以下、本発明のシアニン化合物、並びに� ��シアニン化合物を含有してなる光学フィル� ��ー及び光学記録材料について、好ましい実� ��形態に基づき詳細に説明する。

 先ず、上記一般式(I)で表される本発明のシ� ��ニン化合物について説明する。
 上記一般式(I)において、R ¹ 、R ² 、R ³ 、R ⁵ 、R ⁶ 、Y ¹ 及びY ² 並びにX ¹ 中の基であるR ⁷ 、R ⁸ 及びY ^a で表される置換基を有していてもよい炭素原 子数1~10のアルキル基としては、例えば、メ� �ル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブ� �ル、第二ブチル、第三ブチル、イソブチル� �アミル、イソアミル、第三アミル、ヘキシ� �、シクロヘキシル、シクロヘキシルメチル� �シクロヘキシルエチル、ヘプチル、イソヘ� �チル、第三ヘプチル、n-オクチル、イソオク チル、第三オクチル、2-エチルヘキシル、ノ� ��ル、イソノニル、デシル等が挙げられ、R ¹ 、R ² 、R ³ 、R ⁵ 、R ⁶ 、Y ¹ 、Y ² 及びX ¹ 中の基であるY ^a で表される置換基を有していてもよい炭素原 子数1~10のアルコキシ基としては、例えば、� �チルオキシ、エチルオキシ、プロピルオキ� �、イソプロピルオキシ、ブチルオキシ、第� �ブチルオキシ、第三ブチルオキシ、イソブ� �ルオキシ、アミルオキシ、イソアミルオキ� �、第三アミルオキシ、ヘキシルオキシ、シ� �ロヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、イソ� �プチルオキシ、第三ヘプチルオキシ、n-オク チルオキシ、イソオクチルオキシ、第三オク チルオキシ、2-エチルヘキシルオキシ等が挙� ��られ、R ¹ 、R ² 、R ³ 、R ⁵ 、R ⁶ 、Y ¹ 及びY ² 並びにX ¹ 中の基であるR ⁷ 、R ⁸ 及びY ^a で表される置換基を有していてもよい炭素原 子数6~30のアリール基としては、例えば、フ� �ニル、ナフチル、アントラセン-1-イル、フ� �ナントレン-1-イル、テトラセニル、ペンタ� �ニル、クリセニル、トリフェニレニル、ピ� �ニル、ピセニル、ペリレニル等が挙げられ� �R ¹ 、R ² 、R ³ 、R ⁵ 、R ⁶ 、Y ¹ 及びY ² 並びにX ¹ 中の基であるR ⁷ 、R ⁸ 及びY ^a で表される置換基を有していてもよい炭素原 子数7~30のアリールアルキル基としては、例� �ば、ベンジル、フェネチル、2-フェニルプロ パン、ジフェニルメチル、トリフェニルメチ ル、スチリル、シンナミル等が挙げられ、R ¹ 、R ² 、R ³ 、R ⁵ 及びR ⁶ で表されるハロゲン原子としては、フッ素、 塩素、臭素、ヨウ素が挙げられる。

 上記一般式(I)におけるR ¹ とR ² 、R ⁵ とR ⁶ 、及びX ¹ 中の基であるR ⁷ とR ⁸ とが連結して形成する環構造としては、例え ば、ベンゼン環、ナフタレン環、シクロヘキ サン環、シクロブタン環、シクロペンタン環 、シクロヘキサン環、シクロへプタン環、ピ ペリジン環、ピペラジン環、ピロリジン環、 モルフォリン環、チオモルフォリン環、ピリ ジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダ ジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキ ノリン環、イミダゾール環、オキサゾール環 、イミダゾリジン環、ピラゾリジン環、イソ オキサゾリジン環、イソチアゾリジン環等が 挙げられ、これらの環は他の環と縮合されて いたり、置換されていたりしてもよい。

 上記一般式(I)における-Q-で表される鎖中� ��環構造を含んでいてもよく、アンカー基で� ��換されていてもよい連結基を構成するポリ� ��チン鎖としては、炭素原子数1~7のポリメチ� ��鎖が挙げられ、これらのポリメチン鎖の中� ��も、モノメチン、トリメチン、ペンタメチ� ��、ヘプタメチン、ヘプタメチンが製造コス� ��が小さく、吸収波長特性が380~420nmの短波長� ��レーザ用の光学記録媒体の光学記録層の形� ��に特に適しているため特に好ましい。

 -Q-としては、例えば、下記(1)~(10)で表さ� �る基を好ましく挙げることができる。

(式中、R ¹⁶ 、R ¹⁷ 、R ¹⁸ 、R ¹⁹ 、R ²⁰ 及びR ²¹ は、各々独立に、水素原子、水酸基、ハロゲ ン原子、シアノ基、炭素原子数6~30のアリー� �基、ジフェニルアミノ基、炭素原子数1~10の� ��ルキル基又は炭素原子数1~8のアルコキシ基� ��表し、Z’は、水素原子、水酸基、ハロゲン 原子、シアノ基、ジフェニルアミノ基、炭素 原子数6~30のアリール基、炭素原子数7~30のア� ��ルキル基又は炭素原子数1~10のアルキル基を 表し、該アルキル基又はアラルキル基のアル キレン部分は、エーテル結合又はチオエーテ ル結合で置換されていてもよい。)

 上記一般式(I)中、R ¹ 、R ² 、R ³ 、R ⁴ 、R ⁵ 、R ⁶ 、R ⁷ 、R ⁸ 、Y ^a 、Y ¹ 及びY ² のうち少なくとも1つ以上は、アンカー基で� �るか-Q-がアンカー基で置換されているかで� �り、且つ式中のアンカー基は、合計で10以下 である。アンカー基とは、シアニン化合物に 、これが含まれる基材やこれが接触する基体 に対して、化学的又は静電気的な親和力、結 合能を付与する基である。アンカー基は、基 材や基体は金属や樹脂であることから、陰イ オン性基が有効である。このようなアンカー 基としては、例えば、下記一般式(VII)で表さ� ��る基を好ましく挙げることができる。

(式中、Lは、直接結合又は2価の炭化水素基で あり、Pは、陰イオン性基である。)

 上記一般式(VII)中、Lで表される2価の炭化 水素基としては、例えば、メチレン、エチレ ン、プロピレン、ブチレン等の炭素原子数1~8 のアルキレン基;フェニレン、トリレン、ナ� �チレン等の炭素原子数6~12のアリーレン基;フ ェニレンメチレン、フェニレンエチレン等の アリーレンアルキレン基;フェニレンジメチ� �ン、フェニレンジエチレン等のアリーレン� �アルキレン基等が挙げられ、前記炭素原子� �1~8のアルキレン基及びアリーレンアルキレ� �基並びにアリーレンジアルキレン基中のメ� �レン鎖は、-O-、-S-、-CO-又は-C=C-に置き換え� �れていてもよい。Pで表される陰イオン性基� ��しては、例えば、カルボキシル基、スルホ� ��酸基、リン酸基、あるいはその金属塩、ア� ��モニウム塩、有機アンモニウム塩、エステ� ��等が挙げられる。これらのアンカー基の中� ��も、下記一般式(VIII)で表される基が、製造� ��ストが小さく、光学記録材料として使用す� ��場合は、金属反射膜との親和性が高いため� ��ましく、下記一般式(IX)で表される基がより 好ましい。

