La présente invention concerne le domaine des convertisseurs continu-continu, et porte en particulier sur un bloc convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation, un convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation le comprenant et un système de suivi d'enveloppe associé.

L'augmentation constante des débits de communication sans fil nécessite l'utilisation de modulations complexes à efficacité spectrale élevée telles que 1 ' OFDM (multiplexage par répartition orthogonale de la fréquence) , ces modulations présentant des facteurs de crête importants (rapport entre la puissance crête et la puissance moyenne du signal) .

Les amplificateurs de puissance RF qui sont alimentés par une tension d'alimentation continue fournissent un rendement maximal uniquement lorsqu'ils travaillent à la compression, c'est-à-dire à la puissance crête du signal à émettre. Cependant, la plupart du temps, l'amplificateur fournit une puissance bien inférieure à sa puissance maximale, proche de la puissance moyenne du signal à émettre, le rendement de l'amplificateur étant dans ces conditions bien inférieur à son rendement maximal .

La technique de suivi d'enveloppe (en anglais, « Envelope Tracking ») est une technique d'alimentation pour améliorer le rendement des amplificateurs de puissance RF, celle-ci remplaçant l'alimentation constante continue de l'amplificateur par une alimentation dynamique continue qui suit l'amplitude du signal RF à émettre. La technique de suivi d'enveloppe permet d'ajuster dynamiquement la tension d'alimentation de l'amplificateur de puissance RF afin que celui-ci fonctionne toujours en compression et donc à son rendement maximal, quel que soit le niveau de puissance de l'enveloppe du signal RF, cette technique permettant pour les formats de modulation modernes d'améliorer significativement le rendement des amplificateurs de puissance RF tout en répondant aux exigences des normes en termes de linéarité . Dans le cas d'un amplificateur de puissance RF à suivi d'enveloppe, la tension d'alimentation est par définition constamment réajustée afin de s'assurer que l'amplificateur fonctionne toujours à la compression et donc à son rendement maximal, quel que soit le niveau de puissance souhaité à l'émission.

La tension d'alimentation d'un amplificateur de puissance RF à suivi d'enveloppe est générée par un convertisseur continu-continu (également appelé modulateur de polarisation) permettant de générer un signal de commande continu large bande, le modulateur de polarisation étant généralement réalisé à partir d'un convertisseur continu-continu dit hybride qui est un compromis entre rendement et linéarité. Le convertisseur continu-continu hybride comprend une partie convertisseur continu-continu à fort rendement en commutation pure fonctionnant à basses fréquences et une partie amplification linéaire permettant de suivre les variations rapides du signal d'enveloppe. La conversion continu-continu à fort rendement s'appuie sur des convertisseurs en commutation pure de type abaisseur de tension (en anglais, « Buck ») , amplificateur de tension (en anglais « Boost ») , Buck ou Boost multi -phases , ou Buck à multiples entrées d'alimentation (par commutation de tensions d'alimentation). L'amplification linéaire est quant à elle réalisée à partir d'un amplificateur ultra- linéaire fonctionnant en classe « A » ou « AB » principalement. Cependant, la partie amplification linéaire qui présente un faible rendement dégrade fortement le rendement global du convertisseur continu-continu hybride. En outre, plus la bande passante couverte par la partie amplification linéaire est importante, plus le rendement global est impacté par le faible rendement de la partie amplification linéaire.

Une autre technique connue communément utilisée pour générer un signal de commande continu de suivi d'enveloppe s'appuie uniquement sur l'utilisation seule d'un convertisseur continu-continu en commutation pure. Cette technique présente l'avantage d'obtenir des rendements plus élevés mais souvent au détriment de la linéarité et de la bande passante. Ce type de convertisseurs s'appuie sur des architectures de type Buck, Boost, Buck ou Boost multi -phases, ou Buck à multiples entrées d'alimentation. Dans cette configuration, l'utilisation de convertisseurs à multiples entrées d'alimentation de type abaisseur de tension présente l'avantage de diminuer l'ondulation résiduelle en sortie, d'augmenter la bande passante et également de diminuer les pertes par commutation dans les transistors de puissance.

Une technique alternative à la technique de suivi d'enveloppe classique et aux modulateurs de polarisation décrits précédemment consiste à s'appuyer sur la génération d'un signal de suivi d'enveloppe de type multi -niveaux (ou à niveaux discrets) . Cette technique a pour but d'appliquer une tension d'alimentation à l'amplificateur RF parmi plusieurs niveaux de tension possibles, ces niveaux de tension étant soit directement appliqués à l'amplificateur RF soit par l'intermédiaire d'un filtre passe-bas ayant pour fonction de maîtriser les temps de montée et de descente entre chaque tension à appliquer à l'amplificateur RF. Ce type de technique est obligatoirement couplé à une technique de pré-distorsion afin de préserver la linéarité globale du système, le nombre de niveaux de tension pouvant par exemple varier de 2 à 16 selon les capacités du convertisseur et le besoin de l'application. Les convertisseurs pour cette technique de suivi d'enveloppe sont de type Buck, Buck multi -niveaux, Boost, Buck ou Boost multi -phases , ou Buck à multiples entrées d'alimentation (par commutation de tensions d'alimentation), les convertisseurs à multiples entrées d'alimentation étant particulièrement adaptés à cette technique de suivi d'enveloppe car leur fonctionnement même consiste à sélectionner une tension d'alimentation parmi les tensions d'alimentation disponibles en entrée du convertisseur et étant donc beaucoup plus rapides pour changer de tension.

Les modulateurs de polarisation pour la technique de suivi d'enveloppe permettant de générer un signal de commande continu large bande ou à niveaux discrets reposent sur des convertisseurs à découpage, c'est-à-dire par commutation de tension, quel que soit le type de modulateur : hybride, à commutation seule ou à sélection de tension d'alimentation.

Les convertisseurs à multiples entrées d'alimentation utilisent des technologies identiques à celles utilisées dans les alimentations à découpage, ces alimentations utilisant des transistors de type MOSFET (transistor à effet de champ métal -oxyde- semi -conducteur) en technologie au silicium qui présentent l'avantage d'être largement éprouvés et d'être disponibles en technologies complémentaires (à canal N ou P) , les grilles des transistors MOSFET étant généralement pilotées par des circuits intégrés sur silicium mettant en œuvre la technique de « Bootstrap » (d'amorçage).

