技术领域 本发明属于有机材料技术领域， 具体涉及一种含芴卟啉 -蒽共聚物、 其制备 方法和应用。

说 背景技术

当今世界经济主要是建立在以化石能源， 如煤炭、 石油和天然气等基础之 上的经济。然而，这些不可再生的化石能源都 在书不断的枯竭。进入 21世纪以来， 全球性的能源问题以及随之而来的环境污染和 气候变暖等问题日益凸现和逐渐 加剧。 由于太阳能具有分布普遍和广阔， 资源数量多， 无污染， 清洁， 安全以 及获取方便等突出优点， 被认为是最有希望的可再生能源之一。

为充分利用太阳光照射的能量， 人们不断开发出能够吸收太阳光的新型材 料， 其中无机半导体材料获得较为广泛的发展和应 用， 例如目前用于地面的硅 晶电池， 然而由于其生产工艺复杂、 成本高， 使其应用受到限制。 为了降低成 本， 拓展应用范围， 长期以来人们一直在寻找新型的替代的半导体 材料。

近年来，有机材料逐渐弓 I起人们广泛的兴趣，例如，在 1992年 N. S. Sariciftci 等报道了共轭聚合物与 C _6Q 之间的光诱导电子转移现象后， 人们在共轭聚合物 用作太阳能电池等方面投入了大量研究， 并取得了飞速的发展。 太阳能电池直 接把太阳光能转化成电能， 是利用太阳能切实可行的有效方法。

有机太阳能电池是一种新型的太阳能电池， 相对于无机半导体材料来源有 限、 价格昂贵、 有毒、 制备工艺复杂、 成本太高等而言， 它具有无机太阳能电 池无法比拟的一些优点， 如材料来源广泛、 结构多样性和可调控性、 成本低廉、 安全环保、 制作工艺筒单、 产品重量轻、 可大面积柔性制备等等， 可以广泛应 用在建筑、 照明和发电等多种领域， 具有重要的发展和应用前景。 然而， 到目 前为止， 有机太阳能电池的光电转换效率比无机太阳能 电池还是要低很多。 因 此， 开发新型的有机材料对于提高有机太阳能电池 及其它半导体器件或光电器 件的效率具有重要意义。

发明内容

有鉴于此， 提供一种光谱响应宽、 稳定性好的含芴卟啉 -蒽共聚物， 以及一 种合成路线简单、 成本低的含芴卟啉-蒽共聚物制备方法。

本发明实施例还提供上述含芴卟啉-蒽共聚物� �制造太阳能电池器件、有机 场效应晶体管、 有机电致发光器件、 有机光存储器件、 有机非线性材料或有机 激光器件中的应用。