(式中、Lは、直接結合又は炭素原子数1~12の2� �の炭化水素基であり、P’は、カルボキシル� ��、スルホン酸基又はリン酸基を表す。)

(式中、Lは、直接結合又は炭素原子数1~12の2� �の炭化水素基を表す。)

 上記一般式(I)において、An ^q- で表されるアニオンとしては、例えば、一価 のものとして、塩素アニオン、臭素アニオン 、ヨウ素アニオン、フッ素アニオン等のハロ ゲンアニオン;過塩素酸アニオン、塩素酸ア� �オン、チオシアン酸アニオン、六フッ化リ� �酸アニオン、六フッ化アンチモンアニオン� �四フッ化ホウ素アニオン等の無機系アニオ� �;ベンゼンスルホン酸アニオン、トルエンス� ��ホン酸アニオン、トリフルオロメタンスル� ��ン酸アニオン、ジフェニルアミン-4-スルホ� ��酸アニオン、2-アミノ-4-メチル-5-クロロベ� �ゼンスルホン酸アニオン、2-アミノ-5-ニトロ ベンゼンスルホン酸アニオン、特開平8-253705� ��公報、特表2004-503379号公報、特開2005-336150号 公報、国際公開2006/28006号公報等に記載され� �スルホン酸アニオン等の有機スルホン酸ア� �オン;オクチルリン酸アニオン、ドデシルリ� ��酸アニオン、オクタデシルリン酸アニオン� ��フェニルリン酸アニオン、ノニルフェニル� ��ン酸アニオン、2,2’-メチレンビス(4,6-ジ第� ��ブチルフェニル)ホスホン酸アニオン等の有 機リン酸系アニオン、ビストリフルオロメチ ルスルホニルイミドアニオン、ビスパーフル オロブタンスルホニルイミドアニオン、パー フルオロ-4-エチルシクロヘキサンスルホネー トアニオン、テトラキス(ペンタフルオロフ� �ニル)ホウ酸アニオン、テトラキス(ペンタフ ルオロフェニル)ガリウムアニオン、トリス(� ��ルオロアルキルスルホニル)カルボアニオン 、ジベンゾイル酒石酸アニオン等が挙げられ 、二価のものとしては、例えば、ベンゼンジ スルホン酸アニオン、ナフタレンジスルホン 酸アニオン等が挙げられる。また、励起状態 にある活性分子を脱励起させる(クエンチン� �させる)機能を有するクエンチャーアニオン� ��シクロペンタジエニル環にカルボキシル基� ��ホスホン酸基、スルホン酸基等のアニオン� ��基を有するフェロセン、ルテオセン等のメ� ��ロセン化合物アニオン等も、必要に応じて� ��いることができる。

 上記のクエンチャーアニオンとしては、� ��えば、下記一般式(A)、(B)、(C)又は(D)で表さ� ��るもの、特開昭60-234892号公報、特開平5-43814 号公報、特開平5-305770号公報、特開平6-239028� �公報、特開平9-309886号公報、特開平9-323478号� ��報、特開平10-45767号公報、特開平11-208118号� �報、特開2000-168237号公報、特開2002-201373号公� ��、特開2002-206061号公報、特開2005-297407号公報 、特公平7-96334号公報、国際公開98/29257号公報 等に記載されたようなアニオンが挙げられる 。

(式中、Mは、ニッケル原子、コバルト原子又� ��銅原子を表し、R ²² 及びR ²³ は、ハロゲン原子、炭素原子数1~8のアルキル 基、炭素数6~30のアリール基又は-SO ₂ -G基を表し、Gは、アルキル基、ハロゲン原子 で置換されていてもよいアリール基、ジアル キルアミノ基、ジアリールアミノ基、ピペリ ジノ基又はモルフォリノ基を表し、a及びbは� ��各々0~4を表す。また、R ²⁴ 、R ²⁵ 、R ²⁶ 及びR ²⁷ は、各々独立に、アルキル基、アルキルフェ ニル基、アルコキシフェニル基又はハロゲン 化フェニル基を表す。)

 上記一般式(II)におけるR ⁹ 、R ¹⁰ 、R ¹¹ 及びR ¹² で表されるハロゲン原子としては、フッ素、 塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられ、R ⁹ 、R ¹⁰ 、R ¹¹ 及びR ¹² で表されるハロゲン原子で置換されていても よい炭素原子数1~4のアルキル基としては、例 えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロ ピル、ブチル、第二ブチル、第三ブチル、イ ソブチル等が挙げられ、R ⁹ で表されるハロゲン原子で置換されていても よい炭素原子数1~4のアルコキシ基としては、 例えば、メチルオキシ、エチルオキシ、プロ ピルオキシ、イソプロピルオキシ、ブチルオ キシ、第二ブチルオキシ、第三ブチルオキシ 、イソブチルオキシ等が挙げられ、R ¹⁰ とR ¹² とが連結して形成する環構造としては、上記 一般式(I)におけるR ¹ とR ² 、R ⁵ とR ⁶ 及びR ⁷ とR ⁸ とが連結して形成する環構造として例示した ものが挙げられる。

 上記一般式(II’)において、ヘテロ原子を 含んでいてもよい5員環としては、例えば、� �クロペンテン環、シクロペンタジエン環、� �ミダゾール環、チアゾール環、ピラゾール� �、オキサゾール環、イソキサゾール環、チ� �フェン環、フラン環、ピロール環等が挙げ� �れ、ヘテロ原子を含んでいてもよい6員環と� ��ては、例えば、ベンゼン環、ピリジン環、� ��ペラジン環、ピペリジン環、モルフォリン� ��、ピラジン環、ピロン環、ピロリジン環等� ��挙げられる。

 上記一般式(III)において、R ^a ~R ⁱ で表される炭素原子数1~4のアルキル基として は、例えば、メチル、エチル、プロピル、イ ソプロピル、ブチル、第二ブチル、第三ブチ ル、イソブチル等が挙げられ、該アルキル基 中のメチレン基が-O-で置換された基としては 、例えば、メトキシ、エトキシ、プロピルオ キシ、イソプロピルオキシ、メトキシメチル 、エトキシメチル、2-メトキシエチル等が挙� ��られ、該アルキル基中のメチレン基が-CO-で 置換された基としては、例えば、アセチル、 1-カルボニルエチル、アセチルメチル、1-カ� �ボニルプロピル、2-オキソブチル、2-アセチ� ��エチル、1-カルボニルイソプロピル等が挙� �られる。

