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Title:
DEVICE FOR CONVEYING A PRODUCT STREAM OF POLYSILICON BREAK OR POLYSILICON GRANULATE
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2016/188917
Kind Code:
A1
Abstract:
The invention relates to a device for conveying a product stream of polysilicon fragments or polysilicon granules, comprising a conveyor surface which is made of metal and lined with plastic or silicon, as well as eddy current sensors for the detection of metallic or electrically conductive foreign bodies in the product stream.

Inventors:
GRUEBL PETER (DE)
BRIXEL MARTIN (DE)
FICHTNER THOMAS (DE)
HITZENBERGER MAX (DE)
Application Number:
PCT/EP2016/061470
Publication Date:
December 01, 2016
Filing Date:
May 20, 2016
Export Citation:
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Assignee:
WACKER CHEMIE AG (DE)
International Classes:
B07C5/344
Domestic Patent References:
WO2011082728A12011-07-14
Foreign References:
US20070235574A12007-10-11
US20050034430A12005-02-17
CN202052624U2011-11-30
Attorney, Agent or Firm:
POTTEN, Holger et al. (Hanns-Seidel-Platz 4, München, DE)
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Claims:
Patentansprüche

1. Vorrichtung zur Förderung eines Produktstroms aus Polysiliciumbruch oder Polysi- liciumgranulat, umfassend eine Förderfläche aus Metall, die mit Kunststoff oder mit Silicium ausgekleidet ist, sowie Wirbelstromsensoren zur Detektion von metallischen oder elektrisch leitfähigen Fremdkörpern im Produktstrom.

2. Vorrichtung nach Anspruch 1 , wobei sich die Wirbelstromsensoren in einem Gehäuse unterhalb der Auskleidung der Förderfläche befinden.

3. Vorrichtung nach Anspruch 2, umfassend seitliche Auskleidungen, mit denen Gehäuse und Auskleidung verspannt werden.

4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Wirbelstromsensoren in mehreren zueinander parallelen und voneinander beabstandeten Reihen in Querrichtung zum geförderten Produktstrom angeordnet sind.

5. Vorrichtung nach Anspruch 4, wobei wenigstens eine Reihe mit Wirbelstromsensoren gegenüber einer anderen Reihe mit Wirbelstromsensoren in Querrichtung versetzt angeordnet ist.

6. Vorrichtung nach Anspruch 4 oder nach Anspruch 5, wobei die Wirbelstromsensoren so angeordnet sind, dass ein Dreieck mit den Mindestseitenlängen S entsteht, wenn die Mittelpunkte von zwei nächst benachbarten Wirbelstromsensoren einer Reihe mit dem Mittelpunkt des gemeinsamen nächst benachbarten Wirbelstromsensoren der anderen Reihe miteinander verbunden werden.

7. Verfahren zur Erkennung von metallischen oder elektrisch leitfähigen Fremdkörpern in einem Produktstrom aus Polysiliciumbruch oder Polysiliciumgranulat, wobei der Produktstrom auf einer mit Kunststoff oder mit Silicium ausgekleideten metallischen Förderfläche einer Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6 bewegt wird, wobei die Detektion der Fremdkörper mittels Wirbelstromsensoren erfolgt. Verfahren nach Anspruch 7, wobei die Vorrichtung über eine Auswerteelektronik abgeschaltet wird, wenn ein Fremdkörper detektiert wird.

Description:
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Vorrichtung zur Förderung eines Produktstroms aus Polysiliciumbruch oder

Polysiliciumgranulat

Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zur Förderung eines Produktstroms aus Polysiliciumbruch oder Polysiliciumgranulat. Insbesondere handelt es sich um eine Vorrichtung, um metallische Fremdkörper in einem solchen Produktstrom zu erkennen.

