次に本発明を実施するための最良の形態を� ��明する。
 本発明の導電性反射膜を形成するための組� ��物は、金属ナノ粒子が分散媒に分散するこ� ��により調製された組成物である。上記金属� ��ノ粒子は、金属元素中の銀の割合が75質量%� ��上、好ましくは80質量%以上である。金属元� ��中の銀の割合を75質量%以上の範囲としたの� ��、75質量%未満ではこの組成物を用いて形成� ��れた導電性反射膜の反射率が低下してしま� ��からである。また金属ナノ粒子は炭素骨格� ��炭素数1~3の有機分子主鎖の保護剤で化学修� ��される。金属ナノ粒子を化学修飾する保護� ��の有機分子主鎖の炭素骨格の炭素数を1~3の� ��囲としたのは、炭素数が4以上であると焼成 時の熱により保護剤が脱離或いは分解(分離� �燃焼)し難く、上記導電性反射膜内に有機残� ��が多く残り、この残渣が変質又は劣化して� ��電性反射膜の導電性及び反射率が低下して� ��まうからである。

 金属ナノ粒子は一次粒径10~50nmの範囲内の 金属ナノ粒子を数平均で70%以上、好ましくは 75%以上含有することが好適である。一次粒径 10~50nmの範囲内の金属ナノ粒子の含有量を、� �平均で全ての金属ナノ粒子100%に対して70%以� ��の範囲としたのは、70質量%未満では金属ナ� ��粒子の比表面積が増大して有機物の占める� ��合が大きくなるからである。そのため焼成� ��の熱により脱離或いは分解(分離・燃焼)し� �い有機分子であっても、この有機分子の占� �る割合が多いため、導電性反射膜内に有機� �渣が多く残り、この残渣が変質又は劣化し� �導電性反射膜の導電性及び反射率が低下し� �しまう。或いは金属ナノ粒子の粒度分布が� �くなり導電性反射膜の密度が低下し易くな� �て、導電性反射膜の導電性及び反射率が低� �してしまう。更に上記金属ナノ粒子の一次� �径を10~50nmの範囲内としたのは、統計的手法� ��り一次粒径が10~50nmの範囲内にある金属ナノ 粒子が経時安定性(経年安定性)と相関してい� ��からである。なお、本発明で数平均の測定� ��法は、以下の手法により求める。先ず、得� ��れた金属ナノ粒子をTEM(Transmission Electron Mic roscope、透過型電子顕微鏡)により約50万倍程� �の倍率で撮影する。次いで、得られた画像� �ら金属ナノ粒子200個について一次粒径を測� �し、この測定結果をもとに粒径分布を作成� �る。次に、作成した粒径分布から、一次粒� �10~50nmの範囲内の金属ナノ粒子が全金属ナノ� ��子で占める個数割合を求める。

 この金属ナノ粒子を含む組成物中に有機� ��分子、金属酸化物、金属水酸化物、有機金� ��化合物及びシリコーンオイルからなる群よ� ��選ばれた1種又は2種以上の添加物を更に含� �ことが好ましい。添加物として組成物中に� �まれる有機高分子、金属酸化物、金属水酸� �物、有機金属化合物又はシリコーンオイル� �より、基材との化学的な結合又はアンカー� �果が増大され、或いは焼成工程における金� �ナノ粒子と基材との濡れ性が改善され、導� �性を損なうことなく、基材との密着性を向� �させることができる。

 また、この組成物を用いて導電性反射膜� ��形成すると、金属ナノ粒子間の焼結による� ��成長を調整することができる。この組成物� ��用いた導電性反射膜の形成では、成膜時に� ��空プロセスを必要としないため、プロセス� ��制約が小さく、また製造設備のランニング� ��ストを大幅に低減することができる。

 添加物の含有量は金属ナノ粒子を構成する� ��ナノ粒子の質量の0.1~20%、好ましくは0.2~10%� �ある。添加物の含有量が0.1%未満では平均直� ��の大きな気孔が出現したり、気孔の密度が� ��くなるおそれがある。添加物の含有量が20%� ��越えると形成した導電性反射膜の導電性に� ��影響を及ぼし、体積抵抗率が2×10 ^-5 ω・cmを越える不具合を生じる。

