以下、本発明の実施の形態について詳細� ��説明するが、本発明は以下の説明に限定さ� ��るものではなく、本発明の範囲内において� ��々に変更して実施することができる。

 本発明の光学記録媒体は、基板と、前記基� ��上に設けられ、光が照射されることにより� ��報の記録又は再生が可能な記録層とを有し� ��前記記録層が、後述の一般式[I]で示される� ��アニン色素を含有するものである。以下の� ��載では、まずは本発明の光学記録媒体の記� ��層に含有されるシアニン色素について説明� ��、続いて本発明の光学記録媒体について説� ��する。

[I.シアニン色素]
 本発明の光学記録媒体は、その記録層に、� ��記一般式[I]で表わされるシアニン色素(以下 、適宜「式[I]のシアニン色素」と略称する。 )を含有する。
 式[I]のシアニン色素は、波長350nm~530nmの青� �光領域に適度の吸収を有するため、青色レ� �ザー光による記録に適し、実用に耐え得る� �光性を有する色素化合物である。

(一般式[I]中、
A ¹ 及びB ¹ は各々独立に、置換基を有していてもよい芳 香環を表わす。但し、A ¹ 及びB ¹ のうち少なくとも一方の芳香環は、窒素原子 を含む。
R ¹ 及びR ² は各々独立に、置換基を表わす。R ¹ 及び/又はR ² は他のカチオンと結合していてもよい。
X ¹ 、X ² 、X ³ 及びX ⁴ は各々独立に、有機基を表わす。但し、X ¹ とX ² の組、及び/又は、X ³ とX ⁴ の組が、互いに結合して環構造を形成してい てもよい。
Y ¹ は、水素原子又は有機基を表わす。
Z ^- は、アニオンを表わす。)

 以下、前記一般式[I]について説明する。

 前記一般式[I]中、A ¹ 及びB ¹ は各々独立に、置換基を有していてもよい芳 香環を表わす。但し、A ¹ 及びB ¹ のうち少なくとも一方の芳香環は、窒素原子 を含む。
 窒素原子を含む芳香環は、A ¹ 及びB ¹ のうち何れであってもよく、また、A ¹ 及びB ¹ の双方であってもよい。A ¹ 及びB ¹ のいずれか一方が窒素を含まない芳香環で、 他方が窒素を含む芳香環であることが、より 好ましい。
 芳香環の構造は限定されないが、環の炭素� ��が通常6以上、また、通常13以下、好ましく� ��10以下の芳香環が挙げられる。芳香環の具� �例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、� �ントラセン環、フェナントレン環などが挙� �られる。中でも好適なのは、ベンゼン環で� �る。
 また、窒素原子を含む芳香環とは、これら� ��芳香環を構成する炭素原子のうち1個以上を 窒素原子で置き換えた全ての構造を含み、置 換位置及び置換の数は限定されないが、1~2個 の窒素原子で置換された環が好ましい。窒素 原子を含む芳香環の具体例としては、ピリジ ン環、ピラジン環、キノリン環、イソキノリ ン環、ジクタムニン環などが挙げられる。中 でも、光学記録媒体用途において好適なのは 、ピリジン環である。

 A ¹ 及びB ¹ の芳香環が有していてもよい置換基は限定さ れないが、その例としては、メチル基、エチ ル基、ビニル基、プロピル基、イソプロピル 基、イソプロペニル基、1-プロペニル基、2-� �ロペニル基、2-プロピニル基、ブチル基、イ ソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、2-� ��テニル基、1,3-ブタジエニル基、ペンチル基 、イソペンチル基、ネオペンチル基、tert-ペ� ��チル基、1-メチルペンチル基、2-メチルペン チル基、2-ペンテニル基、2-ペンテン-4-イニ� �基、ヘキシル基、イソヘキシル基、5-メチル ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニ ル基、デシル基、ドデシル基などの脂肪族炭 化水素基;
シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロ ペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘキ セニル基などの脂環式炭化水素基;
フェニル基、o-トリル基、m-トリル基、p-トリ ル基、キシリル基、メシチル基、o-クメニル� ��、m-クメニル基、p-クメニル基、ビフェニリ ル基などの芳香族炭化水素基;
メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イ ソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ 基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基、ペンチ ルオキシ基、フェノキシ基などのアルコキシ 基又はアリールオキシ基;
メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル 基、プロポキシカルボニル基、ブトキシカル ボニル基、アセチル基、ベンゾイルオキシ基 などのエステル基;
アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ 基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プ ロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、イソ プロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基 、ブチルアミノ基、ジブチルアミノ基、イソ ブチルアミノ基、ジイソブチルアミノ基、sec -ブチルアミノ基、tert-ブチルアミノ基、ペン チルアミノ基、ジペンチルアミノ基、アニリ ノ基、o-トリイジノ基、m-トルイジノ基、p-ト ルイジノ基、キシリジノ基、ジフェニルアミ ノ基などの無置換又は置換のアミノ基;
キノリル基、ピペリジノ基、ピリジル基、モ ルホリノ基などの複素環基;
フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、ヨ-ド基� �どのハロゲン基;ヒドロキシル基;カルボキシ ル基;スルホン酸基;シアノ基;及び
ニトロ基;更には、前記例示のうち二以上の� �換基を組み合わせてなる置換基;などが挙げ� ��れる。A ¹ 及びB ¹ の芳香環は、無置換であることが好ましい。

 前記一般式[I]中、R ¹ 及びR ² は各々独立に、置換基を表わす。具体的には 、R ¹ 及びR ² は互いに独立に、脂肪族炭化水素基又は芳香 族炭化水素基であることが好ましい。

