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Patent Searching and Data


Title:
CONDUCTIVE BOARD, ELECTROMAGNETIC SHIELDING BOARD FOR PLASMA DISPLAY AND METHOD FOR MANUFACTURING CONDUCTIVE BOARD
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2008/140007
Kind Code:
A1
Abstract:
A metal layer laminated board is composed of a metal fine particle layer (3), which is laminated on at least one surface of a board (2) and is laminated in a form of a random mesh; a resin layer (4) laminated on an opening section of the mesh of the metal fine particle layer (3) so as to be brought into contact with the metal fine particle layer (3); and a plated metal layer (5) laminated on the metal fine particle layer (3) so as to be brought into contact with the resin layer (4). The resin layer (4) is formed of a resin having an anionic ionizable group. Thus, a conductive board, which has uniform high level transparency and conductivity over a large area, does not easily generate moiré phenomenon and has excellent electromagnetic shielding performance and adhesiveness in each layer, is provided. An electromagnetic shielding board for a plasma display is also provided.

Inventors:
TANAKA, Shotaro (Toray Industries Inc., 1-1, Sonoyama 1-chome, Otsu-sh, Shiga 58, 5208558, JP)
田中 正太郎 (〒58 滋賀県大津市園山1丁目1番1号 東レ株式会社 滋賀事業場内 Shiga, 5208558, JP)
OHASHI, Junpei (Toray Industries Inc., 1-1, Sonoyama 1-chome, Otsu-sh, Shiga 58, 5208558, JP)
Application Number:
JP2008/058526
Publication Date:
November 20, 2008
Filing Date:
May 08, 2008
Export Citation:
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Assignee:
TORAY INDUSTRIES, INC. (1-1 Nihonbashi-Muromachi 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 66, 1038666, JP)
東レ株式会社 (〒66 東京都中央区日本橋室町2丁目1番1号 Tokyo, 1038666, JP)
TANAKA, Shotaro (Toray Industries Inc., 1-1, Sonoyama 1-chome, Otsu-sh, Shiga 58, 5208558, JP)
田中 正太郎 (〒58 滋賀県大津市園山1丁目1番1号 東レ株式会社 滋賀事業場内 Shiga, 5208558, JP)
International Classes:
H05K9/00; G09F9/00; G09F9/30; H01J17/16; H01J17/49
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Claims:
 基板の少なくとも片面に、ランダムな網目状に積層された金属微粒子層と、
該金属微粒子層の網目の開口部分に金属微粒子層と接するように積層された樹脂層と、
該金属微粒子層の上に樹脂層と接するように積層されためっき金属層とを有し、かつ、
該樹脂層を形成する樹脂がアニオン型イオン性基を有する樹脂である導電性基板。
 アニオン型イオン性基を有する樹脂が、アニオン型イオン性基を有するポリエステルおよび/またはアニオン型イオン性基を有するポリウレタンである請求項1に記載の導電性基板。
 基板上に網目状に金属微粒子層が積層された導電性基板において、
網目状の各開口部に対し、下記式(1)を計算し、小数点第2位を四捨五入した値で定義されるコンパクトネスを求め、
    (開口部の周囲長) 2 /(4×π×(開口部の面積)) (1)
開口部の個数が最大となるコンパクトネスを、個数最大コンパクトネスとしたとき、
前記個数最大コンパクトネスを有する開口部の個数(N)と、前記個数最大コンパクトネスよりも0.1小さいコンパクトネスを有する開口部の個数(N -0.1 )と、前記個数最大コンパクトネスよりも0.1大きいコンパクトネスを有する開口部の個数(N +0.1 )の和(N+N -0.1 +N +0.1 )が、開口部の総個数の38~90%であることを特徴とする導電性基板。
 金属微粒子層上に、めっき金属層が積層された請求項3に記載の導電性基板。
 基板と前記金属微粒子層の間に、ポリエステル樹脂および架橋剤を含有する中間層が積層されている請求項1~4のいずれかに記載の導電性基板。
 基板および/または中間層のぬれ張力が、40mN/m以上である請求項5に記載の導電性基板。
 前記金属微粒子層が、金属微粒子が網目形状に自己組織化する溶液を基板に塗布することで積層した層である請求項1~6のいずれかに記載の導電性基板。
前記個数最大コンパクトネスが1.1~1.7の範囲内にある請求項3に記載の導電性基板。
 表面比抵抗が40ω/□以下である請求項3に記載の導電性基板。
 全光線透過率が50%以上である請求項1~9のいずれかに記載の導電性基板。
 前記樹脂層を形成する樹脂が水性樹脂である請求項1に記載の導電性基板。
 前記金属微粒子層を形成する金属微粒子が水と難溶な有機溶媒に分散するものである請求項1~11のいずれかに記載の導電性基板および導電性基板。
 前記めっき金属層の厚みが1.5μm以上である請求項1または4に記載の導電性基板。
 請求項1~13のいずれかに記載の基板を用いたプラズマディスプレイ用電磁波シールド基板。
 基板の少なくとも片面に、ポリエステル樹脂および架橋剤を含有する中間層を積層し、続いて、基板に対して前記中間層を積層した側に、金属微粒子層を網目状に積層する請求項1~13のいずれかに記載の導電性基板の製造方法。
 基板に対して前記中間層を積層した側であり、かつ中間層表面のぬれ張力を40mN/m以上とした面に、前記金属微粒子層を積層する請求項15に記載の導電性基板の製造方法。
 基板上に金属微粒子層をランダムな網目状に積層する工程、次いで金属微粒子層の網目の開口部に、金属微粒子層に接するように、アニオン型イオン性基を有する樹脂層を積層する工程、次いで金属微粒子層上に、樹脂層と接するようにめっき金属層を積層する工程を含む請求項1または4に記載の導電性基板の製造方法。
 金属微粒子が網目形状に自己組織化する溶液を基板に塗布することで、金属微粒子層を網目状に積層する請求項15~17のいずれかに記載の導電性基板の製造方法。
 前記金属微粒子層を網目状に積層した後、前記金属微粒子層を酸処理する請求項15~18のいずれかに記載の導電性基板の製造方法。
 前記金属微粒子層を有機溶媒で処理した後、前記酸処理する請求項19に記載の導電性基板の製造方法。
Description:
導電性基板、プラズマディスプ イ用電磁波シールド基板および導電性基板 製造方法

 本発明は、透明性および導電性を広い面 にわたって均一に達成し、かつ、モアレ現 が発生しにくい導電性基板、およびその製 方法に関するものである。また、本発明は プラズマディスプレイ用電磁波シールド基 に関する。

 導電性基板は、回路材料として様々な機 に用いられている。また、電磁波シールド 板や太陽電池用途にも用いられている。電 波シールド基板は、家電用品、携帯電話、 ソコン、テレビなどの電子機器から放射さ た多種多様な電磁波を抑制する目的に用い れている。特に伸長著しいデジタル家電の で、プラズマディスプレイパネルからは、 ラウン管や液晶など他のディスプレイパネ と比較すると、より強力な電磁波が放出さ ている。プラズマディスプレイパネルは、 較的近い距離で、かつ場合によっては長時 にわたり画像を観察するため、電磁波を抑 する電磁波シールド基板が必要とされ、鋭 検討されている。

 このようなプラズマディスプレイパネル 途に電磁波シールド基板を用いる際には、 ィスプレイ全面にわたって良好で均一な視 性を得るために、ディスプレイ全面にわた て均一な、かつ、高い透明性を有する電磁 シールド基板が必要とされる。一方、ディ プレイから放出される電磁波のシールド効 に欠陥が生じないようにするためには、デ スプレイ全面にわたって均一な、かつ、高 導電性を有する電磁波シールド基板が必要 される。

 このような電磁波シールド基板として、 在、プラスチックフィルム上に銅箔を積層 た後、フォトリソグラフィーあるいはエッ ングの手法を用いて、銅箔を格子状に積層 た基板が用いられている。この製法は、全 に銅箔を積層した後、エッチングにより開 部分の銅箔を除去する手法であり、省資源 観点で無駄の多い手法であり、コストアッ の原因となっている。また、この基板の格 状の銅箔層は規則的な構造を有しているた 、モアレ現象が発生するという問題を有し いる。

 モアレ現象とは、「点または線が幾何学 に規則正しく分布したものを重ね合せた時 生ずる縞状の斑紋」であり、プラズマディ プレイパネルで言えば、画面上に縞模様状 模様が発生する。これは、ディスプレイの 面に設けられる電磁波シールド基板に規則 なパターンが設けられている場合、ディス レイ背面版の、RGB各色の画素を仕切る規則 しい格子状の隔壁などとの相互作用により モアレ現象が生じるためである。

 このモアレ現象を防止するための手法と て、ランダム部分を有するパターンを用い 手法が提案されている(特許文献1、2、3、4)

 特許文献1に記載の技術では、ランダム部 分を有するメッシュ構造によりモアレ現象の 発生が抑制されている。しかし、この技術は 、大きさは異なるが、形状が同じである開口 部を組み合わせてランダム化する手法であり 、大きな開口が集まった部分では透明性が高 まるが導電性が低下し、小さな開口が集まっ た部分では導電性が高まるが透明性が低下す る傾向にあり、広い面積における透明性と導 電性の均一性が十分に高いものではなかった 。また、全面に銅箔を積層した後、エッチン グによりメッシュ構造を形成する手法を用い ているため、省資源の観点で無駄の多い手法 であった。

 特許文献2に記載の技術では、塗布により 自発的に不規則な網目を形成する溶液を用い てランダムな金属微粒子層の網目を形成させ ている。しかしながら、特許文献2に記載の 術を用いても、高いレベルでの透明性およ 導電性を、広い面積にわたって均一に達成 ることは困難であった。

 特許文献3に記載の技術は、スプレー噴霧 などを用いてパラジウムなどの微細網目構造 を基板上に形成させ、その後無電解めっきに より金属層を積層するものである。この網目 構造は規則性が発現しにくく、モアレ現象を 低減できる可能性がある。しかし、基板と、 微細網目構造や金属層の接着性を高める処理 を行っていないものであるため、後加工など を目的とした基板の取扱い時に、簡単に各層 が削れてしまったり、剥がれてしまったりす る可能性を有している。

 特許文献4に記載の技術は、ランダムな金属 微粒子層の上層に、金属微粒子層を被覆する ようなシリカ質の層が存在する構成である。 このシリカ質の層により金属微粒子層の剥離 、削れといった問題は解決できるものであっ た。しかし、金属微粒子層の厚みが薄いこと や金属微粒子層がシリカ質の層により被覆さ れていることに起因して、表面比抵抗が10 2 ~10 3 ω/□と高く、プラズマディスプレイパネル用 の電磁波シールドフィルムとして求められて いる導電性を満足していない。そのため、プ ラズマディスプレイパネル用として用いた場 合には十分な電磁波シールド機能が発現しな いものと考えられる。

特開平2001-343520号公報(第1頁、請求項な )

特開平2006-127929号公報(第1頁、請求項な )

特開平10-340629号公報(第1頁、請求項など)

特開平10-182191号公報(第1頁、請求項など)

 本発明の目的は、上記した欠点を解消し 従来技術では解決が困難であった、透明性 よび導電性を広い面積にわたって均一化し さらにモアレ現象が発生しにくい導電性基 、プラズマディスプレイ用電磁波シールド 板、および導電性基板の製造方法を提供す ことにある。

 本願第1発明の導電性基板は、基板の少なく とも片面に、ランダムな網目状に積層された 金属微粒子層と、
該金属微粒子層の網目の開口部分に金属微粒 子層と接するように積層された樹脂層と、
該金属微粒子層の上に樹脂層と接するように 積層されためっき金属層とを有し、かつ、
該樹脂層を形成する樹脂がアニオン型イオン 性基を有する樹脂である導電性基板である。