 添加物として使用する有機高分子として� ��、ポリビニルピロリドン(Polyvinylpyrrolidone;以 下、PVPという。)、PVPの共重合体及び水溶性� �ルロースからなる群より選ばれた1種又は2種 以上が使用される。具体的には、PVPの共重合 体としては、PVP-メタクリレート共重合体、PV P-スチレン共重合体、PVP-酢酸ビニル共重合体 等が挙げられる。また水溶性セルロースとし ては、ヒドロキシプロピルメチルセルロース 、メチルセルロース、ヒドロキシエチルメチ ルセルロース等のセルロースエーテルが挙げ られる。

 添加物として使用する金属酸化物として� ��、アルミニウム、シリコン、チタン、クロ� ��、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銀� ��銅、亜鉛、モリブデン、錫、インジウム及� ��アンチモンからなる群より選ばれた少なく� ��も1種を含む酸化物或いは複合酸化物が好適 である。複合酸化物とは、具体的には酸化イ ンジウム-酸化錫系複合酸化物(Indium Tin Oxide: ITO)、酸化アンチモン-酸化錫系複合酸化物(Ant imony Tin Oxide:ATO)、酸化インジウム-酸化亜鉛� ��複合酸化物(Indium Zinc Oxide:IZO)等である。

 添加物として使用する金属水酸化物とし� ��は、アルミニウム、シリコン、チタン、ク� ��ム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、� ��、銅、亜鉛、モリブデン、錫、インジウム� ��びアンチモンからなる群より選ばれた少な� ��とも1種を含む水酸化物が好適である。

 添加物として使用する有機金属化合物と� ��ては、シリコン、チタン、クロム、マンガ� ��、鉄、コバルト、ニッケル、銀、銅、亜鉛� ��モリブデン及び錫からなる群より選ばれた� ��なくとも1種を含む金属石鹸、金属錯体或い は金属アルコキシドが好適である。例えば、 金属石鹸は、酢酸クロム、ギ酸マンガン、ク エン酸鉄、ギ酸コバルト、酢酸ニッケル、ク エン酸銀、酢酸銅、クエン酸銅、酢酸錫、酢 酸亜鉛、シュウ酸亜鉛、酢酸モリブデン等が 挙げられる。また金属錯体はアセチルアセト ン亜鉛錯体、アセチルアセトンクロム錯体、 アセチルアセトンニッケル錯体等が挙げられ る。また金属アルコキシドはチタニウムイソ プロポキシド、メチルシリケート、イソアナ トプロピルトリメトキシシラン、アミノプロ ピルトリメトキシシラン等が挙げられる。

 添加物として使用するシリコーンオイル� ��しては、ストレートシリコーンオイル並び� ��変性シリコーンオイルの双方を用いること� ��できる。変性シリコーンオイルは更にポリ� ��ロキサンの側鎖の一部に有機基を導入した� ��の(側鎖型)、ポリシロキサンの両末端に有� �基を導入したもの(両末端型)、ポリシロキサ ンの両末端のうちのどちらか一方に有機基を 導入したもの(片末端型)並びにポリシロキサ� ��の側鎖の一部と両末端に有機基を導入した� ��の(側鎖両末端型)を用いることができる。� �性シリコーンオイルには反応性シリコーン� �イルと非反応性シリコーンオイルとがある� �、その双方の種類ともに本発明の添加物と� �て使用することができる。なお、反応性シ� �コーンオイルとは、アミノ変性、エポキシ� �性、カルボキシ変性、カルビノール変性、� �ルカプト変性、並びに異種官能基変性(エポ� ��シ基、アミノ基、ポリエーテル基)を示す。 非反応性シリコーンオイルとは、ポリエーテ ル変性、メチルスチリル基変性、アルキル変 性、高級脂肪酸エステル変性、フッ素変性、 並びに親水特殊変性を示す。

