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Patent Searching and Data


Title:
DECORATIVE STONE
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/1999/016328
Kind Code:
A1
Abstract:
The invention relates to an artificial decorative stone consisting of a preferably tabular support or substrate with one surface which has at least one pyramid-shaped recess and which supports a precious stone layer (1) obtained by means of gas phase deposition.

Inventors:
WINTER ERNST MICHAEL (DE)
SCHAEFER LOTHAR (DE)
MATTHEE THORSTEN (DE)
Application Number:
PCT/EP1998/006074
Publication Date:
April 08, 1999
Filing Date:
September 23, 1998
Export Citation:
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Assignee:
WINTER CVD TECHNIK GMBH (DE)
WINTER ERNST MICHAEL (DE)
SCHAEFER LOTHAR (DE)
MATTHEE THORSTEN (DE)
International Classes:
A44C17/00; A44C27/00; C23C16/27; (IPC1-7): A44C17/00; A44C27/00
Domestic Patent References:
WO1996006961A11996-03-07
WO1993017593A11993-09-16
Foreign References:
US5087528A1992-02-11
DE2444705A11976-04-01
US4599251A1986-07-08
Other References:
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 013, no. 585 (C - 669) 22 December 1989 (1989-12-22)
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 015, no. 211 (C - 0836) 29 May 1991 (1991-05-29)
Attorney, Agent or Firm:
Liebelt, Rolf (Ballindamm 15 Hamburg, DE)
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Claims:
Patentansprüche
1. Schmuckstein, gekennzeichnet durch einen vorzugswei se tafelförmigen Träger, dessen eine Oberfläche mindestens eine pyramidenförmige Vertiefung aufweist und eine durch Gasphasenabscheidung erhaltene Edel steinschicht (1) trägt.
2. Schmuckstein nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich net, daß der Träger ein Siliziumwafer ist.
3. Schmuckstein nach Anspruch 2, dadurch gekennzeich net, daß der Träger ein (100) oder (111) Wafer ist.
4. Schmuckstein nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich net, daß der Träger aus Edelmetall besteht.
5. Schmuckstein nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich net, daß der Träger aus Hartmetall besteht.
6. Schmuckstein nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich net, daß der Träger aus einem Refraktärmetall wie Wolfram oder Molybdän besteht.
7. Schmuckstein nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die pyramidenförmigen Vertiefungen mechanisch, z. B. durch Schleifen oder Prägen, erhalten wurden.
8. Schmuckstein nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die pyramidenförmigen Vertiefungen durch Ätzen erhalten wurden.
9. Schmuckstein nach einem der vorhergehenden An pruche, dadurch gekennzeichnet, daß die Pyramiden winkel der Vertiefungen eines Trägers verschieden sind.
10. Schmuckstein nach einem der vorhergehenden An pruche, dadurch gekennzeichnet, daß der Pyramiden winkel der Vertiefungen etwa 109° beträgt.
11. Schmuckstein, nach einem der vorhergehenden An pruche, dadurch gekennzeichnet, daß die Korngrenzen der Edelsteinschicht (1) säulenartig ausgerichtet sind.
12. Schmuckstein nach einem der vorhergehenden An pruche, dadurch gekennzeichnet, daß die pyramiden förmigen Vertiefungen verspiegelt sind.
13. Schmuckstein nach einem der vorhergehenden An pruche, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche der Edelsteinschicht (1) geschliffen ist.
14. Schmuckstein nach einem der vorhergehenden An pruche, dadurch gekennzeichnet, dab die Edelstein schicht (1) durch Dotierung eine Körperfarbe auf weist.
15. Schmuckstein nach einem der vorhergehenden An sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die die Edel steinschicht (1) tragende Fläche des Trägers ge krümmt ist.
Description:
Schmuckstein Die Erfindung betrifft künstliche Schmucksteine.