Cependant, les transistors MOSFET en technologie au silicium s'avèrent très limités en fréquence de commutation pour des applications de forte puissance. La réponse à cette problématique passe nécessairement par l'utilisation de nouveaux matériaux tels que le nitrure de gallium (GaN) . Pour un tel matériau, des transistors à effet de champ de type HEMT (transistor à haute mobilité d'électrons) à enrichissement (normalement ouverts) ou à effet de champ de type HEMT à déplétion (normalement fermés) existent à partir de processus de fabrication différents. Ils permettent d'atteindre des fréquences de fonctionnement plus importantes mais utilisent des dispositifs de pilotage de grille de type « Bootstrap » toujours en technologie au silicium et sont dépendants des performances de ceux-ci. Par ailleurs, l'utilisation de transistors HEMT à déplétion (normalement fermés) conjointement à un dispositif de pilotage de grille de type « Bootstrap » pose un problème évident lors de la phase de démarrage du circuit, le dispositif de pilotage de grille de type « Bootstrap » imposant, dans son principe de fonctionnement, de continuellement commuter les transistors .

Quelle que soit la technique de suivi d'enveloppe et l'architecture du modulateur de polarisation utilisées, l'augmentation croissante des bandes passantes de modulation nécessite de disposer d'alimentations à découpage capables de fonctionner à des fréquences de commutation très élevées, ces fréquences étant bien supérieures à ce que les technologies disponibles de convertisseurs continu-continu peuvent permettre, notamment dans le cas d'applications de forte puissance. Les fabricants d'alimentations à découpage se tournent donc vers des transistors à effet de champ de type HEMT à enrichissement en technologie GaN pilotés par des dispositifs de pilotage de type « Bootstrap » au silicium, ce type de transistor étant développé spécialement pour les applications de conversion de tension d'alimentation et permettant d'améliorer significativement les performances vis-à-vis des transistors MOSFET au silicium sans pour autant atteindre des bandes passantes suffisantes pour les applications de forte puissance liées à la technique de suivi d'enveloppe, les convertisseurs continu-continu utilisant ce type de transistors étant principalement limités en fréquence de commutation dans un premier temps par leur dispositif de pilotage de type « Bootstrap » et dans un second temps par les performances des transistors HEMT à enrichissement eux-mêmes développés pour des applications de conversion de tension d'alimentation ne nécessitant pas de larges bandes passantes.

Les transistors à effet de champ de type HEMT à déplétion (normalement fermés) en technologie GaN, généralement utilisés pour des applications d'amplification en radiofréquences et hyperfréquences , permettent d'atteindre des fréquences de fonctionnement très élevées même pour de fortes puissances. Cependant, ni les dispositifs de pilotage de grille de type « Bootstrap » au silicium, ni les topologies existantes des convertisseurs continu-continu ne permettent d'utiliser réellement ce type de composant pour des applications de commutation d'alimentations de forte puissance et très hautes fréquences pour la technique de suivi d'enveloppe.

La présente invention vise à résoudre les inconvénients de l'état antérieur de la technique, en proposant un bloc convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation forte puissance et hautes fréquences pour la technique de suivi d'enveloppe pour des applications d'amplification radiofréquence et/ou hyperfréquence de forte puissance afin de permettre une rupture technologique concernant la limitation rendement- bande passante imposée par les convertisseurs continu- continu existants qui rendait jusqu'à maintenant la technique de suivi d'enveloppe difficilement applicable pour les applications de forte puissance avec des débits élevés, ledit bloc convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation selon la présente invention comprenant un circuit de puissance avec au moins trois transistors HEMT à déplétion et un circuit de pilotage avec des transistors HEMT à déplétion, le circuit de puissance étant alimenté par au moins trois tensions d'alimentation positives et non nulles.

La présente invention propose également un convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation pour la technique de suivi d'enveloppe comprenant le bloc convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation, et un système pour la technique de suivi d'enveloppe comprenant un convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation pour la technique de suivi d'enveloppe selon la présente invention et un amplificateur radiofréquence (RF) de puissance.

La présente invention a donc pour objet un bloc convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation forte puissance et hautes fréquences comprenant un circuit de puissance dont la sortie constitue la sortie du bloc convertisseur continu-continu, le circuit de puissance comprenant N transistors HEMT (à haute mobilité d'électrons) à déplétion, N étant un nombre entier naturel supérieur ou égal à 3, le bloc convertisseur continu-continu comprenant en outre un circuit de pilotage de grille des N transistors HEMT à déplétion du circuit de puissance, caractérisé par le fait que le circuit de pilotage comprend des transistors HEMT à déplétion configurés pour piloter les grilles des N transistors HEMT à déplétion du circuit de puissance, et par le fait que le circuit de puissance est alimenté par N tensions d'alimentation positives et non nulles, à savoir une tension d'alimentation inférieure, une tension d'alimentation supérieure et (N-2) tension (s) d'alimentation intermédiaire (s) , la tension d'alimentation supérieure étant supérieure à la tension d'alimentation inférieure, chaque tension d'alimentation intermédiaire étant différente des tensions d'alimentation inférieure et supérieure et les (N-2) tensions d'alimentation intermédiaires étant différentes deux à deux et comprises entre les tensions d'alimentation inférieure et supérieure.

Par forte puissance, on entend des puissances supérieures à 1W.

Par hautes fréquences, on entend des fréquences de commutation supérieures à 10MHz.

Ainsi, le bloc convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation est spécialement approprié pour la technique de suivi d'enveloppe, les transistors hyperfréquences de type HEMT à déplétion (dits normalement fermés) étant spécifiquement appropriés pour des applications de forte puissance avec des fréquences de commutation élevées.

Différentes technologies de semi -conducteurs peuvent être utilisés pour la réalisation des transistors HEMT à déplétion, ces matériaux étant principalement le nitrure de gallium (GaN) et l'arséniure de gallium (GaAs) mais aussi tout autre matériau semi -conducteur à base de matériaux du groupe III -V tels que AlGaN, AIN, InAIN, InAlGaN, etc.