 上記一般式(III)において、Zで表される置換� ��を有していてもよい炭素原子数1~8のアルキ� ��ン基としては、例えば、メチレン、エチレ� ��、プロピレン、メチルエチレン、ブチレン� ��1-メチルプロピレン、2-メチルプロピレン、 1,2-ジメチルプロピレン、1,3-ジメチルプロピ� ��ン、1-メチルブチレン、2-メチルブチレン、 3-メチルブチレン、4-メチルブチレン、2,4-ジ� ��チルブチレン、1,3-ジメチルブチレン、ペン チレン、へキシレン、ヘプチレン、オクチレ ン、エタン-1,1-ジイル、プロパン-2,2-ジイル� �が挙げられ、該アルキレン基中のメチレン� �が-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-SO ₂ -、-NH-、-CONH-、-NHCO-、-N=CH-又は-CH=CH-で置換さ れた基としては、例えば、メチレンオキシ、 エチレンオキシ、オキシメチレン、チオメチ レン、カルボニルメチレン、カルボニルオキ シメチレン、メチレンカルボニルオキシ、ス ルホニルメチレン、アミノメチレン、アセチ ルアミノ、エチレンカルボキシアミド、エタ ンイミドイル、エテニレン、プロペニレン等 が挙げられる。

 R ¹ 、R ² 、R ³ 、R ⁵ 、R ⁶ 、R ⁷ 、R ⁸ 、Y ^a 、Y ¹ 及びY ² で表される炭素原子数1~10のアルキル基、R ¹ 、R ² 、R ³ 、R ⁵ 、R ⁶ 、Y ^a 、Y ¹ 及びY ² で表される炭素原子数1~10のアルコキシ基、R ¹ 、R ² 、R ³ 、R ⁵ 、R ⁶ 、R ⁷ 、R ⁸ 、Y ^a 、Y ¹ 及びY ² で表される炭素原子数6~30のアリール基、及� �R ¹ 、R ² 、R ³ 、R ⁵ 、R ⁶ 、R ⁷ 、R ⁸ 、Y ^a 、Y ¹ 及びY ² で表される炭素原子数7~30のアリールアルキ� �基が有していてもよい置換基としては、以� �の基が挙げられる他、上述のアンカー基と� �て例示した基であってもよい。尚、R ¹ 、R ² 、R ³ 、R ⁵ 、R ⁶ 、R ⁷ 、R ⁸ 、Y ^a 、Y ¹ 及びY ² 並びにX ¹ 中の基であるが、上記の炭素原子数1~10のア� �キル基等の炭素原子を含有する基であり、� �つ、それらの基が、以下の置換基の中でも� �炭素原子を含有する置換基を有する場合は� �該置換基を含めた全体の炭素原子数が、規� �された範囲を満たすものとする。
 上記置換基としては、例えば、メチル、エ� ��ル、プロピル、イソプロピル、シクロプロ� ��ル、ブチル、第二ブチル、第三ブチル、イ� ��ブチル、アミル、イソアミル、第三アミル� ��シクロペンチル、ヘキシル、2-ヘキシル、3- ヘキシル、シクロヘキシル、ビシクロヘキシ ル、1-メチルシクロヘキシル、ヘプチル、2-� �プチル、3-ヘプチル、イソヘプチル、第三ヘ プチル、n-オクチル、イソオクチル、第三オ� ��チル、2-エチルヘキシル、ノニル、イソノ� �ル、デシル等のアルキル基;メチルオキシ、� ��チルオキシ、プロピルオキシ、イソプロピ� ��オキシ、ブチルオキシ、第二ブチルオキシ� ��第三ブチルオキシ、イソブチルオキシ、ア� ��ルオキシ、イソアミルオキシ、第三アミル� ��キシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシルオ� ��シ、ヘプチルオキシ、イソヘプチルオキシ� ��第三ヘプチルオキシ、n-オクチルオキシ、� �ソオクチルオキシ、第三オクチルオキシ、2- エチルヘキシルオキシ、ノニルオキシ、デシ ルオキシ等のアルコキシ基;メチルチオ、エ� �ルチオ、プロピルチオ、イソプロピルチオ� �ブチルチオ、第二ブチルチオ、第三ブチル� �オ、イソブチルチオ、アミルチオ、イソア� �ルチオ、第三アミルチオ、ヘキシルチオ、� �クロヘキシルチオ、ヘプチルチオ、イソヘ� �チルチオ、第三ヘプチルチオ、n-オクチルチ オ、イソオクチルチオ、第三オクチルチオ、 2-エチルヘキシルチオ等のアルキルチオ基;ビ ニル、1-メチルエテニル、2-メチルエテニル� �2-プロペニル、1-メチル-3-プロペニル、3-ブ� �ニル、1-メチル-3-ブテニル、イソブテニル、 3-ペンテニル、4-ヘキセニル、シクロヘキセ� �ル、ビシクロヘキセニル、ヘプテニル、オ� �テニル、デセニル、ぺンタデセニル、エイ� �セニル、トリコセニル等のアルケニル基;ベ� ��ジル、フェネチル、ジフェニルメチル、ト� ��フェニルメチル、スチリル、シンナミル等� ��アリールアルキル基;フェニル、ナフチル等 のアリール基;フェノキシ、ナフチルオキシ� �のアリールオキシ基;フェニルチオ、ナフチ� ��チオ等のアリールチオ基;ピリジル、ピリミ ジル、ピリダジル、ピペリジル、ピラニル、 ピラゾリル、トリアジル、ピロリル、キノリ ル、イソキノリル、イミダゾリル、ベンゾイ ミダゾリル、トリアゾリル、フリル、フラニ ル、ベンゾフラニル、チエニル、チオフェニ ル、ベンゾチオフェニル、チアジアゾリル、 チアゾリル、ベンゾチアゾリル、オキサゾリ ル、ベンゾオキサゾリル、イソチアゾリル、 イソオキサゾリル、インドリル、2-ピロリジ� ��ン-1-イル、2-ピペリドン-1-イル、2,4-ジオキ� ��イミダゾリジン-3-イル、2,4-ジオキシオキサ ゾリジン-3-イル等の複素環基;フッ素、塩素� �臭素、ヨウ素等のハロゲン原子;アセチル、2 -クロロアセチル、プロピオニル、オクタノ� �ル、アクリロイル、メタクリロイル、フェ� �ルカルボニル(ベンゾイル)、フタロイル、4-� ��リフルオロメチルベンゾイル、ピバロイル� ��サリチロイル、オキザロイル、ステアロイ� ��、メトキシカルボニル、エトキシカルボニ� ��、t-ブトキシカルボニル、n-オクタデシルオ キシカルボニル、カルバモイル等のアシル基 ;アセチルオキシ、ベンゾイルオキシ等のア� �ルオキシ基;アミノ、エチルアミノ、ジメチ� ��アミノ、ジエチルアミノ、ブチルアミノ、� ��クロペンチルアミノ、2-エチルヘキシルア� �ノ、ドデシルアミノ、アニリノ、クロロフ� �ニルアミノ、トルイジノ、アニシジノ、N-メ チル-アニリノ、ジフェニルアミノ,ナフチル� ��ミノ、2-ピリジルアミノ、メトキシカルボ� �ルアミノ、フェノキシカルボニルアミノ、� �セチルアミノ、ベンゾイルアミノ、ホルミ� �アミノ、ピバロイルアミノ、ラウロイルア� �ノ、カルバモイルアミノ、N,N-ジメチルアミ� ��カルボニルアミノ、N,N-ジエチルアミノカル ボニルアミノ、モルホリノカルボニルアミノ 、メトキシカルボニルアミノ、エトキシカル ボニルアミノ、t-ブトキシカルボニルアミノ� ��n-オクタデシルオキシカルボニルアミノ、N- メチル-メトキシカルボニルアミノ、フェノ� �シカルボニルアミノ、スルファモイルアミ� �、N,N-ジメチルアミノスルホニルアミノ、メ� ��ルスルホニルアミノ、ブチルスルホニルア� ��ノ、フェニルスルホニルアミノ等の置換ア� ��ノ基;スルホンアミド基、スルホニル基、カ ルボキシル基、シアノ基、スルホ基、水酸基 、ニトロ基、メルカプト基、イミド基、カル バモイル基、スルホンアミド基等が挙げられ 、これらの基は更に置換されていてもよい。 また、カルボキシル基及びスルホ基は塩を形 成していてもよい。

