Leiterbahnanordnunq und Verfahren zu deren Herstellung Technisches Gebiet

Die Erfindung betrifft allgemein eine Leiterbahnanordnung sowie ein Verfahren zu deren Herstellung.

Stand der Technik

Zur Herstellung von elektronischen Schaltkreisen werden üblicherweise Leiterbahnen auf einem nicht leitenden Substrat aufgebracht.

Zur Bildung einer Leiterbahn auf einem Substrat sind Verfahren zum Flammspritzen (Flame-Spraying) von Metallpulver auf einem Thermoplastmaterial bekannt.

Beispielsweise ist in der Patentschrift DE 101 09 087 A1 ein Verfahren zum Herstellen eines Formbauteils mit einer integrierten Leiterbahn offenbart.

Bedingt durch das Herstellungsverfahren weisen die abgeschiedenen Leiterbahnen keinen exakt definierten Rand auf, sondern bilden im Querschnitt ein Glockenprofil mit einem zentralen Maximum und weit auslaufenden Seitenrändern, wie es beispielsweise von einer Gau ßverteilung her bekannt ist,.

Um eine exakt definierte elektrische Trennung zwischen zwei benachbarten Leiterbahnen sicherzustellen, müssen diese in einem bestimmten Abstand zueinander vorgesehen werden. Auf diese Weise kann ein isolierender Abschnitt gewährleistet werden.

Die Möglichkeit, zwei Leiterbahnen in einem geringeren Abstand zueinander anzuordnen, ist mit den bestehenden Technologien stark begrenzt. Dies schränkt den Freiheitsgrad hinsichtlich der Dimensionierung und Formgebung des Substrats sowie der Leiterbahn und nicht zuletzt den Grad der Integration ein. Zur Verringerung eines minimalen Abstands zwischen zwei Leiterbahnen oder zur Erhöhung der Auflösung werden Masken für das Flammspritzen vorgeschlagen, um die Bereiche zwischen den Leiterbahnen abzuschatten und einen exakt definierten Rand der Leiterbahnen zu gewährleisten. Allerdings neigen derartige Masken dazu, nach mehrmaligem Gebrauch Rückstände des Metallpulvers anzulagern, so dass sie regelmäßig gereinigt werden müssen.

Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine zuverlässige und einfache Trennung benachbarter Leiterbahnen auf einem Substrat bereitzustellen.

Offenbarung der Erfindung

Diese Aufgabe wird durch die Leiterbahnanordnung gemäß Anspruch 1 sowie durch ein Formteil und ein Verfahren gemäß den nebengeordneten Ansprüchen gelöst.

Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der vorliegenden Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben. Gemäß einem ersten Aspekt ist eine Leiterbahnanordnung vorgesehen, die ein Substrat mit einer auf dem Substrat ausgebildeten, sich senkrecht zu einer Oberfläche des Substrats erstreckenden Struktur und einem der Struktur zugeordneten leitfähigen Abschnitt umfasst. Eine Idee der obigen Leiterbahnanordnung besteht darin, auf einem Substrat eine sich senkrecht zu einer Oberfläche des Substrats erstreckenden Struktur vorzusehen und einen leitfähigen Abschnitt auszubilden, beispielsweise durch ein gerichtetes Aufbringen von leitfähigem Material auf das Substrat, z. B. durch Bestrahlen mit leitfähigen Partikeln. Die vertikale Ausrichtung der Struktur ist so vorgesehen, dass sie einen Hinterschnitt in Bezug auf eine Richtung der Bestrahlung bildet. Somit können sich an der Struktur

Abschnitte, die durch das leitfähige Material der Bestrahlung nicht getroffen werden, und Abschnitte, auf denen das leitfähige Material der Bestrahlung abgeschieden wird, ausbilden. Auf diese Weise ist es möglich, benachbarte leitfähige Abschnitte auf einem Substrat zu schaffen und bedingt durch die Form der Strukturen auf dem Substrat ohne Verwendung einer Maske sicher elektrisch voneinander zu trennen, so dass eine Isolierwirkung benachbarter leitfähiger Abschnitte bereitgestellt wird.

Ferner werden hierdurch nachteilige Auswirkungen einer herkömmlich verwendeten Maske, wie beispielsweise Verschmutzung der Leiterbahnen, Beschädigung der

Leiterbahnen beim Entfernen der Maske, Verstopfung der Maskenöffnungen und dergleichen, verhindert und somit die Prozesssicherheit erhöht.

