本発明においては、Niの含有量を3.3質量%� ��上5.0質量%以下にすることで、良好な曲げ加 工性と同時に極めて高い強度が達成できる。 Ni含有量が上限値を超えると、鋳造時および� ��間加工時に、強度に影響しない粗大な化合� ��が晶出または析出して含有量に見合う強度� ��得られなくなり、また熱間加工性および曲� ��加工性が低下する。また、Ni含有量が下限� �未満の場合は、導電性が向上するが、強度� �低下する傾向がある。

 Ni/Si(含有量の質量比)を2.8~3.8の範囲に規定� �る。この範囲にすることでNi ₂ Siの析出に加えてNi ₃ Si ₂ の析出が期待でき、Ni ₂ SiおよびNi ₃ Si ₂ の析出密度も向上するため時効処理による引 張強度が向上する。また、固溶Si量の増加に� ��って、溶体化処理時の結晶粒径が小さく制� ��できるため、曲げ加工性においても良好に� ��く。上限値より大きい場合には要求する時� ��強度向上の効果が得られない。また、下限� ��未満では、要求する時効強度向上の効果が� ��られないと共に、固溶Si量が結晶粒制御の� �果以上に導電率を低下させ悪影響を与える� �果が大きい。より好ましい範囲はNi/Siが3.3を 中心として、3.0~3.5である。この範囲におい� �は、引張強度、導電率、および曲げ加工性� �バランスがよい材料を得ることができる。

 Mgは耐応力緩和特性を改善するが、その� �有量を0.01質量%以上0.2質量%以下に規定する� �由は、0.01質量%未満では耐応力緩和特性の改 善が見られず、0.2質量%を超えると曲げ加工� �に悪影響を及ぼすためである。Mgの含有量は 好ましくは0.05質量%以上0.15質量%以下である� �

 SnはMgと相互に関係しあって、耐応力緩和 特性をよりいっそう向上させる。その含有量 を0.05質量%以上1.5質量%以下に規定する理由は 、0.05質量%未満ではその効果が十分に得られ� ��、1.5質量%を越えると導電率が低下するため である。Snの含有量は好ましくは0.1質量%以上 0.7質量%以下である。

 Znは曲げ加工性を若干改善する。好まし� �はZn量を0.2質量%以上1.5質量%以下に規定する� ��とにより、Mgを最大0.2質量%まで添加しても� ��用上問題ないレベルの曲げ加工性が得られ� ��。この他、ZnはSnめっきやはんだめっきの密 着性やマイグレーション特性を改善する。Zn� ��が1.5質量%を超えると導電性が低下する。Zn� ��含有量は好ましくは0.3質量%以上1.0質量%以� �である。

 本発明の銅合金材料においては、上記の成� ��に加え、さらにAg、Co、Crの1種または2種以� �を合計で0.005~2.0質量%を含有させても良い。
 Agは耐熱性および強度を向上させると同時� �、結晶粒の粗大化を阻止して曲げ加工性を� �善する。Ag量が0.005質量%未満ではその効果が 充分に得られず、0.3質量%を超えて添加して� �特性上に悪影響はないもののコスト高にな� �。これらの観点からAgの含有量は0.005~0.3質量 %とする。
 Coは、Niと同様にSiと化合物を形成して強度� ��向上させる。Coの含有量は0.05質量%未満では その効果が充分に得られず、2.0質量%を超え� �と、溶体化処理後にも強度に寄与しない晶� �・析出物が存在して曲げ加工性が劣化する� �
 CrはNiやSiとの第二相として析出し、結晶粒� ��の制御に有効である。0.05質量%未満ではそ� �効果が充分に得られず、1.0質量%を超えると� ��げ加工性が劣化する。
 上述Ag、Co、Crを2種以上添加する場合には、 要求特性に応じて0.005~2.0質量%の範囲内で決� �される。

 本発明の電気電子機器用銅合金材料は、好� ��しくは、鋳造、熱間圧延、生地圧延、溶体� ��処理を行った後、中間圧延、時効処理、仕� ��げ圧延、低温焼鈍処理を施す工程により製� ��されたものである。
 本発明の電気電子機器用銅合金材料の形状� ��、特に限定されるものでなく、板、条、線� ��棒、箔などが挙げられる。

