Gebiet der Erfindung

Die Erfindung bezieht sich auf Verfahren zur Erzeugung einer Vielzahl von Löchern in dünnen, plattenförmigen

Werkstücken aus dielektrischem Material sowie aus

Halbleitern, ferner auf eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens und auf mit dem Verfahren hergestellte

Erzeugnisse . Hintergrund der Erfindung

Das Perforieren von Kunststofffilmen durch elektrisch erzeugte Funken ist durch US 4,777,338 bekannt. Es ist eine Vielzahl von Elektroden-Gegenelektroden-Paaren vorgesehen, zwischen denen der Kunststofffilm geführt wird und über die Hochspannungsenergie entladen wird. Der Film wird dabei durch ein Wasserbad geführt, und die Temperatur des

Wasserbades dient dazu, die Abmessung der Perforationen zu beeinflussen .

Ein weiteres Verfahren zur Erzeugung von Poren in

Kunststofffilmen ist durch US 6,348,675 Bl bekannt. Es werden Impulsfolgen zwischen Elektrodenpaaren unter

Zwischenlage des Kunststofffilms erzeugt, wobei der erste Impuls zur Aufheizung des Kunststofffilms an der

Lochungsstelle und die weiteren Impulse zur Bildung der Lochung und deren Formung dienen.

BESTÄTIGUNGSKOPIE Aus US 4,390,774 ist die Bearbeitung auf elektrischem Wege von nicht leitfähigen Werkstücken im Sinne von Schneiden des Werkstücks oder Schweißen des Werkstücks bekannt. Ein Laserstrahl wird auf das Werkstück gerichtet, das während der Einwirkung verschoben wird, und es wird mittels zweier Elektroden Hochspannung an die erhitzte Zone angelegt, um Funkenüberschlag zu bilden, der zur Bearbeitung des

Werkstücks dient. Beim Schneiden des Werkstücks brennt dieses in einer kontrollierten Weise, oder die elektrische Leitfähigkeit nimmt mit der Temperatur zu, wie beim

Schneiden von Glas. Wenn Werkstücke geschweißt werden sollen, werden noch reaktive oder inerte Gasströme auf die erhitzte Zone gerichtet, die entweder mit dem Werkstück oder der Elektrode oder einem Flussmittel reagieren. Auf diese Weise kann Glas, Papier, Tuch, Karton, Leder,

Kunststoff, Keramik und Halbleiter geschnitten oder es kann Glas und Kunststoff geschweißt, Gummi vulkanisiert und Kunstharz thermisch ausgehärtet werden. Die Gerätschaft ist aber ihrer Art nach zu klobig, als dass feine Löcher in das Werkstück appliziert werden könnten.

Aus WO 2005/097439 A2 ist ein Verfahren zur Bildung einer Struktur, vorzugsweise eines Loches, eines Hohlraums oder eines Kanals in einer Region eines elektrisch isolierenden Substrats bekannt, bei dem Energie vorzugsweise in Form von Wärme, auch durch einen Laserstrahl, dem Substrat oder der Region zugeführt und eine Spannung an die Region angelegt wird, um dort einen dielektrischen Durchbruch zu erzeugen. Mit einem Rückkopplungsmechanismus wird der Vorgang

geregelt. Es können feine, einzelne Löcher nacheinander erzeugt werden, jedoch kann nicht mit mehreren

Elektrodenpaaren gleichzeitig gearbeitet werden. Dies deshalb, weil sich parallele Hochspannungselektroden gegenseitig beeinflussen und ein einzelner Durchbruch den gesamten Strom an sich zieht. Durch WO 2009/059786 AI ist ein Verfahren zur Bildung einer Struktur, insbesondere eines Loches, eines Hohlraums, eines Kanals oder einer Aussparung in einer Region eines

elektrisch isolierenden Substrats bekannt, bei der geladene elektrische Energie durch die Region entladen wird und zusätzliche Energie, vorzugsweise Wärme, dem Substrat oder der Region zugeführt wird, um die elektrische Leitfähigkeit des Substrats oder der Region zu vergrößern und dabei einen Stromfluss auszulösen, dessen Energie sich in dem Substrat in Wärme umwandelt, wobei die Rate der Wärmeumwandlung der elektrischen Energie durch ein Strom und Leistung

modulierendes Element gesteuert wird. Eine Vorrichtung zur Erzeugung mehrerer Löcher gleichzeitig wird nicht

offenbart . Aus WO 2009/074338 AI geht ein Verfahren zur Einführung einer Änderung der dielektrischen und/oder optischen