 上記脂肪族炭化水素基は限定されないが、� ��素数1以上、12以下であることが好ましく、� ��素数1以上、6以下が更に好ましい。
 脂肪族炭化水素基の例としては、メチル基� ��エチル基、ビニル基、プロピル基、イソプ� ��ピル基、イソプロペニル基、1-プロペニル� �、2-プロペニル基、2-プロピニル基、ブチル� ��、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル� ��、2-ブテニル基、1,3-ブタジエニル基、ペン� ��ル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、t ert-ペンチル基、1-メチルペンチル基、2-メチ� ��ペンチル基、2-ペンテニル基、2-ペンテン-4- イニル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、5-� ��チルヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基� ��ノニル基、デシル基、ドデシル基などの脂� ��族炭化水素基;
シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロ ペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘキ セニル基などの脂環式炭化水素基;
などが挙げられる。
 上記芳香族炭化水素基は限定されないが、� ��素数6以上、12以下であることが好ましく、� ��素数6が更に好ましい。
 芳香族炭化水素基の例としては、フェニル� ��、o-トリル基、m-トリル基、p-トリル基、キ� ��リル基、メシチル基、o-クメニル基、m-クメ ニル基、p-クメニル基、ビフェニリル基、ベ� ��ジル基、フェネチル基などが挙げられる。
 これらの脂肪族炭化水素基又は芳香族炭化� ��素基は、更に置換基を有していてもよい。� ��換基としては、例えば、前記のA ¹ 及びB ¹ における置換基と同じものが挙げられる。
 R ¹ 及びR ² は、アルキル基が好ましく、中でも炭素1~3の アルキル基が好ましく、メチル基が最も好ま しい。

 R ¹ 又はR ² は、他のカチオンと連結してもよい。他のカ チオンとしては、後述する例示化合物(31)~(34) 等のシアニン色素のカチオンが挙げられる。
 R ¹ 又はR ² が他のシアニン色素のカチオンと連結する場 合の連結位置は限定されないが、製造コスト の点から、連結するシアニン色素の窒素原子 と結合することが望ましい。
 2価の連結基の鎖長は、メチン系色素の合成 し易さと、有機溶剤に対するメチン系色素の 溶解性の点から、炭素原子などの構成原子の 数として、通常1個以上、好ましくは3個以上� ��また、通常9個以下、好ましくは8個以下の� �のが望ましい。
 なお、斯かる2価の連結基は、本発明の目的 を逸脱しない範囲で、その水素原子の1又は� �数が、例えば、アミノ基、カルボキシル基� �シアノ基、ニトロ基、ハロゲン基、ヒドロ� �シル基などによって置換されていてもよい� �

 前記一般式[I]中、X ¹ 、X ² 、X ³ 及びX ⁴ は各々独立に、有機基を表わす。具体的には 、X ¹ 、X ² 、X ³ 及びX ⁴ は互いに独立して、脂肪族炭化水素基又は芳 香族炭化水素基であることが好ましい。
 上記脂肪族炭化水素基は限定されないが、� ��素数1以上、12以下であることが好ましく、� ��素数1以上、6以下が更に好ましい。
 脂肪族炭化水素基の例としては、メチル基� ��エチル基、ビニル基、プロピル基、イソプ� ��ピル基、イソプロペニル基、1-プロペニル� �、2-プロペニル基、2-プロピニル基、ブチル� ��、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル� ��、2-ブテニル基、1,3-ブタジエニル基、ペン� ��ル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、t ert-ペンチル基、1-メチルペンチル基、2-メチ� ��ペンチル基、2-ペンテニル基、2-ペンテン-4- イニル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、5-� ��チルヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基� ��ノニル基、デシル基、ドデシル基などの脂� ��族炭化水素基;
シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロ ペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘキ セニル基などの脂環式炭化水素基;
などが挙げられる。脂肪族炭化水素基として は、アルキル基が好ましく、中でも炭素数1~3 のアルキル基が好ましく、メチル基が最も好 ましい。
 芳香族炭化水素基は限定されないが、炭素� ��6以上、12以下であることが好ましく、炭素� ��6が更に好ましい。
 芳香族炭化水素基の例としては、フェニル� ��、o-トリル基、m-トリル基、p-トリル基、キ� ��リル基、メシチル基、o-クメニル基、m-クメ ニル基、p-クメニル基、ビフェニリル基、ベ� ��ジル基、フェネチル基などが挙げられる。
 これらの脂肪族炭化水素基又は芳香族炭化� ��素基は、更に置換基を有していてもよい。� ��換基としては、例えば、前記のA ¹ 及びB ¹ における置換基と同じものが挙げられる。

 また、X ¹ とX ² の組、及び/又は、X ³ とX ⁴ の組が、互いに結合して環構造を形成してい てもよい。環構造は限定されないが、3員環~7 員環であることが好ましい。環構造の具体例 としては、シクロプロパン環、シクロペンタ ン環、シクロヘキサン環、シクロペプタン環 などの飽和又は不飽和の環状構造が挙げられ る。

 また、X ¹ とX ² の組、及び/又は、X ³ とX ⁴ の組が、環構造を形成する場合、その環構造 は置換基を有していてもよい。置換基は限定 されないが、例えば、メチル基、エチル基、 ビニル基、プロピル基、イソプロピル基、イ ソプロペニル基、1-プロペニル基、2-プロペ� �ル基、2-プロピニル基、ブチル基、イソブチ ル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、2-ブテニ� ��基、1,3-ブタジエニル基、ペンチル基、イソ ペンチル基、ネオペンチル基、tert-ペンチル� ��、1-メチルペンチル基、2-メチルペンチル基 、2-ペンテニル基、2-ペンテン-4-イニル基、� �キシル基、イソヘキシル基、5-メチルヘキシ ル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、 デシル基、ドデシル基などの脂肪族炭化水素 基;
フェニル基、o-トリル基、m-トリル基、p-トリ ル基、キシリル基などの芳香族炭化水素基;
ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプ ロピル基などのアリールアルキル基;などが� �げられる。
 また、これらの脂肪族炭化水素基、芳香族� ��化水素基、アリールアルキル基は、更に別� ��置換基を有していてもよい。この場合の置� ��基の例としては、アニリノ基、アミノ基、� ��ルキルアミノ基、ハロゲン基、ニトロ基、� ��ルコキシ基、シアノ基及びアルキル基、並� ��に、前記例示のうち二以上の置換基を組み� ��わせてなる置換基などが挙げられる。

