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Title:
COMPOSITION, ORGANIC OPTOELECTRONIC DEVICE AND DISPLAY DEVICE
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2019/208937
Kind Code:
A1
Abstract:
The present invention relates to: a composition comprising a first compound represented by a combination of chemical formulas 1 and 2 and a second compound represented by chemical formula 3; an organic optoelectronic device; and a display device. Chemical formulas 1-3 are the same as those defined in the specification.

Inventors:
WON, Jongwoo (130 Samsung-ro, Yeongtong-gu,,Suwon-si, Gyeonggi-do, 16678, KR)
KANG, Dong Min (130 Samsung-ro, Yeongtong-gu,Suwon-si, Gyeonggi-do, 16678, KR)
KIM, Jun Seok (130 Samsung-ro, Yeongtong-guSuwon-si, Gyeonggi-do, 16678, KR)
LUI, Jinhyun (130 Samsung-ro, Yeongtong-guSuwon-si, Gyeonggi-do, 16678, KR)
LEE, Byoungkwan (130 Samsung-ro, Yeongtong-gu,Suwon-si, Gyeonggi-do, 16678, KR)
LEE, Sangshin (130 Samsung-ro, Yeongtong-gu,Suwon-si, Gyeonggi-do, 16678, KR)
LEE, Hyungyu (130 Samsung-ro, Yeongtong-guSuwon-si, Gyeonggi-do, 16678, KR)
JUNG, Sung-Hyun (130 Samsung-ro, Yeongtong-gu,Suwon-si, Gyeonggi-do, 16678, KR)
JUNG, Ho Kuk (130 Samsung-ro, Yeongtong-g, Suwon-si Gyeonggi-do, 16678, KR)
HYUNG, Kyunghee (130 Samsung-ro, Yeongtong-guSuwon-si, Gyeonggi-do, 16678, KR)
Application Number:
KR2019/003444
Publication Date:
October 31, 2019
Filing Date:
March 25, 2019
Export Citation:
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Assignee:
SAMSUNG SDI CO., LTD. (150-20, Gongse-ro Giheung-gu,Yongin-si, Gyeonggi-do, 17084, KR)
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. (129, Samsung-ro Yeongtong-g, Suwon-si Gyeonggi-do, 16677, KR)
International Classes:
H01L51/00; H01L51/50
Domestic Patent References:
WO2010021524A22010-02-25
Foreign References:
KR20170117775A2017-10-24
KR20170123955A2017-11-09
KR20150004099A2015-01-12
KR20160029721A2016-03-15
KR20170096767A2017-08-25
KR20170101577A2017-09-06
KR20180032496A2018-03-30
Attorney, Agent or Firm:
PANKOREA PATENT AND LAW FIRM (13F, 70 Nonhyeon-ro 85-gil,Gangnam-gu, Seoul, 06234, KR)
Download PDF:
Claims:
2019/208937 56 1»(:1/10公019/003444

【청구의 범위】

【청구항 1】

하기 화학식 1 및 하기 화학식 2의 조합으로 표현되는 제 1 화합물, 그리고 하기 화학식 3으로 표현되는 제 2 화합물

을 포함하는 조성물:

[화학식 1] [화학식 2]

상기 화학식 1 및 화학식 2에서,

쇼!·1은 치환 또는 비치환된 06 내지 030 아릴기, 치환 또는 비치환된 02 내지 030 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,

연결되고,

* 내지 3^* 중 * 및 2*와 연결되지 않은 나머지는 각각 독립적으로 이고,

V및 내지 는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 06 내지 20 아릴텐기, 치환 또는 비치환된 02 내지 020 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,

^ 및 내지 ^는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 <그1 내지 030 알킬기, 치환 또는 비치환된 06 내지 030 아릴기 , 치환 또는 비치환된 02 내지 030 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,

^ 및 내지 ^ 중 적어도 하나는 하기 화학식 쇼로 표현되는 기이고,

[화학식 시

상기 화학식 쇼에서,

^ 및 11°는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 06 내지 030 아릴기, 치환 2019/208937 1»(:1/10公019/003444

57 또는 비치환된 02 내지 030 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,

*은 V 및 내지 와의 연결 지점이고;

[화학식 3]

상기 화학식 3에서,

1/ 내지 는 각각독립적으로 단일 결합, 치환또는 비치환된 06 내지 020 아릴렌기, 치환또는 비치환된 02 내지 020 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,

2는 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴기, 치환또는 비치환된 01 내지 030 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,

5 내지 II8은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환또는 비치환된 01 내지 030 알킬기, 치환또는 비치환된 C6 내지 030 아릴기, 치환또는 비치환된 02 내지 030 헤테로고리기, 치환또는 비치환된 실릴기, 치환또는 비치환된 아민기, 할로겐, 시아노기 또는 이들의 조합이고,

II5 내지 II8은 각각독립적으로 존재하거나 인접한 기가 연결되어 치환또는 비치환된 방향족의 단환식 또는 다환식 고리를 형성하고,

V 및 모5 내지 II8 중 적어도 하나는 하기 화학식 8로 표현되는 기이고, [화학식 미

상기 화학식 :8에서,

7} 내지 方는 각각독립적으로 또는 己 -#이고,

方 내지 5 중 적어도 하나는 N이고,

여기서 는 각각독립적으로 단일 결합, 치환또는 비치환된 06 내지 020 아릴렌기 , 치환또는 비치환된 02 내지 020 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고, 는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 01 내지 030 알킬기, 치환또는 비치환된 C6 내지 030 아릴기, 치환또는 비치환된 02 내지 030 2019/208937 5& 1»(:1 1{2019/003444

헤테로고리기 , 치환또는 비치환된 실릴기 , 치환또는 비치환된 아민기, 할로겐, 시아노기 또는 이들의 조합이고,

^는 각각독립적으로 존재하거나 인접한 기가 연결되어 치환또는 비치환된 방향족의 단환식 또는 다환식 고리, 또는 치환또는 비치환된 방향족의 단환식 또는 다환식 헤테로고리를 형성하고,

*는 내지 1/와의 연결 지점이다.

【청구항 2】

제 1항에 있어서,

상기 제 1 화합물은 하기 화학식 1쇼내지 화학식 1(〕 중 어느 하나로 표현되는 조성물:

[화학식 1시 [화학식 1미 [화학식 1여

상기 화학식 1쇼내지 화학식 1(〕에서,

은 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴기, 치환또는 비치환된 02 내지 030헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,

1/및 내지 독립적으로 단일 결합, 치환또는 비치환된 06 내지 020 아릴텐기, 치환또는 비치환된 02 내지 020 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,

^ 및 II1 내지 II4는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 치환또는 비치환된 아민기, 치환또는 비치환된 (그1 내지 030 알킬기, 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴기, 치환또는 비치환된 02 내지 030 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,

및 내지 II4중 적어도 하나는 하기 화학식 쇼로 표현되는 기이고, [화학식 시 2019/208937 1»(:1^1{2019/003444

59 상기 화학식 쇼에서,

독립적으로 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴기, 치환 또는 비치환된 02 내지 030 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,

*은 V 및 내지 와의 연결 지점이다.

【청구항 3】

제 1항에 있어서,

상기 제 1 화합물은 하기 화학식 1쇼-1 내지 화학식 1쇼-3, 화학식 111 내지 화학식 1 3, 및 화학식 1(〕-1 내지 화학식 10-3 중 어느 하나로 표현되는 조성물:

[화학식 1쇼-1] [화학식 1쇼_2] [화학식 1 3]

상기 화학식 1쇼-1 내지 화학식 1쇼-3, 화학식 1^1 내지 화학식 1요-3, 및 화학식 101 내지 화학식 103에서,

쇼!·1은 치환또는 비치환된 06 내지 030아릴기, 치환또는 비치환된 02 내지 030 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,

1/ 및 내지 1 는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환또는 비치환된 06 내지 020 아릴텐기, 치환또는 비치환된 02 내지 020 헤테로고리기 또는 이들의 2019/208937 60 1»(:1^1{2019/003444

조합이고,

및 내지 모4는 각각독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 01 내지 030 알킬기, 치환또는 비치환된  6 내지 030 아릴기, 치환 또는 비치환된 02 내지 030 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,

^ 및 ^는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환또는 비치환된 트리페닐렌기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기이다.

【청구항 4】

저]1항에 있어서,

상기 제 1 화합물은 하기 화학식 1쇼-1七로 표현되는 조성물:

[화학식 1쇼-1七]

에서,

치환된 06 내지 030 아릴기, 치환 또는 비치환된 02 내지 030 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,

V및 내지 느4는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 06 내지 020 아릴텐기, 치환 또는 비치환된 02 내지 020 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,

^ 및 II1, 및 #는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 01 내지 030 알킬기, 치환 또는 비치환된 06 내지 030 아릴기, 치환 또는 비치환된 02 내지 030 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,

^ 및 11。는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 2019/208937 61 1»(:1^1{2019/003444

또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐텐기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기이다.

【청구항 5]

저 1 1항에 있어서,

상기 제 2 화합물은 하기 화학식 2쇼 내지 화학삭 2느 중 어느 하나로 표현되는 조성물:

[화학식 2시 [화학식 2미 [화학식 20]

2019/208937 62 1»(:1 1{2019/003444

[화학식 21] [화학식 2뙤 [화학식 21,]

상기 화학식 2쇼내지 2느에서,

5 내지 는 각각독립적으로 단일 결합, 치환또는 비치환된 C6 내지 020 아릴텐기, 치환또는 비치환된 02 내지 020 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고, 쇼!·2는 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴기, 치환또는 비치환된 02 내지 030 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,

II5 내지 II8, , , , 및 는 각각 독립적으로 수소,중수소, 치환또는 비치환된 01 내지 030 알킬기, 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴기, 치환또는 비치환된 C2 내지 030 헤테로고리기, 치환또는 비치환된 실릴기, 치환또는 비치환된 아민기, 할로겐, 시아노기 또는 이들의 조합이고,

7} 내지 2:5는 각각독립적으로 이고,

7} 내지 5중 적어도 하나는 X이고,

å13내지 53는 각각독립적으로

å13내지 53중 적어도 하나는 X이고,

7}^내지 方15는 각각독립적으로 N또는 (:- -: 이고,

7}^내지 7^중 적어도 하나는 N이고,

여기서 I?는 각각독립적으로 단일 결합, 치환또는 비치환된 06 내지 020 아릴텐기, 치환또는 비치환된 02 내지 020 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,

^는 각각독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 01 내지 030 알킬기, 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴기, 치환또는 비치환된 02 내지 030 헤테로고리기, 치환또는 비치환된 실릴기, 치환또는 비치환된 아민기, 할로겐, 시아노기 또는 이들의 조합이고,

독립적으로존재하거나 인접한 기가서로 연결되어 치환또는 비치환된 방향족의 단환식 또는 다환식 고리,또는 치환또는 비치환된 방향족의 단환식 또는 다환식 헤테로고리를형성한다. 2019/208937 1»(:1/10公019/003444

63

【청구항 6】

저 15항에 있어서,

상기 제 2 화합물은 상기 화학식 23, 화학식 2(그, 화학식 2D, 화학식 화학식 217중 어느하나로 표현되는조성물.

【청구항 7】

제 5항에 있어서,

상기 제 2 화합물은 상기 화학식 23 또는 화학식 217로 표현되는 조성물.

【청구항 8】

제 1항에 있어서,

상기 화학식 B로 표현되는 기는 치환또는 비치환된 피리미디닐기, 치환또는 비치환된 트리아지닐기, 치환또는 비치환된 퀴놀리닐기, 치환또는 비치환된 이소퀴놀리닐기 , 치환또는 비치환된 퀴녹살리닐기 , 치환또는 비치환된

퀴나졸리닐기 또는 치환또는 비치환된 나프티리디닐기인 조성물.

【청구항 9]

제 1항에 있어서,

상기 화학식 8는 하기 화학식 6-1 내지 화학식 하나로 표현되는 조성물:

[화학식 3-1] [화학식 6-2] [화학식 6-3] [화학식 6-4] [화학식 6-5]

상기 화학식 3-1 내지 화학식 :6-7에서,

1 내지 ^5, V1 및 1戶는 각각독립적으로단일 결합, 치환또는 비치환된 06 내지 020 아릴렌기, 치환또는 비치환된 02 내지 020 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고, 2019/208937 1»(:1^1{2019/003444

64 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 01 내지 010 알킬기, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기이고,

연결 지점이다.