Eigenschaften in einer ersten Region eines elektrisch isolierenden oder elektrisch halbleitenden Substrats hervor, wobei auf das Substrat, dessen optische oder dielektrische Eigenschaften infolge zeitweiliger Zunahme der Substrattemperatur irreversibel verändert sind,

gegebenenfalls eine elektrisch leitende oder halbleitende oder isolierende Schicht aufweist, wobei elektrische

Energie durch eine Spannungszufuhr der ersten Region zugeführt wird, um diese signifikant aufzuheizen oder teilweise oder ganz zu schmelzen, ohne dass Material aus der ersten Region ausgeworfen wird, wobei ferner optional zusätzliche Energie zugeführt wird, um örtliche Wärme zu erzeugen und die Stelle der ersten Region zu definieren. Die Wärmeumwandlung der elektrischen Energie manifestiert sich in Form eines Stromflusses innerhalb des Substrats. Die Abgabe der elektrischen Energie wird durch ein Strom und Leistung modulierendes Element geregelt. Nach dem

Verfahren erzeugte Änderungen in Substratoberflächen umfassen auch Löcher, die in Borsilikatglas oder

Siliziumsubstraten erzeugt worden sind, die mit einer isolierenden Schicht aus Paraffin oder einem

Heizschmelzkleber versehen worden waren. Es werden auch Löcher in Silizium, in Zirkon, in Saphir, in Indiumphosphid oder in Galliumarsenid erzeugt. Teilweise wurde der

Entladungsprozess durch eine Laserbestrahlung bei einer Wellenlänge von 10,6 pm (C0 ₂ ~Laser) initiiert. Es werden auch Lochraster gezeigt, jedoch mit relativ weiten

Lochabständen. Eine Vorrichtung zur Erzeugung mehrerer Löcher gleichzeitig wird nicht offenbart. Die DE 2830326 AI offenbart eine Anordnung zum

Feinstperforieren folienartiger Materialbahnen mittels Hochspannungsimpulen . Es werden Nadelpaare als Elektrode und Gegenelektrode benutzt, die in versetzten Reihen angeordnet sind und nacheinander gruppenweise angesteuert werden, während die Materialbahnen durch eine

Transportwalze zwischen den mehrreihigen Nadelfeldern hindurchgeführt werden. Für jedes der einander in den

Nadelfeldern gegenüberstehenden Nadelpaare ist eine

Erregerschaltung vorgesehen. Aus dem Stand der Technik geht somit hervor, wie man Folien und dünne Platten aus dielektrischen Materialien mittels eines elektrischen Hochspannungsfeldes geeigneter Frequenz oder in Impulsform perforieren kann. Durch lokale

Aufheizung des Materials wird an den zu perforierenden Stellen die Durchschlagsfestigkeit herabgesetzt, so dass die angelegte Feldstärke ausreicht, einen elektrischen Strom durch das Material fließen zu lassen. Falls das

Material eine ausreichend starke Zunahme der elektrischen Leitfähigkeit von der Temperatur aufweist, wie dies bei Gläsern, Glaskeramiken und Halbleitern (auch vielen

Kunststoffen) zutrifft, entsteht in dem Material eine „elektrothermische Selbstfokussierung" des

Durchschlagskanals. Das Lochmaterial wird immer heißer, die Stromdichte nimmt zu, bis das Material verdampft und die Perforation „freibläst". Da die Perforation auf einem dielektrischen Durchbruch beruht, ist es jedoch schwierig, die gewünschte Stelle des Durchschlags genau einzuhalten. Bekanntlich nehmen Blitze einen sehr unregelmäßigen

Verlauf.

Bei CPU-Chips gibt es mehrere Hundert Kontaktpunkte auf seiner Unterseite auf kleiner Fläche verteilt. Um

Zuleitungen zu den Kontaktpunkten zu schaffen, werden dünne (< 1 mm) Plättchen, mit Epoximaterial ummantelte

Glasfasermatten, sogenannte „Interposer", benutzt, durch die die Zuleitungen führen. Hierzu werden mehrere Hundert Löcher in dem Interposer angebracht und mit leitfähigem Material verfüllt. Typische Lochgrößen liegen im Bereich von 250 bis 450 pm je Loch. Zwischen CPU-Chips und

Interposer sollte es keine Längenänderungen geben. Die Interposer sollten deshalb ein Wärmedehnverhalten ähnlich dem Chip-Halbleitermaterial aufweisen, was jedoch bei den bisher verwendeten Interposern nicht zutrifft.