一方、組成物を構成する金属ナノ粒子のう ち、銀ナノ粒子以外の金属ナノ粒子は、金、 白金、パラジウム、ルテニウム、ニッケル、 銅、錫、インジウム、亜鉛、鉄、クロム及び マンガンからなる群より選ばれた1種の粒子� �は2種以上の混合組成又は合金組成からなる� ��属ナノ粒子を更に含有することが好ましい� ��この銀ナノ粒子以外の金属ナノ粒子は、全� ��の金属ナノ粒子100質量%に対して0.02質量%以� ��かつ25質量%未満とすることが好ましく、0.03 質量%~20質量%とすることが更に好ましい。銀� ��ノ粒子以外の粒子の含有量を全ての金属ナ� ��粒子100質量%に対して0.02質量%以上かつ25質� �%未満の範囲としたのは、0.02質量%未満では� �に大きな問題はないけれども、0.02質量%以上 かつ25質量%未満の範囲内においては、耐候性 試験(温度100℃かつ湿度50%の恒温恒湿槽に1000� ��間保持する試験)後の導電性反射膜の導電性 及び反射率が耐候性試験前と比べて悪化しな いという特徴があるからである。また、25質� ��%以上では焼成直後の導電性反射膜の導電性 及び反射率が低下し、しかも耐候性試験後の 導電性反射膜が耐候性試験前の導電性反射膜 より導電性及び反射率が低下してしまうから である。

 また組成物中の銀ナノ粒子を含む金属ナ� ��粒子の含有量は、金属ナノ粒子及び分散媒� ��らなる組成物100質量%に対して2.5~95.0質量%含 有することが好ましく、3.5~90質量%含有する� �とが更に好ましい。銀ナノ粒子を含む金属� �ノ粒子の含有量を金属ナノ粒子及び分散媒� �らなる組成物100質量%に対して2.5~95.0質量%の� ��囲としたのは、2.5質量%未満では特に焼成後 の導電性反射膜の特性には影響はないけれど も、必要な厚さの導電性反射膜を得ることが 難しく、95.0質量%を越えると組成物の湿式塗� ��時にインク或いはペーストとしての必要な� ��動性を失ってしまうからである。

 また本発明の導電性反射膜を形成するた� ��の組成物を構成する分散媒は、全ての分散� ��100質量%に対して、1質量%以上、好ましくは2 質量%以上の水と、2質量%以上、好ましくは3� �量%以上の水と相溶する溶剤、例えば、アル� ��ール類とを含有することが好適である。例� ��ば、分散媒が水及びアルコール類のみから� ��る場合、水を2質量%含有するときはアルコ� �ル類を98質量%含有し、アルコール類を2質量% 含有するときは水を98質量%含有する。更に分 散媒、即ち金属ナノ粒子表面に化学修飾して いる保護分子は、水酸基(-OH)又はカルボニル� ��(-C=O)のいずれか一方又は双方を含有する。� ��の含有量を全ての分散媒100質量%に対して1� �量%以上の範囲が好適であるとしたのは、1質 量%未満では、組成物を湿式塗工法により塗� �して得られた膜を低温で焼結し難く、また� �成後の導電性反射膜の導電性と反射率が低� �してしまうからである。また、水と相溶す� �溶剤の含有量を全ての分散媒100質量%に対し� ��2質量%以上の範囲が好適であるとしたのは� �2質量%未満では、上記と同様に組成物を湿式 塗工法により塗工して得られた膜を低温で焼 結し難く、また焼成後の導電性反射膜の導電 性と反射率が低下してしまうからである。な お、水酸基(-OH)が銀ナノ粒子等の金属ナノ粒� ��を化学修飾する保護剤に含有されると、組� ��物の分散安定性が優れ、塗膜の低温焼結に� ��効果的な作用がある。カルボニル基(-C=O)が� ��ナノ粒子等の金属ナノ粒子を化学修飾する� ��護剤に含有されると、上記と同様に組成物� ��分散安定性が優れ、塗膜の低温焼結にも効� ��的な作用がある。分散媒に用いる水と相溶� ��る溶剤としては、アルコール類が好ましく� ��このうち、上記アルコール類としては、メ� ��ノール、エタノール、プロパノール、ブタ� ��ール、エチレングリコール、プロピレング� ��コール、ジエチレングリコール、グリセロ� ��ル、イソボニルヘキサノール及びエリトリ� ��ールからなる群より選ばれた1種又は2種以� �を用いることが特に好ましい。

