【명세서】

【발명의 명칭】

유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치

【기술분야】

유기 광전자 소자 및 표시 장치에 관한 것이다.

【배경기술】

유기 광전자 소자 (organic optoelectric diode)는 전기 에너지와 광 에너지를 상호 전환할 수 있는 소자이다.

유기 광전자 소자는 동작 원리에 따라 크게 두 가지로 나눌 수 있다. 하나는 광 에너지에 의해 형성된 엑시톤 (exciton)이 전자와 정공으로 분리되고 상기 전자와 정공이 각각 다른 전극으로 전달되면서 전기 에너지를 발생하는 광전 소자이고 다른 하나는 전극에 전^ 또는 전류를 공급하여 전-기

에너지로부터 광 에너지를 발생하는 발광 소자이다.

유기 광전자 소자의 예로는 유기 광전 소자 유기 발광 소자， 유기 태양 전지 및 유기 감광체 드럼 (organic photo conductor drum) 등을 들 수 있다.

이 중, 유기 발광 소자 (organic light emitting diode, OLED)는 근래 평판 표시 장치 (ᅳ flat panel display device)의 수요 증가에 따라 크게 주목 받고 있다. 상기 유기 발당 소자는 슈기 발광 새료에 껀류를 가하여 전기 에너지를 빛으로 전환시키는 소자로서, 통상 양극 (anode)과 음극 (cathode) 사이에 유기 층이 삽입된 구조로 이루어져 있다.

장수명 풀 칼라 디스플레이의 가장 큰 문제가 되고 있는 요소 중의 하나는 정색유기발광소자의 수명이다. 따라서 장수명 청색유기발광소자의 개발을 위해 많은 연구가 진행되고 있는 중이다, 본 발명에서는 이러한 문제점을 해결하기 위해 장수명 청색유기발광소자를 게공하고자 한다.

【발명의 상세한 설명】

【기술적 과게】

일 구현예는 고효율 및 장수명 특성을 구현할 수 있는 유기 광전자 소자용 조성물을 게공한다.

다른 구현예는 상기 유기 광전자 소자용 조성물을 포함하는 유기 광전자 소자를 게공한다. 또 다른 구현예는 상기 유기 광전자 소자를 포함하는 표시 장치를 제공한다.

【기술적 해결방법】

일 구현예에 따르면, 하기 화학식 1로 표현되는 적어도 1종의 제 1 화합물, 및 하기 화학식 2로 표현되는 적어도 1종의 제 2 화합물을 포함하는 유기 광전자 소자용 조성물을 제공한다.

[화학식 1 ]

상기 화학식 I에서，

X ¹ 내지 X ¹² 는 각각 독립적으로 Ν, C 또는 CR ^a 이고,

X ¹ 내지 X ⁶ 중 적어도 하나는 N이고,

X ⁷ 내지 X ' ² 중 적어도 하나는 N이고,

R ^a 는 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C 1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C 1 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C 1 내지 C30 알키닐기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 해테로아릴기, 히드록시기, 티을기, 또는 이들의 조합이고，

R ^a 는 각각 독립적으로 존재하거나, 인접한 R ^a 는 서로 연결되어 고리를 형성하고，

L ¹ 은 중수소, C 1 내지 C40 실릴기, C 1 내지 C30 알킬기, C3 내지 C30 시클로알킬기 . C2 내지 C30 해테로시클로알킬기, 또는 C6 내지 C30 아릴기로 치환되거나 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기이고:

상기 화학식 2에서

L ² 내지 L ⁵ , 및 Y ¹ 은 각각 독립적으로, 단일 결합， 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기이고,

Ar ¹ 은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴아민기, 또는 이들의 조합이고,

R' 내지 R ⁴ 는 각각 독립적으로， 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C 1 내 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 해테로고리기, 치환 또는 비치환된 니트릴기, 치환 또는 비치환된 이소니트릴기, 히드톡시기, 티올기, 또는 이들의 조합이고,

R ¹ 내지 R ⁴ 는 각각 독립적으로 존재하거나, 인접한 기는 서로 연결되어 고리를 형성하고,

R' 내지 R ⁴ , 및 Ar ¹ 증 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 또는 치환 또는 비치환된 카바졸일기이되,

R ¹ 및 R ² 증 어느 하나와 R ³ 및 R ⁴ 중 어느 하나가 동시에 치환 또는 비치환된 카바졸일기가 아니고，

R ¹ 내지 R ⁴ 중 어느 하나가 치환된 카바졸일기인 경우, 치환기는 카바졸일기가 아니고,

상기 화학식 1 및 2의 "치환 "은 별도의 정의가 없는 한, 적어도 하나의 수소가 중수소, 할로겐기, 히드록시기, 아미노기, C 1 내지 C30 아민기， C6 내지 C30 아릴아민기, 니트로기, C 1 내지 C40 실릴기, C 1 내지 C30 알킬기, C3 내지. C30 시클로알킬기, C2 내지 C30 헤테로시클로알킬기, C6 내지 C30 아릴기， C2 내지 C30 헤테로고리기, C 1 내지 C20 알콕시기, C 1 내지 C 10 트리플루오로알킬기 또는 시아노기로 치환된 것을 의미한다.

다른 구현예에 따르면， 상기 유기 광전자 소자용 조성물을 포함하는 유기 광전자 소자를 제공한다.

또 다른 구현예에 따르면， 상기 유기 광전자 소자를 포함하는 표시 장치를 제공한다.

【발명의 효과】

고효율 · 장수명의 유기 광전자 소자를 구현할 수 있다.

【도면의 간단한 설명】

도 1 및 도 2는 일 구현예에 따른 유기 광전자 소자를 개략적으로 도시한 단면도이다.

<부호의 설명 >

100, 200: 유기발광소자

105 : 유기층

1 10: 애노드

1 20: 캐소드

130: 발광층

140: 보조층

【발명의 실시를 위한 최선의 형태】

이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다.

본 명세서에서 "치환 "이란 별도의 정의가 없는 한， 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가 중수소, 할로겐기, 히드록시기, 아미노기, C 1 내지 C30 아민기, C6 내지 C30 아릴아민기, 니트로기, C 1 내지 C40 실릴기, C 1 내지 C30 알킬기， C3 내지 C30 시클로알킬기, C2 내지 C30 해테로시클로알킬기, C6 내지 C30 아릴기, C2 내지 C30 헤테로고리기， C 1 내지 C20 알콕시기, C 1 내지 C 10 트리플루오로알킬기, 시아노기 또는 이들의 조합으로 치환된 것을 의미한다. 본 발명의 일예에서, "치환"이란 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가 중수소, C 1 내지 C 10 알킬기, C6 내지 C30 아릴기, C2 내지 C30

헤테로고리기, 또는 이들의 조합으로 치환된 것을 의미한다. 또한 상기 치환된 C 1 내지 C30 아민기, C 1 내지 C40 실릴기， C 1 내지 C30 알킬기， C 1 내지 C 10 알킬실릴기， C3 내지 C30 시클로알킬기, C2 내지 C30

헤테로시클로알킬기, C6 내지 C30 아릴기, C2 내지 C30 헤테로고리기, 또는 C 1 내지 C20 알콕시기 중 인접한 두 개의 치환기가 연결되어 융합 고리를 형성할 수도 있다. 예를 들어, 상기 치환된 C6 내지 C30 아릴기는 인접한 또 다른 치환된 C6 내지 C30 아릴기와 연결되어 치환 또는 비치환된 플루오렌 고리를 형성할 수 있고, 상기 치환된 C6 내지 C30 아릴기는 인접한 C 1 내지 C30

알케닐기 등과 연결되어 트리페닐렌 고리， 나프탈렌 고리, 피라진 고리, 퀴나졸린 고리, 퀴녹살린 고리， 페난트롤린 고리 등을 형성할 수 있다.

본 명세서에서 "해테로"란 별도의 정의가 없는 한, 하나의 작용기 내에 N,

0, S, P 및 Si로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 1 내지 3개 함유하고, 나머지는 탄소인 것을 의미한다.

본 명세서에서 "알킬 (alkyl)기''란 별도의 정의가 없는 한, 지방족

탄화수소기를 의미한다. 알킬기는 어떠한 이중결합이나 삼중결합을 포함하고 있지 않은 "포화 알킬 (saturated alkyl)기 "일 수 있다.

상기 알킬기는 C 1 내지 C30인 알킬기일 수 있다. 보다 구체적으로 알킬기는 C 1 내지 C20 알킬기 또는 C 1 내지 C 10 알킬기일 수도 있다. 예를 들어, C 1 내지 C4 알킬기는 알킬쇄에 1 내지 4 개의 탄소원자가 포함되는 것을 의미하며, 메틸, 에틸, 프로필, 이소-프로필 , η-부틸, 이소-부틸, sec-부틸 및 t-부틸로 이루어진 군에서 선택됨을 나타낸다.

상기 알킬기는 구체적인 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기,

이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, 펜틸기, 핵실기, 시클로프로필기, 시클로부틸기， 시클로펜틸기, 시클로핵실기 등을 의미한다.

본 명세서에서 "아릴 (aryl)기"는 탄화수소 방향족 모이어티를 하나 이상 갖는 그룹을 총괄하는 개념으로서,

탄화수소 방향족 모이어티의 모든 원소가 P-오비탈을 가지면서 , 이들 P- 오비탈이 공액 (conjugation)을 형성하고 있는 형태, 예컨대 페닐기, 나프틸기 등을 포함하고,

2 이상의 탄화수소 방향족 모이어티들이 시그마 결합을 통하여 연결된 형태， 예컨대 바이페닐기, 터페닐기, 쿼터페닐기 등을 포함하며, 2 이상의 탄화수소 방향족 모이어티들이 직접 또는 간접적으로 융합된 비방향족 융합 고리도 포함할 수 있다. 예컨대, 플루오레닐기 등을 들 수 있다. 아릴기는 모노시클릭, 폴리시클릭 또는 융합 고리 폴리시클릭 (즉,

탄소원자들의 인접한 쌍들을 나둬 가지는 고리) 작용기를 포함한다.

본 명세서에서 "헤테로고리기 (heterocyclic group)"는 헤테로아릴기를

포함하는 상위 개념으로서, 아릴기, 시클로알킬기, 이들의 융합고리 또는 이들의 조합과 같은 고리 화합물 내에 탄소 (C) 대신 N, 0, S, P 및 Si로 이루어진 군에서 선택되는 해테로 원자를 적어도 한 개를 함유하는 것을 의미한다. 상기

해테로고리기가 융합고리인 경우, 상기 헤테로고리기 전체 또는 각각의 고리마다 해테로 원자를 한 개 이상 포함할 수 있다.

