Vorrichtung und Verfahren zur Messung von Höhenprofilen an einem Objekt

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung, ein System und ein Verfah ren zur Messung von Oberflächenprofilen oder Höhenprofilen auf flachen Ob jekten, insbesondere auf Wafern der Halbleiterindustrie. Die Vorrichtung um- fasst einen Strahlteiler zum Aufteilen eines monochromatischen Lichtstrahls und zum Weiterleiten eines Teilstrahls zu dem Objekt. Das System umfasst die optische Vorrichtung, eine Detektoreinheit, eine Lichtquelle und eine Signalaus werteeinheit zum Ermitteln des Oberflächenprofils.

In vielen Industriezweigen werden Oberflächenprofile von flächigen Produkten mit bildgebenden Verfahren optisch vermessen. Beispielsweise werden in der Halbleiterindustrie die Oberflächen von Wafern vermessen. Wafer sind Schei ben aus Halbleiter-, Glas-, oder Keramikmaterialien. Sie werden in bestimmten Anwendungen typischerweise ganzflächig oder zumindest auf großen Teilflä chen geprüft. Auf den Wafern werden die Schaltkreise („Chips“) hergestellt, die später vielfältige Aufgaben in elektronischen Geräten der Rechentechnik, Sen sorik, Steuerung und Überwachung erfüllen.

Zur elektrischen Kontaktierung der Schaltkreise wurden in herkömmlichen Ver fahren Drähte vom Chip-Gehäuse auf den Chip geführt und dort auf metalli schen Kontaktflächen befestigt. Mit der fortschreitenden Miniaturisierung und der immer höheren Integration ist es Stand der Technik geworden, die Kontakte durch das Aufbringen von Lötzinnkugeln auf die Kontaktstellen auf dem Chip herzustellen. Dies geschieht bereits, wenn sich der Chip noch im Waferverbund befindet, also der Wafer noch nicht zersägt wurde, um die einzelnen Chips zu vereinzeln. Die Kontakte können dadurch über die gesamte Chipfläche verteilt werden („Ball grid Arrays“). Die Kontaktierung erfolgt durch Einsetzen des Chips in ein entsprechend mit Kontaktflächen versehenes Gehäuse, wobei durch Er wärmung und Druck das Lötzinn angeschmolzen und der Kontakt hergestellt wird. Für die erfolgreiche Kontaktierung nach diesem Verfahren ist die gleich mäßige Höhe der Lötzinn-Kontaktkugeln von entscheidender Bedeutung.

Gegenwärtig wird für dieses Verfahren von Lötzinnkugeln zu Kupferzylindern übergegangen, welche nur noch mit einer sehr dünnen Lötzinnkappe zur elektri schen Kontaktherstellung versehen sind. Die Kontaktstrukturen können dadurch noch kleiner ausgeführt und dichter platziert werden. Da das Kupfer nicht wie das Lötzinn duktil ist, reduzieren sich die zulässigen Höhentoleranzen für dieses neuere Verfahren deutlich.

Es ist daher erforderlich, die Kontaktstrukturen (Lötzinnkugeln oder Kupferzy linder) auf ihre Höhe hin noch genauer als bisher zu prüfen. Dafür werden schnelle und genaue Messverfahren benötigt, die eine präzise und möglichst vollständige Messung der Kontaktstrukturhöhen ermöglichen. Die vollständige Vermessung aller Kontakte wird insbesondere als vorteilhaft angesehen, weil bereits ein einzelner abweichender Kontakt das fertige Bauelement unbrauch bar machen kann. Es wird daher besonders auf eine hohe Messgeschwindigkeit Wert gelegt. Typischerweise haben aktuelle Kontaktstrukturen Durchmesser von einigen 10 pm mit stark fallender Tendenz. Das Aspektverhältnis (Verhält nis von Höhe zu Durchmesser) liegt meist bei ca. 1.