In der Solartechnik werden zur Herstellung von Solarzellen eine Vielzahl von Löchern (je nach der angewandten Technik 10 bis 100 oder in der Größenordnung von mehreren 10.000 Löchern) in Siliziumwafern gebohrt, um in späteren

Verfahrensschritten von Rückseiten-kontaktierungen aus dünne Finger nach der Vorderseite der betreffenden

Solarzelle sich erstrecken zu lassen. Die Löcher werden mit der Technik des Maskierens und Ätzens hergestellt, die sich nicht besonders gut für die Herstellung von zylindrischen Bohrungen mit glatten (feuerpolierten) Bohrungswänden und hohen Aspektverhältnissen (Plattendicke zu

Bohrungsdurchmesser) eignen. Auch durch Laserbohren werden Löcher in Solarplatten hergestellt, was jedoch

außerordentlich teuer ist.

Was im Stand der Technik weiterhin fehlt, ist die Erzeugung in industriellem Maßstab einer Vielzahl von feinen Löchern nebeneinander mit Lochabständen im Bereich von 120 μπ\ bis 400 μηα mittels des elektrothermischen

Perforierungsvorgangs . Allgemeine Erfindungsbeschreibung

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Erzeugung einer Vielzahl von Löchern in dünnen, plattenförmigen Werkstücken aus dielektrischem Material sowie aus Halbleitern anzugeben, wenn folgende Forderungen erfüllt werden sollen:

Die Lochposition muss exakt sein (± 20 pm) . Viele kleine Löcher (10 bis mehrere 10.000) sollen pro Werkstück bei engen Toleranzen der Löcher zueinander unterbracht werden.

Der Lochabstand darf auch eng sein (30 pm bis 1000 pm) . Die Lochherstellung soll im industriellen Maßstab

erfolgen .

Das erfindungsgemäße Verfahren muss sich vor allem für die Herstellung von „Glas-Interposern" eignen, die folgende Eigenschaften besitzen:

- Die Glas-Interposer sollen eine große Anzahl von

Löchern, etwa zwischen 1000 und 5000 aufweisen.

- Die Lochdurchmesser sollen im Bereich von 20 m bis 450 pm liegen können, wobei ein Bereich zwischen 50 pm und 120 pm bevorzugt wird, bei Aspektverhältnissen (Glasdicke zu Lochdurchmesser) von 1 bis 10.

- Der Mittelpunktabstand der Löcher soll zwischen 120 pm und 400 pm liegen können.

- Die Lochform soll am Bohrungseintritt und -austritt mit abgerundeten Randkanten ausgebildet sein, in der Mitte der Platte möglichst zylindrisch.

- Gegebenenfalls kann auch ein Wulst um den Lochrand bei einer Wulsthöhe von maximal 5 pm zugelassen werden.

- Die Lochwände sollen glatt (feuerpoliert) sein. Ferner sollen Solarzellen hergestellt werden können, die typischerweise eine Siliziumwafer-Plattendicke von 0,12 bis 0,3 mm und eine Plattenkantenlänge von 125 bis 250 mm aufweisen und die mit einer großen Anzahl von Löchern (10 bis mehrere 10.000) versehen sein sollen. Die Durchmesser der Löcher sollen im Bereich von 50 bis 200 pm liegen. Die Lochwände sollen glatt (feuerpoliert) sein. Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren kann in zwei Etappen vorgegangen werden. Zunächst können dielektrische

Durchbrüche an den vorgesehenen Lochungsstellen erzeugt und in der zweiten Etappe können diese dielektrischen

Durchbrüche aufgeweitet werden.

Um die Stellen der dielektrischen Durchbrüche genau zu markieren, wird das jeweilige Werkstück mit

Ankopplungsmaterial punktförmig an den vorgesehenen

Lochungsstellen bedruckt. Das Ankopplungsmaterial wird aktiviert, indem es z.B. erwärmt wird. Oder das bedruckte Werkstück wird zwischen plattenförmigen HF-Elektroden verbracht, und die Abgabe von HF-Energie sorgt für stärkere Erwärmung des Werkstückes zwischen den

Ankopplungsmaterialflecken, bis dort Erweichung des

Werkstückmaterials mit Herabsetzung der

Widerstandsfestigkeit gegenüber elektrischem Durchschlag stattfindet. Wenn nunmehr eine hohe Spannung zwischen den Elektroden angelegt wird, entstehen dielektrische

Durchbrüche an den Ankopplungspunkten .