L'utilisation de transistors RF et hyperfréquence de type HEMT à déplétion offre un fort potentiel en termes de fréquence de fonctionnement de par leurs très faibles capacités parasites, ce type de transistors permettant traditionnellement d'adresser des fonctions d'amplification de puissance jusqu'à plusieurs dizaines de gigahertz, ce type de transistor offrant en outre les avantages d'être disponible suivant différents développements de grille et d'être très facilement intégrable dans des circuits monolithiques MMIC (circuits intégrés monolithiques hyperfréquences) .

De plus, les très faibles capacités parasites de ces transistors HEMT à déplétion associées à des tensions de claquage élevées rendent ce type de composants particulièrement adapté aux applications de commutation rapide de forte puissance (> 1W) .

Les transistors HEMT à déplétion présentent en outre l'avantage d'être utilisables en conduction directe et inverse. Ils ne nécessitent donc pas nécessairement de diodes Schottky placées en parallèle pour la gestion des courants inverses, ce qui permet de rendre minimales les capacités parasites et donc d'atteindre des fréquences de commutation plus importantes.

Le circuit de pilotage de grille est intégré au bloc convertisseur continu-continu dans la même technologie, c'est-à-dire comprenant des transistors HEMT à déplétion, ce qui permet d'obtenir un circuit de pilotage de grille ultra rapide et à faible consommation.

Le bloc convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation permet en outre, par l'intermédiaire du circuit de pilotage piloté par des signaux numériques, la sélection d'une tension d'alimentation unique parmi les N tensions d'alimentation.

Les tensions intermédiaires peuvent être réparties uniformément ou non entre les tensions supérieure et inférieure.

Selon une caractéristique particulière de l'invention, le circuit de puissance comprend un transistor de puissance inférieur HEMT à déplétion et (N-l) transistors de puissance supérieurs HEMT à déplétion, la borne de sortie de conduction du transistor de puissance inférieur étant connectée à la tension d'alimentation inférieure, la borne d'entrée de conduction de l'un des transistors de puissance supérieurs étant connectée à la tension d'alimentation supérieure, les bornes d'entrée de conduction des (N-2) autres transistors de puissance supérieurs étant respectivement connectées aux (N-2) tensions d'alimentation intermédiaires, la sortie du circuit de puissance étant connectée à la borne d'entrée de conduction du transistor de puissance inférieur et aux bornes de sortie de conduction des (N-l) transistors de puissance supérieurs, et les grilles des transistors de puissance inférieur et supérieurs étant connectées au circuit de pilotage du bloc convertisseur continu-continu, de telle sorte que la tension de sortie du circuit de puissance du bloc convertisseur continu-continu est bornée par les tensions d'alimentation inférieure et supérieure.

Les transistors de puissance HEMT peuvent fonctionner en conduction directe (quadrant (V _ds , I _ds ) > 0) ou inverse (quadrant (V _ds , I _ds ) < 0) . En conduction directe, la borne d'entrée de conduction est le drain et la borne de sortie de conduction est la source. En conduction inverse, la borne d'entrée de conduction est la source et la borne de sortie de conduction est le drain. Le transistor de puissance inférieur HEMT associé à la tension d'alimentation inférieure fonctionne de préférence en conduction inverse, la source dudit transistor de puissance inférieur étant préférablement reliée à la tension d'alimentation inférieure. Il est à noter que les transistors de puissance supérieurs et inférieur peuvent fonctionner soit en conduction directe soit en conduction inverse.

Le dimensionnement des transistors de puissance HEMT peut être différent pour chaque transistor de puissance HEMT en fonction des tensions d'alimentation présentées à ceux-ci.

Le bloc convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation permet, par l'intermédiaire du circuit de pilotage, la sélection en tant que tension de sortie d'une tension d'alimentation parmi les N tensions d'alimentation, ladite tension de sortie étant ainsi bornée par les tensions d'alimentation inférieure et supérieure.

Ainsi, lorsque le circuit de pilotage pilote la grille du transistor de puissance inférieur afin de fermer ce dernier et les grilles des transistors de puissance supérieurs afin d'ouvrir ces derniers, la tension de sortie du circuit de puissance est égale à la tension d'alimentation inférieure, et lorsque le circuit de pilotage pilote la grille du transistor de puissance inférieur afin d'ouvrir ce dernier et les grilles des transistors de puissance supérieurs afin de fermer l'un des transistors de puissance supérieurs et d'ouvrir les autres transistors de puissance supérieurs, la tension de sortie du circuit de puissance est égale à la tension d'alimentation supérieure ou intermédiaire associée au transistor de puissance supérieur à l'état fermé. Selon une caractéristique particulière de l'invention, le bloc convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation comprend en outre des condensateurs de découplage d'alimentation respectivement disposés en parallèle des N tensions d'alimentation.

Ainsi, les condensateurs de découplage d'alimentation permettent d'assurer la stabilité des transistors HEMT hautes fréquences et de filtrer des parasites présents dans les tensions d'alimentation.

Selon une caractéristique particulière de l'invention, le circuit de pilotage comprend, pour chaque grille de transistor HEMT à déplétion du circuit de puissance à piloter, un premier transistor de pilotage HEMT à déplétion, un second transistor de pilotage HEMT à déplétion, des première, seconde et troisième résistances, une diode Schottky et une tension d'alimentation auxiliaire, la source du premier transistor de pilotage étant connectée à la masse, le drain du premier transistor de pilotage étant connecté à l'une des bornes de la première résistance et à l'une des bornes de la seconde résistance, la grille du premier transistor de pilotage étant connectée à une entrée correspondante du circuit de pilotage, la grille du second transistor de pilotage étant connectée à l'autre des bornes de la première résistance, la source du second transistor de pilotage étant connectée à l'autre des bornes de la seconde résistance, à la cathode de la diode Schottky et à l'une des bornes de la troisième résistance, l'anode de la diode Schottky étant connectée à la tension d'alimentation auxiliaire, l'autre des bornes de la troisième résistance étant connectée à la grille du transistor HEMT à déplétion correspondant du circuit de puissance à piloter, le drain du second transistor de pilotage étant connecté à la tension d'alimentation inférieure si celle-ci est connectée à la borne de sortie de conduction du transistor HEMT à déplétion correspondant du circuit de puissance à piloter ou étant connecté à la tension d'alimentation intermédiaire ou supérieure correspondante si celle-ci est connectée à la borne d'entrée de conduction du transistor HEMT à déplétion correspondant du circuit de puissance à piloter, la tension d'alimentation auxiliaire étant supérieure à la tension de pincement du second transistor de pilotage, et la tension d'alimentation inférieure étant supérieure à la tension d'alimentation auxiliaire plus la tension de pincement du transistor HEMT à déplétion correspondant du circuit de puissance à piloter.

