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Title:
DEVICE, IN PARTICULAR SWITCH MODE POWER SUPPLY UNIT
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2019/161970
Kind Code:
A1
Abstract:
The invention relates to a device, in particular a switch mode power supply unit, which comprises a first printed circuit board and a second printed circuit board and also a first component, in particular a transistor, the second printed circuit board being mounted on the first printed circuit board using SMD technology and the first printed circuit board being populated with the first component using SMD technology, in particular the second printed circuit board and also the first component being surface-mounted on, in particular connected to a first face of the first printed circuit board by a solder connection.

Inventors:
MARAHRENS, Klaus (Murgstr. 21, Waldbronn-Reichenbach, D-76337, DE)
Application Number:
EP2019/025034
Publication Date:
August 29, 2019
Filing Date:
February 01, 2019
Export Citation:
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Assignee:
SEW-EURODRIVE GMBH & CO. KG (Ernst-Blickle-Str. 42, Bruchsal, D-76646, DE)
International Classes:
H05K1/16; H01F27/26; H01F27/29; H01F27/32; H05K3/36
Domestic Patent References:
WO2003019997A12003-03-06
Foreign References:
US20130015936A12013-01-17
US20040032313A12004-02-19
DE102016008013A12018-01-04
US20150235757A12015-08-20
US5930601A1999-07-27
Other References:
-: "IPB065N15N3G OptiMOS 3 (TM) Power-Transistor", 25 January 2010 (2010-01-25), XP055587020, Retrieved from the Internet [retrieved on 20190508]
None
Attorney, Agent or Firm:
SEW-EURODRIVE GMBH & CO. KG (TÜNGLER, EberhardAbt. ISI z. Hd, Ernst-Blickle-Str. 42 Bruchsal, D-76646, DE)
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Claims:
Patentansprüche:

1. Vorrichtung, insbesondere Schaltnetzteil, aufweisend eine erste Leiterplatte und eine zweite Leiterplatte sowie ein erstes Bauelement, insbesondere Transistor, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Leiterplatte mit der zweiten Leiterplatte in SMD-Technik und dem ersten Bauelement in SMD-Technik bestückt ist, insbesondere also die zweite Leiterplatte und das erste Bauelement oberflächenmontiert, insbesondere lötverbunden, sind auf einer Seite der ersten Leiterplatte.

2. Vorrichtung nach Anspruch 1 ,

dadurch gekennzeichnet, dass

das erste Bauelement ein insbesondere quaderförmiges Gehäuse aufweist, an welchem eine Anschlussfläche, insbesondere Anschlusspad, angeordnet ist und an dessen anderer Seite ein erster Anschlussfuss und zweite Anschlussfüsse angeordnet sind, wobei die zweiten Anschlussfüsse elektrisch miteinander verbunden sind, insbesondere parallel geschaltet sind, also jeweils dasselbe elektrische Potential aufweisen, insbesondere wobei die Anzahl der zweiten Anschlussfüsse Fünf ist. .

3. Vorrichtung nach mindestens einem der vorangegangenen Ansprüche,

dadurch gekennzeichnet, dass

das erste Bauelement ein Transistor ist, wobei der erste Anschlussfuss ein Steuereingang, insbesondere Gate, ist,

wobei die zweiten Anschlussfüsse als Versorgungseingang, insbesondere Source, fungieren und wobei die Anschlussfläche ein dritter Anschluss des Transistors ist, insbesondere Drain.

4. Vorrichtung nach mindestens einem der vorangegangenen Ansprüche,

dadurch gekennzeichnet, dass

die Anschlussfläche elektrisch verbunden ist mit einer an der Oberfläche der vom Transistor abgewandten Seite der ersten Leiterplatte angeordneten Leiterbahn, wobei eine Kühlplatte die Leiterbahn berührt, insbesondere wärmeleitend mit der Leiterbahn verbunden ist, wobei die erste Leiterplatte schraubverbunden ist mit der Kühlplatte, insbesondere wobei die Kühlplatte die erste Leiterplatte trägt und/oder hält.