Gleichzeitig werden derzeit auch Verfahren entwickelt, mehrere Chips in einem Verbund zu stapeln. Dabei soll auf die Verwendung von erhabenen Kontaktie rungsstrukturen nahezu vollständig verzichtet werden. Diese Verfahren werden sowohl für die Integration im Waferverbund als auch für einzelne Chips, die je weils auf einen noch im Waferverbund befindlichen Chip aufgesetzt werden, untersucht. Auch bei diesen Verfahren besteht großer Bedarf an einer genauen und schnellen Profilmessung, um die hohen Anforderungen an die Planarität der Oberflächen im unteren Nanometer-Bereich gewährleisten zu können.

Die typischen Größen für die Kontaktstrukturen dieser Verfahren sind Durch- messer im einstelligen pm-Bereich und Profilhöhen von wenigen nm bis einigen 10 nm.

Analoge Aufgabenstellungen sind für andere Strukturen und in anderen Indust riezweigen zu lösen. Solche Aufgaben sind z.B. die Vermessung der Höhe von Leiterbahnen und anderen Strukturen auf Elektronik-Boards (Leiterplatten) oder die Vermessung einer Vielzahl von mechanisch-elektrischen Systemkompo nenten (MEMS) wie Beschleunigungs-, Druck- und Geschwindigkeitssensoren oder Gyroskopen.

All diese Anwendungen weisen eine Reihe von Gemeinsamkeiten auf. Es be steht bei allen der Bedarf an einer schnellen Prüfung einer hohen Anzahl von in der Regel gleichartigen Prüflingen, wie Leiterplatten, Wafern, Displays und ähn lichen Objekten. Auch der Einsatz von Sensoren zur Erzeugung von Profil und/oder Höhendaten der untersuchten Strukturen ist bei den Anwendungen gleich. Weiterhin erfordern die hier betrachteten Anwendungen nicht zwingend ein lateral hoch aufgelöstes 3-dimensionales Abbild. In manchen Fällen ist zum Teil bereits ein Wert (wie die Kappenhöhe der oben diskutierten Kontaktkugeln und Zylinder) für die Prüfung ausreichend.

Stand der Technik

Herkömmliche Verfahren für die Höhenvermessung nutzen Punktsensoren, Zeilensensoren oder Flächensensoren. Flächige Sensoren, die z.B. auf Verfah- ren der Deflektometrie basieren, oder Weißlichtinterferometer haben den Vor teil, eine Fläche im Ganzen zu erfassen. Bei der Deflektometrie wird die zu ver messende Fläche als Spiegel benutzt, durch den eine regelmäßig strukturierte Lichtquelle betrachtet wird. Die Höhenvariation des Objektes schlägt sich in der Verzerrung des Spiegelbildes nieder und kann daraus extrahiert werden. Das Verfahren ist sehr schnell, jedoch in seiner lateralen Auflösung begrenzt und daher für die beschriebene Aufgabe nicht oder nur bedingt einsetzbar.

Bei der Weißlichtinterferometrie muss eine Serie von Aufnahmen mit unter schiedlichen Abständen zum Objekt oder zum Interferometerspiegel erfolgen. Dies ist für eine vollflächige Inspektion eines Wafers insgesamt zu langsam. Zeilensensoren nutzen z.B. Triangulation, Stereometrie oder chromatisch kon- fokale Abbildung. Jedes dieser Verfahren weist beim Übergang zu kleinen Kon takten Messartefakte auf, die die exakte Messung schwierig bis unmöglich ma chen, oder die Verfahren sind wiederum zu langsam. Bei den herkömmlichen Einsatzvarianten von Punktsensoren ist eine sehr genaue Positionierung auf die Kontaktstruktur erforderlich. Da die laterale Platzierung der Kontakte selbst in die Größenordnung der Auflösung der Sensoren kommt, ist dies zeitaufwän dig und zunehmend fehlerbehaftet.

