以下、発明を実施するための最良の形態� ��ついて詳細に説明する。ただし、本発明は� ��下の実施形態に限定されるものではない。

 [第一実施形態]
 (導電粒子)
 図1に示すように、本発明の第一実施形態に 係る導電粒子8aは、コア粒子11と、コア粒子11 を被覆し、厚さが200Å以上であるパラジウム 層12と、パラジウム層12の表面に配置され、� �径がパラジウム層12の厚さより大きい複数の 絶縁性粒子1と、を備える。すなわち、導電� �子8aでは、コア粒子11とコア粒子11を被覆す� �パラジウム層12とを備える母粒子2aの表面の� ��部が、子粒子である絶縁性粒子1で被覆され ている。

 <母粒子2a>
 本発明で用いる母粒子2aの粒径は、後述す� �図4の第一の電極5と第二の電極7との最小の� �隔よりも小さいことが好ましい。また、母� �子2aの粒径は、電極の高さ(電極の間隔)にば� ��つきがある場合、高さのばらつきよりも大� ��いことが好ましい。これらの理由から、母� ��子2aの粒径は、1~10μmであることが好ましく� ��1~5μmであることがより好ましく、2~3.5μmで� �ることが特に好ましい。

 従来の導電粒子における母粒子は、金属� ��みからなる粒子、又は有機物若しくは無機� ��のコア粒子をめっきなどの方法で金属被覆� ��たもののいずれかであるが、本実施形態に� ��ける母粒子2aは、有機物又は無機物のコア� �子11をめっきなどの方法で金属被覆したもの を用いることが出来る。また、本実施形態で は、母粒子2aとして、有機物のコア粒子をめ� ��きなどの方法で金属被覆したものが好まし� ��。

 有機物のコア粒子11としては、特に制限� �ないが、ポリメチルメタクリレート、ポリ� �チルアクリレート等のアクリル樹脂、ポリ� �チレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレ� �、ポリブタジエン等のポリオレフィン樹脂� �どからなる樹脂粒子が好ましい。

 パラジウム層12は延性を有するため、導� �粒子8aを圧縮した後において金属割れを起こ し難く、金属割れに伴うマイグレーションも 起こし難い。また、パラジウム層12は卑金属� ��銅に比べて耐酸性及び耐アルカリ性に優れ� ��ため、後述するメルカプト基、スルフィド� ��、又はジスルフィド基等の官能基と安定し� ��結合する。さらに、これらの官能基との結� ��性においてパラジウムと金及び白金とは同� ��の傾向を有するが、これらの貴金属を同体� ��で比較した場合、パラジウムが最も安価で� ��り、実用的である。また、パラジウム層12� �導電性に優れている。これらの理由から、� �ラジウム層12は、コア粒子11を被覆する金属� ��として好適である。

 パラジウム層12は、パラジウムとリンと� �合金から構成されてもよい。パラジウム層12 が合金である場合、導電性の観点から、合金 中のパラジウムの含有率は70重量%以上である ことが好ましく、90重量%以上100重量%未満で� �ることがさらに好ましい。

 パラジウム層12は、還元めっき型のパラ� �ウム層であることが好ましい。これにより� �コア粒子11に対するパラジウム層12の被覆率� ��向上し、導電粒子8aの導電性がより向上す� �。

 パラジウム層12の厚みは、200Å以上1000Å� ��下であることが好ましい。パラジウム層の� ��みが200Å未満であると、十分な導電性を得� ��れない。一方、パラジウム層12の厚みが1000� ��を超えると、母粒子2a全体の弾性が低下す� �傾向がある。母粒子2a全体の弾性が低下する と、導電粒子8aが一対の電極で挟まれ、縦方� ��に潰された際に、母粒子2aの弾性によって� �ラジウム層12が電極表面に十分に押し当てら れ難くなる。そのため、パラジウム層12と両� ��極との接触面積が小さくなり、電極間の接� ��信頼性を向上させる本発明の効果が小さく� ��る傾向がある。また、パラジウム層12が厚� �ほど、コストが高くなり、経済的に芳しく� �い。