5. Vorrichtung nach mindestens einem der vorangegangenen Ansprüche,

dadurch gekennzeichnet, dass

das Gehäuse des Transistors quaderförmig ist.

6. Vorrichtung nach mindestens einem der vorangegangenen Ansprüche,

dadurch gekennzeichnet, dass

der erste Anschlussfuss und die zweiten Anschlussfüsse eine gerade Reihe von

Anschlussfüssen bilden, welche regelmäßig voneinander beabstandet sind.

7. Vorrichtung nach mindestens einem der vorangegangenen Ansprüche,

dadurch gekennzeichnet, dass

die erste Leiterplatte und die zweite Leiterplatte jeweils mehrlagig ausgeführt ist, insbesondere jeweils als Multilayer-Leiterplatte, wobei die beiden äußeren Lagen der ersten Leiterplatte zumindest in einer Leiterbahn jeweils Niederspannung führen, wobei die beiden äußeren Lagen der zweiten Leiterplatte zumindest in einer Leiterbahn jeweils Niederspannung führen.

8. Vorrichtung nach mindestens einem der vorangegangenen Ansprüche,

dadurch gekennzeichnet, dass

das jeweils zu einer äußeren Lage der ersten Leiterplatte nächstbenachbarte Paar von Lagen der ersten Leiterplatte zumindest in einer Leiterbahn Hochspannung führt, und/oder dass die inneren Lagen der ersten Leiterplatte paarweise abwechselnd zumindest in einer jeweiligen Leiterbahn Hochspannung oder Niederspannung führen, wobei das jeweilige Paar hierbei jeweils aus zueinander nächstbenachbarten Lagen gebildet ist.

9. Vorrichtung nach mindestens einem der vorangegangenen Ansprüche,

dadurch gekennzeichnet, dass

das jeweils zu einer äußeren Lage der zweiten Leiterplatte nächstbenachbarte Paar von Lagen der zweiten Leiterplatte zumindest in einer Leiterbahn Hochspannung führt und das weiter innen in der zweiten Leiterplatte angeordnete, zum Paar wiederum nächstbenachbarte Paar von Lagen zumindest in einer Leiterbahn Niederspannung führt. und/oder dass die inneren Lagen der zweiten Leiterplatte paarweise abwechselnd zumindest in einer Leiterbahn Hochspannung oder Niederspannung führen, wobei das jeweilige Paar hierbei jeweils aus zueinander nächstbenachbarten Lagen gebildet ist.

10. Vorrichtung nach mindestens einem der vorangegangenen Ansprüche,

dadurch gekennzeichnet, dass

die Hochspannung eine Spannung aus dem Spannungswertebereich über 800 Volt ist und/oder dass die Niederspannung eine Spannung von weniger als 50 Volt, insbesondere weniger als 48 Volt, ist.

1 1. Vorrichtung nach mindestens einem der vorangegangenen Ansprüche,

dadurch gekennzeichnet, dass

die jeweilige Leiterbahn eine jeweilige Windung einer Primärwicklung oder Sekundärwicklung ist.

12. Vorrichtung nach mindestens einem der vorangegangenen Ansprüche,

dadurch gekennzeichnet, dass

die erste und die zweite Leiterplatte Windungen einer Primärwicklung und Windungen einer Sekundärwicklung aufweist, insbesondere wobei die Primärwicklung Hochspannung führt und/oder das erste Bauelement den durch die Primärwicklung fließenden Strom, insbesondere Primärstrom, steuert und/oder wobei die Sekundärwicklung Niederspannung führt.

13. Vorrichtung nach mindestens einem der vorangegangenen Ansprüche,

dadurch gekennzeichnet, dass

ein Spulenkern zumindest zwei Teile aufweist, wobei zumindest eines der beiden Teile einen Mittelschenkel und Außenschenkel aufweist, wobei der Mittelschenkel durch eine Ausnehmung der ersten Leiterplatte und durch eine Ausnehmung der zweiten Leiterplatte hindurchragt, wobei die Windungen der Primärwicklung und der Sekundärwicklung um den Mittelschenkel herum geführt sind.

