CZERWIENIEC, Rafal (Reibergassl 4, Regensburg, 93055, DE)
MONKOWIUS, Uwe (Bethlehemstr. 1a, Linz, A-4020, AT)
YERSIN, Hartmut (Bayerwaldstr. 3, Sinzing, 93161, DE)
CZERWIENIEC, Rafal (Reibergassl 4, Regensburg, 93055, DE)
MONKOWIUS, Uwe (Bethlehemstr. 1a, Linz, A-4020, AT)
| Ansprüche 1. Neutraler einkerniger Kupfer(I)kom lex zur Emission von Licht mit einer Struktur gemäß Formel A Formel A worin bedeutet: • M: Cu(I); • LnL: ein einfach negativ geladener, zweizähniger Ligand; • NnN: ein (durch R und FG substituierter) Diiminligand, insbesondere ein substituiertes 2,2'-Bipyridin-Derivat (bpy) oder ein 1,10-Phenanthrolin-Derivat (phen); • R: mindestens ein sterisch anspruchsvoller Substituent zur Verhinderung einer Geometrieveränderung des Kupfer(I)komplexes in Richtung einer Planarisierung im angeregten Zustamd; • FG = Funktions-Gruppe: mindestens ein zweiter Substituent zur Elektronenleitung und zur Löslichkeitserhöhung in organischen Lösungsmitteln, oder mindestens ein zweiter Substituent zur Lochleitung und zur Löslichkeitserhöhung in organischen Lösungsmitteln, wobei die Funktions-Gruppe werden entweder direkt oder über eine Brücke an den Diimin-Liganden gebunden ist; wobei der Kupfer(I)komplex - einen AE(Si-Ti)-Wert zwischen dem untersten angeregten Singulett (SO- und dem darunter liegenden Triplett (Ti)-Zustand von kleiner als 2500 cm"1 aufweist; - eine Emissionslebensdauer von höchstens 20 μ8 aufweist; - eine Emissionsquantenausbeuten von größer 40 % aufweist, und - eine Löslichkeit in organischen Lösungsmitteln von mindestens 1 g/L aufweist. 2. Kupfer(I)komplex nach Anspruch 1, wobei der Diiminligand NnN ein substituiertes 2,2'- Bipyridin-Derivat (bpy) oder ein 1,10-Phenanthrolin-Derivat (phen) ist, wobei - der bpy-Ligand in 3,3'-Position mit einem Substituenten wie Alkyl [CH3-(CH2)n-] (n = 1 - 20) (optional verzweigt) oder Aryl (insbesondere Phenyl) substituiert ist, oder wobei - der phen-Ligand in 2,9-Position mit einem Substituenten wie Alkyl [CH3-(CH2)n-] (n = 1 - 20) (optional verzweigt) oder Aryl (insbesondere Phenyl) substituiert ist. 3. Kupfer(I)komplex nach Anspruch 1 oder 2, wobei der mindestens eine sterisch anspruchsvolle Substituent R zur Verhinderung der Planarisierung des Komplexes im angeregten Zustand ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus: Alkylresten -(CH2)n-CH3 (n = 0 - 20) (optional verzweigt), Arylresten mit 6 - 20 Kohlenstoffatomen (z. B. -OPh), Alkoxyresten -0-(CH2)n-CH3 (n = 0 - 20), Aryloxyresten (z. B. -OPh) und Silanresten (z. B -SiMe3), wobei die Alkyl- und Arylreste substituiert (z. B. mit Halogenen, Alkoxy- oder Silan- Gruppen, usw.) und/oder zu anellierten Ringsystemen fusioniert sein können. 4. Kupfer(I)komplex nach Anspruch 1 bis 3, wobei der mindestens eine sterisch anspruchsvolle Substituent R die Löslichkeit des Kupfer(I)komplexes in organischen Lösungsmitteln erhöht und/oder die Loch- oder die Elektronenleitung erhöht. 5. Kupfer(I)komplex nach Anspruch 1 bis 4, wobei der mindestens eine sterisch anspruchsvolle Substituent R zur Verhinderung der Planarisierung des Komplexes im angeregten Zustand - eine aliphatische Gruppe in Position 2 und/oder 9 eines 1,10-Phenanthrolin-Liganden, oder - eine aliphatische Gruppe in Position 3 und/oder 3' eines 2,2'-Bipyridin-Liganden ist. 6. Kupfer(I)komplex nach Anspruch 1 bis 5, wobei der Kupfer(I)komplex - einen AE(Si-Ti)-Wert von kleiner als 1500 cm"1, bevorzugt von kleiner als 1000 cm"1, besonders bevorzugt von kleiner als 500 cm"1 aufweist; - eine Emissionsquantenausbeuten von größer größer 40 %, bevorzugt größer 60 %, besonders bevorzugt größer 70 % aufweist; - eine Emissionslebensdauer von höchstens 10 μ8, bevorzugt kleiner 6 μ8, besonders bevorzugt kleiner 3 μ8 aufweist; und/oder - eine Löslichkeit in organischen Lösungsmitteln von mindestens 10 g/L aufweist. 7. Verwendung eines Kupfer(I)komplexes nach Anspruch 1 bis 6 zur Emission von Licht, insbesondere in einer Emitterschicht in einer opto-elektronischen Vorrichtung. 8. Verfahren zur Herstellung einer opto-elektronischen Vorrichtung, wobei ein Kupfer(I)komplex nach Anspruch 1 bis 7 verwendet wird. 9. Verfahren zur Herstellung einer opto-elektronischen Vorrichtung nach Anspruch 8, wobei die Herstellung naß-chemisch erfolgt und das Verfahren die folgenden Schritte aufweist: - Aufbringung eines in einem ersten Lösungsmittel gelösten ersten Emitterkomplexes auf einen Träger, und - Aufbringung eines in einem zweiten Lösungsmittel gelösten zweiten Emitterkomplexes auf den Träger; wobei -der erste Emitterkomplexes nicht in dem zweiten Lösungsmittel löslich ist und -der zweite Emitterkomplexes nicht in dem ersten Lösungsmittel löslich ist; und wobei der erste Emitterkomplex und/oder der zweite Emitterkomplex ein Kup- fer(I)komplex nach Anspruch 1 bis 6 ist. 10. Verfahren nach Anspruch 9, wobei das Verfahren weiterhin den folgenden Schritt aufweist: - Aufbringung eines in dem ersten Lösungsmittel oder in einem dritten Lösungsmittel gelösten dritten Emitterkomplexes auf den Träger, wobei der dritte Kupfer(I)komplex ein Kupfer(I)komplex nach Anspruch 1 bis 6 ist. 11. Verfahren nach Anspruch 10, wobei die opto-elektronische Vorrichtung eine Weißlicht- OLED ist, wobei - der erste Emitterkomplexe ein Rotlichtemitter ist, -der zweite Emitterkomplexe ein Grünlichtemitter ist und - der dritte Emitterkomplexe ein Blaulichtemitter ist. 12. Opto-elektronische Vorrichtung, aufweisend einen Kupfer(I)komplex nach den Ansprüchen 1 bis 7. 13. Opto-elektronische Vorrichtung nach Anspruch 12, wobei der Anteil des Kupfer(I)komplexes in einer Emitterschicht 2 bis 100 Gew.-%, bevorzugt 4 bis 30 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht der Emitterschicht, beträgt. 14. Opto-elektronische Vorrichtung nach Anspruch 12 oder 13 in Form einer organischen Leuchtdiode (OLED), gekennzeichnet durch einen Kupfer(I)komplex nach Anspruch 1 bis 7 aufweisende Emitterschicht, wobei der Anteil des Kupfer(I)komplexes in der Emitterschicht zwischen 2 bis 100 Gew.-%, bevorzugt 4 bis 30 Gew.-%, bezogen auf das Gesamtgewicht der Emitterschicht, beträgt. 15. Verwendung nach Anspruch 7, Verfahren nach Anspruch 8 bis 10, opto-elektronische Vorrichtung nach Anspruch 12 oder 13 wobei die opto-elektronische Vorrichtung ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus organischen Leuchtidioden (OLEDs), lichtemittierenden elektrochemischen Zellen (LEECs oder LECs), OLED-Sensoren, insbesondere nicht hermetisch nach außen abgeschirmten Gas- und Dampf-Sensoren, optischen Temperatur- Sensoren, organischen Solarzellen (OSCs), organischen Feldeffekttransistoren, organischen Lasern, organischen Dioden, organischen Photodioden und„down conversion" Systemen. 16. Verfahren zur Auswahl von Cu(I)-Komplexen nach Anspruch 1 bis 6, deren AE(Si-Ti)- Wert zwischen dem untersten angeregten Singulett- (S und dem darunter liegenden Triplett- Zustand (TO kleiner als 2500 cm"1, bevorzugt kleiner als 1500 cm"1, besonders bevorzugt kleiner als 1000 cm"1, ganz besonders bevorzugt kleiner 500 cm"1 ist, gekennzeichnet durch - Bestimmung des AE(Si-Ti)-Wertes - mittels einer ab-initio Molekülrechnung oder - mittels Messung der Temperaturabhängigkeit der Fluoreszenz- und der Phosphoreszenz-Intensität oder - mittels der Messung der Temperaturabhängigkeit der Emissionslebensdauer und - Ermittlung der von organischen Molekülen, deren AE(Si-Ti)-Wert kleiner als 2500 cm"1, bevorzugt kleiner als 1500 cm"1, besonders bevorzugt kleiner als 1000 cm"1 , ganz besonders bevorzugt kleiner 500 cm_1ist. |
Die vorliegende Erfindung betrifft die Verwendung von löslichen Kupfer(I)komplexen (Cu(I)-Komplexen) als Emitter in OLEDs (organic light emitting diodes) und in anderen optoelektronischen Anordnungen.