Polykristallines Silicium (kurz: Polysilicium) dient als Ausgangsmaterial zur Herstel- lung von einkristallinem Silicium für Halbleiter nach dem Czochralski(CZ)- oder Zo- nenschmelz(FZ)-Verfahren, sowie zur Herstellung von ein- oder multikristallinem Silicium nach verschiedenen Zieh- und Gieß-Verfahren zur Produktion von Solarzellen für die Photovoltaik. Polykristallines Siliciumgranulat oder kurz Polysiliciumgranulat wird in einem Wirbelschichtreaktor produziert. Dies geschieht durch Fluidisierung von Siliciumpartikeln mittels einer Gasströmung in einer Wirbelschicht, wobei diese über eine Heizvorrichtung auf hohe Temperaturen aufgeheizt wird. Durch Zugabe eines siliciumhaltigen Reaktionsgases erfolgt eine Pyrolysereaktion an der heißen Partikeloberfläche. Dabei scheidet sich elementares Silicium auf den Siliciumpartikeln ab und die einzelnen Partikel wachsen im Durchmesser an. Durch den regelmäßigen Abzug von angewachsenen Partikeln und Zugabe kleinerer Siliciumpartikel als Keimpartikel kann das Verfahren kontinuierlich mit allen damit verbundenen Vorteilen betrieben werden. Als silici- umhaltiges Eduktgas können Silicium-Halogenverbindungen (z.B. Chlorsiiane oder Bromsilane), Monosilan (SiH ), sowie Mischungen dieser Gase mit Wasserstoff zum Einsatz kommen.

Das Polysiliciumgranulat wird üblicherweise nach dessen Herstellung mittels einer Siebanlage in zwei oder mehr Fraktionen oder Klassen geteilt (Klassierung).

Die kleinste Siebfraktion (Siebunterkorn) kann anschließend in einer Mahlanlage zu Keimpartikeln verarbeitet und dem Reaktor zugegeben werden. Die Siebzielfraktion wird üblicherweise verpackt und zum Kunden transportiert. Der Kunde verwendet das Polysiliciumgranulat u.a. zum Züchten von Einkristallen nach dem Czochralski-Verfahren (Cz-Verfahren). Ebenso kann polykristallines Silicium mittels des Siemens-Verfahrens hergestellt werden. Bei diesem Verfahren werden in einem glockenförmigem Reaktor („Siemens- Reaktor") Trägerkörper, üblicherweise dünne Filamentstäbe aus Silicium, durch direkten Stromdurchgang erhitzt und ein Reaktionsgas enthaltend Wasserstoff und eine oder mehrere siliciumhaltige Komponenten eingeleitet.

Üblicherweise wird als siliciumhaltige Komponente Trichlorsilan (SiHCI 3 , TCS) oder eine Mischung von Trichlorsilan mit Dichlorsilan (SiH 2 CI 2l DCS) und/oder mit Tetrach- lorsilan (SiCI , STC) eingesetzt. Seltener, aber auch im industriellen Maßstab wird Silan (SiH 4 ) verwendet.

Die Filamentstäbe stecken senkrecht in am Reaktorboden befindlichen Elektroden, über die der Anschluss an die Stromversorgung erfolgt.

An den erhitzten Filamentstäben und der waagrechten Brücke scheidet sich hochrei- nes Polysilicium ab, wodurch deren Durchmesser mit der Zeit anwächst.

Nach Abkühlung der Stäbe wird die Reaktorglocke geöffnet und die Stäbe werden per Hand oder mit Hilfe von speziellen Vorrichtungen, sogenannten Ausbauhilfen zur Weiterverarbeitung bzw. zur zwischenzeitlichen Lagerung entnommen.

Für die meisten Anwendungen werden polykristalline Siliciumstäbe auf kleine Stücke (Polysiliciumbruch) gebrochen, welche üblicherweise anschließend nach Größen klassiert werden. US 2007/235574 A1 offenbart eine Vorrichtung zum Zerkleinern und Sortieren von polykristallinem Silicium, umfassend eine Aufgabeeinrichtung für einen Polysilicium- Grobbruch in eine Brecheranlage, die Brecheranlage, und eine Sortieranlage zum Klassieren des Polysilicium-Bruchs, wobei die Vorrichtung mit einer Steuerung verse- hen ist, die eine variable Einstellung mindestens eines Brechparameters in der Brecheranlage und/oder mindestens eines Sortierparameters in der Sortieranlage ermöglicht.

Bei der Brecheranlage kann es sich um eine mehrstufige Brecheranlage bestehend aus 1 bis 10 Brechern handeln.

Die Sortieranlage kann aus einer mehrstufigen mechanischen Siebanlage und einer mehrstufigen optoelektronischen Trennanlage bestehen. Die mechanische Siebanlage dient zur Abtrennung von Feinanteilen im Produktstrom. Der von Feinanteilen befreite Polysilicium-Bruch wird mittels einer optoelektronischen Trennanlage sortiert. Die Sortierung des Polysilicium-Bruchs erfolgt nach ein bis drei der Kriterien ausgewählt aus der Gruppe Länge, Fläche, Form, Morphologie, Farbe und Gewicht der Po- lysilicium-Bruchstücke.