Schmucksteine, insbesondere Edelsteine, werden, bevor sie im Metallkörper eines Schmuckstückes gefaßt werden, geschliffen oder angeschliffen, um das einfallende Licht spektral zu zerlegen und zu reflektieren, wodurch die Brillanz und das Feuer eines Schmucksteines bewirkt wird. Dies setzt jedoch eine MindestgröBe und Reinheit des Schmucksteines voraus. So eignen sich etwa zwei Drittel der geschürften Diamanten nicht zur Herstellung von Schmucksteinen durch Schleifen, weil sie entweder zu geringe Körperlichkeit bzw. Tiefe haben oder sich wegen ihrer Farbe oder ihrer Einschlüsse nur indu- striell (für technische Zwecke) verwerten lassen.

Die Brillanz bzw. den Glanz erhält der Diamant vor allem dadurch, daß ein großer Teil des in den Schmuck- stein einfallenden Lichtes nahezu in die Richtung zurückgestreut wird, aus der es gekommen ist. Dies wird dadurch erreicht, daß das Licht, welches durch die oberen Facetten in den Diamantkristall eingefallen ist, im unteren Brillantbereich reflektiert wird und durch die oberen Facetten wieder austreten kann. Das Licht wird dabei in mindestens zwei Reflexionsschritten um insgesamt etwa (180° + x°) gespiegelt. Die Anordnung der Facettenwinkel zueinander muß dabei den optischen Eigenschaften der Grenzfläche Diamant/Luft Rechnung tragen, so daß der Winkel der Totalreflexion nie über- schritten wird.

Es ist beim Strahlengang im Diamanten wichtig, daß in den Rückfacetten, also im unteren Teil des Diaman- ten, die Winkel des Lichtstrahlengangs immer größer als die des Totalreflexionswinkels sind. D. h. das Licht wird nach oben zurückreflektiert, andererseits muß das Licht auf die oberen Facetten und die Tafel in einem solchen Winkel auftreffen, daß das Licht austreten kann. Die Diamantbrillanten sind nicht derart geschliffen, daB das Licht exakt in die Richtung zu- rückgeworfen wird, aus der es gekommen ist (wie es beim Katzenauge der Fall wäre). Vielmehr liegt zwischen einfallendem und austretendem Strahl ein Öffnungswin- kel, der zu den ins Auge fallenden Reflexen führt.

Der Austrittswinkel ist aufgrund der Dispersion für verschiedene Wellenlängen unterschiedlich.

Wesentlich für das Feuer des Brillanten ist die Disper- sion des Lichtes im Diamanten, die dazu führt, daß das Licht wie in einem Prisma zerlegt und dann als Spektralfarben vom Auge wahrgenommen wird.

Ein weiterer Effekt, der beim Betrachten eines Brillan- ten auftritt, sind die vielen Reflexe, die aus den Facetten ins Auge fallen, wenn der Brillant gedreht wird. Dies sind die wesentlichen Aufgaben, die die Facetten zu erfüllen haben.

Künstliche nach dem CVD-Verfahren hergestellte Diamant- schichten sind entweder zu teuer oder zu dünn, um daraus geschliffene Schmucksteine, z. B. Brillanten, herzustellen, die den beeindruckenden Glanz aufweisen, der ihren Wert begründet. Wichtig für den Glanz ist die Einhaltung einer genauen geometrischen Form, um einen möglichst großen Anteil des einfallenden Lichtes in die Einfallsrichtung zu reflektieren.

Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung von künstlichen Schmucksteinen aus durch Gasphasenabscheidung erhalte- nen großflächigen Edelsteinschichten, die trotz der ungünstigen Abmessungen, d. h. der begrenzten Stärke dieser Schichten ein attraktives Aussehen erhalten.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäB mit einem Schmuck- stein gelöst, der aus einem vorzugsweise tafelförmigen Träger oder Substrat besteht, dessen eine Oberfläche mindestens eine pyramidenförmige Vertiefung aufweist und eine durch Gasphasenabscheidung vorzugsweise nach dem CVD-oder PVD-Verfahren erhaltene Edelsteinschicht trägt.