Einleitung
Aktuell setzen sich im Bereich der Bildschirm- und Licht-Technik neue Verfahren durch. Es wird möglich sein, flache Displays oder Leuchtflächen mit einer Dicke von unter 0,5 mm zu fertigen. Diese sind durch viele faszinierende Eigenschaften ausgezeichnet. So werden z. B. Leuchtflächen als Tapeten mit sehr geringem Energieverbrauch realisierbar sein. Besonders interessant ist aber, dass Farbbildschirme mit bisher nicht erreichbarer Farb-Echtheit, Helligkeit und Blickwinkelunabhängigkeit, mit geringem Gewicht sowie sehr niedrigem Stromverbrauch herstellbar sein werden. Die Bildschirme werden sich als Mikro-Displays oder Großbildschirme mit mehreren Quadratmetern Fläche in starrer Form oder flexibel, aber auch als Transmissions- oder Reflexions-Displays gestalten lassen. Ferner wird es möglich sein, einfache und kostensparende Herstellungsverfahren wie Siebdruck oder Tintenstrahldruck einzusetzen. Dadurch wird im Vergleich zu herkömmlichen Flachbildschirmen eine sehr preiswerte Fertigung ermöglicht. Diese neue Technik basiert auf dem Prinzip der OLEDs, den Organic Light Emitting Diodes. Darüber hinaus zeichnen sich durch die Verwendung spezieller metall-organischer Materialien (Moleküle) viele neue optoelektronische Anwendungen, z. B. im Bereich organischer Solarzelle, organischer Feldeffekttransistoren, organischer Photodioden usw. ab.
So lässt sich besonders für den OLED-Bereich erkennen, dass derartige Anordnungen bereits jetzt wirtschaftlich bedeutend sind, da eine Massenfertigung in Kürze zu erwarten ist. Derartige OLEDs bestehen vorwiegend aus organischen Schichten, die auch flexibel und kostengünstig zu fertigen sind. OLED-Bauelemente lassen sich großflächig als Beleuchtungskörper, aber auch klein als Pixels für Displays gestalten. Gegenüber herkömmlichen Technologien, wie etwa Flüssigkristall-Displays (LCDs), Plasma- Displays oder Kathodenstrahlenröhren (CRTs) weisen OLEDs zahlreiche Vorteile auf, wie eine geringe Betriebsspannung von einigen Volt, eine dünne Struktur von einigen hundert nm, hoch-effizient selb st- leuchtende Pixel, einen hohen Kontrast und eine gute Auflösung sowie die Möglichkeit, alle Farben darzustellen. Weiterhin wird in einem OLED Licht beim Anliegen elektrischer Spannung direkt erzeugt, anstelle es nur zu modulieren.
Einen Überblick über die Funktion von OLEDs findet sich beispielsweise bei H. Yersin, Top. Curr. Chem. 2004, 241, 1 und H. Yersin,„Highly Efficient OLEDs with Phosphorescent Materials"; Wiley-VCH, Weinheim, Germany, 2008.
Seit den ersten Berichten über OLEDs (siehe z. B. Tang et al., Appl. Phys. Lett. 1987, 51, 913) sind diese Vorrichtungen insbesondere im Hinblick auf die eingesetzten Emittermaterialien weiterentwickelt worden, wobei insbesondere in den letzten Jahren sogenannte Triplett- oder auch andere phosphoreszierende Emitter von Interesse sind.
OLEDs werden in der Regel in Schichtenstrukturen realisiert. Zum besseren Verständnis ist in Abb. 1 ein prinzipieller Aufbau eines OLEDs gezeigt. Aufgrund der angelegten äußeren Spannung an einer transparenten Indium-Zinn-Oxid- Anode (ITO) und einer dünnen Metall- Kathode werden von der Anode positive Löcher und von der Kathode negative Elektronen injiziert. Diese verschieden geladenen Ladungsträger gelangen über Zwischenschichten, zu denen auch hier nicht gezeichnete Loch- bzw. Elektronen-Blockierschichten gehören können, in die Emissionsschicht. Dort treffen die entgegengesetzt geladenen Ladungsträger an oder in der Nähe von dotierten Emitter-Molekülen zusammen und rekombinieren. Die Emitter- Moleküle sind in der Regel in Matrix- Molekülen oder Polymermatrizen (in z. B. 2 bis 10 Gew.-%) eingelagert, wobei die Matrix-Materialien so gewählt sind, dass sie auch einen Loch- und Elektronentransport ermöglichen. Durch die Rekombination entstehen Exzitonen (= Anregungszustände), die ihre Überschussenergie auf die jeweilige elektrolumineszierende Verbindung übertragen. Diese elektrolumineszierende Verbindung kann daraufhin in einen bestimmten elektronischen Anregungszustand übergehen, der dann möglichst vollständig und unter weitgehender Vermeidung strahlungsloser Desaktivierungsprozesse durch Lichtemission in den zugehörigen Grundzustand umgewandelt wird. Als elektronischer Anregungszustand, der auch durch Energieübertragung von einem geeigneten Vorläufer-Exziton gebildet werden kann, kommt, von wenigen Ausnahmen abgesehen, entweder ein Singulett- oder ein Triplett-Zustand, bestehend aus drei Unterzuständen, in Betracht. Da beide Zustände aufgrund der Spinstatistik in der Regel im Verhältnis 1:3 besetzt werden, ergibt sich, dass bei einer Emission aus dem Singulett-Zustand, die als Fluoreszenz bezeichnet wird nur maximal 25 % der erzeugten Exzitonen wieder zur Emission führen. Dagegen können bei einer Triplett-Emission, die als Phosphoreszenz bezeichnet wird, sämtliche Exzitonen ausgenutzt, umgewandelt und als Licht emittiert werden (Triplett-Harvesting), so dass in diesem Fall die Innere Quantenausbeute den Wert von 100 % erreichen kann, sofern der mit angeregte und energetisch über dem Triplett-Zustand liegende Singulett-Zustand vollständig in den Triplett-Zustand relaxiert (Inter-System-Crossing, ISC) und strahlungslose Konkurrenzprozesse bedeutungslos bleiben. Somit sind Triplett-Emitter nach dem bisherigen Stand der Technik effizientere Elektro-Luminophore und besser geeignet, in einer organischen Leuchtdiode für eine hohe Lichtausbeute zu sorgen.
Bei den für das Triplett-Harvesting geeigneten Triplett-Emittern werden in der Regel Übergangsmetall-Komplexverbindungen eingesetzt, in denen das Metall aus der dritten Periode der Übergangsmetalle gewählt wird. Hierbei handelt es sich vorwiegend um sehr teure Edelmetalle wie Iridium, Platin oder auch Gold. (Siehe dazu auch H. Yersin, Top. Curr. Chem. 2004, 241, 1 und M. A. Baldo, D. F. O'Brien, M. E. Thompson, S. R. Forrest, Phys. Rev. B 1999, 60, 14422). Der wesentliche Grund dafür liegt in der hohen Spin-Bahn- Kopplung (SBK) der Edelmetall-Zentralionen (SBK- Konstante Ir(III): « 4000 cm "1 ; Pt(II): « 4500 cm "1 ; Au(I): « 5100 cm "1 ; Ref.: S. L. Murov, J. Carmicheal, G. L. Hug, Handbook of Photochemistry, 2 nd Edition, Marcel Dekker, New York 1993, p. 338 ff). Durch diese quantenmechanische Eigenschaft wird der ohne SBK für optische Übergänge strikt verbotene Triplett-Singulett-Übergang erlaubt und die für die OLED-Anwendung erforderliche kurze Emissionslebensdauer von wenigen μ8 erreicht.
Es wäre von großem wirtschaftlichen Vorteil, wenn diese teuren Edelmetalle durch preiswerte Metalle ersetzt werden könnten. Darüber hinaus ist eine Vielzahl der bisher bekannten OLED- Emitter-Materialien aus ökologischer Sicht nicht unbedenklich, so dass die Verwendung von weniger toxischen Materialien wünschenswert wäre. Hierfür kämen z. B. Kupfern- Komplexe in Betracht. Allerdings weisen diese eine wesentlich geringere SBK auf (SBK- Konstanten von Cu(I): ~ 850 cm "1 , Ref.: S. L. Murov, J. Carmicheal, G. L. Hug, Handbook of Photochemistry, 2 nd Edition, Marcel Dekker, New York 1993, p. 338 ff), als die oben genannten Zentralionen. Damit wären die sehr wichtigen Triplett-Singulett-Übergänge von Cu(I)-Komplexen relativ stark verboten, und Emissionslebensdauern wären für OLED- Anwendungen mit einigen 100 μ 8 bis ms zu lang. Bei derart langen Emissionsabklingzeiten ergeben sich mit wachsenden Stromdichten und die dadurch resultierende Besetzung eines Großteils oder aller Emittermoleküle Sättigungseffekte. In der Folge können weitere Ladungsträger-Ströme nicht mehr vollständig zur Besetzung der angeregten und emittierenden Zustände führen. Es resultieren dann nur unerwünschte ohmsche Verluste. Infolgedessen ergibt sich mit steigender Stromdichte ein deutlicher Effizienz-Abfall des OLED-Devices (sog.„Roll-Off" Verhalten). In ähnlich ungünstiger Weise wirken sich die Effekte der Trip lett-Triplett- Annihilation und des Self-Quenchens aus (siehe dazu z. B. H. Yersin,„Highly Efficient OLEDs with Phosphorescent Materials", Wiley-VCH, Weinheim 2008 und S. R. Forrest et al., Phys. Rev. B 2008, 77, 235215). So zeigen sich insbesondere Nachteile bei der Verwendung derartiger Emitter für OLED-Beleuchtungen, bei denen eine hohe Leuchtdichte, z. B. von über 1000 cd/m gefordert wird. (Vergleiche: J. Kido et al. Jap. J. Appl. Phys. 2007, 46, L10.) Darüber hinaus sind Moleküle in elektronisch angeregten Zuständen in der Regel chemisch reaktiver als Moleküle in Grundzuständen, so dass die Wahrscheinlichkeit unerwünschter chemischer Reaktionen mit der Länge der Emissionslebensdauer wächst. Durch derartige unerwünschte chemische Reaktionen wird dann die Device-Lebensdauer verringert.