Andere Kombinationen bekannter elektronischer Sensortechniken für die Parametererkennung der Polysilicium-Bruchstücke sind jedoch ebenso geeignet (z. B. Metallde- tektor, Ultraschall, Infrarot).

Zwischen den einzelnen Brecherstufen sowie innerhalb und nach den Sortieranlagen können Magnetabscheider (z. B. Plattenmagneten, Trommelmagneten oder Bandmagneten) angeordnet werden, um metallische Fremdkörper aus dem Polysilicium- Bruch zu entfernen und die Metallkontamination des Polysilicium-Bruchs zu reduzie- ren.

Nachteilig ist, dass sich nur ferromagnetische Fremdkörper wie Eisen entfernen lassen. Nicht-magnetische metallische Fremdkörper lassen sich nicht abtrennen. US 2005/034430 A1 offenbart eine Vorrichtung umfassend eine Förderrinne für den Polysiliciumbruch, eine Wägevorrichtung für den Polysiliciumbruch, mit einem Trichter, Ablenkbleche, eine Abfüllvorrichtung, welche aus einer hochreinen Kunststofffolie einen Kunststoffbeutel formt, eine Verschweissvorrichtung für den mit Polysiliciumbruch gefüllten Kunststoffbeutel, eine oberhalb von Förderrinne, Wägevorrichtung, Abfüllvorrichtung und Verschweissvorrichtung angebrachte Flowbox, die eine Partikelverunreinigung des Polysiliciumbruchs verhindert, ein Förderband für den ver- schweissten mit Polysiliciumbruch gefüllten Kunststoffbeutel, wobei alle Bauteile, die mit dem Polysiliciumbruch in Kontakt kommen, mit Silicium armiert oder mit einem hochverschleissfestem Kunststoff verkleidet sind.

Der Polysiliciumbruch wird auf einer mit Silicium armierten Förderrinne zu einer Wä- gevorrichtung transportiert, wobei sich der Polysiliciumbruch aus dem Trichter in einen Kunststoffbeutel entleert, der Kunststoffbeutel nach dem Befüllen verschweißt und der mit Polysiliciumbruch gefüllte Kunststoffbeutel über ein Förderband durch einen magnetisch induktiven Detektor geführt wird, um mögliche Metallkontamination zu detektieren.

Nachteilig ist, dass die metallischen Fremdkörper erst nach dem Verpacken detektiert werden können.

CN 202052624 U beschreibt eine Sortiervorrichtung zum Trennen von Metallen oder hochdotiertem Silicium von normalem Silicium.

Das Material befindet sich in einem Produktspeicher. Der Produktspeicher ist mit einer Detektionseinrichtung enthaltend Wirbelstromsensoren und einen Abtrennmechanismus verbunden. Optional kann innerhalb der Detektionseinrichtung ein Förderband vorhanden sein, um das Silicium zu fördern.

Die Wirbelstromdetektionsvorrichtung leitet gegebenenfalls ein Signal an den Trennmechanismus weiter, so dass eine automatische Abtrennung von Metallen oder hochdotiertem Silicium erfolgt.

Für metallische Förderrinnen wäre die beschriebene Anordnung wegen Störeinflüssen auf die Wirbelstromsensoren nicht geeignet. Eine Detektion von Metallen in einem Produktstrom enthaltend Polysilicium wäre somit nicht möglich.

Aus der geschilderten Problematik ergab sich die Aufgabenstellung der Erfindung. Die Aufgabe wird gelöst durch eine Vorrichtung zur Förderung eines Produktstroms aus Polysiliciumbruch oder Polysiliciumgranulat, umfassend eine Förderfläche aus Metall, die mit Kunststoff oder mit Silicium ausgekleidet ist, sowie Wirbelstromsenso- ren zur Detektion von metallischen oder elektrisch leitfähigen Fremdkörpern im Produktstrom.

Mit einer solchen Vorrichtung, im Folgenden auch als Fördereinrichtung bezeichnet, lassen sich metallische Fremdkörper jeglicher Art, auch nicht-magnetische erkennen.