 <絶縁性粒子1>
 絶縁性粒子1は無機酸化物であることが好ま しい。仮に、絶縁性粒子1が有機化合物であ� �場合、異方導電性接着剤の作製工程で絶縁� �粒子1が変形してしまい、得られる異方導電� ��接着剤の特性が変化しやすい傾向がある。

 絶縁性粒子1を構成する無機酸化物としては 、ケイ素、アルミニウム、ジルコニウム、チ タン、ニオブ、亜鉛、錫、セリウム、及びマ グネシウムの群からなるより選ばれる少なく とも一種の元素を含む酸化物が好ましい。こ れらの酸化物は単独で又は2種類以上を混合� �て使用することができる。また、無機酸化� �としては、上述の元素を含む酸化物の中で� �、絶縁性に優れ、粒子径を制御した水分散� �ロイダルシリカ(SiO ₂ )が最も好ましい。

 このような無機酸化物からなる絶縁性粒� ��(以下、「無機酸化物微粒子」という。)の� �販品としては、例えば、スノーテックス、� �ノーテックスUP(日産化学工業(株)製)、クオ� �トロンPLシリーズ(扶桑化学工業(株)製)等が� �げられる。

 無機酸化物微粒子の粒子径は、20~500nmで� �ることが好ましい。なお、無機酸化物微粒� �の粒子径は、BET法による比表面積換算法ま� �はX線小角散乱法で測定される。粒子径が20nm 未満であると、母粒子2aに吸着した無機酸化� ��微粒子が絶縁膜として作用せずに、電極間� ��一部にショートを発生させる傾向がある。� ��方、粒子径が500nmを超えると、電極間で導� �性が得られない傾向がある。

 (導電粒子8aの製造方法)
 本発明の第一実施形態に係る導電粒子8aの� �造方法は、コア粒子11の表面にパラジウム層 12を形成する工程(S1)と、パラジウム層12の表� ��を、メルカプト基、スルフィド基、又はジ� ��ルフィド基のいずれかを有する化合物で処� ��し、パラジウム層12の表面に官能基を形成� �る工程(S2)と、官能基が形成されたパラジウ� ��層の表面を高分子電解質で処理する工程(S3) 、官能基が形成され、且つ高分子電解質で処 理されたパラジウム層12の表面に絶縁性粒子1 を化学吸着により固定化する工程(S4)と、を� �える。なお、以下では、絶縁性粒子1が、表� ��に水酸基が形成された無機酸化物微粒子で� ��る場合について説明する。

 <S1>
 まず、コア粒子11の表面にパラジウム層12を 形成して、母粒子2aを得る。その具体的な方� ��としては、例えば、パラジウムによるめっ� ��が挙げられる。このめっき工程では、まず� ��ラジウム触媒を付与し、その後に還元型無� ��解パラジウムめっきを行うのが良い。還元� ��無電解パラジウムめっきの組成としては、( 1)硫酸パラジウムのような水溶性パラジウム� ��、(2)還元剤、(3)錯化剤及び(4)pH調整剤を加� �たものが好ましい。

 <S2>
 次に、パラジウム層12の表面を、パラジウ� �に対して配位結合を形成するメルカプト基� �スルフィド基、又はジスルフィド基のいず� �かを有する化合物で処理する。これにより� �パラジウム層12の表面に官能基を形成する。

 パラジウム層12の表面処理に用いる化合� �としては、具体的には、メルカプト酢酸、2- メルカプトエタノール、メルカプト酢酸メチ ル、メルカプトコハク酸、チオグリセリン、 システイン等が挙げられる。これらの化合物 で処理されたパラジウム層12の表面に形成さ� ��る官能基としては、水酸基、カルボキシル� ��、アルコキシル基、又はアルコキシカルボ� ��ル基が挙げられる。