Chaque diode Schottky du circuit de pilotage peut être en technologie Si, Sic, GaAs ou GaN mais peut être également basée sur des matériaux semi -conducteurs à base de matériaux du groupe III -V tels que AlGaN, AIN, InAIN, InAlGaN, etc.

L'architecture du circuit de pilotage de grille des transistors de puissance rend le bloc convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation extrêmement flexible en fréquence. En effet, le circuit de pilotage de grille des transistors de puissance étant couplé en courant continu, il n'existe aucune limitation en termes de fréquences minimale et maximale de commutation, la fréquence maximale de commutation étant en réalité limitée par la seconde résistance du circuit de pilotage, par la capacité grille-source (C _G s) du second transistor de pilotage du circuit de pilotage et par les performances des transistors HEMT à déplétion eux-mêmes.

L'architecture spécifique du circuit de pilotage de grille, permet ainsi d'atteindre des vitesses de commutation très importantes. De plus, pour chaque transistor HEMT à déplétion du circuit de puissance à piloter, la partie du circuit de pilotage associée au transistor de puissance à piloter correspondant présente une consommation nulle lorsqu'elle rend le transistor de puissance correspondant passant et consomme très peu de puissance lorsque le transistor de puissance correspondant est bloqué, grâce à l'utilisation d'une alimentation auxiliaire et de la diode disposée en sortie de cette alimentation auxiliaire.

La tension d'alimentation auxiliaire doit être supérieure à la tension de pincement du second transistor de pilotage afin que celui-ci puisse se bloquer, et la tension d'alimentation inférieure doit être supérieure à la tension d'alimentation auxiliaire plus la tension de pincement du transistor HEMT à déplétion du circuit de puissance à piloter correspondant afin que le transistor HEMT à déplétion correspondant du circuit de puissance puisse se bloquer.

Les première et troisième résistances sont des résistances de stabilisation permettant de contrôler le risque d'oscillation des transistors HEMT à déplétion présentant des gains très importants.

La seconde résistance influe directement sur la vitesse de commutation du circuit de pilotage de grille, une valeur de seconde résistance plus faible conduisant, pour un développement de grille de second transistor de pilotage donné, à une vitesse de commutation accrue mais impliquant alors une consommation électrique plus importante lorsque le transistor de puissance à piloter est bloqué, un compromis entre vitesse et consommation du circuit de pilotage existant donc pour un développement de grille de second transistor de pilotage donné. Il est à noter que le circuit de pilotage comprend N parties de pilotage de grille de transistor de puissance pilotant respectivement les grilles des N transistors de puissance.

Selon une caractéristique particulière de l'invention, chaque tension d'entrée au niveau d'une entrée correspondante du circuit de pilotage est négative et comprise entre 0 V et -Vp, Vp étant la tension de pincement du transistor de pilotage dont la grille est connectée à ladite entrée correspondante du circuit de pilotage, ladite tension d'entrée étant délivrée par un circuit d'interface relié à un circuit numérique de commande.

Le circuit numérique de commande est l'un parmi un processeur de signal numérique (DSP) , une matrice prédiffusée programmable par l'utilisateur (FPGA) , un circuit intégré spécifique (ASIC) ou tout autre circuit numérique permettant de piloter le bloc convertisseur continu-continu .

Le circuit d'interface permet de fournir chaque tension d'entrée au circuit de pilotage à partir de la commande numérique fournie par le circuit numérique de commande .

Selon une caractéristique particulière de l'invention, une seule tension d'entrée à la fois parmi les tensions d'entrée du circuit de pilotage est à l'état activé .

Ainsi, à chaque instant, un unique transistor de puissance HEMT est commandé à l'état passant pour imposer sa tension d'alimentation en tant que tension de sortie du circuit de puissance, les autres transistors de puissance HEMT étant commandés à l'état bloqué.

Il est à noter que le circuit numérique de commande peut également être configuré pour compenser les différences de temps de montée et de descente entre les transistors de puissance à piloter.

Selon une caractéristique particulière de l'invention, les tailles de grille des transistors HEMT à déplétion du circuit de pilotage sont inférieures à celles des transistors HEMT à déplétion du circuit de puissance.

Ceci a pour avantage de rendre significativement minimale la capacité parasite (C _GS ) du second transistor de pilotage et donc de permettre d'utiliser des valeurs de seconde résistance suffisamment grandes pour que le circuit de pilotage consomme peu de puissance.

Selon une première variante de l'invention, tous les composants du bloc convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation sont des composants discrets montés sur une carte à circuits imprimés ou liés à celle-ci par des fils de liaison.

Ainsi, le bloc convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation peut être réalisé à partir de composants discrets tels que des transistors, des diodes, des résistances et des condensateurs en boîtier.

Il peut également être réalisé à partir de composants en puce dans un circuit hybride.

Selon une seconde variante de l'invention, tous les composants du bloc convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation sont intégrés de manière monolithique dans un circuit intégré.

Ainsi, ceci permet l'intégration du bloc convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation et d'un amplificateur RF de puissance alimenté par le bloc convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation dans une même technologie et donc intégrés sur une même puce, cette intégration pouvant directement être réalisée de manière monolithique dans un circuit de type MMIC afin d'augmenter l'intégration du bloc convertisseur continu-continu à multiples tensions d' alimentation .