Zusätzlich können auf diese Weise mit nur einer einzigen Bestrahlung mehrere

Leiterbahnen gleichzeitig erzeugt werden.

Überdies kann durch Substratgestaltung und Orientierung des Substrats zur Richtung der Bestrahlung eine Leiterbahnbreite gezielt eingestellt werden. Dadurch kann die Größe des Substrats minimiert werden, so dass bei der Gestaltung von funktionalen Bauteilen ein erhöhter Freiheitsgrad bereitgestellt ist.

Es kann vorgesehen sein, dass der der Struktur zugeordnete leitfähige Abschnitt an der Struktur ausgebildet ist. Beispielsweise kann der der Struktur zugeordnete leitfähige Abschnitt direkt an die Struktur angrenzend ausgebildet sein. Alternativ ist vorgesehen, dass der der Struktur zugeordnete leitfähige Abschnitt in einem geringen Abstand zu der Struktur an dieser ausgebildet sein kann. In beiden Fällen ist vorgesehen, dass der der Struktur zugeordnete leitfähige Abschnitt im Wesentlichen einem Teil eines Umrisses der Struktur nachgebildet sein kann.

Weiterhin kann die Leiterbahnanordnung derart ausgebildet sein, dass sie bezüglich der Oberfläche des Substrats hervorstehende und/oder vertiefte Strukturabschnitte umfasst. Sowohl eine hervorstehende Struktur als auch eine, beispielsweise als Ausnehmung ausgebildete, vertiefte Struktur können je nach der Richtung der Bestrahlung bezüglich der Oberfläche des Substrats eine Abschattung der Bestrahlung bewirken.

Gemäß einer Ausführungsform kann die Struktur eine Längserstreckung aufweisen und der der Struktur zugeordnete leitfähige Abschnitt kann eine Leiterbahn bilden. Beispielsweise kann vorgesehen sein, dass die Struktur eine Längserstreckung aufweist. Nach einer Bestrahlung kann sich der der Struktur zugeordnete leitfähige Abschnitt ebenfalls im Wesentlichen entlang der Längserstreckung der Struktur erstrecken, so dass eine Leiterbahn auf dem Substrat ausgebildet wird.

Insbesondere kann die Struktur bei der Herstellung des Substrats einstückig mit dem Substrat ausgebildet sein. Somit kann bereits bei der Fertigung des Substrats die

Ausbildung der Leiterbahnanordnung nach einer Bestrahlung des Substrats festgelegt werden.

Gemäß einer Ausführungsform kann der leitfähige Abschnitt durch eine Bestrahlung des Substrats mit, insbesondere leitfähigen, Materialpartikeln ausgebildet sein. Die mittels der Bestrahlung abgeschiedenen Materialpartikel können durch Berührung miteinander leitfähige Verbindungen bilden, so dass nach hinreichender Bestrahlung ein leitfähiger Abschnitt gebildet wird. Bei dem Material kann es sich insbesondere um Metallpartikel handeln.

Eine Haftung der Materialpartikel auf dem Substrat oder eine Haftung des

abgeschiedenen Materials ist abhängig von einem Winkel zwischen der Bestrahlung und dem Normalenvektor der Substratfläche. Eine maximale Haftung wird erreicht, wenn die Bestrahlung senkrecht auf die Substratfläche auftrifft. Liegt zwischen der Bestrahlung und dem Normalenvektor der Substratfläche ein von 0° verschiedener Winkel, so ist eine aufgetragene Materialmenge geringer. Bilden Bestrahlung und Normalenvektor einen rechten Winkel, also bei streifendem Einfall, so wird nahezu kein Material abgeschieden. Auf einer einen Hinterschnitt aufweisenden Fläche wird in dem abgeschatteten Bereich kein Material abgeschieden.

Es kann vorgesehen sein, dass die Bestrahlung mit einer Strahlung erfolgt, die das Substrat oder eine auf dem Substrat vorgesehene Lage am Bestrahlungsort umwandelt.