Damit die Edelstein-insbesondere Diamantschicht eines erfindungsgemäßen Schmucksteines Brillanz hat, muß deren auf dem Träger, z. B. einem Siliziumwafer, auf- liegende Unterseite entsprechend ausgebildet sein, so daß es wie beim einkristallinen natürlichen Brillan- ten zu einer Reflexion eines Großteils des einfallenden Lichtes kommt. Dies kann durch eine entsprechende Vorbehandlung der Oberfläche des zu beschichtenden Siliziumwafers erreicht werden. Nach dieser Vorbehand- lung weist der Siliziumwafer die notwendige Form als Negativform auf, so daß die Rückseite oder Unterseite der sich bildenden Diamantschicht die entsprechend positive Form erhält. Als Träger oder Unterlage für derartige künstlich hergestellte Diamantschichten eignen sich neben Siliziumwafern auch solche Werkstof- fe, wie Edelmetalle, Wolfram, Molybdän oder Hartmetall, die sich gut mit Diamant beschichten lassen und in deren Oberfläche eine entsprechende Struktur eingear- beitet werden kann.

Die Einarbeitung der Struktur in den zu beschichtenden Träger kann in Abhängigkeit von dessen Werkstoff entwe- der mechanisch, z. B. durch Einschleifen eines bestimm- ten Profils, elektrolytisch oder aber, insbesondere bei einem Siliziumwafer, chemisch bzw. plasmatechnisch durch Ätzen erreicht werden. Hier können isotrope wie auch anisotrope Verfahren zum Einsatz kommen.

Als anisotropes Atzmittel bietet sich z. B. KOH an.

Diese Base führt zur Ausbildung von pyramidalen Ätzgru- ben im einkristallinen Wafer. Bei Verwendung einer Ätzmaske kann auch mittels eines isotropen Ätzmittels eine pyramidale Struktur in eine Unterlage geätzt werden. Eine geeignete Zusammensetzung der Ätzlösung kann die erforderlichen Winkel der Pyramide erzeugen.

Sollte, wie oben erwähnt, eine schrittweise Spiegelung um etwa 180° + x° erfolgen, müssen die Winkel der Pyramide entsprechend angepaßt werden.

In den Randbereichen des Trägers der Edelsteinschicht können andere Pyramidenwinkel als im mittleren Bereich eingestellt werden. Es ist aber auch möglich, die reflektierenden Flächen (Facetten) an der Unterseite der Schicht mit unterschiedlichen Winkeln auszurichten, um auf diesem Weg die Brillanz und das Feuer unabhängig voneinander einzustellen. Dabei können die Winkel der Facetten so gewählt werden, daß das Licht in der Edelsteinschicht mehrfach hin und her reflektiert wird, wodurch eine starke Aufspaltung der spektralen Farben erreicht wird.

Am einfachsten ist es, durch einen einzigen Ätzangriff auf der gesamten Oberfläche des Trägers gleiche Winkel einzubringen, die z. B. etwa einen Pyramidenöffnungs- winkel von 109° aufweisen. Dieser Winkel läßt sich durch Ätzprozeduren leicht erreichen. Vor der Ätzproze- dur kann die Oberfläche des Trägers einer Laserschädi- gung unterworfen werden, um die gewünschte Geometrie leicht zu erreichen.

Es können auch andere Orientierungen als (100) oder (111) Wafer zum Einsatz kommen. Maßgebend ist, das gezielt eingestellte Zusammenspiel von Kristallorien- tierung der Edelsteinschicht und Richtung des Ätzan- griffs, um einen optimalen optischen Effekt zu er- reichen. In einer polykristallinen, z. B. nach dem CVD-Verfahren hergestellten künstlichen Diamantschicht sind im Gegensatz zu einem Diamanteinkristall noch Korngrenzen vorhanden, die durch einen abweichenden Brechungsindex als zusätzlich brechende Bereiche zu berücksichtigen sind. Das hat zur Folge, daß die Korn- grenzen vorteilhafterweise in ihrer Struktur z. B. säulenartig ausgerichtet sein müssen, um einen positi- ven Effekt auf Brillanz und Feuer zu haben. In jedem Fall muß der Einfluß der Korngrenzen beim optischen Effekt berücksichtigt werden.