 また、本発明の導電性基板の製造方法は 基板上に金属微粒子層をランダムな網目状 積層する工程、次いで金属微粒子層の網目 開口部に、金属微粒子層に接するように、 ニオン型イオン性基を有する樹脂層を積層 る工程、次いで金属微粒子層上に、樹脂層 接するようにめっき金属層を積層する工程 含む導電性基板の製造方法である。

 また、本願第2発明の導電性基板は、基板上 に網目状に金属微粒子層が積層された導電性 基板において、
網目状の各開口部に対し、下記式(1)を計算し 、小数点第2位を四捨五入した値で定義され コンパクトネスを求め、
    (開口部の周囲長) 2 /(4×π×(開口部の面積)) (1)
開口部の個数が最大となるコンパクトネスを 、個数最大コンパクトネスとしたとき、
前記個数最大コンパクトネスを有する開口部 の個数(N)と、前記個数最大コンパクトネスよ りも0.1小さいコンパクトネスを有する開口部 の個数(N -0.1 )と、前記個数最大コンパクトネスよりも0.1 きいコンパクトネスを有する開口部の個数(N +0.1 )の和(N+N -0.1 +N +0.1 )が、開口部の総個数の38~90%であることを特 とする導電性基板である。

 また本発明の導電性基板の製造方法は、 基板の少なくとも片面に、ポリエステル樹 および架橋剤を含有する中間層を積層し、 いて、基板に対して前記中間層を積層した に、金属微粒子層を網目状に積層する導電 基板の製造方法である。

 本願第1発明の導電性基板によれば、基板 上にランダムな網目状に金属微粒子層が積層 された導電性基板において、該金属微粒子層 の網目の開口部分に金属微粒子層と接するよ うに樹脂層を積層することにより、めっき金 属層を積層した導電性基板において、モアレ 現象が発生せず、透明で、さらに、電磁波シ ールド性、および各層の接着性に優れた導電 性基板を簡便な製造方法で得ることができる 。

 また、本願第2発明の導電性基板の別の態 様によれば、基板上に網目状に金属微粒子層 が積層された導電性基板において、網目のラ ンダム性を適切な範囲に制御することにより 、透明性および導電性を、広い面積にわたっ て均一化し、さらにモアレ現象が発生しにく い導電性基板、およびプラズマディスプレイ 用電磁波シールド基板を得ることができる。

本発明の導電性基板の断面概念図の一 。 ランダムな網目状構造の金属微粒子層 一例。 ランダムな網目状構造の金属微粒子層 一例。

符号の説明

1.導電性基板
2.基板
3.金属微粒子層
4.樹脂層
5.めっき金属層
6.金属微粒子層の網目の開口部

 本願第1発明においては、基板上にランダ ムな網目状に積層された金属微粒子層の網目 の開口部分の基板上に、アニオン型イオン性 基を有する樹脂層が積層されている。該樹脂 層は、金属微粒子層が実質的に露出された状 態となるよう積層されている。また、金属微 粒子層上にはめっき金属層が積層されている 。金属微粒子層上に、めっき金属層を積層す ることで、基板の導電性がさらに向上して、 電磁波シールド性が良好となる。

 ここで、金属微粒子層が実質的に露出さ た状態とは、該金属微粒子層上にめっき金 層が積層できる状態をいう。すなわち、た え樹脂層が金属微粒子層の一部、または全 を薄く被っていたとしても、金属微粒子層 にめっき金属層が積層できる状態であれば 実質的に露出された状態であると定義する 例えば、電解めっき法によって、めっき金 層を積層する場合には、金属微粒子層に電 が通り、金属微粒子層上に電解めっきでき のであれば、金属微粒子層が実質的に露出 れた状態であると言える。

 また、めっき金属層は樹脂層と接するよ に積層されている。本態様の導電性基板の 面概念図の一例を図1に示すが、本発明はこ の図の形態に限られたものではない。めっき 金属層が樹脂層と接するように積層されてい るとは、図1に示されるように、めっき金属 5は、金属微粒子層3の上のみに積層され、網 目の開口部分にはほとんど積層されていない が、開口部分に積層された樹脂層4と接して る状態を言う。すなわち、樹脂層4は、基板2 、金属微粒子層3およびめっき金属層5に接し いる。なお、基板と樹脂層とは直接接して る必要はなく、基板上に下塗り層などが設 られている場合には、樹脂層はこの下塗り に接していればよい。

 また、めっき金属層が、できるかぎり金 微粒子層による網目の開口部分には積層さ ず、金属微粒子層上のみに積層されるよう することにより、基板の透明性を低下させ いで、導電性を向上することができる。

 本態様の積層構成とすることによって、 便な製造方法により、以下の特徴を有する 明な導電性基板を得ることができる。まず 網目がランダム形状であることからモアレ ない導電性基板を得ることができる。次に めっき金属層が積層されていることから十 な導電性および電磁波シールド性を有する 電性基板を得ることができる。また、アニ ン型イオン性基を有する樹脂層が、基板、 属微粒子層およびめっき金属層と接触した 造を形成することで、各層の接着性に優れ 導電性基板を得ることができる。

 上記のような積層構造を実現するために 、以下の順序で各層を積層する。まず、基 上に金属微粒子層を積層する。次いで、金 微粒子層の網目の開口部に、金属微粒子層 接するように樹脂層を積層する。このとき 後に金属微粒子層上にめっき金属層を積層 るために、金属微粒子層が実質的に露出さ た状態となるように樹脂層を積層する。次 で、金属微粒子層上に、樹脂層と接するよ にめっき金属層を積層する。金属微粒子層 にめっき金属層を積層すると、めっき金属 は金属微粒子層上で厚み方向だけでなく幅 向にも拡がって成長するため、樹脂層とも 触することとなる。

 各層を上記のような積層構成とした場合 樹脂層が、基板を含む各層の繋ぎの役割を たし、各層の優れた接着力が発現する。樹 層は、アニオン型イオン性基を有する樹脂 形成される。めっき金属層との接着性の点 、以下の理由により、樹脂層がアニオン型 オン性基を有する樹脂で形成されているこ が重要となる。

 金属微粒子層の最表面は非常に脆く、金 微粒子層の上にめっき金属層を積層しても めっき金属層は、脆い金属微粒子層の最表 と一緒に剥離してしまう。発明者らは、鋭 検討した結果、本発明の積層構成とし、か 樹脂層を形成する樹脂としてアニオン型イ ン性基を有する樹脂を用いた場合に、めっ 金属層の剥離の問題を解決できることを見 した。そのメカニズムは明確にはわかって ないが、以下の通りと推測される。

 すなわち、樹脂層としてアニオン型イオ 性基を含有する樹脂を用いた場合には、イ ン性相互作用により、めっき金属層と樹脂 との界面の接着力が向上し、該2層間の接着 力が向上するものと推測される。さらに樹脂 層は基材および金属微粒子層とも接触し、こ れら全ての層との優れた接着力を発現する繋 ぎの役割を果たすものと推測される。

 樹脂層が金属微粒子層の粒子間に一部入 込んだ構造になった場合には、より接着力 高めることが可能となるため好ましい。こ ような構造にするためには、基板上に金属 粒子層をランダムな網目状に積層した後、 の上から樹脂の溶液を塗布し、乾燥する方 が好ましい。金属微粒子層を積層した後、 脂の溶液を塗布すると、液体である樹脂の 液が金属微粒子層の粒子間の隙間に入り込 。その後乾燥すると、樹脂が金属微粒子層 粒子間に一部入り込んだ状態で固形化され すい。樹脂層を金属微粒子層の粒子間に一 入り込んだ構造とすると優れた接着性が発 する理由は、樹脂が金属微粒子層にアンカ を打ったような構造を取るためであると推 される。

 樹脂層を塗布によって設ける際に、塗布 る溶液中における樹脂を含む固形分の濃度 、塗布する厚みを調整することによって、 脂層を金属微粒子層の開口部に積層し、か 金属微粒子層が実質的に露出された状態を り出すことができる。

 樹脂層を形成する樹脂は、アニオン型イ ン性基を有する樹脂であれば、熱可塑性樹 および熱硬化性樹脂のいずれでもよく、有 系樹脂および無機系樹脂のいずれでもよい アニオン型イオン性基を有する樹脂は、2種 以上の樹脂を組み合わせて用いることもでき る。また、樹脂層は、2層以上積層されたも であってもよい。樹脂層は、導電性基板の 明性を高くするために、透明であることが ましい。

 アニオン型イオン性基としては、例えば カルボン酸、スルホン酸、リン酸、ケイ酸 硫酸エステル、リン酸エステル等およびそ らの金属塩または有機塩などが挙げられる 金属塩を形成する対イオンとしてはLi、Na、 Mg、Al、Zn、Cu、Ni、Fe、Crなどの金属イオンが げられる。有機塩を形成するイオンとして 有機アンモニウムイオンなどが挙げられる

 アニオン型イオン性基を含有した樹脂と ては、特に限定されないが、アニオン型イ ン性基を分子内に有するポリマーや、アニ ン型イオン性基を側鎖に有するポリマーな が挙げられる。一例をあげれば、ポリアク ル酸、ポリメタクリル酸、ポリスチレンス ホン酸、ポリビニルリン酸などのポリアニ ンや、その他アニオン型イオン性基を有す アクリル系樹脂、ゼラチン、ポリエステル どが挙げられる。その他、カルボン酸やス ホン酸あるいはこれらのアルカリ金属塩、 ルカリ土類金属塩、アンモニウム塩などを 有する化合物を共重合したポリエステル、 クリル変性ポリエステル、ポリウレタンな も一例としてあげられる。

 これらの中でも、ポリエステル、アクリ 変性ポリエステルあるいはポリウレタンに スルホテレフタル酸、5-スルホイソフタル 、4-スルホイソフタル酸、4-スルホナフタレ -2,7-ジカルボン酸、スルホ-p-キシリレング コール、2-スルホ-1,4-ビス(ヒドロキシエトキ シ)ベンゼン等のスルホン酸あるいはこれら アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩ある はアンモニウム塩を含有する化合物が共重 されたものが好ましい。

 樹脂層を形成する樹脂として、アニオン イオン性基を有する樹脂を単独で用いても の樹脂と併用して用いてもよいが、アニオ 型イオン性基を有する樹脂の割合が樹脂層 体の30重量%以上である場合に、めっき金属 との接着が良好となるため好ましい。より ましくは50重量%以上であり、さらに好まし は70重量%以上である。

 樹脂層には各種添加剤、例えば、分散剤 界面活性剤、保護樹脂、酸化防止剤、耐熱 定剤、耐候安定剤、紫外線吸収剤、顔料、 料、有機または無機の微粒子、充填剤、帯 防止剤、などを含有することもできる。

 樹脂層を形成する樹脂は、水性樹脂であ ことが好ましい。その理由は以下の通りで る。本発明においては、金属微粒子層を形 した後、樹脂の溶液を塗布し、乾燥する方 により樹脂を積層することが好ましいこと ついて上述した。一方で、この方法では、 属微粒子層上に樹脂層が被りやすく、金属 粒子層を実質的に露出させることが難しく る。そこで、樹脂層を形成する樹脂として 性樹脂を選択し、樹脂の水溶液を金属微粒 層の上に塗工すると、水の高い表面張力に り、樹脂の水溶液が金属微粒子層から弾か やすくなり、樹脂層が金属微粒子層を被覆 にくくすることが可能となる。このとき、 属微粒子層を形成する金属微粒子が水と難 な有機溶媒に分散するものであると、金属 粒子層と水とが、より親和しにくくなり、 性樹脂の水溶液が金属微粒子層から弾かれ すくなるため好ましい。