Le circuit électronique peut également comprendre, si besoin, un amplificateur linéaire qui sera alors associé au bloc convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentations.

Dans le cas d'une réalisation de type MMIC, l'amplificateur linéaire peut être intégré sur le MMIC.

Selon une caractéristique particulière de l'invention, les transistors HEMT du circuit de puissance et les transistors HEMT du circuit de pilotage sont en l'un quelconque parmi le nitrure de gallium (GaN) , l'arséniure de gallium (GaAs) ou en tout autre matériau semi -conducteur à base de matériaux de type III -V.

Selon une caractéristique particulière de l'invention, les diodes sont de type Schottky en technologie Si, Sic, GaAs, GaN ou en tout autre matériau semi -conducteur à base de matériaux de type III -V.

De plus, dans le cas d'une intégration monolithique de l'amplificateur RF de puissance et du bloc convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation, la technologie des transistors étant identique, les contraintes de tenue en tension sont directement compatibles.

La présente invention a également pour objet un convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation forte puissance et hautes fréquences pour la technique de suivi d'enveloppe, caractérisé par le fait qu'il comprend un bloc convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation tel que défini ci-dessus et un filtre de sortie connecté à la sortie du circuit de puissance du bloc convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation, le filtre étant de préférence à base de condensateurs et d'inductances, la sortie du filtre de sortie constituant la sortie du convertisseur continu- continu à multiples tensions d'alimentation forte puissance et hautes fréquences.

Ainsi, dans le cas d'une application de suivi d'enveloppe à commande continue dans laquelle le convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation est utilisé en fonctionnement abaisseur de tension (de type « Buck ») , le filtre de sortie, constitué par exemple de condensateurs et d'inductances, permet de reconstruire le signal de polarisation à appliquer sur l'entrée de tension d'alimentation d'un amplificateur RF de puissance à partir d'un signal de commande numérique de type PWM (modulation d'impulsions en largeur) ou sigma- delta. Dans ce cas, l'architecture du bloc convertisseur continu-continu avec un circuit de puissance de type abaisseur de tension est particulièrement optimisée pour la technique de suivi d'enveloppe à travers l'utilisation de N tensions d'alimentation parmi lesquelles les tensions d'alimentation supérieure et inférieure bornent la tension générée par le bloc convertisseur continu-continu, ce qui permet de rendre significativement minimales les pertes lors des phases de commutation du bloc convertisseur continu-continu, les tensions d'alimentation supérieure et intermédiaires devant être supérieures à la tension d'alimentation inférieure afin de veiller au bon fonctionnement du bloc convertisseur continu-continu.

De plus, l'utilisation d'un circuit de puissance de type abaisseur de tension présente également l'avantage d'une simplicité de pilotage dans le cas d'une utilisation pour la technique de suivi d'enveloppe à commande continue. En effet, le circuit de puissance de type abaisseur de tension est plus simple à commander qu'un circuit de puissance de type amplificateur de tension car aisément utilisable sans chaîne de contre-réaction même dans le cas où il est confronté à des variations d'impédance de charge ou pire à l'absence de charge.

Dans le cas d'une application de suivi d'enveloppe à commande discrète dans laquelle le convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation est utilisé en fonctionnement sélecteur de tension, le filtre de sortie, constitué par exemple de condensateurs et d'inductances, est un filtre passe-bas ayant simplement pour fonction de maîtriser les temps de commutation entre chaque niveau de tension à appliquer à l'amplificateur RF .

La présente invention a également pour objet un convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation forte puissance et hautes fréquences pour la technique de suivi d'enveloppe, caractérisé par le fait qu'il comprend un bloc convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation tel que défini ci-dessus, la sortie du circuit de puissance du bloc convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation constituant la sortie du convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation forte puissance et hautes fréquences .

Ainsi, dans le cas d'une application de suivi d'enveloppe à commande discrète dans laquelle le convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation est utilisé en fonctionnement sélecteur de tension, la sortie du circuit de puissance du bloc convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation est directement appliquée à l'amplificateur RF, la tension appliquée à l'amplificateur RF étant l'une parmi les N tensions d'alimentation.

La présente invention a également pour objet un système pour la technique de suivi d'enveloppe comprenant un convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation pour la technique de suivi d'enveloppe tel que défini ci-dessus, un amplificateur radiofréquence (RF) de puissance et un circuit numérique de traitement de suivi d'enveloppe, le circuit numérique de traitement de suivi d'enveloppe commandant le convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation et l'amplificateur RF de puissance, et la sortie du convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation étant reliée à l'entrée de tension d'alimentation de l'amplificateur RF de puissance.

La tension d'alimentation supérieure du convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation correspond à la tension d'alimentation maximale de l'amplificateur RF de puissance lorsque celui - ci fournit une puissance de sortie maximale, et la tension d'alimentation inférieure du convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation correspond à la tension d'alimentation minimale de l'amplificateur RF de puissance lorsque sa puissance de sortie est faible. Les deux tensions d'alimentation supérieure et inférieure sont donc choisies en fonction des caractéristiques électriques hyperfréquences de l'amplificateur RF de puissance à commander suivant la technique de suivi d'enveloppe, les tensions d'alimentation intermédiaires étant choisies selon la statistique des signaux à émettre, cette statistique dépendant elle-même du format de modulation et des caractéristiques électriques hyperfréquences de l'amplificateur RF de puissance à alimenter. Pour mieux illustrer l'objet de la présente invention, on va en décrire ci-après, à titre illustratif et non limitatif, un mode de réalisation préféré, avec référence au dessin annexé.

Sur ce dessin :

- la Figure 1 est un schéma de principe d'un bloc convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation selon la présente invention .

Si l'on se réfère à la Figure 1, on peut voir qu'il y est représenté un bloc convertisseur continu- continu à multiples tensions d'alimentation selon la présente invention.