 パラジウムはチオール基(メルカプト基)� �反応し易いことに対して、ニッケルのよう� �卑金属はチオール基と反応し難い。従って� �本実施形態のパラジウム粒子(パラジウム層1 2で被覆されたコア粒子11)は、従来型のニッ� �ル/金粒子(ニッケル層及び金層で被覆された コア粒子)に比べてチオール基と反応しやす� �。特にニッケル/金粒子は金の厚みが300Å以� ��であると粒子表面のニッケル割合が高くな� ��傾向がある。

 パラジウム層12の表面を上記化合物で処� �する具体的な方法としては、例えば、メタ� �ール、エタノール等の有機溶媒中にメルカ� �ト酢酸などの化合物を10~100mmol/l程度分散さ� �て得た液体中に、パラジウム粒子を分散さ� �る方法が挙げられる。

 <S3、S4>
 次に、官能基が形成されたパラジウム層12� �表面を高分子電解質で処理した後に、パラ� �ウム層12の表面に絶縁性粒子1を化学吸着さ� �る。

 水酸基、カルボキシル基、アルコキシル� ��、又はアルコキシカルボニル基のような官� ��基を有するパラジウム層12の表面電位(ゼー� ��電位)は、通常、pHが中性領域であればマイ� ��スである。一方で、後工程でパラジウム層1 2の表面に吸着させる絶縁性粒子1の表面は、� ��酸基を有する無機酸化物からなるため、絶� ��性粒子1の表面電位も通常マイナスである。 このように、表面電位がマイナスであるパラ ジウム層12の周囲には、表面電位がマイナス� ��ある絶縁性粒子1が吸着し難い傾向がある。 そこで、パラジウム層12の表面を高分子電解� ��で処理することにより、パラジウム層12の� �面を絶縁性粒子1で被覆し易くなる。

 高分子電解質で処理した後のパラジウム層1 2の表面に絶縁性粒子1を吸着させる方法とし� ��は、高分子電解質と無機酸化物を、パラジ� ��ム層12の表面に交互に積層する方法が好ま� �い。より具体的には、以下の工程(1)、(2)を� �次行うことで、高分子電解質と無機酸化物� �粒子とが積層された絶縁性被覆膜で表面の� �部が被覆された母粒子2a、すなわち導電粒子 8aを製造できる。
工程(1):パラジウム層12の表面に官能基を有す る母粒子2aを、高分子電解質溶液に分散させ� ��パラジウム層12の表面に高分子電解質を吸� �させた後、母粒子2aをリンスする工程。
工程(2):リンス後の母粒子2aを無機酸化物微粒 子の分散溶液に分散し、母粒子2aの表面(パラ ジウム層12)に無機酸化物微粒子を吸着させた 後、母粒子2aをリンスする工程。

 すなわち、工程(1)において、母粒子2aの� �面に高分子電解質薄膜を形成し、工程(2)に� �いて、高分子電解質薄膜を介して母粒子2aの 表面に無機酸化物微粒子を化学吸着により固 定化する。この高分子電解質薄膜を用いるこ とにより、母粒子2aの表面を、欠陥なく均一� ��無機酸化物微粒子で被覆することができる� ��このような工程(1)、(2)を経て得られた導電� ��子を用いた異方導電性接着剤を用いて回路� ��極を接続すると、回路電極間隔が狭ピッチ� ��も絶縁性が確保され、電気的に接続する電� ��間では接続抵抗が低く良好となる。

 上記の工程(1)、(2)を有する方法は、交互� ��層法(Layer-by-Layer assembly)と呼ばれる。交互� �層法は、G.Decherらによって1992年に発表され� �有機薄膜を形成する方法である(Thin Solid Fil ms, 210/211, p831(1992) 参照)。

 この交互積層方法では、正電荷を有する� ��リマー電解質(ポリカチオン)と負電荷を有� �るポリマー電解質(ポリアニオン)の水溶液に 、基材を交互に浸漬することで基板上に静電 的引力によって吸着したポリカチオンとポリ アニオンの組が積層して複合膜(交互積層膜)� ��得られる。

 交互積層法では、静電的な引力によって� ��基材上に形成された材料の電荷と、溶液中� ��反対電荷を有する材料が引き合うことによ� ��膜成長するので、吸着が進行して電荷の中� ��が起こるとそれ以上の吸着が起こらなくな� ��。したがって、ある飽和点までに至れば、� ��れ以上膜厚が増加することはない。