 本発明においては、X ¹ 、X ² 、X ³ 及びX ⁴ の少なくとも1つが、複素環又は芳香環で置� �されたアルキル基であることが望ましい。� �体例としては、先にも挙げたベンジル基、� �ェネチル基の他に、フェニルブチル基、フ� �ニルプロピル基などのフェニルアルキル基;� ��チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基� ��どの炭素数1~6のアルキル基の末端あるいは� ��中に、アズレン基、ナフタレン基などの芳� ��環や、ピリジン環、キノリン環、フラン環� ��チオフェン環、ピペリジン環、ピロリジン� ��、ピロール環、チアゾール環、オキサゾー� ��環、イミダゾール環、チアゾリン環、オキ� ��ゾリン環、イミダゾリン環などの複素環を� ��換基として有するアルキル基などが挙げら� ��る。
 本発明の効果を得る上で支障がない限り、� ��素環又は芳香環を置換基とするアルキル基� ��炭素数には限定はないが、通常1以上、また 、通常6以下、好ましくは3以下が望ましい。
 置換基としての複素環又は芳香環の種類に� ��定はないが、好適な置換基はベンゼン環で� ��る。
 また、置換基としての複素環又は芳香環が� ��に置換基を有していてもよい。置換基とし� ��は、例えば、前記のA ¹ 及びB ¹ における置換基と同じものが挙げられる。
 複素環又は芳香環で置換されたアルキル基� ��しては、ベンジル基が最も好ましい。また� ��本発明においては、A ¹ がベンゼン環、B ¹ がピリジン環、X ¹ 、X ² 、X ³ 及びX ⁴ のうちいずれか1つが芳香環で置換されたア� �キル基であることが好ましい。その中でも� �X ¹ 、X ² 、X ³ 及びX ⁴ のうちの芳香環で置換されたアルキル基以外 のX ¹ 、X ² 、X ³ 及びX ⁴ と、R ¹ 及びR ² が、炭素数1~3のアルキル基であり、Y ¹ が水素原子であることが好ましく、X ¹ 又はX ² の何れか一方が、芳香環で置換されたアルキ ル基であることが更に好ましい。

 前記一般式[I]中、Y ¹ は水素原子又は有機基を表わす。中でも、Y ¹ は水素原子(無置換)であることが好ましい。Y ¹ としての有機基は限定されず、前記X ¹ 、X ² 、X ³ 及びX ⁴ としての有機基と同様のものが挙げられるが 、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル 基など炭素数1~6のアルキル基や、フェニル基 、ナフタレン基などの芳香族炭化水素基など が好ましい。

 前記一般式[I]中、Z ^- は、アニオンを表わす。アニオンの種類は制 限されず、有機アニオンであっても無機アニ オンであってもよい。
 無機アニオンの例としては、六弗化燐酸イ� ��ン、ハロゲンイオン、燐酸イオン、過塩素� ��イオン、過沃素酸イオン、六弗化アンチモ� ��酸イオン、六弗化錫酸イオン、四弗化硼素� ��イオンなどの無機酸イオンが挙げられる。
 有機アニオンの例としては、チオシアン酸� ��オン、ベンゼンスルホン酸イオン、ベンゼ� ��ジスルホン酸イオン、ナフタレンスルホン� ��イオン、p-トルエンスルホン酸イオン、ア� �キルスルホン酸イオン、ベンゼンカルボン� �イオン、ベンゼンジカルボン酸イオン、ベ� �ゼントリカルボン酸イオン、アルキルカル� �ン酸イオン、トリハロアルキルカルボン酸� �オン、アルキル硫酸イオン、トリハロアル� �ル硫酸イオン、ニコチン酸イオンなどの有� �酸イオンが挙げられる。

 それらのうち、Z ^- としては、弗素原子を含む対イオン、例えば 、六弗化燐酸イオン(PF ₆ ^- )、硼弗化水素酸イオン、四弗化硼素酸イオ� �(BF ₄ ^- )、トリフルオロメタンスルホン酸アニオン� �ノナフルオロブタンスルホン酸アニオン、� �(トリフルオロメチルスルフォニル)イミドア ニオン、ジ(2,2,2-トリフルオロエチルスルフ� �ニル)イミドアニオン、ジ(3,3,3,-トリフルオ� �プロピルスルフォニル)イミドアニオン、ジ( 4,4,4-トリフルオロブチルスルフォニル)イミ� �アニオン、ジ(ペルフルオロエチルスルフォ� ��ル)イミドアニオン、ジ(ペルフルオロプロ� �ルスルフォニル)イミドアニオン、ジ(ペルフ ルオロブチルスルフォニル)イミドアニオン� �どが好ましい。

 また、Z ^- としては、陰電荷を有する金属錯体を好適に 用いることが出来る。個々の金属錯体として は、例えば、アセチルアセトナートキレート 系、アゾ系、サリチルアルデヒドオキシム系 、ジインモニウム系、ジチオール系、ジピロ メテン系、スクアリリウム系、チオカテコー ルキレート系、チオビスフェノレートキレー ト系、ビスジチオ-α-ジケトンキレート系、� �スフェニレンジチオール系、ホルマザン系� �遷移金属キレートなどが挙げられる。これ� �のうち、耐光性及び溶剤に対する溶解性の� �で、アゾ系金属錯体が好ましい。
 中でも、Z ^- としては、シアニン色素全体の耐久性及び溶 剤に対する溶解性の点で、ア ゾ系金属錯体� ��陰イオンが更に好ましい。特に、長周期型� ��期律表(以下、単に「周期律表」と記す。)� �第5族から第12族に属する遷移元素を中心原� �とするアゾ系金属錯体の陰イオンがとりわ� �好ましい。
 上記したアゾ系金属錯体の陰イオンにおけ� ��遷移元素としては、例えば、バナジウム、� ��オブ、タンタル、クロム、モリブデン、タ� ��グステン、マンガン、レニウム、鉄、ルテ� ��ウム、オスミウム、コバルト、ロジウム、� ��リジウム、ニッケル、パラジウム、白金、� ��、銀、金、亜鉛、カドニウム、水銀などが� ��げられる。中でも、経済性及び生体に対す� ��影響の点で、バナジウム、マンガン、鉄、� ��バルト、銅が好ましい。
 Z ^- として好ましいアゾ系金属錯体の陰イオンの 例としては、下記一般式[X]で表わされるアゾ 系金属錯体の陰イオンが挙げられる。
(前記一般式[X]中、
環C及び環Dは、各々独立に、芳香族環又は複� ��環を表わす。但し、環C及び環Dのうち少な� �とも一方の環は複素環である。
Y及びXは、各々独立に、活性水素を有する基� ��表わす。
Mは、3価の金属元素を表わす。
Y及びXの活性水素が脱離してアゾ系配位子が- 2の電荷を有し、このアゾ系配位子2個と+3の� �荷の金属原子1個から、全体で-1の電荷の金� �錯体が形成される。)
 前記一般式[X]中、C及びDで表わされる環は� �各々独立に、芳香族環又は不飽和若しくは� �和の複素環であり、Y及びX以外の置換基を更 に有していてもよい。C及びDで表わされる環� ��種類は特に限定されないが、例えば、ベン� ��ン、ナフタレン等の芳香族環;ピリジン、ピ リミジン、チオフェン等の不飽和複素環;メ� �ドラム酸、バルビツール酸、ピリドン等の� �和複素環;などが挙げられる。
 前記一般式[X]中、Y及びXで表わされる基は� �各々独立に、活性水素を有する基であり、� �ロトンが脱離して陰電荷を有するものであ� �ばよい。Y及びXで表わされる基の種類は特に 限定されないが、例えば、カルボン酸基、ス ルホン酸基、アミノ基、水酸基、アミド基、 ボロン酸基、リン酸基などが挙げられる。ま た、C及びDで表わされる環内に前記の基が含� ��れていてもよい。
 前記一般式[X]中、Mで表わされる元素は、3� �の金属元素である。
 アゾ系配位子の有する基Y、X、及びアゾ結� �の窒素原子の一つが金属に配位すると仮定� �れば、1個の金属元素に3配座の配位子を2個� �する金属錯体が、6配座で安定化すると考え� ��れる。そのため、-2の配位子が2個と、+3の� �属が1個とからなるアゾ系金属錯体が、最も� ��定であり、且つ、一般式[I]で表わされるシ� ��ニン色素と等モルで対になることができる� ��で好ましい。