Description:
Vorrichtung, insbesondere Schaltnetzteil

Beschreibung:

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung, insbesondere Schaltnetzteil.

SMD-Bestückung von Leiterplatten mit Bauteilen ist allgemein bekannt.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Schaltnetzteil kompakt und mit hoher Leistung weiterzubilden.

Erfindungsgemäß wird die Aufgabe bei der Vorrichtung nach den in Anspruch 1 angegebenen Merkmalen gelöst.

Wichtige Merkmale der Erfindung bei der Vorrichtung sind, die Vorrichtung, insbesondere Schaltnetzteil, eine erste Leiterplatte und eine zweite Leiterplatte sowie ein erstes Bauelement, insbesondere Transistor, aufweist, wobei die erste Leiterplatte mit der zweiten Leiterplatte in SMD-Technik und dem ersten Bauelement in SMD-Technik bestückt ist, insbesondere also die zweite Leiterplatte und das erste Bauelement oberflächenmontiert, insbesondere lötverbunden, sind auf einer Seite der ersten Leiterplatte.

Von Vorteil ist dabei, dass ein einfaches Herstellverfahren anwendbar ist und trotzdem eine kompakte Lösung erzielbar ist. Denn die zweite Leiterplatte ist im SMD-Verfahren

oberflächenmontierbar und somit im gleichen Herstellverfahrensschritt mit den anderen Bauteilen auf einer Seite der ersten Leiterplatte bestückbar. Die zweite Leiterplatte ermöglicht dabei eine erhöhte Windungszahl von Flachwicklungen, welche in den Lagen der beiden Leiterplatten ausgeführt ist. Denn beide Leiterplatten sind als Multilayer-Leiterplatten, also mehrlagige Leiterplatten ausführbar, die somit nicht nur zwei äußere, also an der äußeren Oberfläche angeordnete Kupferlagen aufweisen sondern auch innere Lagen, die somit mittels Trägermaterial von den anderen Lagen beabstandet sind. Als Trägermaterial ist ein

Epoxidharz verwendbar oder ähnliche, elektrisch hoch isolationsfest Materialien. Somit sind hohe Spannungsabstände realisierbar. Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung weist das erste Bauelement ein insbesondere quaderförmiges Gehäuse auf, an welchem eine Anschlussfläche, insbesondere Anschlusspad, angeordnet ist und an dessen anderer Seite ein erster Anschlussfuss und zweite

Anschlussfüsse angeordnet sind, wobei die zweiten Anschlussfüsse elektrisch miteinander verbunden sind, insbesondere parallel geschaltet sind, also jeweils dasselbe elektrische Potential aufweisen, insbesondere wobei die Anzahl der zweiten Anschlussfüsse Fünf ist. Von Vorteil ist dabei, dass der in das Bauteil eintretende Strom aufteilbar ist und somit insgesamt ein starker Strom steuerbar ist. Denn die zweiten Anschlussfüsse werden nicht überlastet, insbesondere nicht überhitzt.

Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung ist das erste Bauelement ein Transistor, wobei der erste Anschlussfuss ein Steuereingang, insbesondere Gate, ist,

wobei die zweiten Anschlussfüsse als Versorgungseingang, insbesondere Source, fungieren und wobei die Anschlussfläche ein dritter Anschluss des Transistors ist, insbesondere Drain. Von Vorteil ist dabei, dass der Transistor als Feldeffekttransistor ausführbar ist und somit nur ein geringer Steuerstrom einzuleiten ist, wobei trotzdem hohe Ströme schaltbar sind.

Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung ist die Anschlussfläche elektrisch verbunden mit einer an der Oberfläche der vom Transistor abgewandten Seite der ersten Leiterplatte angeordneten Leiterbahn, wobei eine Kühlplatte die Leiterbahn berührt, insbesondere wärmeleitend mit der Leiterbahn verbunden ist, wobei die erste Leiterplatte schraubverbunden ist mit der Kühlplatte, insbesondere wobei die Kühlplatte die erste Leiterplatte trägt und/oder hält. Von Vorteil ist dabei, dass eine breite Anschlussfläche einerseits zur Oberflächenmontage verwendbar ist und andererseits starke Ströme herausleitbar sind. Dabei ist vorzugsweise das Potential der Anschlussfläche dasselbe Potential wie das Potential der Kühlplatte, insbesondere

vorzugsweise elektrisch Erde, insbesondere elektrisch Masse Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung ist das Gehäuse des Transistors quaderförmig. Von Vorteil ist dabei, dass die Anschlussfläche auf einer anderen Seite des quaderförmigen Gehäuses anordenbar ist als die Anschlussfüsse und somit eine Kriechstrecke über eine Kante des Quaders geführt ist. Daher ist eine lange Kriechstrecke und somit eine hohe Isolationsfestigkeit erreichbar .

Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung bilden der erste Anschlussfuss und die zweiten

Anschlussfüsse eine gerade Reihe von Anschlussfüssen, welche regelmäßig voneinander beabstandet sind. Von Vorteil ist dabei, dass eine einfache Herausleitung des Stroms aus dem Bauteil ermöglicht ist.

Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung ist die erste Leiterplatte und die zweite Leiterplatte jeweils mehrlagig ausgeführt, insbesondere jeweils als Multilayer-Leiterplatte, wobei die beiden äußeren Lagen der ersten Leiterplatte zumindest in einer Leiterbahn jeweils Niederspannung führen, wobei die beiden äußeren Lagen der zweiten Leiterplatte zumindest in einer Leiterbahn jeweils Niederspannung führen. Von Vorteil ist dabei, dass eine Wicklung als Flachwicklung in mehreren der Lagen der Leiterplatten anordenbar ist. Jede der Windungen ist also auf einer jeweiligen Lage angeordnet und die Windungen einer jeweiligen Wicklung sind mittels einer Durchkontaktierung elektrisch verbunden.

Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung führt das jeweils zu einer äußeren Lage der ersten Leiterplatte nächstbenachbarte Paar von Lagen der ersten Leiterplatte zumindest in einer Leiterbahn Hochspannung, und/oder die inneren Lagen der ersten Leiterplatte führen paarweise abwechselnd zumindest in einer jeweiligen Leiterbahn Hochspannung oder Niederspannung, wobei das jeweilige Paar hierbei jeweils aus zueinander nächstbenachbarten Lagen gebildet ist. Von Vorteil ist dabei, dass zwischen den Hochspannung führenden Lagen Niederspannung führende Lagen angeordnet sind und somit ein vergrößerter Abstand zwischen den Hochspannung führenden Lagern erreichbar ist. Dadurch ist auch die Isolation verbessert. Die äußeren Lagen führen nur Niederspannung und sind somit ungefährlich für Personen, welche die Leiterplatte berühren. Ebenso besteht kein Risiko eines Spannungsdurchschlags für die beiden einander berührend angeordneten Leiterplatten. Denn die äußeren Lagen sind mit einem elektrisch isolierenden Lack beschichtet, der zwar sehr dünn ist, aber für die Niederspannung ausreichend isolationsfest.

Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung führt das jeweils zu einer äußeren Lage der zweiten Leiterplatte nächstbenachbarte Paar von Lagen der zweiten Leiterplatte zumindest in einer Leiterbahn Hochspannung und das weiter innen in der zweiten Leiterplatte angeordnete, zum Paar wiederum nächstbenachbarte Paar von Lagen führt zumindest in einer Leiterbahn Niederspannung. Von Vorteil ist dabei, dass zwischen zwei Paaren von Hochspannung führenden Lagen jeweils ein Paar von Niederspannung führenden Lagen angeordnet ist. Auf diese Weise ist zwischen den Hochspannung führenden Paaren ein ausreichend hoher Isolationsabstand erreichbar, obwohl die Leiterplatten sehr dünnwandig ausgeführt sind. Die Abstände zwischen den einzelnen zueinander nächstbenachbarten Lagen sind dabei geringer als 2 mm, insbesondere geringer als 1 mm.

Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung führen die inneren Lagen der zweiten Leiterplatte paarweise abwechselnd zumindest in einer Leiterbahn Hochspannung oder Niederspannung, wobei das jeweilige Paar hierbei jeweils aus zueinander nächstbenachbarten Lagen gebildet ist. Von Vorteil ist dabei, dass zwischen zwei Paaren von Hochspannung führenden Lagen jeweils ein Paar von Niederspannung führenden Lagen angeordnet ist. Auf diese Weise ist zwischen den Hochspannung führenden Paaren ein ausreichend hoher Isolationsabstand erreichbar, obwohl die Leiterplatten sehr dünnwandig ausgeführt sind. Die Abstände zwischen den einzelnen zueinander nächsbenachbarten Lagen sind dabei geringer als 2 mm, insbesondere geringer als 1 mm.

Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung ist die Hochspannung eine Spannung aus dem

Spannungswertebereich über 800 Volt, insbesondere gegen elektrisch Erde und/oder Masse gemessen, und/oder ist die Niederspannung eine Spannung von weniger als 50 Volt, insbesondere weniger als 48 Volt, insbesondere gegen elektrisch Erde und/oder Masse gemessen. Von Vorteil ist dabei, dass die Spannung eines Zwischenkreises eines Umrichters verwendbar ist. Dabei speist der Umrichter im motorischen Betrieb eines Elektromotors diesen Elektromotor und im generatorischen Betrieb steigt die Zwischenkreisspannung an, insbesondere bis oder über 800 Volt, insbesondere gegen elektrisch Erde und/oder Masse gemessen. .

Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung trägt die jeweilige Leiterbahn eine jeweilige Windung einer Primärwicklung oder Sekundärwicklung. Von Vorteil ist dabei, dass die Wicklungen als zueinander konzentrische Flachwicklungen ausführbar sind, insbesondere mit gleichem maximalen Wicklungsdurchmesser.

Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung weist die erste und die zweite Leiterplatte Windungen einer Primärwicklung und Windungen einer Sekundärwicklung auf, insbesondere wobei die Primärwicklung Hochspannung führt und/oder das erste Bauelement den durch die Primärwicklung fließenden Strom, insbesondere Primärstrom, steuert und/oder wobei die Sekundärwicklung Niederspannung führt. Von Vorteil ist dabei, dass ein Bauelement verwendbar ist, welches hohe Ströme schalten kann und somit den in der Primärwicklung fließenden Primärstrom„zerhacken“ kann. Auf diese Weise ist sekundärseitig eine

ausreichend hohe Wechselspannung induzierbar trotz Verwendung einer geringen Anzahl von Windungen in beiden Wicklungen, insbesondere in der Primärwicklung. Sekundärseitig speist wird aus der Sekundärwicklung ein Gleichrichter gespeist und somit eine Niederspannung zur Verfügung gestellt, die mittels einer elektronischen Schaltung auf einen konstanten Wert gebracht wird trotz an der Primärwicklung anliegender, veränderlicher Spannung.

Vorzugsweise wird die sekundärseitig bereit gestellte Spannung erfasst und dadurch auf einen Sollwert hin geregelt, indem das erste Bauelement entsprechend angesteuert wird.

Vorzugsweise wird das erste Bauelement pulsweitenmoduliert angesteuert und die Pulsweite als Stellgröße von einer Reglereinheit, insbesondere lineare Reglereinheit, insbesondere P- Regler, PI-Regler oder PID-Regler, bestimmt, welcher die erfasste Spannung zugeführt und der Sollwert vorgegeben ist.