 Lvovらは交互積層法を、微粒子に応用し、 シリカやチタニア、セリアの各微粒子分散液 を用いて、微粒子の表面電荷と反対電荷を有 する高分子電解質を交互積層法で積層する方 法を報告している(Langmuir、Vol.13、(1997)p6195-620 3 参照)。

 この方法を用いると、負の表面電荷を有� ��るシリカの微粒子と、その反対電荷を持つ� ��リカチオンであるポリジアリルジメチルア� ��モニウムクロライド(PDDA)又はポリエチレン� ��ミン(PEI)などとを交互に積層することで、� �リカ微粒子と高分子電解質が交互に積層さ� �た微粒子積層薄膜を形成することが可能で� �る。

 本実施形態では、母粒子2aを、高分子電� �質溶液又は無機酸化物微粒子の分散液に浸� �後、反対電荷を有する微粒子分散液又は高� �子電解質溶液に浸漬する前に、溶媒のみの� �ンスによって余剰の高分子電解質溶液若し� �は無機酸化物微粒子の分散液を母粒子2aから 洗い流すことが好ましい。

 母粒子2aに吸着した高分子電解質及び無� �酸化物微粒子は母粒子2a表面に静電的に吸着 しているために、このリンスの工程で母粒子 2a表面から剥離することはない。しかし、母� ��子2a吸着していない余剰の高分子電解質ま� �は無機酸化物微粒子が、それらと反対電荷� �有する溶液中に持ち込まれると、溶液内で� �チオン、アニオンが混ざり、高分子電解質� �無機酸化物微粒子の凝集や沈殿を起きるこ� �がある。このような不具合をリンスによっ� �防止することができる。

 リンスに用いる溶媒としては、水、アル� ��ール、アセトン等があるが、通常、過剰な� ��分子電解質溶液又は無機酸化物微粒子の分� ��液を除去し易い点において、比抵抗値が18M� �・cm以上のイオン交換水(いわゆる超純水)が� ��いられる。

 高分子電解質溶液は、水、又は水と水溶� ��の有機溶媒との混合溶媒に高分子電解質を� ��解したものである。使用できる水溶性の有� ��溶媒としては、例えば、メタノール、エタ� ��ール、プロパノール、アセトン、ジメチル� ��ルムアミド、アセトニトリル等が挙げられ� ��。

 高分子電解質としては、水溶液中で電離� ��、荷電を有する官能基を主鎖または側鎖に� ��つ高分子を用いることができる。この場合� ��ポリカチオンを用いるのが良い。

 ポリカチオンとしては、一般に、ポリア� ��ン類等のように正荷電を帯びることのでき� ��官能基を有するもの、例えば、ポリエチレ� ��イミン(PEI)、ポリアリルアミン塩酸塩(PAH)、 ポリジアリルジメチルアンモニウムクロリド (PDDA)、ポリビニルピリジン(PVP)、ポリリジン� ��ポリアクリルアミド及びそれらを少なくと� ��1種以上を含む共重合体などを用いることが できる。

 高分子電解質の中でもポリエチレンイミ� ��は電荷密度が高く、結合力が強い。これら� ��高分子電解質の中でも、エレクトロマイグ� ��ーションや腐食を避けるために、アルカリ� ��属(Li、Na、K、Rb、Cs)イオン及びアルカリ土� �金属(Ca、Sr、Ba、Ra)イオン、ハロゲン化物イ� ��ン(フッ素イオン、クロライドイオン、臭素 イオン、ヨウ素イオン)を含まないものが好� �しい。

 これらの高分子電解質は、いずれも水溶� ��であるもの、又は水と有機溶媒との混合液� ��可溶なものであり、高分子電解質の分子量� ��しては、用いる高分子電解質の種類により� ��概には定めることができないが、一般に、5 00~200,000程度のものが好ましい。なお、溶液� �の高分子電解質の濃度は、一般に、0.01~10重� ��%程度が好ましい。また高分子電解質溶液の pHは、特に制限はない。