一种含芴卟啉 -蒽共聚物， 其包含如下结构式（1 )表示的聚合物：

式中： R R ₂ 、 R ₃ 、 R4为相同或不相同的（^-( ₁₆ 的烷基； n为 1-100之间 的整数。

一种含芴卟啉-蒽共聚物制备方法， 其包括如下步骤：

分别提供如下结构式表示的化合物 A、 B、 C、 D,

R ₂ 、 R ₃ 、 R4为相同或不同的 C _r C ₁₆ 的烷基；

在含有催化剂、 氧化剂和溶剂的体系中， 将化合物八、 B、 C进行缩聚氧化 反应， 生成芴基卟啉化合物；

在含有催化剂和溶剂的体系中 , 将芴基卟啉化合物进行溴化取代反应 , 生 成二溴取代的芴基卟啉化合物；

在催化剂、 溶剂以及碱性溶液存在的条件下， 将二溴取代的芴基卟啉化合 物与化合物 D进行 Suzuki聚合反应， 获得如下结构式 (1)表示的聚合物：

结构式 (1)中的 n为 1-100之间的整数。

以及，上述含芴卟啉-蒽共聚物在制造太阳能� �池器件、有机场效应晶体管、 有机电致发光器件、 有机光存储器件、 有机非线性材料或有机激光器件中的应 用。

在上述含芴卟啉-蒽共聚物中，所含的芴或其� �生物具有优异的光稳定性和 热稳定性， 并具有易修饰的结构， 可以通过引入杂环、 多芳环或芳杂环分子来 增大含芴卟啉 -蒽共聚物的骨架电子云的密度， 使得共聚物的带隙变窄。 卟啉结 构能使共聚物具有较高的电荷转移和能量转移 反应的量子效率， 具有良好的电 子緩冲性和光电磁性， 良好的刚柔性、 较好热稳定性和环境稳定性。 共聚物中 的蒽也具有很好的稳定性和较好的成膜性， 并且具有较好的载流子传输特性， 其空穴迁移率较高， 因此可提高含芴卟啉-蒽共聚物的载流子传输� �性， 提高空 穴迁移率。上述含芴卟啉-蒽共聚物应用于太� �能电池器件、有机场效应晶体管、 有机电致发光器件、 有机光存储器件、 有机非线性材料或有机激光器件中时， 可提高其光电或半导体相关性能， 并能减轻器件的质量，且便于大批量的制备。 附图说明

下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说 明， 附图中：

图 1是本发明实施例的含芴卟啉-蒽共聚物的结构� ��的示意图；

图 2是本发明实施例的含芴卟啉 -蒽共聚物制备方法流程图；

图 3 是釆用本发明实施例的含芴卟啉-蒽共聚物的� �阳能电池器件结构示 意图。

图 4是采用本发明实施例的含芴卟啉-蒽共聚物的� ��机电致发光器件的结 构示意图。

图 5 是采用本发明实施例的含芴卟啉-蒽共聚物的� �机场效应晶体管的结 构示意图。 具体实施方式

为了使本发明的目的、 技术方案及优点更加清楚明白， 以下结合附图及实 施例， 对本发明进行进一步详细说明。 应当理解， 此处所描述的具体实施例仅 仅用以解释本发明， 并不用于限定本发明。

请参阅图 1 , 显示本发明实施例的含芴卟啉-蒽共聚物的结� �式， 即为如下 结构式（1 )表示的共聚物：

式中： 、 、 ₃ R4为相同或不相同的 -C ₁₆ 的烷基； n为 1-100之间 的整数。

在本发明的一个实施例中，含芴卟啉-蒽共聚� �的每个单元中具有两个相同 的含烷基芴基团， 也即， 例如 R,、 R ₃ 为相同的 C _r C ₁₆ 烷基， R ₂ 、 R4为相同的 -C^烷基，或者换句话说， 、1 4为相同的 -Cw烷基， R ₂ 、R ₃ 为相同的 -C ₁₆ 烷基。 这样可以简化制备工艺， 降低生产成本， 另外， 含有烷基有助于提高共 聚物的溶解性能。 优选地， 所述 、 R ₂ 、 R ₃ 、 R4为相同的（^-(： ₁₆ 的垸基。 n优 选为 5-50, 更优选为 10-30之间的整数。 在本发明的一个具体实施例中， R _t 、 R ₂ 、 R ₃ 、 R4为 C ₈ 烷基。

在该含芴卟啉-蒽共聚物中， 包括芴或其衍生物、卟啉结构和蒽结构。其中 ， 芴或其衍生物具有优异的光稳定性和热稳定性 ， 并具有易修饰的结构、 可以通 过引入杂环、多芳环或芳杂环分子来增大含芴 卟啉-蒽共聚物的骨架电子云的密 度， 使得共聚物的带隙变窄。 卟啉结构能使共聚物具有较高的电荷转移和能 量 转移反应的量子效率， 具有良好的电子緩冲性和光电磁性， 良好的刚柔性、 较 好热稳定性和环境稳定性。 蒽也具有很好的稳定性和较好的成膜性， 并且具有 较好的载流子传输特性， 其空穴迁移率较高， 因此可提高含芴卟啉 -蒽共聚物的 载流子传输特性， 提高空穴迁移率。

上述含芴卟啉-蒽共聚物包含多个噻吩环， 具有适中的能带隙， 较宽的光谱 响应， 波段大约在 300 -700 nm, 基本涵盖可见光波段， 还具有较好的热稳定性 和环境稳定性， 表现出较好的光电性能。 在本实施例的含芴卟啉-蒽共聚物中， R R ₂ 、 R ₃ 、 R4优选为烷基链， 例如 C ₆ 或 C ₆ 以上的烷基链， 通过引入烷基链以 提高材料的溶解性能， 有利于成膜加工， 扩大其应用范围。