 ここで、水と難溶な有機溶媒の一例とし は、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチ ベンゼン、トリメチルベンゼン、メチルシ ロヘキサン、メチルシクロペンタン、ヘキ ン、ヘプタン、オクタン、デカンなどの炭 水素類;クロロホルム、1,1-ジクロロエタン 1,2-ジクロロエタン、トリクロロエチレン、1 ,1,2-トリクロロエタン、ジクロロメタン、ニ ロメタン、ジブロモメタンなどのハロゲン 溶媒類;メチル-n-ブチルケトン、エチル-n-ブ チルケトン、ジイソブチルケトン、ジイソプ ロピルケトン、シクロペンタノン、シクロヘ キサノン、メチルイソブチルケトンなどのケ トン類;酢酸-n-プロピル、酢酸イソプロピル 酢酸-n-ブチルなどのエステル類;イソプロピ エーテル、エチル-n-ブチルエーテル、n-ブ ルエーテル、エチレングリコール-ジ-n-ブチ エーテルなどのエーテル類;n-ヘキシルアル ール、n-オクチルアルコールなどのアルコ ル類が挙げられる。

 本願第2発明においては、基板上に網目状に 金属微粒子層が積層された導電性基板におい て、網目状の各開口部に対し、下記(1)で定義 するコンパクトネスを求め、開口部の個数が 最大となるコンパクトネスを、個数最大コン パクトネスとしたとき、前記個数最大コンパ クトネスを有する開口部の個数(N)と、前記個 数最大コンパクトネスよりも0.1小さいコンパ クトネスを有する開口部の個数(N -0.1 )と、前記個数最大コンパクトネスよりも0.1 きいコンパクトネスを有する開口部の個数(N +0.1 )の和(N+N -0.1 +N +0.1 )が、開口部の総個数の38~90%であることが重 である。

  コンパクトネス:下記式(1)を計算し、小数 第2位を四捨五入した値
    (開口部の周囲長) 2 /(4×π×(開口部の面積)) (1)
 ここで、コンパクトネスとは上記式(1)で計 される、形状の簡潔さを示す指標である。 状が円の場合に、コンパクトネスが1となり 、最小の値をとる。

 N+N -0.1 +N +0.1 が、開口部の個数の38%よりも小さい場合、網 目形状のランダム性が高まりモアレ現象は発 生しにくくなるが、開口部形状の種類が多種 になりすぎてしまい、広い面積における導電 性および透明性の均一性が損なわれる問題が 生じる。

 N+N -0.1 +N +0.1 が、開口部の個数の90%よりも大きい場合、網 目形状のランダム性が損なわれ、モアレ現象 が発生しやすくなるという問題が生じる。

 そのため、N+N -0.1 +N +0.1 は、開口部の総個数の38%~90%であることが重 である。N+N -0.1 +N +0.1 は、好ましくは開口部の総個数の40~85%の場合 であり、より好ましくは45~80%である。

 個数が最大となるコンパクトネス(個数最 大コンパクトネス)は、1.1~1.7であることが好 しい。より好ましくは個数最大コンパクト スが1.2~1.4の場合であり、特に好ましくは個 数最大コンパクトネスが1.3の場合である。個 数最大コンパクトネスがこの範囲であると、 モアレ現象が発生せず、かつ高いレベルでの 導電性、透明性、およびそれらの面内均一性 が良好な導電性基板が得られやすいからであ る。

 ここで、個数が最も多いコンパクトネスの が2つ以上ある場合は、N+N -0.1 +N +0.1 が最大となる個数Nを有するコンパクトネス 、個数最大コンパクトネスであると定義す 。また、個数が最も多いコンパクトネスの が2つ以上あり、かつ同じN+N -0.1 +N +0.1 の値をもつものが2つ以上ある場合には、1.3 近い方のコンパクトネスを、個数最大コン クトネスであると定義する。

 金属微粒子層を基板に積層する方法は、 に制限されないが、基板上に金属微粒子層 成用の溶液を塗布することで、微粒子が部 的により集まって網目線を形成する現象、 わゆる自己組織化現象を利用して微粒子の 目を形成させる手法が好ましい。

 金属微粒子層を基板に積層する方法は、 に限定されず、基板の少なくとも片面に金 微粒子層がランダムな網目状につながった 造を形成させればよい。ここで、ランダム 網目状の構造とは、走査電子顕微鏡の観察 において、網目状の構造が、その形状にお て、空隙部分の形状や大きさが不揃いであ 状態として観察されるものをいう。ランダ な網目状の構造の一例を図2、図3に示すが これに限定されない。

 金属微粒子層を基板に積層する方法とし は、例えば、(i)金属微粒子の溶液を網目状 印刷する方法、(ii)金属微粒子を基板全面に 積層した後、金属微粒子層が網目状になるよ うに物理的に削ったり、化学的にエッチング 処理を行ったりする方法、(iii)基板を掘った 、割ったり、型押ししたりして、あらかじ 基板の少なくとも片面に網目状の溝を作成 ておき、そこに金属微粒子の溶液を充填さ る方法などがある。しかし、印刷では線幅 太いものとなるため、透明性が低下する場 がある。また、エッチング、および溝を形 させる手法では、直線的な線が得られやす ためランダム性に劣り、モアレが強く出る 合がある。

 金属微粒子層を基板に積層する方法とし は、基板に金属微粒子層形成用の溶液を塗 することで、微粒子が部分的に集まって網 線を形成するような現象、いわゆる自己組 化現象を利用して微粒子の網目を形成する 法が好ましい。このような手法を用いると 網目がランダムになりやすく、また線幅が くなりやすい。また、後述する有機溶媒で 理する工程、次いで酸で処理する工程によ 良好な導電性を有する網目構造が形成され すい。つまり、ランダム性、良好な透明性 よび導電性の全てを満たす基板が得られや いので、「自己組織化する溶液」を用いる 法が好ましい。

 ここで「自己組織化する溶液」とは、基 上に該溶液を塗布して放置しておくと、自 に基板上に網目状の構造を形成する溶液で る。自己組織化する溶液を用いて網目状の 造を形成させる場合、例えば、金属微粒子 分散剤などの有機成分とからなる粒子を主 分とする溶液(金属コロイド溶液)を用いる とができる。金属コロイド溶液の溶媒とし は、水または各種の有機溶媒を用いること できる。このような溶液としては、例えばCi ma NanoTech社製CE103-7を用いることができる。

 自己組織化する溶液を用いて、基板上に 網目状に金属微粒子層を積層させる場合、 己組織化する溶液の塗布開始から自己組織 する溶液が網目形状になるまでの間におい 、基板上の湿度を1~85%RHという特定な条件を 満たす雰囲気に制御することが好ましい。か かる基板上の湿度は、好ましくは10~70%RHであ 、より好ましくは20~60%RHであり、特に好ま くは30~50%RHである。

 基板上の湿度を上記の範囲にすることによ 、基板上に網目状に金属微粒子層を積層す にあたって、N+N -0.1 +N +0.1 を開口部の総個数の38~90%に制御しやすく、ま た個数最大コンパクトネスを1.1~1.7に制御し すい。

 また、基板上の湿度が1%未満では、全光 透過率が落ち、網目状金属微粒子積層基板 透明性が低下する。また、基板上の湿度が85 %RHより大きいと、網目状につながった構造が はなれてしまい、そのために、網導電性が低 下する。

 かかる基板上の湿度の測定は、湿度計を いて以下のようにして測定する。すなわち 基板上に網目状金属微粒子層を積層する製 工程において、湿度計を用い、基板の金属 粒子溶液を塗布する面の中心から1cm上の湿 を測定した。

 基板への自己組織化する溶液の塗布開始 ら自己組織化する溶液が網目形状になるま の間において、基板上の温度が15~100℃の条 を満たすように制御されていることが好ま い。かかる基板上の温度は、好ましくは15~5 0℃であり、より好ましくは20~40℃であり、特 に好ましくは20~30℃である。

 基板上の温度を上記の範囲にすることによ 、基板上に網目状に金属微粒子層を積層す にあたって、N+N -0.1 +N +0.1 を開口部の総個数の38~90%に制御しやすく、ま た個数最大コンパクトネスを1.1~1.7に制御し すい。

 また、基板上の温度が15℃未満もしくは 100℃より大きいと、網目状金属微粒子積層 板の透明性が低下したり、導電性が低下す 。

 かかる基板上の温度の測定は、基板上に 目状金属微粒子層を積層する製造工程にお て、温度計を用い、基板の金属微粒子溶液 塗布する面の中心から1cm上の温度を測定し ものである。

 前記金属微粒子の数平均粒子径は0.001~0.3 m、最大粒子径は1.0μm未満が好ましい。この うな金属微粒子を含む、自己組織化する溶 を用いた場合に、金属微粒子層のランダム を制御しやすい。そのため、優れた透明性 よび導電性を有する導電性基板が得られや くなるため好ましい。金属微粒子の数平均 子径は、好ましくは0.001~0.2μmであり、より ましくは0.002~0.15μmである。

 金属微粒子の粒径分布は、特に制限され いが、粒径が均一であり、粒径分布が小さ 場合ほど、金属微粒子層のランダム性を制 しやすいため好ましい。

 金属微粒子に用いられる金属としては、 に限定されず、白金、金、銀、銅、ニッケ 、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、ビ マス、コバルト、鉄、アルミニウム、亜鉛 錫などが挙げられる。金属微粒子は1種で用 いてもよく、2種以上を組み合わせて用いて よい。

 本発明の導電性基板においては、金属微 子層が分断せずに連続して繋がっているこ が重要である。金属微粒子層が連続して繋 っている場合、金属微粒子層上のある一点 ら導通を取れば、金属微粒子層全面にわた て電気を流すことが可能となり、良好な導 性を発現するものとなるからである。

 金属微粒子層を積層した基板の表面比抵 は40ω/□以下であることが好ましい。表面 抵抗を40ω/□以下とすることで、高い電磁波 シールド性を有する導電性基板とすることが できるために好ましい。表面比抵抗は、より 好ましくは30ω/□以下であり、さらに好まし は10ω/□以下である。表面比抵抗の測定は 例えば、測定サンプルを常態(23℃、相対湿 65%)において24時間放置後、その雰囲気下で JIS-K-7194に準拠した形で、ロレスタ-EP(三菱化 学株式会社製、型番:MCP-T360)を用いて測定す ことができる。表面比抵抗が40ω/□以下であ る場合には、後述する電解めっきを行いやす い点でも好ましい。なお表面比抵抗は低いほ ど好ましいが、現在の技術では金属微粒子層 を用いて0.001ω/□未満とすることは技術的に 難なため、下限は0.001ω/□程度である。

 本発明の導電性基板の全光線透過率は、 ましくは50%以上であり、より好ましくは65% 上であり、特に好ましくは75%以上である。 光線透過率が50%より小さいと、導電性基板 透明性が低くて好ましくない。なお、全光 透過率は高いほど好ましいが、基板に金属 粒子層を設ける場合、現在の技術では95%以 とすることは困難なため、上限は95%程度と えられる。

 本発明における金属微粒子層には金属微 子以外に、他の各種添加剤、例えば、分散 、界面活性剤、保護樹脂、酸化防止剤、耐 安定剤、耐候安定剤、紫外線吸収剤、顔料 染料、有機または無機の微粒子、充填剤、 電防止剤などを含有することもできる。し し、金属微粒子の含有量が、金属微粒子層 全成分中50重量%以上であることが好ましい 金属微粒子層中の金属微粒子の含有量が50 量%以上であると、金属微粒子層の表面比抵 が小さくなりやすいからである。

 めっき金属層を構成する金属は特に限定 れないが、Cu、Ni、Cr、Zn、Au、Ag、Al、Sn、Pt Pd、Co、Fe、Inなどを用いることができる。 れらの1種を用いても、2種以上の金属を組み 合わせて用いても良い。これらの中でも、導 電性、電解めっき性などの点で、Cuを用いる とが好ましい。