Darüber hinaus erfolgen in der Regel in Cu(I)-Komplexen nach dem Anregungsprozess (durch Elektron- Loch- Rekombination oder durch optische Anregung) ausgeprägte Geometrie- Veränderungen, wodurch die Emissionsquantenausbeuten stark reduziert werden. Ferner werden durch diese Prozesse die Emissionsfarben in unerwünschter Weise rot- verschoben.
Darüber hinaus sind viele der bekannten Kupfer- Komplexe in den für den technischen Einsatz geforderten Lösungsmitteln nicht löslich. Auch das spricht in der Regel gegen die Verwendung dieser Komplexe. Es ist Ziel dieser Erfindung, neue Materialien auf der Basis von Kupfer(I)-Komplexen zu entwickeln, die die oben genannten Nachteile nicht aufweisen.
Beschreibung der Erfindung
Überraschender Weise wird das Ziel der Erfindung durch die hier beschriebenen Cu(I)- Verbindungen erreicht. Das heißt, die Erfindung beinhaltet die Schaffung und Bereitstellung neuer Cu(I)-Verbindungen, die folgende Kombination von Eigenschaften zeigen:
relativ kurze Emissionslebensdauer von nur wenigen μ8,
hohe Emissionsquantenausbeuten größer 40 %,
weitgehende Verhinderung von unerwünschten Geometrie- Veränderungen und
Löslichkeit in verschiedenen, den technologischen Anforderungen genügenden
Lösungsmitteln.
Unter organischen Lösungsmitteln im Sinne der Erfindung sind zu verstehen
- Alkane, auch halogenierte Alkane wie Pentan, Hexan, Heptan, einschließlich verzweigter Alkane,
- Dichlormethan, Chloroform, 1,2-Dichlorethan, 1,1,1-Trichlorethan, Tetrachlorkohlenstoff, Perchlorethylen
- Aromatische Kohlenwasserstoffe, auch halogeniert: Benzol, Toluol, Chlorbenzol, 1,2- Dichlorbenzol
- Ether: Tetrahydrofuran, Diethylether
- Ketone: Aceton, Methylethylketon
- sowie: Acetonitril, Nitromethan, Dimethylsulfoxid, Dimethylformamid, Methanol, Ethanol und Essigsäureethylester.
In bevorzugten Ausgestaltungen der Erfindung ist der Kupfer(I)komplex insbesondere in mindestens einem der folgenden Lösungsmittel gut löslich: polaren Kohlenwasserstoffe wie z. B. Dichlormethan, Chloroform, 1,2-Dichlorethan, 1,1,1-Trichlorethan, Perchlorethylen, Toluol, Chlorbenzol, 1,2-Dichlorbenzol, Tetrahydrofuran, Diethylether, Aceton, Methylethylketon, Nitromethan, Dimethylsulfoxid, Dimethylformamid, Methanol und Ethanol.
Singulett-Harvesting
Von besonderer Bedeutung ist es, das starke Übergangs verbot vom angeregten Triplett- Zustand Ti zum Singulett-Zustand So zu lockern und Emitter-Moleküle mit möglichst kurzer Emissionslebensdauer, aber dennoch hoher Emissionsquantenausbeute zu entwickeln. OLEDs unter Verwendung derartiger Emitter zeigen dann ein deutlich geringeres Roll-Off- Verhalten der Effizienz und ermöglichen darüber hinaus eine längere Lebensdauer der optoelektronischen Vorrichtung.
Überraschenderweise lässt sich die oben beschriebene Problematik durch die vorliegende Erfindung lösen, indem Emitter-Moleküle zur Verwendung kommen, die bestimmte elektronische Strukturen bzw. Singulett-Triplett-Energieabstände aufweisen und die erfindungsgemäß durch den hier erstmals für Cu(I)-Komplexe vorgeschlagenen Singulett-Harvesting-Effekt zeigen. In Fig. 2a ist ein Energieniveauschema für Übergangsmetall- Komplexe mit kleiner oder sich nur in geringem Maße auswirkender Spin-B ahn- Kopplung (z. B. Metall- Komplexe der ersten Periode der Übergangsmetalle oder Metall- Komplexe mit liganden- zentrierten Triplett-Zuständen) schematisch dargestellt. Anhand dieses Schemas sollen die photophysikalischen Elektrolumineszenz-Eigenschaften dieser Moleküle erläutert werden. Die Loch-Elektron-Rekombination, wie sie beispielsweise in einem opto-elektronischen Bauelement erfolgt, führt im statistischen Mittel zu 25 % zur Besetzung des Singulett-Zustandes (1 Singulettpfad) und zu 75 % zur Besetzung des um AEi(Si-Ti) tiefer liegenden Triplett- Zustandes (3 Triplettpfade). Die in den Si-Zustand gelangende Anregung relaxiert aufgrund des Inter-System-Crossing (ISC)-Prozesses, der bei Übergang smetall-organischen Komplexen in der Regel schneller als in 10 " 12 s erfolgt, in den Ti-Zustand. Die radiative Emissionslebensdauer des Triplett-Zustandes ist für diese Metall- Komplexe der ersten Periode der Übergangsmetalle sehr lang (z. B. 100 μ8 bis 1000 μ8 oder länger). Emitter mit derart langen Abklingzeiten sind kaum für OLED-Anwendungen geeignet. Erfindungsgemäß lässt sich der Nachteil des oben beschriebenen Standes der Technik vermeiden, indem Cu(I)-Komplexe gewählt werden, die einen AE 2 (Si-Ti)-Wert zwischen dem untersten angeregten Singulett (SO- und dem darunter liegenden Triplett (Ti)-Zustand von kleiner als 2500 cm "1 aufweisen. Das ist durch das in Fig. 2b gezeigte Energieniveaudiagramm für Cu(I)-Komplexe veranschaulicht. Diese Energiedifferenz ist klein genug, um eine thermische Rückbesetzung des Si-Zustandes aus dem Ti-Zustand gemäß einer Boltzmann- Verteilung bzw. gemäß der thermischen Energie k ß T zu ermöglichen. Damit kann eine thermisch aktivierte Lichtemission aus dem Si-Zustand erfolgen. Dieser Vorgang läuft gemäß Gleichung (1) ab
Int(Si -» So) / Int(Ti -» S 0 ) = k(S0 / k(T0 exp(-AE(Si-Ti)/k B T) (1)
Hierin stellt Int(Si— > So) / Int(Ti— > So) das Intensitätverhältnis der Emission aus dem Si- Zustand und aus dem Ti-Zustand dar, k ß ist die Boltzmann-Konstante und T die absolute Temperatur. k(S0 / k(T0 ist das Ratenverhältnis der entsprechenden Übergangsprozesse in den elektronischen Grundzustand So- Für Cu(I)-Komplexe liegt dieses Verhältnis zwischen
10 2 bis 104. Erfindungsgemäß besonders bevorzugt sind Moleküle mit einem Ratenverhältnis von 10 3 bis 10 4 . AE(Si-Ti) steht für die Energiedifferenz AE 2 (Si-T0 gemäß Fig. 2b.
Durch den beschriebenen Prozess der thermischen Rückbesetzung wird aus dem besetzten Triplett ein Emissionskanal über den Singulett-Zustand Si geöffnet. Da der Übergang aus dem Si- in den So- Zustand stark erlaubt ist, wird die Triplett- Anregungsenergie praktisch vollständig als Lichtemission über den Singulett-Zustand gewonnen. Dieser Effekt ist umso ausgeprägter, je kleiner die Energiedifferenz AE(Si-Ti) ist. Daher sind Cu(I)-Komplexe bevorzugt, die einen AE(Si-Ti)-Wert zwischen dem untersten angeregten Singulett- und dem darunter liegenden Triplett-Zustand von kleiner als 1500 cm "1 , bevorzugt von kleiner als 1000 cm "1 und besonders bevorzugt von kleiner als 500 cm "1 aufweisen.
Anhand eines Zahlenbeispiels soll dieser Effekt erläutert werden. Bei einer typischen Energiedifferenz von AE(Si-Ti) = 800 cm "1 ergibt sich für Raumtemperaturanwendungen (T =
300 K) mit k ß T = 210 cm " 1 und einem Ratenverhältnis von 103 ein Intensitätsverhältnis gemäß Gleichung (1) von ca. 20. Das heißt, der Singulett-Emissionsprozess dominiert für ein Molekül mit diesen Beispielwerten sehr stark.
Die Emissionslebensdauer dieses Beispiel-Moleküls verändert sich auch deutlich. Durch die thermische Rückbesetzung ergibt sich eine mittlere Lebensdauer x av . Diese lässt sich näherungsweise gemäß Gleichung (2) beschreiben x av « x(Si) · exp (AE(Si-Ti) / k B T) (2)
Hierin ist x(Si) die Fluoreszenzlebensdauer ohne Rückbesetzung und x av die Emissionslebensdauer, die bei Öffnung des Rückbesetzungskanals durch die beiden Zustände Ti und Si bestimmt wird (Siehe Fig. 2b). Die anderen Größen wurden oben definiert.
Gleichung (2) soll wieder durch ein Zahlenbeispiel erläutert werden. Für die angenommene Energiedifferenz von AE(Si-Ti) = 800 cm "1 und einer Abklingzeit des fluoreszierenden Si - Zustandes von 50 ns ergibt sich eine Emissionsabklingzeit (der beiden Zustände) von x av ~ 2 μ8. Diese Abklingzeit ist kürzer, als die der meisten sehr guten Ir(III)- oder Pt(II)-Triplett- Emitter.