 上記一般式[X]で表わされるアゾ系金属錯� ��の陰イオンの中でも好ましい例としては、� ��記一般式[II]~[V]で表わされるものが挙げら� �る。

 一般式[II]~[V]において、Mは、一般式[X]と同� ��、周期律表の第5族から第12族に属する遷移� ��素を表わす。

 一般式[II]~[V]において、R ⁴ 、R ⁵ 、R ⁷ ~R ¹⁰ 、R ¹² ~R ¹⁵ 、R ¹⁸ 及びR ¹⁹ は、各々独立に、炭化水素基を表わす。炭化 水素基の種類は制限されず、脂肪族炭化水素 基であってもよく、芳香族炭化水素基でもよ いが、脂肪族炭化水素基が好ましい。
 脂肪族炭化水素基の例としては、メチル基� ��エチル基、ビニル基、プロピル基、イソプ� ��ピル基、イソプロペニル基、1-プロペニル� �、2-プロペニル基、2-プロピニル基、ブチル� ��、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル� ��、2-ブテニル基、1,3-ブタジエニル基、ペン� ��ル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、t ert-ペンチル基、1-メチルペンチル基、2-メチ� ��ペンチル基、2-ペンテニル基、2-ペンテン-4- イニル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、5-� ��チルヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基� ��ノニル基、デシル基、ドデシル基などの、� ��素数1以上、6以下の直鎖状又は分岐鎖状の� �肪族炭化水素基;シクロプロピル基、シクロ� ��チル基、シクロペンチル基、シクロヘキシ� ��基、シクロヘキセニル基などの、炭素数3以 上、6以下の脂環式炭化水素基;などが挙げら� ��る。
 上記炭化水素基において、一又は二以上の� ��素原子が、例えばフルオロ基、クロロ基、� ��ロモ基などのハロゲン基によって置換され� ��いてもよい。
 本発明のシアニン色素は、溶剤の種類にも� ��るが、R ⁴ 、R ⁵ 、R ⁷ ~R ¹⁰ 、R ¹² ~R ¹⁵ 、R ¹⁸ 及びR ¹⁹ の炭素数が多くなるほど、通常は溶剤に対す る溶解性が増大する。

 一般式[II]、[IV]及び[V]において、R ³ 、R ⁶ 、R ¹¹ 、R ¹⁶ 、R ¹⁷ 及びR ²⁰ は、各々独立に、水素原子又は置換基を表わ す。これらの基が置換基である場合の例とし ては、メチル基、エチル基、ビニル基、プロ ピル基、イソプロピル基、イソプロペニル基 、1-プロペニル基、2-プロペニル基、2-プロピ ニル基、ブチル基、イソブチル基、sec-ブチ� �基、tert-ブチル基、2-ブテニル基、1,3-ブタジ エニル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネ オペンチル基、tert-ペンチル基、1-メチルペ� �チル基、2-メチルペンチル基、2-ペンテニル� ��、2-ペンテン-4-イニル基、ヘキシル基、イ� �ヘキシル基、5-メチルヘキシル基、ヘプチル 基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデ シル基などの脂肪族炭化水素基;
更には、シクロプロピル基、シクロブチル基 、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シ クロヘキセニル基などの脂環式炭化水素基;
フェニル基、o-トリル基、m-トリル基、p-トリ ル基、キシリル基、メシチル基、o-クメニル� ��、m-クメニル基、p-クメニル基、ビフェニリ ル基などの芳香族炭化水素基;
メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イ ソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ 基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基、ペンチ ルオキシ基、フェノキシ基などのアルコキシ 基又はアリールオキシ基;
メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル 基、プロポキシカルボニル基、ブトキシカル ボニル基、アセチル基、ベンゾイルオキシ基 などのエステル基;
アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ 基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プ ロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、イソ プロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基 、ブチルアミノ基、ジブチルアミノ基、イソ ブチルアミノ基、ジイソブチルアミノ基、sec -ブチルアミノ基、tert-ブチルアミノ基、ペン チルアミノ基、ジペンチルアミノ基、アニリ ノ基、o-トリイジノ基、m-トルイジノ基、p-ト ルイジノ基、キシリジノ基、ジフェニルアミ ノ基などの無置換又は置換のアミノ基;
キノリル基、ピペリジノ基、ピリジル基、モ ルホリノ基などの複素環基;
フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、ヨ-ド基� �どのハロゲン基;
ヒドロキシル基; カルボキシル基; スルホン 酸基; シアノ基;及び
ニトロ基;
 更には、前記例示のうち二以上の置換基を� ��み合わせてなる置換基;などが挙げられる。

 なお、一般式[II]及び[III]における二つのニ� ��ロ基、並びに、一般式[IV]及び[V]におけるR ¹¹ 及びR ¹⁶ の各々がベンゼン環に結合する位置は、アゾ 基に対して、オルト位、メタ位、パラ位の何 れであっても構わない。但し、ニトロ基にお いては、合成上の観点から、メタ位であるこ とが好ましい。