 本発明の金属微粒子層は導電性を有する め、めっき金属層の積層を、電解めっきを いて行うことが可能である。金属微粒子層 よる網目の開口部分を電気絶縁性の材料で 成し、めっき金属層の積層を、電解めっき 用いて行うことにより、金属微粒子層上の にめっき金属層を積層できるので好ましい 前述したように、金属微粒子層を積層した 板の表面比抵抗は、40ω/□以下であること 好ましい。より好ましくは30ω/□以下であり 、さらに好ましくは10ω/□以下である。表面 抵抗が40ω/□より大きいと、電解めっきを う際に抵抗による負荷が大きくなるため、 い電圧をかけて通電させる必要があるので ましくない。

 本発明においては、金属微粒子層に電解 っきを行う前に、熱処理、光線処理、通電 理など、金属微粒子の導電性を高めるため 公知の方法を用いて金属微粒子層の導電性 高め、表面比抵抗を小さくする処理を行っ もよい。特に、金属微粒子を酸で処理する 法により、表面比抵抗を小さくすることが ましい。酸で処理する方法は、穏和な処理 件で金属微粒子の導電性を高めることがで るため、熱可塑性樹脂など、耐熱性や耐光 に劣る材料を基板として用いた場合でも、 適に採用できる。また、複雑な装置や工程 必要としない方法であるため、生産性の点 も好ましい。

 本発明における酸とは、特に限定されず 種々の有機酸および無機酸から選択するこ ができる。有機酸としては、酢酸、シュウ 、プロピオン酸、乳酸、ベンゼンスルホン などが挙げられる。無機酸としては、塩酸 硫酸、硝酸、リン酸などが挙げられる。こ らは、強酸であっても、弱酸であってもよ 。好ましくは酢酸、塩酸、硫酸、およびそ 水溶液から選ばれた酸であり、より好まし は塩酸、硫酸、およびその水溶液から選ば た酸である。

 金属微粒子層を酸で処理する工程は、め き金属層を積層する前であれば、いずれの 程の間で行っても良い。例えば、基板上に 属微粒子層を網目状に積層した後、酸で処 しても良いし、基板上の全面に金属微粒子 積層した後、酸で処理し、その後、エッチ グなどにより、金属微粒子層を網目状にし も良い。これらの中でも、金属微粒子層を 目状に形成し、かつ樹脂層を形成した後、 っき金属層を積層する工程の前に酸で処理 ることが、導電性を高める効果に優れ、生 性の点で効率がよいため好ましい。金属微 子層を酸で処理してから、めっき金属層を 層するまでの間に、別の工程、例えば樹脂 を積層する工程などを入れた場合には、金 微粒子層を酸で処理し、導電性を高めた効 が低下したりする場合がある。そのため、 きるだけめっき金属層を積層する直前に金 微粒子層を酸で処理することが好ましい。 で処理する前や後に、基板を乾燥したり、 処理したり、紫外線照射処理などをしても い。

 酸による処理時間は、数分以下で十分で る。処理時間をより長くしても、導電性の 上効果が高まらない場合や、導電性の向上 果が悪化する場合がある。酸による処理時 は、15秒~60分であることが好ましく、より ましくは15秒~30分であり、さらに好ましくは 15秒から2分であり、特に好ましくは15秒~1分 ある。

 酸による処理温度は、常温で十分である 高温で処理を行うと、酸の蒸気が発生して 辺の金属装置を劣化させる原因となったり 基材として熱可塑性樹脂フィルムを用いた 合には、基材を白化させ、透明性を損ねる 合がある。好ましい処理温度は40℃以下で り、より好ましくは30℃以下であり、さらに 好ましくは25℃以下である。処理温度の下限 、5℃以上であることが好ましく、10℃以上 あることがより好ましい。

 酸で処理する方法は、特に限定されず、 えば、酸や、酸の溶液の中に金属微粒子層 積層した基板を浸したり、酸や、酸の溶液 金属微粒子層上に塗布したり、酸や、酸の 液の蒸気を金属微粒子層にあてたりする方 が用いられる。これらの中でも、酸の溶液 中に金属微粒子層を積層した基板を浸した 、酸や、酸の溶液を金属微粒子層上に塗布 たりするなど、基板と酸の液体を直接接触 せる方法が、導電性向上効果に優れるため ましい。すなわち、酸の処理条件としては 40℃以下の温度で、酸の溶液の中に金属微 子層を積層した基板を浸したり、酸や、酸 溶液を金属微粒子層上に塗布したりするこ が好ましい。

 酸の溶液を用いる場合、酸の濃度は、好 しくは10mol/L以下であり、より好ましくは5mo l/L以下であり、さらに好ましくは1mol/L以下で ある。酸の溶液の濃度が高いと、作業性が低 下し、生産性が悪化する場合がある。また、 基材として熱可塑性樹脂フィルムを用いた場 合には、基材を白化させ、透明性を損ねる場 合がある。また、酸の濃度が低すぎる場合に も、酸による処理の効果が低いため、酸の濃 度は、好ましくは0.05mol/L以上、より好ましく は0.1mol/L以上である。

 なお、数平均粒子径が0.2μm以下であるよ な金属微粒子からなる金属微粒子層の場合 低い濃度の酸によっても、酸による処理の 果が十分に発現するため、金属微粒子の数 均粒子径は0.2μm以下であることが特に好ま い。

 また、金属微粒子層を酸で処理する前に 有機溶媒で処理すると、より優れた導電性 得られやすくなるので好ましい。金属微粒 層を有機溶媒で処理する段階としては、基 上に金属微粒子層を網目状に積層した後、 機溶媒で処理しても良いし、基板上の全面 金属微粒子を積層した後、有機溶媒で処理 、その後、エッチングなどにより、金属微 子層を網目状にしても良い。これらの中で 、基板上に金属微粒子を網目状に積層して いてから、樹脂層を積層する前に有機溶媒 処理する方法が、導電性を高める効果に優 、生産性の点で効率が良いため好適に用い れる。樹脂層を積層した後に金属微粒子層 有機溶媒で処理した場合、有機溶媒により 脂層が溶解する場合がある。有機溶媒で処 する前や後に、金属微粒子層を積層した基 を乾燥したり、熱処理したり、紫外線照射 理などをしてもよい。

 有機溶媒による処理温度は、常温で十分 ある。高温で処理を行うと、基材として熱 塑性樹脂フィルムを用いた場合には、基材 白化させ、透明性を損ねる場合がある。好 しい処理温度は40℃以下であり、より好ま くは30℃以下であり、さらに好ましくは25℃ 下である。処理温度の下限は、5℃以上であ ることが好ましく、10℃以上であることがよ 好ましい。

 有機溶媒で処理する方法は、特に限定さ ず、例えば、有機溶媒の溶液の中に金属微 子層を積層した基板を浸したり、有機溶媒 金属微粒子層上に塗布したり、有機溶媒の 気を金属微粒子層にあてたりする方法が用 られる。これらの中でも、有機溶媒の中に 属微粒子層を積層した基板を浸したり、有 溶媒を金属微粒子層上に塗布したりする方 が、導電性向上効果に優れるため好ましい

 有機溶媒の一例を挙げると、メチルアル ール、エチルアルコール、イソプロピルア コール、n-ブタノール、イソブタノール、3- メトキシ-3-メチル-1-ブタノール、1,3-ブタン オール、3-メチル-1,3-ブタンジオールなどの ルコール類;アセトン、メチルエチルケトン 、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノ ン、シクロペンタノンなどのケトン類;酢酸 チル、酢酸ブチルなどのエステル類;ヘキサ 、ヘプタン、デカン、シクロヘキサンなど アルカン類;N-メチル-2-ピロリドン、ジメチ ホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジ チルスルホオキシドなどの双極性非プロト 溶媒;トルエン、キシレン、アニリン、エチ レングリコールブチルエーテル、エチレング リコール、エチルエーテル、エチレングリコ ールメチルエーテル、クロロホルム等、およ びこれらの混合溶媒を使用できる。これらの 中でも、ケトン類、エステル類またはトルエ ンが含まれていると、導電性向上効果に優れ るため、好ましい。特に好ましくはケトン類 である。

 有機溶媒は、水で希釈したものを用いて 良い。有機溶媒と水の混合比は、重量比で5 /95以上が好ましく、より好ましくは50/50以上 あり、さらに好ましくは70/30以上であり、 も好ましくは100/0である。

 また、金属微粒子層が貴金属微粒子によ 形成されている場合は、無電解めっきの触 として作用することから、無電解めっきを うことも可能となる。貴金属の例としては Au、Ag、Pt、Pd、Rh、Os、Ru、Irなどが挙げられ る。

 無電解めっきを行う場合は、基板表面に 電解めっきの触媒となるような元素が存在 ると、金属微粒子層による網目の開口部分 もメッキ金属層が積層されて、基板の透明 が低下するので、基板表面には無電解めっ の触媒となるような元素、例えばAu、Ag、Pt Pd等の金属が存在していないことが好まし 。

 無電解めっきでは、めっき金属層の厚み 厚くするためにはめっき時間を長くする必 があり、この場合、開口部分に付着してい 異物などにめっき核が形成されて、開口部 にめっき金属層が発生することがある。開 部分にもめっき金属層が発生した場合には 基板の透明性が低下するため、めっき金属 の厚みを厚くしたい場合には、無電解めっ より、電解めっきの方が好ましい。

 めっき金属層の厚みは1.5μm以上であるこ が好ましい。より好ましくは2μm以上であり 、さらに好ましくは3μm以上である。厚みの 限は特に限定されないが、めっき金属層の みを厚くすると、同時にめっき金属層の線 が広がりやすくなり、その結果、基板の透 性が低下するため、15μm以下とすることが好 ましい。より好ましくは10μm以下である。め き金属層の厚みが1.5μm以上であると本発明 導電性基板を電磁波シールド基板用途とし 用いた場合に、低周波領域での磁界シール 性に優れたものとすることができるため好 しい。

 めっき金属層の厚みを1.5μm以上とすると 必然的にめっき金属層の幅方向の拡がりも きくなる。その結果、規則性のあるパター を用いた場合にはモアレ現象が発生しやす なるが、本発明ではランダムな層を形成さ るため、めっき金属層厚みを大きくしても アレが発生しない。その結果、低周波領域 の磁界シールド性と耐モアレ性との両立が 能となる。

 めっき金属層を積層した導電性基板の少 くとも片面の表面比抵抗は0.5ω/□よりも小 いことが好ましい。より好ましくは0.2ω/□ 下であり、さらに好ましくは0.1ω/□以下で り、最も好ましくは0.05ω/□以下である。表 面比抵抗が0.5ω/□以上であると低周波領域で の磁界シールド性を良好に発現させることが できなくなる場合がある。

 基板の表面比抵抗を0.5ω/□以下とするに 、特に限定されないが、めっき金属層を構 する金属としてCu、Ni、Cr、Zn、Au、Ag、Al、Sn 、Pt、Pd、Co、Fe、Inから選ばれる金属を、1種 たは2種以上組み合わせて用いることが好ま しい。これらの中でも、Cuを用いることが好 しい。上記金属を用いて、めっき金属層の みを1.5μm以上とすることで、好適に表面比 抗を0.5ω/□以下とすることができる。

 本発明に用いる基板としては、特に限定 れず、ガラスや樹脂など種々の基板を用い ことができる。また、ガラスや樹脂などの 板を2種以上貼り合わせるなどして組み合わ せて用いてもよい。基板が熱可塑性樹脂フィ ルムである場合、透明性、柔軟性、加工性な どの点で好ましい。

 熱可塑性樹脂フィルム中には、各種添加 、例えば、酸化防止剤、耐熱安定剤、耐候 定剤、紫外線吸収剤、有機の易滑剤、顔料 染料、有機または無機の微粒子、充填剤、 電防止剤、核剤などがその特性を悪化させ い程度に添加されていてもよい。