Zusammenfassend lassen sich also unter Verwendung dieses Singulett-Harvesting- Verfahrens für Cu(I)-Komplexe im Idealfall nahezu sämtliche, d. h. maximal 100 % der Exzitonen erfassen und über eine Singulett-Emission in Licht umwandeln. Darüber hinaus gelingt es, die Emissionsabklingzeit drastisch unter den Wert der reinen Triplett-Emission von Cu(I)- Komplexen, die in der Regel bei einigen hundert μ8 bis ms liegt, zu verkürzen. Daher ist die erfindungsgemäße Verwendung entsprechender Komplexe für opto-elektronische Bauelemente besonders geeignet.
Die erfindungsgemäßen Cu(I)-Komplexe mit den oben beschriebenen Eigenschaften, d. h. u. a. mit kleiner Singulett-Triplett-Energiedifferenz AE(Si-Ti), sind bevorzugt mit der unten angegebenen generellen Formel A zu beschreiben. Die elektronischen Übergänge, die das optische Verhalten dieser Cu(I)-Komplexe steuern, weisen einen ausgeprägten Metall-zu- Ligand-Charge-Transfer Charakter auf. Mit diesem Übergangstyp ist ein relativ kleiner Wert des - dem Fachmann bekannten - quantenmechanischen Austauschintegrals verbunden. Damit resultiert dann die gewünschte kleine Energiedifferenz AE(Si-Ti).
Die Erfindung betrifft in einem weiteren Aspekt ein Verfahren zur Auswahl von Cu(I)- Komplexen, deren AE(Si-Ti)-Wert zwischen dem untersten angeregten Singulett- (SO und dem darunter liegenden Triplett-Zustand (TO kleiner als 2500 cm "1 , bevorzugt kleiner als 1500 cm "1 , besonders bevorzugt kleiner als 1000 cm "1 , ganz besonders bevorzugt kleiner 500 cm "1 ist.
Die Bestimmung des AE(Si -TO- Wertes kann sowohl durch quantenmechanische Berechnungen mittels im Stand der Technik bekannten Computerprogrammen (z. B. mittels Turbo mole- Programmen unter Ausführung von TDDFT- und unter Berücksichtigung von CC2- Rechnungen) oder - wie weiter unten erläutert wird - experimentell durchgeführt werden.
Die Energiedifferenz AE(Si-Ti), insbesondere der durch die Formel A beschriebenen Komplexe, lässt sich näherungsweise quantenmechanisch durch das mit dem Faktor 2 multiplizierte sogenannte Austauschintegral beschreiben. Dessen Wert hängt direkt ab von der Ausgeprägtheit des sogenannten Charge-Transfer-Charakters unter Beteiligung der Metall-d- Orbitale und der Liganden-7T*-Orbitale. Das heißt, ein elektronischer Übergang zwischen den verschiedenen Orbitalen repräsentiert einen Metall-zu-Ligand-Charge-Transfer (CT)- Übergang. Je geringer die Überlappung der oben beschriebenen Molekülorbitale ist, desto ausgeprägter ist der elektronische Charge-Transfer Charakter. Das ist dann mit einer Abnahme des Austausch-Integrals und somit einer Abnahme der Energiedifferenz AE(Si-Ti) verbunden. Aufgrund dieser photophysikalischen (quantenmechanischen) Eigenschaften lassen sich die erfindungsgemäßen Energiedifferenzen mit AE(Si-Ti) kleiner 2500 cm "1 oder kleiner 1500 cm "1 oder kleiner 1000 crn er sogar kleiner 500 cm "1 erreichen.
Die Bestimmung des AE(Si -TO- Wertes kann experimentell folgendermaßen erfolgen:
Für einen vorgegebenen Cu(I)-Komplex lässt sich der Energieabstand AE(S 1 -T 1 ) unter Verwendung der oben angegebenen Gleichung (1) einfach bestimmen. Eine Umformung ergibt: ln{Int(Si-»S 0 )/Int(Ti->So)} = In {k(Si)/k(Ti)} -(AE(Si-Ti)/k B )(l T) (3)
Für die Messung der Intensitäten Int(Si— >S 0 ) und Int(Ti— >S 0 ) kann jedes handelsübliche Spektralphotometer verwendet werden. Eine graphische Auftragung der bei verschiedenen Temperaturen gemessenen (logarithmierten) Intensitätsverhältnisse
ln{Int(Si— >So)/Int(Ti— >So)} gegen den Kehrwert der absoluten Temperatur T ergibt in der Regel eine Gerade. Die Messung wird in einem Temperaturbereich von Raumtemperatur (300 K) bis 77 K oder bis 4,2 K durchgeführt, wobei die Temperatur mittels eines Kryostaten eingestellt wird. Die Intensitäten werden aus den (korrigierten) Spektren bestimmt, wobei Int(Si— >S 0 ) bzw. Int(Ti— >S 0 ) die integrierten Fluoreszenz- bzw. Phosphoreszenz- Bandenintensitäten repräsentieren, welche sich mittels der zum Spektralphoto meter gehörenden Programme bestimmen lassen. Die jeweiligen Übergänge (Bandenintensitäten) lassen sich leicht identifizieren, da die Triplett-Bande bei niedrigerer Energie liegt als die Singulett- Bande und mit sinkender Temperatur an Intensität gewinnt. Dabei werden die Messungen in sauerstofffreien verdünnten Lösungen (ca. 10 —2 mol L—1 ) oder an dünnen Filmen aus den entsprechenden Molekülen oder an mit den entsprechenden Molekülen dotierten Filmen durchgeführt. Verwendet man als Probe eine Lösung, so empfiehlt es sich, ein Lösemittel bzw. Lösemittelgemisch zu verwenden, das bei tiefen Temperaturen Gläser bildet, wie 2- Methyltetrahydrofuran, Butyronitril, Toluol, Ethanol oder aliphatische Kohlenwasserstoffe. Verwendet man als Probe einen Film, so eignet sich die Verwendung einer Matrix mit einer deutlich größeren Singulett- sowie Triplett-Energie als die der Cu(I)-Komplexe (Emittermoleküle), z. B. PMMA (Polymethylmethacrylat). Dieser Film kann aus Lösung aufgebracht werden.
Die Geradensteigung beträgt -AE(Si-Ti)/k B . Mit k B = 1,380 10 "23 JK "1 = 0,695 cm "1 K "1 lässt sich der Energieabstand direkt bestimmen.
Eine einfache, näherungsweise Abschätzung des AE(Si-Ti)-Wertes kann auch dadurch vorgenommen werden, dass bei tiefer Temperatur (z. B. 77 K oder 4.2 K unter Verwendung eines Kryostaten) die Fluoreszenz- und Phosphoreszenz- Spektren registriert werden. Der AE(Si- Ti)-Wert entspricht dann in Näherung der Energiedifferenz zwischen den hoch-energetischen Anstiegsflanken der Fluoreszenz- bzw. Phosphoreszenz-Bande. Ein anderes Bestimmungsverfahren für den AE(Si-Ti)-Wert ist durch Messung der Emissionsabklingzeiten mit einem handelsüblichen Messgerät gegeben. Hierbei wird die Emissionslebensdauer T av als Funktion der Temperatur mit Hilfe eines Kryostaten für den Bereich zwischen 4,2 K oder z. B. 20 K und 300 K gemessen. Unter Verwendung der Formel (4) und der bei tiefer Temperatur gemessenen Emissionslebensdauer für den Triplett-Zustand T(Ti) lässt sich ein Fit der Messwerte mit der Formel (4) durchführen, und man erhält den AE(Si-Ti)- Wert. (Hinweis: Der T(Ti)-Wert ist häufig durch das sich bei der Auftragung der Messwerte ergebene Plateau bestimmt. Falls sich eine Ausbildung eines derartigen Plateaus zeigt, ist in der Regel eine Kühlung auf 4,2 K nicht mehr erforderlich. Ein Beispiel ist in Figur 8 wiedergegeben.)
Je ausgeprägter der CT-Charakter eines organischen Moleküls ist, desto stärker verändern sich die elektronischen Übergangsenergien als Funktion der Lösungsmittelpolarität. So gibt bereits eine ausgeprägte Polaritätsabhängigkeit der Emissionsenergien einen Hinweis auf das Vorliegen kleiner AE(Si-Ti)-Werte.
Stabilisierung der Molekularstruktur
Vierfach koordinierte Cu(I) Komplexe weisen im elektronischen Grundzustand eine annähernd tetraedrische Koordination des Metallatoms auf. Bei Anregung in einen elektronischen angeregten Zustand mit ausgeprägtem Metall-zu-Ligand-Charge-Transfer Charakter und der damit verbundenen formalen Oxidierung des Metallatoms zu Cu(II) kann es zu wesentlichen Veränderungen der Geometrie des Komplexes in Richtung einer quadratisch-planaren Koordination kommen, was daher als„Planarisierung" des Komplex- Moleküls bezeichnet werden kann. Dieser Prozess liefert einen sehr effektiven Mechanismus für das Löschen (Quenchen) der Lumineszenz.
In den erfindungsgemäßen Kupfer(I)komplexen wird dieser Löschmechanismus durch Anwesenheit sterisch anspruchvoller Substituenten am Diiminliganden NnN (insbesondere in den Positionen 2 und 9 von 1,10-Phenanthrolin oder in Positionen 3 und 3' von 2,2'- Bipyridin) verhindert oder sehr reduziert durch eine Verhinderung der Geometrie- Veränderungen um das Cu-Atom. Gleichzeitig tragen derartige Substitutionen zum Schutz des Cu-Zentrums vor unerwünschten chemischen Reaktionen mit nukleophilen Substanzen (Lösungsmitteln, Verunreinigungen, leicht koordinierenden Matrixmaterialien) bei. Bereits eine Methylgruppe führt zu einer merklichen„Versteifung" der resultierenden Cu-Komplexe. Ein sterisch anspruchsvoller Substituent ist daher neben Methyl insbesondere ein Alkylrest - (CH 2 )n-CH 3 (n = 0 - 20) (auch verzweigt), ein Arylrest mit 6 - 20 Kohlenstoffatomen (z. B. - Ph), Alkoxyrest -0-(CH 2 ) n -CH 3 (n = 0 - 20), ein Aryloxyrest (z. B. -OPh) oder ein Silanrest (z. B -SiMe 3 ). Die Alkyl- und Arylreste können auch substituiert sein (z. B. mit Halogenen, Alkoxy- oder Silan- Gruppen, usw.) oder zu annelierten Ringsystemen führen (siehe Beispiel 2).