【청구항 10】

저 1 1항에 있어서,

상기 화학식 8는 하기 그룹 I에 나열된 치환기에서 선택된 하나인 조성물: [그룹 I]

【청구항 1 1】

제 1항에 있어서,

상기 제 1 화합물은 하기 화학식 1쇼-1 -13로 표현되고,

상기 제 2 화합물은 하기 화학식 26 또는 화학식 2 로 표현되는 조성물:

[화학식 1쇼-1七]

상기 화학식 1쇼-1此 에서,

1은 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 2019/208937 65 1»(:1^1{2019/003444

치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기 또는 이들의 조합이고, V 및 I; 내지 는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된

페닐렌기, 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기, 치환 또는 비치환된 터페닐렌기, 또는 치환 또는 비치환된 나프틸렌기이고,

, , 및 II4는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 01 내지 030 알킬기, 치환 또는 비치환된 06 내지 030 아릴기 , 치환 또는 비치환된 02 내지 030 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,

^ 및 는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는

비치환된 바이페닐기 , 치환 또는 비치환된 안트라세닐기 , 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐텐기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기이고;

[화학식 2미 [화학식 2미

상기 화학식 26 및 화학식 2몌서,

1/ 내지 는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기, 치환 또는 비치환된 터페닐렌기, 또는 치환 또는 비치환된 나프틸렌기이고,

II5 내지 적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된

01 내지 030 알킬기, 치환 또는 비치환된 06 내지 030 아릴기, 치환 또는 비치환된 01 내지 030 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 아민기, 할로겐, 시아노기 또는 이들의 조합이고,

7} 내지 는 각각 독립적으로 X 또는 ( -: 이고,

7} 내지 중 적어도 둘은 X이고, 2019/208937 66 1»(:1^1{2019/003444 여기서 는 각각 독립적으로 단일 결합, 또는 치환 또는 비치환된 06 내지 020 아릴렌기이고,

독립적으로 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기 , 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기 , 치환 또는 비치환된 카바졸일기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기이다.

【청구항 12】

제 1항에 있어서,

도펀트를 더 포함하는 조성물.

【청구항 13】

서로 마주하는 양극과 음극,

상기 양극과 상기 음극 사이에 위치하는 적어도 1층의 유기층을 포함하고, 상기 유기층은 제 1항 내지 제 12항 중 어느 한 항에 따른 조성물을 포함하는 유기 광전자 소자.

【청구항 14】

제 13항에 있어서,

상기 유기층은 발광층을 포함하고,

상기 발광층은 상기 조성물을 포함하는 유기 광전자 소자.

【청구항 15】

제 14항에 있어서,

상기 제 1 화합물과 상기 제 2 화합물은 각각 상기 발광층의 인광호스트로서 포함되는 유기 광전자 소자.

【청구항 16】

제 14항에 있어서,

상기 조성물은 적색 발광 조성물인 유기 광전자 소자.

【청구항 17】

제 13항에 따른 유기 광전자 소자를 포함하는 표시 장치.

Description:
【명세세

【발명의 명칭】

조성물,유기 광전자소자 및 표시 장치

【기술분야】

조성물,유기 광전자소자 및 표시 장치에 관한 것이다.

【배경기술】

유기 광전자소자 (organic optoelectronic diode)는 전기 에너지와 광 에너지를 상호 전환할수 있는 소자이다.

유기 광전자소자는동작 원리에 따라크게 두 가지로 나눌 수 있다. 하나는 광에너지에 의해 형성된 엑시톤 (exciton)이 전자와 정공으로 분리되고 전자와 정공이 각각 다른 전극으로 전달되면서 전기 에너지를 발생하는 광전 소자이고, 다른 하나는 전극에 전압또는 전류를 공급하여 전기 에너지로부터 광 에너지를 발생하는 발광소자이다.

유기 광전자소자의 예로는유기 광전 소자, 유기 발광 소자, 유기 태양 전지 및 유기 감광체 드럼 (organic photo conductor drum) 등을들 수 있다- 이 중, 유기 발광소자 (organic light emitting diode, OLED)는 근래 평관 표시 장치 (flat panel display device)의 수요 증가에 따라크게 주목 받고 있다. 유기 발광 소자는 전기 에너지를 빛으로 전환시키는 소자로서, 유기 발광소자의 성능은 전극 사이에 위치하는 유기 재료에 의해 많은 영향을 받는다.

【발명의 상세한설명】

【기술적 과제】

일 구현예는 고효율 및 장수명 유기 광전자소자를 구현할수 있는조성물을 제공한다.

다른 구현예는상기 조성물을 포함하는 유기 광전자 소자를 제공한다.

또 다른 구현예는상기 유기 광전자소자를 포함하는 표시 장치를 제공한다.

【기술적 해결방법】

일 구현예에 따르면, 하기 화학식 1 및 화학식 2의 조합으로 표현되는 제 1 화합물, 그리고 하기 화학식 3으로 표현되는 제 2 화합물을 포함하는 조성물을 제공한다. 2019/208937 1»(그1^1{2019/003444

[화학식 1] [화학식 2]

상기 화학식 1 및 화학식 2에서,

쇼!· 1 은 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴기 , 치환또는 비치환된 02 내지

030 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,

연결되고,

머지는 각각독립적으로 (3-1/- 이고,

V 및 내지 느 4 는 각각독립적으로 단일 결합, 치환또는 비치환된 06 내지 020 아릴텐기, 치환또는 비치환된 02 내지 020 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,

^ 및 내지 모 4 는 각각독립적으로수소, 중수소, 시아노기, 치환또는 비치환된 아민기, 치환또는 비치환된 (그1 내지 030 알킬기, 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴기, 치환또는 비치환된 02 내지 030 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,

^ 및 묘 1 내지 II 4 중 적어도 하나는 하기 화학식 쇼로 표현되는 기이고, [화학식 시

상기 화학식 쇼에서,

및 11。는 각각독립적으로 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴기, 치환 또는 비치환된 02 내지 030 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,

*은 V및 내지 1/와의 연결 지점이고; 2019/208937 3 1»(:1/10公019/003444

[화학식 3]

상기 화학식 3에서,

5 내지 9 는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환또는 비치환된 06 내지 020 아릴텐기, 치환또는 비치환된 02 내지 020 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,

2는 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴기, 치환또는 비치환된 02 내지 030 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,

II 5 내지 묘 8 은 각각 독립적으로수소, 중수소, 치환또는 비치환된 01 내지 030 알킬기, 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴기, 치환또는 비치환된 02 내지 030헤테로고리기 , 치환또는 비치환된 실릴기 , 치환또는 비치환된 아민기 , 할로겐, 시아노기 또는 이들의 조합이고,

^ 내지 묘 8 은 각각 독립적으로 존재하거나 인접한 기가 연결되어 치환또는 비치환된 방향족의 단환식 또는 다환식 고리를 형성하고,

2 및 II 5 내지 II 8 중 적어도 하나는 하기 화학식 8로 표현되는 기이고, [화학식 미

하나는 X이고,

립적으로 단일 결합, 치환또는 비치환된 06내지 020 아릴렌기 , 치환또는 비치환된 02 내지 020헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,

#는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환또는 비치환된 01 내지 030 알킬기, 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴기 , 치환또는 비치환된 01 내지 030 헤테로고리기, 치환또는 비치환된 실릴기, 치환또는 비치환된 아민기, 할로겐, 시아노기 또는 이들의 조합이고, 2019/208937 4 1»(:1^1{2019/003444

#는 각각독립적으로 존재하거나 인접한 기가 연결되어 치환또는 비치환된 방향족의 단환식 또는 다환식 고리 ,또는 치환또는 비치환된 방향족의 단환식 또는 다환식 헤테로고리를 형성하고,

*는 1/ 내지 와의 연결 지점이다.

다른구현예에 따르면,서로 마주하는 양극과 음극,상기 양극과 상기 음극 사이에 위치하는 적어도 1층의 유기층을포함하고, 상기 유기층욘 상기 조성물을 포함하는유기 광전자소자를 제공한다.

또 다른구현예에 따르면, 상기 유기 광전자소자를 포함하는표시 장치를 제공한다.

【발명의 효과】

고효율 장수명 유기 광전자소자를 구현할수 있다.

【도면의 간단한 설명】

도 1 및 도 2는 각각 일 구현예에 따른 유기 발광소자를 도시한 단면도이다. <부호의 설명>

100, 200: 유기 발광소자

105: 유기증

110: 음극

120: 양극

130: 발광층

140: 정공 보조층

【발명의 실시를 위한 최선의 형태】

이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다.

본 명세서에서 "치환”아란 별도의 정의가 없는 한, 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가중수소, 할로겐기, 히드록실기, 아미노기, 치환또는 비치환된 01 내지 030 아민기, 니트로기, 치환또는 비치환된 01 내지 040실릴기,(〕1 내지 030 알킬기, 01 내지 010 알킬실릴기, 06 내지 030 아릴실릴기, 03 내지 030 시클로알킬기, 03 내지 030 헤테로시클로알킬기, 06 내지 030 아릴기, 02 내지 030 헤테로아릴기,(그1 내지 020 알콕시기, 내지 010트리플루오로알킬기, 시아노기, 2019/208937 5 1»(:1^1{2019/003444 또는 이들의 조합으로 치환된 것을 의미한다.

본 발명의 일 예에서,’’치환”은 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가 중수소, C1 내지 C30 알킬기, C1 내지 C10 알킬실릴기, C6 내지 C30 아릴실릴기, C3 내지 C30 시클로알킬기, C3 내지 C30 헤테로시클로알킬기, C6 내지 C30 아릴기, C2 내지 C30 헤테로아릴기로 치환된 것을 의미한다. 또한, 본 발명의 구체적인 일 예에서,”치환”은 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가 중수소, C1 내지 C20 알킬기, C6 내지 C30 아릴기, 또는 C2 내지 C30

헤테로아릴기로 치환된 것을 의미한다. 또한, 본 발명의 구체적인 일 예에서,

"치환’’은 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가 중수소, C1 내지 C5 알킬기, C6 내지 C18 아릴기, 피리디닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기,

디벤조퓨란일기 , 디벤조티오펜일기 또는 카바졸일기로 치환된 것을 의미한다. 또한, 본 발명의 구체적인 일 예에서,”치환”은 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가 중수소, C1 내지 C5 알킬기, C6 내지 C18 아릴기, 디벤조퓨란일기 또는 디벤조티오펜일기로 치환된 것을 의미한다. 또한, 본 발명의 구체적인 일 예에서, ’’치환’’은 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가 중수소, 메틸가, 에틸기, 프로판일기, 부틸기, 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 트리페닐텐기, 디벤조퓨란일가 또는 디벤조티오펜일기로 치환된 것을 의미한다.

본 명세서에서 "헤테로”란 별도의 정의가 없는 한, 하나의 작용기 내에 N, 0, S, P 및 Si로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 1 내지 3개 함유하고, 나머지는 탄소인 것을 의미한다.

본 명세서에서 "아릴 (aryl)기”는 탄화수소 방향족 모이어티를 하나 이상 갖는 그룹을 총괄하는 개념으로서, 탄화수소 방향족 모이어티의 모든 원소가 p-오비탈을 가지면서, 이들 p-오비탈이 공액 (conjugation)을 형성하고 있는 형태, 예컨대 페닐기, 나프틸기 등을 포함하고 , 2 이상의 탄화수소 방향족 모이어티들이 시그마 결합을 통하여 연결된 형태, 예컨대 바이페닐기, 터페닐기, 쿼터페닐기 등을 포함하며, 2 이상의 탄화수소 방향족 모이어티들이 직접 또는 간접적으로 융합된 비방향족 융합 고리, 예컨대 플루오레닐기 등을 포함할 수 있다.

아릴기는 모노시클릭, 폴리시클릭 또는 융합 고리 폴리시클릭 (즉,

탄소원자들의 인접한 쌍들을 나눠 가지는 고리) 작용기를 포함한다.

본 명게서에서 "헤테로고리기 (heterocyclic group)"는 헤테로아릴기를 포함하는 2019/208937 6 1»(:1^112019/003444

상위 개념으로서, 아릴기, 시클로알킬기, 이들의 융합고리 또는 이들의 조합과 같은 고리 화합물 내에 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 적어도 한 개를 함유하는 것을 의미한다. 상기 헤테로고리기가 융합고리인 경우, 상기 헤테로고리기 전체 또는 각각의 고리마다 헤테로 원자를 한 개 이상 포함할 수 있다.