 上記一般式(I)で表されるシアニン化合物の� ��でも、下記一般式(IV)で表されるシアニン化 合物が、製造コストが小さく、金属反射膜と の親和性が高く、且つ吸収波長特性が380~420nm の短波長用レーザ用の光学記録媒体の光学記 録層の形成に適しているので好ましく、これ ら下記一般式(IV)で表されるシアニン化合物� �中でも、下記一般式(V)で表されるシアニン� �合物が製造コストが小さく、金属反射膜と� �親和性が高く、且つ吸収波長特性が380~420nm� �短波長用レーザ用の光学記録媒体の光学記� �層の形成に特に適しているので特に好まし� �。
 また、上記一般式(I)で表されるシアニン化� ��物の中でも、下記一般式(VI)で表されるシア ニン化合物が、製造コストが小さく、金属反 射膜との親和性が高く、且つ吸収波長特性が 380~420nmの短波長用レーザ用の光学記録媒体の 光学記録層の形成に特に適しているので好ま しい。

(式中、環Aは置換基を有していてもよいベン� ��ン環又はナフタレン環を表し、R ³ 、R ⁴ 、R ⁵ 、R ⁶ 、X ¹ 、Y ¹ 、Y ² 、-Q-、An ^q- 、p及びqは、上記一般式(I)と同じである。)

(式中、環Aは置換基を有していてもよいベン� ��ン環又はナフタレン環を表し、R ³ 、R ⁴ 、Y ¹ 、-Q-、An ^q- 、p及びqは、上記一般式(I)と同じであり、R ¹⁴ はR ³ と同じであり、R ¹⁵ はR ⁴ と同じであり、Y ³ はY ¹ と同じである。)

(式中、R ¹ 、R ² 、R ³ 、R ⁵ 、R ⁶ 、X ¹ 、Y ¹ 、Y ² 、-Q-、An ^q- 、p及びqは、上記一般式(I)と同じであり、aは 、上記一般式(II)と同じであり、R ¹³ は、同一又は異なっていてもよく、ハロゲン 原子、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基 、炭素原子数1~4のアルキル基又は炭素原子数 1~4のアルコキシ基を表し、隣接するR ¹³ は、それぞれ連結して炭素原子数3~12の炭素� �又は複素環を形成していてもよく、mは、0~5� ��数である。)

 上記一般式(IV)、(V)における環Aで表される� �ンゼン環又はナフタレン環が有していても� �い置換基としては、上記一般式(I)の説明で� �示した基が挙げられる。
 上記一般式(VI)におけるR ¹³ で表されるハロゲン原子としては、上記一般 式(I)の説明で例示した基が挙げられ、R ¹³ で表される炭素原子数1~4のアルキル基及び炭 素原子1~4のアルコキシ基としては、上記一般 式(II)の説明で例示した基が挙げられる。隣� �するR ¹³ が連結して形成する炭素原子数3~12の炭素環� �しては、例えば、シクロプロパン、シクロ� �タン、シクロペンタン、シクロヘキサン、� �クロブテン、3-メチルシクロブテン、シクロ ペンテン、シクロヘキセン、インデン、ペン タレン等が挙げられ、隣接するR ¹³ が連結して形成する炭素原子数3~12の複素環� �しては、例えば、ピラン環、チオピラン環� �ピラゾリル環、ピロリジン環、イミダゾリ� �ン環、ピラゾリジン環、チアゾリジン環、� �ソチアゾリジン環、オキサゾリジン環、イ� �オキサゾリジン環、ピペリジン環、ピペラ� �ン環、ピペリドン環、モルフォリン環等が� �げられる。

 上記一般式(I)で表される本発明のシアニ� ��化合物の具体例としては、下記化合物No.1~No .52が挙げられる。尚、以下の例示では、アニ オンを省いたカチオンで示している。本発明 の化合物において、二重結合は共鳴構造をと っていてもよい。

 上記一般式(I)で表される本発明のシアニン� ��合物には、R ³ 及びR ⁴ で表される基が結合する不斉原子をキラル中 心とするエナンチオマー、ジアステレオマー 又はラセミ体等の光学異性体が存在する場合 があるが、これらのうち、いかなる光学異性 体を単離して用いても、あるいはそれらの混 合物として用いてもよい。

 上記一般式(I)で表される本発明のシアニン� ��合物は、その製造方法によって特に限定さ� ��ず、周知一般のシアニン化合物を合成する� ��法で得ることができる。また、アンカー基� ��、周知の化学反応を応用することで導入す� ��ことができる。例えば、一般式(I)Y ¹ 、Y ² がアンカー基であるシアニン化合物は、反応 式1に示すとおり、インドレニンとアンカー� �を有するハロゲン化アルキルとの反応によ� �、アンカー基を有するインドレニン四級塩� �合成し、このアンカー基を有するインドレ� �ン四級塩とアミジン化合物との反応生成物� �、アンカー基を有するインドレニン四級塩� �反応させる方法により製造することができ� �。また、R ³ 、R ⁴ 、R ⁷ 、R ⁸ にアンカー基を導入したシアニン化合物は、 反応式2に示すとおり、ヒドラジン化合物と� �ンカー基を有するメチルケトンとの環化反� �により、アンカー基を有するインドレニン� �合成し、これとハロゲン化アルキルとを用� �た四級化反応により得られた中間体と、ア� �ジン化合物との反応により製造することが� �きる。また、-Q-にアンカー基を導入する場� �は、反応式3に示すとおり、-Q-にハロゲン原� ��を有するアミジン化合物とインドレニン四� ��塩の反応生成物にアンカー基を有するチオ� ��ル化合物を反応させる方法により製造する� ��とができる。また、アンカー基を有するモ� ��メチンシアニン化合物は、反応式4に示すと おり、インドレニン四級塩と2位にチオエー� �ル基を有する四級塩を反応させる方法によ� �製造することができる。なお、下記反応式� �、-Q'-は、連結基Qを与える基を表し、-Q”-は 、Q’を与える基を表す。