 母粒子2aを被覆する高分子電解質薄膜の� �類、分子量、又は濃度を調整することによ� �、無機酸化物微粒子の被覆率をコントロー� �することが出来る。

 具体的には、ポリエチレンイミンなど、� ��荷密度の高い高分子電解質薄膜を用いた場� ��、無機酸化物微粒子の被覆率が高くなる傾� ��があり、ポリジアリルジメチルアンモニウ� ��クロリド等、電荷密度の低い高分子電解質� ��膜を用いた場合、無機酸化物微粒子の被覆� ��が低くなる傾向がある。

 また、高分子電解質の分子量が大きい場� ��、無機酸化物微粒子の被覆率が高くなる傾� ��があるとともに、無機酸化物微粒子をパラ� ��ウム層12に強固に吸着させることができる� �結合力という観点で見た場合、高分子電解� �の分子量は10,000以上であることが好ましい� �一方、高分子電解質の分子量が小さい場合� �無機酸化物微粒子の被覆率が低くなる傾向� �ある。

 さらに、高分子電解質を高濃度で用いた� ��合、無機酸化物微粒子の被覆率が高くなる� ��向があり、高分子電解質を低濃度で用いた� ��合、無機酸化物微粒子の被覆率が低くなる� ��向がある。無機酸化物微粒子の被覆率が高� ��場合は絶縁性が高く導電性が悪い傾向があ� ��、無機酸化物微粒子の被覆率が低い場合は� ��電性が高く絶縁性が悪い傾向がある。

 無機酸化物微粒子は一層のみ被覆されて� ��るのが良い。複層積層すると積層量のコン� ��ロールが困難になる。また、無機酸化物微� ��子の被覆率は、20~100%の範囲であることが好 ましく、30~60%の範囲であることがさらに好ま しい。

 無機酸化物微粒子の分散溶液中のアルカ� ��金属イオン及びアルカリ土類金属イオン濃� ��が100ppm以下であることが好ましい。これに� ��り、隣接する電極間の絶縁信頼性を向上さ� ��易くなる。また、無機酸化物微粒子として� ��、金属アルコキシドの加水分解反応、いわ� ��るゾルゲル法により製造される無機酸化物� ��粒子が好適である。

 特に、無機酸化物微粒子としては、水分散� ��ロイダルシリカ(SiO ₂ )が好ましい。水分散コロイダルシリカは表� �に水酸基を有するため、母粒子2aとの結合性 に優れ、粒子径を揃えやすく、安価である点 において、無機酸化物微粒子に好適である。

 一般的に水酸基は、水酸基、カルボキシ� ��基、アルコキシル基、アルコキシカルボニ� ��基と強固な結合を形成することで知られる� ��水酸基とこれら官能基の結合の具体的な様� ��としては、脱水縮合による共有結合や水素� ��合が挙げられる。従って、水酸基、カルボ� ��シル基、アルコキシル基、アルコキシカル� ��ニル基などの官能基が形成されたパラジウ� ��層12(母粒子2a表面)に対して、表面に水酸基� ��有する無機酸化物微粒子は、強固に吸着す� ��ことが可能となる。

 なお、無機酸化物微粒子の表面の水酸基� ��、シランカップリング剤などでアミノ基や� ��ルボキシル基、エポキシ基に変性すること� ��可能であるが、無機酸化物の粒子径が500nm� �下の場合、困難である。従って、官能基の� �性を行わずに母粒子2aを無機酸化物微粒子で 被覆することが望ましい。

 以上のようにして完成した導電粒子8aを� �熱乾燥することで、絶縁性粒子1と母粒子2a� �の結合を更に強化することが出来る。結合� �が増す理由としては、例えば、パラジウム� �12の表面のカルボキシル基等の官能基と絶縁 性粒子1の表面の水酸基との化学結合、又は� �ラジウム層12の表面のカルボキシル基と絶縁 性粒子1の表面のアミノ基の脱水縮合が促進� �れることが挙げられる。また加熱を真空で� �なうと、金属のさび防止の観点から好まし� �。なお、後述する第三実施形態のように、� �粒子の再表面が金層である場合においても� �パラジウム層12の場合と同様に、加熱乾燥す ることで、絶縁性粒子と母粒子との結合を更 に強化することが出来る。

