赵辉 (中国广东省深圳市南山区高新技术产业园区深圳软件园3栋301、302, Guangdong 7, 518057, CN)
国民技术股份有限公司 (中国广东省深圳市南山区高新技术产业园区深圳软件园3栋301、302, Guangdong 7, 518057, CN)
ZHAO, Hui (Room 301&302, Building No.3Shenzhen Software Park,In Hi-tech Industry Zone, Nanshan Distric, Shenzhen Guangdong 7, 518057, CN)
| 权 利 要 求 书 1. 一种用于低频信号检测及传输的装置， 应用于近距离通信领域， 其 特征在于， 包括一 PCB , 以及集成在 PCB上的用于感应低频磁场信号的磁感 应模块和用于对低频信号进行检测的低频信号处理模块，所述磁感应模块与 低频信号处理模块相连。 2. 根据权利要求 1所述的用于低频信号检测及传输的装置， 其特征在 于， 所述磁感应模块为磁感应线圏， 磁感应线圏的两输出端直接与所述低频 信号处理模块的两输入端相连。 3. 根据权利要求 2所述的用于低频信号检测及传输的装置， 其特征在 于， 所述磁感应线圏环绕在低频信号处理模块周围， 并靠近 PCB边缘。 4. 根据权利要求 2所述的用于低频信号检测及传输的装置， 其特征在 于， 所述磁感应线圏与低频信号处理模块集成于同一个 IC上， 并且所述磁 感应线圏呈绕制方式环绕在低频信号处理模块周围。 5. 根据权利要求 1所述的用于低频信号检测及传输的装置， 其特征在 于， 所述低频信号处理模块包括至少一个低通滤波模块、 至少一个放大器、 至少一个数字 /模拟转换器和至少一个比较器， 所述磁感应模块、 低通滤波 模块、 放大器顺次相连， 所述放大器的输出端与所述比较器的正向输入端相 连， 所述数字 /模拟转换器的输出端与所述比较器的反向输入端相连。 6. 根据权利要求 5所述的用于低频信号检测及传输的装置， 其特征在 于， 所述低频信号处理模块包括一个低通滤波模块、 一个放大器、 两个数字 /模拟转换器和两个比较器， 所述磁感应模块、 低通滤波模块、 放大器顺次 相连， 所述放大器的输出端分别与所述两个比较器的正向输入端相连， 所述 两个数字 /模拟转换器与所述两个比较器组成两路，每一路中数字 /模拟转换 器的输出端与比较器的反向输入端相连， 每上下两路组成一对， 共一对。 7. 根据权利要求 5所述的用于低频信号检测及传输的装置， 其特征在 于， 所述低频信号处理模块包括一个低通滤波模块、 一个放大器、 六个数字 /模拟转换器和六个比较器， 所述磁感应模块、 低通滤波模块、 放大器顺次 相连， 所述放大器的输出端分别与所述六个比较器的正向输入端相连， 所述 六个数字 /模拟转换器与所述六个比较器组成六路，每一路中数字 /模拟转换 器的输出端与比较器的反向输入端相连， 每上下两路组成一对， 共三对。 8. 根据权利要求 5至 7所述的用于低频信号检测及传输的装置， 其特 征在于，所述放大器为双端输入单端输出放大器或者差分输入差分输出放大 器。 9. 根据权利要求 1所述的用于低频信号检测及传输的装置， 其特征在 于， 所述低频信号处理模块至少一个用于放大低频感应信号的放大器、 与放 大器输出端连接的至少一个模数转换器、及与模数转换器连接并用于判断原 始信号的强度及完成信号检测输出的数字处理模块。 10.根据权利要求 9所述的用于低频信号检测及传输的装置， 其特征在 于， 所述放大器为双端输入单端输出放大器或者差分输入差分输出放大器。 11.根据权利要求 1至 7或 9或 1 0任一项所述的用于低频信号检测及传 输的装置， 其特征在于： 所述 PCB为 S IM卡 PCB、 Mi cro-S IM卡 PCB、 TF卡 PCB、 SD卡 PCB或者 UIM卡 PCB。 |
本发明涉及通信领域， 尤其涉及一种用于低频信号检测及传输的装置 。 背景技术