请参阅图 2, 上述含芴卟淋-蒽共聚物的制备方法包括如下� �骤：

S01 : 分别提供如下结构式表示的化合物 A、 B、 C, D，

R ₂ 、 R ₃ 、 R4为相同或不同的（^ (^的烷基；

S02: 在含有催化剂、 氧化剂和溶剂的体系中， 将化合物 、 B、 C进行缩 聚氧化反应， 生成芴基卟啉化合物；

S03:在含有催化剂和溶剂的体系中，将芴基卟� �化合物进行溴化取代反应， 生成二溴取代的芴基卟啉化合物；

S04: 在催化剂、溶剂以及碱性溶液存在的条件下， 将二溴取代的芴基卟淋 化合物与化合物 D进行 Suzuki聚合反应， 获得如下结构式 (1)表示的聚合物：

结构式 (1)中的 n为 1-100之间的整数。

在步骤 S01中， 化合物 A、 B、 ：、 D可直接从市场上购得或者通过现有的 合成方法制备。 其中， 与上述含芴卟啉-蒽共聚物的描述基本相同， 、 R ₂ 、 R ₃ 、 R4采用上面描述的结构形式， 在此不再赘述。 例如， 如前所述， 在一个优选的 实施例中， R】、 R ₃ 为相同的 C _r C ₁₆ 烷基， R ₂ 、 R4为相同的 d-C ₁₆ 烷基, 此时化 合物 A、 B结构相同， 由此可少提供一种原料， 简化了制备工艺和降低了成本， 且相对于采用不同化合物 A和 B时具有更高的产率。

本实施例中， 化合物 A、 B、 C、 D分別制备而得， 具体如下：

1、 化合物 A和 B的制备 以化合物 A为例， 其制备包括以下步骤：

第 由 2-溴芴与溴烷在催化剂、 溶剂条件下进行取代反应， 制得 9,9- 二烷基 -2-溴芴。 催化剂为四丁基溴化铵或者苄基三乙基氯化铵 ， 溶剂为曱苯、 二曱亚砜、 四氢呋喃等。对应地， 溴烷分别是烷基为 R,、 R ₂ 的溴烷。 如下所示， 分两个反应步骤， 即步骤 i和 ii， 用两种溴烷分别进行取代反应， 其反应路线 如下：

9,9-二烷基 -2-溴芴的详细制备过程可参考文献： 高分号 > Macwmolecules ) 2002， 35, 3474。

第二步，在含有烷基锂、二曱基曱酰胺和溶剂 体系中进行溴基醛化的反应， 其反应路线如下：

在一个具体的实施例中， 烷基锂为正丁基锂， 溶剂可为四氢呋喃， 详细制 备过程可参考文献： 《高分子》（ Macromolecules ), 2006, 39, 456。

在制备化合物 B 时， 各步骤基本相同， 不同在于两种溴烷的烷基分别为 R ₃ R40

2、 化合物 C的制备

在含有曱醛、 催化剂和吡咯的体系中进行缩合反应， 制得化合物 C, 其反 应方程式如下：

其中步骤 iv的催化剂可以为三氟乙酸，也可以为三氟化� ��二甲基氧基络合 物 (BF ₃ .(CH ₃ ) ₂ 0)， 吡咯既是溶剂又是反应物。 二吡咯曱烷即化合物 C的制备详 细步骤可参考文献： 《四面体》 [ Tetrahedron ") , 1994, 39, 1 1427。

3、 化合物 D的制备

在丁基锂、 硼酯作用下进行的如下取代反应。

具体实施过程如下： 在 N ₂ 的保护下， 往三口瓶中加入对 9,10-二溴蒽， 注 入 150ml的四氢呋喃溶剂， 在 -78°C条件下再用注射器慢慢注入正丁基锂， 继 续搅拌反应 2小时， 在 -78°C条件下注入 2-异丙氧基 -4，4,5，5-四曱基 -1,3,2-二杂 氧戊硼烷， 室温下搅拌过夜。 加入饱和氯化钠水溶液终止反应， 用氯仿萃取， 无水硫酸钠干燥， 抽虑后将滤液收集并旋蒸掉溶剂， 最后将粗产物用石油醚 / 乙酸乙酯 (15/1)为淋洗液进行硅胶柱层析分离， 得到产物。

在步骤 S02中， 催化剂可采用三氟乙酸或其类似物， 氧化剂可采用二氯二 氰基苯醌 (DDQ)或其类似物， 并不限于此， 溶剂可采用二氯曱烷、 四氢呋喃、 四氯化碳、 氯仿或乙腈等。 其反应式如下所示：