Offenbarung der Erfindung Es ist Aufgabe der Erfindung, ein verbessertes System und eine verbesserte Vorrichtung zum Erfassen eines Oberflächenprofils einer Objektoberfläche ei nes Objekts mittels interferometrischer Abstandsmessung vorzuschlagen, die es insbesondere erlauben, eine Vermessung der Höhen auch kleiner Kontakt strukturen in kürzerer Zeit mit hoher Genauigkeit zu ermöglichen. Gelöst wird die Aufgabe mit einer optischen Vorrichtung mit den Merkmalen des Anspruchs 1 , einem System mit den Merkmalen des Anspruchs 3 und mit einem Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 15.

Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung umfasst eine optische Vor richtung mit einen Strahlaufspalter zum Aufspalten eines Lichtstrahls einer Lichtquelle in einen ersten Teilstrahl und einen zweiten Teilstrahl, einen Strahl teiler zum Aufteilen jedes Teilstrahls der Lichtquelle in einen Referenzstrahl und einen Messstrahl und einen Spiegel zur Reflexion der beiden Referenzstrahlen. Jeder Messstrahl wird zur Reflexion auf einen Messbereich auf der Objektober fläche und nach Reflexion als Objektstrahl zu dem Strahlteiler zurückgeleitet. Jeder Referenzstrahl wird an dem Spiegel reflektiert und als Spiegelstrahl zu dem Strahlteiler geleitet. Der Spiegel ist derart ausgebildet, dass die beiden re flektierten Referenzstrahlen, also die Spiegelstrahlen einen Phasenunterschied aufweisen. Der Objektstrahl und der Spiegelstrahl interferieren jeweils nach Auftreffen auf den Strahlteiler und werden jeweils als Auswertungsstrahl je einer Detektoreinheit zum Auswerten zugeführt. Die beiden Auswertungsstrahlen weisen beim Auftreffen auf die Detektoreinheit einen Phasenunterschied auf.

Die Vorrichtung umfasst erfindungsgemäß eine Detektoreinheit zum Detektie- ren der Auswertungsstrahlen und eine Signalauswerteeinheit zum Auswerten der detektierten Auswertungsstrahlen und Ermitteln des Oberflächenprofils. zum Ermitteln des Oberflächenprofils wird jeder Messstrahl zur Reflexion auf einen Messbereich auf der Objektoberfläche geleitet und nach Reflexion als Objektstrahl zu dem Strahlteiler geleitet. Jeder Referenzstrahl wird an dem Spiegel reflektiert und als Spiegelstrahl zu dem Strahlteiler geleitet. Der jewei- lige Objektstrahl und der korrespondierende Spiegelstrahl interferieren nach Auftreffen auf den Strahlteiler und werden als Auswertungsstrahl je einer De tektoreinheit zum Auswerten zugeführt.

Die Signalauswerteeinheit ermittelt die Intensitäten der beiden Auswertungs strahlen und ermittelt durch Nutzung der Intensitäten der beiden Auswertestrah- len ein Höhenprofil der Oberfläche. Für das Höhenprofil wird der Einfluss des Reflexionsgrades der Oberfläche auf die gemessenen Intensitäten rechnerisch kompensiert. Dadurch lässt sich für Objektoberflächen mit nicht 100% Reflexion sowie für Objektoberflächen mit unterschiedlichen Reflexionskoeffizienten in nerhalb eines zu vermessenden Bereichs ein korrektes Profil ermitteln. Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung umfasst das System zum Erfassen des Oberflächenprofils einer Objektoberfläche eines Objekts mit tels interferometrischer Abstandsmessung eine Lichtquelle zum Erzeugen ei nes monochromatischen Lichtstrahls und die oben beschriebene optische Vor richtung. Erfindungsgemäß weisen die beiden Auswertungsstrahlen, die auf die Detek toreinheit treffen, einen Phasenunterschied auf, aus dem auf das Oberflächen profil einer Objektoberfläche eines Objekts geschlossen werden kann. Bei bis herigen Anordnungen, die ebenfalls auf der interferometrischen Abstandsmes sung basieren, wird eine sogenannte optische Falle verwendet, um nach Auf spaltung eines Lichtstrahls in zwei Teilstrahlen wenigstens einen Teilstrahl zu absorbieren. Die bekannten Anordnungen sind so ausgebildet, dass einer De tektoranordnung ein nicht interferierender Strahl und ein interferierender Strahl zugeleitet werden. Aus der Auswertung der beiden unterschiedlichen Strahlar ten wird dann auf ein Höhenprofil geschlossen.