일 예로 "해테로아릴 (heteroaryl)기 ' '는 아릴기 내에 탄소 (C) 대신 N, 0, S, P 및 Si로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 적어도 한 개 함유하는 것을 의미한다. 2 이상의 헤테로아릴기는 시그마 결합을 통하여 직접 연결되거나, 상기 C2 내지 C60 헤테로아릴기가 2 이상의 고리를 포함할 경우, 2 이상의 고리들은 서로 융합될 수 있다. 상기 해테로아릴기가 융합고리인 경우, 각각의 고리마다 상기 해테로 원자를 1 내지 3개 포함할 수 있다.

상기 해테로아릴기는 구체적인 예를 들어, 피리디닐기, 피리미디닐기, 피라지닐기, 피리다지닐기， 트리아지닐기, 퀴놀리닐기， 이소퀴놀리닐기 등을 포함할 수 있다.

보다 구체적으로, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 및 /또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기는, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트릴기, 치환 또는 비치환된 나프타세닐기, 치환 또는 비치환된 피레닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 P-터페닐기, 치환 또는 비치환된 m-터페닐기, 치환 또는 비치환된 크리세닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐기, 치환 또는 비치환된 페릴레닐기, 치환 또는 비치환된

플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 인데닐기, 치환 또는 비치환된 퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 티오페닐기, 치환 또는 비치환된 피를릴기, 치환 또는 비치환된 피라졸릴기, 치환 또는 비치환된 이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 트리아졸일기, 치환 또는 비치환된 옥사졸일기, 치환 또는 비치환된 티아졸일기, 치환 또는 비치환된 옥사디아졸일기, 치환 또는 비치환된 티아디아졸일기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 피라지닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 인돌일기, 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기, 치환 또는 비치환된

퀴녹살리닐기, 치환 또는 비치환된 나프티리디닐기， 치환 또는 비치환된

벤즈옥사진일기, 치환 또는 비치환된 벤즈티아진일기, 치환 또는 비치환된 아크리디닐기, 치환 또는 비치환된 페나진일기, 치환 또는 비치환된

페노티아진일기, 치환 또는 비치환된 페녹사진일기, 치환 또는 비치환된

카바졸일기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기, 또는 이들의 조합일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.

본 명세서에서, 단일 결합이란 탄소 또는 탄소 이외의 헤테로 원자를 경유하지 않고 직접 연결되는 결합을 의미하는 것으로, 구체적으로 L이 단일 결합이라는 의미는 L과 연결되는 치환기가 중심 코어에 직접 연결되는 것올 의미한다. 즉, 본 명세서에서 단일 결합이란 탄소를 경유하는 메틸렌 등을 의미하는 것이 아니다.

본 명세서에서, 정공 특성이란, 전기장 (electric field)을 가했을 때 전자를 공여하여 정공을 형성할 수 있는 특성을 말하는 것으로 , HOMO 준위를 따라 전도 특성을 가져 양극에서 형성된 정공의 발광층으로의 주입, 발광층에서 형성된 정공의 양극으로의 이동 및 발광층에서의 이동을 용이하게 하는 특성을 의미한다. 또한 전자 특성이란, 전기장을 가했을 때 전자를 받을 수 있는 특성을 말하는 것으로, LUMO 준위를 따라 전도 특성을 가져 음극에서 형성된 전자의 발광층으로의 주입, 발광층에서 형성된 전자의 음극으로의 이동 및 발광층에서의 이동을 용이하게 하는 특성을 의미한다. 이하 일 구현예에 따른 유기 광전자 소자용 조성물에 대하여 설명한다. 일 구현예에 따른 유기 광전자 소자용 조성물은 하기 화학식 1로

표현되는 적어도 1종의 제 1 화합물， 및 하기 화학식 2로 표현되는 적어도 1종의 제 2 화합물을 포함할 수 있다. [화학식 u

상기 화학식 1에서, X ¹ 내지 X ¹² 는 각각 독립적으로 N, C 또는 CR ^a 이고, X ¹ 내지 X ⁶ 증 적어도 하나는 N이고， X ⁷ 내지 X ¹² 증 적어도 하나는 N이고, R ^a 는 각각 독립적으로， 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C 1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C 1 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C 1 내지 C30

알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6 내 C30 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴티오기, 치환 또는

비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 히드톡시기, 티을기, 또는 이들의 조합이고,

R ^a 는 각각 독립적으로 존재하거나, 인접한 _R a는 서로 연결되어 고리를 형성하고，

L ¹ 은 중수소, C 1 내지 C40 실릴기， C 1 내지 C30 알킬기, C3 내지 C30 시클로알킬기, C2 내지 C30 해테로시클로알킬기, 또는 C6 내지 C30 아릴기로 치환되거나 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기이고;

화학식 2]

상기 화학식 2에서,

L ² 내지 ΙΛ 및 Υ ¹ 은 각각 독립적으로, 단일 결합, 또는 치환 또는

비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기이고, Ar'은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴아민기, 또는 이들의 조합이고， R ¹ 내지 R ⁴ 는 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C 1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 해테로고리기, 치환 또는 비치환된 니트릴기, 치환 또는 비치환된 이소니트릴기, 히드록시기, 티을기, 또는 이들의 조합이고, R' 내지 R ⁴ 는 각각 독립적으로 존재하거나, 인접한 기는 서로 연결되어 고리를 형성하고，

R ¹ 내지 R ⁴ , 및 Αι·ι 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 또는 치환 또는 비치환된 카바졸일기이되，

R' 및 R ² 중 어느 하나와 R ³ 및 R ⁴ 중 어느 하나가 동시에 치환 또는 비치환된 카바졸일기가 아니고,

R ¹ 내지 R ⁴ 중 어느 하나가 치환된 카바졸일기인 경우, 치환기는 카바졸일기가 아니고,

상기 화학식 1 및 2의 "치환 "은 별도의 정의가 없는 한, 적어도 하나의 수소가 중수소, 할로겐기, 히드록시기, 아미노기, C 1 내지 C30 아민기, C6 내지 C30 아릴아민기， 니트로기, C 1 내지 C40 실릴기， C 1 내지 C30 알킬기, C3 내지 C30 시클로알킬기, C2 내지 C30 해테로시클로알킬기, C6 내지 C30 아릴기, C2 내지 C30 해테로고리기, C 1 내지 C20 알콕시기, C 1 내지 C 10 트리플루오로알킬기 또는 시아노기로 치환된 것을 의미한다.

본 발명의 일예에서, 상기 화학식 1 및 2의 "치환 "은 적어도 하나의 수소가 중수소, C 1 내지 C 10 알킬기, C6 내지 C 18 아릴기， C2 내지 C 18

해테로고리기, 또는 이들의 조합으로 치환된 것을 의미한다.

본 발명의 일 구현예에 따른 유기 광전자 소자용 조성물은, 함질소 해테로고리를 아릴렌 링커로 연결한 화합물을 포함하여 전자 주입 및 전자 수송성이 우수한 제 1 화합물과, 적어도 하나의 카바졸일기를 포함하여 정공 주입 및 정공 수송성이 우수한 제 2 화합물올 함께 발광층에 사용함으로써, 구동 전압을 저하시키는 동시에 장수명 및 고효율의 유기 발광 소자를 구현할 수 있다.

상기 게 1 화합물은 연결기 L ¹ 의 양쪽 말단에 위치한 치환기에 각각 적어도 하나의 질소를 함유하는 고리를 포함함으로써, 전기장 인가 시 전자를 받기 쉬운 구조가 되어 전자 주입량이 증가되어 전자 수송 특성이 상대적으로 강한 특성을 가질 수 있다.

특히 , 양쪽 말단 치환기에 포함되는 Ν의 개수, 연결기 L ¹ 의 연결 방향 및 연결된 아릴렌기의 개수 등에 따라 전하 주입 특성, 증착 온도, 유리 전이 온도 등 다양한 특성을 조절할 수 있다.

이에 따라 상기 제 1 화합물을 적용한 유기 광전자 소자의 구동 전압을 낮출 수 있고, 또한 효율을 개선할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 화학식 1은, 인접한 R ^a 가 서로 연결되어 고리를 형성하는 지 여부에 따라 예컨대 하기 화학식 1- 1 내지 화학식 i-m 중 어느 하나로 표현될 수 있다.

[화학식 1- I ] [화학식 1-Π]

상기 화학식 1ᅳ I 내지 i-m에서, L ¹ 은 전술한 바와 같고， z는 각각 독립적으로 N, 또는 CR ^a 이며， R ^a 는 전술한 바와 같고 ,Ζ 중 적어도 하나는 Ν일 수 있다.

양 쪽 말단 치환기에 포함되는 Ν의 개수에 따라 전하 주입 특성， 증착 온도, 유리 전이 온도 등 다양한 특성을 조절할 수 있다. 구체적으로, 전체 Ν의 개수를 4개 이상으로 조절할 경우, 전자 주입 특성에서 유리한 측면이 있다. 예컨대 ,Ν의 개수는 각각 (1개, 3개), (2개, 2개)， (2개, 3개), 또는 (3개， 3개)일 수 있으며, 특히 Ν의 개수가 (3개， 3개)일 경우, 특히 주입된 전자의 안정성， 이동도 측면에서 유리하다.

R ^a , R ^al 내지 R ^a4 , R ^c , R ^d , R ^e , R ^f , R ^g , 및 R ^h 는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 또는 이들의 조합일 수 있고，

구체적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기일 수 있으며,

더욱 구체적으로 수소, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기， 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 쿼터페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기， 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기， 치환 또는 비치환된

파이레닐기일 수 있다.

예컨대, 중수소, C 1 내지 C 10 알킬기， C6 내지 C 12 아릴기로 치환될 수 있거나 비치환된 하기 그룹 1에 나열된 기에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

상기 그룹 1에서, *은 연결 지점이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 화학식 1의 L ¹ 은, 구체적으로 중수소, C 1 내 ^7' C40 실릴기, C 1 내지 C30 알킬기, 또는 C6 내지 C30 아릴기로 치환되거나 비치환된 페닐렌기; 중수소, C 1 내지 C40 실릴기, C 1 내지 C30 알킬기， 또는 C6 내지 C30 아릴기로 치환되거나 비치환된 바이페닐렌기; 중수소, C 1 내지 C40 실릴기, C I 내지 C30 알킬기, 또는 C6 내지 C30 아릴기로 치환되거나 비치환된 터페닐렌기; 또는 중수소, C 1 내지 C40 실릴기, C 1 내지 C30 알킬기, 또는 C6 내지 C30 아릴기로 치환되거나 비치환된 쿼터페닐렌기일 수 있다.