 本発明の導電性反射膜を形成するための� ��属ナノ粒子を含む組成物を製造する方法は� ��下の通りである。

 (a) 銀ナノ粒子を化学修飾する保護剤の有� �分子主鎖の炭素骨格の炭素数を3とする場合
 先ず硝酸銀を脱イオン水等の水に溶解して� ��属塩水溶液を調製する。一方、クエン酸ナ� ��リウムを脱イオン水等の水に溶解させて得� ��れた濃度10~40%のクエン酸ナトリウム水溶液� ��、窒素ガス等の不活性ガスの気流中で粒状� ��は粉状の硫酸第一鉄を直接加えて溶解させ� ��クエン酸イオンと第一鉄イオンを3:2のモル� ��で含有する還元剤水溶液を調製する。次に� ��記不活性ガス気流中で上記還元剤水溶液を� ��拌しながら、この還元剤水溶液に上記金属� ��水溶液を滴下して混合する。ここで、金属� ��水溶液の添加量は還元剤水溶液の量の1/10以 下になるように、各溶液の濃度を調整するこ とで、室温の金属塩水溶液を滴下しても反応 温度が30~60℃に保持されるようにすることが� ��ましい。また上記両水溶液の混合比は、還� ��剤として加えられる第1鉄イオンの当量が、 金属イオンの当量の3倍となるように調整す� �。即ち、(金属塩水溶液中の金属イオンのモ� ��数)×(金属イオンの価数)=3×(還元剤水溶液中 の第1鉄イオンのモル数)となるように調整す� ��。金属塩水溶液の滴下が終了した後、混合� ��の撹拌を更に10~300分間続けて金属コロイド� ��らなる分散液を調製する。この分散液を室� ��で放置し、沈降した金属ナノ粒子の凝集物� ��デカンテーションや遠心分離法等により分� ��する。その後、この分離物に脱イオン水等� ��水を加えて分散体とし、限外ろ過により脱� ��処理し、更に引き続いてアルコール類で置� ��洗浄して、金属(銀)の含有量を2.5~50質量%に� ��る。その後、遠心分離機を用い、この遠心� ��離機の遠心力を調整して粗粒子を分離する� ��とにより、銀ナノ粒子が一次粒径10~50nmの範 囲内の銀ナノ粒子を数平均で70%以上含有する ように調製する。即ち数平均で全ての銀ナノ 粒子100%に対する一次粒径10~50nmの範囲内の銀� ��ノ粒子の占める割合が70%以上になるように� ��整する。これにより銀ナノ粒子を化学修飾� ��る保護剤の有機分子主鎖の炭素骨格の炭素� ��が3である分散体が得られる。

 続いて、得られた分散体を分散体100質量% に対する最終的な金属含有量(銀含有量)が2.5~ 95質量%の範囲内となるように調整する。また 、分散媒をアルコール類含有水溶液とする場 合には、溶媒の水及びアルコール類をそれぞ れ1%以上及び2%以上にそれぞれ調整すること� �好ましい。また、組成物中に添加物を更に� �ませる場合には、分散体に有機高分子、金� �酸化物、金属水酸化物、有機金属化合物及� �シリコーンオイルからなる群より選ばれた1� ��又は2種以上の添加物を所望の割合で添加す ることにより行われる。添加物の含有量は、 得られる組成物100質量%に対して0.1~20質量%の� ��囲内となるように調整する。これにより炭� ��骨格の炭素数が3である有機分子主鎖の保護 剤で化学修飾された銀ナノ粒子が分散媒に分 散した組成物が得られる。

 (b) 銀ナノ粒子を化学修飾する保護剤の有� �分子主鎖の炭素骨格の炭素数を2とする場合
 還元剤水溶液を調製するときに用いたクエ� ��酸ナトリウムをりんご酸ナトリウムに替え� ��こと以外は上記(a)と同様にして分散体を調� ��する。これにより銀ナノ粒子を化学修飾す� ��有機分子主鎖の炭素骨格の炭素数が2である 分散体が得られる。