Chemische Leitstruktur
Der zu schützende Emitter A soll folgende Merkmale umfassen:
Formel A
• M ist Cu(I).
• Bei LnL handelt es sich um einen einfach negativ geladenen, zweizähnigen Liganden.
• Der Ligand NnN ist ein substituierter Diiminligand, insbesondere substituierte 2,2'- Bipyridin-Derivate (bpy) oder 1,10-Phenanthrolin-Derivate (phen). • R ist ein sterisch anspruchsvoller Substituent in 3,3'-Position (bpy) oder 2,9-Position (phen), der eine Geometrieveränderung in Richtung einer Planarisierung des Komplexes im angeregten Zustand verhindert. Ein sterisch anspruchsvoller Substituent ist insbesondere ein Alkylrest -(CH 2 ) n -CH 3 (n = 0 - 20) (auch verzweigt), ein Arylrest mit 6 - 20 Kohlenstoffatomen (z. B. -Ph), Alkoxyrest -0-(CH 2 ) n -CH 3 (n = 0 - 20), ein Aryloxyrest (z. B. -OPh) oder ein Silanrest (z. B -SiMe 3 ). Die Alkyl- und Arylreste können auch substituiert sein (z. B. mit Halogenen, Alkoxy- oder Silan- Gruppen, usw.) oder zu annelierten Ringsystemen führen. Obwohl in der Formel A zwei Reste A dargestellt sind, kann ein erfindungsgemäßer Komplex in einer Ausführungsform der Erfindung auch nur einen Rest R aufweisen.
• Bei FG = Funktions-Gruppe handelt es sich um einen weiteren Substituenten, der eine zusätzliche Funktion in den Komplex einbringt, den dieser ansonsten nicht aufweisen würde. Die Funktions-Gruppen FG werden entweder direkt oder über geeignete Brücken (siehe unten) an die Diimin-Substituenten angebracht.
Dabei kann es sich entweder um eine Gruppe handeln, die Eigenschaften eines Elektronenleiters besitzt.
Es kann sich um eine Gruppe handeln, die Eigenschaften eines Lochleiters aufweist.
Es kann sich um einen Gruppe handeln, die die Löslichkeit des Komplexes bestimmt.
Diimin-Ligand
Bei dem Diiminliganden handelt es sich bevorzugt entweder um einen substituierten 2,2'- Bipyridin- oder einen substituierten 1,10-Phenanthrolin- Liganden. Die Synthesen unterschiedlicher, substituierter bpy- und phen-Liganden wurde bereits mehrfach in wissenschaftlichen Fachartikeln besprochen (G. Chelucci, R. P. Thummel, Chem. Rev. 2002, 102, 3129; C. Kaes, A. Katz, M. W. Hosseini, Chem. Rev. 2000, 100, 3553; M. Schmittel, H. Ammon, Eur. J. Inorg. Chem. 1998, 785. M. Heller, U. S. Schubert J. Org. Chem. 2002, 67, 8269.) und sind daher dem Fachmann bekannt. Substituierte 2,2'-Bipyridin-Liganden
Bei den Substituenten Rl kann es sich es sich um ein Alkyl-Rest [CH 3 -(CH 2 ) n -] (n = 1 - 20), der auch verzweigt oder mit Halogenen (F, Cl, Br, I) substituiert sein kann oder um einen Aryl-Rest (insbesondere Phenyl) handeln, der mit Alkyl- Gruppen, Halogenen (F, Cl, Br, I), Silan- (-SiR' 3 ) oder Ethergruppen -OR' (R' definiert wie Rl) substituiert sein kann.
An den mit„#" gekennzeichneten Positionen ist der Diimin-Ligand mit einer Funktions- Gruppe FG substituiert. Ebenso findet die Anbindung der unten angeführten Funktionsgruppen an der dort ebenfalls mit„#" gekennzeichneten Position statt (s. u.). Die Bindung zwischen der Funktions-Gruppe und dem Diiminliganden kann einerseits direkt an den mit „#" gekennzeichneten Positionen stattfinden. So bilden sich direkte C FG -C NN Bindungen, wobei C NN das C-Atom des Diiminliganden darstellt, das mit„#" markiert ist, und C FG das mit „#" gekennzeichnet C-Atom der Funktions-Gruppe. Ist das mit „#" gekennzeichnete Atom ein Stickstoffatom, so ergeben sich N FG -C NN Bindungen, wobei N FG für das mit„#" markierte Stickstoffatom steht. Andererseits kann die Funktions-Gruppe über eine Brücke an den Diiminliganden angeknüpft werden, wobei sich z. B. Ether-, Thioether-, Ester-, Amid-, Methylen-, Silan-, Ethylen-, Ethin-Brücken anbieten. Damit können sich als Brücken beispielsweise folgende Funktionen ergeben: C F G-O-CNN, C F G-S-CNN, -C F G-C(0)-0- CNN-, CFG-C(0)-NH-CNN-, CFG-CH 2 -CNN, CFG-SIR' 2 -CNN,
Die Verfahren zur Verknüpfung der Funktionsgruppe an den Diiminliganden, entweder direkt oder über eine Brücke, sind dem Fachmann bekannt (Suzuki-, Still-, Heck-, Sonogashira-, Kumuda-, Ullmann-, Buchwald-Hartwig-Kupplung sowie deren Varianten; (Thio)Veretherung, Veresterung, nucleophile und elektrophile Substitutionen am sp - Kohlenstoff oder Aromaten, usw.). Beispielsweise illustriert der in der Literatur beschriebene Ligand (4,4'-Bis(5-(hexylthio)-2,2'-bithien-5'-yl)-2,2'-bipyridine) die Möglichkeit einer Anbindung eines elektronenleitenden Substituenten an einen bpy Liganden mittels einer Stille Kupplung (C.-Y. Chen, M. Wang, J.-Y. Li, N. Pootrakulchote, L. Alibabaei, C.-h. Ngoc-le, J.- D. Decoppet, J.-H. Tsai, C. Grätzel, C.-G. Wu, S. M. Zakeeruddin, M. Grätzel, ACS Nano 2009, 3, 3103).
Eine weitere Möglichkeit zur Synthese substituierter bpy besteht in der Kupplung zweier, bereits mit dem Rest R sowie der Funktions-Gruppe FG substituierter Pyridine. Die sich hieraus ergebende bpy-Liganden können daher auch asymmetrisch substituiert sein. Die Verfahren und relevante Literatur sind im Übersichtsartikel von G. Chelucci (G. Chelucci, R. P. Thummel, Chem. Rev. 2002, 102, 3129) zusammengefasst.
In einer besonderen Ausführungsform kann der Rest Rl auch ein elektronenleitender, lochleitender oder die Löslichkeit erhöhender Substituent sein. Das führt zu folgenden Diiminliganden:
Substituierte 1,10-Phenanthrolin-Liganden
Bei den Substituenten Rl handelt es sich um ein Alkyl-Rest [CH 3 -(CH 2 ) N -] (n = 1 - 20), der auch verzweigt oder mit Halogenen (F, Cl, Br, I) substituiert sein kann oder um einen Aryl- Rest (insbesondere Phenyl), der mit Alkyl- Gruppen, Halogenen (F, Cl, Br, I), Silan- (-SiR' 3 ) oder Ethergruppen -OR' (R' definiert wie Rl) substituiert sein kann.
Für die Verknüpfung der Funktions-Gruppe an den Phenanthrolin-Liganden stehen wieder die identischen Verfahren zur Verfügung, die bereits bei den bpy-Liganden ausgeführt wurden: An den mit„#" gekennzeichneten Positionen ist der Diiminligand mit einer der weiter unten definierten Funktionsgruppe substituiert. Hierbei kann die Funktions-Gruppe FG entweder direkt über C FG -C NN oder N FG -C NN Bindungen (wobei C FG = C-Atom der Funktions-Gruppe, N FG = N-Atom der Funktions-Gruppe, C NN = C-Atom des Diiminliganden) an dem Diiminliganden gebunden sein, oder über eine Brücke verknüpft werden, z. B. C FG -O-C NN , CFG-S-CNN, -CFG-C(0)-0-CNN-, CFG-C(0)-NH-CNN-, CFG-CH 2 -CNN, CFG-SIR' 2 -CNN, CFG- CH=CH-CNN, NFG-CH 2 -CNN- Die Verfahren zur Verknüpfung der Funktionsgruppe an den Diiminliganden, entweder direkt oder über eine Brücke, sind dem Fachmann bekannt. Die Beispiele 1 - 9 veranschaulichen exemplarisch die Möglichkeiten zur Synthese der substituierten Phen- Liganden. In einer besonderen Ausführungsform kann der Rest Rl auch ein elektronenleitender, lochleitender oder die Löshchkeit erhöhender Substituent sein. Das führt zu folgenden Diiminliganden:
Andere Diiminliganden
Der Diiminligand kann auch ausgewählt sein aus folgenden Molekülen:
wobei es sich bei den Substituenten Rl, Rl' und Rl" um ein Alkyl-Rest [CH3-(CH 2 ) n -] (n = 1 - 20), der auch verzweigt oder mit Halogenen (F, Cl, Br, I) substituiert sein kann, oder um einen Aryl-Rest (insbesondere Phenyl), der mit Alkyl- Gruppen, Halogenen (F, Cl, Br, I), Silan- (-SiR'3) oder Ethergruppen -OR' (R' definiert wie Rl, Rl ' oder Rl") substituiert sein kann, handelt. Substituenten # sind wie oben (bpy und phen Liganden) definiert.
