニウム、タングステンの原子であ� ��、より好ましくは、金、白金、イリジウム� ��オスミウム、レニウムの原子であり、さら� ��好ましくは、金、白金、イリジウム、レニ� ��ムの原子であり、特に好ましくは、白金及� ��イリジウムの原子である。

 前記三重項発光錯体の配位子としては、8-� �ノリノール及びその誘導体、ベンゾキノリ� �ール及びその誘導体、2-フェニル-ピリジン� �びその誘導体等が挙げられる。
 前記燐光発光性化合物は、溶解性の観点か� ��、アルキル基、アルコキシ基、置換基を有� ��ていてもよいアリール基、置換基を有して� ��てもよいヘテロアリール基等の置換基を有� ��る化合物であることが好ましい。さらに、� ��置換基は、水素原子を除く原子の総数が3以 上であることが好ましく、総数が5以上であ� �ことがより好ましく、7以上であることがさ� ��に好ましく、10以上であることが特に好ま� �い。また、該置換基は、各配位子に少なく� �も1つ以上存在することが好ましく、該置換� ��の種類は、配位子毎に同一であっても異な� ��ていてもよい。

 前記燐光発光性化合物としては、以下のも� ��が挙げられる。

 本発明の組成物中における前記燐光発光� ��化合物の量は、前記ピラジン環構造を有す� ��化合物の量を100重量部としたとき、通常、0 .01~80重量部であり、好ましくは0.1~30重量部で あり、より好ましくは0.1~15重量部であり、特 に好ましくは0.1~10重量部である。なお、本発 明の組成物において、前記ピラジン環構造を 有する化合物、前記燐光発光性化合物は、各 々、一種単独で用いても二種以上を併用して もよい。

 本発明の組成物は、本発明の目的を損な� ��ない範囲で、前記ピラジン環構造を有する� ��合物、前記燐光発光性化合物以外の任意成� ��を含んでいてもよい。この任意成分として� ��、正孔輸送材料、電子輸送材料、酸化防止� ��等が挙げられる。

 前記正孔輸送材料としては、これまで有� ��EL素子の正孔輸送材料として公知の芳香族� �ミン、カルバゾール誘導体、ポリパラフェ� �レン誘導体等が挙げられる。

 前記電子輸送材料としては、これまで有� ��EL素子の電子輸送材料として公知のオキサ� �アゾール誘導体、アントラキノジメタン及� �その誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体� �ナフトキノン及びその誘導体、アントラキ� �ン及びその誘導体、テトラシアノアンスラ� �ノジメタン及びその誘導体、フルオレノン� �導体、ジフェニルジシアノエチレン及びそ� �誘導体、ジフェノキノン誘導体、並びに8-ヒ ドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体 が挙げられる。

 本発明の組成物において、前記ピラジン環� ��造を有する高分子又は化合物の最低三重項� ��起エネルギー(ETP)と前記燐光発光性化合物� �最低三重項励起エネルギー(ETT)とが、下記式 :
 ETT > ETP-0.20 (eV)
を満たすことが、高発光効率の観点から好ま しい。

 本発明の発光性薄膜は、本発明の組成物� ��含む薄膜を形成することにより得られる。� ��膜の作製方法としては、溶液の塗布、蒸着� ��転写等が挙げられる。溶液の塗布には、ス� ��ンコート法、キャスティング法、マイクロ� ��ラビアコート法、グラビアコート法、バー� ��ート法、ロールコート法、ワイアーバーコ� ��ト法、ディップコート法、スプレーコート� ��、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オ� ��セット印刷法、インクジェットプリント法� ��の塗布法を用いることができる。

 溶媒は、組成物を溶解又は均一に分散で� ��るものが好ましい。該溶媒としては、塩素� ��溶媒(クロロホルム、塩化メチレン、1,2-ジ� �ロロエタン、1,1,2-トリクロロエタン、クロ� �ベンゼン、o-ジクロロベンゼン等)、エーテ� �系溶媒(テトラヒドロフラン、ジオキサン等) 、芳香族炭化水素系溶媒(トルエン、キシレ� �等)、脂肪族炭化水素系溶媒(シクロヘキサン 、メチルシクロヘキサン、n-ペンタン、n-ヘ� �サン、n-へプタン、n-オクタン、n-ノナン、n- デカン等)、ケトン系溶媒(アセトン、メチル� ��チルケトン、シクロヘキサノン等)、エステ ル系溶媒(酢酸エチル、酢酸ブチル、エチル� �ルソルブアセテート等)、多価アルコール及� ��その誘導体(エチレングリコール、エチレン グリコールモノブチルエーテル、エチレング リコールモノエチルエーテル、エチレングリ コールモノメチルエーテル、ジメトキシエタ ン、プロピレングリコール、ジエトキシメタ ン、トリエチレングリコールモノエチルエー テル、グリセリン、1,2-ヘキサンジオール等)� ��アルコール系溶媒(メタノール、エタノール 、プロパノール、イソプロパノール、シクロ ヘキサノール等)、スルホキシド系溶媒(ジメ� ��ルスルホキシド等)、アミド系溶媒(N-メチル -2-ピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド等)� ��例示され、これらの中から選択して用いる� ��とができる。また、これらの有機溶媒は、� ��種単独で用いても二種以上を併用してもよ� ��。