 (c) 銀ナノ粒子を化学修飾する保護剤の有� �分子主鎖の炭素骨格の炭素数を1とする場合
 還元剤水溶液を調製するときに用いたクエ� ��酸ナトリウムをグリコール酸ナトリウムに� ��えること以外は上記(a)と同様にして分散体� ��調製する。これにより銀ナノ粒子を化学修� ��する有機分子主鎖の炭素骨格の炭素数が1で ある分散体が得られる。

 (d) 銀ナノ粒子以外の金属ナノ粒子を化学� �飾する保護剤の有機分子主鎖の炭素骨格の� �素数を3とする場合
 銀ナノ粒子以外の金属ナノ粒子を構成する� ��属としては、金、白金、パラジウム、ルテ� ��ウム、ニッケル、銅、錫、インジウム、亜� ��、鉄、クロム及びマンガンが挙げられる。� ��属塩水溶液を調製するときに用いた硝酸銀� ��、塩化金酸、塩化白金酸、硝酸パラジウム� ��三塩化ルテニウム、塩化ニッケル、硝酸第� ��銅、二塩化錫、硝酸インジウム、塩化亜鉛� ��硫酸鉄、硫酸クロム又は硫酸マンガンに替� ��ること以外は上記(a)と同様にして分散体を� ��製する。これにより銀ナノ粒子以外の金属� ��ノ粒子を化学修飾する保護剤の有機分子主� ��の炭素骨格の炭素数が3である分散体が得ら れる。

 なお、銀ナノ粒子以外の金属ナノ粒子を� ��学修飾する保護剤の有機分子主鎖の炭素骨� ��の炭素数を1や2とする場合、金属塩水溶液� �調製するときに用いた硝酸銀を、上記種類� �金属塩に替えること以外は上記(b)や上記(c)� �同様にして分散体を調製する。これにより� �銀ナノ粒子以外の金属ナノ粒子を化学修飾� �る保護剤の有機分子主鎖の炭素骨格の炭素� �が1や2である分散体が得られる。

 金属ナノ粒子として、銀ナノ粒子ととも� ��、銀ナノ粒子以外の金属ナノ粒子を含有さ� ��る場合には、例えば、上記(a)の方法で製造� ��た銀ナノ粒子を含む分散体を第1分散体とし 、上記(d)の方法で製造した銀ナノ粒子以外の 金属ナノ粒子を含む分散体を第2分散体とす� �と、75質量%以上の第1分散体と25質量%未満の� ��2分散体とを第1及び第2分散体の合計含有量� ��100質量%となるように混合する。なお、第1� �散体は、上記(a)の方法で製造した銀ナノ粒� �を含む分散体に留まらず、上記(b)の方法で� �造した銀ナノ粒子を含む分散体や上記(c)の� �法で製造した銀ナノ粒子を含む分散体を使� �しても良い。

 本発明の導電性反射膜の製造方法では、� ��ず、上記組成物を基材上又は基材に積層さ� ��た層上に湿式塗工法によって塗布し、焼成� ��の厚さが0.05~2.0μm、好ましくは0.1~1.5μmの厚� ��となるように塗膜を形成する。

 上記基材は、ガラス、透明導電材料を含む� ��ラミックス又は高分子材料からなる透光性� ��板のいずれか、或いはガラス、透明導電材� ��を含むセラミックス、高分子材料及びシリ� ��ンからなる群より選ばれた2種類以上の透光 性積層体を使用することができる。また透明 導電膜のいずれか1種を少なくとも含む基材� �、透明導電膜を表面に成膜した基材を用い� �もよい。透明導電膜としては、酸化インジ� �ム系、酸化スズ系、酸化亜鉛系が挙げられ� �。酸化インジウム系としては、酸化インジ� �ム、ITO(Indium Tin Oxide:インジウム錫酸化物)� �IZO(Indium Zic Oxide)が挙げられる。酸化錫系と しては、ネサ(酸化錫SnO ₂ )、ATO(Antimony Tin Oxide:アンチモンドープ酸化� ��)、フッ素ドープ酸化錫が挙げられる。酸化 亜鉛系としては、酸化亜鉛、AZO(アルミドー� �酸化亜鉛)、ガリウムドープ酸化亜鉛が挙げ� ��れる。基材は太陽電池素子又は透明電極付� ��太陽電池素子のいずれかであることが好ま� ��い。透明電極としては、ITO、ATO、ネサ、IZO� ��AZO等などが挙げられる。更に、チタン酸ジ� ��コン酸鉛(PZT)のような誘電体薄膜が基材表� �に形成されていてもよい。高分子基板とし� �は、ポリイミドやPET(ポリエチレンテレフタ� ��ート)等の有機ポリマーにより形成された基 板が挙げられる。上記分散体は太陽電池素子 の光電変換半導体層の表面や、透明電極付き 太陽電池素子の透明電極の表面に塗布される 。