일 예로 "헤테로아릴 (11 1'0 1)기”는 아릴기 내에 ^ 0, 8, ? 및 와로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 적어도 한 개를 함유하는 것을 의미한다 . 2 이상의 헤:테로아릴기는 시그마 결합을 통하여 직접 연결되거나, 상기 헤테로아릴기가 2 이상의 고리를 포함할 경우, 2 이상의 고리들은 서로 융합될 수 있다. 상기

헤테로아릴기가 융합고리인 경우, 각각의 고리마다 상기 헤테로 원자를 1 내지 3개 포함할 수 있다.

보다 구체적으로, 치환 또는 비치환된 06 내지 030 아릴기는, 치환 또는 비치환된 페닐기 , 치환 또는 비치환된 나프틸기 , 치환 또는 비치환된 안트라세닐기 , 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 나프타세닐기, 치환 또는 비치환된 피레닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 111-터페닐기 , 치환 또는 비치환된 0 -터페닐기, 치환 또는

비치환된 크리세닐기, 치환또는 비치환된 트리페닐텐기, 치환 또는 비치환된 페릴레닐기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 인데닐기, 또는 이들의 조합일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.

보다 구체적으로, 치환 또는 비치환된 02 내지 030 헤테로고리기는, 치환 또는 비치환된 퓨라닐기 , 치환 또는 비치환된 티오페닐기 , 치환 또는 비치환된 피롤릴기, 치환 또는 비치환된 피라졸릴기, 치환 또는 비치환된 이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 트리아졸일기, 치환 또는 비치환된 옥사졸일기, 치환 또는 비치환된 티아졸일기 , 치환 또는 비치환된 옥사디아졸일기 , 치환 또는 비치환된 티아디아졸일기, 치환 또는 비치환된 피리딜기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환또는 비치환된 피라지닐기, 치환또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 벤조티오페닐기 , 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 인돌일기, 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기 , 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기 , 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기, 치환 또는 비치환된 나프티리디닐기, 치환 또는 비치환된 \¥0 2019/208937 7 1»(그710{2019/003444 벤즈옥사진일기 , 치환또는 비치환된 벤즈티아진일기 , 치환또는 비치환된

아크리디닐기, 치환또는 비치환된 페나진일기, 치환또는 비치환된 페노티아진일기, 치환또는 비치환된 페녹사진일기, 치환또는 비치환된 카바졸일기, 치환또는 비치환된 디벤조퓨란일기,또는 치환또는 비치환된 디벤조티오펜일기, 또는 이들의 조합일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.

본 명세서에서, 정공 특성이란, 전기장( 을 가했을 때 전자를 공여하여 정공을 형성할수 있는 특성을 말하는 것으로,표0\10준위를 따라 전도 특성을 가져 양극에서 형성된 정공의 발광층으로의 주입, 발광층에서 형성된 정공의 양극으로의 이동 및 발광층에서의 이동을 용이하게 하는 특성을 의미한다.

또한 전자특성이란, 전기장을 가했을 때 전자를 받을수 있는 특성을 말하는 것으로, LUMO준위를 따라 전도 특성을 가져 음극에서 형성된 전자의 발광층으로의 주입, 발광층에서 형성된 전자의 음극으로의 이동 및 발광층에서의 이동을 용이하게 하는 특성을 의미한다.

이하 일 구현예에 따른 유기광전자소자용 조성물을 설명한다.

일 구현예에 따른 유기광전자소자용 조성물은 정공 특성을 가진 제 1 화합물과 전자특성을 가진 제 2 화합물을 포함한다.

제 1 화합물은 하기 화학식 1 및 화학식 2의 조합으로 표현된다.

[화학식 1] [화학식 2]

1_ 3

V

상기 화학식 1 및 화학식 2에서,

쇼!· 1 은 치환또는 비치환된 C6 내지 030 아릴기, 치환또는 비치환된 02 내지 030헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,

연결되고,

따* 내지 3 4 * 중 * 및 ¾*와 연결되지 않은 나머지는 각각 독립적으로己1八 ^ 이고,

는 각각독립적으로 단일 결합, 치환또는 비치환된 06 내지 020 아릴렌기, 치환또는 비치환된 02 내지 020 헤테로고리기 또는 이들의 2019/208937 8 1»(:1^1{2019/003444

조합이고,

및 내지 II 4 는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 치환또는 비치환된 아민기, 치환또는 비치환된 <그1 내지 030 알킬기, 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴기, 치환또는 비치환된 02 내지 030 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,

적어도 하나는 하기 화학식 쇼로 표현되는 기이고,

상기 화학식 쇼에서,

^ 및 ^는각각 독립적으로 치환또는 비치환된 06 내지 030 아릴기, 치환 또는 비치환된 02 내지 030헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,

와의 연결 지점이다.

제 1 화합물은 벤조카바졸에 아민이 치환된 구조를 가짐으로써 1101^0 전자 구름이 아민으로부터 벤조카바졸로 확장됨으로써 높은 HOMO 에너지를 갖게 되어 정공 주입 및 전달 특성이 우수하다.

또한 벤조카바졸은 바이카바졸 및 인돌로카바졸에 비하여 상대적으로 높은 1101 0에너지를 갖기 때문에 벤조카바졸에 아민이 치환된 구조를 적용함으로써 낮은 구동 전압을 갖는 소자를 구현할수 있다.

또한 바이카바졸 및 인돌로카바졸은높은 II 에너지를 가지므로 1 (1110 로서 적합하지 않은 반면에, 벤조카바졸에 아민이 치환된 구조는 1 (1 110 로서 적합한 II 에너지를 갖는다. 이에 따라본 발명에 따른 화합물이 적용된 소자는 고효율/장수명 특성이 구현될 수 있다.

한편 제 2 화합물과 함께 포함되어 정공과 전자의 균형을 맞출 수 있고 이에 따라 이를 적용한소자의 구동 전압을 낮출 수 있다.

일 예로, 독립적으로 치환또는 비치환된 페닐기, 치환또는 비치환된 바이페닐기 , 치환또는 비치환된 안트라세닐기 , 치환또는 비치환된 나프틸기, 치환또는 비치환된 페난트레닐기, 치환또는 비치환된 트리페닐텐기, 치환또는 비치환된 플루오레닐기, 치환또는 비치환된 카바졸일기, 치환또는 0 2019/208937

9 1»(:1^1{2019/003444

비치환된 디벤조퓨란일기 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기일 수 있다. 예컨대, 0 및 11。는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된, 페닐기, 치환 또는 비치환된 I)-바이페닐기 또는 치환 또는 비치환된 플루오레닐기일 수 있고, 이 때 치환기는 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 트리페닐렌기, 카바졸일기, 디벤조퓨란일기 또는 디벤조티오펜일기일 수 있다.

일 예로, 1 은 각각 독립적으로 치환또는 비치환된 06 내지 020 아릴기 또는 치환또는 비치환된 02 내지 020 헤테로고리기일 수 있다.

예컨대,사 1 은 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기 또는 이들의 조합일 수 있다.

예컨대,쇼!· 1 은 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기 또는 치환 또는 비치환된 카바졸일기일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

일 예로, 1/ 및 내지 는 각각 독립적으로 단일 결합 또는 치환 또는 비치환된 06 내지 020 아릴렌기일 수 있다.

예컨대, 1/ 및 내지 1/는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 페닐텐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기, 치환 또는 비치환된 터페닐렌기, 또는 치환 또는 비치환된 나프틸렌기일 수 있다.

예컨대, 는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 0 -페닐렌기, 치환 또는 비치환된 111-바이페닐렌기, 치환 또는 비치환된 I)-바이페닐렌기, 치환 또는 비치환된 0 -바이페닐텐기, 치환 또는 비치환된 111-터페닐렌기, 치환 또는 비치환된 V 터페닐렌기 또는 치환또는 비치환된 0 -터페닐렌기일 수 있다. 여기서 치환은 예컨대 적어도 하나의 수소가 중수소, (그1 내지 020 알킬기, 06 내지 020 아릴기, 할로겐, 시아노기 또는 이들의 조합으로 치환된 것일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 2019/208937 10 1»(:1^1{2019/003444

일 예로, 및 모 1 내지 II 4 는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 치환 또는 비치환된 01 내지 010 알킬기, 치환또는 비치환된 06 내지 020 아릴기, 치환 또는 비치환된 02 내지 020 헤테로고리기 또는 상기 화학식 쇼로 표현되는 기일 수 있다.

예컨대, ^및 1 내지 I 는 각각독립적으로 수소 또는 상기 화학식 쇼로 표현되는 기일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

일 예로,상기 제 1 화합물은 화학식 1 및 화학식 2의 융합위치에 따라 예컨대 하기 화학식 1쇼내지 화학식 1(:중 어느 하나로 표현될 수 있다.

[화학식 1시 [화학식 1미 [화학식 1어

상기 화학식 1쇼 내지 화학식 1(3에서,사 1 , 1/ 및 내지 I/, 그리고 및 II 1 내지 묘 4 는 전술한 바와 같다.

일 예로, 상기 화학식 1쇼는 화학식 쇼로 표현되는 기의 치환 위치에 따라 하기 화학식 1쇼-1 내지 화학식 1쇼-3 중 어느 하나로 표현될 수 있다.

[화학식 1쇼-1] [화학식 1쇼_ 2 ] [화학식 1쇼_ 3

상기 화학식 1쇼-1 내지 화학식 1쇼-3에서, 1 , 1/ 및 내지 1人 및 II 1 내지 II 4 , 그리고 ^ 및 11°는 전술한 바와 같다.

예컨대, 상기 화학식 1쇼-1은 화학식 쇼로 표현되는 기의 구체적인 치환 위치에 따라 하기 화학식 1쇼-1-크내지 화학식 1쇼-1-(1중 어느 하나로 표현될 수 있다. 2019/208937 1»(:1^1{2019/003444

1 1

[화학식 1쇼-1-리[화학식 1쇼-1-비[화학식 ^-1-0][화학식 1쇼-1 -여

내지 II 4 , 그리고 전술한 바와 같다.

일 실시예에서, 화학식 1쇼-1은 상기 화학식 1쇼-1-15 또는 화학식 1쇼-1'-0로 표현될 수 있다.

예컨대, 상기 화학식 1쇼-2는 화학식 쇼로 표현되는 기의 구체적인 치환 위치에 따라 하기 화학식 1쇼-2 -크또는 화학식 1쇼-2七로 표현될 수 있다.

[화학식 1쇼- 2 _리 [화학식 1쇼- 2 -!)]

II 4 , 그리고 ^ 및 는 전술한 바와 같다.

일 실시예에서, 화학식 1쇼-2는 상기 화학식 1쇼-2 로 표현될 수 있다. 예컨대, 상기 화학식 1쇼-3은 화학식 쇼로 표현되는 기의 구체적인 치환 위치에 따라 하기 화학식 1쇼-3-크 내지 화학식 1쇼-3-(1 중 어느 하나로 표현될 수 있다.

[화학식 1쇼-3-리[화학식 1쇼-3七][화학식 1쇼-3-이[화학식 \A-3-d]

내지 II 4 , 그리고 ^ 및 11。는 전술한 바와 같다.

일 실시예에서, 화학식 1쇼-3은 상기 화학식 1쇼-3七 또는 화학식 1쇼-3 로 2019/208937 12 1»(:1^1{2019/003444

표현될 수 있다.

일 예로, 상기 화학식 1묘는 화학식 로 표현되는 기의 치환 위치에 따라 하기 화학식 18-1 내지 화학식 18-3 중 어느 하나로 표현될 수 있다.

[화학식 내-1] [화학식 16-2] [화학식 16-3]

å 및 내지 II 4 , 그리고 전술한바와 같다.

예컨대,상기 화학식 내-1은 화학식 쇼로 표현되는 기의 구체적인 치환 위치에 따라 하기 화학식 16-1^내지 화학식 하나로 표현될 수 있다.

[화학식 내-1-리[화학식 내-1七][화학식 18-1-이[화학식 \B-l-d]

상기 화학식 내-1 내지 화학식 에서, 1 , 1/ 및 내지

내지 묘 4 , 그리고 전술한 바와 같다.