 上述した本発明のシアニン化合物は、450nm~1 100nmの範囲の光に対する光学要素、特に480~620 nmの範囲の光に対する光学要素として好適で� ��る。該光学要素とは、特定の光を吸収する� ��とにより機能を発揮する要素のことであり� ��具体的には、光吸収剤、光学記録剤、光増� ��剤等が挙げられる。
 例えば、光吸収剤は、画像表示装置用等の� ��学フィルターに用いられ、光学記録剤は、C D-R、DVD±R、HDDVD-R、BD-R等の光学記録媒体にお� ��る光学記録層に用いられる。

 次に、上記一般式(I)で表されるシアニン� ��合物を少なくとも一種含有する本発明の光� ��フィルターについて以下に説明する。

 本発明の光学フィルターは、画像表示装� ��用として用いる場合、通常ディスプレイの� ��面に配置される。例えば、本発明の光学フ� ��ルターは、ディスプレイの表面に直接貼り� ��けてもよく、ディスプレイの前に前面板が� ��けられている場合は、前面板の表側(外側)� �たは裏側(ディスプレイ側)に光学フィルター を貼り付けてもよい。

 上記画像表示装置としては、例えば、液� ��表示装置(LCD)、プラズマディスプレイパネ� �(PDP)、エレクトロルミネッセンスディスプレ イ(ELD)、陰極管表示装置(CRT)、蛍光表示管、� �び電界放射型ディスプレイ等が挙げられる� �

 本発明の光学フィルターにおいて、本発明� ��シアニン化合物の使用量は、特に画像表示� ��置用として用いる場合、光学フィルターの� ��位面積当たり、通常1~1000mg/m ² 、好ましくは5~100mg/m ² である。1mg/m ² 未満の使用量では、光吸収効果を十分に発揮 することができず、1000mg/m ² を超えて使用した場合には、フィルターの色 目が強くなりすぎて表示品質等を低下させる おそれがあり、さらには、明度が低下するお それもある。

 画像表示装置用として用いる場合、本発� ��の光学フィルターには、色調調整等のため� ��、本発明の化合物以外の光吸収剤を用いた� ��、外光の反射や映り込みを防止するために� ��本発明の化合物以外の480nm~500nm対応の光吸� �剤を用いてもよい。また、画像表示装置が� �ラズマディスプレイの場合、赤外リモコン� �誤作動防止のために、750~1100nm対応の近赤外� ��吸収剤を用いてもよい。

 色調調整用の上記光吸収剤としては、550~ 600nmのオレンジ光の除去のために用いられる� ��のとして、例えば、トリメチンインドリウ� ��化合物、トリメチンベンゾオキサゾリウム� ��合物、トリメチンベンゾチアゾリウム化合� ��等のトリメチンシアニン誘導体;ペンタメチ ンオキサゾリウム化合物、ペンタメチンチア ゾリウム化合物等のペンタメチンシアニン誘 導体;スクアリリウム色素誘導体;アゾメチン� ��素誘導体;キサンテン色素誘導体;アゾ色素� �導体;ピロメテン色素誘導体;アゾ金属錯体誘 導体:ローダミン色素誘導体;フタロシアニン� ��導体;ポルフィリン誘導体;ジピロメテン金� �キレート化合物等が挙げられる。

 また、外光の映り込み防止用の480~500nm対� ��の上記光吸収剤としては、例えば、トリメ� ��ンインドリウム化合物、トリメチンオキサ� ��リウム化合物、トリメチンチアゾリウム化� ��物、インドリデントリメチンチアゾニウム� ��合物等のトリメチンシアニン誘導体;フタロ シアニン誘導体;ナフタロシアニン誘導体;ポ� ��フィリン誘導体;ジピロメテン金属キレート 化合物等が挙げられる。

 また、赤外リモコン誤作動防止用の750~110 0nm対応の近赤外線吸収剤としては、例えば、 ビスイミニウム誘導体;ペンタメチンベンゾ� �ンドリウム化合物、ペンタメチンベンゾオ� �サゾリウム化合物、ペンタメチンベンゾチ� �ゾリウム化合物等のペンタメチンシアニン� �導体;ヘプタメチンインドリウム化合物、ヘ� ��タメチンベンゾインドリウム化合物、ヘプ� ��メチンオキサゾリウム化合物、ヘプタメチ� ��ベンゾオキサゾリウム化合物、ヘプタメチ� ��チアゾリウム化合物、ヘプタメチンベンゾ� ��アゾリウム化合物等のヘプタメチンシアニ� ��誘導体;スクアリリウム誘導体;ビス(スチル� ��ンジチオラト)化合物、ビス(ベンゼンジチ� �ラト)ニッケル化合物、ビス(カンファージチ オラト)ニッケル化合物等のニッケル錯体;ス� ��アリリウム誘導体;アゾ色素誘導体;フタロ� �アニン誘導体;ポルフィリン誘導体;ジピロメ テン金属キレート化合物等が挙げられる。

 本発明の光学フィルターにおいて、上記の� ��調調整のための光吸収剤、480~500nm対応の光� ��収剤及び近赤外線吸収剤は、本発明のシア� ��ン化合物と同一の層に含有されていてもよ� ��、別の層に含有されていてもよい。それら� ��使用量はそれぞれ、通常光学フィルターの� ��位面積当たり1~1000mg/m ² の範囲であり、好ましくは5~100mg/m ² である。

 本発明の光学フィルターの代表的な構成� ��しては、透明支持体に、必要に応じて、下� ��り層、反射防止層、ハードコート層、潤滑� ��等の各層を設けたものが挙げられる。本発� ��の化合物や、本発明の化合物以外の色素化� ��物である光吸収剤、各種安定剤の任意成分� ��本発明の光学フィルターに含有させる方法� ��しては、例えば、(1)透明支持体又は任意の� ��層に含有させる方法、(2)透明支持体又は任� ��の各層にコーティングする方法、(3)透明支� ��体及び任意の各層から選択される任意の隣� ��う二者間の粘着剤層に含有させる方法、(4)� ��意の各層とは別に、本発明のシアニン化合� ��等の光吸収剤等を含有する光吸収層を設け� ��方法が挙げられる。本発明のシアニン化合� ��は、上記(3)の方法により粘着剤層に含有さ� ��るか、又は上記(4)の方法により光吸収材に� ��有させるのに好適である。