Beispielsweise kann das Substrat aus einem isolierenden Material gebildet sein, das durch eine geeignete Bestrahlung an den Auftrefforten der Strahlung leitfähig wird. Alternativ kann auf dem Substrat eine Lage eines gegenüber der Bestrahlung

empfindlichen Materials vorgesehen sein. In diesem Fall kann im Anschluss an die Bestrahlung beispielsweise in einem ersten Schritt eine Fixierung und in einem

nachfolgenden Schritt eine Beschichtung mit einem leitfähigen Material vorgesehen sein. Beispielsweise kann der durch die Hinterschneidungen der Struktur abgeschattete

Bereich mit einem Aktivator versehen sein, so dass im Anschluss nur in diesem Bereich in einem chemo-galvanischen Schritt ein leitfähiger Abschnitt gebildet werden kann.

Eine auf dem Substrat gebildete Struktur, die zwischen zwei benachbarten Leiterbahnen vorliegt, ist in der Lage, einen Isolierabschnitt zwischen den beiden Leiterbahnen bereitzustellen, sofern sie bezüglich der Bestrahlung einen Hinterschnitt bildet.

Weiterhin kann die Leiterbahnanordnung derart ausgebildet sein sein, dass die Struktur auf dem Substrat als eine hervorstehende Struktur gebildet ist und jeweils an einer ersten Flanke der Struktur ein erster leitfähiger Abschnitt und an einer zweiten Flanke der

Struktur ein zweiter leitfähiger Abschnitt gebildet ist. Insbesondere kann die Struktur über den ersten leitfähigen Abschnitt und den zweiten leitfähigen Abschnitt hinausragen.

Gemäß einer Ausführungsform kann die Struktur in Form eines Stegs auf dem Substrat ausgebildet sein. Nach einer senkrechten Bestrahlung des Substrats bilden sich an einer ersten Flanke des Stegs, beispielsweise einer linken Seite, sowie an einer zweiten Flanke des Stegs, beispielsweise einer rechten Seite, ein erster leitfähiger Abschnitt und ein zweiter leitfähiger Abschnitt, die durch den Steg voneinander getrennt sind. Zwar bildet sich auf dem Steg selbst ebenfalls ein leitfähiger Abschnitt, dieser wird allerdings bei geeigneter Bestrahlung einen isolierenden Abstand zu dem ersten leitfähigen Abschnitt sowie zu dem zweiten leitfähigen Abschnitt aufweisen. Auf diese Weise ist ein Abstand zwischen zwei leitfähigen Abschnitten auf einem Substrat durch eine minimal herstellbare Stegbreite begrenzt. Dadurch ist es möglich, kleine Leiterbahnanordnungen herzustellen und somit eine Bauraumgröße eines Substrats zu verringern.

Es kann vorgesehen sein, dass auf dem Substrat wenigstens eine erste Struktur und eine zweite Struktur ausgebildet sind, wobei die erste Struktur wenigstens eine schräge erste Flanke und die zweite Struktur wenigstens eine schräge erste Flanke umfassen, wobei ein erster leitfähiger Abschnitt auf der schrägen ersten Flanke der ersten Struktur und ein zweiter leitfähiger Abschnitt auf der schrägen ersten Flanke der zweiten Struktur ausgebildet sind.

Mit schräger Flanke ist hier insbesondere gemeint, dass die Flanke weder genau senkrecht auf der Substratoberfläche noch parallel zu dieser angeordnet ist.

Beispielsweise kann die Fläche der Flanke mit der Substratoberfläche einen Winkel von 30°, 45°, 60°, 70° oder 80° oder einem dazwischen liegenden Wert aufweisen. Diese Geometrie ermöglicht weitere Freiheitsgrade bei der Herstellung einer

Leiterbahnanordnung. Wird beispielsweise der Bestrahlungswinkel derart gewählt, dass die erste Struktur die zweite Struktur weitgehend abschattet, so wird sich auf der schrägen ersten Flanke der ersten Struktur ein breiterer leitfähiger Abschnitt als auf der schrägen ersten Flanke der zweiten Struktur ausbilden. Auf diese Weise ist es möglich, einen Leitungswiderstand eines leitfähigen Abschnitts einzustellen. Es versteht sich, dass die Bestrahlung weitestgehend senkrecht auf die schräge erste Flanke der ersten Struktur und die schräge erste Flanke der zweiten Struktur gerichtet ist.