 一般式[I]のシアニン色素の好ましい例とし� ��は、例えば、下記の構造式(1)~(46)で表わさ� �る化合物が挙げられる(なお、以下の記載で� ��、各構造式で示される化合物を、その構造� ��の番号を付して「例示化合物(1)」等のよう� ��略称する場合がある。)。以下に例示する化 合物は、何れも溶液状態において、波長400nm� ��り長波長側の波長領域、通常、400~500nm付近� ��紫色から青色にかけての波長領域に主たる� ��収極大を有し、吸収極大波長における分子� ��光係数も5×10 ⁴ 以上と大きいことから、紫色から青色にかけ ての波長領域の可視光を効率良く吸収するこ ととなる。但し、以下の化合物はあくまでも 例示であって、本発明の光学記録媒体に使用 可能な一般式[I]のシアニン色素は、これらに 限定される訳ではない。

[II.光学記録媒体]
 本発明の光学記録媒体は、基板と、前記基� ��上に設けられ、光が照射されることにより� ��報の記録又は再生が可能な記録層とを少な� ��とも有し、前記記録層が、上記一般式[I]の� ��アニン色素を含有するものである。必要に� ��じて、更に、下引き層、反射層、保護層な� ��、基板及び記録層以外の層を有していても� ��い。

 以下、本発明の光学記録媒体について、� ��施形態を挙げて具体的に説明するが、以下� ��実施形態はあくまでも説明のために挙げる� ��のであって、本発明は以下の実施形態に制� ��されず、本発明の趣旨に反しない限り自由� ��変形して実施することが可能である。

 まず、本発明の第1実施形態について説明 する。図1(a)は、本発明の第1実施形態に係る� ��学記録媒体の層構成の一例を模式的に表わ� ��部分断面図である。図1(a)に示される光学記 録媒体10は、光透過性材料からなる基板1と、 基板1上に設けられた記録層2と、記録層2上に 積層された反射層3及び保護層4とが順番に積� ��された構造を有している。光学記録媒体10� �、基板1側から照射されるレーザー光Lにより 、情報の記録・再生が行われる。

 なお、説明の便宜上、光学記録媒体10に� �いて、保護層4が存在する側を上方、基板1が 存在する側を下方とし、これらの方向に対応 する各層の各面を、それぞれ各層の上面及び 下面とする。

 基板1の材料としては、基本的に記録光及 び再生光の波長において透過性を有する材料 であれば、様々な材料を使用することができ る。具体的には、例えば、アクリル系樹脂、 メタクリル系樹脂、ポリカーボネート樹脂、 ポリオレフィン系樹脂(特に、非晶質ポリオ� �フィン)、ポリエステル系樹脂、ポリスチレ� ��樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂;ガラス等が挙 げられる。また、ガラス上に光硬化性樹脂等 の放射線硬化性樹脂からなる樹脂層を設けた 構造の基板を用いることもできる。中でも、 高生産性、コスト、耐吸湿性等の観点からは 、射出成型法にて使用されるポリカーボネー ト樹脂、耐薬品性及び耐吸湿性等の観点から は、非晶質ポリオレフィンが好ましい。更に 、高速応答等の観点からは、ガラスが好まし い。

 樹脂製の基板1を使用した場合、又は、記 録層と接する側(上側)に樹脂層を設けた基板1 を使用した場合には、上面に、記録再生光の 案内溝やピットを形成してもよい。案内溝の 形状としては、光学記録媒体10の中心を基準� ��した同心円状の形状やスパイラル状の形状� ��挙げられる。スパイラル状の案内溝を形成� ��る場合には、溝ピッチが0.2~1.2μm程度である ことが好ましい。

 記録層2は、基板1の上側に直接、又は必� �に応じて基板1上に設けた下引き層等の上側� ��形成される層であって、上記式[I]のシアニ� ��色素を含有する。式[I]のシアニン色素は、� ��れか一種を単独で使用してもよく、二種以� ��を任意の組み合わせ及び比率で併用しても� ��い。

 更に、記録層2には、式[I]のシアニン色素 に加え、必要に応じて他系統の色素を併用す ることもできる。他系統の色素としては、主 として記録用レーザー光の発振波長域に適度 な吸収を有するものであればよく、特に制限 されない。また、CD-R等に使用され、770~830nm� �波長帯域中に発振波長を有する近赤外レー� �ー光を用いた記録・再生に適する色素や、DV D-R等に使用され、620~690nmの波長帯域中に発振 波長を有する赤色レーザー光を用いた記録・ 再生に適する色素等を、式[I]のシアニン色素 と併用して記録層2に含有させることにより� �異なる波長帯域に属する複数種のレーザー� �を用いた記録・再生に対応する光学記録媒� �10を製造することもできる。また、上記CD-R� �或いはDVD-R用の色素の中で耐光性が良好なも のを選び、式[I]のシアニン色素と併用するこ とにより、耐光性を更に向上させることが可 能となる。

 式[I]のシアニン色素以外の他系統の色素� ��しては、含金属アゾ系色素、ベンゾフェノ� ��系色素、フタロシアニン系色素、ナフタロ� ��アニン系色素、シアニン系色素、アゾ系色� ��、スクアリリウム系色素、含金属インドア� ��リン系色素、トリアリールメタン系色素、� ��ロシアニン系色素、アズレニウム系色素、� ��フトキノン系色素、アントラキノン系色素� ��インドフェノール系色素、キサンテン系色� ��、オキサジン系色素、ピリリウム系色素等� ��挙げられる。

 また、記録層2には、式[I]のシアニン色素 に加えて、安定性や耐光性の向上のために、 一重項酸素クエンチャーとして遷移金属キレ ート化合物(例えば、アセチルアセトナート� �レート、ビスフェニルジチオール、サリチ� �アルデヒドオキシム、ビスジチオ-α-ジケト� ��等)等を含有させたり、記録感度の向上のた めに、金属系化合物等の記録感度向上剤を含 有させたりしてもよい。ここで、金属系化合 物とは、遷移金属等の金属が原子、イオン、 クラスター等の形で化合物に含まれるものを 言い、例えばエチレンジアミン系錯体、アゾ メチン系錯体、フェニルヒドロキシアミン系 錯体、フェナントロリン系錯体、ジヒドロキ シアゾベンゼン系錯体、ジオキシム系錯体、 ニトロソアミノフェノール系錯体、ピリジル トリアジン系錯体、アセチルアセトナート系 錯体、メタロセン系錯体、ポルフィリン系錯 体のような有機金属化合物が挙げられる。金 属原子としては特に限定されないが、遷移金 属であることが好ましい。