Definition des LnL Liganden
Bei dem einfach negativ geladenen Liganden LnL kann es sich um eines der unten dargestellten Moleküle handeln:
R2 "
I
R2. P-R2 '
B
R2 -P-R2'
I
R2 "
pop = [Ρ 2 0 5 Η 2 ϊ
R2 R2 R2'
. N.
Cr Θ 0 Cr © NR2' R2N e NR2" R2 2 P ' ' Θ > PR2'
Bei den Substituenten R2, R2' und R2" handelt es sich um einen Alkyl-Rest [CH 3 -(CH 2 ) n -] (n = 0 - 20), der auch verzweigt oder mit Halogenen (F, Cl, Br, I) substituiert sein kann, oder um einen Aryl-Rest (insbesondere Phenyl), der mit Alkyl- Gruppen, Halogenen (F, Cl, Br, I), Silan- (-SiR' " 3 ) oder Ethergruppen -OR'" (R' " definiert wie R2, R2' oder R2") substituiert sein kann.
Definition der Funktions- Gruppen FG: Die Funktions-Gruppen (FG) können entweder einfach oder mehrfach am NnN Liganden gebunden sein. Es können identische oder unterschiedliche Funktions-Gruppen verwendet werden. Die Funktions-Gruppen können auch symmetrisch oder unsymmetrisch vorhanden sein. Meist ist aus synthetischen Gründen eine Zweifachsubstitution identischer Funktions- Gruppen vorteilhaft.
Elektronenleiter
Da es sich bei den Elektronenleiter-Materialien ausschließlich um aromatische Verbindungen handelt, ist eine Substitution mithilfe einer der gängigen Kupplungsreaktionen möglich. Als Kupplungsreaktionen kommen z. B. die Suzuki-, Still-, Heck-, Sonogashira-, Kumuda-, Ullmann-, Buchwald-Hartwig-Kupplung sowie deren Varianten zu Einsatz.
Dabei geht man von einem mit Halogenid (Cl, Br, I), insbesondere Br, substituierten phen oder bpy-Derivat aus und setzt es mit dem entsprechenden, mit einer geeigneten Abgangsgruppe substituierten Elektronenleiter-Material um. Vorteilhaft ist die Durchführung einer Suzuki-Kupplung unter Verwendung der entsprechenden Arylboronsäuren und -estern sowie die Buchwald-Hartwig-Kupplung für die Knüpfung von Aryl-N-Bindungen. Abhängig von den Fuktions-Gruppen können auch weitere, gängige Verknüpfungreaktion angewandt werden, z. B. über eine Brücke zwischen Funktions-Gruppe FG und Diimin-Ligand. Bei Anwesenheit von -OH Gruppen kommen hier z. B. Veresterungen und Etherbildung in Frage, bei -NH 2 Gruppen Imin- und Amidbildung, bei -COOH Gruppen Esterbildung. Entsprechend muss das Subsitutionsmuster des Diimins angepasst werden (siehe oben unter Punkt„Diimin- Ligand"). Die entsprechenden Verfahren zur Anbringung der Funktions-Gruppen FG sind dem Fachmann bekannt.
Als Elektronentransport-Substituenten können beispielsweise folgende Gruppen verwendet werden (Verknüpfung findet an der mit # gekennzeichneten Stelle statt): Bei den Substituenten R und R' handelt es sich um einen Alkyl-Rest [CH 3 -(CH 2 ) n -] (n = 0 - 20), der auch verzweigt oder mit Halogenen (F, Cl, Br, I) substituiert sein kann, oder um einen Aryl-Rest (insbesondere Phenyl), der mit Alkyl- Gruppen, Halogenen (F, Cl, Br, I), Silan- (-SiR' "3) oder Ethergruppen -OR' " (R' " definiert wie R) substituiert sein kann.
Lochleiter
Für den Lochleiter gelten analog die gleichen Aussagen wie für die Elektronenleiter. Auch hier wird die Verknüpfung des Lochleiters an den Diimin-Liganden am einfachsten durch Palladium katalysierte Kupplungsreaktionen verwirklicht; weitere Verknüpfungen, auch über eine Brücke, sind ebenfalls möglich.
Als Lochtransport-Substituenten können beispielsweise folgende Gruppen verwendet werden (Verknüpfung findet an der mit # gekennzeichneten Stelle statt):
Bei den Substituenten R, R" und R'" handelt es sich um einen Alkyl-Rest [CH 3 -(CH 2 ) n -] (n = 0 - 20), der auch verzweigt oder mit Halogenen (F, Cl, Br, I) substituiert sein kann, oder um einen Aryl-Rest (insbesondere Phenyl), der mit Alkyl- Gruppen, Halogenen (F, Cl, Br, I), Silan- (-SiR"" 3 ) oder Ethergruppen -OR" " (R" " definiert wie R) substituiert sein kann.
Löslichkeit
Bei einer Herstellung von opto-elektronischen Bauteilen mittels nass-chemischer Prozesse ist es vorteilhaft, die Löslichkeit gezielt einzustellen. Hierdurch kann das Auf- bzw. Anlösen einer bereits aufgebrachten Schicht vermieden werden. Durch das Einbringen spezieller Substituenten können die Löslichkeitseigenschaften stark beeinflusst werden. Dadurch ist es möglich, orthogonale Lösungsmittel zu verwenden, die jeweils nur die Substanzen des aktuellen Verarbeitungsschrittes lösen, aber nicht die Substanzen der darunter liegenden Schicht(en):
Löslichkeit in unpolaren Medien
Unpolare Funktions-Gruppen FG erhöhen die Löslichkeit in unpolaren Lösungsmitteln und erniedrigen die Löslichkeit in polaren Lösungsmitteln. Unpolare Gruppen sind z. B. Alkylgruppen [CH 3 -(CH 2 ) n -] (n = 1 - 30), auch verzweigte, substituierte Alkylgruppen, z. B. mit Halogenen. Hierbei sind besonders hervorzuheben: teil- oder perfluorierte Alkylgruppen sowie perfluorierte Oligo- und Polyether, z. B. [-(CF 2 ) 2 -0] n - und (-CF 2 -0) n - (n = 2 - 500). Weitere unpolare Gruppen sind: Ether -OR, Thioether -SR, unterschiedlich substituierte Silane R 3 Si- (R = Alkyl oder Aryl), Siloxane R 3 Si-0-, Oligosiloxane R'(-R 2 Si-0) n - (R' = R, n = 2 - 20), Polysiloxane R'(-R 2 Si-0) n - (n > 20); Oligo/polyphosphazene R'(-R 2 P=N-) n - (n = 1 - 200).
Löslichkeit in polaren Medien
Polare Funktionsgruppen erhöhen die Löslichkeit in polaren Medien. Diese können sein:
• Alkohol-Gruppen: -OH
• Thioalkohole -SH
• Carbonsäure-, Phosphonsäure-, Sulfonsäure-Reste sowie deren Salze und Ester (R = H, Alkyl, Aryl, Halogen; Kationen: Alkalimetalle, Ammonium-Salze):
-COOH, -P(0)(OH) 2 , -P(S)(OH) 2 , -S(0)(OH) 2 , -COOR, -P(0)(OR) 2 , -P(S)(OR) 2 , -S(0)(OR) 2 , -CONHR, -P(0)(NR 2 ) 2 , -P(S)(NR 2 ) 2 , -S(0)(NR 2 ) 2
• Sulfoxide: -S(0)R, -S(0) 2 R
• Carbonylgruppen: -C(0)R
• Amine: -NH 2 , -NR 2 , -N(CH 2 CH 2 OH) 2 ,
• Hydroxylamine =NOR
• Oligoester, -0(CH 2 0-) n , -0(CH 2 CH 2 0-) n (n = 2 - 200)
• Positiv geladene Substituenten: z. B. Ammonium-Salze -N + R 3 X " , Phosphonium-Salze -P + R 3 X "
• Negativ geladene Substituenten, z. B. Borate -(BR 3 ) , Aluminate -(A1R 3 ) ~ (als Anion kann ein Alkalimetal oder Ammoniumion fungieren).
Um die Anwesenheit frei beweglicher Ionen zu vermeiden, können auch positiv und negativ geladene Substituenten in einer Funktions-Gruppe FG vereinigt werden.
Demgemäß betrifft die Erfindung in einem weiteren Aspekt ein Verfahren zur Herstellung einer opto-elektronischen Vorrichtung, insbesondere wobei die Herstellung naß-chemisch erfolgt und das Verfahren die folgenden Schritte aufweist:
Aufbringung eines in einem ersten Lösungsmittel gelösten ersten Emitterkomplexes auf einen Träger, und Aufbringung eines in einem zweiten Lösungsmittel gelösten zweiten Emitterkomplexes auf den Träger;
wobei der erste Emitterkomplexes nicht in dem zweiten Lösungsmittel löslich ist und der zweite Emitterkomplexes nicht in dem ersten Lösungsmittel löslich ist; und wobei der erste Emitterkomplex und/oder der zweite Emitterkomplex ein erfindungsgemäßer Kup- fer(I)komplex ist. Das Verfahren kann weiterhin den folgenden Schritt aufweisen: Aufbringung eines in dem ersten Lösungsmittel oder in einem dritten Lösungsmittel gelösten dritten Emitterkomplexes auf den Träger, wobei der dritte Kupfer(I)komplex ein erfindungsgemäßer Kupfer(I)komplex ist.
In einer bevorzugten Ausführungsform ist die opto-elektronische Vorrichtung eine Weißlicht- OLED, wobei der erste Emitterkomplexe ein Rotlichtemitter ist, der zweite Emitterkomplexe ein Grünlichtemitter ist und der dritte Emitterkomplexe ein Blaulichtemitter ist.