예컨대,상기 화학식 내-2는 화학식 쇼로 표현되는 기의 구체적인 치환 위치에 따라하기 화학식 내-2 - & 또는 화학식 내- 로 표현될 수 있다.

[화학식 18-2-리 [화학식 0-2-1?]

상기 화학식 \B-2-a및 화학식 -2 -몌서, 1 ,]? 및 내지 1人 ^ 내지 II 4 , 그리고 및 는 전술한 바와같다.

예컨대, 상기 화학식 내-3은 화학식 쇼로 표현되는 기의 구체적인 치환 위치에 2019/208937 1 3 1»(:1^1{2019/003444 따라 하기 화학식 내-3 -크내지 화학식 \B-3-d중 어느 하나로 표현될 수 있다.

[화학식 내-3-리[화학식 내 -비[화학식 내-3-이[화학식 1묘-3-여

상기 화학식 내-3 - 내지 화학식 내-3-<1에서, 1 , 1/ 및 내지 및 모 1 내지 그리고 ^ 및 11。는 전술한 바와 같다.

일 실시예에서, 화학식 出-3은 상기 화학식 내- 로 표현될 수 있다.

일 예로, 상기 화학식 1(:는 화학식 쇼로 표현되는 기의 치환 위치에 따라 하기 화학식 10-1 내지 화학식 1 3 중 어느 하나로 표현될 수 있단.

상기 화학식 1(:-1 내지 화학식 1 -3에서, \,\ ^ 및 II 1 내지 II 4 , 그리고 0 및 11。는 전술한 바와 같다. ,

예컨대,상기 화학식 1己1은 화학식 쇼로 표현되는 기의 구체적인 치환위치에 따라하기 화학식 10-1^내지 화학식 1 1-(1중 어느 하나로 표현될 수 있다.

[화학식 1(:-1-리[화학식 1 -1七][화학식 1 1 -이[화학식 10- 1-(1]

상기 화학식 10-1-3내지 화학식 101-(1에서, 1 , 1/및 내지 V, ^ 및 II 1 내지 , 그리고 및 ^는 전술한바와 같다.

일 실시예에서, 화학식 1(그-1은 상기 화학식 比-내로 표현될 수 있다. 2019/208937 1 4 1»(:1^1{2019/003444 예컨대,상기 화학식 1 2는 화학식 쇼로 표현되는 기의 구체적인 치환위치에 따라 하기 화학식 1 24또는 화학식 1 2-1)로 표현될 수 있다.

[화학식 1〔:-2-리[화학식 102-1?]

상기 화학식 1(:-2 및 화학식 1(3-2-13에서, 1 ,]: 3 및 내지 V, ^ 내지 모 4 , 그리고 전술한바와 같다.

예컨대,상가화학식 1(:-3은 화학식 쇼로 표현되는 기의 구체적인 치환위치에 따라하기 화학식 1(〕-3-크내지 화학식 1 3-(1중 어느 하나로 표현될 수 있다.

[화학식 1(그-3-리[화학식 1(그-3七][화학식 1(그-3-이[화학식 1(그-3-여

상기 화학식 1 -34내지 화학식 1(:-3 에서, 1 , 1/ 및 내지 1人 및 II 1 내지 II 4 , 그리고 전술한 바와 같다.

일 실시예에서, 화학식 103은 상기 화학식 1 3止로 표현될 수 있다.

본 발명의 구체적인 일 실시예에서, 제 1 화합물은상기 화학식 1쇼로 표현될 수 있고,구체적으로는 상기 화학식 1쇼-1로 표현될 수 있으며, 예컨대 상기 화학식 1쇼-1止로 표현될 수 있다.

제 1 화합물은 예컨대 하기 그룹 1에 나열된 화합물에서 선택된 하나일 수 있으나, 이에 한전되는 것은 아니다. Pf 1]

2019/208937 18 1»(:1/10公019/003444

상기 화학식 3에서,

5 내지 9 는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 06 내지 020 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 02 내지 020 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고, 쇼 는 치환 또는 비치환된 06 내지 030 아릴기, 치환 또는 비치환된 02 내지

030 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,

5 내지 II 8 은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 01 내지 030 알킬기, 치환 또는 비치환된 06 내지 030 아릴기, 치환 또는 비치환된 02 내지 030 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 아민기, 할로겐, 시아노기 또는 이들의 조합이고,

II 5 내지 II 8 은 각각 독립적으로 존재하거나 인접한 기가 연결되어 치환 또는 비치환된 방향족의 단환식 또는 다환식 고리를 형성하고, 2019/208937 1 9 1»(:1/10公019/003444 쇼1· 2 및 ^ 내지 II 8 중 적어도 하나는 하기 화학식 8로 표현되는 기이고,

[화학식 머

상기 화학식 묘에서,

方 내지 方는 각각독립적으로 또는 1八10이고,

å 1 내지 å 5 중 적어도 하나는 X이고,

여기서 적으로 단일 결합, 치환또는 비치환된 06 내지 020 아릴렌기, 치환또는 비치환된 02 내지 020 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고, 적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 01 내지 030 알킬기, 치환또는 비치환된 06내지 030 아릴기 , 치환또는 비치환된 02 내지 030 헤테로고리기, 치환또는 비치환된 실릴기, 치환또는 비치환된 아민기, 할로겐, 시아노기 또는 이들의 조합이고,

각각 독립적으로 존재하거나 인접한 기가 연결되어 치환또는 비치환된 방향족의 단환식 또는 다환식 고리, 또는 치환또는 비치환된 방향족의 단환식 또는 다환식 헤테로고리를 형성하고,

*는 1/ 내지 1/와의 연결 지점이다.

제 2 화합물은 전기장을 걸었을 때 정공과 전자를 모두 받을수 있는 특성, 즉 바이폴라특성을 가지는화합물로, 구체적으로 상기 화학식 3으로 표현되는 카바졸 코어에 적어도 하나의 질소를 함유하는 고리, 예컨대 피리미딘 또는 트리아진 등이 치환된 구조를 가짐으로써 분자량 대비 유리 전이 온도가 향상되는 효과가

있으므로, 내열성이 확보될 수 있다.

또한, 제 2 화합물은 빠르고 안정한 전자 전달 특성을 가지므로, 빠르고 안정한정공 전달특성을 갖는 전술한 제 1 화합물과 함께 포함되어 소자 내 정공과 전자의 균형을 맞출 수 있고, 이에 따라 이를 적용한유기 광전자 소자의 구동 전압을 낮출 수 있다.

일 예로, 독립적으로 단일 결합, 치환또는 비치환된 06 내지 020 아릴렌기 또는 치환또는 비치환된 02 내지 020 헤테로고리기 일 수 있다.

일 예로, !/ 내지 느 9 는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환또는 비치환된 2019/208937 20 1»(:1^1{2019/003444

페닐텐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기, 치환 또는 비치환된 터페닐텐기, 치환 또는 비치환된 나프틸텐기 , 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기 , 치환 또는

비치환된 디벤조티오펜일기 , 치환 또는 비치환된 융합디벤조퓨란일기 , 치환 또는 비치환된 융합디벤조티오펜일기, 또는 이들의 조합일 수 있다.

예컨대 느 5 내지 1/는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 111- 페닐렌기 , 치환 또는 비치환된 페닐렌기 , 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기, 또는 치환 또는 비치환된 터페닐렌기일 수 있다.

일 예로, 2 는 치환 또는 비치환된 페닐기 , 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸가, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐텐기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 상기 화학식 8로 표현되는 기 또는 이들의 조합일 수 있다.

예컨대 쇼 는 치환또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기 또는 상기 화학식 :6로 표현되는 기일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

일 예로,묘 5 내지 모 8 은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기 , 치환 또는 비치환된 터페닐기 , 치환 또는 비치환된 나프틸기 , 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 치환 또는 비치환된

디벤조티오펜일기, 상기 화학식 8로 표현되는 기 또는 이들의 조합일 수 있다.

예컨대 모 5 내지 묘 8 은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 치환 또는 비치환된 페닐기 , 치환 또는 비치환된 바이페닐기 , 치환 또는 비치환된 터페닐기 , 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기 또는 상기 화학식 묘로 표현되는 기일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

일 예로, 제 2 화합물은상기 화학식 8로 표현되는 기의 결합 위치에 따라 예컨대 하기 하기 화학식 2쇼 내지 화학식 2 중 어느 하나로 표현될 수 있다. 2019/208937 21 1»(:1^1{2019/003444

[화학식 2시 [화학식 2머 [화학식 20]

[화학식 2(3] . [화학식 2버 [화학식 21]

상기 화학식 2쇼 내지 2 에서, : 내지 1八사 2 , 11 5 내지 II 8 ,方 내지 公는 전술한 바와 같고,

내지 II 8 의 정의와 같고,

정의와 같으며,

^ 내지 515 도 전술한 정의와 같다.

일 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 06 내지 020 2019/208937 22 1»(:1^1{2019/003444

아릴렌기, 치환 또는 비치환된 02 내지 020 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고, 예컨대 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기, 치환 또는 비치환된 터페닐렌기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐렌기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일텐기 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일렌기일 수 있다.

예컨대 는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 111페닐렌기 또는 치환 또는 비치환된 페닐렌기일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 일 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 치환 또는 비치환된 01 내지 020 알킬기, 치환 또는 비치환된 06 내지 020 아릴기, 치환 또는 비치환된 02 내지 020 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,

예컨대 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 치환 또는 비치환된 페닐기 , 치환 또는 비치환된 바이페닐기 , 치환 또는 비치환된 나프틸기 , 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트렌기, 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기일 수 있다.

예컨대 각각 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기, 치환 또는 비치환된 페닐기 , 치환 또는 비치환된 -바이페닐기 , 치환 또는 비치환된 I) -바이페닐기 , 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

는 각각 독립적으로 존재하거나 인접한 기가 서로 연결되어 치환 또는 비치환된 방향족의 단환식 또는 다환식 고리, 또는 치환 또는 비치환된 방향족의 단환식 또는 다환식 헤테로고리를 형성할 수 있다.

일 예로, 화학식 8로 표현되는 기에서 å 1 내지 å 5 중 적어도 둘은 X이고, 는 각각 독립적으로 존재할 수 있다.

일 예로, 화학식 묘로 표현되는 기는 치환 또는 비치환된 피리미디닐기 또는 치환 또는 비치환된 트리아지닐기일 수 있다.

예컨대,方 및 3 이 X이고, 2 , 4 및 2: 5 가 각각 독립적으로 (:- -! 이거나; 및 가 이고,方, 및 2: 4 가 각각 독립적으로 이거나; 또는 å 2 및 方가 2019/208937 23 1»(:1^1{2019/003444 립적으로 0-^-^ 일 수 있다. 이 경우, 및 #는 이고, 2: 2 및 方는 각각 독립적으로 0-^-^ 일 수 있다. 이 경우, I) 및 는 전술한 바와 같다.

일 예로, 화학식 8로 표현되는 기에서 公 내지 7} 중 적어도 하나는 이고,

#는 서로 연결되어 치환 또는 비치환된 방향족의 단환식 고리, 또는 치환 또는 비치환된 방향족의 단환식 헤테로고리를 형성할 수 있다.

이 경우, 화학식 8로 표현되는 기는 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기 , 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기 , 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기 또는 치환 또는 비치환된 나프티리디닐기일 수 있다.

예컨대, 3 4 는 각각 #이고 인접한 #는 서로 연결되어 벤젠 고리를 연결되어 벤젠 고리를 형성하고 ^\ 7} 및 중 어느 둘이 X일 수 있다.

예컨대, 인접한 는 서로 연결되어 벤젠 고리를 형성하고 만 및 이 각각 X일 수 있다.

예컨대, 상기 화학식 8는 하기 화학식 6-1 내지 7 중 어느 하나로 표현될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

[화학식 6-1] [화학식 6-2] [화학식 3-3] [화학식 6-4] [화학식 6-5]

상기 화학식 6-1 내지 화학식 7에서,

1 내지 1戶, 그리고 V 1 및 1戶는 전술한 정의와 같고,

내지 5 , # 1 및 는 전술한 ^의 정의와 같으며, 2019/208937 24 1»(:1/10公019/003444

*은 1/내지 와의 연결 지점이다.