Zudem kann ein Produktstrom mit Polysilicium bereits vor dem Verpacken hinsichtlich metallischer Fremdkörper untersucht werden. Prinzipiell kann jede Anlage (auch metallische Anlagen) bei der Herstellung von Polysilicium mit einer solchen Vorrichtung auf relativ einfache Art und Weise nachgerüstet werden.

Bestehend Anlagen oder Auskleidungsmaterialien müssen nicht angepasst werden.

Die Reinheit von Polysilicium wird durch die Verwendung der erfindungsgemäßen Vorrichtung nicht beeinträchtigt.

Die Aufgabe wird auch gelöst durch ein Verfahren zur Erkennung von metallischen oder elektrisch leitfähigen Fremdkörpern in einem Produktstrom aus Polysiliciumbruch oder Polysiliciumgranulat, wobei der Produktstrom auf einer mit Kunststoff oder mit Silicium ausgekleideten metallischen Förderfläche einer erfindungsgemäßen Vorrichtung bewegt wird, wobei die Detektion der Fremdkörper mittels Wirbelstromsensoren erfolgt.

In einer Ausführungsform handelt es sich bei der Fördereinrichtung um eine herkömmliche Transportrinne oder -anläge, vorzugweise eine Vibrationsförderrinne, die einen Fördertrog oder Rinnentrog umfasst, der die Förderfläche bildet und der mit Kunststoff oder Silicium ausgekleidet ist. Die Auskleidung dient dazu, den auf dem Förder- oder Rinnentrog bewegten Polysilicium-Produktstrom vor Kontaminationen zu schützen, zumal die Förderfläche aus Metall besteht. In einer Ausführungsform sind die Wirbelstromsensoren zur Detektion der Fremdkörper unmittelbar in den Förder- oder Rinnentrog eingebaut, nämlich unterhalb dessen Kunststoff- oder Siliciumauskleidung. In einer Ausführungsform besitzen die Wirbelstromsensoren einen modularen Aufbau, umfassend ein Gehäuseoberteil, ein Gehäusemittelteil und ein Gehäuseunterteil. Im Gehäusemittelteil können die Sensoren befestigt werden. Über das Gehäuseunterteil wir die Verkabelung für die Sensoren in das Gehäuse geführt. Das Gehäuseoberteil dient zur Abdeckung der Sensoren. Zudem kann am Gehäuseoberteil die Ausklei- dung des Förder- oder Rinnentrogs fixiert werden. Der modulare Aufbau des Gehäuses erleichtert es, die Sensoren, Gehäuseteile usw. zu wechseln. Das Gehäuseunterteil kann eine eingeschweißte VA-Platte zum Abgleich der Sensoren sowie mehrere Kabeleinführstutzen umfassen. Die Kabeleinführstutze dienen dazu, die Sensorkabel in das Gehäuse zu führen. Das mittlere Gehäuseteil dient zur Befestigung der Senso- ren und zur Einbettung der Sensorkabel. Das Gehäuseoberteil ist unmittelbar über den Sensoren angeordnet, dient zur Abdeckung der Sensoren und zur Befestigung der Auskleidung. Das 3-teilige Gehäuse wird vorzugsweise mittels Schraubverbindungen staubdicht zusammengefügt. In einer bevorzugten Ausführungsform sind die Wirbelstromsensoren in einem einteiligen, elektrisch nicht leitfähigen Gehäuse befestigt. Vorzugsweise ist die Detektions- fläche des Sensors aus Verschleiß- und Kontaminationsgründen mit einem hoch festen, nicht leitfähigen Material geschützt. Zudem kann am Gehäuse die Auskleidung des Förder- oder Rinnentrogs fixiert werden. Der Wechsel der Sensorik kann ohne Demontage des Gehäuses einzeln von der Unterseite der Fördereinheit durchgeführt werden.

In einer anderen Ausführungsform handelt es sich beim Gehäuse um ein für Staub undurchlässiges Kunststoffgehäuse.

In einer Ausführungsform sind zudem seitliche Auskleidungen des Förder- oder Rinnentrogs vorhanden. Die Auskleidungen bestehen aus nichtleitenden Materialien, beispielsweise Kunststoff, Silicium oder Keramik. Bevorzugt ist die Verwendung von PU. - 7 - 61470

In einer Ausführungsform sind mehrere Wirbelstromsensoren in einer Reihe und quer zur Richtung des Produktstroms angeordnet. In einer anderen, bevorzugten Ausführungsform sind mehrere Wirbelstromsensoren in mehreren Reihen quer und in Rich- tung des Produktstroms zueinander versetzt angeordnet.