특히, 연결기 L ¹ 의 연결 방향 및 연결된 아릴렌기의 개수에 따라 전하 주입 특성, 증착 온도, 유리 전이 온도 등 다양한 특성을 조절할 수 있고, 예컨대 치환되거나 비치환된 하기 그룹 2에 나열된 연결기에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

그룹 2]

상기 그룹 2에서， *은 이웃 원자와의 연결 지점이다.

본 발명의 일예에서, 상기 그룹 2에 나열된 연결기는 중수소， C 1 내지 C5 알킬기 , C6 내지 C 18 아릴기, C3 내지 C 12 헤테로아릴기, 및 이들의 조합에서 선택된 어느 하나로 더욱 치환될 수 있다.

구체적으로， 상기 그룹 2에 나열된 연결기는 중수소, C 1 내지 C5 알킬기, C6 내지 C 1 8 아릴기, 및 이를의 조합에서 선택된 어느 하나로 더욱 치환될 수 있다. 상기 L ¹ 이 상기와 같은 경우, 상기 화학식 1은 N을 함유하는 해테로 고리를 2개 포함하는 다이머 (dimer) 형태가 될 수 있고， 이러한 다이머 형태는 N을 함유하는 해테로고리를 3개 포함하는 트라이머 (trimer) 형태에 비해 치환기의 특성에 따라서 정공 이동도, 전자 이동도의 특성 조절이 용이하며， 물질간의 결정상 형성을 억제하는 효과를 기대할 수 있다.

특히, 상기 L ¹ 에서 파라 형태로 연결된 모이어티 비율이 높을수록, 분자 자체가 견고해지며， 이에 따라 전하 이동도를 증가시킬 수 있다.

또한, 상기 L ¹ 에서 메타 또는 오르쏘 형태로 연결된 모이어티의 비율을 조절함으로써 증착 온도 -및 유리 전아은도의 .조절도가능해 진다. 특히, L- ¹ 에 포함된 아릴기의 개수 및 해테로 고리에 포함된 치환기의 종류 및 방향을 조절함으로써, LUMO 에너지 레벨을 조절할 수 있으므로, 전하의 주입 특성을 원하는 대로 조절할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에서, 상기 화학식 1의 X ¹ 내지 X ¹² 는 각각

독립적으로 N, C 또는 CR ^a 이고, X ¹ 내지 X ⁶ 중 3개는 N이고, X ⁷ 내지 X ^{1 2} 중 1개 내지 3개는 N이고, R ^a 는 각각 독립적으로, 수소, 중수소， 치환 또는 비치환된 C 1 내지 C30 알킬기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 또는 이들의 조합이고, L ¹ 은 중수소, C 1 내지 C30 알킬기, 또는 C6 내지 C30 아릴기로 치환되거나 비치환된 C6 내지 C30

아릴렌기이며, 여기서 "치환 "은 별도의 정의가 없는 한 적어도 하나의 수소가 중수소, 할로겐기， 히드록시기， C 1 내지 C40 실릴기, C 1 내지 C30 알킬기, C3 내지 C30 시클로알킬기, C2 내지 C30 해테로시클로알킬기, C6 내지 C30 아릴기, 또는 C2 내지 C30 헤테로고리기로 치환된 것일 수 있다.

구체적으로, 상기 R ^a 는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기이고, 상기 C6 내지 C30 아릴기는 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기， 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 쿼터페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라센일기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기， 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 또는 치환 또는 비치환된 페난트레닐기일 수 있다.

상기 화학식 1로 표현되는 제 1화합물은 예컨대 하기 그룹 3에 나열된 화합물일 수 있으나， 이에 한정되는 것은 아니다.

[그룹 3]

(6각 고리에 위치하는 헤테로 원자는 모두 "N"이다.)

Ζ6^00/9ΐΟΖΗΜ/Χ3<Ι 90»0Ζ/9ΐ0Ζ OAV

Ζ6^00/9ΐΟΖΗΜ/Χ3<Ι 90»0Ζ/9ΐ0Ζ OAV

Ζ6^00/9ΐΟΖΗΜ/Χ3<Ι 90»0Ζ/9ΐ0Ζ OAV

99 ζ9

81

Ζ6^00/9ΐΟΖΗΜ/Χ3<Ι 90»0Ζ/9ΐ0Ζ OAV

Ζ6^00/9ΐΟΖΗΜ/Χ3<Ι 90»0Ζ/9ΐ0Ζ OAV

Ζ6^00/9ΐΟΖΗΜ/Χ3<Ι 90»0Ζ/9ΐ0Ζ OAV

t ⁷

0 Ζ6^00/9ΐΟΖΗΜ/Χ3<Ι 90»0Ζ/9ΐ0Ζ OAV

Ζ6^00/9ΐΟΖΗΜ/Χ3<Ι 90»0Ζ/9ΐ0Ζ OAV

발광층에 사용되는 상기 제 1 화합물은 전자의 수송 및 주입 특성이 강해 경우에 따라서는 재료의 결정성이 증가할 수 있다.

따라서, 제 1 화합물을 단독으로 사용하는 것보다는 정공 수송 및 주입 특성이 강한 재료와 함께 사용함으로써, 정공의 수송 및 주입 특성 /전자의 수송 및 주입 특성이 균형 잡힌 재료가 유리할 수 있다.

상기 정공 수송 및 주입 특성이 강한 화합물은 상기 화학식 2로 표현되는 제 2 화합물일 수 있다.

상기 제 2 화합물은 적어도 하나의 카바졸일기를 포함하여 정공 특성이 상대적으로 강한 바이폴라 (bipolar) 특성을 가지는 화합물로, 상기 제 1 화합물과 함께 발광층에 사용되어 전하의 이동성을 높이고 안정성을 높임으로써 발광 효율 및 수명 특성을 현저히 개선시킬 수 있다.

상기 화학식 2는 카바졸일기의 연결 위치, 연결기 유무， 그리고

카바졸일기의 치환기가 서로 연결되어 융합되는 지 여부에 따라 하기 화학식 2- I 내지 2- VI 중 어느 하나로 표현될 수 있다.

n

Ζ6^00/9ΐΟΖΗΜ/Χ3<Ι 90»0Ζ/9ΐ0Ζ OAV 헤시

화 2-V]

상기 화학식 2- 1 내지 2-VI에서, L ² 내지 Ar ¹ , 및 R ¹ 내지 R ⁴ 는 전술한 바와 같고,

Υ ² 는 Υ ¹ 의 정의와 같고, Ar ² 는 Ar ¹ 의 정의와 같다.

단， 상기 화학식 2- 1의 R ¹ 또는 R ² 는 치환 또는 비치환된 카바졸일기가 아니고,

R ⁵ 내지 R ³¹ 은 각각 독립적으로, 수소， 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 해테로고리기 또는 이들의 조합이고,

단, 상기 R ⁵ 내지 R ⁷ 은 모두 카바졸일기가 아니고，

n은 0 내지 5의 정수 중 하나이다.

상기 화학식 2- 1은 2개의 카바졸일기를 연결하는 페닐렌 연결기의 유무, 그리고 2개의 카바졸일기가 연결되는 지점에 따라 예컨대 하기 화학식 la 내지 lj 중 어느 하나로 표현될 수 있다.

[화학식 la] [화학식 lb]

상기 화학식 la 내지 lj에서,ᄂ ² 내지 L ⁴ , Y ¹ , Y ² , Ar ¹ , Ar ² , R' 내지 R ³ , ⁷ 은 전술한 바와 같고,

단, R ⁱ 또는 R ² 는 치환 또는 비치환된 카바졸일기가

R ⁵ 내지 R ⁷ 은 모두 카바졸일기가 아니다. 상기 화학식 2- Π는 트리페닐렌기의 연결 위치에 따라 예컨대 하기 화학식 2a로 표현될 수 있고,

[화학식 2a]

구체적으로, 상기 화학식 2a-l 내지 2a-3 중 어느 하나로 표현될 수 있다, 화학식 2a-l]

[화학식 2a-2] [화학식 2a-3

상기 화학식 2a, 및 2a-l 내지 2a-3에서, L ² 내지 ΐΛ Υ', ΑιΛ ΐ ¹ 내지 R ³ , 및 R ⁸ 내지 R ¹² 은 전술한 바와 같다.

상기 화학식 2-m는 트리페닐렌기의 연결 위치에 따라 예컨대 하기 화학식

3a로 표현될 수 있다.

상기 화학식 3a에서, L ² 내지 ίΛ Υ ' , ίΙ ¹ 내지 R ⁴ , 및 R ¹³ 내지 R ^{1 7} 은 전술한 바와 같다.

본 발명의 일 실시예에 따른 화학식 2- 1 내지 2-VI의 Ar ¹ 및 Ar ² 는 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C 1 내지 C30 알킬기， 치환 또는 비치환된 C 1 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C 1 내지 C30 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 히드록시기, 티올기, 또는 이들의 조합일 수 있고, 구체적으로， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기일 수 있다.

상기 Ar ¹ 및 Ar ² 가 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기인 경우, 더욱 구체적으로, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기， 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기; 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐기, 또는 치환 또는 비치환된 플루오레닐기일 수 있고,

상기 Ar ¹ 및 Ar ² 가 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기인 경우 더욱 구체적으로， 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된

퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된

디벤조퓨라닐기, 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기일 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 화학식 2의 Y' 및 Y ² 는 각각 독립적으로, 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 해테로아릴렌기 또는 이들의 조합일 수 있고,

구체적으로, 단일 결합, 또는 치환 또는 비치환된 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기일 수 있다.

예컨대, 상기 Y ¹ 및 Y ² 는 각각 독립적으로, 단일 결합， 치환 또는 비치환된 페닐렌기， 또는 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기이고, 상기 Αι· ¹ 및 Ar ² 는 각각 독립적으로, 치환되거나 비치환된 하기 그룹 4에 나열된 기에서 선택될 수 있다. 그룹 4]

상기 그룹 4에서, *은 이웃 원자와의 연결 지점이다.