如今， 已经出现了在手机中的 SIM ( Subscr iber Ident i ty Module , 用 户识别模块） 卡上增加射频功能 （称为射频 SIM 卡） 或者手机中的 TF ( T-Flash, 又名 MicroSD )卡上增加射频功能（称为射频 TF卡）或者在手 机主板上增加近距离通信模块来实现手机近距 离通信的方法， 这种方法的出 现使得手机成为一个可以充值、 消费、 交易及身份认证的超级智能终端， 极 大地满足市场的迫切需求。
其中， 基于射频 SIM/TF的手机近距离解决方案以其筒单、 无需更改手 机等优势得到广泛的关注， 在该方案中， 射频 SIM/TF采用 UHF ( Ul tra Hi gh Frequency, 超高频 )等技术使得射频 SIM/TF卡嵌入在手机内部时射频信号 就可使得手机具备近距离通信功能。 但是， 不同手机由于内部结构不同造成 射频信号透射效果存在^艮大的差异， 透射强的手机其射频 SIM/TF卡射频通 信距离可能达到几米远的距离， 透射弱的手机其射频 SIM/TF卡通信距离也 可以达到几十厘米。 在移动支付应用中， 如公交地铁刷卡， 通常都会对于交 易距离有严格的要求以确保交易的安全， 例如交易距离要求限制在 10cm以 下， 以防止用户在不知情的情况下误刷， 造成损失； 另一方面， 还要求在规 定距离以下保证通信的可靠性， 以提高交易的效率。 因此， 基于射频 SIM/TF 的手机在增加近距离通信功能的同时，还必须 能够有效控制其交易的距离范 围。
因此又提出了一种低频交变磁场近距离通讯结 合 RF 高频通讯的系统和 方法， 解决了上述问题。 该系统利用低频交变磁场实现距离检测和控制 ， 并 实现读卡器和卡的单向通讯， 利用 RF通道结合低频通讯实现终端的可靠绑 定， 同时利用 RF通道实现读卡器和卡之间高速的数据通讯。 但是， 该方案 中， 低频信号检测及传输系统在卡上如何实现， 影响了距离检测和控制的精 度， 因此， 如何在卡上实现低频信号检测及传输系统尤其 是如何在卡上实现 磁感应模块为目前亟待解决的问题之一。 发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种用于低 频信号检测及传输的装 置， 以实现低频信号检测及传输。 本发明解决上述技术问题的技术方案如下： 一种用于低频信号检测及传 输的装置， 应用于近距离通信领域， 包括一 PCB ( Pr inted Ci rcui t Board, 印刷电路板 ) , 以及集成在 PCB上的用于感应低频磁场信号的磁感应模块和 用于对低频信号进行检测的低频信号处理模块 ， 所述磁感应模块与低频信号 处理模块相连。 本发明的有益效果是： 集成在 PCB上的并相互连接的用于感应低频磁场 信号的磁感应模块和用于对低频信号进行检测 的低频信号处理模块，可实现 低频信号检测及传输， 并且通过在 PCB上的集成， 可以实现装置的小型化和 微型化， 使手机实现近距离通信。 在上述技术方案的基础上， 本发明还可以做如下改进。 进一步， 所述磁感应模块为磁感应线圏， 磁感应线圏的两输出端直接与 所述低频信号处理模块的两输入端相连。 进一步， 所述磁感应线圏环绕在低频信号处理模块周围 ， 并靠近 PCB边
采用上述进一步方案的有益效果是， 充分利用了低频信号处理模块与 PCB边缘之间的区域， 增加有效线圏的面积， 有利于信号的接收， 抗干扰能 力强。 进一步， 所述磁感应线圏与低频信号处理模块集成于同 一个 IC上， 并 且所述磁感应线圏呈绕制方式环绕在低频信号 处理模块周围。 采用上述进一步方案的有益效果是，所述磁感 应线圏与低频信号处理模 块设集成于同一个 IC上可以节省磁感应线圏和低频信号处理模块 空间占 用， 所述磁感应线圏呈绕制方式环绕在低频信号处 理模块周围可提高磁感应 线圏的有效面积， 提高信号接收能力。 采用磁感应线圏作为磁感应模块集成于 PCB上，使得磁感应线圏与低频 信号处理模块同时集成在同一块 PCB上， 并且环绕在 PCB边缘与低频信号处 理模块之间或者呈绕制方式环绕在低频信号处 理模块周围，保证其能够感应 低频磁场信号的同时节省空间的占用。 进一步， 所述低频信号处理模块包括至少一个低通滤波 模块、 至少一个 放大器、 至少一个数字 /模拟转换器和至少一个比较器， 所述磁感应模块、 低通滤波模块、 放大器顺次相连， 所述放大器的输出端与所述比较器的正向 输入端相连， 所述数字 /模拟转换器的输出端与所述比较器的反向输 端相 连。 