Wenn das dielektrische Material aus Glas oder glasähnlichem Material besteht, kann als Ankopplungsmaterial Glaspaste mit hohen dielektrischen Verlusten bei HF-Einwirkung verwendet werden. Bei Glas, glasähnlichem Material oder

Halbleitermaterial kommt als Ankopplungsmaterial auch Paste mit leitfähigen Anteilen in Betracht. Solche Paste kann metallische Partikel enthalten, oder es können metallische Partikel bei Einwirkung von thermischen und/oder chemischen Prozessen ausgeschieden werden. Solch leitfähigen Anteile können an den vorgesehenen Lochungsstellen jeweilige

Mikroantennen für die zugeführte Hochfrequenzenergie bilden, was der raschen Entwicklung von dielektrischen Durchbrüchen nützlich ist.

Im weiteren Prozessverlauf werden die erzeugten

dielektrischen Durchbrüche aufgeweitet. Man kann sich dabei des Verfahrens der elektrothermischen Selbstfokussierung des Durchschlagkanals bedienen, d. h. durch weiterhin angelegte hohe Spannung geeigneter Frequenz oder in

Impulsform kann man die Fertigstellung des jeweiligen herzustellenden Loches bewirken.

Man kann aber auch die Lochaufweitung auf chemischem Wege betreiben. Bei Werkstücken aus Glas oder glasähnlichen Materialien führt die Zufuhr von halogenartigen

Reaktivgasen zur Siliziumabreicherung im Bereich der dielektrischen Durchbrüche, was den Erweichungspunkt des Glases zu tieferen Temperaturen verschiebt, wodurch der Materialabtrag schneller wird. Die Ausweitung der Löcher kann auch unter Nutzung der Plasmachemie, d. h. durch tiefes reaktives Ionen-Ätzen erfolgen. Man kann

alternierende Zyklen des Ätzens und des Passivierens einlegen. Bei gläsernen Werkstücken kann mit CF4-Gas oder SF6-Gas geätzt und mit C4F8-Gas passiviert werden. Die Lochaufweitung kann in einer kombinierten Apparatur zusammen mit der Erzeugung der dielektrischen Durchbrüche durchgeführt werden, es ist aber auch möglich, getrennte Apparaturen zur Erzeugung der dielektrischen Durchbrüche und der Aufweitung anzuwenden. In jedem Fall ist es

günstig, die reaktiven Gase als Düsenströme auf die

Lochbildungsstellen zu richten. Nach Bildung der Löcher werden Spülgase eingesetzt, um das abgetragene Lochmaterial zu beseitigen.

Die Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens enthält zwei zueinander parallele Platten, welche den

Bearbeitungsraum des Werkstückes begrenzen. Diese

parallelen Platten können gleichzeitig eine HF-Elektrode und eine HF-Gegenelektrode bilden. Ein Werkstückhalter hält das Werkstück an richtiger Stelle im Bearbeitungsraum. Ein HF-Generator ist vorgesehen, um dem Elektroden- Gegenelektroden-Paar Hochfrequenzenergie zuzuführen und das HF-Ankopplungsmaterial an den vorgesehenen Lochungsstellen aufzuheizen. An diesen aufgeheizten Stellen sinkt die

Durchschlagsfestigkeit des Materials, so dass, wenn dem Elektroden-Gegenelektroden-Paar Hochspannung zugeführt wird, an den vorgesehenen Lochungsstellen dielektrische Durchbrüche ausgelöst werden.

Wenn mit chemischer Aufweitung der dielektrischen

Durchbrüche gearbeitet werden soll, enthält die Apparatur zu den im Werkstück vorgesehenen Lochungsstellen hin gerichtete Düsenbohrungen, die mit Gaszufuhrleitungen verbunden sind. Ferner sind an den Bearbeitungsraum Gas- Absaugeinrichtungen angeschlossen, um überschüssiges Gas und abgetragenes Lochmaterial abzusaugen.