본 발명의 일 실시예에 따른 화학식 2의 R ¹ 내지 R ⁴ 는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 니트릴기, 치환 또는 비치환된 이소니트릴기, 히드록시기, 티올기일 수 있고，

구체적으로, 수소, 페닐기 , ο-바이페닐기, m-바이페닐기， P-바이페닐기, 피리딜기, 메틸기, 에틸기, 프로필기， 이소프로필기 등일 수 있으며,

상기 페닐기 , ο-바이페닐기， m-바이페닐기 , ρ-바이페닐기, 피리딜기, 메틸기， 에틸기, 프로필기， 및 이소프로필기는 중수소, C6 내지 C30 아릴기， 또는 C1 내只 C30 알킬기로 더욱 치환될 수 있으며, 치환기들끼리 연결되어 융합 고리를 형성할 수 있다.

예컨대， R ¹ 내지 R ⁴ 중 어느 하나가 트리페닐메틸기인 경우,

트리페닐메틸기의 인접한 2개의 페닐기가 연결되어 플루오렌 고리를 형성할 수 있다.

상기 화학식 2로 표현되는 게 2 화합물은 예컨대 하기 그룹 5에 나열된 화합물일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

[그룹 5]

3- 10 B-li B-12

E一 13 B- 14 Ε-ίδ

rt-9

?S-3 -a

εε-a

c

Ζ6^00/9ΐΟΖΗΜ/Χ3<Ι 90»0Ζ/9ΐ0Ζ OAV

Ζ6^00/9ΐΟΖΗΜ/Χ3<Ι 90»0Ζ/9ΐ0Ζ OAV

69-8 89-8

Ζ6^00/9ΐΟΖΗΜ/Χ3<Ι 90»0Ζ/9ΐ0Ζ OAV -a 8 & -a ze-a

l6^00/9T0rHX/I3d 90 0l/9T0∑: OAV

o -a 60I--9

Ζ6^00/9ΐΟΖΗΜ/Χ3<Ι 90»0Ζ/9ΐ0Ζ OAV

621-8 8ZI-H LZ\-B 931-9

Ζ6^00/9ΐΟΖΗΜ/Χ3<Ι 90»0Ζ/9ΐ0Ζ OAV -a osi-e

6Ζ6^00/9ΐΟΖΗΜ/Χ3<Ι 90»0Ζ/9ΐ0Ζ OAV

Ζ6^00/9ΐΟΖΗΜ/Χ3<Ι 90»0Ζ/9ΐ0Ζ OAV

D-27 D-28 D-29

한편, 정공 특성을 가지는 상기 제 2 화합물과 상기 게 1 화합물의 비율을 조절함으로써 전하의 이동성을 조절할 수 있는 장점이 있다.

상기 제 2 화합물의 정공 특성은 거 11 화합물과의 관계에서 상대적으로 결정되는 것이므로, 상기 화학식 2의 Ar ¹ 및 Ar ² 중 어느 하나의 위치에서 치환 또는 비치환된 피리디닐기와 같은 약한 전자 특성을 갖는 치환기를 포함할 수 있다.

이 경우, 상기 제 2 화합물의 LUMO 에너지 레벨은 -1.7 eV이상일 수 있다. 구체적으로 상기 제 2 화합물의 LUMO 에너지 레벨은 -1.7 내지 0.850eV의 범위일 수 있다.

또한, 상기 제 1 화합물과 제 2 화합물은 예컨대 약 1:9 내지 9:1의 중량비로 포함될 수 있고, 구체적으로 2:8 내지 8:2,3:7 내지 7:3,4:6 내지 6:4， 그리고 5:5의 중량비로 포함될 수 있다. 상기 범위로 포함됨으로써 바이폴라 특성이 더욱 효과적으로 구현되어 효율과 수명을 동시에 개선할 수 있다.

구체적으로, 발광층 (32)에서 상기 제 1 화합물, 및 상기 거 12 화합물이 동시에 호스트로서 포함될 수 있으며, 예컨대 상기 제 1 화합물은 하기 화학식 1 - l a로 표현되고, 상기 제 2 화합물은 상기 화학식 la 또는 2a-l로 표현될 수 있다. 화학식 1 - I _a ]

상기 화학식 1 - 1에서, 내지 Z ⁶ 은 각각 독립적으로 N, 또는 CR ^a 이고 , Ζ' 내지 ζ ³ 중 적어도 둘은 Ν이고 , Ζ ⁴ 내지 Ζ ⁶ 증 적어도 둘은 Ν이고, R ^a , R ^al 내지 R ^a4 는 각각 독립적으로 수소, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기이고, L ¹ 은 중수소, C 1 내지 C30 알킬기, 또는 C6 내지 C30 아릴기로 치환되거나 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기이고;

상기 화학식 la 및 화학식 2a-l의 L ² 내지 L ⁵ , Y ¹ 및 Y ² 는 각각 독립적으로, 단일 결합, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기이고, Ar ¹ 및 Ar ² 는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기이고, R ¹ 내지 R ³ , 및 R ⁵ 내지 R ¹² 는 각각 독립적으로, 수소， 중수소, 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기이되, 상기 화학식 la의 R ¹ 또는 R ² 는 치환 또는 비치환된 카바졸일기가 아니고, 상기 R ⁵ 내지 R ⁷ 은 모두 카바졸일기가 아니다.

여기서, "치환' '은 전술한 바와 같다.

발광층 (32)은 호스트로서 전술한 제 1 화합물과 게 2 화합물 외에 1종 이상의 화합물을 더 포함할 수 있다. 예컨대, 정공 특성이 우수한 아릴 아민 화합물 또는 아릴 아민 카바졸 화합물 등을 더욱 포함할 수 있다.

발광층 (32)은 도펀트를 더 포함할 수 있다. 상기 도편트는 상기 호스트에 미량 흔합되어 발광을 일으키는 물질로, 일반적으로 삼증항 상태 이상으로 여기시키는 다증항 여기 (multiple excitation)에 의해 발광하는 금속 착체 (metal complex)와 같은 물질이 사용될 수 있다. 상기 도펀트는 예컨대 무기, 유기, 유무기 화합물일 수 있으며 , 1종 또는 2종 이상 포함될 수 있다.

상기 도편트는 적색, 녹색 또는 청색의 도펀트일 수 있으며, 예컨대 인광 도편트일 수 있다. 상기 인광 도펀트의 예로는 Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb, Tm, Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Pd 또는 이들의 조합을 포함하는 유기 금속화합물을 들 수 있다. 상기 인광 도편트는 예컨대 하기 화학식 Z로 표현되는 화합물을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

[화학식 Z]

L ₂ MX

상기 화학식 Z에서 , Μ은 금속이고, L 및 X는 서로 같거나 다르며 Μ과 착화합물을 형성하는 리간드이다.

상기 Μ은 예컨대 Ir, Pt, Os, Ti, Zr, Hf, Eu, Tb, Tm, Fe, Co, Ni, Ru, Rh, Pd 또는 이들의 조합일 수 있고, 상기 L 및 X는 예컨대 바이덴테이트 리간드일 수 있다. 상기 조성물은 유기 광전자 소자의 유기층에 적용될 수 있으며, 일 예로 상기 조성물은 발광층에 적용될 수 있다. 예컨대 발광층의 호스트로서 적용될 수 있다.

상기 조성물은 건식 성막법 또는 용액 공정으로 형성될 수 있다. 상기 건식 성막법은 예컨대 화학기상증착법， 스퍼터링, 플라즈마 도금 및 이온도금 일 수 있고， 둘 이상의 화합물을 동시에 성막하거나 증착 온도가 같은 화합물을 흔합하여 같이 성막할 수 있다. 상기 용액 공정은 예컨대 잉크젯 인쇄법， 스핀 코팅, 슬릿 코팅， 바 코팅 및 /또는 딥 코팅일 수 있다.

이하 상술한 조성물을 적용한 유기 광전자 소자를 설명한다.

상기 유기 광전자 소자는 전기 에너지와 광 에너지를 상호 전환할 수 있는 소자이면 특별히 한정되지 않으며, 유기발광소자, 유기광전소자,

유기태양전지, 유기트랜지스터, 유기 감광체 드럼 및 유기메모리소자로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나일 수 있다.

상기 유기 광전자 소자는 서로 마주하는 애노드와 캐소드, 그리고 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 위치하는 적어도 1층의 유기층을 포함할 수 있고， 상기 유기층은 전술한 조성물을 포함할 수 있다.

여기서는 유기 광전자 소자의 일 예인 유기 발광 소자를 도면을 참고하여 설명한다.

도 1은 일 구현예에 따른 유기 발광 소자를 보여주는 단면도이다.

도 1을 참고하면, 일 구현예에 따른 유기 발광 소자 (100)는 서로 마주하는 애노드 (110)와 캐소드 (120), 그리고 애노드 (110)와 캐소드 (120) 사이에 위치하는 유기층 (105)을 포함한다.

애노드 (110)는 예컨대 정공 주입이 원활하도록 일 함수가 높은 도전체로 만들어질 수 있으며， 예컨대 금속, 금속 산화물 및 /또는 도전성 고분자로 만들어질 수 있다. 애노드 (110)는 예컨대 니켈, 백금, 바나듬, 크롬， 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연산화물, 인듬산화물, 인듐주석산화물 (ΠΌ),

인듐아연산화물 (IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO와 A1 또는 Sn0 ₂ 와 Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리 (3-메틸티오펜), 폴리 (3,4- (에틸렌 -1,2- 디옥시)티오펜 Xpolyehtylenedioxythiophene: PEDOT), 폴리피를 및 폴리아닐린과 같은 도전성 고분자 등을 들 수 있으나， 이에 한정되는 것은 아니다.

캐소드 (120)는 예컨대 전자 주입이 원활하도록 일 함수가 낮은 도전체로 만들어질 수 있으며, 예컨대 금속, 금속 산화물 및 /또는 도전성 고분자로 만들어질 수 있다. 캐소드 (120)는 예컨대 마그네슘, 칼슴, 나트륨， 칼륨, 타이타늄， 인듐, 이트륨， 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석, 납, 세슴, 바륨 등과 같은 금속 또는 이둘의 합금; LiF/Al, Li0 ₂ /Al, LiF/Ca, LiF/Al 및 BaF ₂ /Ca과 같은 다층 구조 물질을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

유기층 (105)은 전술한 조성물을 포함하는 발광층 (130)을 포함한다.