 熱可塑性樹脂フィルムの厚みは、特に限 されるものではなく、用途や種類に応じて 宜選択されるが、機械的強度、ハンドリン 性などの点から、通常は好ましくは10~500μm より好ましくは38~250μm、最も好ましくは75~1 50μmである。また、熱可塑性樹脂フィルムは 単層のフィルムであってもよく、共押出に る複合フィルムであってもよい。フィルム 各種の方法で貼り合わせて用いることもで る。

 本発明でいう熱可塑性樹脂フィルムとは 熱によって溶融もしくは軟化するフィルム 総称であって、特に限定されるものではな が、代表的なものとして、ポリエステルフ ルム、ポリプロピレンフィルムやポリエチ ンフィルムなどのポリオレフィンフィルム ポリ乳酸フィルム、ポリカーボネートフィ ム、ポリメチルメタクリレートフィルムや リスチレンフィルムなどのアクリル系フィ ム、ナイロンなどのポリアミドフィルム、 リ塩化ビニルフィルム、ポリウレタンフィ ム、フッ素系フィルム、ポリフェニレンス フィドフィルムなどを用いることができる これらは、ホモポリマーでも共重合ポリマ であってもよい。これらのうち、機械的特 、寸法安定性、透明性などの点で、ポリエ テルフィルム、ポリプロピレンフィルム、 リアミドフィルムなどが好ましい。機械的 度、汎用性などの点で、ポリエステルフィ ムが特に好ましい。

 また、ポリエステルフィルムを基板として いると、上述のような自己組織化する溶液 塗布した際に、網目の開口部形状に適度な 布が生じるように自己組織化現象が発生し すい。これによって、導電性基板のN+N -0.1 +N +0.1 が開口部の総個数の38~90%に制御しやすく、ま た個数最大コンパクトネスを1.1~1.7に制御し すい点でも、ポリエステルフィルムが基板 して好ましい。基板がポリエステルフィル でない場合には、導電性基板のN+N -0.1 +N +0.1 を開口部の総個数の38~90%に制御しにくく、ま た個数最大コンパクトネスを1.1~1.7に制御し くい。

 ポリエステルフィルムにおいて、ポリエ テルとは、エステル結合を主鎖の主要な結 鎖とする高分子の総称であって、エチレン レフタレート、プロピレンテレフタレート エチレン-2,6-ナフタレート、ブチレンテレ タレート、プロピレン-2,6-ナフタレート、エ チレン-α,β-ビス(2-クロロフェノキシ)エタン- 4,4’-ジカルボキシレートなどから選ばれた なくとも1種の構成成分を主要構成成分とす ものを好ましく用いることができる。これ 構成成分は、1種のみ用いても、2種以上併 してもよい。中でも品質、経済性などを総 的に判断すると、エチレンテレフタレート 主要構成成分とするポリエステル、すなわ 、ポリエチレンテレフタレートを用いるこ が特に好ましい。また、基板に熱や収縮応 などが作用する場合には、耐熱性や剛性に れたポリエチレン-2,6-ナフタレートが好まし い。これらのポリエステルには、さらに他の ジカルボン酸成分やジオール成分が一部、好 ましくは20モル%以下共重合されていてもよい 。

 上述したポリエステルの極限粘度(25℃のo -クロロフェノール中で測定)は、0.4~1.2dl/gが ましく、より好ましくは0.5~0.8dl/gの範囲にあ るものが本発明を実施する上で好適である。

 上記ポリエステルフィルムは、二軸配向 れたものであるのが好ましい。二軸配向ポ エステルフィルムとは、一般に、未延伸状 のポリエステルシートまたはフィルムが、 手方向および幅方向に各々2.5~5倍程度延伸 れ、その後、熱処理が施されて、結晶配向 完了されたものであり、広角X線回折で二軸 向のパターンを示すものをいう。

 また、基板と金属微粒子層の間に、ポリエ テル樹脂および架橋剤を含有する中間層が 層されている場合には、上述のような自己 織化する溶液を塗布した際に、網目の開口 形状に適度な分布が生じるように自己組織 現象が発生しやすく、導電性基板のN+N -0.1 +N +0.1 が開口部の総個数の38~90%に制御しやすく、ま た個数最大コンパクトネスを1.1~1.7に制御し すくなるためにより好ましい。中間層は少 くとも金属微粒子層を積層する側に設けさ すれば、基板の片面のみに積層しても、両 に積層してもよい。

 中間層を設け、自己組織化する溶液を塗 した際に、上記のような効果が発現するメ ニズムは明確にはわかっていないが、自己 織化する溶液を塗布した際、中間層の表面 能基や、表面のぬれ張力などの性質が自己 織化する溶液に影響を与え、網目の開口部 状に適度な分布が生じるように自己組織化 象が発生しやすくなるものと推測している

 従って、中間層と金属微粒子層の間には の層が積層されていてもよいが、当該別の の厚みが厚すぎる場合には、自己組織化す 溶液を塗布した際に、網目の開口部形状に 度な分布が生じるように自己組織化現象が 生しやすくなる効果が弱くなるため、好ま くない。中間層と金属微粒子層の間に別の を設ける場合、その厚みは、0.5μm以下であ ことが好ましく、より好ましくは0.2μm以下 あり、さらに好ましくは0.1μm以下である。 た、別の層が自己組織化溶液に含まれる溶 に溶解するような層であれば、中間層の表 官能基や、表面のぬれ張力などの性質が自 組織化する溶液に与える影響を妨げにくく る。

 中間層と金属微粒子層の間に設けられる の層としては、基板と金属微粒子層の間に 着性改善のための下塗り層、帯電防止層、 型層、親水化処理層、疎水性層などが挙げ れる。

 中間層を構成するポリエステル樹脂と架橋 は、中間層のポリエステル樹脂100重量部に し、架橋剤が固形分重量比で0.01重量部以上 50重量部以下であることが好ましく、より好 しくは1~25重量部である。中間層のポリエス テル樹脂と架橋剤の比率が、上記の範囲内で あると、導電性基板のN+N -0.1 +N +0.1 が開口部の総個数の38~90%に、また個数最大コ ンパクトネスを1.1~1.7に制御した網目形状が より得られやすくなる。

 なお、中間層に含まれるポリエステル樹 と架橋剤の合計の成分比率は、好ましくは 間層の全成分100重量%に対して50重量%以上100 重量%以下であり、より好ましくは80重量%以 100重量%以下であり、さらに好ましくは90重 %以上100重量%以下である。

 ここで、中間層に用いられるポリエステ 樹脂とは、主鎖あるいは側鎖にエステル結 を有するものである。中間層に使用される リエステル樹脂としては、酸由来成分とし テレフタル酸、イソフタル酸およびセバシ 酸、ジオール成分としてエチレングリコー 、ジエチレングリコール、1,4-ブタンジオー ルおよびネオペンチルグリコールから選ばれ る成分を含む共重合体などが好ましい。

 中間層の強度や耐熱性の点から、芳香族 カルボン酸由来の成分が、好ましくは全酸 来成分中の30モル%以上、より好ましくは35 ル%以上、特に好ましくは40モル%以上を占め ポリエステル樹脂を用いることが好ましい

 また、中間層を構成するポリエステル樹脂 架橋剤は、水系液にして塗液として用いる が好ましい。水系液にして用いると、各成 の混合が容易となり、その結果、導電性基 のN+N -0.1 +N +0.1 を開口部の総個数の38~90%に制御することや、 個数最大コンパクトネスを1.1~1.7に制御する とが容易になる。

 この場合には、ポリエステル樹脂の水溶 あるいは水分散化を容易にするため、ポリ ステル樹脂の酸成分として、スルホン酸基 3価以上の多価カルボン酸塩基を含有する化 合物を全酸由来成分中の0.5モル%~40モル%共重 することが好ましい。

 スルホン酸塩基を含有する化合物として 、例えば、スルホテレフタル酸、5-スルホ ソフタル酸、4-スルホイソフタル酸などある いはこれらのアルカリ金属塩、アルカリ土類 金属塩、アンモニウム塩などが挙げられる。 3価以上の多価カルボン酸塩基を含有する化 物としては、例えば、トリメリット酸、無 トリメリット酸、ピロメリット酸、無水ピ メリット酸、4-メチルシクロヘキセン-1,2,3- リカルボン酸、トリメシン酸など、あるい これらのアルカリ金属塩、アルカリ土類金 塩、アンモニウム塩等が挙げられる。

 中間層に使用されるポリエステル樹脂のガ ス転移温度(Tg)は、5~55℃であることが好ま い。Tgが5℃未満では、中間層を有する基板 重ねた際に、基板同士がブロッキング現象 発生することがある。Tgが55℃を超える場合 ポリエステル樹脂の安定性や水分散性が劣 場合がある。Tgは好ましくは10~50℃であり、 より好ましくは15~40℃である
 また本発明においては、中間層に用いられ ポリエステル樹脂として、変性ポリエステ 共重合体、例えば、アクリル、ウレタン、 ポキシなどで変性したブロック共重合体、 ラフト共重合体なども使用可能である。

 本発明でいう中間層に使用される架橋剤 は、ポリエステル樹脂や、中間層に使用さ るその他樹脂と架橋反応し得るものである 例えば、メラミン化合物、オキサゾリン系 橋剤、イソシアネート系架橋剤、エポキシ 架橋剤、メチロール化あるいはアルキロー 化した尿素系、アクリルアミド系、ポリア ド系樹脂、アミドエポキシ化合物、各種シ ンカップリング剤、各種チタネート系カッ リング剤などを用いることができる。特に メラミン化合物またはオキサゾリン系架橋 が、中間層に使用されるポリエステル樹脂 の相溶性が優れ、ランダム性が制御された 目形状が得られやすい点で好ましい。

 メラミン化合物としては、たとえばメラ ン、メラミンとホルムアルデヒドを縮合し 得られるメチロール化メラミン誘導体、メ ロール化メラミンに低級アルコールを反応 せて部分的あるいは完全にエーテル化した 合物、あるいはこれらの混合物などを用い ことができる。また、単量体、2量体以上の 多量体からなる縮合物、あるいはこれらの混 合物などのいずれも用いることができる。こ こで、エーテル化に使用する低級アルコール としては、メチルアルコール、エチルアルコ ール、イソプロピルアルコール、n-ブタノー 、イソブタノールなどを用いることができ 。

 また、メラミン化合物として、イミノ基 メチロール基、メトキシメチル基、ブトキ メチル基などの官能基を有するメラミン樹 が好ましく用いられる。官能基を有するメ ミン樹脂として、イミノ基型メチル化メラ ン樹脂、メチロール基型メラミン樹脂、メ ロール基型メチル化メラミン樹脂、完全ア キル型メチル化メラミン樹脂などが好まし 用いられる。その中でも、イミノ基型メラ ン樹脂、メチロール化メラミン樹脂がより ましい。さらに、メラミン化合物の熱硬化 促進するため、例えば、p-トルエンスルホ 酸などの酸性触媒を用いてもよい。

 オキサゾリン系架橋剤としては、オキサ リン基を含有するモノマーを少なくとも1種 以上含み、かつ、少なくとも1種の他のモノ ーを共重合させて得られるオキサゾリン基 有共重合体からなるものが好ましい。

 ここで、オキサゾリン基を含有するモノ ーとしては、2-ビニル-2-オキサゾリン、2-ビ ニル-4-メチル-2-オキサゾリン、2-ビニル-5-メ ル-2-オキサゾリン、2-イソプロペニル-2-オ サゾリン、2-イソプロペニル-4-メチル-2-オキ サゾリン、2-イソプロペニル-5-エチル-2-オキ ゾリンなどを用いることができ、これらの1 種または2種以上の混合物を使用することも きる。中でも、2-イソプロペニル-2-オキサゾ リンが工業的にも入手しやすく好適である。