Es kann vorgesehen sein, dass die Struktur als eine Ausnehmung ausgebildet ist. Um eine Hinterschneidung durch eine erste Flanke der als Graben ausgebildeten Struktur zu erzielen, wird in diesem Fall die Bestrahlung nicht senkrecht auf das Substrat erfolgen.

Gemäß einem Aspekt ist ein Formteil vorgesehen, das eine wie oben beschriebene Leiterbahnanordnung umfasst. Bei dem Formteil kann es sich beispielsweise um ein Gehäuse einer elektrischen Vorrichtung handeln. Beispielsweise kann es sich um ein Scheinwerferformteil in einem Kraftfahrzeug handeln. In diesem Fall kann beispielsweise die Struktur derart vorgesehen sein, dass nach einer Bestrahlung leitfähige Abschnitte auf dem Formteil vorliegen, so dass Kabelzuführungen für einen Scheinwerfer entfallen können. Hierdurch kann ein Einbau eines Scheinwerfers bei einer

Kraftfahrzeugproduktion vereinfacht sein. Alternativ kann vorgesehen sein, die Strukturen an einer Innenseite eines elektrischen Handgeräts, wie beispielsweise eines Akkuschraubers oder Akkustaubsaugers, vorzusehen, so dass eine Kabelverbindung zwischen einem Batterie- oder Akkufach zum elektrischen Motor entfallen kann. Dadurch, dass die Struktur bereits bei der Herstellung des das Substrat darstellenden Formteils gebildet wird, kann eine Produktion von mit Formteilen gebildeten elektrischen Geräten allgemein vereinfacht sein. Die oben beschriebene Leiterbahnanordnung ermöglicht nahe aneinander liegende leitfähige Abschnitte und somit nahe aneinander liegende Leiterbahnen, da ein wirksamer Isolationsbereich in einer geringen Größe ausgebildet werden kann, so dass ein Formteil flexibel gefertigt werden und insbesondere eine flexible Bauraumgröße aufweisen kann.

Gemäß einem Aspekt ist ein Verfahren zum Aufbringen einer Leiterbahn vorgesehen. Dabei wird leitfähiges Material gerichtet auf ein Substrat mit einer darauf ausgebildeten Struktur aufgebracht, um einen leitfähigen Abschnitt an der Struktur auszubilden.

In einer Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass die auf dem Substrat gebildete Struktur eine derartige Längserstreckung aufweist, dass der leitfähige Abschnitt als Leiterbahn ausgebildet wird. Zusammengefasst gestattet die oben beschriebene Leiterbahnanordnung, sofern durch die Geometrie des Substrates bedingt eine elektrisch isolierende Trennung der

Leiterbahnen bereitgestellt ist, die Herstellung von benachbarten leitfähigen Abschnitten oder Leiterbahnen in einem Prozessschritt, indem die Bestrahlung zeitgleich eine größere Substratfläche überstreicht. Dies gestattet ein beschleunigtes Aufbringen der leitfähigen Abschnitte oder Leiterbahnen.

Kurzbeschreibungen der Zeichnungen

Bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend anhand der beigefügten Zeichnungen näher erläutert, in denen gleiche oder ähnliche

Bezugszeichen gleiche oder ähnliche Merkmale bezeichnen. Es zeigen:

Figur 1 eine Darstellung einer Leiterbahnanordnung gemäß dem Stand der

Technik auf einem Substrat;

Figur 2 eine Darstellung einer Leiterbahnanordnung mit einer als Steg

ausgebildeten Struktur;

Figur 3 eine Darstellung einer Bestrahlung eines Substrats, das mit Strukturen mit mehreren schrägen Flanken versehen ist; Figur 4 eine Querschnittsansicht gemäß Figur 3 gebildeter, benachbarter

Leiterbahnen; und Figur 5eine Darstellung einer Bestrahlung eines Substrats, in welchem die Struktur als Ausnehmung ausgebildet ist.

Beschreibung von Ausführungsformen Figur 1 zeigt in einer perspektivischen Draufsicht eine herkömmliche

Leiterbahnanordnung 1 , die auf einer Substratoberfläche 4 eines Substrats 3 ausgebildet ist.