Bei einer einfachen Pyramidenform kann das Licht auch dadurch zurückgestreut werden, daß die Rückseite bzw.

Unterseite des Gasphasen-Edelsteines, insbesondere CVD-Diamanten zusätzlich z. B. durch Gold oder Titan verspiegelt wird. Dann erfolgt die Reflexion einfach durch Spiegelung an der Gold-oder Titanoberfläche.

Um der Brillanz und dem Feuer von Einkristallbrillanten möglichst nahe zu kommen, ist eine achteckige Form der Oberfläche der künstlichen Diamantschicht vorteil- haft, die nachträglich in diese eingeschliffen wird.

Dabei sind die Winkel in der Unterseite an die geänder- ten Austrittsverhältnisse anzupassen.

Diese mit einer durch Gasphasenabscheidung erhaltenen Edelsteinschicht versehenen Träger können als Schmuck- steine in herkömmlicher Weise, z. B. im Metallkörper eines Schmuckstückes gefaßt werden.

Die die niedergeschlagene Edelsteinschicht tragende Fläche des Trägers oder Substrates muß nicht eben sein ; sie kann z. B. konvex sein, um künstliche Schmucksteine in Gestalt eines Cabochon oder Boutton zu erhalten.

Mit der Erfindung lassen sich künstliche Schmucksteine, insbesondere Diamanten nicht mit nur besonderen opti- schen Eigenschaften wie Brillanz und Feuer, sondern auch mit Oberflächendimensionen, z. B. durch Mehrfach- dimensionierung, gewinnen, wie sie mit den in der Natur vorkommenden Steinen nicht annähernd erreichbar sind und auch mit anderen Syntheseverfahren, insbeson- dere der Hochdruck-Hochtemperatur-Technik aus ökono- misch-technischen Gründen nicht zu erhalten sind.

Den erfindungsgemäßen Edelsteinen kann bei der Herstel- lung durch die Zusammensetzung der Gasphase eine eigene Körperfarbe (z. B. Blau durch Bor oder Gelb durch Stickstoff) verliehen werden, was deren Einsatz bei jedem nur denkbaren Schmuckstück oder jeder denkbaren Verzierung mit Edelsteinen ermöglicht.

Ein Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Schmuck- steines wird noch an Hand der Zeichnungen beschrieben.

Es zeigen : Fig. 1 : Eine schematische Seitenansicht der Edelstein- schicht eines Schmucksteines.

Fig. 2 : Eine schematische Ansicht des Bereiches Y der Fig. 1 im vergrößerten Maßstab.

Fig. 3 : Eine schematische Draufsicht auf die Edelstein- schicht nach Fig. 1.

Fig. 4 : Eine schematische Ansicht der Edelsteinschicht nach Fig. 1 von unten.

Fig. 5 : Eine schematische Ansicht des Bereiches X der Fig. 4 im vergrößerten Maßstab.

In den Zeichnungen ist aus Gründen der Vereinfachung und Klarheit nur die Edelsteinschicht 1 ohne deren Träger dargestellt, dessen an die Edelsteinschicht 1 angrenzende Seite spiegelbildlich geformt ist.

Die Edelsteinschicht 1 weist auf der Unterseite eine Vielzahl von pyramidenförmigen Erhebungen 2 mit einem Winkel"A"auf und ist an ihrer Oberseite mit einem Achtkantfacettenschliff versehen.

Die auf dem nicht dargestellten Träger fest haftende und geschliffene Edelsteinschicht 1 bildet den erfin- dungsgemäßen Schmuckstein, der in einem Schmuckstück, z. B. einem Ring, gefaßt werden kann.

Der Träger, auf den die Edelsteinschicht aufgebracht wird, muß nicht die Abmessungen des späteren Schmuck- steines haben. Von einem großflächigen Träger mit Edelsteinschicht können Teile abgetrennt und zu einem Schmuckstein ver-bzw. bearbeitet werden.




 
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