 オキサゾリン系架橋剤用いられる他のモ マーとしては、例えば、アクリル酸メチル メタクリル酸メチル、アクリル酸エチル、 タクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、メ クリル酸ブチル、アクリル酸-2-エチルヘキ ル、メタクリル酸-2-エチルヘキシルなどの クリル酸エステルあるいはメタクリル酸エ テル類;アクリル酸、メタクリル酸、イタコ ン酸、マレイン酸などの不飽和カルボン酸類 ;アクリロニトリル、メタクリロニトリルな の不飽和ニトリル類;アクリルアミド、メタ リルアミド、N-メチロールアクリルアミド N-メチロールメタクリルアミドなどの不飽和 アミド類;酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル どのビニルエステル類;メチルビニルエーテ 、エチルビニルエーテルなどのビニルエー ル類;エチレン、プロピレンなどのオレフィ ン類;塩化ビニル、塩化ビニリデン、フッ化 ニルなどの含ハロゲン-α,β-不飽和モノマー ;スチレン、α-メチルスチレンなどのα,β-不 飽和芳香族モノマー類などを用いることがで き、これらの1種または2種以上の混合物を使 することもできる。

 中間層の厚みは、0.001~1μmであることが好ま しい。中間層の厚みが0.001μmよりも薄い場合 導電性基板のN+N -0.1 +N +0.1 が開口部の総個数の38~90%に、また個数最大コ ンパクトネスを1.1~1.7に制御しにくい場合が る。中間層の厚みが1μmよりも厚い場合には 基板の物性に悪影響を及ぼす場合がある。 間層の厚みは、好ましくは0.05~0.6μm、より ましくは0.08~0.4μmである。

 ポリエステルフィルムに中間層を積層す 際には、結晶配向が完了する前のポリエス ルフィルムの片面、もしくは両面に、中間 形成塗液を塗布した後、少なくとも一方向 延伸し、かつ熱処理することにより製造す ことが好ましい。中でも、生産性を考慮す と、製膜工程中に、塗布方法で中間層を設 る方法が特に好ましく用いられる。

 結晶配向完了前のポリエステルフィルム 中間層を積層した場合には、ポリエステル ィルムと中間層の界面接着力が強くなり、 加工時の剥がれや、削れが発生しにくくな 点で好ましい。

 基板および/または中間層のぬれ張力が、40m N/m以上である場合には、上述のような自己組 織化する溶液を塗布した際に、網目の開口部 形状に適度な分布が生じるように自己組織化 現象が発生しやすく、導電性基板のN+N -0.1 +N +0.1 が開口部の総個数の38~90%に制御しやすく、ま た個数最大コンパクトネスを1.1~1.7に制御し すいため好ましい。

 また基板および/または中間層のぬれ張力 が73mN/mを越える場合には、網目形状のランダ ム性が高くなりすぎ、モアレ現象は発生しに くくなるものの、広い面積における導電性お よび透明性の均一性が低下する場合があるの で、ぬれ張力は73mN/m以下が好ましい。

 また、ぬれ張力が40mN/m未満の基板や中間 表面にコロナ放電処理、窒素雰囲気下、二 化炭素雰囲気下での放電加工処理等を施し 、ぬれ張力を40mN/m以上にすることも好まし 。

 本発明の導電性基板、およびプラズマデ スプレイ用電磁波シールド基板には、基板 金属微粒子層、金属層、中間層の他に、各 の層が積層されていてもよい。例えば、基 と金属微粒子層の間に密着性改善のための 塗り層などが設けられていてもよく、めっ 金属層などの金属層の上に保護層が設けら ていてもよい。また、基板の片面、または 面に粘着層や、離型層や、保護層や、接着 付与層や、耐候性層などが設けられていて よい。

 また、金属微粒子層やめっき金属層など 金属層に防眩処理を行ったり、防眩層を設 たりしてもよい。例えば、金属の酸化によ 黒色化処理や、クロム合金、ニッケル合金 の黒色めっきや、黒または暗色系のインキ 塗布を行うことができる。

 めっき金属層に防眩処理を行うか、また 、防眩層を積層することで、網目形状が積 された面の可視光領域の最大反射率を20%以 とすることが好ましい。このような防眩性 付与すると、例えば、ディスプレイ用電磁 シールド基板としてディスプレイの前面に けて使用する場合、基板の反射によって画 や文字が見えにくくなるという問題が改善 れるため好ましい。可視光領域の最大反射 が20%よりも大きいと、基板の反射により、 像や文字が見えにくくなる場合がある。可 光領域の最大反射率は、好ましくは15%以下 あり、より好ましくは10%以下であり、さら 好ましくは5%以下である。

 以下に本発明の導電性基板の製造方法を り具体的に例示して説明するが、これに限 されるものではない。

 溶融押し出しした結晶配向前のポリエス ルフィルムを長手方向に2.5~5倍程度延伸す 。一軸延伸したフィルムに、連続的に中間 形成溶液を塗布する。溶液を塗布したポリ ステルフィルムを、段階的に加熱されたゾ ンを通過しつつ乾燥し、幅方向に2.5~5倍程度 延伸する。さらに、フィルムを連続的に150~25 0℃の加熱ゾーンに入れ、結晶配向を完了さ ることによって中間層を積層した二軸延伸 リエステルフィルムを製膜する。

 次に、銀微粒子が分散した自己組織化す 溶液を中間層上に塗布し、銀微粒子層を網 状に積層する。その後、フィルムごとアセ ンに入れ、数秒~1分程度放置することによ て、銀微粒子層を有機溶媒で処理する。次 で、フィルムに付着した有機溶媒を乾燥し その後、フィルムごと0.1Nの塩酸に入れ、数 ~60分程度放置することによって、銀微粒子 を酸で処理する。次いで、フィルムを取り し、水洗した後、硫酸銅溶液に入れて電解 めっきを行い、金属微粒子層上に2μmの電解 銅めっき層を積層する。その後、水洗および 乾燥を行う。

 本発明の導電性基板は、高いレベルでの 明性および導電性を、広い面積にわたって 一に達成し、さらにモアレ現象が発生しに いものであり、プラズマディスプレイパネ や液晶テレビなどのフラットパネルディス レイに用いられる電磁波シールド基板とし 好適に用いることが可能である他、回路材 用途や、太陽電池用途など、各種の導電性 板用途にも好適に用いることができる。

 [特性の測定方法および効果の評価方法]
 各実施例および比較例で作成した導電性基 の特性の測定方法および効果の評価方法は のとおりである。

 (1)金属微粒子の数平均粒子径
 金属微粒子を分散させた溶液を銅メッシュ に塗布したものを、透過型電子顕微鏡(H-7100 FA型 (株)日立製作所製)にて倍率40000倍で観察 した。100個の金属微粒子の粒径を測定し、数 平均粒子径はその100個の粒径の平均値とし、 100個の金属微粒子の中で最大となる粒子径を 最大粒子径とした。

 (2)コンパクトネス
 (株)キーエンス製デジタルマイクロスコー VHX-200を用いてサンプル表面を200倍で観察し 写真データを保存した。次に保存した写真 ータを選択して画面上に表示させ、装置内 の計測ツールで輝度抽出を行い、線部が黒 開口部が白に二値化した。その際、輝度レ ジ195~255とした。次に、「小粒除去」処理に より、黒部(線部)に存在する面積400ピクセル 下の白点(ノイズ)を除去し、「穴埋め」処 により、白部(開口部)に存在する面積400ピク セル以下の黒点(ノイズ)を除去した。その後 「削除」処理により、画面の枠で切れて全 が表示されていない開口部を黒部に変換し 。続いて、「一括計算」処理により、面積 周囲長を求めた後、下記式(1)を計算し、小 点第2位を四捨五入することで画面上に存在 する全ての開口部のコンパクトネスを求めた 。

   (開口部の周囲長) 2 /(4×π×(開口部の面積)) (1)
 本発明においては1つのサンプルにつき、100 個以上の開口部に対しコンパクトネスを求め 、N+N -0.1 +N +0.1 を求めた。
(3)表面比抵抗
 めっき金属層積層前、および、めっき金属 積層後の基板の表面比抵抗の測定を行った これらサンプルを常態(23℃、相対湿度65%)に おいて24時間放置後、その雰囲気下で、JIS-K-7 194-1994に基づいて、ロレスタ-EP(三菱化学(株) 、型番:MCP-T360)を用いて測定した。

 ただし、本願では測定するサンプルは1つと し、1つのサンプルにつき5点測定を行い、そ 5点の平均を表面比抵抗とした。また、金属 微粒子層が基板の両面に積層してある場合は 、一方の面の5点測定の平均と、他方の面の5 測定の平均をそれぞれ求め、片面ごとの表 比抵抗を求めた。なお、本測定機における 定上限は1.999×10 6 ω/□であり、サンプルの表面比抵抗が上限を 越えた場合には測定不可とした。表面比抵抗 が5ω/□以下のものは導電性良好である。

 (4)表面比抵抗の標準偏差
 まず、630cm 2 (A4サイズ同等の面積)以上の面積を有するサ プルを作成し、サンプルを25区画に等分した 後、それぞれの区画内の中心付近の1点で、 記(3)表面比抵抗と同様の方法にて3回測定し その平均値を求めた。次に、25区画で求め それぞれの平均値を用いて標準偏差を計算 、表面比抵抗の標準偏差とした。標準偏差 1より小さいものを、導電性の面内均一性良 として、合格とした。

 (5)全光線透過率
 全光線透過率は、常態(23℃、相対湿度65%)に おいて、サンプルを2時間放置した後、スガ 験機(株)製全自動直読ヘイズコンピューター 「HGM-2DP」を用いて測定した。3回測定した平 値をサンプルの全光線透過率とした。なお 基板の片面のみに金属微粒子層を積層して る場合、金属微粒子層を積層した面側より が入るようにサンプルを設置した。全光線 過率が50%以上のものは透明性良好である。

 (6)全光線透過率の標準偏差
 まず、630cm 2 (A4サイズ同等の面積)以上の面積を有するサ プルを作成し、サンプルを25区画に等分した 後、それぞれの区画内の中心付近の1点で、 記(5)全光線透過率と同様の方法にて全光線 過率を3回測定し、その平均値を求めた。次 、25区画で求めたそれぞれの平均値を用い 標準偏差を計算し、全光線透過率の標準偏 とした。標準偏差が1より小さいものを、透 性の面内均一性良好として、合格とした。

 (7)網目形状の観察
 導電性基板の表面を電子顕微鏡(LEICA DMLM  イカマイクロシステムズ(株)製)にて倍率100 で観察し、網目の形状を確認した。

 (8)積層構造の観察
 導電性基板の断面を切り出してから、その 面を透過型電子顕微鏡(日立製作所(株)製H-71 00FA)にて倍率10000倍で観察し、断面構造を確 した。

 (9)めっき金属層の厚み
 基板の断面を切り出してから、その断面を 過型電子顕微鏡(日立製作所(株)製H-7100FA)に 倍率10000倍で観察した。観察された網目の 面の中から1つの断面を選択し、金属微粒子 とめっき金属層とを合わせた厚みが最大と る部分の厚みをT t とし、金属微粒子層の厚みが最大となる部分 の厚みをT m として測定する。そして、(T t -T m )をこの断面でのめっき金属層の厚みとする これを10個の断面で行い、10個の平均値をめ き金属層の厚みとした。なお、この測定に ける厚みとは、基板と垂直な方向を厚み方 とし、基板を原点とした厚み方向への距離 厚みと定義するものである。また、ランダ 網目層が基板の両面に積層してある場合は 一方の面の平均と、他方の面の平均をそれ れ求め、片面ごとの厚みを求めた。

 (10)めっき金属層積層前の基板の接着性
 めっき金属層積層前の段階で金属微粒子層 容易に剥離した場合には、網目が断絶され 表面比抵抗が低下する。そこで、以下の処 前後における表面比抵抗変化を(3)表面比抵 と同様にして測定することで、めっき金属 積層前の接着性評価を行った。