Le bloc convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation comprend un circuit de puissance alimenté par N tensions d'alimentation positives et non nulles, à savoir une tension d'alimentation inférieure VDD_1 , une tension d'alimentation supérieure VDD_N et (N-2) tensions d'alimentation intermédiaires VDD_2 à VDD_N-1, N étant un nombre entier naturel supérieur ou égal à 3, la tension d'alimentation supérieure VDD_N étant supérieure à la tension d'alimentation inférieure VDD_1 , les (N-2) tensions d'alimentation intermédiaires VDD_2 à VDD_N-1 étant réparties, de manière uniforme ou non uniforme, entre les tensions d'alimentation inférieure VDD_1 et supérieure VDD_N.

Il est à noter que seuls les composants associés aux tensions d'alimentation VDD_1 , VDD_2 et VDD_N ont été représentés à la Figure 1 afin de faciliter la compréhension du lecteur. Le bloc convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation comprend en outre un circuit de pilotage du circuit de puissance.

Les tensions d'alimentation inférieure VDD_1 et supérieure VDD_N sont choisies en fonction des caractéristiques électriques hyperfréquences d'un amplificateur RF de puissance alimenté par un convertisseur continu-continu comprenant le bloc convertisseur continu- continu à multiples tensions d'alimentation, et peuvent avoir, par exemple, respectivement des valeurs de 20 V et 50 V.

Le circuit de puissance comprend un transistor de puissance inférieur HEMT à déplétion T3_l et (N-l) transistors de puissance supérieurs HEMT à déplétion T3_2 à T3_N, la source du transistor de puissance inférieur T3_l étant connectée à la tension d'alimentation inférieure VDD_1, le drain de l'un T3_N des transistors de puissance supérieurs T3_2 à T3_N étant connecté à la tension d'alimentation supérieure VDD_N, les drains des (N-2) autres transistors de puissance supérieurs T3_2 à T3_N-1 étant respectivement connectés aux (N-2) tensions d'alimentation intermédiaires VDD_2 à VDD_N-1, la sortie VOUT du circuit de puissance étant connectée au drain du transistor de puissance inférieur T3_l et aux sources des (N-l) transistors de puissance supérieurs T3_2 à T3_N, et les grilles des transistors de puissance inférieur T3_l et supérieurs T3_2 à T3_N étant connectées au circuit de pilotage du bloc convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation, de telle sorte que la tension de sortie V _0U T du circuit de puissance du bloc convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation est bornée par les tensions d'alimentation inférieure VDD_1 et supérieure VDD_N. Le bloc convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation comprend en outre des condensateurs de découplage d'alimentation Cl_l à C1_N respectivement disposés en parallèle des N tensions d'alimentation VDD_1 à VDD_N.

Les condensateurs Cl_l à C1_N ont, par exemple, des valeurs comprises entre lOpF et InF, l'homme du métier sachant ajuster les valeurs en fonction des autres composants et des caractéristiques requises.

II est à noter que le bloc convertisseur continu- continu à multiples tensions d'alimentation pourrait ne pas comprendre de condensateurs de découplage d'alimentation, sans s'écarter du cadre de la présente invention.

Le circuit de pilotage est configuré pour piloter les grilles des transistors de puissance T3_l à T3_N, et comprend, pour chaque grille de transistor HEMT à déplétion T3_l à T3_N du circuit de puissance à piloter, un premier transistor de pilotage HEMT à déplétion Tl_l à T1_N, un second transistor de pilotage HEMT à déplétion T2_l à T2_N, des première, seconde et troisième résistances Rl_l à R1_N, R2_l à R2_N et R3_l à R3_N, une diode Schottky Dl_l à D1_N et une tension d'alimentation auxiliaire V _AUX , la source du premier transistor de pilotage Tl_l à T1_N étant connectée à la masse, le drain du premier transistor de pilotage Tl_l à T1_N étant connecté à l'une des bornes de la première résistance Rl_l à R1_N et à l'une des bornes de la seconde résistance R2_l à R2_N, la grille du premier transistor de pilotage Tl_l à T1_N étant connectée à une entrée Vi _N _i à Vi _N _ _N correspondante du circuit de pilotage, la grille du second transistor de pilotage T2_l à T2_N étant connectée à l'autre des bornes de la première résistance Rl_l à R1_N, la source du second transistor de pilotage T2_l à T2_N étant connectée à l'autre des bornes de la seconde résistance R2_l à R2_N, à la cathode de la diode Schottky Dl_l à D1_N et à l'une des bornes de la troisième résistance R3_l à R3_N, l'anode de la diode Schottky Dl_l à D1_N étant connectée à la tension d'alimentation auxiliaire V _AUX , l'autre des bornes de la troisième résistance R3_l à R3_N étant connectée à la grille du transistor HEMT à déplétion T3_l à T3_N correspondant du circuit de puissance à piloter.

Le drain du second transistor de pilotage T2_l associé au transistor de puissance inférieur T3_l est connecté à la tension d'alimentation inférieure VDD_1.

Le drain du second transistor de pilotage T2_N associé au transistor de puissance supérieur T3_N est connecté à la tension d'alimentation supérieure VDD_N.

Chaque drain des seconds transistors de pilotage

T2_2 à T2_N-1 associés aux transistors de puissance supérieurs T3_2 à T3_N-1 est connecté à la tension d'alimentation intermédiaire VDD_2 à VDD_N-1 correspondante .

La tension d'alimentation auxiliaire V _AUX est supérieure à la tension de pincement du second transistor de pilotage T2_l à T2_N afin que ce dernier puisse s'ouvrir, et la tension d'alimentation inférieure VDD_1 est supérieure à la tension d'alimentation auxiliaire V _AUX plus la tension de pincement du transistor de puissance HEMT à déplétion T3_l à T3_N correspondant afin que ce dernier puisse s'ouvrir.

La tension auxiliaire V _AUX est, par exemple, de 3

V.

II est à noter que la tension auxiliaire V _aux pourrait également être différente pour chaque partie de circuit de pilotage associée à un transistor de puissance T3_l à T3_N, sans s'écarter du cadre de la présente invention .