进一步， 所述低频信号处理模块包括一个低通滤波模块 、 一个放大器、 两个数字 /模拟转换器和两个比较器， 所述磁感应模块、 低通滤波模块、 放 大器顺次相连， 所述放大器的输出端分别与所述两个比较器的 正向输入端相 连， 所述两个数字 /模拟转换器与所述两个比较器组成两路， 每一路中数字 / 模拟转换器的输出端与比较器的反向输入端相 连， 每上下两路组成一对， 共 一对。 进一步， 所述低频信号处理模块包括一个低通滤波模块 、 一个放大器、 六个数字 /模拟转换器和六个比较器， 所述磁感应模块、 低通滤波模块、 放 大器顺次相连， 所述放大器的输出端分别与所述六个比较器的 正向输入端相 连， 所述六个数字 /模拟转换器与所述六个比较器组成六路， 每一路中数字 / 模拟转换器的输出端与比较器的反向输入端相 连， 每上下两路组成一对， 共 三对。 进一步，所述低频信号处理模块至少一个用于 放大低频感应信号的放大 器、 与放大器输出端连接的至少一个模数转换器、 及与模数转换器连接并用 于判断原始信号的强度及完成信号检测输出的 数字处理模块。 进一步，所述放大器为双端输入单端输出放大 器或者差分输入差分输出 放大器。 进一步， 所述 PCB为 SIM卡 PCB、 Micro- SIM卡 PCB、 TF卡 PCB、 SD卡 PCB或者 UIM卡 PCB。 采用上述进一步方案的有益效果是，由于采用 SIM卡、 Micro-S IM卡 PCB、 TF卡、 SD卡或者 UIM卡作为用于低频信号检测及传输的装置的本 体， 使得 本发明用于低频信号检测及传输的装置能够集 成于手机之中，从而实现手机 的低频信号检测及传输， 进而使手机实现近距离通信功能。 附图说明 图 1为本发明实施方式 1中磁感应模块和低频信号处理模块的结构图 图 2为本发明实施方式 1中磁感应模块和低频信号处理模块应用于 SIM 卡 /Micro-SIM卡上的一种具体实现结构图； 图 3为本发明实施方式 1 中磁感应模块和低频信号处理模块应用于 TF 卡上的一种具体实现结构图； 图 4为本发明实施方式 1 中磁感应模块和低频信号处理模块应用于 TF 卡上的另一种具体实现结构图； 图 5为本发明实施方式 1中磁感应模块和低频信号处理模块应用于 S IM 卡 /Mi cro-S IM卡上的另一种具体实现结构图； 图 6为本发明实施方式 2中磁感应模块和低频信号处理模块的结构图 图 7为本发明实施方式 3中磁感应模块和低频信号处理模块的结构图 图 8为本发明实施方式 4中磁感应模块和低频信号处理模块的结构图 图 9为本发明实施方式 1中磁感应模块和低频信号处理模块应用于 S IM 卡 /Mi cro-S IM卡上的又一种具体实现结构图； 图 1 0为本发明实施方式 1中磁感应模块和低频信号处理模块应用于 TF 卡上的又一种具体实现结构图。 具体实施方式 以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述 ， 所举实例只用于解释本 发明， 并非用于限定本发明的范围。
本发明的主要构思是， 在卡上尤其是 S IM卡 /Mi cro-S IM卡、 TF卡等卡 上实现低频信号侧检测和传输， 即把本申请人在先申请的一种用于低频信号 检测及传输系统的模拟前端装置（申请号 201010166186. X)、一种用于低频信 号检测及传输系统的差分模拟前端装置（申请 号 201010166191. 0)、一种用于 低频磁场信号检测和传输及距离判断的方法和 装置（申请号 201010166432. 1) 三项专利申请在 S IM卡 /Mi cro-S IM卡、 TF卡等卡上进行具体化的应用， 通 过合理化应用提高低频交变磁场距离检测和控 制的精度的基础上降低成本。 其内部的具体结构及实现方式可参考上述三项 专利申请。