Auf der Substratoberfläche 4 sind eine erste Leiterbahn 51 und eine zweite Leiterbahn 52 gebildet. Die beiden Leiterbahnen 51 , 52 sind in diesem Beispiel durch eine Bestrahlung gemäß dem Stand der Technik aufgebracht. Daher weisen die Leiterbahnen 51 , 52 im Querschnitt - in Richtung der Erstreckung der Leiterbahn betrachtet - ein Glockenprofil gemäß einer Gaußkurve auf. Die erste Leiterbahn 51 weist im Querschnitt einen

Scheitelpunkt 91 auf sowie einen Randbereich 71 , welcher nur noch eine verschwindend geringe Menge an aufgestrahltem Material aufweist, wobei allerdings die Menge an aufgestrahltem Material noch ausreichend für ein leitfähige Verbindung ist. Die zweite Leiterbahn 52 weist im Querschnitt einen Scheitelpunkt 92 auf sowie einen Randbereich 72, welcher nur noch sehr wenig, allerdings zum Ausbilden einer leitfähigen Verbindung ausreichendes, aufgestrahltes Material aufweist.

Sofern ein Abstand zwischen der ersten Leiterbahn 51 und der zweiten Leiterbahn 52 ausreichend groß gewählt wurde, so dass sich der Randbereich 71 der ersten

Leiterbahn 51 und der Randbereich 72 der zweiten Leiterbahn 52 nicht überlappen, kann ein Isolierabschnitt zwischen der ersten und der zweiten Leiterbahn gebildet sein. Es ist unmittelbar verständlich, dass dieser Abstand aufgrund des Glockenprofils groß zu wählen ist.

In den im Folgenden beschriebenen Ausführungsformen werden die leitfähigen Abschnitte mit Leiterbahnen identifiziert. Figur 2 zeigt in einer perspektivischen Draufsicht eine Leiterbahnanordnung 1 , die auf einer Oberfläche 4 eines Substrats 3 gebildet ist, welches eine als Steg ausgebildete Struktur 33 der Breite b aufweist. Der Steg weist eine Höhe H auf und ist einstückig mit dem Substrat 3 ausgebildet, beispielsweise in einem Spritzgussverfahren. Ferner weist die Struktur 33 eine erste Flanke 261 sowie eine zweite Flanke 262 auf. Die Oberfläche 4 des Substrats 3 wird einer hier nicht dargestellten Bestrahlung mit, beispielsweise leitfähigen, Materialpartikeln ausgesetzt. Auf diese Weise werden eine erste Leiterbahn 12 und eine zweite Leiterbahn 13 direkt angrenzend an die erste Flanke 261 und die zweite Flanke 262 gebildet.

Die Bestrahlung erfolgt nur so lange, bis sichergestellt ist, dass eine Scheitelhöhe h der beiden durch Bestrahlung gebildeten Leiterbahnen die Höhe H der Struktur 33 nicht übersteigt. Auf diese Weise ist ein Überstand 32 gebildet. Überdies ist hierdurch ein Isolierabschnitt 1 1 zwischen der ersten und der zweiten Leiterbahn 12, 13 gebildet, da an der ersten Flanke 261 und der zweiten Flanke 262 im Bereich des Überstands 32 kein leitfähiges Material am Steg 33 abgeschieden wurde.

Die Höhe h der Leiterbahnen 12, 13 entspricht den Scheitelpunkten 291 und 292 der ersten Leiterbahn 12 bzw. der zweiten Leiterbahn 13. Lediglich zur Ergänzung ist der Randbereich 271 der ersten Leiterbahn 12 sowie der Randbereich 272 der zweiten Leiterbahn 13 bezeichnet.

Der Darstellung dieser Ausführungsform lässt sich unmittelbar entnehmen, dass ein geringer Abstand zwischen der ersten Leiterbahn 12 und der zweiten Leiterbahn 13 möglich ist, welcher der Breite b des Stegs 33 entspricht. Somit ist eine Flexibilität bei der Herstellung eines Formteils 2 verbessert, da Leiterbahnen zur Erzielung einer

gegenseitigen Isolation lediglich noch den Abstand b einhalten müssen.