Kurze Beschreibung der Zeichnung

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden anhand der

Zeichnung beschrieben. Dabei zeigt: Fig. 1 eine Apparatur zur Erzeugung von dielektrischen

Durchbrüchen in dünnen, plattenförmigen Werkstücken und

Fig. 2 eine Apparatur zur Aufweitung von dielektrischen

Durchbrüchen.

Fig. 1 zeigt schematisch eine Anlage zur Erzeugung von dielektrischen Durchbrüchen 11 in einem dünnen (< 1 mm) , plattenförmigen Werkstück 1 aus dielektrischem Material sowie aus Halbleitern. Das Werkstück 1 ist an den

vorgesehenen Lochungsstellen mit Ankopplungsmaterial 10 punktförmig bedruckt worden, was durch Druckverfahren hochpräzise gemäß den Ortskomponenten der zu erstellenden Löcher geschehen kann.

Die Anlage enthält zwei zueinander parallele Elektroden 2, 3, die über einen HF-Generator 9 erregt werden können. Der Zwischenraum zwischen den Elektroden bildet einen

Bearbeitungsraum 23, in welchem das Werkstück 1 mittels eines Werkstückhalters 5 gehalten wird. An den Elektroden 2, 3 können tafel- oder ringförmige Elektrodenfortsätze 6, 7 vorgesehen sein, die (im Gegensatz zu der zeichnerischen Darstellung) den Ankopplungspunkten 10 eng benachbart sind oder sogar an diesen leicht anliegen. Damit dies der Fall ist, kann der Werkstückhalter 5 das Werkstück 1 präzise koordinatenmäßig verschieben, damit die Elektrodenfortsätze 6, 7 zu den HF-Ankopplungspunkten 10 ausgerichtet sind.

Bei einem Glas-Interposer als Werkstück 1 haben die

Ankopplungspunkte 10 einen Durchmesser im Bereich von 20 bis 450 μπ, vorzugsweise zwischen 50 pm und 120 μπι, bei einer Dicke des Werkstückes 1 unterhalb 1 mm. Der Abstand der Mittelpunkte der Ankopplungspunkte 10 liegt im Bereich zwischen 120 μιη und 400 pm. Die Anzahl der Punkte kann im Bereich zwischen 10 und 10.000 liegen. Im Betrieb der Vorrichtung wird das Werkstück 1 mit

Hochfrequenzenergie beaufschlagt, wodurch es zu einer

Aufwärmung des Werkstückes 1 im Allgemeinen, aber besonders an und im Materialbereich zwischen den

Ankopplungsmaterialpunkten 10 kommt. Dies führt zu einer Herabsetzung der Durchschlagsfestigkeit des Materials am stärksten im Zwischenbereich der Ankopplungspunkte 10. Eine entsprechend hohe Spannung des Generators 9 sorgt dann für dielektrische Durchbrüche 11 zwischen den

Ankopplungspunkten 10.

Wenn das Verfahren mit mehreren Hochspannungsimpulsen betrieben wird, wird das Material im Bereich der

Durchbrüche 11 immer heißer, die Stromdichte nimmt zu, bis das Material verdampft und der dielektrische Durchbruch zum Loch 12 aufgeweitet wird. Das abgetragene Lochmaterial kann durch Spülgas entfernt werden, das über Zu- und

Abführkanäle 22, 33 zu- und abgeleitet wird.

Zur Herstellung von mono- oder polykristallinen Solarzellen (Dicke etwa 0,2 mm, Kantenlänge etwa 150 mm) benutzt man eine Halbleiterwaferplatte aus Silizium, die an ihrer

Vorderseite eine SiN-Schicht trägt. Diese Vorderseite wird an den vorgesehenen Lochungsstellen (10 bis mehrere 10.000 Löcher, Lochdurchmesser zwischen 50 und 200 m) mit einer Paste bedruckt, die einen Gehalt an PbO oder BiO enthält. Die (einseitig) bedruckte Halbleiterplatte wird z.B. in einem Ofen erhitzt, wodurch das PbO oder BiO mit der SiN- Schicht reagiert und metallisches Pb oder Bi ausgeschieden wird, das als Lokalantenne für das elektrothermische

Perforieren dienen kann und später als metallische

Kontaktierung der Si-Zelle genutzt wird. Die Wirkung als Lokalantenne ist mit den Ankopplungspunkten 10 in Fig. 1 beschrieben worden.