Bei einer vorteilhaften Ausgestaltung weist ein Spulenkern zumindest zwei Teile auf, wobei zumindest eines der beiden Teile einen Mittelschenkel und Außenschenkel aufweist, wobei der Mittelschenkel durch eine Ausnehmung der ersten Leiterplatte und durch eine Ausnehmung der zweiten Leiterplatte hindurchragt, wobei die Windungen der Primärwicklung und der Sekundärwicklung um den Mittelschenkel herum geführt sind. Von Vorteil ist dabei, dass nach Oberflächenmontage der zweiten Leiterplatte auf die erste Leiterplatte und somit auch nach Bestückung der ersten Leiterplatte mit Bauelementen der erste Teil des Spulenkerns von einer Seite der ersten Leiterplatte her kommend und der andere Teil des Spulenkerns von der anderen Seite der zweiten Leiterplatte her kommend aufgeschoben wird. Somit ragt dann der Mittelschenkel durch die Ausnehmung der beiden Leiterplatten hindurch. Die Windungen beider Wicklungen sind um den

Mittelschenkel herumgeführt. Somit ist eine effektive induktive Kopplung zwischen

Primärwicklung und Sekundärwicklung erreichbar. Da auch Außenschenkel vorgesehen sind, welche auf beiden Seiten der ersten Leiterplatte mittels eines jeweiligen Jochteils mit dem Mittelschenkel verbunden sind, ist ein hoher Wirkungsgrad bei der induktiven Kopplung erreichbar.

Weitere Vorteile ergeben sich aus den Unteransprüchen. Die Erfindung ist nicht auf die Merkmalskombination der Ansprüche beschränkt. Für den Fachmann ergeben sich weitere sinnvolle Kombinationsmöglichkeiten von Ansprüchen und/oder einzelnen

Anspruchsmerkmalen und/oder Merkmalen der Beschreibung und/oder der Figuren, insbesondere aus der Aufgabenstellung und/oder der sich durch Vergleich mit dem Stand der Technik stellenden Aufgabe.

Die Erfindung wird nun anhand von schematischen Abbildungen näher erläutert:

In der Figur 1 ist eine Schrägansicht eines erfindungsgemäßen Schaltnetzteils gezeigt.

In der Figur 2 ist das Schaltnetzteil aus einem anderen Blickwinkel gezeigt.

Wie in den Figuren dargestellt, weist das Schaltnetzteil eine erste Leiterplatte 7, welche mit Bauteilen in SMD-Technik bestückt ist. Dabei weisen die Bauteile Lötflächen auf oder

Anschlussfüsse, welche für die Oberflächenmontage mittels Lötverbindung geeignet sind. Ein Durchführen von Anschlussfüssen durch eine durchgehende Bohrung in der ersten

Leiterplatte 7 entfällt also.

Außerdem ist eine zweite Leiterplatte 3 an ihrem Außenumfang mit Lötflächen ausgeführt, auf die erste Leiterplatte 7 direkt, insbesondere also berührend, aufgelegt und mittels SMD- Technik verbunden, also mittels Lötverbindung der Lötflächen der zweiten Leiterplatte 3 mit Leiterbahnen der ersten Leiterplatte 7.

Die erste und zweite Leiterplatte (3, 7) ist jeweils mehrlagig ausgeführt.

Ein aus zwei Teilen zusammengesetzter Spulenkern weist drei Schenkel auf, wobei zumindest der mittlere der drei Schenkel durch eine durch die erste Leiterplatte 7 und durch die zweite Leiterplatte 3 hindurchgehende Ausnehmung geführt ist.

Das Schaltnetzteil weist einen induktiven Übertrager auf, der eine Primärwicklung und eine Sekundärwicklung aufweist. Die Primärwicklung wird von einem mittels eines Transistors gesteuerten Starkstroms durchflossen, wobei Spannungen von mehr als 800 V vorgesehen sind. Solche Spannungen werden hier und im Folgenden als Hochspannung bezeichnet. Sekundärseitig ist eine Niedervoltspannung vorgesehen.