 処理は、基板に綿棒(ジョンソン・エンド ・ジョンソン(株)製 ジョンソン綿棒)の綿部 を、基板と綿棒が垂直になるようにして200g の荷重で押し当て、そのまま一定荷重下で10 復(速度10cm/s)摩擦することで行った。上記 理後の表面比抵抗値が、処理前の表面比抵 値の5倍以下であれば「A」、5倍より大きけ ば「B」と判定し、「A」を接着性良好とした 。

 (11)めっき金属層積層後の導電性基板の接着 性
 めっき金属層を積層した基板を100mm×100mmに り出した。切り出した基板をニチバン(株) セロハンテープを使って、長さ400mm、幅300mm 厚み5mmのガラス板上の中央付近に基板が浮 ないようにして4辺全体を貼り付けた。続い て、上述のセロハンテープを幅18mm、長さ250mm に切り取り、セロハンテープの長さ方向の片 端25mmをめっき加工した導電性基板の上に貼 付けた。貼り付けた面をゴムローラーによ て荷重20Nで3往復押し付けた後、セロハンテ プの貼り付けていない部分の端部を持って 基板の垂直方向に1秒以内で一気に引き上げ 、基板からセロハンテープを剥がした。上記 の様にしてセロハンテープを剥がした後、セ ロハンテープを貼り付けてあった、幅18mm、 さ25mmの部分を観察した。めっきしたCu層が ロハンテープを剥がす前の70%以上の面積で 存していた場合には「A」、70%より少ない場 には「B」として判定し、「A」を良好とし 。

 (12)耐モアレ現象
 サンプルの耐モアレ現象の確認は、プラズ ディスプレイとして、松下電器産業(株)製  ハイビジョンプラズマディスプレイ TH-42PX50 用いて行った。画像が映し出されている画 の前で、画面とサンプルが概ね平行になる うにしてサンプルを持ち、画面とサンプル が概ね平行である状態を保ちながらサンプ を360°回転させ、回転中にモアレ現象が発 するか否かを目視で観察することで評価し 。モアレが観察されないものを「A」、モア が観察されるものを「B」とした。なお、基 板の片面のみに金属微粒子層を積層している 場合、金属微粒子層を積層していない面側が ディスプレイ画面に対向するようにサンプル を持った。

 (13)電磁波シールド性
 導電性基板を20cm×20cmにカットし、(社)関西 子工業振興センターのKEC法にて、電磁波シ ルド性を測定した。測定は0.1~1000MHzまでの 波数範囲で行った。電界シールド性に関し は300MHzでの電界シールド性を評価し、磁界 ールド性に関しては低周波領域での磁界シ ルド性を評価するため、10MHzでの磁界シール ド性を評価した。KEC法の評価にて、300MHzで40d B以上の電解シールド効果、および10MHzで5dB以 上の磁界シールド効果が発現したものを合格 とした。なお、電解シールド性、磁界シール ド性の測定共に、1つのサンプルについて3回 定を行い、その平均を求めた。

 (14)可視光領域の最大反射率
 導電性基板の可視光領域の最大反射率は、 立製作所(株)製U-3410形 自記分光光度計を用 い、導電性基板の網目層側を測定することで 求めた。可視光領域である380nm~780nmの範囲で 定し、その測定範囲で最も大きかった反射 を可視光領域での最大反射率とした。1つの サンプルにつき3回測定を行い、その平均を めた。なお、測定用の試験片は、裏面反射 なくすために、測定面の裏面を黒色マジッ インキ(登録商標)にて着色した。また、両面 に網目層が積層されている場合にも測定は片 面ずつ行うため、別々の試験片を用意して、 それぞれ片面ずつ測定を行った。

 (15)表面のぬれ張力測定
 サンプルの表面ぬれ張力の測定は、サンプ を常態(23℃、相対湿度50%)において、6時間 置後、その雰囲気下で、JIS-K-6768(1999)に準拠 た形で行った。

 まず、サンプルの測定面を上にしてハン コーターの基盤の上に置き、表面ぬれ張力 験用混合液を数滴滴下して、直ちにWET厚み1 2μmで塗布できるワイヤーバーを引いて、液 広げる。表面ぬれ張力の判断は、試験用混 液の液膜を明るいところで観察し、2秒後の 膜の状態で行う。液膜が破れを生じないで 2秒以上、塗布されたときの状態を保ってい れば、ぬれていると判断する。ぬれが2秒以 保つ場合は、さらに、表面ぬれ張力の高い 合液を用いて、同様の試験を行う。また逆 、2秒未満で液膜が破れる場合は、表面ぬれ 力の低い混合液を用いて、同様の試験を行 。この操作を繰り返し、サンプルの表面を2 秒以上ぬらすことができる混合液の中から、 最大の表面ぬれ張力を持つものを選び、その 表面ぬれ張力をサンプルの表面ぬれ張力とす る。この測定法による表面ぬれ張力の最大は 、73mN/mである。

 (16)基板上の湿度
 湿度は、基板上に金属微粒子層を積層する 造工程において、積層する基板の1cm上をCLIM OMASTER(MODEL 6531 日本カノマックス(株)製)にて 測定した。湿度は、該基板の金属微粒子層を 形成する面の中心から1cm上で15秒以上測定し 安定したときの値とした。

 (17)基板上の温度
 温度は、基板上に金属微粒子層を積層する 造工程において、積層する基板の1cm上をCLIM OMASTER(MODEL 6531 日本カノマックス(株)製)にて 測定した。温度は、該基板の金属微粒子層を 積層する面の中心から1cm上で30秒以上測定し 安定したときの値とした。

 次に、実施例に基づいて本発明を説明する
(金属微粒子層形成溶液1)
 金属微粒子層形成溶液1として、銀微粒子層 形成溶液である藤倉化成株式会社製XA-9053を いた。銀微粒子の数平均粒子径は0.04μm、最 粒子径は0.2μmであった。

 (金属微粒子層形成溶液2)
 金属微粒子層形成溶液2として、トルエンに 分散する銀微粒子から作成した銀微粒子層形 成自己組織化溶液であるCima NanoTech社製CE103-7 を用いた。銀微粒子の数平均粒子径は0.08μm 最大粒子径は0.2μmであった。

 (電解Cuめっき液1)
 7Lの水に硫酸銅溶液SG(メルテックス(株)製) 6L入れて撹拌した。次に、97%硫酸(石津製薬( )製 硫酸97% 試薬特級)を2.1L添加した後、1N 塩酸(ナカライテスク(株)製 N/1-塩酸)を28mL 加した。さらに、この溶液に硫酸銅めっき 沢剤としてロール・アンド・ハース電子材 (株)製カパーグリームCLX-AおよびCLX-Cを各100mL ずつこの順で添加し、最後に水を加えて溶液 全体を20Lにした。

 (中間層形成溶液1)
 ハイソリッド型アミノ樹脂であるサイテッ 社製“サイメル(登録商標)”325(イミノ基型 チル化メラミン)を、メラミン化合物1とし 。架橋剤としてメラミン化合物1を固形分濃 で3重量%になるよう、イソプロピルアルコ ルと水との混合溶媒(10/90(重量比))を用いて 釈した。その後、下記のポリエステル樹脂 液1と、前記のイソプロピルアルコールと水 混合溶媒で希釈したメラミン化合物1を、固 形分重量比でポリエステル樹脂/メラミン化 物=80/20となるように混合し、中間層形成溶 1とした。
・ポリエステル樹脂溶液1:下記酸成分とジオ ル成分からなるポリエステル樹脂の水溶液( 固形分濃度3重量%)
 ・酸成分
  テレフタル酸            88モル%
  5-ナトリウムスルホイソフタル酸  12モル %
 ・ジオール成分
  エチレングリコール         95モル%
  ジエチレングリコール         5モル%
(中間層形成溶液2)
 架橋剤として上記のメラミン化合物1を固形 分濃度で3重量%になるよう、イソプロピルア コールと水との混合溶媒(10/90(重量比))を用 て希釈した。その後、下記のアクリル樹脂 マルション1と、前記イソプロピルアルコー ルと水の混合溶媒で希釈したメラミン化合物 1を、固形分重量比でアクリル樹脂/メラミン 合物=85/15となるように混合し、中間層形成 液2とした。
・アクリル樹脂エマルション1:下記のアクリ 樹脂からなる水性エマルジョン(固形分濃度 3重量%)
 メチルメタクリレート        65モル%
 ブチルアクリレート         32モル%
 アクリル酸              1モル%
 N-メチロールアクリルアミド     2モル%

 (樹脂層形成溶液1)
 アニオン型のイオン性基を有する水性ウレ ン樹脂分散液である大日本インキ化学工業( 株)製HYDRAN(登録商標) AP-201を樹脂層形成溶液1 とした。
(樹脂層形成溶液2)
 アニオン型のイオン性基を有する水性ウレ ン樹脂分散液である三井武田ケミカル(株) タケラック(登録商標)W-6010を樹脂層形成溶液 2とした。
(樹脂層形成溶液3)
 アニオン型のイオン性基を有する水性ウレ ン樹脂分散液である三井武田ケミカル(株) タケラック(登録商標)XW-75-X35を樹脂層形成溶 液3とした。
(樹脂層形成溶液4)
 下記の酸性分とジオール成分からなるポリ ステル樹脂の水溶液(固形分濃度15wt%)を樹脂 層形成溶液4とした。
・ポリエステル樹脂:
 ・酸成分
  テレフタル酸            88モル%
  5-ナトリウムスルホイソフタル酸  12モル %
 ・ジオール成分
  エチレングリコール         95モル%
  ジエチレングリコール         5モル%
(樹脂層形成溶液5)
 ポリスチレンの1,2,4-トリメチルベンゼン溶 (固形分濃度3wt%)を樹脂層形成溶液5とした。

 (実施例1)
 ポリエチレンテレフタレート樹脂ペレット 十分に真空乾燥した後、押出機に供給し、2 85℃で溶融し、T字型口金よりシート状に押し 出し、静電印加キャスト法を用いて表面温度 25℃の鏡面キャスティングドラムに巻き付け 冷却固化し、未延伸フィルムを得た。この 延伸フィルムを90℃に加熱して長手方向に3. 3倍延伸し、一軸延伸フィルムとした。

 次にフィルムの片面に、中間層形成溶液1 を塗布した。ついで、フィルムをクリップで 把持しながら予熱ゾーンに導き、90℃で乾燥 、引き続き105℃の加熱ゾーンで幅方向に3.5 延伸し、さらに、220℃の加熱ゾーンで熱処 を施し、結晶配向を完了させ、中間層を積 した二軸延伸ポリエチレンテレフタレート ィルムを得た。このフィルム表面のぬれ張 は46mN/mであった。

 この二軸延伸ポリエチレンテレフタレー フィルムの片面に金属微粒子層形成溶液1を 、スクリーン印刷により、図2に示した網目 に印刷した。次いで、150℃で1分間乾燥して 銀微粒子層を網目状に積層した基板を得た 網目の線厚み2μm、線幅50μmであった。次に アセトンによる処理として、フィルムごと2 5℃のアセトン(ナカライテスク(株)製、特級) 30秒浸け、フィルムを取り出し、25℃で3分 乾燥させた。続いて、酸による処理として フィルムごと25℃の1Nの塩酸(ナカライテスク (株)製 N/1-塩酸)に1分間浸け、フィルムを取 出し、水洗した。その後、150℃で1分間乾燥 、導電性基板を得た。表面比抵抗は5ω/□で あった。中間層の厚みは0.09μmであった。

 (実施例2)
 実施例1と同様の方法により作成した中間層 を積層した二軸延伸ポリエチレンテレフタレ ートフィルムを準備した。そして該フィルム の中間層積層面に、表面のぬれ張力が73mN/mに なるように親水化処理を行った。フィルムの 親水化処理層上に金属微粒子層形成溶液2を 布した。次いで、基板上の温度が25℃、湿度 が55%RHの環境下で10分間経過させ、網目状に 微粒子層を積層し、その後、150℃で2分間処 した。