具体实施过程如下： 搭好无水无氧装置， 称取化合物 A、 B、 C (例如按照 摩尔比例 1/1/2称取)， 溶解于二氯曱烷中， 通入氮气， 加入三氟乙酸， 搅拌， 然后加入两个摩尔当量的二氯二氰基苯醌 (DDQ)， 继续搅拌， 然后加入三乙胺 淬灭反应， 浓缩溶剂， 过滤， 收集滤液并旋干溶剂， 用二氯曱烷在硅胶柱上快 速淋洗， 旋干溶剂， 用乙醚 /甲醇重结晶到产物， 即芴基卟啉化合物。

步骤 S03中溶剂可以是但不限于氯仿或四氢呋喃等， 其具体实施过程如下： 将芴基卟啉化合物 （如 5，15-二 (9，9-二烷基芴)卟啉）溶解于氯仿中， 加入少量 吡啶， 将反应物降到 0°C , 加入适量 N-溴代丁二酰亚胺， 搅拌后， 混合物恢复 到室温， 然后继续搅拌数小时， 加入丙酮终止反应， 除去溶剂， 用乙醚 /曱醇进 行重结晶得到产物。 其反应如下式所示：

步骤 S04中的催化剂可以为有机钯催化剂，其用量为 化合物 D的摩尔用量 的 0.1-20%。 有机钯催化剂例如可以是但不限于 Pd ₂ (dba) ₃ /P(o-Tol) ₃ 、 Pd(PPh ₃ ) ₄ 或 Pd(PPh ₃ ) ₂ Cl ₂ 。碱性溶液可以是无机碱溶液或有机碱溶 液，无机碱溶液可以是 碱金属氢氧化物或碱金属碳酸盐的水溶液 ,例如可以是但不限于氢氧化钠溶液、 氢氧化钾溶液、 碳酸钠溶液、 碳酸钾溶液等， 优选为碳酸钠溶液， 有机威溶液 可以是烷基氢氧化铵水溶液， 例如可以是但不限于四曱基氢氧化铵、 四乙基氢 氧化铵、 四丙基氢氧化铵、 四丁基氢氧化铵等水溶液。 上述碱性溶液的用量可 以为化合物 D的摩尔用量的 5-20倍。溶剂为弱极性或极性非质子性有机溶� �或 其混合溶剂， 例如可以是但不限于氯仿、 二氯曱烷、 乙二醇二曱醚、 二曱基亚 砜（DMSO ) 、 四氢呋喃 （THF ) 、 甲苯、 二曱苯或其类似化合物， 优选为甲 苯。 溶剂的用量足量， 以使各反应物溶解并充分反应。

步骤 S04进行的反应如下式所示：

步骤 S04的具体实施过程如下：在圆底烧瓶中加入 l.O mmol 1，4-二 (4,4,5,5- 四曱基 -1,3,2-二杂氧戊硼烷)基蒽、 1.0 mmol 5,15-二溴 -10,20-二 (9，9-二烷基芴） 卟啉、 0.01 mmol四 (三苯基膦)钯， 3 ml Na ₂ C0 ₃ 水溶液 (2 mol/L)和 20 ml曱苯溶 剂， 抽真空除氧， 并充入氮气， 将溶液加热到 50-120 °C , 反应 12-80小时。 反 应结束后， 然后对产物进行提纯： 将反应的产物倒进曱醇中， 布氏漏斗过滤分 离沉淀物， 并用稀 HC1洗涤， 固体用丙酮在索氏提取器中洗涤 12-72小时， 以 除去单体和催化剂残留物， 剩下的聚合物溶于四氢呋喃与氯仿， 即为本实施例 的共聚物。 共聚物中的 n优选为 5-50， 更优选为 10-30。 在实际制备过程中， 可通过对溶剂的选择、 对反应温度、 反应时间、 反应物的加入量、 催化剂种类 和用量进行控制， 以获得所想要的聚合度。

在上述方法中， 化合物 A、 B、 C三种单体的合成路线比较简单且成熟， 基 本上是一步合成， 从而减少工艺流程， 降低制造成本。 而且溴化取代反应和 Suzuki聚合反应是一种成熟的聚合反应， 产率高、 条件温和， 易于控制， 且易 通过引入烷基提高产物的溶解性和分子量， 以实现可旋涂的聚合物。