 更に、必要に応じてバインダー、レベリ� ��グ剤、消泡剤等を併用することもできる。� ��ましいバインダーとしては、ポリビニルア� ��コール、ポリビニルピロリドン、ニトロセ� ��ロース、酢酸セルロース、ケトン系樹脂、� ��クリル系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ウレ� ��ン系樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカ� ��ボネート、ポリオレフィン等が挙げられる� ��

 記録層2の成膜方法としては、真空蒸着法 、スパッタリング法、ドクターブレード法、 キャスト法、スピンコート法、浸漬法等、一 般に行なわれている様々な薄膜形成法が挙げ られる。量産性やコストの観点からは、スピ ンコート法が好ましく、均一な厚みの記録層 2が得られるという観点からは、塗布法より� �真空蒸着法等の方が好ましい。スピンコー� �法による成膜の場合、回転数は500~15000rpmが� �ましい。また、場合によっては、スピンコ� �トの後に、加熱する、溶媒蒸気にあてる等� �処理を施してもよい。

 ドクターブレード法、キャスト法、スピ� ��コート法、浸漬法等の塗布法により記録層2 を形成する場合に、式[I]のシアニン色素を溶 解させて基板1に塗布するために使用する塗� �溶媒は、基板1を侵食しない溶媒であれば特� ��限定されない。具体的には、例えばジアセ� ��ンアルコール、3-ヒドロキシ-3-メチル-2-ブ� �ノン等のケトンアルコール系溶媒;メチルセ� ��ソルブ、エチルセロソルブ等のセロソルブ� ��溶媒;n-ヘキサン、n-オクタン等の鎖状炭化� �素系溶媒;シクロヘキサン、メチルシクロヘ� ��サン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシ� ��ロヘキサン、n-ブチルシクロヘキサン、tert- ブチルシクロヘキサン、シクロオクタン等の 環状炭化水素系溶媒;テトラフルオロプロパ� �ール、オクタフルオロペンタノール、ヘキ� �フルオロブタノール等のフルオロアルキル� �ルコール系溶媒;乳酸メチル、乳酸エチル、2 -ヒドロキシイソ酪酸メチル等のヒドロキシ� �ルボン酸エステル系溶媒等が挙げられる。� �布法により記録層2を形成する場合、式[I]の� ��アニン色素を溶解させて基板1に塗布するシ アニン色素の濃度は、溶媒に対し0.3~2.0重量%� ��好ましく、0.5~1.5重量%がより好ましい。

 真空蒸着法を用いる場合には、例えば、式[ I]のシアニン色素と、必要に応じて他の色素� ��各種添加剤等の記録層成分とを、真空容器� ��に設置されたるつぼに入れ、この真空容器� ��を適当な真空ポンプで10 ^-2 ~10 ^-5 Pa程度にまで排気した後、るつぼを加熱して� ��録層成分を蒸発させ、るつぼと向き合って� ��かれた基板上に蒸着させることによって、� ��録層2を形成する。

 記録層2の膜厚は、記録方法等により適し た膜厚が異なる為、特に限定するものではな いが、記録を可能とするためにはある程度の 膜厚が必要とされるため、通常、少なくとも 1nm以上であり、好ましくは5nm以上である。但 し、あまり厚すぎても記録が良好に行なえな くなる場合があるので、通常300nm以下、好ま� ��くは200nm以下、より好ましくは100nm以下であ る。

 反射層3は、記録層2の上に形成されてい� �。反射層3の膜厚は、好ましくは50nm~300nmであ る。反射層3の材料としては、再生光の波長� �おいて十分高い反射率を有する材料、例え� �、Au、Al、Ag、Cu、Ti、Cr、Ni、Pt、Ta、Pd等の金 属を、単独或いは合金にして用いることがで きる。これらの中でもAu、Al、Agは反射率が高 く、反射層3の材料として適している。また� �これらの金属を主成分とした上で、他の材� �を含有させてもよい。ここで「主成分」と� �、含有率が50重量%以上のものをいう。主成� �以外の他の材料としては、例えば、Mg、Se、H f、V、Nb、Ru、W、Mn、Re、Fe、Co、Rh、Ir、Cu、Zn� ��Cd、Ga、In、Si、Ge、Te、Pb、Po、Sn、Bi、Ta、Ti� ��Pt、Pd、Nd等の金属及び半金属を挙げること� ��できる。中でもAgを主成分とするものは、� �ストが安い点、高反射率が出易い点、後述� �る印刷受容層を設けた場合に地色が白く美� �いものが得られる点等から、特に好ましい� �例えば、AgにAu、Pd、Pt、Cu、及びNdからなる� �から選ばれる一種以上を0.1原子%~5原子%程度� ��有させた合金は、高反射率、高耐久性、高� ��度且つ低コストであり好ましい。具体的に� ��、例えば、AgPdCu合金、AgCuAu合金、AgCuAuNd合� �、AgCuNd合金等である。金属以外の材料とし� �は、低屈折率薄膜と高屈折率薄膜を交互に� �み重ねて多層膜を形成し、これを反射層3と� ��て用いることも可能である。

 反射層3を形成する方法としては、例えば 、スパッタリング法、イオンプレーティング 法、化学蒸着法、真空蒸着法等が挙げられる 。また、基板1の上や反射層3の下に、反射率� ��向上、記録特性の改善、密着性の向上等の� ��めに、公知の無機系又は有機系の中間層、� ��着層を設けることもできる。

 保護層4は、反射層3の上に形成される。保� �層4の材料は、反射層3を外力から保護するも のであれば、特に限定されない。有機物質の 材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂 、電子線硬化性樹脂、紫外線(以下、「UV」と 略記ことがある。)硬化性樹脂等を挙げるこ� �ができる。また、無機物質としては、酸化� �イ素、窒化ケイ素、フッ化マグネシウム(MgF ₂ )、酸化スズ(SnO ₂ )等が挙げられる。

 熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂等を用いる� ��合は、適当な溶剤に溶解して調製した塗布� ��を反射層3の上に塗布して乾燥させれば、保 護層4を形成することができる。UV硬化性樹脂 を用いる場合は、そのまま反射層3の上に塗� �するか、又は適当な溶剤に溶解して調製し� �塗布液を反射層3の上に塗布し、UV光を照射� �て硬化させることによって、保護層4を形成� ��ることができる。UV硬化性樹脂としては、� �えば、ウレタンアクリレート、エポキシア� �リレート、ポリエステルアクリレート等の� �クリレート系樹脂を用いることができる。� �れらの材料は、単独で用いても、複数種を� �合して用いてもよい。また、保護層は、単� �として形成しても、多層として形成しても� �い。

 保護層4の形成方法としては、記録層2と� �様に、スピンコート法やキャスト法等の塗� �法や、スパッタリング法や化学蒸着法等の� �法が用いられるが、中でもスピンコート法� �好ましい。保護層4の膜厚は、その保護機能� ��果たすためにはある程度の厚みが必要とさ� ��るため、通常0.1μm以上であり、好ましくは3 μm以上である。但し、あまり厚すぎると、効 果が変わらないだけでなく保護層4の形成に� �間がかかったりコストが高くなる場合があ� �ので、通常100μm以下であり、好ましくは30μm 以下である。

 以上、光学記録媒体10の層構造として、� �板、記録層、反射層、保護層をこの順に積� �して成る構造を例に採って説明したが、こ� �他の層構造を採っても構わない。

 例えば、上例の層構造における保護層4の 上面に、又は上例の層構造から保護層4を省� �して反射層3の上面に、更に別の基板1を貼り 合わせてもよい。この際の基板1は、何ら層� �設けていない基板そのものであってもよく� �貼り合わせ面又はその反対面に反射層3等任� ��の層を有するものでもよい。また、同じく� ��例の層構造を有する光学記録媒体10や、上� �の層構造から保護層4を省略した光学記録媒� ��10を、それぞれの保護層4及び/又は反射層3� �上面を相互に対向させて2枚貼り合わせても� ��い。

 次に、本発明の第2実施形態について説明 する。図1(b)は、本発明の第2実施形態に係る� ��学記録媒体の層構成の一例を模式的に表わ� ��部分断面図である。図1(b)中、図1(a)と共通� �る要素については同じ符号を付し、説明を� �略する。図1(b)に示される光学記録媒体20は� �光透過性材料からなる基板1と、基板1上に設 けられた反射層3と、反射層3上に積層された� ��録層2及び保護被膜5とが順番に積層された� �造を有している。光学記録媒体20は、保護被 膜5側から照射されるレーザー光Lにより、情� ��の記録・再生が行われる。

 保護被膜5は、フィルム又はシート状のも のを接着剤によって貼り合わせてもよく、ま た、前述の保護層4と同様の材料を用い、成� �用の塗液を塗布し硬化又は乾燥することに� �り形成してもよい。保護被膜5の厚さは、そ� ��保護機能を果たすためにはある程度の厚さ� ��必要とされるため、通常0.1μm以上、好まし� ��は3μm以上である。但し、あまり厚すぎると 、効果が変わらないだけでなく、保護被膜5� �形成に時間がかかったり、コストが高くな� �場合があるので、通常300μm以下、好ましく� �200μm以下とすることが望ましい。

 尚、記録層2及び反射層3等の各層は、通� �は第1実施形態の光学記録媒体10と同様のも� �が用い得る。但し、第2実施形態においては� ��基板1は透明である必要はなく、従って、前 述の材料以外にも、不透明な樹脂、セラミッ ク、金属(合金を含む)等が用いられる。この� ��うな層構成においても、上記各層間には、� ��発明の特性を損なわない限り、必要に応じ� ��任意の層を有してよい。

 ところで、光学記録媒体10,20の記録密度� �上げるための一つの手段として、対物レン� �の開口数を上げることがある。これにより� �報記録面に集光される光スポットを微小化� �きる。しかしながら、対物レンズの開口数� �上げると、記録・再生を行なうためにレー� �ー光を照射した際に、光学記録媒体10,20の反 り等に起因する光スポットの収差が大きくな り易いため、良好な記録再生信号が安定して 得られない場合がある。

 このような収差は、レーザー光が透過す� ��透明基板や保護被膜の膜厚が厚いほど大き� ��なり易いので、収差を小さくするためには� ��板や保護被膜をできるだけ薄くするのが好� ��しい。ただし、通常、基板1は光学記録媒体 10,20の強度を確保するためにある程度の厚み� ��要するので、この場合、第2実施形態の光学 記録媒体20の構造(基板1、反射層3、記録層2、 保護被膜5からなる基本的層構成の光学記録� �体20)を採用するのが好ましい。第1実施形態� ��光学記録媒体10の基板1を薄くするのに比べ� ��と、第2実施形態の光学記録媒体20の保護被� ��5は薄くし易いため、好ましくは第2実施形� �の光学記録媒体20を用いる。

 但し、第1実施形態の光学記録媒体10の構� ��(基板1、記録層2、反射層3、保護層4からな� �基本的層構成の光学記録媒体10)であっても� �記録・再生用レーザー光が通過する透明な� �板1の厚さを50~300μm程度にまで薄くすること� ��より、収差を小さくして使用できるように� ��る。

 また、他の各層の形成後に、記録・再生� ��ーザー光の入射面(通常は、基板1の下面)に� ��表面の保護やゴミ等の付着防止の目的で、� ��外線硬化樹脂層や無機系薄膜等を成膜形成� ��てもよく、記録・再生レーザー光の入射面� ��はない面(通常は、反射層3や保護層4の上面) に、インクジェット、感熱転写等の各種プリ ンタ、或いは各種筆記具を用いて記入や印刷 が可能な印刷受容層を設けてもよい。

 本実施の形態が適用される光学記録媒体1 0,20において、情報の記録・再生のために使� �するレーザー光は、高密度記録を実現する� �点から波長が短いほど好ましいが、特に波� �350~530nmのレーザー光が好ましい。かかるレ� �ザー光の代表例として、中心波長が405nm、410 nm、515nmのレーザー光が挙げられる。

 波長350~530nmのレーザー光は、波長405nm、41 0nmの青色又は515nmの青緑色の高出力半導体レ� ��ザー光を使用することによって得られる。� ��た、その他にも例えば(a)基本発振波長が740~ 960nmの連続発振可能な半導体レーザー光、及� ��(b)半導体レーザー光によって励起される基� ��発振波長740~960nmの連続発振可能な固体レー� ��ー光の何れかの発振レーザー光を、第二高� ��波発生(Second-Harmonic Generation:SHG)素子により� ��長変換することによっても得られる。