Um Störeinflüsse zu vermeiden, sollte ein bestimmter Mindestabstand S zwischen nächst benachbarten Sensoren vorhanden sein. In einer Ausführungsform sind zwei oder mehr zueinander parallele Reihen von Wirbelstromsensoren quer zur Förderrichtung angeordnet.

Auf Grund der gegenseitigen Feldbeeinflussung, muss der Mindestabstand S in Abhängigkeit der Sensorintensität zwischen den einzelnen Sensoren eingehalten Werden. Die nächst benachbarten Sensoren der zweiten Reihe haben ebenfalls den Mindestabstand S einzuhalten, wobei zu den Sensoren der ersten Reihe mindestens ein Abstand S vorhanden ist.

Die Detektionsgenauigkeit der Vorrichtung kann mittels des Versetzungswinkels α der Sensorreihen unter Berücksichtigung des Mindestabstands S zueinander und dessen Anzahl variiert werden.

Weiterhin kann die Detektionsgenauigkeit durch einen geringen Abstand zwischen Mittelachse Sensor und Mittelachse Fremdkörper erhöht werden. Die höchste Genau- igkeit wird über einen Abstand = 0 erzielt.

In einer Ausführungsform wird die Fördereinrichtung über eine Auswerteelektronik abgeschaltet, wenn ein Fremdkörper detektiert wird. In einer Ausführungsform ist das Gehäuse mit den darin befindlichen Sensoren am Förder- oder Rinnentrog der Fördereinrichtung montiert. Das Gehäuse befindet sich unterhalb der Auskleidung des Förder- oder Rinnentrogs. Die Befestigung erfolgt durch ein Verspannen der seitlichen Auskleidungsteile. - 8 - 2016/061470

In einer Ausführungsform besteht das Gehäuse aus Kunststoff, bevorzugt aus Polyamid. Ein gewisser Abstand zwischen Sensoren und Gehäuseoberteil sollte eingehalten werden. Dies stellt sicher, dass es nicht zu einer Beschädigung der Sensoren durch Schwingungen kommt.

Die Anzahl der Sensoren richtet sich nach der Rinnenbreite, der Sensorfeldlinienin- tensität, der Detektionsgenauigkeit- und Sicherheit.

Die Breite der Förderfläche bzw. die Rinnenbreite kann von 200 mm bis zu 2000 mm betragen. In einer Ausführung beträgt die Rinnenbreite 400-600 mm. Je größer die Förderfläche, desto höher die Zahl der benötigten Sensoren.

Der Abstand S zwischen den Sensoren sollte so gewählt werden, dass keine gegenseitige Beeinträchtigung der benachbarten Wirbelstromsensoren auftritt. Der Abstand S der Sensoren beträgt vorzugweise von 30 mm bis zu 200 mm,

In einer Ausführung beträgt der Abstand S 80-120 mm.

Die Breite der seitlichen Auskleidung sollte so gewählt werden, dass keine Störeinflüsse der Feldlinien mit dem Rinnentrog entstehen.

Eine hohe Detektionssicherheit von kleineren metallischen oder elektrisch leitenden Fremdkörpern ist durch eine mehrere Sensorreihen umfassende Sensoranordnung zu erreichen, wobei die Sensorreihen quer zur Förderrichtung zueinander versetzt angeordnet sind. Dadurch wird die gesamte Förderfläche besser abgedeckt.

Aufgrund des Zwischenraums (Abstand S) zwischen zwei Sensoren der einen Reihe könnte ein mit dem Produktstrom geförderter kleiner Fremdkörper unentdeckt bleiben. Ist jedoch eine zweite Reihe mit Sensoren parallel zur ersten Reihe vorhanden, ist sichergestellt, dass auch dieser kleine Fremdkörper detektiert wird. Es können auch - 9 - P T7EP2016/061470

mehr als zwei Sensorreihen vorhanden sein, um eine noch bessere Detektionsgenauigkeit zu erreichen. Die bevorzugte Anzahl der Sensorreihen richtet sich dabei nach dem Sensorabstand S der ersten Reihe.

Ist eine zweite Reihe mit Sensoren parallel zur ersten Reihe vorhanden, so ist es be- vorzugt, dass zumindest der Mindestabstand S zwischen den Sensoren eingehalten werden.