本实施例的含芴卟啉 -蒽共聚物可应用于各种光电或半导体器件中� � 例如， 可用于太阳能电池器件、 有机场效应晶体管、 有机电致发光器件、 有机光存储 器件、 有机非线性材料和有机激光器件等。 下面以太阳能电池器件、 有机场效 应晶体管， 有机电致发光器件为例进行说明。 其它如有机光存储器件， 有机非 线性材料和有机激光器件与下面类似，都是以 本实施例的含芴卟啉 -蒽共聚物作 为其的光存储材料、 非线性材料、 激光材料或半导体材料等。

请参阅图 3，显示采用上述实施例中含芴卟啉-蒽共聚物� ��太阳能电池器件， 其包括依次层叠的玻璃基层 11、 透明阳极 12、 中间辅助层 13、 活性层 14、 阴 极 15， 中间辅助层 13釆用聚乙烯二氧基噻吩： 聚苯乙烯-横酸复合材料（简称 为 PEDOT:PSS )， 活性层 14包括电子给体材料和电子受体材料， 电子给体材料 采用上述含芴卟啉 -蒽共聚物， 电子受体材料可以是 [6，6]苯基 -C ₆₁ -丁酸曱酯（简 称为 PCBM )。 透明阳极 12可采用氧化铟锡（简称为 ITO )， 优选为方块电阻 为 10-20 Ω /口的氧化铟锡。 阴极 15可采用铝电极或者双金属层电极，例如 Ca/Al 或 Ba/Al等。 其中， 玻璃基层 11可作为底层， 制作时， 选取 ITO玻璃， 并经超 声波清洗后， 用氧 -Plasma处理， 在 ITO玻璃上涂覆中间辅助层 13 , 再将含芴 卟啉-葱共聚物和电子受体材料通过共混后涂� �于中间辅助层 13上， 形成活性 层 14， 然后再通过真空蒸镀技术在活性层 14上沉积阴极 15, 获得上述太阳能 电池器件。 在一个优选的实施例中， 透明阳极 12、 中间辅助层 13、 活性层 14、 双金属层 Ca和 A1层的厚度分别为 160 nm、 40 nm、 150 nm、 20 nm、 70 nm。

如图所示， 在光照下， 光透过玻璃基层 11和 ITO电极 12， 活性层 14中的 含芴卟啉-蒽共聚物吸收光能， 并产生激子， 这些激子再迁移到电子给体 /受体 材料的界面处， 并将电子转移给电子受体材料， 如 PCBM， 实现电荷的分离， 从而形成自由的载流子， 即自由的电子和空穴。 这些自由的电子沿电子受体材 料向金属阴极传递并被阴极所收集， 自由的空穴沿电子给体材料向 ITO阳极传 递并被阳极所收集， 从而形成光电流和光电压， 实现光电转换， 外接负载 16 时， 可对其进行供电。 在此过程中， 含芴卟啉 -蒽共聚物由于其具有很宽的光谱 响应范围， 能够更充分地利用光能， 以获得更高的光电转换效率， 增加太阳能 电池器件的产电能力。 而且这种有机材料还能减轻太阳能电池器件的 质量， 并 通过旋涂等技术即可制作， 便于大批量的制备。

请参阅图 4， 显示采用上述实施例中的含芴卟啉 -蒽共聚物的有机电致发光 器件， 其包括依次层叠设置的玻璃基层 21、 透明阳极 22、 发光层 23、 緩冲层 24、 阴极 25。 透明阳极 22可采用氧化铟锡（简称为 ITO ) , 优选为方块电阻 为 10-20 Ω/口的氧化铟锡。 发光层 23包含上述实施例中的含芴卟啉 -蒽共聚物。 緩冲层 24可采用 LiF等， 但不限于此。 阴极 25可以是但不限于金属 A1或 Ba 等， 但不限于此。 因而， 在一个具体实施例中， 有机电致发光器件结构表示为： ITO/含芴卟啉-蒽共聚物 /LiF/Al。 各层可采用现有方法形成， 而含芴卟啉 -蒽共 聚物可通过旋涂技术形成于 ITO上。