Im Rahmen der Erfindung wurde jedoch erkannt, dass es gerade auch möglich ist, zwei interferierende Lichtstrahlen mit einer Detektoreinheit auszuwerten und aus den Messergebnissen mittels einer Signalauswerteeinheit die Höhenprofile zu erfassen. Die Detektoreinheit hat zwei Detektoren, bevorzugt Sensoren oder Kameras. Eine derartige erfindungsgemäße Anordnung hat den Vorteil, dass keine optische Falle (Lichtfalle) verwendet werden muss. Eine optische Falle ist ein optisches Element, das die auftretende Strahlung vollständig absorbiert. Dies lässt sich in der Praxis nur sehr aufwendig und mit großen Schwierigkeiten hersteilen. Gelingt es nicht, nahezu die gesamte Strahlung zu absorbieren, gibt es Störeffekte, die die Messung beeinflussen und das Ergebnis verfälschen können.

Im Rahmen der Erfindung wurde weiter erkannt, dass bei der Verwendung von zwei interferometrischen, also interferierenden Strahlen diese einen Phasenun terschied aufweisen müssen, um eine Auswertung zu ermöglichen. Bevorzugt ist der Phasenunterschied ungleich einem ganzzahligen Vielfachen der verwen deten Wellenlänge.

Die erfindungsgemäße Vorrichtung und das erfindungsgemäße System weisen den Vorteil auf, dass durch die Verwendung von zwei Auswertungsstrahlen mit einem Phasenversatz bzw. einem Phasenunterschied, der bevorzugt fest ist, auch Objekte vermessen werden können, deren Oberfläche eintretendes Licht nicht zu 100 % reflektiert. Somit lassen sich insbesondere auch Oberflächen vermessen, die einen unterschiedlichen Reflexionsgrad in Teilen ihrer Oberflä che aufweisen. Beispielsweise ist dies bei Objekten der Fall, die unterschiedli che Dicken oder unterschiedliche Materialien aufweisen. Insbesondere Wafer in der Halbleiterindustrie weisen lokal eine Vielzahl von unterschiedlichen Ma terialkombinationen auf, die zum Teil auch teildurchlässige Mehrfachschichten bilden. Derartige Dicken und Materialkombinationen sind mittels der erfindungs gemäßen Vorrichtung und des erfindungsgemäßen Systems genau und schnell ausmessbar. Erfindungsgemäß wird aus jedem der beiden Teilstrahlen ein Referenzstrahl erzeugt. In einer bevorzugten Ausführungsform wird der Phasenunterschied also dazu erzeugt, dass jeder der Referenzstrahlen (erster Referenzstrahl vom ersten Teilstrahl und zweiter Referenzstrahl vom zweiten Teilstrahl) auf einen Spiegel, z.B. mit zwei Spiegelsegmenten oder Teilspiegeln oder Spiegeln, auf- trifft und dort reflektiert wird, wobei die Spiegel oder Spiegelsegmente unter schiedliche Positionen aufweisen. Vorzugsweise sind die Spiegelflächen paral lel zueinander angeordnet, wobei die Position der Spiegeloberfläche in Rich tung der Flächennormalen unterschiedlich ist. Die Spiegel weisen also einen Versatz in Richtung der Flächennormalen auf. Hierdurch kommt es zu Laufzeit- unterschieden zwischen den Referenzstrahlen beziehungsweise den reflektier ten, sogenannten Spiegelstrahlen, was zu dem Phasenunterschied führt.