 次に、アセトンによる処理として、フィ ムごと、25℃のアセトン(ナカライテスク(株 )製 特級)に30秒間浸け、フィルムを取り出し 、25℃で3分間乾燥させた。続いて、酸による 処理として、フィルムごと25℃の1N(1mol/L)の塩 酸(ナカライテスク(株)製 N/1-塩酸)に1分間浸 、フィルムを取り出し、水洗した。その後 150℃で2分間乾燥し、導電性基板を得た。表 面比抵抗は4ω/□であった。

 (実施例3~8)
 実施例2と同様の手法により、さらに6つの なるサンプルを作成し、実施例3~8とした。

 (実施例9)
 実施例2で作成したサンプル(導電性基板)の 微粒子層上に金属層を積層するために、電 Cuめっき液1を使用し、フィルム100cm 2 あたり0.3Aの電流を流し、14分間電解Cuめっき 行った。その後フィルムを取り出し、水洗 た後、120℃で1分間乾燥し、めっき金属層を 積層した導電性基板を得た。

 このめっき金属層を積層した導電性基板 表面比抵抗は0.08ω/□、表面比抵抗の標準偏 差は0.011、全光線透過率は74%、全光線透過率 標準偏差は0.85であり、導電性および透明性 に優れ、導電性および透明性の面内均一性に も優れた基板であった。また、モアレ現象評 価の結果、モアレ現象が発生しなかった。

 (比較例1)
 中間層形成溶液1を塗布せずに、その他の点 では実施例1と同様の方法によって、二軸延 ポリエチレンテレフタレートを得た(中間層 有さない二軸延伸ポリエチレンテレフタレ トフィルムを得た)。

 二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフ ルムに、厚み12μm銅箔(古河サーキットフォ ル(株)製)をドライラミネート用2液タイプ接 着剤(東洋モートン(株)製 主剤AD-76P1/硬化剤CA T-10L)を用いてラミネートした。

 次に、銅箔面にフォトレジストを積層し、 光した後、線幅10μm、線ピッチ300μmの格子 にレジストを現像した。(レジストの現像は 10μmの線部を残し、その他の部分を除去す ように行った。)
 次いで、35~40℃に温度調整した塩化第二鉄 液でシャワー法より1.5分間エッチングし、 ジストの残っていない部分の銅箔を除去、 洗い、乾燥した。最後に、銅箔上に残存し いるフォトレジストを除去し、銅箔を積層 た基板を得た。

 このサンプルはN+N -0.1 +N +0.1 の値が、開口部の総個数の90%よりも大きく、 耐モアレ現象評価の結果、モアレが発生した 。

 (比較例2)
 中間層形成溶液2を用いる以外は実施例1と 様の方法により、中間層を有する二軸延伸 リエチレンテレフタレートフィルムを作成 た。このフィルム表面のぬれ張力は37mN/mで った。次に、このフィルムを用いて実施例2 同様にして銀微粒子層を積層した基板を作 した。

 このサンプルはN+N -0.1 +N +0.1 の値が、開口部の総個数の38%よりも小さく、 導電性、透明性に劣り、表面比抵抗および全 光線透過率の標準偏差も大きく、透明性およ び導電性の面内均一性にも劣るものであった 。

 (比較例3)
 金属微粒子層形成溶液2を塗布した後、基板 上の温度を12℃、湿度を88%RHの環境下で10分間 経過させ、網目状に銀微粒子層を積層した以 外は、実施例2と同様にして銀微粒子を積層 た導電性基板を作成した。

 このサンプルはN+N -0.1 +N +0.1 の値が、開口部の総個数の38%よりも小さく、 導電性に劣り、全光線透過率の標準偏差も大 きく、透明性の面内均一性にも劣るものであ った。

 (比較例4)
 二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィ ムとして、東レ(株)製 ルミラー(登録商標)T 60を基板に用いた点、および中間層を積層し かった点を除いては、実施例2と同様にして 、銀微粒子層を積層した導電性基板を作成し た。

 このサンプルはN+N -0.1 +N +0.1 の値が、開口部の総個数の38%よりも小さく、 透明性に劣り、表面比抵抗の標準偏差も大き く、導電性の面内均一性にも劣るものであっ た。

 (実施例10)
 二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィ ム(東レ(株)製 ルミラー(登録商標)U94)の片 に金属微粒子層形成溶液1を、スクリーン印 により、図2に示したランダムな網目状に印 刷した。次いで、150℃で1分間乾燥して、銀 粒子層をランダムな網目状に積層した積層 板を得た。網目の線厚み2μm、線幅35μmであ た。

 次に、アセトンによる処理として、フィ ムごと25℃のアセトン(ナカライテスク(株) 、特級)に30秒浸け、フィルムを取り出し、25 ℃で3分間乾燥させた。

 次に、樹脂層形成溶液1を水で固形分濃度 3重量%まで希釈したものを、ポリエチレンテ フタレートフィルムの金属微粒子層が形成 れた面に塗液厚みが7μm(ポリエチレンテレ タレートを基準とした厚み)となるように塗 した。次いで、150℃で2分間乾燥させて樹脂 層を形成させた。

 続いて、酸による処理として、フィルム と25℃の1Nの塩酸(ナカライテスク(株)製 N/1- 塩酸)に1分間浸け、フィルムを取り出し、水 した。その後、150℃で1分間乾燥した。この 段階において、めっき金属層積層前のフィル ムの表面比抵抗は5ω/□であった。

 このフィルムの銀微粒子層上にめっき金属 を積層するために、電解Cuめっき液1を使用 、フィルム100cm 2 あたり0.3Aの電流を流し、14分間電解Cuめっき 行った。その後フィルムを取り出し、水洗 た後、120℃で1分間乾燥し、めっき金属層を 積層した導電性基板を得た。

 このめっき金属層を積層した導電性基板 積層構造を観察したところ、金属微粒子層 開口部に樹脂層が積層され、樹脂層の一部 金属微粒子層とを覆うようにめっき金属層 積層されていた。また、樹脂層は、基板、 属微粒子層およびめっき金属層に接してい 。

 (実施例11)
 片面に親水化処理を行った二軸延伸ポリエ レンテレフタレートフィルム(東レ(株)製  ミラー(登録商標)U46)の親水化処理層上に金 微粒子層形成溶液2を塗布した。次いで、25 で10分間経過させ、ランダムな網目状に銀微 粒子層を積層し、その後、150℃で2分間乾燥 た。

 次に、アセトンによる処理として、フィ ムごと、25℃のアセトン(ナカライテスク(株 )製 特級)に30秒間浸け、フィルムを取り出し 、25℃で3分間乾燥させた。

 次に、樹脂層形成溶液1を水で固形分濃度 3重量%まで希釈したものを、ポリエチレンテ フタレートフィルムの金属微粒子層が形成 れた面に塗液厚みが7μm(ポリエチレンテレ タレートを基準とした厚み)となるように塗 した。次いで、150℃で2分間乾燥させて樹脂 層を形成させた。

 続いて、酸による処理として、フィルム と25℃の1N(1mol/L)の塩酸(ナカライテスク(株)  N/1-塩酸)に1分間浸け、フィルムを取り出 、水洗した。その後、150℃で2分間乾燥した この段階において、めっき金属層積層前の ィルムの表面比抵抗は4ω/□であった。

 このフィルムの銀微粒子層上にめっき金属 を積層するために、電解Cuめっき液1を使用 、フィルム100cm 2 あたり0.3Aの電流を流し、14分間電解Cuめっき 行った。その後フィルムを取り出し、水洗 た後、120℃で1分間乾燥し、めっき金属層を 積層した導電性基板を得た。

 このめっき金属層を積層した導電性基板 積層構造を観察したところ、金属微粒子層 開口部に樹脂層が積層され、樹脂層の一部 金属微粒子層とを覆うようにめっき金属層 積層されていた。また、樹脂層が、基板、 属微粒子層およびめっき金属層に接してい 。

 (実施例12)
 樹脂層形成溶液として、樹脂層形成溶液2を 水で固形分濃度3重量%まで希釈したものを用 た以外は実施例11と同様にして金属層積層 板を作成した。

 (実施例13)
 樹脂層形成溶液として、樹脂層形成溶液3を 水で固形分濃度3重量%まで希釈したものを用 た以外は実施例11と同様にして金属層積層 板を作成した。

 (実施例14)
 樹脂層形成溶液として、樹脂層形成溶液4を 水で固形分濃度3重量%まで希釈したものを用 た以外は実施例11と同様にして金属層積層 板を作成した。

 (実施例15)
 電解Cuめっき時間を7分間とした以外は実施 11と同様にして金属層積層基板を作成した

 (実施例16)
 樹脂層形成溶液として、樹脂層形成溶液1を 水で固形分濃度2重量%まで希釈したものを用 た以外は実施例11と同様にして金属層積層 板を作成した。

 (実施例17)
 樹脂層形成溶液として、樹脂層形成溶液1を 水で固形分濃度5重量%まで希釈したものを用 た以外は実施例11と同様にして金属層積層 板を作成した。

 (実施例18)
 実施例11で作成した基板(金属層積層基板)に 、さらにめっき金属層を防眩処理するために 、メルテックス(株)製エンプレート電解Niめ き液Z-80を使用して、フィルム100cm 2 あたり0.1Aの電流を流し、28℃で5分間電解黒 Niめっきを行い、暗色の防眩層を積層した。

 (比較例5)
 樹脂層形成溶液として、樹脂層形成溶液5を 用いた以外は実施例2と同様にしてサンプル 作成した。

 本サンプルを酸で処理した後、めっき金 層を積層する前のフィルムの表面比抵抗は2 0ω/□であり、実施例2と比較して大きかった 水と難溶な有機溶媒に分散する金属微粒子 らなる金属微粒子層の上から、有機溶媒を む樹脂層形成溶液を塗布したため、樹脂層 成溶液が金属微粒子層上と反発する効果が さかったと考えられるそのため樹脂層が金 微粒子層表面に、やや被り、酸による処理 効きにくかったと考えられる。

 本サンプルにめっき金属層を積層するこ は可能であったが、めっき金属層積層後の 着性を評価した結果、めっき金属層は容易 剥離してしまった。

 (比較例6)
 樹脂層を積層しない以外は実施例11と同様 してサンプルを作成した。

 (比較例7)
 金属微粒子層形成溶液1をスクリーン印刷に より、線厚み2μm、線幅35μm、ピッチ300μmの格 子状に印刷した以外は実施例10と同様にして ンプルを作成した。この基板はモアレが発 した。

 (比較例8)
 めっき金属層を積層しない以外は実施例11 同様にしてサンプルを作成した。本サンプ は導電性に劣り、磁界シールド性が不足し いた。

 (比較例9)
 樹脂層形成溶液として、樹脂層形成溶液1を 水で固形分濃度20重量%まで希釈したものを用 い、塗液厚みが50μm(ポリエチレンテレフタレ ートを基準とした厚み)となるように塗布し 以外は実施例11と同様にしてサンプルを作成 した。樹脂層積層時に樹脂層が金属微粒子層 を被覆してしまい、めっき金属層を積層する ことができなかった。

 実施例1~8、10~18、比較例1~8の特性評価結 を表1~4に示す。

 本発明は、透明性、導電性を広い面積に たって均一に達成し、さらにモアレ現象が 生しにくい導電性基板、プラズマディスプ イ用電磁波シールド基板、およびそれらの 造方法に関するものである。また本発明の 適な態様によれば、高いレベルでの導電性 透明性も得ることができる。本発明の導電 基板は、プラズマディスプレイパネルの電 波シールド部材として好適に用いることが きる他、優れた透明性および導電性を有す ことから、各種回路基板や太陽電池用途と て好適に用いることができる。