Vorzugsweise ist die erste Leiterplatte 7 vierlagig ausgeführt und die zweite Leiterplatte 3 achtlagig.

Dabei sind zwei Windungen der Sekundärwicklung in den beiden äußeren Lagen der zweiten Leiterplatte 3 angeordnet und führen somit Niederspannung. Weitere Windungen der Sekundärwicklung sind auf der ersten Leiterplatte 7 angeordnet, nämlich auf den beiden äußeren Lagen der ersten Leiterplatte 7 und in den beiden mittleren Lagen der ersten

Leiterplatte 7, insbesondere also in der vierten und fünften Lage der ersten Leiterplatte 7. Diese weiteren Windungen führen somit ebenfalls Niederspannung.

Zwei Windungen der Primärwicklung sind in den mittleren Lagen der zweiten Leiterplatte 3 angeordnet, also in der zweiten und dritten Lage der zweiten Leiterplatte 3. Somit führen die zweite und dritte Lage der zweiten Leiterplatte 3 Hochspannung.

Weitere Windungen der Primärwicklung sind in der zweiten und dritten sowie sechsten und siebten Lage der ersten Leiterplatte 7 angeordnet und führen somit Hochspannung, also mehr als 800 Volt. Dabei wird die Spannung stets gegen Masse, insbesondere also elektrisch Erde, gemessen.

Da bei beiden Leiterplatten (3, 7) die beiden äußeren Lagen jeweils Niederspannung führen, ist ein direktes, also berührendes, Auflegen der zweiten Leiterplatte 3auf die erste Leiterplatte 7 ermöglicht, ohne dass besondere Maßnahmen zur Verbesserung der elektrischen

Isolationsfestigkeit und/oder Isolierung notwendig sind. Es genügt also beispielsweise eine dünne Lackschicht auf den äußeren Lagen, um eine ausreichende Isolierung zu erhalten.

Innerhalb der jeweiligen Leiterplatte sind die Lagen mittels Trägermaterial der Leiterplatte 3 und 7 jeweils derart gut beabstandet, dass eine genügend hohe Isolationsfestigkeit besteht.

Wie oben beschrieben weist also die Sekundärwicklung die Windungszahl Sechs auf und die Primärwicklung ebenfalls die Windungszahl Sechs.

In Weiterbildung sind aber auch zwei oder drei Windungen der Primärwicklung parallel schaltbar, so dass der Primärstrom sich entsprechend aufteilt und die Windungszahl Drei oder Zwei beträgt.

Da die zweite Leiterplatte 3 wie andere Bauteile auch oberflächenmontiert sind, ist die

Bestückung der ersten Leiterplatte 7 mit den Bauteilen und auch der zweiten Leiterplatte 3 im gleichen Herstellverfahrensschritt ausführbar. Dabei werden die Bauteile und auch die zweite Leiterplatte 3 mittels einer Haltevorrichtung relativ zur ersten Leiterplatte 7 fixiert und dann durch ein Wellenlötbad geführt. Somit ist dann die SMD-Montage in einfacher Art und Weise ausführbar.

Eines dieser Bauteile ist ein Transistor, welcher den Primärstrom steuert, also große Ströme schalten muss. Dabei liegt an dem Transistor Hochspannung an.

Der Transistor 1 weist an seinem Gehäuse eine Anschlussfläche 12, insbesondere

Anschlusspad für Drain des Transistors 1 , auf, welche direkt lötverbindbar ist mit einer Leiterbahn, welche an der äußeren Oberfläche der ersten Leiterplatte 7 angeordnet ist. Die Anschlussfläche 12 liegt also am Gehäuse an und bildet einen Teil der Oberfläche des Transistors.

Aus dem Gehäuse des Transistors 1 ragen auch ein Anschlussfuss 6 für den Steuereingang Gate des Transistors 1 und fünf Anschlussfüsse 5 für den Versorgungsanschluss Source des Transistors 1 heraus. Dabei werden die Anschlussfüsse (5, 6) an der Oberfläche der ersten Leiterplatte 7 aufgelegt und dann im genannten Herstellverfahrensschritt lötverbunden. Mittels der Parallelschaltung der Anschlussfüsse 5 für Drain ist ein hoher Strom mittels des

Transistors 1 steuerbar.