Fig. 2 zeigt schematisch eine Anlage zur Aufweitung von dielektrischen Durchbrüchen 11 in Werkstücken 1 auf chemischem Wege. Die Anlage ist ähnlich aufgebaut wie die Anlage nach Fig. 1. Der Bearbeitungsraum 23 wird von zwei Platten 26 und 37 begrenzt, die (im Gegensatz u der

zeichnerischen Darstellung) im engen Abstand zu dem

Werkstück 1 angeordnet sind und zueinander fluchtende Düsen 20, 30 aufweisen, zu denen die Lochungsstellen 10

ausgerichtet werden müssen. Hierzu ist der Werkstückhalter 5 vorgesehen, der koordinatenmäßig fein verstellbar ist. Über ein Leitungs- und Kanalsystem 22, 33 können reaktive Gase und Spülgase auf die Lochungsstellen 10 des Werkstücks 1 hin gerichtet werden.

Der Betrieb der Vorrichtung nach Fig. 2 ist wie folgt:

Es sei angenommen, dass es sich bei dem Werkstück 1 um Glas mit einem Alkaligehalt < 700 ppm handelt, das sich wegen seines Ausdehnungskoeffizienten für die Herstellung eines Interposers eignet. Durch tiefes, reaktives Ionen-Ätzen werden aus den dielektrischen Durchbrüchen 11 Mikrolöcher 12 gemacht. Hierzu werden abwechselnd Ätzgase, wie CF4 oder SF6, und Passiviergase, wie C4F8, mittels der Düsen 20, 30 auf die Lochungsstellen bzw. die bereits vorhandenen dielektrischen Durchbrüche 11 gerichtet, während das abgetragene Lochmaterial in Form von gasförmigen Siliziumhalogeniden über den Bearbeitungsraum 23 abgeführt wird. Auf dem Werkstück 1 kann beidseitig eine Ätzmaske aufgeklemmt sein, um die Bereiche außerhalb der

vorgesehenen Lochungen abzudecken. Es ist möglich, die Gasströme durch die Düsen 20 abwechselnd zu den Gasströmen durch die Düsen 30 zu schalten, um die herzustellenden Löcher 12 in ihrem mittleren Abschnitt gleichmäßig

zylindrisch zu gestalten, während die Kanten am Ein- und Austritt zu den kanalförmigen Löchern 12 abgeschliffen werden. Auf diese Weise entstehen so geformte Löcher 12, wie sie für die Endherstellung von Interposern benötigt werden .

Der schnelle Gaswechsel zwischen ätzenden und

passivierenden Gasen zusammen mit einem hohen Gasdurchsatz führt zu einer erhöhten Ätzrate, die bis zu 20 m/min betragen kann. Die Plasmachemie eignet sich deshalb für die industrielle Herstellung von Löchern für ein industrielles Massenprodukt , wie es die Interposer darstellen.

Die Vorrichtungen nach Fig. 1 und 2 lassen sich miteinander kombinieren. Die Düsenplatten 26 und 37 der Fig. 2 werden als Hochfrequenzelektroden 2 und 3 ausgebildet, wobei die Elektrodenfortsätze 6 und 7 ringförmig gestaltet werden, um die jeweiligen Auslässe der Düsen 20 und 30 aufzunehmen.

Wie im Falle der Fig. 1 können die Elektrodenplatten 2, 3 im Bereich ihrer Fortsätze 6, 7 einen äußerst geringen Abstand zu den Ankopplungsmaterialflecken 10 einnehmen, sobald das Werkstück 1 korrekt relativ zu den Elektroden 2, 3 positioniert worden ist. Die Betriebsweise entspricht weitgehend dem Ablauf des Verfahrens, wie mit Fig. 1 und 2 beschrieben. Jedoch können die Reaktivgase während der Beaufschlagung des Werkstücks 1 mit HF-Energie zugeführt werden, zumal man an den stärker erhitzten Stellen 10 eine rasche Abreicherung von Silizium erwarten kann, wobei aus dem Bereich des entstehenden

Loches gasförmige Siliziumhalogenide entweichen, die prospektierten Lochstellen einen niedrigeren Schmelzpunkt annehmen (Eutektikum, Flussmittel für Glasschmelzen) und der Materialabtrag beschleunigt wird, auch weil der

dielektrische Durchbruch rascher erfolgt als bei getrennter Durchführung des dielektrischen Durchbruches und der

Aufweitung .