 以下に、本発明の銅合金材料の好ましい製� ��方法について詳しく説明する。以下、代表� ��として銅合金板や銅合金条を製造する方法� ��ついて詳述する。
 本発明では、鋳造は一般的なDC法(Direct Chill  Casting)などで行う。熱間圧延は、鋳塊を850~1 000℃の温度で0.5~12時間の均質化処理を施した 直後、700~950℃の温度で圧延を行い、その後� �冷却中の析出を防ぐために水冷することが� �ましい。熱間圧延後酸化膜を面削後に冷間� �て圧延を行う。以下、この冷間圧延を生地� �延と呼称する。生地圧延は中間圧延、仕上� �圧延において所定の加工率が得られる板厚� �圧延を行う。

 溶体化処理は材料実体温度が800~950℃で行 い、3~60秒程度保持後、析出を防ぐため冷却� �度は15℃/秒以上(より好ましくは30℃/秒以上) の冷却速度で冷却するのが好ましい。溶体化 処理温度が800℃より低い場合には、健全な再 結晶組織が得られずに曲げ加工性に悪影響を 及ぼし、また、Ni,Siの固溶量が不十分になり� ��効処理時におけるNi-Si系析出物の析出量が� �十分で耐力が得られないなどの問題がある� �溶体化処理温度が950℃より高い場合には、� �結晶粒の粗大化が起こり、強度の低下、異� �性の発現、曲げ加工性の劣化をもたらす。

 中間圧延は時効処理における引張強度、� ��力を向上させる目的で冷間圧延を行う。中� ��圧延において銅合金母相中には転位が導入� ��れるが、それらの一部は次工程の時効処理� ��おいてNi-Si系化合物の異質核生成サイトと� �て機能し、化合物が高密・微細に形成する� �とを助け、Ni/Siの制御による析出密度増加の 効果を更に向上する。中間圧延は時効強度も 向上するために導入することが好ましいが、 圧延率が高過ぎても時効強度向上の効果は飽 和してしまい、また、曲げ加工性の劣化を引 き起こす。そのため、中間圧延は圧延率5~50%� ��範囲で行うのが好ましい。

 時効処理は、銅母相にNi ₂ SiおよびNi ₃ Si ₂ 化合物を均一に分散析出させ、強度、導電率 を向上させる。バッチ式の炉を用い、材料の 実体温度400~600℃で0.5~12時間保持することが� �ましい。実体温度が400℃より低い場合は、� �分なNi-Si系化合物の析出量を得るために非常 に長時間を要する、または、耐力および導電 率が不十分となる。実体温度が600℃より高い 場合は、Ni-Si系化合物が粗大化するため、耐� ��を十分に得られない。
 また、時効処理は材料の実体温度300~400℃に て0.5~8時間の時効の後、実体温度425~600℃、0.5 ~12時間の2段階の時効とすることで、Ni-Si化合 物の析出密度を向上し強度と曲げ性をさらに 向上させることが可能である。この2段階の� �効処理を実施する場合、上記工程の中間圧� �を実施しなくても良いが、中間圧延を行う� �とで更に強度を向上させることができる。

 仕上げ圧延は、耐力の向上を目的として� ��間圧延を行う。時効後の耐力が十分な場合� ��は、仕上げ圧延およびその後の工程の低温� ��鈍を導入しなくても良い。仕上げ圧延によ� ��圧延率が高過ぎると、曲げ加工性が劣化し� ��耐応力緩和特性を劣化させるため、圧延率� ��30%以下で施すことが好ましい。

 低温焼鈍は、強度をある程度維持したま� ��、伸び、曲げ加工性およびバネ限界値を回� ��させる目的で行う。低温焼鈍時の実体温度� ��高過ぎる場合には、再結晶が起こり耐力の� ��下をもたらすので、実体温度300~600℃で、5~6 0秒の短時間での焼鈍を行うことが好ましい� �実体温度が300℃より低い場合は、伸び、曲� �加工性およびバネ限界値の回復が不十分で� �り、実体温度が600℃より高い場合は、強度� �下をもたらす。

 また、本発明の電気電子部品は、前記電� ��電子機器用銅合金材料を適宜加工すること� ��よって得られる。この加工方法は特に制限� ��れるものではなく、常法によって、例えば� ��プレス加工などの塑性加工により所望の部� ��形状にすればよい。