Im Gegensatz zur optischen Falle, bei der der größte Teil der Strahlung absor biert wird, wird bei dem Spiegel der größte Teil der Strahlung reflektiert. We nigstens 30 % der Strahlung werden reflektiert, bevorzugt wenigstens 50 %, sehr bevorzugt wenigstens 80 %, besonders bevorzugt wenigstens 95 %.

In einer bevorzugten Ausführungsform wird ein Spiegel verwendet, der zwei pa rallele Spiegelsegmente umfasst, deren Spiegeloberfläche ebenfalls in Rich tung der Normalen versetzt sind. Alternativ können die Spiegelsegmente eigene Spiegel sein. Es ist auch möglich, die Spiegeloberfläche auf ein optisches Ele ment, beispielsweise einen transparenten Block, einen Glasblock oder Plexi glasblock, aufzubringen, z. B. aufzudampfen.

In einer besonders bevorzugten Ausführungsform sind der Strahlteiler und der Spiegel der erfindungsgemäßen Vorrichtung in einem optischen Element inte griert. Beispielsweise kann das optische Element aus einem transparenten Ma terial oder einem Glasblock gebildet sein. Beispielsweise könnte das optische Element aus zwei transparenten Blöcken bestehen, die jeweils eine dreieckige Grundfläche aufweisen, bevorzugt eine gleichseitige und rechtwinklige Grund- fläche.

Einer der Blöcke kann so ausgebildet sein, dass die Seitenfläche an einer der Katheten des dreieckigen Grundrisses einen Versatz aufweist, wobei die Au ßenflächen parallel, jedoch in Richtung ihrer Normalen versetzt sind. Auf diese beiden Versatzflächen, die vorzugsweise gleichgroß sind und bevorzugt parallel ausgerichtet sind, können die Spiegel bzw. Spiegelsegmente angebracht wer den. Vorzugsweise sind die Spiegel auf den transparenten Block und ihren Ver satzflächen aufgedampft oder aufgebracht.

Werden beide transparenten Blöcke derart aneinandergefügt, dass ihre Lang seitenflächen, die der Seitenfläche an der Hypotenuse der dreieckigen Grund- fläche entsprechen, aneinander gebracht und kontaktiert werden, so kann ein Strahlteiler gebildet werden. Beispielsweise können die beiden transparenten Blöcke miteinander verklebt werden. Eine oder beide der Langseitenflächen können mit einem teildurchlässigen Spiegel versehen sein.

In einer bevorzugten Ausführungsform umfasst die Lichtquelle einen Laser, der monochromatisches Licht erzeugt. Werden mehrere Lichtquellen verwendet, deren Lichtstrahlen vorzugsweise gebündelt werden, umfassen die Lichtquellen je einen Laser.

In einer bevorzugten Ausführungsform werden mehrere Lichtquellen verwen det, die jeweils einen monochromatischen Lichtstrahl erzeugen. Vorzugsweise weisen die Lichtstrahlen der einzelnen Lichtquellen unterschiedliche Wellenlän gen auf. Bevorzugt hat keine der Lichtquellen eine Wellenlänge, die ein ganz zahliges Vielfaches der Wellenlänge einer anderen Lichtquelle aufweist. Die Lichtstrahlen der einzelnen Lichtquellen haben also unterschiedliche Wellen- längen, die vorzugsweise kein ganzzahliges Vielfaches einer Wellenlänge eines anderen Lichtstrahls sind.