Figuren
Figur 1: Prinzipieller Aufbau eines OLEDs. Die Abbildung ist nicht maßstabsgerecht gezeichnet.
Figur 2: Erläuterungen des Elektro-Lumineszenz- Verhaltens a für Übergangsmetall- Komplexe mit kleiner oder sich nur in geringem Maße auswirkender Spin-B ahn- Kopplung (z. B. Metall- Komplexe der ersten Periode der Übergangsmetalle) und b für erfindungsgemäß selektierte Cu(I)-Komplexe. Der in a für τ(Τι) angegebene Wert repräsentiert ein Beispiel.
Figur 3. ORTEP Bild eines Cu(dmphen)(m o-CB(PPh 2 ) 2 )-Moleküls.
Figur 4. Photolumineszenzspektrum von Cu(dmphen)(m ' <io-CB(PPh2)2) gemessen an einer Festkörperprobe bei Raumtemperatur.
Figur 5. Photolumineszenzspektrum von Cu(dmdpphen)(m ' <io-CB(PPh2)2) gemessen an einer Festkörperprobe bei Raumtemperatur.
Figur 6. ORTEP Bild eines Cu(dbphen)(m o-CB(PPh 2 ) 2 )-Moleküls.
Figur 7. Photolumineszenzspektrum von Cu(dbphen)(m ' <io-CB(PPh2)2) gemessen an einer Festkörperprobe bei Raumtemperatur.
Figur 8. Temperaturabhängigkeit der Emissionslebensdauer von Cu(dbphen)(m ' <io- CB(PPh 2 ) 2 ) gemessen für eine Festkörperprobe bei Anregung mit 532 nm und Detektion mit 590 nm. Der Energieabstand AE(Si-Ti) und die Emissionslebensdauern der Si und Ti Zustände wurden durch Anpassung unter Verwendung der Gleichung (4) ermittelt. Beispiele Beispiel 1
1,10-Phenanthrolinliganden, die die Löslichkeit in unpolaren Lösungsmitteln erhöhen
2,9-Dimethyl-4,7-di(n-butyl)- 1 , 10-phenanthrolin, Phen2
4,7-Dichloro-2,9-dimethyl-l,10-phenanthrolin, Phenl, wird gemäß Literatur (M. Schmittel, H. Ammon Eur. J. Org. Chem. 1998, 785.) hergestellt. Zur Subsitution mit einer n-Butyl- Gruppe wird mit äquimolare Mengen an n-HexMgBr und CuBr zugeben. Die Reinigung von Phen2 erfolgt mittels Säulenchromatographie über Silikagel.
Phenl Phen2 Beispiel 2
5,8-Di(n-butyl)-l,2,3,4,9,10,l l,12-octahydrodibenzo[b,j]-[l,10]phenanthrolin, Phen4
Das Phenanthrolin-dichlorid Phen3 wird wieder nach (M. Schmittel, H. Ammon Eur. J. Org. Chem. 1998, 785.) hergestellt. Die Synthese von Phen4 erfolgt in Analogie zu Phen2.
Phen3 Phen4
Beispiel 3
2,4,7,9-Tetra(n-heptyl)- 1 , 10-phenanthrolin, Phen7
2,4,7,9-Tetra-methyl-l,10-phenanthrolin, Phen5, hergestellt nach (G. Butt, R. D. Topsom, J. Heterocyclic Chem. 1981, 18, 641). Das 2,4,7,9-Tetrabromomethylen-l, 10-phenanthrolin, Phenö, wird durch Seitenkettenbromierung mittels NBS hergestellt und durch Säulenchromatographie (Si0 2 ) isoliert. Die Umsetzung mit n-HexLi führt zu Phen7.
Beispiel 4
2,9-Dimethyl-4,7-di-(p-hexylphenyl)- 1 , 10-phenanthrolin, Phen9 Ausgehend vom 4,7-Dibromo-2,9-dimethyl-l,10-phenanthrolin, Phen8, (M. Schmittel, H. Ammon Eur. J. Org. Chem. 1998, 785) und der kommerziell erhältlichen p- Hexylphenylboronsäure wird der Ligand Phen9 durch eine Suzuki- Kupplung dargestellt.
Phen9
1,10-Phenanthrolinliganden, die die Löslichkeit in polaren Lösungsmitteln, insbesondere Wasser, erhöhen
Beispiel 5
4,7-Bis(methoxy-triethylenglykol)-2,9-dimethyl-[l,10]phen anthrolin-4-ol, PhenlOa
Der Diether PhenlOa und der Monoether PhenlOb wird analog zur Literatur (B. Koning, J. W. de Boer, A. Meetsma, R. M. Kellogg, ARKIVOC 2004, 189) dargestellt. Die Isolierung erfolgt mittels Säulenchromatographie.
Beispiel 6
4,7-Bis(methoxy-polyethylenglykol)-2,9-dimethyl-[ 1 , 10]phenanthrolin, Phenlla
Die Darstellung der Liganden Phenlla/b erfolgt analog zu PhenlOa/b. Zum Einsatz kommt Methoxypolyethylenglykol mit einer durchschnittlichen Molmasse M n = 350 g/mol (CAS Nr. 9004-74-4). was n ~ 8 entspricht.
n « 8.
1,10-Phenanthrolinliganden, die mit einem Lochleitergruppen funktionahsiert sind Beispiel 7
4,7-Bis[(diphenylamino)phenylboronsäure]-2,9-dimethyl-[l ,10]phenanthrolm Phenl2
Kommerziell erhältliche 4-(Diphenylamino)phenylboronsäure (Aldrich) wird mit Phen8 zu Phenl2 gekoppelt.
Phen12
Beispiel 8
4,7-Bis[4-(9H-carbozol-9-yl)phenylboronsäure]-2,9-dimeth yl-[l,10]phenanthrolin, Phenl3
Kommerziell erhältliche 4-(9H-carbozol-9-yl)phenylboronsäure wird mit Phen8 zu Phenl3 gekoppelt.
1,10-Phenanthrolinliganden, die mit einer Elektronenleitergruppen funktionahsiert sind Beispiel 9
4,7-Bis( 1 ,2,4-Triazol)-2,9-dimethyl- [ 1 , 10]phenanthrolin, Phenl4
Das bromierte 1,2,4-Triazol wird gemäß (X. J. Feng, P. L. Wu, H. L. Tam, K. F. Li, M. S. Wong, K. W. Cheah, Chem. - Eur. J. 2009, 15, 11681) hergestellt. Durch Umsetzung mit n- BuLi und B(OMe)3 und anschließender Hydrolyse mit verdünnter HCl wird die Boronsäure synthetisiert. Die Boronsäure wird schließlich analog zu Beispiel 7 zum Liganden Phenl4 umgesetzt.
1,10-Phenanthrolinliganden, die die Löslichkeit in organischen Lösungsmitteln erhöhen Beispiel 10:
4,7-Bis(Hexyloxy)-2,9-dimethyl-l,10-phenanthroline, Phenlö
4,7-Bis((2-ethyl exyl)oxy)-2,9-dimethyl-l,10-phenanthroline, Phenl7 Das entsprechende 2,9-Dimethyl-l,10-phenanthroline-4,7-diol Phenl5 wurde gemäß (A. F. Larsen, T. Ulven, Org. Lett. 2011, 13, 3546) hergestellt. Durch Deprotonierung mit NaH und Umsetzung mit den entsprechenden Alkylbromiden (H. Frisell, B. Akermark, Organometal- lics 1995, 14, 561) wurden die alky Herten Liganden Phenlö und Phenl7 erhalten.
Hexyl Phen16
2-Ethylhexyl Phen17
Synthese der einfach negativ geladenen LnL-Liganden
Beispiel 11:
2-(2-Pyridinyl)-lH-indol, (NnNl)
l-(2-Pyrdinyl)ethanon wurde in einer Fischer- Indolsynthese mit Phenylhydrazin zu 2-(2- Pyridinyl)-lH-indol gemäß Literatur (R. P. Thummel, V. Hegde, J. Org. Chem. 1989, 54 (7), 1720 umgesetzt.
Beispiel 12:
Bis(l-pyrazolyl)borat, (NnN2)
Pyrazol wurde in der Schmelze mit NaB(Ph)4 gemäß Literatur (S. Trofimenko, J. Am. Chem. Soc. 1967, 89, 6288) zu dem entsprechenden Natriumsalz des Diphenyldi(lH-l- pyrazolyl)borats umgesetzt, das in einer weiteren Salzmetathese in das lösliche Tetrabuty- lammonium-diphenyldi(lH-l-pyrazolyl)borat überführt wurde.
N<^ N2
Synthese der Cu(I) -Komplexe:
Unter Verwendung der oben dargestellten Phen-Liganden werden die entsprechenden neutralen Cu(Phen)(PnP)-Komplexe mit folgendem, einfach negativ geladenem Bisphosphan hergestellt:
Ph— P P-Ph
[n-Bu 4 N] + Ph Ph
Das [n-Bu 4 N](PnP) wird gemäß (J. C. Peters, J. C. Thomas, Inorg. Synth. 2004, 34, 11) hergestellt.
Unter Stickstoffatmosphäre werden äquimolare Mengen an [n-Bu 4 N](PnP) und [CU(CH 3 CN) 4 ]PF Ö in Acetonitril gerührt. Nach 2 h wird der entsprechende Phen-Ligand zugeben. Das Produkt fällt aus und wird abfiltriert. Nach dem Waschen mit Wasser, kaltem Acetonitril und Diethylether wird das Produkt im Vakuum getrocknet.