 インクジェットプリント法を用いる場合� ��は、ヘッドからの吐出性、ばらつき等の改� ��のために、溶液中の溶媒の選択、添加剤と� ��て公知の方法を用いることができる。この� ��合、溶液の粘度が、25℃において1~100mPa・s� �あることが好ましい。また、あまり蒸発が� �しいとヘッドから吐出を繰り返すことが難� �くなる傾向がある。上記のような観点で、� �いられる好ましい溶媒としては、例えば、� �ニソール、ビシクロヘキシル、キシレン、� �トラリン、ドデシルベンゼンを含む単独又� �混合溶媒が挙げられる。一般的には、複数� �溶媒を混合する方法、組成物の溶液中での� �度を調整する方法等によって用いた組成物� �合ったインクジェット用の溶液を得ること� �できる。

 <高分子>
 本発明の高分子は、前記燐光発光性化合物� ��残基と前記ピラジン環構造とを有するもの� ��ある。該ピラジン環構造は、前記組成物の� ��で説明し例示したものと同様である。本発� ��の高分子としては、(1)高分子の主鎖に燐光� ��光性化合物の構造を有する高分子、(2)高分� ��の末端に燐光発光性化合物の構造を有する� ��分子、(3)高分子の側鎖に燐光発光性化合物� ��構造を有する高分子等が挙げられる。

 <発光素子>
 次に、本発明の発光素子について説明する� ��
 本発明の発光素子は、前記組成物又は前記� ��分子を用いてなるものであり、通常、陽極� ��び陰極からなる電極間の少なくともある部� ��に前記組成物又は前記高分子を含むが、そ� ��らを前記発光性薄膜の形態で発光層として� ��むことが好ましい。また、発光効率、耐久� ��等の性能を向上させる観点から、他の機能� ��有する公知の層を一つ以上含んでいてもよ� ��。このような層としては、電荷輸送層(即ち 、正孔輸送層、電子輸送層)、電荷阻止層(即� ��、正孔阻止層、電子阻止層)、電荷注入層(� �ち、正孔注入層、電子注入層)、バッファ層� ��が挙げられる。なお、本発明の発光素子に� ��いて、発光層、電荷輸送層、電荷阻止層、� ��荷注入層、バッファ層等は、各々、一層か� ��なるものでも二層以上からなるものでもよ� ��。

 前記発光層は、発光する機能を有する層� ��ある。前記正孔輸送層は、正孔を輸送する� ��能を有する層である。前記電子輸送層は、� ��子を輸送する機能を有する層である。これ� ��電子輸送層と正孔輸送層を総称して電荷輸� ��層と言う。また、電荷阻止層は、正孔又は� ��子を発光層に閉じ込める機能を有する層で� ��り、電子を輸送し、かつ正孔を閉じ込める� ��を正孔阻止層と言い、正孔を輸送し、かつ� ��子を閉じ込める層を電子阻止層と言う。

 前記バッファ層としては、陽極に隣接し� ��導電性高分子を含む層が挙げられる。

 本発明の発光素子の具体例としては、以下� ��a)~q)の構造が挙げられる。
a)陽極/発光層/陰極
b)陽極/正孔輸送層/発光層/陰極
c)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
d)陽極/発光層/正孔阻止層/陰極
e)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
f)陽極/電荷注入層/発光層/陰極
g)陽極/発光層/電荷注入層/陰極
h)陽極/電荷注入層/発光層/電荷注入層/陰極
i)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/陰極
j)陽極/正孔輸送層/発光層/電荷注入層/陰極
k)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電荷注 入層/陰極
l)陽極/電荷注入層/発光層/電子輸送層/陰極
m)陽極/発光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極
n)陽極/電荷注入層/発光層/電子輸送層/電荷注 入層/陰極
o)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸 送層/陰極
p)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電荷注 入層/陰極
q)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸 送層/電荷注入層/陰極
(ここで、/は各層が隣接して積層されている� ��とを示す。以下、同じである。なお、発光� ��、正孔輸送層、電子輸送層は、それぞれ独� ��に2層以上用いてもよい。)