实施方式 1 图 1为本发明实施方式 1中磁感应模块和低频信号处理模块的结构图 其中包括一个磁感应模块 100和低频信号处理模块 10 , 低频信号处理模块 10还包括了一个低通滤波模块 104、一个放大器 101、数字 /模拟转换器 102、 数字 /模拟转换器 105和比较器 103、 比较器 106 , 磁感应模块 100、 低通滤 波模块 104、 放大器 101顺次相连， 放大器 101的输出端分别与比较器 103、 比较器 106的正向输入端相连，数字 /模拟转换器 102、数字 /模拟转换器 105 与比较器 103、 比较器 106组成两路，每一路中数字 /模拟转换器的输出端与 比较器的反向输入端相连，每上下两路组成一 对，共一对。其中，放大器 101 可为双端输入单端输出放大器或者差分放大器 。 低频信号处理模块 10可以 作成一个 IC (集成电路） 。 图 2为本发明实施方式 1中磁感应模块和低频信号处理模块应用于 S IM 卡 /Micro-SIM卡上的一种具体实现结构图。如图 2所示，本具体实现结构中， 用于低频信号检测及传输的装置在一个 SIM卡 /Micro-SIM卡的 PCB上实现， 低频信号处理模块 10作成一个独立的 IC与作为磁感应模块 100的磁感应线 圏作在 SIM卡 /Micro-SIM卡 PCB上（筒称： 线圏 PCB实现方式）， 包括一个 磁感应线圏、 一个^ 频信号处理模块 10 的 IC , 磁感应线圏环绕在 SIM卡 /Micro-SIM卡 PCB边缘与低频信号处理模块 10之间， 磁感应线圏的两输出 端直接与低频信号处理模块 10的 IC中的低通滤波模块 104输入端相连。低 频信号处理模块 10的 IC内部包括一个低通滤波模块 104、一个放大器 101、 数字 /模拟转换器 102、数字 /模拟转换器 105和比较器 103、 比较器 106 , 低 通滤波模块 104、 放大器 101顺次相连， 放大器 101的输出端分别与比较器 103、 比较器 106的正向输入端相连， 数字 /模拟转换器 102、数字 /模拟转换 器 105与比较器 103、 比较器 106组成两路，每一路中数字 /模拟转换器的输 出端与比较器的反向输入端相连， 每上下两路组成一对， 共一对。 其中， 放 大器 101可为双端输入单端输出放大器或者差分放大 器。因 SIM卡面积比 TF 卡面积大， SIM卡上实现此装置优先选择这种方式；对于 Micro-SIM卡来说， 虽然其面积小于 SIM卡， 但也可以选择这种方式。 图 3为本发明实施方式 1 中磁感应模块和低频信号处理模块应用于 TF 卡上的一种具体实现结构图。 如图 3所示， 本具体实现结构中， 用于低频信 号检测及传输的装置在一个 TF卡的 PCB上实现，低频信号处理模块 10作成 一个独立的 IC与作为磁感应模块 100的磁感应线圏作在 TF卡 PCB上（筒称： 线圏 PCB实现方式） ， 包括一个磁感应线圏、 一个低频信号处理模块 10的 IC, 磁感应线圏环绕在 TF卡 PCB边缘与低频信号处理模块 10之间， 磁感应 线圏的两输出端直接与低频信号处理模块 10的 IC中的低通滤波模块 104输 入端相连。 低频信号处理模块 10的 IC内部结构和连接方式与图 2 中的 IC 内部结构和连接方式一样， 包括一个低通滤波模块 104、 一个放大器 101、 数字 /模拟转换器 102、数字 /模拟转换器 105和比较器 103、 比较器 106 , 低 通滤波模块 104、 放大器 101顺次相连， 放大器 101的输出端分别与比较器 103、 比较器 106的正向输入端相连， 数字 /模拟转换器 102、数字 /模拟转换 器 105与比较器 103、 比较器 106组成两路，每一路中数字 /模拟转换器的输 出端与比较器的反向输入端相连， 每上下两路组成一对， 共一对。 其中， 放 大器 101可为双端输入单端输出放大器或者差分放大 器。 图 4为本发明实施方式 1 中磁感应模块和低频信号处理模块应用于 TF 卡上的另一种具体实现结构图。 如图 4所示， 本具体实现结构中， 用于低频 信号检测及传输的装置作为一个 IC作在一个 TF卡的 PCB上，低频信号处理 模块 10作为 IC的核心电路与作为磁感应模块 100的磁感应线圏作在同一 IC 上（筒称： 线圏 IC实现方式） ， 并且磁感应线圏呈绕制方式环绕在低频信 号处理模块 10周围。低频信号处理模块 10的电路的结构以及与磁感应线圏 的连接方式， 和图 2、 图 3的电路的结构和连接方式一样， 此处不再赘述。 