 加熱乾燥の温度は60~200℃であることが好� ��しく、加熱時間は10~180分であることが好ま� ��い。温度が60℃未満の場合や加熱時間が10分 未満の場合は、絶縁性粒子1が母粒子2aから剥 離しやすく、温度が200℃を超える場合や加熱 時間が180分を超える場合は、母粒子2aが変形� ��やすいので好ましくない。

 (異方導電性接着剤)
 以上のようにして作製した導電粒子8aを、� �4(a)に示すように、接着剤3に分散させること により、異方導電性接着剤40が得られる。こ� ��異方導電性接着剤40を用いた接続構造体42の 作製方法を、図4(b)、(c)に示す。なお、図4で� ��、図の簡略化のため、導電粒子8が備えるパ ラジウム層12は省略する。

 図4(b)に示すように第一の基板4と第二の� �板6を準備し、異方導電性接着剤40をその間� �配置する。このとき、第一の基板4が備える� ��一の電極5と第二の基板6が備える第二の電� �7が対向するようにする。その後、第一の基� ��4と第二の基板6を、第一の電極5と第二の電� ��7とが対向する方向で加圧加熱しつつ積層し て、図4(c)に示す接続構造体42を得る。

 このようにして接続構造体42を作製する� �、縦方向は絶縁性粒子1が母粒子2にめり込ん で第一の電極5と第二の電極7は母粒子2の表面 (パラジウム層)を介して導通し、横方向は母� ��子間に絶縁性子粒子1が介在することで絶縁 性が維持される。

 COG用の異方導電性接着剤は、近年10μmレ� �ルの狭ピッチでの絶縁信頼性が求められて� �るが、本実施形態に係る異方導電性接着剤40 を用いれば、10μmレベルの狭ピッチでの絶縁� ��頼性を向上させることが可能となる。

 異方導電性接着剤40に用いられる接着剤� �しては、熱反応性樹脂と硬化剤の混合物が� �いられ、具体的には、エポキシ樹脂と潜在� �硬化剤との混合物が好ましい。

 エポキシ樹脂としては、エピクロルヒド� ��ンとビスフェノールAやF、AD等から誘導され るビスフェノール型エポキシ樹脂、エピクロ ルヒドリンとフェノールノボラックやクレゾ ールノボラックから誘導されるエポキシノボ ラック樹脂やナフタレン環を含んだ骨格を有 するナフタレン系エポキシ樹脂、グリシジル アミン、グリシジルエーテル、ビフェニル、 脂環式等の1分子内に2個以上のグリシジル基� ��有する各種のエポキシ化合物等を単独に又� ��2種以上を混合して用いることが可能である 。

 これらのエポキシ樹脂は、不純物イオン(Na ⁺ 、Cl ^- 等)や、加水分解性塩素等を300ppm以下に低減� �た高純度品を用いることが好ましい。これ� �よりエレクトロマイグレーションを防止し� �くなる。

 潜在性硬化剤としては、イミダゾール系� ��ヒドラジド系、三フッ化ホウ素-アミン錯体 、スルホニウム塩、アミンイミド、ポリアミ ンの塩、ジシアンジアミド等が挙げられる。 この他、接着剤には、ラジカル反応性樹脂と 有機過酸化物の混合物や紫外線などのエネル ギー線硬化性樹脂が用いられる。

 接着剤3には、接着後の応力を低減するた め、又は接着性を向上するために、ブタジエ ンゴム、アクリルゴム、スチレン-ブタジエ� �ゴム、シリコーンゴム等を混合することが� �きる。