도 2는 다른 구현예에 따른 유기 발광 소자를 보여주는 단면도이다.

도 2를 참고하면， 본 구현예에 따른 유기 발광 소자 (200)는 전술한 구현예와 마찬가지로 서로 마주하는 애노드 (110)와 캐소드 (120)， 그리고

애노드 (110)와 캐소드 (120) 사이에 위치하는 유기층 (105)을 포함한다.

유기층 (105)은 발광층 (130) 및 발광층 (130)과 캐소드 (120) 사이에 위치하는 보조층 (140)을 포함한다. 보조층 (140)은 캐소드 (120)와 발광층 (130) 사이의 전하 주입 및 이동을 용이하게 할 수 있다. 보조층 (140)은 예컨대 전자수송층, 전자주입층 및 /또는 전자수송보조층일 수 있다.

도 1 및 도 2에서 유기층 (105)으로서 추가로 애노드 (110)와 발광층 (130) 사이에 위치하는 적어도 1층의 보조층을 더 포함할 수 있다. 상술한 유기 발광 소자는 유기 발광 표시 장치에 적용될 수 있다.

【발명의 실시를 위한 형태】

이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예들을 제시한다. 다만, 하기에 기재된 실시예들은 본 발명을 구체적으로 예시하거나 설명하기 위한 것에 블과하며, 이로서 본 발명이 제한되어서는 아니된다. 이하, 본 발명의 합성예 및 실시예에 사용된 출발물질 및 반웅물은 특별한 언급이 없는 경우， Sigma-Aldrich社 또는 TCI社에서 구입하였다.

(제 1 화합물의 합성)

합성예 1: 화합물 1의 합성

a) 중간체 1-1의 합성

1-1

500 mL의 등근 바닥 플라스크에 2-(3-브로모페닐) -4,5-다이페닐 -1,3,5- 트리아진 20g(51.51mmol)을 를루엔 250 mL에 녹인다.

다이클로로다이페닐포스피노페로센 팔라듐 0.05 당량, 비스피나콜라도 다이보론

1.2 당량, 초산칼륨 2 당량을 넣고 질소 대기하에서 18 시간 동안 가열

환류시켰다. 반웅액을 냉각시키고, 물 100 mL를 넣고 유기층을 추출한다.

유기층을 모아 활성탄소를 처리 후 실리카겔에서 여과한 후 여액을 농축한다. 농축된 잔사를 모아 틀루엔 200 mL와 아세톤 50 mL 에서 결정화하여 생성물 중간체 1-1 19.1 g을 얻었다. b) 화합물 1의

500 mL의 등근 바닥 플라스크에 상기 합성된 증간체 1-1 19g (43.79 mmol)을 테트라하이드로퓨란 200 mL, 증류수 50 mL를 넣고， 2-(3-브로모페닐) -4,5- 다이페닐 -1 ,3,5-트리아진 1 당량, 테트라키스트리페닐포스핀 팔라듐 0.03 당량, 탄산칼륨 2 당량을 넣고 질소 대기하에서 가열 환류한다. 18 시간 후 반응액을 넁각시키고, 석출된 고체를 여과하고， 물 500 mL로 씻는다. 고체를

모노클로로벤젠 500 mL로 재결정하여 화합물 1을 22.41 g 얻었다.

LC/MS calculated for: C42H28N6 Exact Mass: 616.2375 found for: 617.24 [M+H]

500 mL 등근 바닥 플라스크에 상기 합성된 중간체 1 -1 15 g (34.46 mmol)

1 ,3-다이브로모벤젠 0.5 당량, 테트라키스트리페닐포스핀 팔라듐 0.03 당량， 탄산칼륨 2 당량, 테트라하이드로퓨란 200 mL, 증류수 50 mL를 넣고 질소 대기하에서 가열 환류한다. 20 시간 후 반웅액을 냉각시키고, 석출된 고체를 여과하고, 물 500 mL로 씻는다. 고체를 다이클로로벤젠 400 mL로 재결정하여 화합물 2를 9.2 g 얻었다.

LC/MS calculated for: C48H32N6 Exact Mass: 692.2688 found for: 693.27 [M+H] 합성예 3: 화합물 3의 합성

- 1의 합성

500 mL 둥근 바닥 플라스크에 상기 합성된 중간체 1 -1 30 g (68.92 mmol)과 1 ,3-다이브로모벤젠 1.2 당량， 테트라키스트리페닐포스핀 팔라듐 0.03 당량， 탄산칼륨 2 당량, 테트라하이드로퓨란 300 mL, 증류수 100 mL를 넣고 질소 대기하에서 가열 환류한다. 18 시간 후 반웅액을 냉각시키고, 반웅액을 메탄을 1 L에 현탁시키고， 교반 여과한 후 물 500 mL로 씻는다. 고체를 다이클로로벤젠 400 mL로 재결정하여 중간체 3-1을 32 g 얻었다. b) 중간체 3-2의 합성

3-1

3-2

500 mL 등근 바닥 플라스크에 상기 합성된 중간체 3-1 32 g (68.91 mmol)을 를루엔 350 mL에 넣고， 다이클로로다이페닐포스피노페로센 팔라듬 0.05 당량, 비스피나콜라도 다이보론 1 .2 당량, 초산칼륨 2 당량을 넣고 질소 대기하에서 18 시간 동안 가열 환류시켰다. 반웅엑을 냉각시키고, 물 l OO mL를 넣고 유기층을 추출한다. 유기층을 모아 활성탄소를 처리 후 실리카겔에서 여과한 후 여액을 농축한다. 농축된 잔사를 모아 를루엔 1 L에 가열하여 녹이고, 활성탄소를 처리 후 실리카겔에서 여과한다. 여액에 냉각시켜 교반하여 고체를 석출시킨다. 석출된 고체를 여과하여 중간체 3-2를 29.96 g 얻었다.

500 mL 등근 바닥 플라스크에 상기 합성된 중간체 3-2 15 g (29.33 mmol)과, 상기 합성된 중간체 3- 1 1 당량, 테트라키스트리페닐포스핀 팔라듬 0.03 당량, 탄산칼륨 2 당량, 테트라하이드로퓨란 200 mL, 증류수 50 mL를 넣고 질소 대기하에서 가열 환류한다. 18 시간 후 반웅액을 냉각시키고, 반웅액을 여과한 후 물 500 mL로 씻는다. 고체를 다이클로로벤젠 500 mL로 재결정하여 화합물 3을 16.01 g 얻었다. LC/MS calculated for: C54H36N6 Exact Mass: 768.3001 found for: 769.3 [M+H] 합성예 4: 화합물 100의 합성

-1의 합성

500 mL 등근 바닥 플라스크에 상기 합성된 중간체 3-2 15 g(29.33 mmol)과 1,3-다이브로모벤젠 1.2 당량, 테트라키스트리페닐포스핀 팔라듐 0.03 당량, 탄산칼륨 2 당량, 테트라하이드로퓨란 300 mL, 증류수 100 mL를 넣고 질소 대기하에서 가열 환류한다 . 1 ₈ 시간 후 반응액을 냉각시키고, 반응액을 메탄올 1L에 현탁시키고, 교반 여과한 후 물 500 mL로 씻는다. 고체를 다이클로로벤젠 300 mL로 재결정하여 중간체 100-1을 12.84 g 얻었다.

500 mL 등근 바닥 플라스크에 상기 합성된 중간체 100-1 12 g (22.2 mmol)과 상기 합성된 중간체 3-21.2 당량, 테트라키스트리페닐포스핀 팔라듐 0.03 당량， 탄산칼륨 2 당량, 테트라하이드로퓨란 150 mL, 증류수 50mL를 넣고 질소 대기하에서 가열 환류한다.18 시간 후 반웅액을 냉각시키고, 반웅액을 메탄올 1L에 현탁시키고, 교반 여과한 후 물 500 mL로 씻는다. 고체를 다이클로로벤젠 500 mL로 재결정하여 화합물 100을 13.3 g 얻었다.

LC/MS calculated for: C60H40N6 Exact Mass: 844.3314 found for 845.34 [M+H] 합성예 5: 화합물 4의 합성 a) -

500 mL 등근바닥플라스크에 시아누릭클로라이드 15 g(81.34mmol)을 무수 테트라하이드로퓨란 200 mL에 녹이고, 질소대기하에서 4-바이페닐

마그네슘브로마이드 용액 (0.5M 테트라하이드로퓨란 ) 1 당량을 0 ^° C에서 적가하고 서서히 상온으로 을린다. 상온에서 1 시간 동안 교반한 후， 반웅액을 얼음물 500 mL에 넣고 층분리시킨다. 유기층을 분리하고 무수 황산마그네슘을 처리하고 농축한다. 농축된 잔사를 테트라하이드로퓨란과 메탄올로 재결정하여 중간체 4- 2를 17.2g 얻었다. -1의 합성

500 mL 등근바닥플라스크에 상기 합성된 중간체 4-217g(56.26 mmol)를 넣고， 페닐보로닉에시드 1 당량， 테트라키스트리페닐포스핀 팔라듐 0.03 당량， 탄산칼륨 2 당량, 테트라하이드로퓨란 150 mL, 증류수 50 mL를 넣고 질소 대기하에서 가열 환류한다.18 시간 후 반웅액을 냉각시키고， 반웅액을 메탄을 1L에 현탁시키고， 교반 여과한 후 물 500 mL로 씻고 건조하여 증간체 4-1을 12.57 g 얻었다. c) 화합물 4의 합성

500 mL 등근바닥플라스크에 상기 합성된 중간체 4- 1 12 g (34.9 mmol)을 넣고, 상기 합성된 중간체 3-2 1.1 당량， 테트라키스트리페닐포스핀 팔라듬 0.03 당량, 탄산칼륨 2 당량, 테트라하이드로퓨란 150 mL, 증류수 50 mL를 넣고 질소 대기하에서 가열 환류한다. 18 시간 후 반웅액을 냉각시키고, 반웅액을 메탄을 1 L에 현탁시키고, 교받—여과한 후 물 500 mL로 씻ᅵ는다 생성된 고체를- 다이클로로벤젠 500 mL로 재결정하여 화합물 4를 17.8 g 얻었다.