 上記透明支持体の材料としては、例えば� ��ガラス等の無機材料;ジアセチルセルロース 、トリアセチルセルロース(TAC)、プロピオニ� ��セルロース、ブチリルセルロース、アセチ� ��プロピオニルセルロース、ニトロセルロー� ��等のセルロースエステル;ポリアミド;ポリ� �ーボネート;ポリエチレンテレフタレート、� ��リエチレンナフタレート、ポリブチレンテ� ��フタレート、ポリ-1,4-シクロヘキサンジメ� �レンテレフタレート、ポリエチレン-1,2-ジフ ェノキシエタン-4,4’-ジカルボキシレート、� ��リブチレンテレフタレート等のポリエステ� ��;ポリスチレン;ポリエチレン、ポリプロピ� �ン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィ� �;ポリメチルメタクリレート等のアクリル系� ��脂;ポリカーボネート;ポリスルホン;ポリエ� ��テルスルホン;ポリエーテルケトン;ポリエ� �テルイミド;ポリオキシエチレン、ノルボル� ��ン樹脂などの高分子材料が挙げられる。透� ��支持体の透過率は80%以上であることが好ま� ��く、86%以上であることがさらに好ましい。� ��イズは、2%以下であることが好ましく、1%以 下であることがさらに好ましい。屈折率は、 1.45~1.70であることが好ましい。

 上記透明支持体中には、赤外線吸収剤、� ��外線吸収剤、フェノール系、リン系等の酸� ��防止剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、無機� ��粒子等を添加することができ、また、上記� ��明支持体には、各種の表面処理を施すこと� ��できる。

 上記無機微粒子としては、例えば、二酸� ��珪素、二酸化チタン、硫酸バリウム、炭酸� ��ルシウム、タルク、カオリン等が挙げられ� ��。

 上記各種表面処理としては、例えば、薬� ��処理、機械的処理、コロナ放電処理、火焔� ��理、紫外線照射処理、高周波処理、グロー� ��電処理、活性プラズマ処理、レーザ処理、� ��酸処理、オゾン酸化処理等が挙げられる。

 上記下塗り層は、光吸収剤を含有する光� ��収層を設ける場合に、透明支持体と光吸収� ��との間に用いる層である。上記下塗り層は� ��ガラス転移温度が-60~60℃のポリマーを含む� ��、光吸収層側の表面が粗面である層、又は� ��吸収層のポリマーと親和性を有するポリマ� ��を含む層として形成する。また、下塗り層� ��、光吸収層が設けられていない透明支持体� ��面に設けて、透明支持体とその上に設けら� ��る層(例えば、反射防止層、ハードコート層 )との接着力を改善するために設けてもよく� �光学フィルターと画像表示装置とを接着す� �ための接着剤と光学フィルターとの親和性� �改善するために設けてもよい。下塗り層の� �みは、2nm~20μmが好ましく、5nm~5μmがより好ま しく、20nm~2μmがさらに好ましく、50nm~1μmがさ らにまた好ましく、80nm~300nmが最も好ましい� �ガラス転移温度が-60~60℃のポリマーを含む� �塗り層は、ポリマーの粘着性で、透明支持� �とフィルター層とを接着する。ガラス転移� �度が-60~60℃のポリマーは、例えば、塩化ビ� �ル、塩化ビニリデン、酢酸ビニル、ブタジ� �ン、ネオプレン、スチレン、クロロプレン� �アクリル酸エステル、メタクリル酸エステ� �、アクリロニトリル又はメチルビニルエー� �ルの重合又はこれらの共重合により得るこ� �ができる。ガラス転移温度は、50℃以下であ ることが好ましく、40℃以下であることがよ� ��好ましく、30℃以下であることがさらに好� �しく、25℃以下であることがさらにまた好ま しく、20℃以下であることが最も好ましい。� ��塗り層の25℃における弾性率は、1~1000MPaで� �ることが好ましく、5~800MPaであることがさら に好ましく、10~500MPaであることが最も好まし い。光吸収層の表面が粗面である下塗り層は 、粗面の上に光吸収層を形成することで、透 明支持体と光吸収層とを接着する。光吸収層 の表面が粗面である下塗り層は、ポリマーラ テックスの塗布により容易に形成することが できる。ラテックスの平均粒径は、0.02~3μmで あることが好ましく、0.05~1μmであることがさ らに好ましい。光吸収層のバインダーポリマ ーと親和性を有するポリマーとしては、アク リル樹脂、セルロース誘導体、ゼラチン、カ ゼイン、でんぷん、ポリビニルアルコール、 可溶性ナイロン及び高分子ラテックス等が挙 げられる。また、本発明の光学フィルターに は、二以上の下塗り層を設けてもよい。下塗 り層には、透明支持体を膨潤させる溶剤、マ ット剤、界面活性剤、帯電防止剤、塗布助剤 、硬膜剤等を添加してもよい。

 上記反射防止層においては、低屈折率層� ��必須である。低屈折率層の屈折率は、上記� ��明支持体の屈折率よりも低い。低屈折率層� ��屈折率は、1.20~1.55であることが好ましく、1 .30~1.50であることがさらに好ましい。低屈折� ��層の厚さは、50~400nmであることが好ましく� �50~200nmであることがさらに好ましい。低屈折 率層は、屈折率の低い含フッ素ポリマーから なる層(特開昭57-34526号、特開平3-130103号、特� ��平6-115023号、特開平8-313702号、特開平7-168004� ��の各公報記載)、ゾルゲル法により得られる 層(特開平5-208811号、特開平6-299091号、特開平7 -168003号の各公報記載)、あるいは微粒子を含� ��層(特公昭60-59250号、特開平5-13021号、特開平 6-56478号、特開平7-92306号、特開平9-288201号の� �公報に記載)として形成することができる。� ��粒子を含む層では、微粒子間又は微粒子内� ��ミクロボイドとして、低屈折率層に空隙を� ��成することができる。微粒子を含む層は、3 ~50体積%の空隙率を有することが好ましく、5~ 35体積%の空隙率を有することがさらに好まし い。

 広い波長領域の反射を防止するためには� ��上記反射防止層において、低屈折率層に加� ��て、屈折率の高い層(中・高屈折率層)を積� �することが好ましい。高屈折率層の屈折率� �、1.65~2.40であることが好ましく、1.70~2.20で� �ることがさらに好ましい。中屈折率層の屈� �率は、低屈折率層の屈折率と高屈折率層の� �折率との中間の値となるように調整する。� �屈折率層の屈折率は、1.50~1.90であることが� �ましく、1.55~1.70であることがさらに好まし� �。中・高屈折率層の厚さは、5nm~100μmである� ��とが好ましく、10nm~10μmであることがさらに 好ましく、30nm~1μmであることが最も好ましい 。中・高屈折率層のヘイズは、5%以下である� ��とが好ましく、3%以下であることがさらに� �ましく、1%以下であることが最も好ましい。 中・高屈折率層は、比較的高い屈折率を有す るポリマーバインダーを用いて形成すること ができる。屈折率が高いポリマーとしては、 ポリスチレン、スチレン共重合体、ポリカー ボネート、メラミン樹脂、フェノール樹脂、 エポキシ樹脂、環状(脂環式又は芳香族)イソ� ��アネートとポリオールとの反応で得られる� ��リウレタン等が挙げられる。その他の環状( 芳香族、複素環式、脂環式)基を有するポリ� �ーや、フッ素以外のハロゲン原子を置換基� �して有するポリマーも、屈折率が高い。二� �結合を導入してラジカル硬化を可能にした� �ノマーの重合反応により形成されたポリマ� �を用いてもよい。