Les développements de grille des transistors de pilotage HEMT à déplétion Tl_l à T1_N et T2_l à T2_N du circuit de pilotage sont beaucoup plus faibles que ceux des transistors de puissance HEMT à déplétion T3_l à T3_N du circuit de puissance. Les transistors de pilotage Tl_l à T1_N et T2_l à T2_N ont, par exemple, des développements de grille 10 à 30 fois plus faibles que ceux des transistors de puissance T3_l à T3_N.

Il est à noter que le dimensionnement des transistors de puissance HEMT T3_l à T3_N peut être différent pour chaque transistor de puissance HEMT T3_l à T3_N en fonction des tensions d'alimentation VDD_1 à VDD_N présentées à ceux-ci.

Les première, seconde et troisième résistances Rl_l à R1_N, R2_l à R2_N et R3_l à R3_N ont, par exemple, respectivement des valeurs de 10 Ohms, 50 Ohms et 10 Ohms.

Ces valeurs dépendent bien entendu de nombreux facteurs tels que les transistors ou la technologie utilisée. Elles sont donc indiquées ici de manière illustrative et non limitative et l'homme du métier saura les adapter en fonction des caractéristiques du convertisseur .

II est à noter que les transistors HEMT à déplétion Tl_l à T1_N, T2_l à T2_N et T3_l à T3_N présentent l'avantage de pouvoir être utilisés en conduction directe et inverse, et ne nécessitent donc pas obligatoirement l'usage de diodes Schottky antiparallèles pour la gestion des courants inverses, ce qui permet de rendre minimales les capacités parasites dans le montage.

Différentes technologies de semi -conducteurs peuvent être utilisées pour la réalisation des transistors HEMT à déplétion Tl_l à Τ1_Ν, T2_l à Τ2_Ν et T3_l à Τ3_Ν, ces matériaux étant principalement le nitrure de gallium (GaN) et l'arséniure de gallium (GaAs) mais aussi tout autre matériau semi -conducteur à base de matériaux du groupe III-V tels que AlGaN, AIN, InAIN, InAlGaN, etc.

Les diodes Schottky Dl_l à D1_N peuvent être en technologie Si, Sic, GaAs ou GaN mais peuvent être également basées sur des matériaux semi -conducteurs à base de matériaux du groupe III -V tels que AlGaN, AIN, InAIN, InAlGaN, etc.

Chaque tension d'entrée V _IN _i à V _IN _ _N au niveau d'une entrée correspondante du circuit de pilotage est négative et comprise entre 0 V et -Vp, Vp étant la tension de pincement du transistor de pilotage Tl_l à T1_N dont la grille est connectée à ladite entrée correspondante du circuit de pilotage, lesdites tensions d'entrée V _IN _i à V _IN _ _N étant délivrées par un circuit d'interface (non représenté à la Figure 1) relié à un circuit numérique de commande.

Le circuit numérique de commande est l'un parmi un processeur de signal numérique (DSP) , une matrice prédiffusée programmable par l'utilisateur (FPGA) , un circuit intégré spécifique (ASIC) ou tout autre circuit numérique permettant de piloter le bloc convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation.

Le circuit d'interface permet de fournir chaque tension d'entrée au circuit de pilotage à partir des commandes numériques fournies par le circuit numérique de commande .

Chaque partie de circuit de pilotage est associée à un transistor de puissance T3_l à T3_N de telle sorte qu'un seul transistor de puissance T3_l à T3_N à la fois est à l'état passant. Deux états sont ainsi possibles pour caractériser une partie de circuit de pilotage associée à un transistor de puissance T3_l à T3_N.

Dans le cas à titre d'exemple du transistor de puissance T3_l, dans un premier état, désigné par « état d'extinction » dans lequel le signal numérique de commande impose une tension d'entrée V _IN1 _ _! 0 V, le premier transistor de pilotage Tl_l est fermé, la grille du second transistor de pilotage T2_l est mise à la masse ainsi que la borne de la seconde résistance R2_l connectée au drain du premier transistor de pilotage Tl_l, imposant ainsi un courant dans la seconde résistance R2_l en provenance de l'alimentation auxiliaire V _AUX à travers la diode Dl_l . La tension résultante aux bornes de la seconde résistance R2_l ouvre le second transistor de pilotage T2_l et la tension auxiliaire V _AUX est appliquée à la grille du transistor de puissance à piloter T3_l, bloquant ainsi celui-ci quel que soit lequel des autres transistors de puissance T3_2 à T3_N est à l'état passant. Ainsi, dans cet état, la consommation du circuit de pilotage est réduite au courant traversant la seconde résistance R2_l et la diode Dl_2 en provenance de la tension auxiliaire V _AUX .

En raison du fait que les transistors utilisés sont des transistors HEMT hyperfréquences présentant des gains très importants, il existe un risque d'oscillation (d'instabilité) desdits transistors. Afin de contrôler ce risque, les première et troisième résistances Rl_l à R1_N et R3_l à R3_N qui sont des résistances de stabilisation ont été positionnées sur les grilles du premier transistor de pilotage Tl_l à T1_N et du transistor de puissance à piloter T3_l à T3_N.

Il est à noter que le bloc convertisseur continu- continu à multiples tensions d'alimentation pourrait ne pas comprendre de résistances de stabilisation Rl_l à R1_N et R3_l à R3_N, sans s'écarter du cadre de la présente invention .

Toujours dans le cas à titre d'exemple du transistor de puissance T3_l, dans un second état, désigné « état d'activation » dans lequel le signal numérique de commande impose une tension d'entrée V _IN1 = - Vp, le premier transistor de pilotage Tl_l est ouvert. Le courant dans la seconde résistance R2_l étant nul, la tension grille- source du seconde transistor de pilotage T2_l est égale à 0 V et le second transistor de pilotage T2_l est donc fermé, imposant ainsi la tension d'alimentation inférieure VDD_1 sur la grille du transistor de puissance T3_l et bloquant la diode Dl_l . Le transistor de puissance T3_l est ainsi fermé, imposant la tension d'alimentation inférieure VDD_1 sur la tension de sortie V _0U T d circuit de puissance, les autres transistors de puissance T3_2 à T3_N étant à l'état bloqué. Dans cet état, la diode Dl_l et le premier transistor de pilotage Tl_l étant bloqués, la consommation du circuit de pilotage de grille est nulle.