 また、接着剤3としてはペースト状又はフ ィルム状のものが用いられる。接着剤をフィ ルム状にするためには、フェノキシ樹脂、ポ リエステル樹脂、ポリアミド樹脂等の熱可塑 性樹脂を配合することが効果的である。これ らのフィルム形成性高分子は、反応性樹脂の 硬化時の応力緩和にも効果がある。特に、フ ィルム形成性高分子が、水酸基などの官能基 を有する場合、接着性が向上するためより好 ましい。

 フィルムの形成は、エポキシ樹脂、アク� ��ルゴム、潜在性硬化剤、及びフィルム形成� ��高分子からなる接着組成物を、有機溶剤に� ��解又は分散させることにより、液状化して� ��剥離性基材上に塗布し、硬化剤の活性温度� ��下で溶剤を除去することにより行われる。� ��のとき用いる有機溶剤としては、材料の溶� ��性を向上させる点において、芳香族炭化水� ��系と含酸素系の混合溶剤が好ましい。

 異方導電性接着剤40の厚みは、導電粒子8� ��粒径及び異方導電性接着剤40の特性を考慮� �て相対的に決定されるが、1~100μmであること が好ましい。1μm未満では充分な接着性が得� �れず、100μmを超えると導電性を得るために� �量の導電粒子を必要とするために現実的で� �ない。こうした理由から、厚みは3~50μmであ� ��ことがより好ましい。

 第一の基板4又は第二の基板6としては、� �ラス基板、ポリイミド等のテープ基板、ド� �イバーICなどのベアチップ、リジット型のパ ッケージ基板などが挙げられる。

 [第二実施形態]
 次に、本発明の第二実施形態に係る導電粒� ��、及び導電粒子の製造方法について説明す� ��。なお、以下では、上述した第一実施形態� ��第二実施形態との相違点についてのみ説明� ��、両者に共通する事項については説明を省� ��する。

 (導電粒子)
 図2に示すように、第二実施形態に係る導電 粒子8bは、コア粒子11とパラジウム層12との間 に、更に導電層13を備える点において、第一� ��施形態に係る導電粒子8aと相違する。

 すなわち、本発明の第二実施形態に係る� ��電粒子8bは、コア粒子11と、コア粒子11を被� ��する導電層13と、導電層13を被覆し、厚さが 200Å以上であるパラジウム層12と、パラジウ� ��層12の表面に配置され、粒径が導電層13及び パラジウム層12の厚さの合計より大きい複数� ��絶縁性粒子1と、を備える。換言すれば、導 電粒子8bでは、コア粒子11とコア粒子11を被覆 する導電層13及びパラジウム層12とを備える� �粒子2bの表面の一部が、子粒子である絶縁性 粒子1で被覆されている。

 第二実施形態に係る導電粒子8bも、第一� �施形態に係る導電粒子8aと同様に、マイグレ ーションを起こすことなく、コストが安く、 かつ導電性が高く、電極間の接続信頼性に優 れる。また、第二実施形態では、安価で導電 性に優れた非金属や銅等からなる導電層13を� ��備することにより、導電粒子8bの低コスト� �、導電性の向上が可能となる。さらに、第� �実施形態では、導電層13がパラジウム層12で� ��覆されているため、パラジウム層12が導電� �13に対してマイグレーションストップ層とし て機能する。

 導電層13としては、金、銀、銅、白金、� �鉛、鉄、パラジウム、ニッケル、錫、クロ� �、チタン、アルミニウム、コバルト、ゲル� �ニウム、カドミウム等の金属からなる層、� �はITO、はんだといった金属化合物からなる� �が挙げられる。これらの中でも、導電層13と しては、ニッケルからなる層が好ましい。安 価で且つ導電性に優れるニッケルからなる導 電層を備えることにより、導電粒子が更に低 コスト化することともに、その導電性が向上 する。

 (導電粒子8bの製造方法)
 本発明の第二実施形態に係る導電粒子8bの� �造方法は、コア粒子11の表面に導電層13を形� ��する工程と、導電層13の表面にパラジウム� �12を形成する工程と、パラジウム層12の表面� ��、メルカプト基、スルフィド基、又はジス� ��フィド基のいずれかを有する化合物で処理� ��、パラジウム層12の表面に官能基を形成す� �工程と、官能基が形成されたパラジウム層12 の表面に絶縁性粒子1を化学吸着により固定� �する工程と、を備える。