Dadurch, dass die Anschlussfläche 12 für Drain an der Unterseite des Transistors 1 angeordnet ist und die Anschlussfüsse 5 an einer Seite des Transistors 1 ist ein hoher Abstand zwischen Drain und Source und somit Kriechstrecken für mehr als 800 Volt, insbesondere mehr als 2000 Volt, realisierbar. Dabei ist die Anschlussfläche 12 an einem möglichst weit von den Anschlussfüssen 5 entfernten Bereich der Unterseite des Transistors 1 angeordnet. Die Anschlussfüsse sind aus mechanischen Gründen und konstruktiven Gründen in der Mitte der Seite des Transistors 1 angeordnet.

Das Gehäuse des Transistors 1 ist vorzugsweise quaderförmig ausgeführt.

Die zwei Teile (9, 10) des Spulenkerns werden von einer Klammer 1 1 aufeinander gedrückt und somit zusammengehalten. Da das erste der beiden Teile 9 von der Oberseite der ersten Leiterplatte 7 her kommend und das andere der beiden Teile 10 von der Unterseite der ersten Leiterplatte 7 her kommend Vorzugsweise wird hier unter Niederspannung eine Spannung von weniger als 50 Volt, insbesondere von weniger als 48 Volt, verstanden.

Mit der Abkürzung NV für Niederspannung, und mit der Abkürzung HV für die Hochspannung führen die Lagen der ersten Leiterplatte 7 Spannungen in der Reihenfolge NV, HV, HV, NV.

Die zweite Leiterplatte 3 führt die Lagen mit der Reihenfolge NV, HV, HV, NV, NV, HV, HV, NV.

Die inneren Lagen sind somit jeweils paarweise mit der gleichen Spannung beaufschlagt. Die äußeren Lagen sind jeweils mit NV beaufschlagt.

Die erste Leiterplatte 7 ist mit der Kühlplatte 2 schraubverbunden, insbesondere mittels schrauben 8. Der T ransistor 1 ist auf der von der Kühlplatte abgewandten Seite der ersten Leiterplatte 7 auf dieser bestückt. Seine Anschlussfläche 12 ist vorzugsweise durchkontaktiert zu einer Leiterbahn auf der der Kühlplatte 2 zugewandten Seite der ersten Leiterplatte 7, welche mit der Kühlplatte 2 wärmeleitend verbunden ist, so dass die vom Transistor 1 erzeugte Wärme über die Kühlplatte 2 abführbar ist an die Umgebung.

Außerdem fungiert die Kühlplatte 2 als Halteteil für die erste Leiterplatte 7 und somit indirekt auch für die von der ersten Leiterplatte 7 gehaltenen Bauelemente sowie die zweite

Leiterplatte 3.

Mittels einer weiteren Schraube 13 ist die Kühlplatte an einem anderen Teil eines

Elektrogeräts schraubverbindbar.

Bei weiteren erfindungsgemäßen Ausführungsbeispielen wird eine andere geradzahlige Anzahl von Lagen der ersten Leiterplatte 7 und/oder eine andere geradzahlige Anzahl der Lagen der zweiten Leiterplatte 3 vorgesehen. Zwar führen dabei wiederum die äußeren Lagen Niederspannung NV, aber die inneren Lagen führen wiederum in abwechselnder Reihenfolge paarweise HV oder NV. Bezugszeichenliste

I Transistor

2 Kühlplatte

3 zweite Leiterplatte

4 Lötpad

5 Anschlussfuss für Source

6 Anschlussfuss für Gate

7 erste Leiterplatte

8 Schaube

9 Spulenkern

10 Spulenkern

I I Klammer

12 Anschlussfläche, insbesondere Anschlusspad für Drain

13 Schraube