Le bloc convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation permet ainsi, par l'intermédiaire du circuit de pilotage piloté par des signaux numériques, la sélection en tant que tension de sortie V _0U T d'une tension d'alimentation unique parmi les N tensions d'alimentation VDD_1 à VDD_N.

Il est à noter que le circuit numérique de commande peut être configuré pour compenser les différences de temps de montée et de descente entre les transistors de puissance T3_l à T3_N.

La seconde résistance R2_l à R2_N influe directement sur la vitesse de commutation du circuit de pilotage de grille. Pour un développement de grille de second transistor de pilotage T2_l à T2_N donné, une valeur de seconde résistance R2_l à R2_N plus faible conduira à une vitesse de commutation accrue mais impliquera alors une consommation plus importante lorsque le transistor de puissance à piloter T3_l à T3_N sera ouvert. Il existe donc, pour un développement de grille de second transistor de pilotage T2_l à T2_N donné, un compromis entre vitesse et consommation du circuit de pilotage.

Cependant, l'architecture du bloc convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation présente l'avantage que les premier et second transistors de pilotage Tl_l à T1_N et T2_l à T2_N de développements de grille très faibles vis-à-vis du développement de grille du transistor de puissance T3_l à T3_N suffisent à piloter le transistor de puissance T3_l à T3_N car il n'est pas nécessaire de fournir un fort courant pour piloter la grille du transistor de puissance T3_l à T3_N. Ceci a pour avantage de minimiser significativement la capacité parasite grille-source du second transistor de pilotage T2_l à T2_N qui sera ainsi très faible et donc permettra d'utiliser des valeurs de seconde résistance R2_l à R2_N suffisamment grandes pour que le circuit de pilotage consomme peu .

Tous les composants du bloc convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation sont soit des composants discrets montés sur une carte à circuits imprimés, soit intégrés de manière monolithique dans un circuit intégré.

Dans le cas d'une intégration de manière monolithique, cela peut permettre l'intégration d'un convertisseur continu-continu comprenant le bloc convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation et d'un amplificateur RF de puissance alimenté par le convertisseur continu-continu dans une même technologie et donc intégrés sur une même puce, cette intégration pouvant directement être réalisée de manière monolithique dans un circuit de type MMIC afin d'augmenter l'intégration du convertisseur continu-continu.

Les transistors de puissance HEMT T3_l à T3_N pouvant fonctionner en conduction directe ou inverse, c'est-à-dire suivant deux quadrants (V _DS , I _DS ) > 0 ou (V _DS , I _DS ) < 0, il en résulte que chaque transistor de puissance T3_l à T3_N peut être monté en inversant le drain et la source, le câblage du circuit de pilotage restant dans ces conditions inchangé, chacun des transistors de puissance T3_l à T3_N pouvant être inversé de manière indépendante les uns des autres.

Il est à noter que les diodes de pilotage Dl_l à D1_N pourraient être remplacées par des transistors de type HEMT de même technologie que les autres transistors du circuit, sans s'écarter du cadre de la présente invention.

L'invention a également pour objet un convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation forte puissance et hautes fréquences pour la technique de suivi d'enveloppe, caractérisé par le fait qu'il comprend un bloc convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation tel que défini ci-dessus et facultativement un filtre de sortie connecté à la sortie du circuit de puissance du bloc convertisseur continu- continu à multiples tensions d'alimentation, le filtre étant de préférence à base de condensateurs et d'inductances, la sortie du filtre de sortie constituant la sortie du convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation forte puissance et hautes fréquences .

Dans le cas d'une application de suivi d'enveloppe à commande continue dans laquelle le convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation est utilisé en fonctionnement abaisseur de tension (de type « Buck ») , le filtre de sortie, constitué par exemple de condensateurs et d'inductances, permet de reconstruire le signal de polarisation à appliquer sur l'entrée de tension d'alimentation d'un amplificateur RF de puissance à partir d'un signal de commande numérique de type PWM (modulation d'impulsions en largeur) ou sigma- delta. Ainsi, le bloc convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation associé au filtre de reconstruction en sortie présente l'avantage de diminuer l'ondulation résiduelle en sortie vis-à-vis d'un convertisseur abaisseur de tension classique, d'augmenter la bande passante du convertisseur et également de diminuer les pertes par commutation.

Dans le cas d'une application de suivi d'enveloppe à commande discrète dans laquelle le convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation est utilisé en fonctionnement sélecteur de tension, le filtre de sortie, constitué par exemple de condensateurs et d'inductances, est un filtre passe-bas ayant simplement pour fonction de maîtriser les temps de commutation entre chaque niveau de tension à appliquer à l'amplificateur RF . Ainsi, ce convertisseur continu-continu permet d'atteindre des fréquences de commutation élevées et donc de large bande passante avec un bon rendement.

Il est à noter que dans le cas d'une application de suivi d'enveloppe à commande discrète, la sortie du circuit de puissance du bloc convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation peut également être directement appliquée à l'amplificateur RF, la tension appliquée à l'amplificateur RF étant l'une parmi les N tensions d'alimentation. L'invention a également pour objet un système pour la technique de suivi d'enveloppe comprenant un convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation pour la technique de suivi d'enveloppe selon la présente invention, un amplificateur radiofréquence (RF) de puissance et un circuit numérique de traitement de suivi d'enveloppe, le circuit numérique de traitement de suivi d'enveloppe commandant le convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation et l'amplificateur RF de puissance, et la sortie du convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation étant reliée à l'entrée de tension d'alimentation de l'amplificateur RF de puissance .

Ainsi, la tension d'alimentation supérieure VDD_N du convertisseur continu-continu à multiples tensions d'alimentation correspond à la tension d'alimentation maximale de l'amplificateur RF de puissance lorsque celui- ci fournit une puissance de sortie maximale, et la tension d'alimentation inférieure VDD_1 du convertisseur continu- continu à multiples tensions d'alimentation correspond à la tension d'alimentation minimale de l'amplificateur RF de puissance lorsque sa puissance de sortie est faible.