Figur 3 stellt ein Verfahren zum Aufbringen einer Leiterbahn auf einem Substrat dar. Ein Substrat 3 weist an seiner Substratoberfläche 4 eine erste Struktur 431 , eine zweite

Struktur 432 sowie eine dritte Struktur 433 auf. Die erste Struktur 431 weist eine schräge erste Flanke 441 sowie eine zweite Flanke 461 auf. Die zweite Struktur 432 weist eine schräge erste Flanke 442 sowie eine zweite Flanke 462 auf. Die dritte Struktur 433 weist eine schräge erste Flanke 443 sowie eine zweite Flanke 463 auf. Die drei Strukturen 431 , 432 sowie 433 sind aneinander angrenzend ausgebildet. Es versteht sich, dass das Substrat 3 gemeinsam mit den drei Strukturen 431 , 432 und 433 ein Formteil 2 bilden kann.

In einem Abstand von dem Formteil 2 ist eine Bestrahlungsvorrichtung 101 angeordnet. Aus einer Öffnung 103 der Bestrahlungsvorrichtung 101 tritt eine Bestrahlung 105 aus, die auf die drei Strukturen 431 , 432 sowie 433 gerichtet ist, insbesondere auf die schräge erste Flanke 441 der ersten Struktur 431 , die schräge erste Flanke 442 der zweiten Struktur 432 sowie die schräge erste Flanke 443 der dritten Struktur 433. Die Bestrahlung 105 fällt vorzugsweise im Wesentlichen senkrecht auf die schräge erste Flanke 441 der ersten Struktur 431 , die schräge erste Flanke 442 der zweiten Struktur 432 sowie die schräge erste Flanke 443 der dritten Struktur 433. Auf diese Weise ist ein optimales Schaffen von Leiterbahnen auf dem Formteil 2 gewährleistet. Durch ein Zusammenwirken der Bestrahlung 105 und einer durch Hinterschneidung der zweiten Flanken der jeweiligen Strukturen können in einem einzigen Bestrahlungsvorgang mehrere, gegeneinander isolierte Leiterbahnen hergestellt werden, wie in der

nachfolgenden Figur 4 gezeigt ist.

Figur 4 zeigt im Detail, wie zwei gegeneinander isolierte Leiterbahnen 12, 13 auf einem Formteil 2 mit geeigneten Strukturen 3 und geeigneter Bestrahlung 105 erzeugt werden.

Auf einer Oberfläche 4 eines Substrats 3 sind zwei Strukturen 531 und 532 angeordnet, die vorzugsweise einstückig mit dem Substrat 3 gebildet sind. Die Struktur 531 weist eine schräge erste Flanke 541 auf sowie eine zweite Flanke 561 , an welche sich eine schräge erste Flanke 542 der zweiten Struktur 532 unmittelbar anschließt. Ferner weist die

Struktur 532 eine zweite Flanke 562 auf. Eine Höhe H1 der zweiten Flanke 561 der ersten Struktur 531 wird in der Regel mit einer Höhe H2 der zweiten Flanke 562 der zweiten Struktur 532 übereinstimmen. Es wird allerdings auch erwogen, dass die Höhen H1 und H2 voneinander abweichen können.

Die schräge erste Flanke 541 der ersten Struktur 531 schließt einen Winkel ß mit der zweiten Flanke 561 der ersten Struktur 531 ein. Es kann vorgesehen sein, dass die zweite Flanke 561 der ersten Struktur 531 senkrecht auf der Substratoberfläche 4 steht. Es wird ferner erwogen, die zweite Flanke 562 der zweiten Struktur 532 ebenfalls senkrecht auf der Substratoberfläche 4 auszurichten. Die schräge erste Flanke 541 der ersten Struktur 531 ist vorzugsweise parallel zu der schrägen ersten Flanke 542 der zweiten Struktur 532.

Das mit diesen Strukturen 531 und 532 versehene Formteil 2 wird mit einer Bestrahlung 105 bestrahlt. Die Bestrahlung 105 ist im Wesentlichen senkrecht auf die schräge erste Flanke 541 der ersten Struktur 531 sowie die parallel dazu ausgerichtete schräge erste Flanke 542 der zweiten Struktur 532 gerichtet. Bei der Bestrahlung 105 kann es sich beispielsweise um eine Bestrahlung mit, beispielsweise leitfähigen, Materialpartikeln, handeln.