구체적인 일 예로 상기 화학식 요로 표현되는 가는 치환또는 비치환된 피리미디닐기, 치환또는 비치환된 트리아지닐기, 치환또는 비치환된 퀴녹살리닐기, 치환또는 비치환된 퀴나졸리닐기 또는 치환또는 비치환된 나프티리디닐기일 수 있다.

더욱 구체적인 일 예로 상기 화학식 8는 하기 그룹 I에 나열된 치환기에서 선택된 어느 하나일 수 있다.

[그룹 I ]

일 예로, 상기 화학식 2쇼는 상기 화학식 :6로 표현되는 기의 구체적인 결합 위치에 따라하기 화학식 2쇼-1 내지 화학식 2쇼-4중 어느 하나로 표현될 수 있다.

[화학식 2쇼-1] [화학식 2쇼-2]

상기 화학식 2쇼-1 내지 화학식 2쇼-4에서,느 5 내지 1/,쇼1" 2 ,11 5 내지 내지 2019/208937 25 1»(:1/10公019/003444 5는 전술한 바와 같다. ,

일 예로, 상기 화학식 2(3는 상기 화학식 요로 표현되는기의 구체적인 결합 위치에 따라하기 화학식 20-1 내지 화학식 20-4중 어느 하나로 표현될 수 있다.

[화학식 20-1] [화학식 20-2] [화학식 20-3] [화학식 204]

상기 화학식 20-1 내지 화학식 2 4에서, 5 내지 I?, ^ 내지 , 2 내지 公' % 는 전술한 바와 같다.

본 발명의 구체적인 일 실시예에서, 제 2 화합물은 상기 화학식 2돠 화학식 20, 화학식 213, 화학식 2å 및 화학식 2¥ 중 어느 하나로 표현될 수 있고, 예컨대 상기 화학식 28또는 화학식 2 로 표현될 수 있다.

제 2화합물은 예컨대 하기 그룹 2에 나열된 화합물에서 선택된 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

[그룹 2]

2019/208937 28 1»(:1^1{2019/003444

제 1 화합물과 제 2 화합물은 예컨대 1 :99 내지 99: 1의 중량비로 포함될 수 있다. 상기 범위로 포함됨으로써 제 1 화합물의 정공 수송 능락과 제 2 화합물의 전자 수송 능력을 이용해 적절한 중량비를 맞주어 바이폴라 특성을 구현하여 효율과 수명을 개선할 수 있다. 상기 범위 내에서 예컨대 약 10:90 내지 90: 10, 약 20:80 내지 80:20, 약 30:70 내지 70:30, 약 40:60 내지 60:40 또는 약 50:50의 중량비로 포함될 수 있다. 일 예로, 50:50 내지 60:40의 중량비로 포함될 수 있으며, 예컨대, 50:50 또는 60:40의 중량비로 포함될 수 있다.

일 예로 본 발명의 일 실시예에 따른 조성물은 상기 화학식 1^1-13로 표현되는 화합물을 제 1 화합물로서 포함하고, 상기 화학식 28 또는 화학식 2 로 표현되는 화합물을 제 2 화합물로서 포함할 수 있다.

예컨대, 상기 화학식 1쇼-1 -몌서, 1 은 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기 또는 이들의 조합이고, 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기, 치환 또는 비치환된 터페닐렌기, 또는 치환 또는 비치환된 나프틸렌기이고, , II 1 , 및 묘 4 는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 시아노기 , 치환 또는 비치환된 01 내지 030 알킬기 , 치환 또는 비치환된 06 내지 030 아릴기, 치환 또는 비치환된 02 내지 030 2019/208937 29 1»(:1^1{2019/003444 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고, R b 및 R c 는 각각 독립적으로 치환또는 비치환된 페닐기 , 치환또는 비치환된 바이페닐기, 치환또는 비치환된

안트라세닐기, 치환또는 비치환된 나프틸기 , 치환또는 비치환된 페난트레닐기, 치환또는 비치환된 트리페닐렌기, 치환또는 비치환된 플루오레닐기, 치환또는 비치환된 카바졸일기, 치환또는 비치환된 디벤조퓨란일기 또는 치환또는 비치환된 디벤조티오펜일기일 수 있고,

상기 화학식 2B 및 화학식 2F에서, L 5 내지 는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환또는 비치환된 페닐렌기, 치환또는 비치환된 바이페닐렌기, 치환또는 비치환된 터페닐텐기,또는 치환또는 비치환된 나프틸렌기이고, R 5 내지 R 8 , R e , R f 및 는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기, 치환또는 비치환된 실릴기, 치환또는 비치환된 아민기, 할로겐, 시아노기 또는 이들의 조합일 수 있다.

또한, Z 1 내지 Z 5 는 각각 독립적으로 N또는 C-L b -R d 이고, Z 1 내지 Z 5 중 적어도 둘은 N이고, L b 는 각각독립적으로 단일 결합,또는 치환또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기이고, R d 는 각각독립적으로 각각독립적으로 치환또는 비치환된 페닐기, 치환또는 비치환된 바이페닐기, 치환또는 비치환된 터페닐기, 치환또는 비치환된 안트라세닐기, 치환또는 비치환된 나프틸기, 치환또는 비치환된

페난트레닐기, 치환또는 비치환된 트리페닐렌기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환또는 비치환된 카바졸일기 , 치환또는 비치환된 디벤조퓨란일기 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기일 수 있다.

조성물은 전술한 제 1 화합물 및 제 2 화합물 외에 1종 이상의 화합물을 더 포함할수 있다.

조성물은 도펀트를 더 포함할 수 있다. 도펀트는 예컨대 인광도펀트일 수 있고, 예컨대 적색,녹색 또는 청색의 인광도펀트일 수 있고, 예컨대 적색 인광 도펀트일 수 있다.

도펀트는 제 1 화합물과 제 2 화합물에 미량 혼합되어 발광을 일으키는 물질로, 일반적으로 삼중항상태 이상으로 여기시키는 다중항 여기 (multiple excitation)에 의해 발광하는금속 착체 (metal complex)와 같은 물질이 사용될 수 있다. 도펀트는 예컨대 무기,유기, 유무기 화합물일 수 있으며, 1종 또는 2종 이상 포함될 수 있다. 2019/208937 30 1»(:1^1{2019/003444

도펀트의 일 예로 인광도펀트를 들 수 있으며, 인광도펀트의 예로는뇨, !' 조합을 포함하는유기 금속화합물을들 수 있다. 인광도펀트는 예컨대 하기 화학식 로 표현되는 화합물을사용할수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

[화학식 å]

10 MX

상기 화학식 2:에서, M은 금속이고, 같거나 다르며 과 착화합물을 형성하는 리간드이다.

상기 은 예컨대

이들의 조합일 수 있고,상기 예컨대 바이덴테이트 리간드일 수 있다. 조성물은 화학기상증착과 같은 건식 성막법에 의해 형성될 수 있다.

이하상술한조성물을 적용한유기 광전자소자를 설명한다.

유기 광전자소자는 전기 에너지와 광 에너지를 상호 전환할수 있는 소자이면 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 유기 광전 소자, 유기 발광소자,유기 태양 전지 및 유기 감광체 드럼 등을 들 수 있다.

여기서는유기 광전자소자의 일 예인 유기 발광 소자를 도면을 참고하여 설명한다.

도 1 및 도 2는 일 구현예에 따른 유기 발광 소자를 보여주는 단면도이다. 도 1을 참고하면, 일 구현예에 따른 유기 발광소자 (100)는서로 마주하는 양극 (120)과음극 (110), 그리고 양극 (120)과 음극 (110)사이에 위치하는유기층 (105)을 포함한다.

양극 (120)은 예컨대 정공 주입이 원활하도록 일 함수가높은 도전체로 만들어질 수 있으며, 예컨대 금속,금속 산화물 및/또는 도전성 고분자로 만들어질 수 있다. 양극 (120)은 예컨대 니켈, 백금, 바나듐,크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연산화물, 인듐산화물, 인듐주석산화물 (11X1 ) ),

인듐아연산화물 (120 )과 같은 금속산화물; ¾ ◦와시 또는 ¾0 2 와 와 같은금속과 산화물의 조합; 폴리 (3 -메틸티오펜), 폴리 (3,4-(에틸렌- 1,2- 디옥시)티오펜) (5»01>년 16116 ( ^ ( «71;1^01)116116: 물리피롤 및 들리아닐린과 같은 도전성 고분자등을들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

음극 (110)은 예컨대 전자주입이 원활하도록 일 함수가 낮은 도전체로 2019/208937 31 1»(:1^1{2019/003444 만들어질 수 있으며, 예컨대 금속, 금속 산화물 및/또는 도전성 고분자로 만들어질 수 있다. 음극 (110)은 예컨대 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인둠, 아트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄,은,주석, 납, 세슘, 바륨 등과 같은 금속 또는 이들의 합금; 물질을들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

유기층 (105)은 전술한조성물을포함하는 발광층 (130)을 포함한다.

발광층 (130)은 예컨대 전술한조성물을포함할 수 있다.

전술한조성물은 예컨대 적색 발광조성물일 수 있다.

발광층 (130)은 예컨대 전술한 제 1 화합물과 제 2 화합물을 각각 인광

호스트로서 포함할수 있다.

도 2를 참고하면,유기 발광소자 (200)는 발광층 (130) 외에 정공 보조층 (140)을 더 포함한다. 정공 보조층 (140)은 양극 (120)과 발광층 (130)사이의 정공주입 및/또는 정공 이동성을 더욱 높이고 전자를 차단할 수 있다. 정공 보조층 (140)은 예컨대 정공수송층, 정공 주입층 및/또는 전자 차단층일 수 있으며, 적어도 1층을 포함할수 있다.

상기 정공 보조층 (140)은 예컨대 하기 그룹 1)에 나열된 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.

구체적으로 상기 정공 보조층 (140)은 양극 (120)과 발광층 (130)사이의 정공 수송층, 및 상기 발광층 (130)과상기 정공 수송층사이의 정공 수송 보조층을 포함할 수 있고, 하기 그룹 I)에 나열된 화합물 중 적어도 하나는상기 정공 수송 보조층에 포함될 수 있다.

[그룹 D]

2019/208937 33 1»(:1^1{2019/003444

상기 정공 수송 보조층에는 전술한화합물 외에도 US5061569A, JP1993-

009471A, WO1995-009147A1, JP1995-126615A, JP1998-095973A등에 기재된 공지의 화합물 및 이와유사한구조의 화합물도사용될 수 있다.

또한, 본 발명의 일 구현예에서는 도 1 또는 도 2에서 유기층 (105)으로서 추가로 전자수송층, 전자주입층, 전공주입층 등을 더 포함한유기발광소자일 수도 있다.

유기 발광 소자 (100, 200)는 기판위에 양극또는 음극을 형성한후, 진공증착법 (evaporation), 스퍼터링 (sputtering), 플라즈마도금 및 이온도금과 같은 건식성막법 등으로 유기층을 형성한후, 그 위에 음극또는 양극을 형성하여 제조할 수 있다.

상술한유기 발광소자는 유기 발광표시 장치에 적용될 수 있다.

【발명의 실시를 위한 형태】

이하실시예를 통하여 상술한구현예를 보다상세하게 설명한다. 다만 하기의 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것이며 권리범위를 제한하는 것은 아니다. 2019/208937 34 1»(:1/10公019/003444

(제 1 화합물의 제조)

합성예 1: 화합물쇼-2의 합성

[반응식 1]

a)중간체 A-2-1의 합성

phenylhydrazinehydrochloride (70.0g, 484.1 mmol), 7-bromo-3,4-dihydro-2H- naphthalen-l-one (108.9g, 484.1 mmol)을 환저풀라스크에 넣고 에탄올 (1200ml)에 녹인다. 상온에서 염산 60 mL를 천천히 적가한후 90 ° C에서 12시간동안교반한다. 반응이 종료되면 용매를 감압하에서 제거한후 과량의 에틸아세테이트 (EA: Ethyl Acetate)로 추출한다. 유기용매를 감압하에 제거하고 소량의 메탄올 속에서 교반시킨 후 필터하여 중간체 A-2-1을 95.2g(66%) 수득하였다.

b)중간체 A-2-2의 합성

중간체 A-2-1 (95.2g, 319.3 mmol), 2,3-dichloro-5,6-dicyano-l,4-benzoquinone (108.7 & 478.9 mmol)을 환저플라스크에 넣고 톨루엔 (600ml)에 녹인다. 8 0 ° C에서 H시간 동안교반한다. 반응이 종료되면 반응용매를 제거한후 컬럼크로마토그래피를 이용하여 중간체 A-2-2를 41.3g(44%) 수득하였다.

c)중간체 A-2-3의 합성

중간체 A-2-2 (41.3g, 139.0 mmol), iodobenzene (199.2g, 976.0 mmol), Cul (5.3 lg, 28.0 mmol), K 2 CO 3 (28.9g, 209.0 mmol), 1, 10-phenan仕 iroline (5.03g, 28.0 mmol)을

환저플라스크에 넣고 DMF(500ml)에 녹인다. 180 ° C에서 12 시간동안교반한다.