 さらに高い屈折率を得るため、上記ポリ� ��ーバインダー中に無機微粒子を分散しても� ��い。無機微粒子の屈折率は、1.80~2.80である� ��とが好ましい。無機微粒子は、金属の酸化� ��または硫化物から形成することが好ましい� ��金属の酸化物又は硫化物としては、酸化チ� ��ン(例えば、ルチル、ルチル/アナターゼの� �晶、アナターゼ、アモルファス構造)、酸化� ��、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化ジルコ� ��ウム、硫化亜鉛等が挙げられる。これらの� ��でも、酸化チタン、酸化錫及び酸化インジ� ��ムが特に好ましい。無機微粒子は、これら� ��金属の酸化物又は硫化物を主成分とし、さ� ��に他の元素を含むことができる。主成分と� ��、粒子を構成する成分の中で最も含有量(重 量%)が多い成分を意味する。他の元素として� ��、Ti、Zr、Sn、Sb、Cu、Fe、Mn、Pb、Cd、As、Cr、 Hg、Zn、Al、Mg、Si、P、S等が挙げられる。被膜 形成性で溶剤に分散し得るか、それ自身が液 状である無機材料、例えば、各種元素のアル コキシド、有機酸の塩、配位性化合物と結合 した配位化合物(例えばキレート化合物)、活� ��無機ポリマーを用いて、中・高屈折率層を� ��成することもできる。

 上記反射防止層の表面には、アンチグレ� ��機能(入射光を表面で散乱させて、膜周囲の 景色が膜表面に移るのを防止する機能)を付� �することができる。例えば、透明フィルム� �表面に微細な凹凸を形成してその表面に反� �防止層を形成するか、あるいは、反射防止� �を形成後、エンボスロールにより表面に凹� �を形成することにより、アンチグレア機能� �有する反射防止層を得ることができる。ア� �チグレア機能を有する反射防止層は、一般� �3~30%のヘイズを有する。

 上記ハードコート層は、上記透明支持体� ��硬度よりも高い硬度を有する。ハードコー� ��層は、架橋しているポリマーを含むことが� ��ましい。ハードコート層は、アクリル系、� ��レタン系、エポキシ系のポリマー、オリゴ� ��ー又はモノマー(例えば紫外線硬化型樹脂)� �を用いて形成することができる。シリカ系� �料からハードコート層を形成することもで� �る。

 上記反射防止層(低屈折率層)の表面は、� �滑層を形成してもよい。潤滑層は、低屈折� �層表面に滑り性を付与し、耐傷性を改善す� �機能を有する。潤滑層は、ポリオルガノシ� �キサン(例えばシリコンオイル)、天然ワック ス、石油ワックス、高級脂肪酸金属塩、フッ 素系潤滑剤又はその誘導体を用いて形成する ことができる。潤滑層の厚さは、2~20nmである ことが好ましい。

 本発明のシアニン化合物を光学フィルタ� ��に含有させる際に前記「(3)透明支持体及び� ��意の各層から選択される任意の隣合う二者� ��の粘着剤層に含有させる方法」を採用する� ��合には、本発明の化合物等を粘着剤に含有� ��せた後、該粘着剤を用いて、上述した透明� ��持体及び任意の各層のうちの隣合う二者を� ��着すればよい。該粘着剤としては、シリコ� ��系、ウレタン系、アクリル系、ポリビニル� ��チラール系、エチレン-酢酸ビニル系等の公 知の合わせガラス用透明粘着剤を用いること ができる。また、該粘着剤を用いる場合、必 要に応じて、硬化剤として、金属キレート系 、イソシアネート系、エポキシ系等の架橋剤 を用いることができる。また、粘着剤層の厚 みは、2~400μmとすることが好ましい。

 前記「(4)任意の各層とは別に、本発明の� ��アニン化合物等の光吸収剤を含有する光吸� ��層を設ける方法」を採用する場合、本発明� ��化合物は、そのまま使用して光吸収層を形� ��することもできるし、バインダーに分散さ� ��て光吸収層を形成することもできる。該バ� ��ンダーとしては、例えば、ゼラチン、カゼ� ��ン、澱粉、セルロース誘導体、アルギン酸� ��の天然高分子材料、あるいは、ポリメチル� ��タクリレート、ポリビニルブチラール、ポ� ��ビニルピロリドン、ポリビニルアルコール� ��ポリ塩化ビニル、スチレン-ブタジエンコポ リマー、ポリスチレン、ポリカーボネート、 ポリアミド等の合成高分子材料が用いられる 。

 上記バインダーを使用する際には、同時� ��有機溶媒を使用することもでき、該有機溶� ��としては、特に限定されることなく公知の� ��々の溶媒を適宜用いることができ、例えば� ��イソプロパノール等のアルコール類;メチル セロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロ ソルブ、ブチルジグリコール等のエーテルア ルコール類;アセトン、メチルエチルケトン� �メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノ� �、ジアセトンアルコール等のケトン類、酢� �エチル、酢酸ブチル、酢酸メトキシエチル� �のエステル類;アクリル酸エチル、アクリル� ��ブチル等のアクリル酸エステル類、2,2,3,3-� �トラフルオロプロパノール等のフッ化アル� �ール類;ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キ� ��レン等の炭化水素類;メチレンジクロライド 、ジクロロエタン、クロロホルム等の塩素化 炭化水素類等が挙げられる。これらの有機溶 媒は、単独で又は混合して用いることができ る。

 また、上記の下塗り層、反射防止層、ハ� ��ドコート層、潤滑層、光吸収層等は、一般� ��な塗布方法により形成することができる。� ��布方法としては、ディップコート法、エア� ��ナイフコート法、カーテンコート法、ロー� ��ーコート法、ワイヤーバーコート法、グラ� ��アコート法、ホッパーを使用するエクスト� ��ージョンコート法(米国特許第2681294号明細� �記載)等が挙げられる。二以上の層を同時塗� ��により形成してもよい。同時塗布法につい� ��は、米国特許第2761791号、米国特許第2941898� �、米国特許第3508947号、米国特許第3526528号の 各明細書及び原崎勇次著「コーティング工学 」253頁(1973年朝倉書店発行)に記載がある。