 尚、SHG素子としては、反転対称性を欠くピ� ��ゾ素子であればいかなるものでもよいが、K DP(KH ₂ PO ₄ )、ADP(NH ₄ H ₂ PO ₄ )、BNN(Ba ₂ NaNb ₅ O ₁₅ )、KN(KNbO ₃ )、LBO(LiB ₃ O ₅ )、化合物半導体等が好ましい。第二高調波� �具体例として、基本発振波長が860nmの半導体 レーザー光の場合には、その基本発振波長の 倍波である430nm、また、半導体レーザー光励� ��の固体レーザー光の場合には、Crドープし� �LiSrAlF ₆ 結晶(基本発振波長860nm)からの倍波の430nm等が 挙げられる。

 本発明の各実施の形態に係る光学記録媒� ��10、20に情報の記録を行なう際には、記録層 2に対して(通常は、図1(a)及び(b)において、記 録層2に対してレーザー光Lの方向から照射す� ��。)、通常0.4~0.6μm程度に集束したレーザー� �を照射する。記録層2のレーザー光が照射さ� ��た部分は、レーザー光のエネルギーを吸収� ��ることによって分解、発熱、融解等の熱的� ��形を起こすため、光学的特性が変化する。

 一方、記録層2に記録された情報の再生を 行なう際には、同じく記録層2に対して(通常� ��、記録時と同じ方向からレーザー光Lは照射 する。)、よりエネルギーの低いレーザー光� �照射する。記録層2において、光学的特性の� ��化が起きた部分(すなわち、情報が記録され た部分)の反射率と、変化が起きていない部� �の反射率との差を読み取ることにより、情� �の再生が行なわれる。

 次に、本発明の第3実施形態として、複数の 記録層を有する光学記録媒体及びその製造方 法について説明する。
 図2(a)~(f)は、本発明の第3実施形態に係る2層 型光学記録媒体の製造方法を説明する図であ る。先ず、図2(a)に示すように、表面に溝及� �ランド、プリピットが形成された第1の基板2 01を、スタンパを用いた射出成型法等により� ��製する。次に、少なくとも有機色素を溶媒� ��溶解させた塗布液を第1の基板201の凹凸を有 する側の表面にスピンコート等により塗布し 、塗布液に使用した溶媒を除去するために加 熱(アニール)して第1の記録層202を成膜する。 第1の記録層202を成膜した後、Ag合金等をスパ ッタ又は蒸着することにより、第1の記録層20 2上に、半透明な第1の反射層203を成膜する。

 続いて、図2(b)に示すように、第1の反射� �203の表面全体に紫外線硬化性樹脂層204aをス� ��ンコート等により塗布して形成する。更に� ��図2(c)に示すように、紫外線硬化性樹脂層204 aをスピンコート等により塗布した後、樹脂� �タンパ210を載置し、紫外線硬化性樹脂層204a� ��凹凸を転写する。このとき、紫外線硬化性� ��脂層204aの膜厚が所定範囲になるように調節 しつつ行なう。そして、この状態で樹脂スタ ンパ210側から紫外線を照射する等して紫外線 硬化性樹脂層204aを硬化させ、十分硬化した� �ころで樹脂スタンパ210を剥離し、表面に凹� �を有する中間層204を形成する。

 尚、樹脂スタンパ210は、中間層204となる� ��き樹脂に対して十分な剥離性を有していれ� ��良く、成形性が良く、形状安定性が良いこ� ��が望ましい。生産性及びコストの観点から� ��望ましくは、樹脂スタンパ210は複数回の転� ��に使用可能であるのが望ましい。また、使� ��後のリサイクルが可能であることが望まし� ��。また、樹脂スタンパ210の材料としては、� ��えばアクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、� ��リカーボネート樹脂、ポリオレフィン系樹� ��(特に非晶質ポリオレフィン)、ポリエステ� �系樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂� �が挙げられる。これらの中でも、成形性等� �高生産性、コスト、低吸湿性、形状安定性� �の点から非晶質ポリオレフィンが好ましい� �

 続いて、図2(d)に示すように、有機色素を 溶媒に溶解させた塗布液をスピンコート等に より中間層204表面に塗布し、塗布液に使用し た溶媒を除去するために加熱(アニール)して� ��2の記録層205を成膜する。

 そして、図2(e)に示すように、Ag合金等をス� ��ッタ、蒸着することにより第2の記録層205上 に第2の反射層206を成膜する。
 その後、図2(f)に示すように、ポリカーボネ ートを射出成型して得られた第2の基板208と� �ての鏡面基板を、接着層207を介して第2の反� ��層206に貼り合わせて光学記録媒体の製造が� ��了する。

 以上、本発明の第3実施形態に係る光学記 録媒体及びその製造方法について説明したが 、本実施の形態は上記の態様に限定されるも のではなく、種々変形することができる。例 えば、光学記録媒体が3つ以上の複数の記録� �を有していてもよい。また、各層間や最外� �として必要に応じて他の層を設けてもよい� �基板入射型光ディスクに限られず、少なく� �も基板/反射層/第2の記録層/バッファー層/中 間層/半透明反射膜/第1の記録層/保護層から� �る積層構造を有し、保護層側(即ち、膜面側) からレーザー光を照射して情報の記録・再生 を行なう膜面入射型光ディスクにおいても適 用できる。

 多層媒体に用いられる色素として好適な要� ��としては、単層媒体に用いられる色素より� ��記録感度が良いことが挙げられる。なぜな� ��ば各層に情報を記録する際に、記録する目� ��以外の層にも光が吸収、透過する現象が必� ��生じるためである。
 例えば、図2に例示した2層型光学記録媒体� �場合、第1の反射層203は半透明反射膜である� ��め、記録時に照射されるレーザー光のエネ� ��ギーは、第1の反射層203において全て反射さ れるわけではない。このため、第1の記録層20 2へ照射されるレーザー光のエネルギーは、� �1に例示した単層媒体における記録層2に較べ て小さいものとなる。従って、図2に例示し� �2層型光学記録媒体における第1の記録層202を 構成する色素は、図1に例示した単層媒体に� �ける記録層2を構成する色素に較べて遥かに� ��い記録感度が要求されるのである。
 この意味でも、本発明のシアニン色素は従� ��と比較して良好な記録感度を持つことから� ��より好ましいと考えられる。