In einer bevorzugten Ausführungsform mit mehreren Lichtquellen werden die Lichtstrahlen der einzelnen Lichtquellen in einem Strahlkoppler gebündelt, so- dass die austretenden Lichtstrahlen die Lichtstrahlen aller Lichtquellen umfas- sen. Beispielsweise können die unterschiedlichen Lichtquellen Lichtstrahlen in unterschiedlichen Farben erzeugen.

In einer bevorzugten Ausführungsform umfasst der Strahlteiler einen halbdurch lässigen Spiegel, der einen Teil eines auftreffenden Lichtstrahls als Referenz strahl passieren lässt und einen anderen Teil eines auftreffenden Lichtstrahls als Messstrahl in Richtung der Objektoberfläche eines Objekts reflektiert und somit ablenkt. Bevorzugt erfolgt eine 50%-Aufteilung des Lichtstrahls in Refe renzstrahl und Messstrahl.

Vorzugsweise umfasst die Detektoreinheit des erfindungsgemäßen Systems eine Time-delayed-lntegration-Kamera, eine sogenannten TDI-Kamera, die be- vorzugt eine TDI-Zeilenkamera ist. In einer bevorzugten Ausführungsform wird eine Farb-TDI-Kamera bzw. Farb-TDI-Zeilenkamera verwendet. Besonders be vorzugt hat die Detektoreinheit eine TDI-Mehrkanalzeilenkamera, die farbig oder monochrom sein kann.

Bei einer Aufspaltung der Lichtstrahlen von der Lichtquelle oder den Lichtquel- len in zwei Teilstrahlen werden vorzugsweise zwei Kameras oder Zeilenkame ras, bevorzugt TDI-Kameras, in der Detektoreinheit verwendet. Da durch die Anordnung insgesamt aus zwei Teilstrahlen und deren jeweilige Aufspaltung in Referenzstrahl und Messstrahl und spätere Überlagerung der reflektierten Spie gelstrahlen bzw. Objektstrahlen zu Auswertungsstrahlen wiederum zwei Strah len vorliegen, wird je ein Strahl zu je einer Kamera geleitet.

In einer weiter bevorzugten Ausführungsform ist ein optisches Element vorge- sehen, das die gebündelten Lichtstrahlen, insbesondere die gebündelten Aus wertungsstrahlen, auftrennt. Das optische Element ist derart angeordnet, dass die Auftrennung der Lichtstrahlen vor dem Auftreffen auf die Detektoreinheit und deren Kameras erfolgt. Die Auftrennung der gebündelten Lichtstrahlen, bei spielsweise der gebündelten Auswertungsstrahlen, kann vor oder nach Tren- nung der beiden Auswertungsstrahlen und Leitung zu den jeweiligen Kameras erfolgen. Es ist auch möglich, nach Trennung der Auswertungsstrahlen und di rekt vor Eintritt der Strahlen in die jeweilige Kamera ein Auftrennen der gebün delten Lichtstrahlen durchzuführen. Eine Auftrennung ist dann vorteilhaft, wenn Kameras verwendet werden, die für die einzelnen Lichtstrahlen und deren Wel- lenlängen sensitiv sind. Bei der Verwendung von Mehrkanalzeilenkameras oder Farb-TDI-Kameras kann auf eine derartige Auftrennung und ein derartiges op tisches Element zum Auftrennen verzichtet werden.