这种实现方式的优点是面积小， 因 TF卡面积比 SIM卡面积小， TF卡上实现 此装置优先选择这种方式。 图 5为本发明实施方式 1中磁感应模块和低频信号处理模块应用于 S IM 卡 /Micro-SIM卡上的另一种具体实现结构图。如图 5所示，本具体实现结构 中，用于低频信号检测及传输的装置作为一个 IC作在一个 SIM卡 /Mi cro-SIM 卡的 PCB上，低频信号处理模块 10作为 IC的核心电路与作为磁感应模块 100 的磁感应线圏作在同一 IC上（筒称： 线圏 IC实现方式） ， 并且磁感应线圏 呈绕制方式环绕在低频信号处理模块 10周围。低频信号处理模块 10的电路 的结构以及与磁感应线圏的连接方式和图 2、 图 3、 图 4所示的电路的结构 和连接方式一样， 此处不再赘述。 这种实现方式的优点是面积小， 因 Micro-SIM卡面积比 SIM卡面积小， Micro-SIM卡上实现此装置优先选择这 种方式。
实施方式 2 图 6为本发明实施方式 2中磁感应模块和低频信号处理模块的结构图 其中包括磁感应模块 100和低频信号处理模块 10 , 低频信号处理模块 10还 包括了低通滤波模块 104、放大器 101、数字 /模拟转换器 102和比较器 103 , 磁感应模块 100、 低通滤波模块 104、 放大器 101顺次相连， 放大器 101的 输出端与比较器 103的正向输入端相连， 数字 /模拟转换器 102的输出端与 比较器 103的反向输入端相连。 其中， 放大器 101可为双端输入单端输出放 大器或者差分放大器。 放大器 101对输入的微弱信号进行预放大， 数字 /模 拟转换器 102将由数字控制器输出的数字信号转换为模拟 信号， 然后利用比 较器 103对两个信号进行比较， 得到需要的数字信号， 传输到数字控制器中 进行处理。 这里所提到的数字控制器属于低频检测及传输 系统， 但不属于模 拟前端，其作用是根据比较器输出进行比较器 和数字 /模拟转换器打开 /关断 模式的控制。 低频信号处理模块 10可以作成一个 IC (集成电路） 。 图 6所示的实施方式 2的磁感应模块和低频信号处理模块的结构， 用 于 SIM卡 /Micro-SIM卡或者 TF卡中的方式， 与实施方式 1中的线圏 PCB实 现方式（图 2、 图 3 )和线圏 IC实现方式（图 4、 图 5 )相同， 此处不再赘 述。
实施方式 3 图 7为本发明实施方式 3中磁感应模块和低频信号处理模块的结构图 其中包括磁感应模块 100和低频信号处理模块 10 , 低频信号处理模块 10还 包括了一个低通滤波模块 104、一个放大器 201、六个数字 /模拟转换器 202、 203、 204和六个比较器 205、 206、 207 , 放大器 201的输出端分别与六个比 较器 205、 206、 207的正向输入端相连， 六个数字 /模拟转换器 202、 203、 204与六个比较 205、 206、 207器组成六路， 每一路中数字 /模拟转换器的输 出端与比较器的反向输入端相连， 每上下两路组成一对， 共三对。 其中， 放 大器 101可为双端输入单端输出放大器或者差分放大 器。低频信号处理模块 10可以作成一个 IC (集成电路） 。 图 Ί所示的实施方式 3的磁感应模块和低频信号处理模块的结构， 用 于 SIM卡 /Micro-SIM卡或者 TF卡中的方式， 与实施方式 1中的线圏 PCB实 现方式（图 2、 图 3 )和线圏 IC实现方式（图 4、 图 5 )相同， 此处不再赘 述。
实施方式 4 图 8为本发明实施方式 4中磁感应模块和低频信号处理模块的结构图 其中包括磁感应模块 100和低频信号处理模块 10 , 低频信号处理模块 10还 包括了用于放大低频感应信号的放大器 201、 与放大器输出端连接的模数转 换器 210、 与模数转换器 210连接并用于判断原始信号的强度及完成信号 检 测输出的数字处理模块 211。 本实施方式的装置采集并放大微弱低频信号， 经过模数转换， 数字算法， 最后完成距离控制和交易通讯。