반응이 종료되면 반응용매를 감압하에서 제거한후 디클로로메탄에 용해 후 실리카겔 여과한다. 디클로로메탄농축 후 핵산으로 재결정하여 중간체 A-2-3를 39.0g(75%) 수득하였다.

d) 화합물 A-2의 합성

중간체 A-2-3 (23.2g, 62.5 mmol), bis-biphenyl-4-yl-amine (21. lg, 65.6 mmol), 소듐 2019/208937 35 1»(:1^1{2019/003444

t-부톡사이드 (NaOiBu) (9.0 g, 93.8 mmol), Pd 2 (dba) 3 (3.4 g, 3.7 mmol), 트리 t-부틸포스핀 (P(ffiu) 3 ) (4.5 g, 50% in톨루엔)를 자일렌 (300 mL)에 넣고 질소 기류 하에서 12시간 동안 가열하여 환류하였다. 자일텐을 제거한후, 이로부터 수득한혼합물에 메탄올 200 mL를 가하여 결정화된 고형분을 여과한후, 톨루엔에 녹여 실리카겔/셀라이트로 여과하고, 유기 용매를 적당량 용축하여 화합물 A-2(29g, 76%)을수득하였다.

LC/MS calculated for: C46H32N2 Exact Mass: 612.26 found for 612.32 [M+H] + 합성예 2:화합물 A-3의 합성

[반응식 2]

a) 중간체 A-3-1의 합성

phenylhydrazinehydrochloride, 6-bromo-3,4-dihydro-2H-naph仕 ialen-1-one을 각각 1.0 당량씩 사용하여 상기 합성예 1의 a)와 같은 방법으로 중간체 A-3-1을 합성하였다. b) 중간체 A-3-2의 합성

중간체 A-3-1, 2,3-Dichloro-5,6-dicyano-l,4-benzoquinone을 1 :1.5 당량비를 사용하여 상기 합성예 1의 비와같은 방법으로 중간체 A-3-2을 합성하였다.

중간체 A-3-3의 합성

중간체 A-3-2, iodobenzene을 1 :3 당량비를사용하여 상기 합성예 1의 c)와 같은 방법으로 중간체 A-3-3을 합성하였다.

d) 화합물 A-3의 합성

중간체 A-3-3, bis-biphenyl-4-yl-amme을 1 :1 당량비를사용하여 상기 합성예

1의 d)와 같은 방법으로 화합물 A-3을 합성하였다.

LC/MS calculated for: C46H32N2 Exact Mass: 612.26 found for 612.28 [M+H] + 합성예 3:화합물 A-5의 합성

[반응삭 3] 2019/208937 36 1>(:1/¾샀019/003444

a) 중간체 A-5-1의 합성

phenylhydrazinehydrochloride, 3,4-Dihydro-2H-naphthalen-l-one을 각각 1.0당량씩 사용하여 상기 합성예 1의 a)와 같은 방법으로 중간체 A-5-1을 합성하였다.

b) 중간체 A-5-2의 합성

중간체 A-5-1, 2,3-Dichloro-5,6-dicyano-l,4-benzoquinone을 1 :1.5 당량비를 사용하여 상기 합성예 1의 비와 같은 방법으로 중간체 A-5-2을 합성하였다.

c) 중간체 A-5-3의 합성

중간체 A-5-2, iodobenzene을 1 :3 당량비를사용하여 상기 합성예 1의 c)와 같은 방법으로 중간체 A-5-3을 합성하였다.

d) 중간체 A-5-4의 합성

중간체 쇼-5-3 (23.6 & 80.6 _ 0 1)을환저플라스크에 넣고 디클로로메탄

300mL에 녹인다. N-Bromosuccinimide(NBS) (14.1g, 79.0 mmol) DMF lOOmL에 녹인 후 천천히 적가한후상온에서 2시간동안 교반한다. 반응이 종료되면 반응용매를 제거한후 컬럼크로마토그래피를 이용하여 중간체 A-5-4를 25g(83%) 수득하였다. e) 화합물 A-5의 합성

중간체 A-5-4, bis-biphenyl-4-yl-amine을 1 :1 당량비를 사용하여 상기 합성예 1의 d)와 같은 방법으로 화합물 A-5을 합성하였다.

LC/MS calculated for: C46H32N2 Exact Mass: 612.26 found for 612.33 [M+H] + 합성예 4: 화합물 A-7의 합성 2019/208937 37 1»(:1/10公019/003444

[반응식 4]

幻 중간체 쇼-7-1의 합성

4-1?1'01110{)1161171117선 2; 611> ? <31'011101'1(16, 3,4-(1 >년1'0-211-113|)11&31611-1-0116을 각각 1.0 당량씩 사용하여 상기 합성예 1의 와 같은 방법으로 중간체 쇼-7-1을 합성하였다.

비중간체 쇼-7-2의 합성

중간체 쇼-7-1, 2,3-대 1¥0-5,6- ( 1 5 10-1,4 6112:0 ( 1 110116을 1:1.5 당량비를 사용하여 상기 합성예 1의 切와 같은 방법으로 중간체 쇼-7-2을 합성하였다.

0) 중간체 쇼-7-3의 합성

중간체 A-7-2, iodobenzene을 1:3 당량비를사용하여 상기 합성예 1의 c)와 같은 방법으로 중간체 A-7-3을 합성하였다.

d) 화합물 A-7의 합성

중간체 A-7-3, bis-biphenyl-4-yl-amine을 1:1 당량비를사용하여.상기 합성예 1의 d)와 같은 방법으로 화합물 A-7을 합성하였다.

LC/MS calculated for: C46H32N2 Exact Mass: 612.26 found for 612.30 [M+H] + 합성예 5: 화합물 A-8의 합성

[반응식 5]

¾)중간체 쇼-8-1의 합성

3- 0파0 7 0(:11101 _ 1(16, 3,4-넜 0-2도1-1 111;1犯1611-1-01 을 각각 1.0 당량씩 사용하여 상기 합성예 1의 와 같은 방법으로 중간체 쇼-8-1을 합성하였다. 2019/208937

38 1»(:1^1{2019/003444

b) 중간체 A-8-2의 합성

중간체 A-8-1, 2,3-Dichloro-5,6-dicyano-l,4-benzoquinone을 1 :1.5 당량비를 사용하여 상기 합성예 1의 b)와 같은 방법으로 중간체 A-8-2을 합성하였다.

c) 중간체 A-8-3의 합성

중간체 A-8-2, iodobenzene을 1 :3 당량비를 사용하여 상기 합성예 1의 c)와 같은 방법으로 중간체 A-8-3을 합성하였다.

d) 화합물 A-8의 합성

중간체 A-8-3, bis-biphenyl-4-yl-amine을 1 :1 당량비를 사용하여 상기 합성예 1의 d)와 같은 방법으로 화합물 A-8을합성하였다.

LC/MS calculated for: C46H32N2 Exact Mass: 612.26 found for 612.33 [M+H] + 합성예 6: 화합물 A-ll의 합성

[반응식 6]

幻 중간체 쇼-11-1의 합성

4-Bromo-phenylamine (50.0g, 290.7 mmol), 2-naphthalene boronic Acid (59.9g, 171.9 mmol), K 2 C0 3 (80.4g, 581.3 mmol) 그리고 Pd(PPh 3 ) 4 (lO.lg, 8.7 mmol)을 환저플라스크에 넣고 toluene(800ml)와 증류수 (400ml)에 녹인 후 80 ° C에서 12시간 동안 교반한다. 반응이 종료되면 물층을 제거한 후 컬럼크로마토그래피를 이용하여 중간체 A-11-1를 40.0g(63%) 수득하였다.

b) 중간체 A-11-2의 합성

중간체 A-11-1 (17.7g, 80.8 mmol), 4-Bromo-biphenyl (18.8g, 80.8 mmol), 소듐 t- 부특사이드 (NaOffiu) (11.6 g, 121.1 mmol), Pd 2 (dba) 3 (4.4 g, 4.8 mmol), 트리 t-부틸포스핀 (P(iBu) 3 ) (5.9 g, 50% in 톨루엔)를 자일렌 (400 mL)에 넣고 질소 기류 하에서 12시간 동안 가열하여 환류하였다. 자일렌을 제거한 후, 컬럼크로마토그래피를 이용하여 2019/208937 1»(:1/10公019/003444

39 중간체 쇼-11-2를 20.0就67%) 수득하였다.

c) 화합물 A-11의 합성

중간체 A-11-2 및 중간체 A-2-3을 1 :1 당량비를사용하여 상기 합성예 1의 d)와 같은 방법으로 화합물 A-11을 합성하였다.

LC/MS calculated for: C50H34N2 Exact Mass: 662.27 found for 662.31 [M+H] + 합성예 7: 화합물 A-12의 합성

[반응식 7]

상기 중간체 쇼-3-3, 중간체 쇼-11-2을 1 :1 당량비를사용하여 상기 합성예 1의 (1)와 같은 방법으로 화합물쇼-12을 합성하였다.

LC/MS calculated for: C50H34N2 Exact Mass: 662.27 found for 662.30 [M+H] 합성예 8: 화합물쇼-29의 합성

[반응식 8]

a) 중간체 A-29-1의 합성

aniline (8.3g, 89.5 mmol), 4-(4-Bromo-phenyl)-dibenzofuran (23. lg, 71.5 mmol),소듐 t-부톡사이드 (NaOiBu) (12.9 g, 134.2 mmol), Pd 2 (dba) 3 (4.9 g, 5.4 mmol), 트리 t- 부틸포스핀 (¾11) 3 ) (6.5 & 50% 톨루엔)를 자일렌 ( 4 00 11止)에 넣고 질소 기류 하에서 12시간 동안가열하여 환류하였다. 자일렌을 제거한후,

컬럼크로마토그래피를 이용하여 중간체 쇼-29-1를 20.0 67%)수득하였다. 2019/208937 40 1»(:1^1{2019/003444

b) 화합물 A-29의 합성

중간체 A-29-1 및 중간체 A-2-3을 1 :1 당량비를사용하여 상기 합성예 1의 d)와 같은 방법으로 화합물 A-29를 합성하였다.

LC/MS calculated for: C46H30N2O Exact Mass: 626.24 found for 626.28 [M+H] + 합성예 9:화합물 A-38의 합성

[반응식 9]

중간체 쇼-38-1의 합성

9,9-Dimethyl-9H-fluoren-2-ylamine (17.4g, 83.0 mmol), 4-Bromo-biphenyl (15.5g, 66.4 mmol),소둠 t-부톡사이드 (NaCUBu) (12.0 g, 124.5 mmol), Pd (dba (4.6 g, 5.0 mmol), 트리 t-부틸포스핀 (P(t-Bu) 3 ) (6.0 g, 50% in톨루엔)를 자일렌 (400 mL)에 넣고 질소 기류 하에서 12시간동안 가열하여 환류하였다. 자일텐을 제거한후,

컬럼크로마토그래피를 이용하여 중간체 A-38-1를 18.0g(60%)수득하였다.

b)화합물 A-38의 합성

중간체 A-38-1 및 중간체 A-3-3을 1 :1 당량비를사용하여 상기 합성예 1의 d)와 같은 방법으로 화합# A-38을 합성하였다.