 更に上記湿式塗工法は、スプレーコーテ� ��ング法、ディスペンサコーティング法、ス� ��ンコーティング法、ナイフコーティング法� ��スリットコーティング法、インクジェット� ��ーティング法、スクリーン印刷法、オフセ� ��ト印刷法又はダイコーティング法のいずれ� ��であることが特に好ましいが、これに限ら� ��るものではなく、あらゆる方法を利用でき� ��。

 スプレーコーティング法は分散体を圧縮� ��アにより霧状にして基材に塗布したり、或� ��は分散体自体を加圧し霧状にして基材に塗� ��する方法である。ディスペンサコーティン� ��法は、例えば分散体を注射器に入れこの注� ��器のピストンを押すことにより注射器先端� ��微細ノズルから分散体を吐出させて基材に� ��布する方法である。スピンコーティング法� ��分散体を回転している基材上に滴下し、こ� ��滴下した分散体をその遠心力により基材周� ��に拡げる方法である。ナイフコーティング� ��はナイフの先端と所定の隙間をあけた基材� ��水平方向に移動可能に設け、このナイフよ� ��上流側の基材上に分散体を供給して基材を� ��流側に向って水平移動させる方法である。� ��リットコーティング法は分散体を狭いスリ� ��トから流出させて基材上に塗布する方法で� ��る。インクジェットコーティング法は市販� ��インクジェットプリンタのインクカートリ� ��ジに分散体を充填し、基材上にインクジェ� ��ト印刷する方法である。スクリーン印刷法� ��、パターン指示材として紗を用い、その上� ��作られた版画像を通して分散体を基材に転� ��させる方法である。オフセット印刷法は、� ��に付けた分散体を直接基材に付着させず、� ��から一度ゴムシートに転写させ、ゴムシー� ��から改めて基材に転移させる、インクの撥� ��性を利用した印刷方法である。ダイコーテ� ��ング法は、ダイ内に供給された分散体をマ� ��ホールドで分配させてスリットより薄膜上� ��押し出し、走行する基材の表面を塗工する� ��法である。ダイコーティング法には、スロ� ��トコート方式やスライドコート方式、カー� ��ンコート方式がある。

  次に塗膜を有する基材を大気中若しく� �窒素やアルゴンなどの不活性ガス雰囲気中� �130~400℃、好ましくは150~350℃の温度に、5分� �~1時間、好ましくは15~40分間保持して焼成す� ��。ここで、湿式塗工法による塗布を、焼成� ��の厚さが0.05~2.0μmの範囲となるようにした� �は、0.05μm未満では太陽電池に必要な電極の� ��面抵抗値が不十分となるからである。また� ��2.0μmを越えると特性上の不具合はないけれ� ��も、材料の使用量が必要以上に多くなって� ��料が無駄になるからである。

 また塗膜を有する基材の焼成温度を130~400 ℃の範囲としたのは、130℃未満では、金属ナ ノ粒子同士の焼結が不十分になるとともに保 護剤の焼成時の熱により脱離或いは分解(分� �・燃焼)し難いため、焼成後の導電性反射膜� ��に有機残渣が多く残り、この残渣が変質又� ��劣化して導電性反射膜の導電性及び反射率� ��低下してしまうからである。また、焼成温� ��が400℃を越えると低温プロセスという生産� ��のメリットを生かせない。即ち、400℃を越� ��ると製造コストが増大し生産性が低下して� ��まい、特にアモルファスシリコン、微結晶� ��リコン、或いはこれらを用いたハイブリッ� ��型シリコン太陽電池における光電変換の光� ��長域に影響を及ぼしてしまうからである。