 本発明の発光素子が正孔輸送層を有する� ��合(通常、正孔輸送層は、正孔輸送材料を含 有する)、正孔輸送材料としては公知の材料� �適宜選択して使用できる。その具体例とし� �は、ポリビニルカルバゾール及びその誘導� �、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主� �に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘� �体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘� �体、スチルベン誘導体、トリフェニルジア� �ン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、� �リチオフェン及びその誘導体、ポリピロー� �及びその誘導体、ポリ(p-フェニレンビニレ� �)及びその誘導体、並びにポリ(2,5-チエニレ� �ビニレン)及びその誘導体等の高分子正孔輸� ��材料が挙げられる。前記正孔輸送材料とし� ��は、特開昭63-70257号公報、同63-175860号公報� �特開平2-135359号公報、同2-135361号公報、同2-20 9988号公報、同3-37992号公報、同3-152184号公報� �記載されているもの等が例示される。

 本発明の発光素子が電子輸送層を有する� ��合(通常、電子輸送層は、電子輸送材料を含 有する)、電子輸送材料としては公知のもの� �適宜選択して使用できる。その具体例とし� �は、オキサジアゾール誘導体、アントラキ� �ジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及� �その誘導体、ナフトキノン及びその誘導体� �アントラキノン及びその誘導体、テトラシ� �ノアンスラキノジメタン及びその誘導体、� �ルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエ� �レン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導� �、8-ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金 属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリ キノキサリン及びその誘導体、並びにポリフ ルオレン及びその誘導体等が挙げられる。

 前記正孔輸送層及び電子輸送層の膜厚は� ��用いる材料によって最適値が異なり、駆動� ��圧と発光効率が適度な値となるように選択� ��ればよいが、少なくともピンホールが発生� ��ないような厚さが必要であり、あまり厚い� ��、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない� ��従って、該正孔輸送層及び電子輸送層の膜� ��は、例えば、1nm~1μmであり、好ましくは2nm~5 00nmであり、さらに好ましくは5nm~200nmである� �

 また、電極に隣接して設けた電荷輸送層� ��うち、電極からの電荷注入効率を改善する� ��能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を� ��するものは、特に電荷注入層(即ち、正孔注 入層、電子注入層の総称である。以下、同じ である。)と呼ばれることがある。

 さらに電極との密着性向上や電極からの� ��荷注入の改善のために、電極に隣接して前� ��の電荷注入層又は絶縁層(通常、平均膜厚で 0.5nm~4nmであり、以下、同じである。)を設け� �もよく、また、界面の密着性向上や混合の� �止等のために電荷輸送層や発光層の界面に� �いバッファ層を挿入してもよい。

 積層する層の順番や数、及び各層の厚さ� ��、発光効率や素子寿命を勘案して適宜選択� ��ることができる。

 前記電荷注入層としては、導電性高分子� ��含む層、陽極と正孔輸送層との間に設けら� ��、陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸� ��材料との中間の値のイオン化ポテンシャル� ��有する材料を含む層、陰極と電子輸送層と� ��間に設けられ、陰極材料と電子輸送層に含� ��れる電子輸送材料との中間の値の電子親和� ��を有する材料を含む層等が挙げられる。

 前記電荷注入層に用いる材料としては、� ��極や隣接する層の材料との関係で適宜選択� ��ればよく、ポリアニリン及びその誘導体、� ��リチオフェン及びその誘導体、ポリピロー� ��及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン� ��びその誘導体、ポリチエニレンビニレン及� ��その誘導体、ポリキノリン及びその誘導体� ��ポリキノキサリン及びその誘導体、芳香族� ��ミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体等の� ��電性高分子、金属フタロシアニン(銅フタロ シアニン等)、カーボン等が例示される。

 前記絶縁層は、電荷注入を容易にする機� ��を有するものである。前記絶縁層の材料と� ��ては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶� ��材料等が挙げられる。前記絶縁層を設けた� ��光素子としては、例えば、陰極に隣接して� ��縁層を設けた発光素子、陽極に隣接して絶� ��層を設けた発光素子が挙げられる。

 本発明の発光素子は、通常、基板上に形� ��される。前記基板は、電極を形成し、有機� ��の層を形成する際に変化しないものであれ� ��よく、ガラス、プラスチック、高分子フィ� ��ム、シリコン等の基板が挙げられる。不透� ��な基板の場合には、反対の電極が透明又は� ��透明であることが好ましい。