LC/MS calculated for: C49H36N2 Exact Mass: 652.29 found for 652.33 [M+H] + 합성예 10:화합물 A-51의 합성 2019/208937 41 1»(:1/10公019/003444

[반응식 10]

幻 중간체 쇼-51-1의 합성

중간체 A-3-3 (30.0g, 80.6 mmol), 4-chlorophenyl boronic Acid (15. lg, 96.7 mmol), K 2 C0 3 (22.3g, 161.2 mmol)그리고 Pd(PPh 3 ) 4 (2.8g, 2.4 mmol)을 환저플라스크에 넣고 tetrahydrofiiran(200ml)와증류수 (100ml)에 녹인 후 80 ° C에서 12시간 동안교반한다. 반응이 종료되면 물층을 제거한후 컬럼크로마토그래피를 이용하여 중간체 A-51-1를

27.0g(83%)수득하였다.

b) 화합물 A-51의 합성

중간체 A-51-1, bis-biphenyl-4-yl-amine을 1 :1 당량비를사용하여 상기 합성예

1의 비와 같은 방법으로 화합물· A-51을 합성하였다.

LC/MS calculated for: C52H36N2 Exact Mass: 688.29 found for 688.34 [M+H] + 합성예 11:화합물 A-65의 합성

[반응식 11]

幻 중간체 쇼-65-1의 합성

1 ? 4-Dibromo-2-nitro-benzene (30.0g, 106.8 mmol), 2-naphthalene boronic Acid (18.4g, 106.8 mmol), K 2 C0 3 (29.5g, 213.6 mmol) 그리고 Pd(PPh 3 ) 4 (3.7g, 3.2 mmol)을 2019/208937 42 1»(:1/10公019/003444

환저플라스크에 넣고 t的: ahydroforan(300mL)와 증류수 (150mL)에 녹인 후 80 ° C에서 12시간동안교반한다. 반응이 종료되면 물층을 제거한후 컬럼크로마토그래피를 이용하여 중간체 A-65-1를 27.0g(77%)수득하였다.

b) 중간체 A-65-2의 합성

중간체 A-65-1 (27.0g, 82.3 mmol), triphenylphosphine (86.3g, 329.1 mmol)을 환저플라스크에 넣고 l,2-dichlorobenzene(300mL)에 녹인 후 180 ° C에서 12시간동안 교반한다. 반응이 종료되면 용매를 제거한후 컬럼크로마토그래피를 이용하여 중간체 A-65-2를 18.0g(74%)수득하였다.

c) 중간체 A-65-3의 합성

중간체 A-65-2, iodobenzene을 1:3 당량비를사용하여 상기 합성예 1의 c)와 같은 방법으로 중간체 A-65-3을 합성하였다.

(1)화합물쇼-65의 합성

중간체 쇼-65-3, 1? -1)11)11611 -4-71-크11^116을 1 :1 당량비를사용하여 상기 합성예 1의 (1)와 같은 방법으로 화합물쇼-65을 합성하였다.

LC/MS calculated for: C46H32N2 Exact Mass: 612.26 found for 612.30 [M+H] + 합성예 12: 화합물 A-72의 합성

[반응식 12]

幻 중간체 쇼-72-1의 합성

! ) 1161171117 ( 1 뇨反11 ( 1]:0 ( :111011£16, 6-¾0파0-3,4 -선 0-115-:1째11仕 1611-2-0116을 각각 1.0 당량씩 사용하여 상기 합성예 1의 句와 같은 방법으로 중간체 72-1을 합성하였다.

비중간체 쇼-72-2의 합성

중간체 쇼-72-1, 2,3 -대( 101'0-5,6 - 당량비를 사용하여 상기 합성예 1의 비와 같은 방법으로 중간체 쇼-72-2을 합성하였다. 2019/208937 43 1 » (:1^1{2019/003444

C) 중간체 A-72-3의 합성

중간체 A-72-2, iodobenzene을 1:3 당량비를사용하여 상기 합성예 1의 c)와 같은 방법으로중간체 A-72-3을 합성하였다.

d) 화합물 A-72의 합성

상기 합성한중간체 A-72-3, bis-biphenyl-4-yl-amine을 1:1 당량비를 사용하여 상기 합성예 1의 와 같은 방법으로 화합물 A-72을 합성하였다.

LC/MS calculated for: C46H32N2 Exact Mass: 612.26 found for 612.31 [M+H] + 합성예 13: 화합물 A-77의 합성

[반응식 13]

的중간체 쇼-77-1의 합성

l,4-Dibromo-2-ni仕 o-benzene, 1 -naphthalene boronic Acid를 각각 1.0 당량씩 사용하여 상기 합성예 11의 a)와 같은 방법으로 중간체 A-77-1을 합성하였다. b) 중간체 A-77-2의 합성

중간체 A-77-1, triphenylphosphine을 1:4당량비를사용하여 상기 합성예 11의 비와 같은 방법으로 중간체 A-77-2을 합성하였다.

c) 중간체 A-77-3의 합성

중간체 A-77-2, iodobenzene을 1 :3 당량비를사용하여 상기 합성예 1의 c)와 같은 방법으로 중간체 A-77-3을 합성하였다.

d)화합물 A-77의 합성

중간체 A-77-3, bis-biphenyl-4-yl-amine을 1 :1 당량비를사용하여 상기 합성예 1의 d)와 같은 방법으로 화합물 A-77을 합성하였다.

LC/MS calculated for: C46H32N2 Exact Mass: 612.26 found for 612.29 [M+H] +

(제 2 화합물의 제조) 2019/208937 44 1»(:1/10 2019/003444 합성예 14: 화합물 8-8의 합성

[반응식 14]

幻 중간체 8-8-1의 합성

1 의 둥근 바닥 풀라스크에 3-1ᅲ01110。묘1¾ 016(35 ¾ 142 1111110】)을

tetrahydrofuran(THF) 0.5 L에 녹인 후, 여기에 phenyl boronic acid(17.3 g, 142 mmol)와 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(8. 2 g, 7.1 mmol)을 넣고 교반시켰다. 그리고 물에 포화된 potassium carbonate(49.1 g, 356 mmol)을 넣고 80 ° C에서 12시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 magnesium sulfate anhydrous로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농죽하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 중간체 B-8-1를 22.0 g 얻었다.

b) 중간체 B-8-2의 합성

1 L의 둥근 바닥 플라스크에 화합물 (1) (40 g, 149 mmol)#

tetrahydrofiiran(THF) 0.5 L에 녹인 후, 여기에 화합물 (2) (25.7 g, 164 mmol)와

tetrakis(triphenylphosphine)palladium(8.63 g, 7.5 mmol)을 넣고 교반시켰다. 그리고 물에 포화된 potassium carbonate(51.6 g, 374 mmol)을 넣고 80 ° C에서 12시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 2019/208937 45 1»(그1^1{2019/003444

magnesium su ate anhydrous로 수분을 제거한후, 필터하고 감압농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 flash column chromatography로 분리 정제하여 중간체 B-8-2를 32.1 g 얻었다

c) 화합물 B-8의 합성

중간체 B-8-1 (22.0g, 90.4 mmol), 중간체 B-8-2 (31.1g, 90.4 mmol), 소둠 t-부톡사이드

(NaOtBu) (13.01 g, 135.6 mmol), Pd2(dba)3 (2.48 g, 2.7 mmol),트리 t-부틸포스핀 (P(tBu) 3 ) (5.49 g, 50% in톨루엔)를 자일렌 (300 mL)에 넣고 질소 기류 하에서 12시간동안 가열하여 환류하였다. 자일텐을 제거한후, 이로부터 수득한혼합물에 메탄올 200 mL를 가하여 결정화된 고형분을 여과한후, 모노클로로벤젠 (MCB)에 녹여

실리카겔/셀라이트로 여과하고, 유기 용매를 적당량 용축하여 화합물 B-8(32g,

64.3 %)을수득하였다.

합성예 15: 화합물 8-12의 합성

[반응식 15]

3) 중간체 8-12-1의 합성

Carbazole(35g, 209.3 mmol), 1 -bromo-4-chloro-benzene(60.11 g 313.98mmol), Cul (3.99g, 20.9 mmol), K 2 C0 3 (43.39g, 313.98 mmol), 1 , 10-phenanthroline (3.77g, 20.9 mmol)을 환저플라스크에 넣고 DMF(700ml)에 녹인다. 180 ° C에서 18 시간동안교반한다.

반응이 종료되면 반응용매를 감압 하에서 제거한후 디클로로메탄에 용해 후 실리카겔 여과한다. 디클로로메탄농축 후 핵산으로 재결정하여 중간체 B-12-1를 4G.0g (68.8%)수득하였다.

b) 중간체 B-12-2의 합성 2019/208937

46 1»(:1^1{2019/003444 중간체 B-12-1 (40g, 144mmol), Bis(pinacolato)diboron (54.86g, 216mmol), Pd(dppf)Cl 2 (7.1g, 8.64mmol), T ricyclohexylpho sphine (8.08g, 28.8mmol) 그리고 Potassium acetate (42.4g, 432.04mmol)을 환저플라스크에 넣고 DMF(720ml)으로 녹인다. 혼합물을 120 ° C에서 12시간동안환류교반한다. 반응이 종료되면 과량의 증류수에 혼합물을 붓고 1시간동안교반한다. 고형물을 필터한후 DCM에 녹인다. MgS0 4 로 수분을 제거한후 실리카겔 패드를 이용하여 유기용매를 필터한후 감압 하에 제거한다. 고형물을 EA와 Hexane으로 재결정하여 중간체 B-12-2를 31.3g(58.9%)수득하였다.

c) 화합물 B-12의 합성

1 L의 둥근 바닥플라스크에 중간체 B- 12-2 (31 g, 83.95 mmol)을

tetrahydrofiiran(THF) 0.3 L에 녹인 후, 여기에 중간체 B-8-2 (28.86 g, 83.95 mmol)와 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(4.85 g, 4.2 mmol)을 넣고 교반시켰다. 그리고 물에 포화된 potassium carbonate(29.01 g, 209.9 mmol)을 넣고 80 ° C에서 12시간동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료후 반응액에 물을 넣고 30분간교반하여 필터한 다음, 얻은 고체를모노클로로벤젠에 133 ° C 온도에서 녹이고 magnesium sulfate anhydrous로 수분을 제거한후, 실리카겔을 이용하여 필터하고 여액을상온으로 식혀서 필터하였다. 이렇게 얻어진 고체를 모노클로로벤젠을 이용하여 반복 정제하여 화합물 B-12를 31.0 g (67.1%) 얻었다.

합성예 16: 화합물 8-25의 합성

[반응식 16]

&) 중간체 25-1의 합성

2-1>1:011100크1¾ 2:016 (35은 1421110101)을 이용하여 상기 합성예 14의 句와 같은 방법으로 합성하여 중간체 8-25-1을 22^63.6%)을 얻었다.

¾>) 중간체 요-25-2의 합성 0 2019/208937 47 1»(:1^1{2019/003444 중간체 8-25-1 (22& 90.4_ 0 1)을 이용하여 상기 합성예 15의 句와 같은 방법으로 합성하여 중간체 125-2를 18 56.3%)을 얻었다.

중간체 25-3의 합성

중간체 25-2 (18 & 5111111101)를 이용하여 상기 합성예 15의 버와같은 방법으로 합성하여 중간체 요-25-3을 14.8용(65.3%)를 얻었다.

由 중간체 요-25-4의 합성

3七!· 01110 - (1¾6112:0111 11 (40¾ 16211111101)을 상기 합성예 15의 ¾>)와 같은 방법으로 중간체 묘-25-4를 합성하여 3 (65.1%)를 얻었다.

중간체 8-25-5의 합성

중간체 8-25-4를 상기 합성예

15의 句와 같은 방법으로 합성하여 중간체 8-25-5 15 § (64.8%)를 얻었다.

幻 화합물 125의 합성

중간체 8-25-5 (10.5은 29.311111101)과 중간체 6-25-3(14.38^ 32.28^01)* 상 · 기 합성예 15의 功와 같은 방법으로 합성하여 화합물모-25 12.7 67.5%)를 얻었다

합성예 17: 화합물 6-42의 합성

[반응식 17]

幻중간체 42-1의 합성

질소상태하에서 Mg(3.44g, 142mmol), 12(0.36§, 1.41mmol)l- 교반한다. 여기에 완전히 녹인 용액을서서히 드랍하여 3-! 1'-(1 611 å0 :{11 11을 만든다. 질소 상태에서

此101切6 (13.06& 70.811111101)를 녹인 용액을 01:상태를 유지하면서,상기 3 - Mgbr- 出에 免 !!, 혼합용액을 을서서히 드랍하고 상온상태에서 2시간 반응시킨다. 2019/208937 1»(:1^1{2019/003444

48 반응이 완료되면 물과 얼음을 넣어 물증과 유기증을 추출 분리한다. 추출된 유기층을 실리카 필터 하고, 얻은 용매는 모두 증발 증류한다. 이후 이용해 재결정하고 종이필터를 진행한다. 얻은 고체는 건조한다. 위의 방법으로 중간체 42-1를 21 8 (66.2%) 획득 하였다.