Um die Detektionsgenauigkeit zu steigern, können auch mehr als zwei Sensorreihen versetzt zur vorherigen Reihe vorhanden seinv Die Anzahl der Sensorreihen beträgt vorzugweise bis zu 5. Die Versetzung der Reihen zueinander ist in Abhängigkeit der erforderlichen Detektionsgenauigkeit auszuführen.

Auf Grund unterschiedlicher Feldlinienausprägung innerhalb des Detektionsradius ' eines Sensors und damit über einer Detektionsreihe, muss die Anordnung mehrerer Reihen so gewählt werden, dass die erforderliche Detektionsgenauigkeit über das Versetzen der nachfolgenden Reihen die notwendige Detektionssicherheit über die erforderliche Breite darstellt.

Daher wird in einer Ausführungsform die Sensoranordnung so gewählt, dass ein Dreieck mit den Mindestseitenlängen S entsteht wenn die Mittelpunkte von zwei nächst benachbarten Sensoren einer Reihe mit dem Mittelpunkt des gemeinsamen nächst benachbarten Sensors der anderen Reihe miteinander verbunden werden vgl. Fig. 1.

Die Auswertung der Wirbelstromsensoren kann durch ein Strom- vorzugweise durch ein Spannungsausgangsignal erfolgen.

Durch eine Änderung des Spannungssignals, hervorgerufen durch einen metallisch- oder elektrisch leitfähigen Fremdkörper, kann über eine Auswerteelektronik die Förderrinne gestoppt werden. Die bezüglich der vorstehend aufgeführten Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Verfahrens angegebenen Merkmale können entsprechend auf die erfindungsgemäße Vorrichtung übertragen werden. Umgekehrt können die bezüglich der vorstehend ausgeführten Ausführungsformen der erfindungsgemäßen Vorrichtung angege- - -

benen Merkmale entsprechend auf das erfindungsgemäße Verfahren übertragen werden. Diese und andere Merkmale der erfindungsgemäßen Ausführungsformen werden in der Figurenbeschreibung und in den Ansprüchen erläutert. Die einzelnen Merkmale können entweder separat oder in Kombination als Ausführungsformen der Erfindung verwirklicht werden. Weiterhin können sie vorteilhafte Ausführungen beschreiben, die selbstständig schutzfähig sind.

Kurzbeschreibung der Figuren Fig. 1 zeigt schematisch eine Förderrinne mit integrierter Sensoreinheit, die quer zur Förderrichtung in zwei Reihen angeordnete Sensoren umfasst.

Liste der verwendeten Bezugszeichen

1 Sensor

2 Intensität des Sensors

3 Gehäuse

4 Auskleidung

5 Rinnentrog

α Versetzungswinkel

Fig. 1 zeigt ein am Rinnentrog 5 der Transporteinheit montiertes Gehäuse 3 mit Sen ¬ soren 1 , die eine Intensität 2 aufweisen.

Der Abstand S zwischen den Sensoren 1 ist abhängig von deren Intensitäten 2 so gewählt, dass sich die Sensoren 1 nicht gegenseitig beeinflussen.

Durch die seitliche Auskleidung 4 werden das Gehäuse 3 und die Auskleidung des Rinnentrogs (nicht dargestellt) verspannt. Dargestellt ist auch die Förderrichtung, in der sich der Produktstrom bewegt.

Es sind zwei Reihen mit Sensoren 1 vorhanden, die parallel zueinander und quer zur Förderrichtung angeordnet sind. - -

Die nächst benachbarten Sensoren 1 sind jeweils um den Weg S voneinander beabstandet.

Zudem ist eine Reihe um den Weg S/2 quer zur Förderrichtung zu der anderen Reihe versetzt.

Die vorstehende Beschreibung beispielhafter Ausführungsformen ist exemplarisch zu verstehen. Die damit erfolgte Offenbarung ermöglicht es dem Fachmann einerseits, die vorliegende Erfindung und die damit verbundenen Vorteile zu verstehen, und um- fasst andererseits im Verständnis des Fachmanns auch offensichtliche Abänderungen und Modifikationen der beschriebenen Strukturen und Verfahren. Daher sollen alle derartigen Abänderungen und Modifikationen sowie Äquivalente durch den Schutzbereich der Ansprüche abgedeckt sein.