请参阅图 5， 显示采用上述实施例中的含芴卟啉 -蒽共聚物的有机场效应晶 体管， 其包括依次层叠设置的衬底 31、 绝缘层 32、 修饰层 33、 有机半导体层 34以及设于有机半导体层 34上的源电极 35和漏电极 36。 其中， 衬底 31可以 是但不限于高掺杂的硅片（Si )，绝缘层 32可以是但不限于微纳米（如 450 nm ) 厚的 Si0 ₂ 。 有机半导体层 34采用上述描述的含芴卟淋 -蒽共聚物。 源电极 35 和漏电极 36均可采用但不限于金。 修饰层 33可以是但不限于十八烷基三氯硅 烷。 村底 31、 绝缘层 32、 修饰层 33以及源电极 35和漏电极 36都可采用现有 的方法形成。 有机半导体层 34可以是将上述实施例中的含芴卟啉 -蒽共聚物旋 涂于由修饰层 33修饰的绝缘层 32上。

以下通过具体实施例来举例说明含芴卟啉-蒽� �聚物制备方法以及其性能 等方面。 下面实施例中的八、 B、 C, D分别按照上述方法直接制备而得， 当然， 在其它实施例中也可以直接从市场上购得， 并不限于此。

第一步， 制备 5,15-二 (9,9-二烷基芴）卟啉， 以 5,15-二 (9,9-二己基芴)卟啉为 例， 其具体制备过程如下： 搭好无水无氧装置， 按照摩尔比例 1 : 1: 2称取化 合物 A、 B、 C, 化合物 A和 B结构相同， 均为 9，9-二己基 -2-酪芴， 化合物 C 为二吡咯曱烷， 将它们溶解于二氯曱烷中， 通入氮气 30分钟， 用注射器加入三 氟乙酸， 室温下搅拌 3小时， 然后加入两个摩尔当量的二氯二氰基苯醌 (DDQ), 继续在室温下搅拌 30分钟， 然后加入三乙胺淬灭反应， 浓缩溶剂， 过滤， 收集 滤液并旋干溶剂， 用二氯曱烷在硅胶柱上快速淋洗， 旋干溶剂， 用乙醚 /曱醇重 结晶到产物。

第二步， 制备 5,15-二溴 -10,20-二 (9，9-二己基芴）卟啉

将 5,15-二 (9,9-二己基芴）卟啉溶解于氯仿中， 加入少量吡啶， 将反应物降到 0°C， 加入适量 N-溴代丁二酰亚胺， 搅拌 0.5小时后， 混合物恢复到室温， 然后 继续搅拌 4小时， 加入丙酮终止反应， 除去溶剂， 用乙醚 /曱醇进行重结晶得到 产物。

第三步， 含芴卟啉 -蒽共聚物的制备， 本实施例的含芴卟啉-蒽共聚物结构式 为：

具体形成过程如下：在圆底烧瓶中加入 1，4-二 (4,4,5,5-四曱基 -1，3，2-二杂氧戊 硼烷)基蒽、 5,15-二溴 -10，20-二 (9，9-二己基芴）卟啉、 四 (三苯基膦)钯， Na ₂ C0 ₃ 水溶液和曱苯溶剂， 抽真空除氧并充入氮气， 溶液首先在 N ₂ 氛围下回流 48小 时， 然后倒进曱醇中， 布氏漏斗过滤分离沉淀物， 并用稀 HC1洗涤， 固体用丙 酮在索氏提取器中洗涤 24小时， 以除去单体和催化剂残留物， 剩下的聚合物溶 于四氢呋喃与氯仿， 产率 32%。

在上述含芴卟啉-蒽共聚物中，所含的芴或其� �生物具有优异的光稳定性和 热稳定性， 并具有易修 _饰的结构， 可以通过引入杂环、 多芳环或芳杂环分子来 增大含芴卟啉 -蒽共聚物的骨架电子云的密度， 使得共聚物的带隙变窄。 卟啉结 构能使共聚物具有较高的电荷转移和能量转移 反应的量子效率， 具有良好的电 子緩冲性和光电磁性， 良好的刚柔性、 较好热稳定性和环境稳定性。 共聚物中 的蒽也具有很好的稳定性和较好的成膜性， 并且具有较好的载流子传输特性， 其空穴迁移率较高， 因此可提高含芴卟啉-蒽共聚物的载流子传输� �性， 提高空 穴迁移率。上述含芴卟啉-蒽共聚物应用于太� �能电池器件、有机场效应晶体管、 有机电致发光器件、 有机光存储器件、 有机非线性材料或有机激光器件中时， 可提高其光电或半导体相关性能，并能减轻器 件的质量，且便于大批量的制备。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已， 并不用以限制本发明， 凡在本发 明的精神和原则之内所作的任何修改、 等同替换和改进等， 均应包含在本发明 的保护范围之内。