 本発明の発光素子が有する陽極及び陰極� ��少なくとも一方は、通常、透明又は半透明� ��ある。その中でも、陽極側が透明又は半透� ��であることが好ましい。

 前記陽極の材料としては、通常、導電性� ��金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用い� ��れる。その具体例としては、酸化インジウ� ��、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合� ��であるインジウム・スズ・オキサイド(ITO)� �インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる� �電性ガラスを用いて作成された膜(NESA等)や� �金、白金、銀、銅等が用いられ、ITO、イン� �ウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ま� �い。作製方法としては、真空蒸着法、スパ� �タリング法、イオンプレーティング法、メ� �キ法等が挙げられる。また、該陽極として� �ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフ� �ン及びその誘導体等の有機の透明導電膜を� �いてもよい。なお、陽極を2層以上の積層構� ��としてもよい。

 前記陰極の材料としては、通常、仕事関� ��の小さい材料が好ましく、例えば、リチウ� ��、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セ� ��ウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシ� ��ム、ストロンチウム、バリウム、アルミニ� ��ム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イ� ��トリウム、インジウム、セリウム、サマリ� ��ム、ユーロピウム、テルビウム、イッテル� ��ウム等の金属、及びそれらのうち2つ以上の 合金、或いはそれらのうち1つ以上と、金、� �、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト� �ニッケル、タングステン、錫のうち1つ以上� ��の合金、グラファイト又はグラファイト層� ��化合物等が用いられる。合金としては、マ� ��ネシウム-銀合金、マグネシウム-インジウ� �合金、マグネシウム-アルミニウム合金、イ� ��ジウム-銀合金、リチウム-アルミニウム合� �、リチウム-マグネシウム合金、リチウム-イ ンジウム合金、カルシウム-アルミニウム合� �等が挙げられる。なお、陰極を2層以上の積� ��構造としてもよい。

 本発明の発光素子は、面状光源、表示装� ��(セグメント表示装置、ドットマトリックス 表示装置、液晶表示装置等)、そのバックラ� �ト(前記発光素子をバックライトとして備え� ��液晶表示装置等)等として用いることができ る。

 本発明の発光素子を用いて面状の発光を� ��るためには、面状の陽極と陰極が重なり合� ��ように配置すればよい。また、パターン状� ��発光を得るためには、前記面状の発光素子� ��表面にパターン状の窓を設けたマスクを設� ��する方法、非発光部の有機物層を極端に厚� ��形成し実質的に非発光とする方法、陽極又� ��陰極のいずれか一方、又は両方の電極をパ� ��ーン状に形成する方法がある。これらのい� ��れかの方法でパターンを形成し、いくつか� ��電極を独立にON/OFFできるように配置するこ� ��により、数字や文字、簡単な記号等を表示� ��きるセグメントタイプの表示素子が得られ� ��。更に、ドットマトリックス素子とするた� ��には、陽極と陰極をともにストライプ状に� ��成して直交するように配置すればよい。複� ��の種類の発光色の異なる高分子蛍光体を塗� ��分ける方法や、カラーフィルター又は蛍光� ��換フィルターを用いる方法により、部分カ� ��ー表示、マルチカラー表示が可能となる。� ��ットマトリックス素子は、パッシブ駆動も� ��能であるし、TFT等と組み合わせてアクティ� ��駆動してもよい。これらの表示素子は、コ� ��ピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、� ��ーナビゲーション、ビデオカメラのビュー� ��ァインダー等の表示装置として用いること� ��できる。さらに、前記面状の発光素子は、� ��発光薄型であり、液晶表示装置のバックラ� ��ト用の面状光源、或いは面状の照明用光源� ��して好適に用いることができる。また、フ� ��キシブルな基板を用いれば、曲面状の光源� ��表示装置としても使用できる。

 本発明の組成物、高分子は、素子の作製� ��有用であるだけではなく、有機半導体材料� ��の半導体材料、発光材料、光学材料、導電� ��材料(例えば、ドーピングにより適用する。 )として用いることもできる。したがって、� �組成物、高分子を用いて、発光性薄膜、導� �性薄膜、有機半導体薄膜等の膜を作製する� �とができる。

 本発明の組成物、高分子は、上記発光素子� ��発光層に用いられる発光性薄膜の作製方法� ��同様の方法で、導電性薄膜及び半導体薄膜� ��成膜、素子化することができる。半導体薄� ��は、電子移動度又は正孔移動度のいずれか� ��きい方が、10 ^-5 cm ² /V/秒以上であることが好ましい。また、有機 半導体薄膜は、有機太陽電池、有機トランジ スタ等に用いることができる。