비 화합물 142의 합성

중간체 8-42-1 (21 ¾ 46.89어피01),。 å016(7.84¾ 46.8911111101)을 상기 합성예 14의 句와 같은 방법으로 합성하여 화합물 42 18.7 68.9%)를 얻었다.

합성예 18: 화합물 55의 합성

[반응식 18]

중간체 모-55-1의 합성

1七1'01110-2-1난仕0 61떼16 (35은, 173.211111101)과 1 -! 11111 6116 - 1)01'011止 (1(32.78¾ 190.611111101)을 상기 합성예 14의 句와 같은 방법으로 합성하여 중간체 6-55-1 28就64.8%)를 얻었다.

비 중간체 요-55-2의 합성

중간체 6-55-1 (28.0은, 112 11111101), ! ) ]^11 ) 41)11031)1닌116 (88.4¾ 337 0111101)을 환저플라스크에 넣고 1,2 - (1 11101' ( 此611 2£11 30011止)에 녹인 후 180ᄃ에서 24시간 동안 교반한다. 반응이 종료되면 용매를 제거한 후 컬럼크로마토그래피를 이용하여 2019/208937 49 1»(:1^1{2019/003444 중간체 55-2를 17.7 72.5%) 얻었다.

화합물묘-55-3의 합성

상기 합성예 14의 비와 같은 방법으로 중간체 ^55-3을 합성하였다.

(1) 화합물 155의 합성

중간체 55-3 (22 & 63.911111101), 중간체 155-2 (13.9¾ 63.911111101)을 상기 합성예

14의 句와 같은 방법으로 합성하여 화합물 8-55 21.0§ (62.6%)를 얻었다

비교합성예 1: 비교화합물 1의 합성

[반응식 19]

幻 중간체 1-2의 합성

50011止플라스크에 중간체 1-1 ( 3 0 & 1 2 1. 9 1피1101), 4 , 4 , 4 ,, 4 ,, 5 , 5 , 5 ,, 5 ’-옥타메틸_ 2 , 2 ,- 바이 (1,3, 2 -다이옥사보로란) 1당량, 아세트산칼륨 2당량 및 1,1’-비스 (다이페닐포스피노) 페로센-팔라듐 (五)다이클로라이드 0.03 당량, 트리사이클로핵실포스핀 0.2당량을代 - 다이메틸포름아마이드 30011止에 넣은후, 1301:에서 12시간교반하였다. 반응 완료 후, 반응 용액을 물과표쇼로 추출하여 수득한유기층으로부터 황산마그네슘을 사용하여 수분을 제거하고 농축하여, 컬럼 크로마토그래피로 정제하여 중간체 1-2를 흰색의 고체 (29.66& 83%의 수율)로 얻었다.

비 중간체 1-3의 합성

50011止플라스크에 중간체 1-2 29.66용 (0.411101), 1 -브로모- 2 -니트로 벤젠 2당량, 탄산칼륨 2당량, 테트라키스 (트리페닐포스핀) 팔라듐 (0) 0.02당량을 1,4 -다이옥산

20011止, 물 10011止에 넣어준후, 질소 기류 하에서 16시간동안 90 ° (:로 가열하였다. 반응 용매를 제거한후, 디클로로메탄에 녹여 실리카겔/셀라이트로 여과하고, 유기 2019/208937 50 1»(:1/10公019/003444

용매를 적당량 제거한후, 메탄올로 재결정하여 중간체 1-3을 고체 (16.92& 58%의 수율)로 얻었다.

중간체 1-4의 합성

50011止플라스크에 상기 합성한중간체 1-3 8. (30.2 _ 0 1),2 -브로모나프탈렌 7.5은 (36.2 11111101), 소듐 1;-부톡사이드 4.3은 (45.3 11111101), (1((¾句 2 1.0은 (1.8 11111101), 트리 부틸포스핀 (1 > (¾11) 3 ) 2.2 ¾ (50% 톨루엔)를 자일렌 15011止 에 넣고 질소 기류 하에서 12시간동안가열하여 환류하였다. 자일렌을 제거한후, 이로부터 수득한 혼합물에 메탄올 200 II止를 가하여 결정화된 고형분을 여과한후, 디클로로메탄에 녹여 실리카겔/셀라이트로 여과하고, 유기 용매를 적당량 제거한후, 아세톤으로 재결정하여 중간체 1-4 (9.83 & 77%의 수율)을 수득하였다.

(1)중간체 1-5의 합성

10001111플라스크에 상기 합성한중간체 1-4 (211.37 & 0.51 11101) 및 트리에틸 포스파이트 (5281X11, 3.0811101)을 넣고 질소치환을 하고 12시간동안 16얘에서

교반하였다. 하고, 여액을휘발하였다. 컬럼 크로마토그래피로 정제 (1½ ¥句 하여 중간체 1-5 (152.14 & 78%의 수율)를 얻었다.

비교화합물 1의 합성

상기 합성한 중간체 1-5 및 중간체 1-(4 -브로모페닐)- 4 -페닐벤젠을사용하여 상기 비교합성예 1의 이와동일한 방법으로 비교화합물 1을 합성하였다.

비교합성예 2: 비교화합물 2의 합성

[반응식 2이

비立화합물 2의 합성

비교합성예 1의 句와동일한 방법으로,상기 합성한중간체 2-1 및 중간체 2- 2를 이용하여 비교화합물 2를 합성하였다.

비교합성예 3: 비교화합물 3의 합성 2019/208937 1»(:1/10公019/003444

51

[반응식 21]

a)중간체 3-1의 합성

비교합성예 1의 이와동일한 방법으로, 2 -브로모나프탈렌 대신 브로모벤젠을 이용하여 중간체 3-1을 합성하였다.

b)중간체 3-2의 합성

비교합성예 1의 d)와동일한 방법으로, 중간체 3-2를 합성하였다.

c) 비교화합물 3의 합성

비교합성예 1의 e)와동일한 방법으로, 상기 합성한중간체 3-2 및 2-(4- 클로로페닐)나프탈렌을 이용하여 비교화합물 3을 합성하였다.

(유기 발광소자의 제작)

실시예 1

ITO (Indium tin oxide)가 1500 A 두께로 박막코팅된 유리 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면 이소프로필 알코올, 아세톤, 메탄올 등의 용제로초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 이송 시킨 다음 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 10분간세정 한후 진공 증착기로 기판을 이송하였다. 이렇게 준비된 ITO투명 전극을 양극으로사용하여 ITO 기판상부에 화합물 A을 진공 증착하여 700A 두께의 정공 주입층을 형성하고 상기 주입층 상부에 화합물묘를 50 A의 두께로 증착한후, 화합물 C를 700 A의 두께로 증착하여 정공수송층을 형성하였다. 상기 정공수송층 상부에 화합물 C-1을 400 A의 두께로 증착하여 정공수송보조층을 형성하였다. 정공수송보조층 상부에 화합물 A-2 및 B- 42를 동시에 호스트로사용하고 도판트로 [Ir(piq) 2 acac] 2wt%로 도핑하여 진공 증착으로 400 A 두께의 발광층을 형성하였다. 여기서 화합물 A-2와 화합물 B-42은 2019/208937 52 1»(:1^1{2019/003444

6:4중량비로사용되었으며, 하기 실시예의 경우 별도로 비율을 기술하였다. 이어서 상기 발광증 상부에 화합물 D와 8-Quinolinolato lithium (Liq)¾- 동시에 1 :1 비율로 진공 증착하여 300 A 두께의 전자수송층을 형성하고 상기 전자수송층 상부에 Liq 15A과 A1 1200A을 순차적으로 진공 증착 하여 음극을 형성함으로써

유기발광소자를 제작하였다.

상기 유기발광소자는 5층의 유기 박막층을 가지는 구조로 되어 있으며, 구체적으로 다음과 같다.

ITO/화합물 A(700A)/화합물 B(50A)/화합물 C(700A)/화합물 C-l(400

A)/EML [화합물 A-2 : B-42 : [Ir(piq) 2 acac] (2wt%)] (400 A) /화합물 D : Liq(300A) / Liq(l 5 A) / Al(l 2 00A)의 구조로 제작하였다.

화합물 A: N4,N4'-diphenyl-N4,N4'-bis(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)bipheny l-4,4'- diamine

화합물 B: 1,4 5 5 ? 8 5 9 ? 11-hexaazatriphenylene-hexacarbonitrile (HAT-CN)

화합물 C: N-(biphenyl-4-yl)-9,9-dimethyl-N-(4-(9-phenyl-9H-carbazol-3- yl)phenyl)- 9H-fluoren-2-amine

화합물 C-l : N 3 N-di([l ? r-biphenyl]-4-yl)-7,7-dimethyl-7H-fluoreno[4 5 3-b]benzofliran- 10-amine

화합물 D: 8-(4-(4,6-di(naphthalen-2-yl)-l,3 ? 5-triazin-2-yl)phenyl)quinoline

실시예 2내지 6및 비교예 1내지 5

표 1 내지 표 5에 기재된 조성으로 변경한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제작하였다. 평가

실시예 1 내지 6와 비교예 1 내지 5에 따른유기발광소자의 전력효율을 평가하였다.

구체적인 측정방법은 하기와 같고, 그 결과는 표 1 내지 5와 같다.

(1) 전압변화에 따른 전류밀도의 변화측정

제조된 유기발광소자에 대해, 전압을 부터 10\^까지 상승시키면서 전류- 전압계 (¾ 2400)를 이용하여 단위소자에 흐르는 전류값을 측정하고, 측정된 전류값을 면적으로 나누어 결과를 얻었다. 2019/208937 53 1»(:1^1{2019/003444

(2) 전압변화에 따른 휘도변화 측정

제조된 유기발광소자에 대해, 전압을 0 부터 10¥까지 상승시키면서 휘도계 (Minolta Cs-1000A)를 이용하여 그 때의 휘도를 측정하여 결과를 얻었다.

(3) 전력효율 측정

상기 (1) 및 (2)로부터 측정된 휘도와 전류밀도 및 전압을 이용하여 동일 전류밀도 (10 111쇼/011 2 )의 전력 효율 (1/쇼) 을 계산하였다.

(4) 수명 측정

휘도 (1/111 2 )를 9000 0산 / ½ 2 로 유지하고 전류 효율 (1/쇼)이 97%로 감소하는 시간을 측정하여 결과를 얻었다.

(5) 197 수명비(%) 계산

동일한 제 2 호스트를 적용한 실시예 (제 1화합물을 제 1호스트로 적용)와 비교예 (비교화합물을 제 1 호스트로 적용)의 197(11)의 상대 비교값을 나타낸다.

197 수명비(%) = {[실시예 (제 1화합물을 제 1 호스트로 적용)의 197(11)] /

[비교예 (비교화합물을 제 1 호스트로 적용)의 197(11)]} X 100

(6) 구동전압 측정

전류-전압계 이용하여 15 111쇼/011 2 에서 각 소자의 구동전압을 측정하여 결과를 얻었다.

(7) 구동전압비 (%) 계산

동일한 제 2 호스트를 적용한 실시예 ( 1화합물을 제 1 호스트로 적용)와 비교예 (비교화합물을 제 1 호스트로 적용)의 상대 비교값을 나타낸다.

구동전압비(%) = {[실시예 (제 1화합물을 제 1 호스트로 적용)의 구동전압 (V)] /

[비교예 (비교화합물을 제 1 호스트로 적용)의 구동전압 (V)]} X 100

[표 1]

2019/208937 54 1»(:1/10公019/003444

[표 2]

[표 3]

[표 4]

[표 5]

2019/208937 1»(:1^1{2019/003444

55 표 1 내지 표 5를 참고하면, 실시예 1 내지 6에 따른 유기발광소자는 비교예 1 내지 5에 따른 유기발광소자와 비교하여 구동 전압 및 수명이 현저히 개선된 것을 확인할수 있다. 이상에서 본 발명의 바람직한실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.