LC/MS calculated for: C48H32N6 Exact Mass: 692.2688 found for 692.27 [M+H] 합성예 6: 화합물 16의 합성

-2의 합성

₄ _바이페닐 마그네슘브로마이드 용액 (0.5M 테트라하이드로퓨란)대신에 3- 바이페닐마그네슘브로마이드 용액 (0.5 M 테트라하이드로퓨란)을 사용하고, 상기 합성예 4-2와 동일한 방법으로 중간체 16-2를 합성하였다. b) 증간체 16- 1의 합성

중간체 4-2 대신에 중간체 16-2를 사용하여 상기 합성예 5의 (b)와 동일한 방법으로 중간체 16- 1올 합성하였다. c 화합물 16의 합성

증간체 16- 1을 사용하여 상기 합성예 5의 (c)와 같은 방법으로 화합물 16을 합성하였다.

LC/MS calculated for: C48H32N6 Exact Mass: 692.2688 found for 692.27 [M+H]

1-1 126

중간체로 1 ,2-다이브로모벤젠을 사용하여 상기 합성예 2와 같은 방법으로 화합물 126을 합성하였다.

LC/MS calculated for: C48H32N6 Exact Mass: 692.2688, found for 693.28 [M+H] 합성예 8: 화합물 140의 합성

- 1의 합성

140-1

500 mL 등근 바닥 플라스크에 상기 중간체 3-2 20 g (39.1 1 mmol)을 넣고 1 ,2-다이브로모벤젠 1 .1 당량, 테트라키스트리페닐포스핀 팔라듬 0.03 당량， 탄산칼륨 2 당량, 테트라하이드로퓨란 200 mL, 증류수 50 mL를 넣고 질소 대기하에서 가열 환류한다. 18 시간 후 반웅액을 냉각시키고, 반웅액을 메탄을 500 mL에 현탁시키고, 교반 여과한 후 물 500 mL로 씻는다. 생성된 고체를

모노클로로벤젠 500 mL로 재결정하여 중간체 140-1을 18.4 g 얻었다.

500 mL등근 바닥 플라스크에 상기 합성된 중간체 140- 1 18 g (33.31 mmol)을 넣고, 상기 합성된 중간체 1 -1 1.1 당량， 테트라키스트리페닐포스핀 팔라듐 0,03 당량, 탄산칼륨 2 당량, 테트라하이드로퓨란 200 mL, 증류수 50 mL를 넣고 질소 대기하에서 가열 환류한다. 18 시간 후 반웅액을 냉각시키고, 반웅액을 메탄올 500 mL에 현탁시키고, 교반 여과한 후 물 500 mL로 씻는다. 생성된 고체를 모아 노르말핵산과 초산에틸 흔합용매로 실리카겔 컬럼 정제하여 화합물 140을 19.2 g 얻었다.

LC/MS calculated for: C54H36N6 Exact Mass: 768.3001 , found for 769.3 [M+H] 합성예 9: 화합물 113의 합성

-3의 합성

500 mL 등근 바닥 플라스크에 메틸 벤조일 아세테이트 30 g (168.37 mmol)을 넣고, 3-클로로페닐 아미딘 1.1 당량, 소듐 메톡사이드 1.2 당량을 메탄을 200 mL에 넣고 6 시간 동안 가열 환류한다. 반웅액을 냉각시키고， 1 N 염산 용액을 넣어 pH를 5 정도로 맞추고, 염화메탄으로 추출한다. 추출된 용액을 농축하여 생성된 중간체 Π 3-4는 다음 반웅에 그대로 사용한다. 500 mL 등근 바닥 플라스크에 상기 중간체 1 13-4를 넣고, 포스포릴클로라이드 250 mL를 넣고 5 시간 동안 가열 환류시킨다. 반웅액을 냉각시키고, 얼음물 1 1 _^ 에 반웅액올 천천히 가하고 교반한다. 물층을 염화메탄 500 mL로 추출하고 무수 황산마그네슘으로 건조하고 농축한다. 농축된 잔사를 노르말핵산과 초산에틸올 이용하여 실리카겔 컬럼으로 정제하여 증간체 1 13-3 39 g을 얻었다. -2의 합성

500 mL 등근 바닥 플라스크에 상기 합성된 중간체 1 13-3 30 g (99.6 mmol)을 넣고, 바이페닐 보로닉 에시드 1 .2 당량, 테트라키스트리페닐포스핀 팔라듐 0.03 당량, 탄산칼륨 2 당량, 테트라하이드로퓨란 250 mL, 증류수 70 mL를 넣고 질소 대기하에서 가열 환류한다, 18 시간 후 반웅액을 냉각시키고, 반웅액을 메탄을 500 mL에 현탁시키고, 교반 여과한 후 물 500 mL로 씻는다. 생성된 고체를 모아 틀루엔 500 mL로 가열 재결정하여 생성물 35.9 g을 얻었다. - 1의 합성

500 mL 등근 바닥 플라스크에 상기 합성된 중간체 1 13-2 35 g (83.5 mmol)을 넣고, 를루엔 250 mL, 다이클로로다이페닐포스피노페로센 팔라듐 0.05 당량, 비스피나콜라도 다이보론 1 .2 당량, 초산칼륨 2 당량을 넣고 질소 대기하에서 18 시간 동안 가열 환류시켰다. 반웅액을 냉각시키고, 물 l OO mL를 넣고 유기층을 추출한다. 유기층을 모아 활성탄소를 처리 후 실리카겔에서 여과한 후 여액을 농축한다. 농축된 잔사를 모아 를루엔 1 L에 가열하여 녹이고, 활성탄소를 처리 후 실리카겔에서 여과한다. 여액에 냉각시켜 교반하여 고체를 석출시킨다. 석출된 고체를 여과하여 중간체 1 13- 1을 35.8 g 얻었다.

500 mL 등근 바닥 플라스크에 상기 합성된 1 13-1 35 g (68.6 mmol), 2-(3- 브로모페닐) -4,6-다이페닐 -1 ,3,5-트리아진 1 당량, 테트라키스트리페닐포스핀 팔라듬 0.03„당량,ᅳ탄산칼륨. -2 당량, 테트라하이드로퓨란ᅳ 250 mL,—증류수— 70—mL—를 ^" —넣 ΐ — 질소 대기하에서 가열 환류한다. 16 시간 후 반웅액을 냉각시키고, 반웅액을 메탄올 500 mL에 현탁시키고, 교반 여과한 후 물 500 mL로 씻는다. 생성된 고체를 모아 다이클로로벤젠 500 mL로 가열 재결정하여 화합물 1 13을 32 g 얻었다.

LC/MS calculated for: C49H33N5 Exact Mass: 691.2736, found for: 692.29 [M+H] 합성예 AD-1: 화합물 119의 합성

a 중간체 1 19-2의 합성

113-4

119-2

상기 합성예 9의 중간체 1 13-2와 동일한 방법으로 증간체 1 19-2를 합성하였다. -1의 합성

80%

119-2 119-1

상기 합성예 9의 중간체 113-1과 동일한 방법으로 증간체 119-1을 합성하였다.

상기 합성예 9의 화합물 113의 합성 방법과 동일한 방법으로 화합물 119를 합성하였다.

LC/MS calculated for: C49H33N5 Exact Mass: 691.27 found for: 692.33 [M+H] 합성예 AD-2: 화합물 146의 합성

a) 중간체 146-6의 합성

146-6

500 mL의 등근 바닥 플라스크에 2-클로로 -4,6-다이페닐 -1,3,5-트리아진 20g 을 테트라하이드로퓨란 /증류수 3/1 흔합용액 250 mL에 녹인다 .4-클로로페닐 보로닉에시드 1.2 당량, 테트라키스트리페닐포스핀 팔라듬 0.05 당량, 탄산칼륨 3 당량을 넣고 질소 대기하에서 18 시간 동안 가열 환류시켰다. 반웅 종료 후 반웅액을 냉각시키고, 물 l OO mL를 넣고 유기층을 추출한다. 유기층을 모아 활성탄소를 처리 후 실리카겔에서 여과한 후 여액을 농축한다. 농축된 잔사를 모아 틀루엔 200 mL와 아세톤 50 mL 에서 결정화하여 생성물 중간체 146-6 16 g을 얻었다. -5의 합성

500 mL의 등근 바닥 플라스크에 상기 합성된 중간체 146-6 15g을 디메틸포름아마이드 200 mL에 녹인다. 다이클로로다이페닐포스피노페로센 팔라듐 0.05 당량, 비스피나콜라도 다이보론 1.2 당량, 초산칼륨 2 당량, 트리사이클로핵실 포스핀 0.2 당량을 넣고 질소 대기하에서 18 시간 동안 가열 환류시켰다.

반웅액을 냉각시키고, 반웅액을 물 500 mL에 넣어 현탁시켜 고체를 생성시켜 교반 후 여과한다. 여과된 고체를 물 100 mL 두 번 씻는다. 고체를 모아 틀루엔 500 mL에 가열하여 녹이고 활성탄소 /실리카겔 에서 여과하여 여액을 농축한다. 농축된 잔사를 노르말핵산과 초산에틸 5: 1 (V/V) 흔합용액 300 mL로 고체화하여 여과하여 생성물 146-5 16g을 얻었다. c 중간체 146-4의 합성

^{1 46} - ⁵ 146-4 250 mL 등근 바닥 플라스크에 상기 합성된 중간체 146-5 16g,

테트라하이드로퓨란 /증류수 3/l (V/V) 흔합 용액 120 mL, 테트라키스 트리페닐 팔라듐 0.03 당량， 탄산칼륨 3 당량, 2-브로모 -4-클로로 아닐린 1.1 당량을 넣고 19 시간 동안 가열 환류한다. 반웅의 종료 후 반웅액을 냉각시키고, 층분리하여 유기층을 분리한다. 유기층에 무수 황산 마그네슘, 활성 탄소를 넣고 교반하고 실리카겔에서 여과한다. 여액을 농축하고, 농축된 잔사를 노르말 핵산과 초산에틸 흔합용액으로 실리카겔 컬럼 정제하여 증간체 146-4를 13 g 얻었다. -3의 합성

146-4 146-3

상기 합성된 중간체 146-4 13 g을 얼음물 150 mL에 현탁시킨다. 반웅액을 교반하여 진한 황산 2 당량을 적가한다. 반웅액에 아질산 나트륨 1.1 당량을 증류수 15 mL에 녹여 얼음물 중탕에서 천천히 적가한다. 적가 후 2 시간 동안 교반한다. 교반된 용액을 500 mL 반웅기에 옮겨 커퍼브로마이드 2 당량을 넣고 1 시간 동안 가열 환류하였다. 반웅액을 넁각시키고, 염화 메틸렌 l OO mL로 추출하고 유기층을 무수 황산 마그네슴으로 건조하여 여과 농축한다. 농축된 잔사를 노르말 핵산과 염화 메틸렌 흔합용액으로 실리카겔 컬럼 정제하여 중간체 146-3을 1 1 g 얻었다. -2의 합성

250 mL 둥근 바닥 플라스크에 상기 합성된 중간체 146-3 12 g올 넣고 무수 테트라하이드로퓨란 100 mL, 트리이소프로필옥시 보론 1 .2 당량을 넣고, 질소 대기하에서 드라이아이스 아세톤 중탕으로 온도를 낮춘다 . 2.5 노르말 부틸리튬 용액을 20 분간 적가한다. 적가 후 1시간 교반하고, 서서히 상온으로 온도를 을린다. 상온에서 2 시간 교반 후 반응액에 2 노르말 염산 용액을 적가하고, 2 시간 동안 교반한다. 반웅액을 층분리시키고， 유기층을 분리한다. 유기층을 무수 황산 마그네슴으로 건조 하고, 여고하고 농축한다. 농축된 잔사는 추가의 정제 없이 다음 반웅에 사용하였다. f 증간체 146- 1의 합성

146-2 ^146"1 상기 합성예 146-6의 합성예와 같이 4-클로로페닐보로닉 에시드 대신 상기 합성된 중간체 146-2를 사용하여 동일한 방법으로 합성하여, 중간체 146- 1을 8 g 얻었다.