 更に、塗膜を有する基材の焼成時間を5分 間~1時間の範囲としたのは、5分間未満では金 属ナノ粒子同士の焼結が不十分になるととも に保護剤の焼成時の熱により脱離或いは分解 (分離・燃焼)し難いため、焼成後の導電性反� ��膜内に有機残渣が多く残り、この残渣が変� ��又は劣化して導電性反射膜の導電性及び反� ��率が低下してしまうからである。また、焼� ��時間が1時間を越えると特性には影響しない けれども、必要以上に製造コストが増大して 生産性が低下してしまうからである。

 添加物のうち、有機高分子であるPVP、PVP� ��共重合体、水溶性セルロースについては、� ��気中において、おおよそ200~300℃で徐々に熱 分解が始まることが知られているが、その分 解速度は極めて遅い。しかし、400℃を越える と急速に分解が進行する。例えば、金属ナノ 粒子膜を130℃で10分焼成した場合、これらの� ��機分子は焼成前の90%以上膜内に残留する。� ��方、金属ナノ粒子膜を400℃で10分焼成した� �合、これらの有機分子は50%以上膜内に残留� �る。

 上記条件で焼成することにより、基材上� ��は基材に積層された層上に導電性反射膜を� ��成することができる。このように、本発明� ��製造方法は、上記組成物を基材上又は基材� ��積層された層上に湿式塗工によって塗布し� ��塗膜を有する基材を焼成する簡易な工程で� ��電性反射膜を形成することができる。成膜� ��に真空プロセスを必要としないため、プロ� ��スの制約が小さく、また製造設備のランニ� ��グコストを大幅に低減することができる。

 上記製造方法により得られる本発明の導電� ��反射膜は、膜の基材側の接触面に出現する� ��孔の平均直径が100nm以下、気孔が位置する� �均深さが100nm以下、気孔の数密度が30個/μm ² 以下であることを特徴とする。
 なお、膜の基材側の接触面とは、基材上に� ��電性反射膜が形成される場合は、基材との� ��触面を、基材に積層された層上に導電性反� ��膜が形成される場合は、層との接触面を指� ��。

 膜の基材側の接触面に出現する気孔の平� ��直径を小さくし、気孔が位置する平均深さ� ��小さくし、気孔の数密度を低減させること� ��、ガラスなどの透光性基材上又は基材に積� ��した層上にこのような導電性反射膜を形成� ��た際の、基材側から測定した反射スペクト� ��が低減しはじめる変曲点が、短波長側へシ� ��トする。

 本発明の導電性反射膜は、膜の基材側の接� ��面に出現する気孔の平均直径を100nm以下の� �きさとし、気孔が位置する平均深さを100nm以 下とし、気孔の数密度を30個/μm ² 以下とする。これにより、本発明の導電性反 射膜は、透過率が98%以上の透光性基材を用い た際に、波長500~1200nmの範囲において、理論� �射率の80%以上の高い拡散反射率を達成でき� �。この波長500~1200nmの範囲は、多結晶シリコ� ��を光電変換層とした場合の、変換可能な波� ��をほぼ網羅する。また、本発明の導電性反� ��膜は、組成物中に含まれる金属ナノ粒子を� ��成する金属そのものが有する比抵抗に近い� ��抵抗が得られる。即ち、太陽電池用電極と� ��て使用可能なバルクと同程度の低い比抵抗� ��示す。また、本発明の導電性反射膜は、ス� ��ッタなどの真空プロセスで成膜した膜に比� ��、膜の反射率や密着性、比抵抗などの長期� ��定性に優れる。その理由としては、大気中� ��成膜した本発明の導電性反射膜は、真空中� ��成膜した膜に比べ、水分の浸入や酸化など� ��よる影響を受け難いことが挙げられる。
 上記本発明の導電性反射膜は、基材側から� ��反射率が高く、かつバルクと同程度の低い� ��抵抗を示すため、太陽電池の電極として用� ��ることができる。