 また、第二実施形態においても、第一実� ��形態と同様に、官能基が形成されたパラジ� ��ム層12の表面を高分子電解質で処理した後� �、パラジウム層12の表面に絶縁性粒子1を吸� �させることが好ましい。

 [第三実施形態]
 次に、本発明の第三実施形態に係る導電粒� ��、及び導電粒子の製造方法について説明す� ��。なお、以下では、上述した第一実施形態� ��第三実施形態との相違点についてのみ説明� ��、両者に共通する事項については説明を省� ��する。

 (導電粒子)
 図3に示すように、第三実施形態に係る導電 粒子8cは、コア粒子11を被覆するパラジウム� �12の表面を金層14が被覆している点において� ��第一実施形態に係る導電粒子8aと相違する� �

 すなわち、本発明の第三実施形態に係る� ��電粒子8cは、コア粒子11と、コア粒子11を被� ��し、厚さが200Å以上であるパラジウム層12� �、パラジウム層12を被覆する金層14と、金層1 4の表面に配置され、粒径がパラジウム層12及 び金層14の厚さの合計より大きい複数の絶縁� ��粒子1と、を備える。換言すれば、導電粒子 8cでは、コア粒子11とコア粒子11を被覆するパ ラジウム層12及び金層14とを備える母粒子2cの 表面の一部が、子粒子である絶縁性粒子1で� �覆されている。

 第三実施形態に係る導電粒子8cも、第一� �施形態に係る導電粒子8aと同様に、マイグレ ーションを起こすことなく、コストが安く、 かつ導電性が高く、電極間の接続信頼性に優 れる。また、第三実施形態では、母粒子2cの� ��外層として金層14を具備するため、母粒子2c の表面抵抗を下げ、導電粒子8c全体の導電性� ��向上させることが出来る。なお、第三実施� ��態に係る導電粒子8cは、コア粒子11とパラジ ウム層12との間に、第二実施形態と同様な導� ��層を更に備えてもよい。

 (導電粒子8cの製造方法)
 第三実施形態に係る導電粒子8cの製造方法� �、コア粒子11の表面にパラジウム層12を形成� ��る工程と、パラジウム層12の表面に金層14を 形成する工程と、金層14の表面を、メルカプ� ��基、スルフィド基、又はジスルフィド基の� ��ずれかを有する化合物で処理し、金層14の� �面に官能基を形成する工程と、官能基が形� �された金層14の表面に絶縁性粒子1を化学吸� �により固定化する工程と、を備える。

 また、第三実施形態においても、第一実� ��形態と同様に、官能基が形成された金層14� �表面を高分子電解質で処理した後に、金層14 の表面に絶縁性粒子1を吸着させることが好� �しい。

 パラジウム層12の表面に金層14を形成する 具体的な方法としては、例えば、金によるめ っきが挙げられる。金めっきはHGS-100(日立化� ��工業(株)製、商品名)のような置換型金めっ� ��やHGS-2000(日立化成工業(株)製、商品名)のよ� ��な還元型無電解金めっきを用いることがで� ��るが、被覆率を向上させ易いことから、還� ��型無電解金めっきが好ましい。

 金はチオール基(メルカプト基)と反応し� �いことに対して、ニッケルのような卑金属� �チオールと反応し難い。従って、本実施形� �の金粒子(パラジウム層12及び金層14で被覆さ れたコア粒子11)は、従来型のニッケル/金粒� �(ニッケル層及び金層で被覆されたコア粒子) に比べてチオール基と反応しやすい。特にニ ッケル/金粒子は金の厚みが300Å以下である� �粒子表面のニッケル割合が高くなる傾向が� �る。

 金めっきの厚さは、表面抵抗の低下とコ� ��トとの兼ね合いもあるため、状況に応じて� ��定すればよいが、300Å以下であることが好� ��しい。なお、金めっきの厚さの厚さが300Å� ��上であっても特性上は問題ない。