图 8所示的实施方式 4的磁感应模块和低频信号处理模块的结构， 用 于 SIM卡 /Micro-SIM卡或者 TF卡中的方式， 与实施方式 1中的线圏 PCB实 现方式（图 2、 图 3 )和线圏 IC实现方式（图 4、 图 5 )相同， 此处不再赘 述。
图 9为本发明实施方式 1中磁感应模块和低频信号处理模块应用于 S IM 卡 /Mi cro-S IM卡上的又一种具体实现结构图。如图 9所示，本具体实现结构 中， 用于低频信号检测及传输的装置在一个 S IM卡 PCB上实现， 低频信号处 理模块 10中除了低通滤波模块 104以外的电路部分作成一个独立的 IC与低 通滤波模块 104和作为磁感应模块 100的磁感应线圏作在 S IM卡 PCB上， 包 括一个磁感应线圏、 一个低通滤波模块 104 和一个 IC , 磁感应线圏环绕在 S IM卡 /Mi cro-S IM卡 PCB边缘与低频信号处理模块 10之间， 磁感应线圏的 两输出端直接与低通滤波模块 104输入端相连， 低通滤波模块 104与 IC中 的放大器 101输入端相连。 IC内部包括一个放大器 101、 数字 /模拟转换器
102、 数字 /模拟转换器 105、 比较器 103和比较器 106 , 低通滤波模块 104、 放大器 101顺次相连， 放大器 1 01的输出端分别与比较器 103、 比较器 106 的正向输入端相连， 数字 /模拟转换器 102、 数字 /模拟转换器 105与比较器
103、 比较器 106组成两路， 每一路中数字 /模拟转换器的输出端与比较器的 反向输入端相连， 每上下两路组成一对， 共一对。 其中， 放大器 101可为双 端输入单端输出放大器或者差分放大器。 IC内部也可以是实施方式 2的图 6 、 实施方式 3的图 7中低频信号处理模块 10中除低通滤波模块 104以外的其 他部分。
图 10为本发明实施方式 1中磁感应模块和低频信号处理模块应用于 TF 卡上的又一种具体实现结构图。 如图 1 0所示， 本具体实现结构中， 用于低 频信号检测及传输的装置在一个 TF卡 PCB上实现，低频信号处理模块 10中 除了低通滤波模块 1 04以外的电路部分作成一个独立的 IC与低通滤波模块 104和作为磁感应模块 100的磁感应线圏作在 TF卡 PCB上，包括一个磁感应 线圏、 一个低通滤波模块 1 04和一个 IC , 磁感应线圏环绕在 TF卡 PCB边缘 与低频信号处理模块 10之间， 磁感应线圏的两输出端直接与低通滤波模块 104输入端相连， 低通滤波模块 104与 IC中的放大器 101输入端相连。 IC 内部包括一个放大器 101、数字 /模拟转换器 102、数字 /模拟转换器 105、 比 较器 103和比较器 106 , 低通滤波模块 104、 放大器 101顺次相连， 放大器 101的输出端分别与比较器 103、 比较器 106的正向输入端相连， 数字 /模拟 转换器 102、 数字 /模拟转换器 105与比较器 103、 比较器 106组成两路， 每 一路中数字 /模拟转换器的输出端与比较器的反向输入端 连， 每上下两路 组成一对， 共一对。 其中， 放大器 101可为双端输入单端输出放大器或者差 分放大器。 IC内部也可以是实施方式 2的图 6 、 实施方式 3的图 7中低频 信号处理模块 10中除低通滤波模块 104以外的其他部分。
以上所述的放大器均可采用双端输入单端输出 放大器或者差分输入差 分输出放大器。
以上所述的 SIM卡不仅包括现在最常用的长 25 宽 15 mm的 S IM卡， 还包括其他尺寸的 SIM卡， Mi cro_SIM卡不仅包括长 15 mm、 宽 12 mm 的 Micro-SIM卡，还包括其他尺寸的 Micro-SIM卡。 以上所述的线圏 IC实现方 式和线圏 PCB实现方式除了在 SIM卡、 Micro-SIM卡和 TF卡实现之外，还可 在 SD卡、 UIM卡等及其他可放置在手机里的存储的卡上实 现。 以上所述仅为本发明的较佳实施例， 并不用以限制本发明， 凡在本发明 的精神和原则之内， 所作的任何修改、 等同替换、 改进等， 均应包含在本发 明的保护范围之内。
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