 本発明のシアニン化合物は、吸収の半値幅� ��小さいので、本発明のシアニン化合物を含� ��する本発明の光学フィルターは、画像表示� ��必要な光の吸収が小さく、表示画像の高品� ��化に用いられる画像表示装置用、例えば、� ��晶表示装置(LCD)、プラズマディスプレイパ� �ル(PDP)、エレクトロルミネッセンスディスプ レイ(ELD)、陰極管表示装置(CRT)、蛍光表示管� �び電界放射型ディスプレイ等の光学フィル� �ーとして好適である。
 また、本発明の光学フィルターは、分析装� ��用、半導体装置製造用、天文観測用、光通� ��用等の光学フィルターとしても用いられる� ��

 次に、基体上に光学記録層が形成された光� ��記録媒体の該光学記録層に用いられる、本� ��明のシアニン化合物を少なくとも一種含有� ��る本発明の光学記録材料について、以下に� ��明する。
 本発明の光学記録材料とは、上記一般式(I)� ��表される本発明のシアニン化合物及び後述� ��る有機溶媒や各種化合物との混合物のこと� ��ある。

 上記一般式(I)で表されるシアニン化合物� ��含有する本発明の光学記録材料を用いて光� ��記録媒体の光学記録層を形成する方法につ� ��ては、特に制限を受けない。一般には、メ� ��ノール、エタノール等の低級アルコール類; メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチ ルセロソルブ、ブチルジグリコール等のエー テルアルコール類;アセトン、メチルエチル� �トン、メチルイソブチルケトン、シクロヘ� �サノン、ジアセトンアルコール等のケトン� �、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸メトキシ� �チル等のエステル類;アクリル酸エチル、ア� ��リル酸ブチル等のアクリル酸エステル類、2 ,2,3,3-テトラフルオロプロパノール等のフッ� �アルコール類;ベンゼン、トルエン、キシレ� ��等の炭化水素類;メチレンジクロライド、ジ クロロエタン、クロロホルム等の塩素化炭化 水素類等の有機溶媒に、本発明のシアニン化 合物及び必要に応じて後述の各種化合物を溶 解して溶液状の光学記録材料を作製し、該光 学記録材料を基体上にスピンコート、スプレ ー、ディッピング等で塗布する湿式塗布法が 用いられる。上記有機溶媒を使用する場合、 その使用量は、本発明の光学記録材料中にお ける本発明のシアニン化合物の含有量が0.1~10 質量%となる量にするのが好ましい。

 また、本発明の光学記録材料として、本� ��明のシアニン化合物又は該化合物と後述の� ��種化合物との混合物を単体として用いて、� ��発明の光学記録媒体を製造する場合には、� ��着法、スパッタリング法等が用いられる。

 上記光学記録層は薄膜として形成され、� ��の厚さは、通常、0.001~10μmが適当であり、� �ましくは0.01~5μmの範囲である。

 また、本発明の光学記録材料中において� ��本発明のシアニン化合物の含有量は、本発� ��の光学記録材料に含まれる固形分中、10~100� ��量%が好ましい。上記光学記録層は、光学記 録層中に本発明のシアニン化合物を50~100質量 %含有するように形成されることが好ましく� �このような化合物含有量の光学記録層を形� �するために、本発明の光学記録材料は、本� �明のシアニン化合物を、本発明の光学記録� �料に含まれる固形分中、50~100質量%含有する� ��がさらに好ましい。

 本発明の光学記録材料に含まれる上記固� ��分は、該光学記録材料から有機溶媒等の固� ��分以外の成分を除いた成分のことであり、� ��固形分の含有量は、上記光学記録材料中、0 .01~100質量%が好ましく、0.1~10質量%がより好ま しい。

 本発明の光学記録材料は、本発明のシア� ��ン化合物の他に、必要に応じて、本発明の� ��アニン化合物以外のシアニン化合物、アゾ� ��化合物、フタロシアニン系化合物、オキソ� ��ール系化合物、スクアリリウム系化合物、� ��ンドール化合物、スチリル系化合物、ポル� ��ィン系化合物、アズレニウム系化合物、ク� ��コニックメチン系化合物、ピリリウム系化� ��物、チオピリリウム系化合物、トリアリー� ��メタン系化合物、ジフェニルメタン系化合� ��、テトラヒドロコリン系化合物、インドフ� ��ノール系化合物、アントラキノン系化合物� ��ナフトキノン系化合物、キサンテン系化合� ��、チアジン系化合物、アクリジン系化合物� ��オキサジン系化合物、スピロピラン系化合� ��、フルオレン系化合物、ローダミン系化合� ��等の、通常光学記録層に用いられる化合物; ポリエチレン、ポリエステル、ポリスチレン 、ポリカーボネート等の樹脂類;界面活性剤;� ��電防止剤;滑剤;難燃剤;ヒンダードアミン等� ��ラジカル捕捉剤;フェロセン誘導体等のピッ ト形成促進剤;分散剤;酸化防止剤;架橋剤;耐� �性付与剤等を含有してもよい。さらに、本� �明の光学記録材料は、一重項酸素等のクエ� �チャーとして芳香族ニトロソ化合物、アミ� �ウム化合物、イミニウム化合物、ビスイミ� �ウム化合物、遷移金属キレート化合物等を� �有してもよい。本発明の光学記録材料にお� �て、これらの各種化合物は、本発明の光学� �録材料に含まれる固形分中、0~50質量%の範囲 となる量で使用される。

 このような光学記録層を設層する上記基� ��の材質は、書き込み(記録)光および読み出� �(再生)光に対して実質的に透明なものであれ ば特に制限はなく、例えば、ポリメチルメタ クリレート、ポリエチレンテレフタレート、 ポリカーボネートなどの樹脂、ガラスなどが 用いられる。また、その形状は、用途に応じ 、テープ、ドラム、ベルト、ディスク等の任 意の形状のものを使用できる。

 また、上記光学記録層上には、金、銀、� ��ルミニウム、銅等を用いて蒸着法あるいは� ��パッタリング法により反射膜を形成するこ� ��もできるし、アクリル樹脂、紫外線硬化性� ��脂等の有機物を用いて、あるいは無機物を� ��いてスパッタリング法により、保護層を形� ��することもできる。

 本発明の光学記録材料は、情報の記録、� ��生に半導体レーザを用いて、熱的情報パタ� ��ンとして付与することにより記録する光学� ��録媒体における光学記録層に使用される光� ��記録材料に好適である。特に高速記録タイ� ��のCD-R、DVD±R、HD-DVD―R、BD-R等の公知の単層� ��、二層式、多層式光ディスクに好適である� ��

 上述した通り、本発明のシアニン化合物� ��、光学フィルターや光学記録材料等の光学� ��素として好適に用いられる他、色素増感型� ��陽電池、光電気化学電池、非線形光学装置� ��エレクトロクロミックディスプレイ、ホロ� ��ラム、有機半導体、有機EL、ハロゲン化銀� �真感光材料、増感剤、印刷インキ、インク� �ェット、電子写真カラートナー、化粧料、� �ラスチック等の着色剤、タンパク質用染色� �、物質検出のための発光染料等としても用� �られる。