Derart werden folgende Komplexe hergestellt:
Beispiel 13: Cu(Phen2)(PnP)
Beispiel 14: Cu(Phen4)(PnP)
Beispiel 16: Cu(Phen9)(PnP)
Beispiel 18: Cu(Phenlla)(PnP)
Beispiel 20: Cu(Phenl3)(PnP)
Beispiel 21: Cu(Phenl4)(PnP)
Beispiel 23: Cu(Phenl7)(PnP)
Beispiel 26
Cu(dmphen)(m o-CB(PPh 2 ) 2 ) (CB = C 2 B 9 Hi 0 )
Eine Lösung von 330 mg (0.44 mmol) Tetrapropylammonium 7,8-Bis-(diphenylphosphino)- 7,8-dicarba-m ' <io-undecarborat (NPr 4 + m ' <io-CB(PPh 2 ) 2 , (synthetisiert nach Zakharkin, L. I.; Kalinin, V. N. Tetrahedron Lett. 1965, 7, 407.) und 163 mg (0.44 mmol) Cu(CH 3 CN) 4 + PF 6 " in 50 ml Acetonitril wurde unter Stickstoff 2 h bei 25 °C gerührt. Anschließend wurden 91 mg (0.44 mmol) Neocuproine (dmphen) zugegeben. Das Produkt Cu(dmphen)(m ' <io-CB(PPh2)2) fällt als gelbes Pulver aus und wird abfiltriert. Das Rohprodukt wird mit Wasser, kaltem Acetonitril und Diethylether gewaschen und im Vakuum getrocknet.
Ausbeute: 300 mg (88 %).
Elementalanalyse: C - 61.23 %, H - 5.36 %, N - 3.52 %.
Für Q 0 FÜ 2 N 2 B 9 CUP 2 erwartet: C - 62.11 %, H - 5.47 %, N - 3.62 %.
ES-MS: e/z = 773.4 (M + )
Kristallisation aus einer Dichlormethan/Toluol Mischung liefert Kristalle von Cu(dmphen)(m ' <io-CB(PPh2)2) x CH2CI2 geeignet für Röntgenstrukturanalyse. In Figur 3 ist ein ORTEP Bild eines Cu(dmphen)(m ' <io-CB(PPh2)2) Moleküls gezeigt. Seine Lumineszenzeigenschaften, gemessen an einer Festkörperprobe bei Raumtemperatur, sind in Figur 3 dargestellt.
Tabelle 1. Photo lumineszenzdaten für Cu(dmphen)(m ' <io-CB(PPh2)2) (gemessen unter Stickstoff-Schutzgasatmosphere)
Bedingungen: Festkörper (300 K) PMMA (300 K) PMMA (77 K)
Emissionsmaximum: 557 nm 577 nm 597 nm
Emissionslebensdauer τ : 11 μ 8 14 μ 8 600 μ 8
Quantenausbeute (|)PL: 55 % 40 %
Die starke Abnahme der Emissionslebensdauer bei Temperaturerhöhung von T = 77 K (600 μ 8) auf 300 K (14 μ 8) um einen Faktor größer als 40 ist - bei dem beobachteten (|)pL-Wert von 40 % - ein Beleg für die thermische Besetzung eines kürzerlebigen emittierenden
elektronischen Zustandes, d. h. ein Beleg für das Auftreten des Singulett-Harvesting-Effektes.
Beispiel 27:
Cu(dmdpphen)(m o-CB(PPh 2 ) 2 ) (CB = C 2 B 9 Hi 0 )
Syntheseweg:
Eine Lösung von 188 mg (0.25 mmol) Tetrapropylammonium-7,8-Bis-(diphenylphosphino)- 7,8-dicarba-m ' <io-undecarborat (NPr 4 + m ' <io-CB(PPh 2 ) 2 ) und 93 mg (0.25 mmol) Cu(CH 3 CN) 4 + PF 6 " in 50 ml Acetonitril wurde unter Stickstoff 2 h bei 25 °C gerührt. Anschließend wurden 90 mg (0.25 mmol) Bathocuproine (dmdpphen) zugegeben. Das Produkt Cu(dmdpphen)(m ' <io-CB(PPh2)2) fällt als gelbes Pulver aus und wird abfiltriert. Das Rohprodukt wird mit Wasser, kaltem Acetonitril und Diethy lether gewaschen und im Vakuum getrocknet.
Ausbeute: 200 mg (86 %).
Die Lumineszenz-Eigenschaften von Cu(dmdpphen)(m ' <io-CB(PPh2)2), gemessen an einer Festkörperprobe bei Raumtemperatur, sind in Figur 5 dargestellt. Beispiel 28:
Cu(dbphen)(m o-CB(PPh 2 ) 2 ) (CB = C 2 B 9 Hi 0 )
Eine Lösung von 150 mg (0.2 mmol) Tetrapropylammonium-7,8-Bis-(diphenylphosphino)- 7,8-dicarba-m ' <io-undecarborat (NPr 4 + m ' <io-CB(PPh 2 ) 2 ) und 74 mg (0,2 mmol) Cu(CH 3 CN) 4 + PF 6 " in 50 ml Acetonitril wurde unter Stickstoff 2 h bei 25 °C gerührt. Anschließend wurden 58 mg (0,2 mmol) 2,9-Di-n-butylphenanthrolin (dbphen) zugegeben. Das Produkt Cu(dmphen)(m ' <io-CB(PPh2)2) fällt als gelbes Pulver aus und wird abfiltriert. Das Rohprodukt wird mit Wasser, kaltem Acetonitril und Diethy lether gewaschen und im Vakuum getrocknet.
Ausbeute: 145 mg (85 %).
Elementalanalyse: C - 63.51 %, H - 6.12 %, N - 3.14 %.
Für C 46 H 54 N 2 B 9 CUP 2 erwartet: C - 64.41 %, H - 6.35 %, N - 3.27 %.
ES-MS: e/z = 858.5 (M + )
Cu(dbphen)(nz ' <io-CB(PPh2)2) wird aus einer Mischung aus Dichlormethan und Toluol kristallisiert. In Figur 6 ist ein ORTEP Bild einer Cu(dbphen)( ' iio-CB(PPh 2 ) 2 ) Moleküls gezeigt.
Ein Photoluminescenzspektrum von Cu(dbphen)(m ' <io-CB(PPh2)2), gemessen an einer
Festkörperprobe bei Raumtemperatur, ist in Figur 7 gezeigt.
Tabelle 2. Photolumineszenzdaten für Cu(dbphen)(m ' <io-CB(PPh2)2) (gemessen unter Stickschtoff-Schutzgasatmosphere)
Bedingungen: Festkörper (300 K) PMMA (300 K) PMMA (77 K)
Emissionsmaximum: 575 nm 575 nm 579 nm
Emissionslebensdauer τ: 5 μ8 11 μ8 700 μ8
Die starke Abnahme der Emissionslebensdauer bei Temperaturerhöhung von T = 77 K (700 μ8) auf 300 K (11 μ8) um einen Faktor größer als 60 ist - bei der beobachteten hohen Emissionsquantenausbeute - ein Beleg für die thermische Besetzung eines kürzerlebigen emittierenden elektronischen Zustandes, d. h. ein Beleg für das Auftreten des Singulett- Harvesting-Effektes.
Figur 8 zeigt die Abhängigkeit der Emissionslebensdauer als Funktion der Temperatur gemessen für eine Cu(dbphen)(m ' <io-CB(PPh 2 ) 2 )-Festkörperprobe. Etwa unterhalb von T = 100 K zeigt sich ein Plateau, das die Emissionslebensdauer des Ti Zustandes von ca. 440 μ8 widerspiegelt. Die eingezeichnete Kurve repräsentiert eine Fit-Funktion gemäß Gleichung (4). Die resultierenden Fit- Werte für x(Si) und AE(Si-Ti) sind in der Figur 8 eingetragen. Weitere Beispiele
Beispiel 29
Beispiel 30
Beispiel 31 Beispiel 32
Unter Verwendung der oben dargestellten Phen-Liganden und der einfach negativ geladenen LnL-Liganden wurden die entsprechenden neutralen Cu(Phen)(LnL)-Komplexe hergestellt:
Unter Stickstoffatmosphäre wurde 2-(2-Pyridinyl)indol, NnNl in THF mit nBuLi bei Raumtemperatur deprotoniert, 1 Stunde rühren gelassen und mit der äquimolaren Menge an [CU(CH 3 CN) 4 ]PF Ö versetzt. Nach 2 h wurde der entsprechende Phen-Ligand zugeben. Das Produkt fiel aus und wurde abfiltriert. Nach dem Waschen mit Wasser, kaltem Acetonitril und Diethylether wurde das Produkt im Vakuum getrocknet.
Cu(Phenl6)(NnNl)
Beispiel 32: Cu(Phenl7)(NnNl)
Beispiel 33: Cu(BCP)(NnNl)
Beispiel 34: Cu(Phenl7)(NnN)
Beispiel 37
Unter Stickstoffatmosphäre wurde 8-Quinolinol in THF mit nBuLi bei Raumtemperatur deprotoniert, 1 Stunde rühren gelassen und mit der äquimolaren Menge an [CU(CH 3 CN) 4 ]PF Ö versetzt. Nach 2 h wurde der entsprechende Phen-Ligand in äquimolarer Menge zugeben. Das Produkt fiel aus und wurde abfiltriert. Nach dem Waschen mit Wasser, kaltem Acetonitril und Diethylether wurde das Produkt im Vakuum getrocknet.
Cu(Phenl6)(NnO)
Beispiel 40
Unter Stickstoffatmosphäre wurden äquimolare Mengen an [n-Bu 4 N](NnN2) und [Cu(CH 3 CN) 4 ]PF 6 in Acetonitril gerührt. Nach 2 h wurde der entsprechende Phen-Ligand in äquimolarer Menge zugeben. Das Produkt fiel aus und wurde abfiltriert. Nach dem Waschen mit Wasser, kaltem Acetonitril und Diethylether wurde das Produkt im Vakuum getrocknet.
Cu(Phenl6)(NnN2)
Beispiel 41: Cu(Phenl7)(NnN2)