146

상기 합성된 중간체 146- 1 8g을 250 mL 등근바닥플라스크에 넣고 1 ,4- 다이옥산 120 mL에 녹인다. 반응액에 페닐 보로닉 에시드 1.2 당량，

비스 (다이벤질리딘아세톤)팔라듬 0.03 당량, 에스포스 0.12 당량， 세슘카보네이트 3 당량을 넣고 20 시간 동안 가열 환류하였다. 반웅액을 냉각시키고 초산에틸 200 mL, 증류수 100 mL에 넣고 층분리시킨다. 유기층을 분리하고， 무수 황산 마그네슘, 활성탄소 처리 후 여과 농축한다. 농축된 잔사를 노르말 핵산과 염화 메틸렌 흔합용액으로 실리카겔 컬럼 정제하여 화합물 146을 5 g 얻었다.

LC/MS calculated for: C48H32N6 Exact Mass: 692.27 found for: 693.37 [M+H]

(제 2 화합물의 합성)

합성예 10: 화합물 B-10의 합성

제 1 단계: 화합물 J의 합성 질소 환경에서 상기 화합물 9-phenyl-3-(4,4,5,5-tetramethyl- l ,3,2-dioxaborolan-2 yl)-9H-carbazole (26.96 g, 81 .4 mmol)을 Toluene/THF 0.2 L에 녹인 후, 여기에 3- bromo-9H-carbazole (23.96 g, 97.36 ni聽 1)와 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0.90 g, 0.8 mmmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 potassuim carbonate(28 g, 203.49 mmol)을 넣고 120 °C에서 12시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반웅 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 플래시 컬럼 크로마토그래피로 분리 정제하여 상기 화합물 J (22.6 g, 68%)을 얻었다.

HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C30H20N2: 408. 16, found: 408

Elemental Analysis: C, 88 %; H, 5 % 제 2 단계: 화합물 B- 10의 합성

질소 환경에서 상기 화합물 J (22.42 g, 54.88 mmol)을 Toluene 0.2 L에 녹인 후 여기에 2-bromo-4,6-diphenylpyridine (20.43 g, 65.85 mmol)와 NaOtBu (7.92 g, 82.32 mmol), Tris(dibenzylideneacetone)dipalladium(0)( l .65 g, 1 .65 mmol), Tri-tert- butylphosphine ( 1 .78 g, 4.39 mmol) 을 넣고 120 °C에서 12시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반웅 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 플래시 컬럼 크로마토그래피로 분리 정제하여 상기 화합물 B- 10 (28.10 g, 80%)을 얻었다.

HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C47H3 1 N3 : 637.25, found: 637

Elemental Analysis: C, 89 %; H, 5 % 합성예 11: 화합물 B-31의 합성

질소 환경에서 상기 화합물 phenylcarbazolyl bromide (9.97 g, 30.95 mmol)을 Toluene 0.2 L에 녹인 후, 여기에 phenylcarbazolylboronic acid (9.78 g, 34.05 mmol) 와 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(1.07 g, 0.93 mmmol)-ir 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 potassuim carbonate(12.83 g, 92.86 mmol)을 넣고 120 ^° C에서 12시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반웅 완료 후 반웅액에 물을 넣고 dichloiOmethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분을 제거한 후， 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 플래시 컬럼 크로마토그래피로 분리 정제하여 상기 화합물 B-31 (13.8 g, 92 %)을 얻었다.

HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C36H24N2: 484.19, found: 484

Elemental Analysis: C, 89 %; H, 5 % 12: 화합물 B-34의 합성

질소 환경에서 상기 화합물 triphenylcarbazolyl bromide (14.62 g, 30.95 mmol)을 Toluene 0.2 L에 녹인 후, 여기에 phenylcarbazolylboronic acid (9.78 g, 34.05 mmol) 와 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(1.07 g, 0.93 mmmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 {)01&5^ 0^1)00 12.83 92.86 0^01)을 넣고 120 ^° C에서 12시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반웅 완료 후 반웅액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분을 제거한 후， 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 플래시 컬럼 크로마토그래피로 분리 정제하여 상기 화합물 B-34 ( 16.7 g, 85 %)을 얻었다.

HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C47H29N2: 621.23, found: 621

Elemental Analysis: C, 91 %; H, 5 % -43의 합성

질소 환경에서 상기 화합물 Biphenylcarbazolyl bromide (12.33 g, 30.95 mmol)을 T이 uene 0.2 L에 녹인 후, 여기에 biphenylcarbazx>lylb ronic acid (12.37 g, 34.05 mmol) 와 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(1.07 g, 0.93 mmmol)-i- 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 potassuim carbonate(12.83 g, 92.86 mmol)을 넣고

120 ^° C에서 12시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반웅액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 플래시 컬럼 크로마토그래피로 분리 정제하여 화합물 B-43 (18.7 g, 92 %)을 얻었다.

HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C48H32N2: 636.26, found: 636

Elemental Analysis: C, 91 %; H, 5 % 합성예 14: 화합물 B-114의 합성

질소 환경에서 4-bromo-l,r:4',r-terphenyl (15g, 48.5mmol)을 Toluene 0.2 L에 녹인 후, 여기에 화합물 J (20g, 48.5mmol)와 NaOtBu (6g, 58.2mmol),

Tris(dibenzylideneacetone)dipalladium(0)(0.439g, 0.48mmol), Tri-tert-butylphosphine (0.388g, 1.92mmol) 을 넣고 120 ^° C에서 12시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반웅 완료 후 반웅액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 플래시 컬럼 크로마토그래피로 분리 정제하여 상기 화합물 B-1 14 (25g, 80%)를 얻었다. HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C48H32N2: 636.2565, found: 636

Elemental Analysis: C, 95 %; H, 5 % 합성예 15: 화합물 B-116의 합성

제 1 단계 ： 중간체 a의 합성

3 -bromo-N-phenyl carbazole 43.2g(134.2mmol)과 phenylboronic acid

18g(147..6mmol)을 사용하여 화합물 B-31의 합성법과 동일한 방법을 사용하여 중간체 a를 32g(75%) 합성하였다. 제 2 단계 ： 중간체 b의 합성

화합물 1 34.4g (107.6mmol) 을 500 mL의 Dichloromethane에 녹인 다음 N- Bromosuccinimide 19.2g(107.6 mmol)올 넣은 다음 상온에서 8시간 동안 교반시켜 중간체 b를 ³⁵ g( ⁸² %) 얻었다. 제 3 단계 ： 중간체 c의 합성 3-Bromocarbazole 17.65g(71.74 mmol) 과 4-Iodobiphenyl 22g(78.91 mmol)을 사용하여 화합물 B-1 14와 동일한 합성법을 사용하여 중간체 c를 15g(53%) 얻었다. 제 4 단계 ： 중간체 d의 합성

중간체 c 20.1g(50.5 mmol) 과 Bis(pinacolato)diboron 19.2g(75.8 mmol)을 사용하여 중간체 1 -5의 합성법과 동일한 방법을 사용하여 중간체 d를 20g(89%) 얻었다. 제 5 단계 : 화합물 B-1 16의 합성

중간체 b 13g(33.1 mmol)와 중간체 d 16.2g(36.4 mmol)을 사용하여 화합물 B- 31과 동일한 합성법을 사용하여 화합물 B-1 16 18g(84%)를 얻었다.

HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C48H32N2: 636.2565, found: 636

Elemental Analysis: C, 90 %; H, 5 %

제 1 단계 ： 증간체 e의 합성

중간체 c 43.2g(108.4 mmol) 과 Phenylboronic acid 14.5g(l 19 mmol)을 사용하여 상기 합성예 1 1의 화합물 B-31의 합성법과 동일한 방법을 사용하여 중간체 e를 33g(77%) 얻었다. 제 2 단계 : 중간체 f의 합성

중간체 e29.8g(75.28mmol) 과 N-Bromosuccinimide 14g(75.28 mmol)을 사용하여 상기 합성예 15의 증간체 b의 합성법과 동일한 방법을 사용하여 중간체 f를 29g(81%) 얻었다. 제 3 단계 ： 화합물 B-118의 합성

N-Phenylcarbazoe-3-yl-boronic acid 9.7g(33.65 mmol)과 중간체 f 16g(33.65 mmol)을 사용하여 상기 합성예 11의 화합물 B-31의 합성법과 동일한 합성법을 사용하여 화합물 B-11817g(79%)를 얻었다.

HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C48H32N2: 636.2565, found: 636

Elemental Analysis: C, 90 %; H, 5 % 합성예 17: 화합물 B-lll의 합성

합성예 15의 중간체 c 및 중간체 d를 출발물질로 사용하여 합성예 10의 제 1단계 제조방법과 동일한 방법으로 화합물 B-111을 합성하였다. 합성예 18: 화합물 B-156의 합성

합성예 15의 제 1단계에서 3-브로모 -N-페닐 카바졸 대신에 1,3-dibromo-N- 페닐 카바졸을 사용하여 합성예 15의 제 1단계 및 게 2단계 반웅을 통해， 하기 중간체 h를 합성하였다.