Auf diese Weise wird, wie grundsätzlich bekannt, eine Menge von Materialpartikeln gemäß einer Glockenkurve auf dem Formteil 2 abgeschieden. Dadurch, dass die zweite Flanke 561 der ersten Struktur 531 für die Bestrahlung 105 eine Hinterschneidung darstellt, teilt sich das erwähnte Glockenprofil jedoch auf die schräge erste Flanke 541 der ersten Struktur 531 und die schräge erste Flanke 542 der zweiten Struktur 532 auf. Ein Maximum des Materialauftrags liegt bei dieser Konfiguration nahe einer Abschattungslinie 58, die bei Bestrahlung zwischen der ersten Struktur 531 und der zweiten Struktur 532 gebildet wird. Diese Punkte mit maximalem Materialauftrag sind in der Figur als

Scheitelpunkt 591 sowie Scheitelpunkt 592 bezeichnet. Ein Randbereich von Material, der auf der schrägen ersten Flanke 541 der ersten Struktur 531 gebildet wird, ist mit dem

Bezugszeichen 571 bezeichnet. Ein weiterer Bereich mit geringem Materialauftrag auf der schrägen ersten Flanke 541 der zweiten Struktur 532 ist mit dem Bezugszeichen 572 bezeichnet. Das Ergebnis der Bestrahlung 105 ist eine erste Leiterbahn 551 , die auf der schrägen ersten Flanke 541 der ersten Struktur 531 gebildet ist, sowie eine zweite Leiterbahn 552, die auf der schrägen ersten Flanke 542 der zweiten Struktur 532 gebildet ist. Eine Breite x1 der ersten Leiterbahn 551 ist hier deutlich größer als eine Breite x2 der zweiten

Leiterbahn 552. Dies rührt von einer Abschattung her, die die zweite Flanke 561 der ersten Struktur 531 gegenüber der schrägen ersten Flanke 542 der zweiten Struktur 532 bewirkt. Auf diese Weise kann beispielsweise der Widerstand einer Leiterbahn eingestellt werden. In diesem Beispiel wäre der Widerstand der zweiten Leiterbahn 552 aufgrund des geringeren Querschnitts größer als der Widerstand der ersten Leiterbahn 551 . Ein Isolierabschnitt 1 1 zwischen der ersten Leiterbahn 551 und der zweiten Leiterbahn 552 ist durch einen von einer Leiterbahn freien Bereich 54 der ersten Struktur 531 sowie einen von einer Leiterbahn freien Bereich 55 auf der schrägen ersten Flanke 542 der zweiten Struktur 532 gebildet.

Ein Formteil 2, das mit den beschriebenen Strukturen 531 und 532 versehen ist, ermöglicht die relativ einfache Ausbildung von zwei gegeneinander isolierenden

Leiterbahnen in einem einzigen Prozessschritt. Es ist denkbar, die ersten und zweiten Strukturen 531 , 532 derart fortzusetzen, dass eine Art feines, sägezahnartiges Profil auf dem Formteil entsteht und auf diese Weise nach einer Bestrahlung eine Vielzahl von

Leiterbahnen in einem einzigen Prozessschritt gleichzeitig auf dem Formteil 2 aufgebracht werden können, um so eine Leiterbahnanordnung mit einer Vielzahl von Leiterbahnen zu erzeugen. Figur 5 zeigt eine weitere Ausführungsform, bei der in eine Oberfläche 4 eines Substrats 3 eine Struktur 63 eingebracht ist, die die Gestalt einer Ausnehmung 63 aufweist. Diese Struktur 63 weist eine erste Flanke 661 sowie eine zweite Flanke 662 auf, die durch einen Boden 67 der Struktur 63 miteinander verbunden sind. Wird dieses Formteil 2 einer Bestrahlung 105 mit Materialpartikeln ausgesetzt, wobei ein von der Senkrechten abweichender Bestrahlungswinkel gewählt ist, so bilden sich auf der Substratoberfläche 4 auf beiden Seiten der Struktur 63 Materialablagerungen.

Allerdings bewirkt aufgrund der von der Senkrechten abweichenden Bestrahlung 105 die erste Flanke 661 der Struktur 63 eine Abschattung der Bestrahlung 105 entlang einer Abschattungslinie 68. Hierdurch ist einerseits die erste Flanke 661 der Struktur 63 frei von Materialpartikeln und es wird ein bis zum Auftreffpunkt der Abschattungslinie 63 auf dem Boden 67 der Struktur 63 reichender materialfreier und somit isolierender Isolierabschnitt 1 1 zwischen einer ersten entstandenen Leiterbahn 651 und einer zweiten entstandenen Leiterbahn 652 gebildet.