이후, 합성예 Π의 출발물질인 바이페닐카바졸일 브로마이드 대신에 중간체 h를 사용하고 합성예 13과 같이 동일하게 방법으로 화합물 B-156을 합성하였다.

합성예 19: 화합물 C-10 합성

중간 | g C- 10

페닐카바졸릴 보론산 (phenylcarbazolyl boronic acid) 10 g (34.83 mmol), 상기 중간체 g 1 1.77 g (38.31 mmol) 및 탄산칼륨 14.44 g (104.49 mmol), 테트라키스- (트리페닐포스핀)팔라듬 (0) 0.80 g (0.7 mmmol) 을 를루엔 140 ml, 증류수 50 ml에 현탁시킨 후 12 시간 동안 환류 교반하였다. 이어서 디클로로메탄과 증류수로 추출하고 유기층을 실리카겔 필터한다. 이어서 유기 용액을 제거하고

핵산:디클로로메탄 = 7:3(v/v) 으로 실리카 겔 컬럼하여 생성물 고체를

디클로로메탄과 n-핵산으로 재결정하여 화합물 C-10 14.4 g (수율 : 88 %)을 얻었다.

HRMS (70 eV, EI+): m/z calcd for C36H23N: 469.18, found: 469

Elemental Analysis: C, 92 %; H, 5 % 유기 발광 소자의 제작

실시예 1

ITO (Indium tin oxide)가 1500 A 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면 이소프로필 알코올, 아세톤, 메탄올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 이송 시킨 다음 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 10분간 세정 한 후 진공 증착기로 기판올 이송하였다. 이렇게 준비된 [TO 투명 전극을 양극으로 사용하여 ΠΌ 기판 상부에 화합물 A을 진공 증착하여 700A 두께의 정공 주입층올 형성하고 상기 주입층 상부에 화합물 B를 50A의 두께로 증착한 후， 화합물 C를 1020A의 두께로 증착하여 정공수송층을 형성하였다. 정공수송층 상부에 합성예 1의 화합물 1 및 합성예 10의 화합물 B-10을 동시에 호스트로 사용하고 도판트로 트리스 (2- 페닐피리딘)이리듐 (m) [Ir(ppy) ₃ ]를 10wt ⁰ /。로 도핑하여 진공 증착으로 400 A 두께의 발광층을 형성하였다. 여기서 화합물 1과 화합물 B-10은 3:7 중량비로

사용되었으며, 하기 실시예의 경우 별도로 비율을 기술하였다. 이어서 상기 발광층 상부에 화합물 D와 Liq를 동시에 1:1 비율로 진공 증착하여 300A 두께의 전자수송층을 형성하고 상기 전자수송층 상부에 Liq l5A과 A1 1200A을 순차적으로 진공 증착 하여 음극을 형성함으로써 유기발광소자를 제작하였다. 상기 유기발광소자는 5층의 유기 박막층을 가지는 구조로 되어 있으며, 구체적으로 다음과 같다.

ITO/화합물 A(700A)/화합물 B(50A)/화합물 C(1020A)EML [화합물 1:B- 10:Ir(ppy) ₃ =

27wt%:63vvt%: 10wt%](400 A )/화합물 D:Liq(300 A)/Liq( 15 A)/Al(l 200 A)의 구조로 제작하였다.

화합물 A: N4,N4'-diphenyl-N4,N4'-bis(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)bipheny l-4,4'- diamine

화합물 B: 1,4,5,8,9,1 l-hexaazatriphenylene-hexacarbonitrile (HAT-CN), 화합물 C:N-(biphenyl-4-yl)-9,9-dimethyl-N-(4-(9-phenyl-9H-carbazol- 3-y^^ 9H-fluoren-2-amine

화합물 D: 8-(4-(4,6-di(naphthalen-2-yl)-l,3,5-triazin-2-yl)phenyl)quin oline 실시예 2

화합물 1과 화합물 Β-1Π을 3:7의 중량비로 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 소자를 제작하였다. 실시예 3

화합물 2와 화합물 B-43을 5:5의 중량비로 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 소자를 제작하였다. 실시예 4

화합물 126과 화합물 B-43을 4:6 비율로 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 소자를 제작하였다. 실시예 5

화합물 113과 화합물 B-43을 5:5 비율로 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 소자를 제작하였다. 실시예 6

화합물 16과 화합물 B-43을 3:7 비율로 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 소자를 제작하였다. 실시예 7

화합물 16과 화합물 B-111을 3:7 비율로 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 소자를 제작하였다. 실시예 8

화합물 16과 화합물 B-118을 3:7 비율로 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 소자를 제작하였다. 실시예 9

화합물 16과 화합물 B-116올 3:7 비율로 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 소자를 제작하였다. 실시예 10

화합물 4와 화합물 B-43을 3:7 비율로 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 소자를 제작하였다. 실시예 11

화합물 4와 화합물 B-156을 3:7 비율로 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 소자를 제작하였다. 실시예 12

화합물 16과 화합물 C-10을 3:7 비율로 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 소자를 제작하였다. 실시예 AP I

화합물 119과 화합물 B-43을 3:7 비율로 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 소자를 제작하였다. 실시예 AD-2

화합물 146과 화합물 B-43을 3:7 비율로 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 소자를 제작하였다. 비교예 1

화합물 1을 단독 호스트로 사용하고 실시예 1과 동일한 방법으로 소자를 제작하였다. 비교예 2 내지 비교예 12

하기 표 1에 기재된 바와 같이 제 1호스트 또는 제 2호스트 중 1종만을 단독 호스트로 사용하고, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 소자를 제작하여 비교예 2 내지 비교예 12의 소자를 제작하였다. 비교예 13

화합물 B-43과 하기 비교예 화합물 I을 호스트로서 5:5의 비율로 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 소자를 제작하였다.

화합물 I]

비교예 14

화합물 1과 mCP(l ,3-Bis(N-carbazolyl)benzene)를 호스트로서 5:5의 비율로 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 소자를 제작하였다. 비교예 15

화합물 B-43과 하기 비교예 화합물 Π를 호스트로서 5:5의 비율로 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 소자를 제작하였다.

평가 1: 발광 효율 및 수명 상승 효과 확인

상기 실시예 1 내지 12, 및 비교예 1 내지 14에 따른 유기발광소자의 발광효율 및 수명 특성을 평가하였다. 구체적인 측정방법은 하기와 같고, 그 결과는 표 1과 같다.

( 1 ) 전압변화에 따른 전류밀도의 변화 측정

제조된 유기발광소자에 대해, 전압을 0V 부터 10V까지 상승시키면서 전류-전압계 (Keithley 2400)를 이용하여 단위소자에 흐르는 전류값을 측정하고, 측정된 전류값을 면적으로 나누어 결과를 얻었다.

(2) 전압변화에 따른 휘도변화 측정

제조된 유기발광소자에 대해, 전압을 0V 부터 10V까지 상승시키면서 휘도계 (Minolta Cs- I OOOA)를 이용하여 그 때의 휘도를 측정하여 결과를 얻었다 (3) 발광효율 측정 ^'

상기 ( 1 ) 및 (2)로부터 측정된 휘도와 전류밀도 및 전압을 이용하여 동 전류밀도 ( 10 mA/cm ² )의 전류 효율 (cd/A) 을 계산하였다.

(4) 수명 측정

제조된 유기발광소자에 대해 폴라로닉스 수명측정 시스템을 사용하여 실시예 1 내지 12 및 비교예 1 내지 비교예 14의 소자를 초기휘도 (cd/m ² )를 5000cd/m ² 로 발광시키고 시간경과에 따른 휘도의 감소를 측정하여 초기 휘도 대비 90%로 휘도가 감소된 시점을 T90 수명으로 측정하였다.

[표 1 ]

제 1 제 ² 제 1호스트 +제 2호스트 효율 수명 호스트 호스트 비율 Cd/A (T90) 실시예 1 1 B- 10 3 :7 노 50.3 410 실시예 2 i B-111 3:7 노 50.7 186 실시예 3 2 B-43 5:5 노 46.5 700 실시예 4 126 B-43 4:6 노 40 210 실시예 5 113 B-43 5:5 노ᅳ 39.1 270 실시예 6 16 B-43 3:7 노ᅳ 45.3 480 실시예 7 16 B-111 3:7 노ᅳ 47.2 410 실시예 8 16 B-118 3:7 노 50.3 120 실시예 9 16 B-116 3:7 노 51.3 420 실시예 10 4 B-43 3:7 노 48.7 470 실시예 11 4 B-156 3:7 노 47 350 실시예 12 16 C-10 3:7 노 51 320 실시예

119 B-43 3:7 노 47.7 270 AD-I

실시예

146 B-43 3:7 노 45.4 120 AD-2

비교예 1 1 - - 노시 35 71 비교예 2 2 - - 녹색 35 80 비교예 3 4 - - 노 37 75 비교예 4 16 - - 노 40 77 비교예 5 113 - - 노 20.6 32 비교예 6 126 ᅳ - 노 33.6 10 비교예 7 140 - - 노 20.5 30 비교예 8 - B-43 - 노 2.8 10 비교예 9 - B-111 - 노ᅳ 3 - 비교예 10 - B-] 16 노 2.9 5 비교예 11 - B-118 - 노 5.1 3 비교예 12 - B-156 - 노 5.2 3 비교예

비교예 13 B-43 5:5 노 46 80 화합물 I

비교예 14 1 mCP 5:5 노 40 75 표 1을 참고하면， 본 발명에 따른 제 1 호스트와 제 2 호스트의 조합 호스트의 경우, 단독 호스트가 사용되었을 경우보다 발광효율 및 수명이 월등히 상승한 효과를 확인 할 수 있다. 비교예 소자들 보다 최소 1.5 배 이상, 최대 6배 이상 수명이 향상된 것올 확인 할 수 있었다. 평가 2: 구동 전압 감소 효과 확인

(5) 구동전압 측정

전류-전압계 (Keithley 2400)를 이용하여 15mA/cm ² 에서 각 소자의 구동전압을 측정하였으며, 그 결과는 표 2와 같다.

[표 2]

표 2를 참고하면, 본 발명의 조합 호스트 소자는 비교예 화합물 I 비교예 화합물 Π, 또는 mCP 등과 같은 알려진 호스트와의 조합 호스트 구동 전압 면에서 현저히 우수한 효과가 확인된다. 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.