Erfindungsgemäß wird die Aufgabe auch dadurch gelöst, dass die Lichtquelle das zu vermessende Objekt mit Lichtstrahlen mit mindestens einer monochro- matischen Wellenlänge kontinuierlich beleuchtet; die Relativbewegung zwischen der kombinierten Detektoreinheit (sogenannte Kamera-/lnterferometeranordnung) und dem Objekt kontinuierlich und ohne Unterbrechung erfolgt; ein feststehender, geeignet strukturierter Referenzspiegel einen Phasenversatz zwischen zwei Teilstrahlen der Lichtquelle erzeugt; mit den Detektoren der Detektoreinheit (z.B. den Kamerasensoren der Interfe rometeranordnung) die Intensität beider Teilstrahlen des jeweils durch Interfe- renz des vom Objekt reflektierten Lichtes (Objektstrahl) mit dem an dem Refe renzspiegel reflektierten Lichtes (Spiegelstrahl) entstandenen Lichtes (Auswer tungsstrahl) bei allen genutzten Wellenlängen gleichzeitig gemessen wird; die gemessene Intensität des ersten Teilstrahl-Interferenzsignals (erster Aus- wertungsstrahl) mittels der gemessenen Intensität des um den festen Referenz phasenversatz modifizierten zweiten Teilstrahl-Interferenzsignals (zweiter Aus wertungsstrahl) bei jeder Wellenlänge korrigiert wird; und der Abstand zum Objekt aus den korrigierten Interferenzsignalintensitäten des ersten Teilstrahl-Interferenzsignals (erster Auswertungsstrahl) berechnet wird. Bei einer solchen Anordnung werden als Detektoren vorzugsweise Zeilen sensoren für die Interferometriemessung benutzt. Dadurch kann ein breiter Streifen des Objektes kontinuierlich vermessen werden. Ein Aspekt der Erfin dung ist auch die Korrektur des Einflusses der unterschiedlichen Oberflächen materialien des zu vermessenden Objektes. Um den Messbereich auf die für die zu messenden Profilhöhen notwendigen Bereiche zu erweitern, wird vorge schlagen, in dem erfindungsgemäßen System mehrere Wellenlängen gleichzei tigen zu nutzen.

Im Rahmen der Erfindung wurde erkannt, dass aus der Intensitätsmessung ei nes durch Interferometrie modulierten Signals der Abstand zum Messobjekt mit sehr hoher Auflösung eindeutig ermittelt werden kann. Dies gilt jedoch nur, wenn die Oberfläche des Messobjektes das benutzte Licht zu 100% reflektiert oder der Reflexionsgrad für jeden Messpunkt genau bekannt ist. Weist das Messobjekt teildurchlässige Schichten auf, so muss man für eine absolute Ab standsmessung deren Dicken und optischen Eigenschaften (Brechungsindex und Absorptionskoeffizient) bei der genutzten Wellenlänge ebenso für jeden Messpunkt genau kennen. Für eine relative Profilmessung könnte man zwar auf die genaue Kenntnis dieser Werte verzichten, wäre jedoch darauf beschränkt, dass die Dicken und Materialien für alle Messpunkte genau gleich sein müssen, bzw. ihre Variation die Messgenauigkeit begrenzen. Um das Oberflächenprofil einer Objektoberfläche eines Objekts, insbesondere Höhenmessung auf einem Wafer durchzuführen, ist die Interferometrie daher nicht ohne weiteres einsetzbar, da die Intensität der gemessenen Interferomet riesignale zusätzlich vom Material der zu messenden Struktur und ihrer Umge- bung abhängt. Beispielsweise weisen die zu messenden Wafer lokal eine Viel zahl von unterschiedlichen Materialkombinationen auf, welche zum Teil auch durch teildurchlässige Mehrfachschichten gebildet werden, deren Dicken- und Materialvariation eine genaue, schnelle Messung mit einer oder wenigen Wel lenlängen unmöglich machen. Ohne die Kenntnis des lokalen Reflexionsgrades und des durch die teildurchlässigen Schichten erzeugten Phasenversatzes des reflektierten Lichtes (Auswertungsstrahl) kann keine ausreichend genaue Aus sage zum Abstand getroffen werden.

Um den Einfluss der materialbedingten lokalen Variation der Intensität des re flektierten Lichtes zu korrigieren wird erfindungsgemäß die Interferometriemes- sung mit mindestens zwei Teilstrahlen, welche sich durch einen festen Phasen versatz unterscheiden, gleichzeitig durchgeführt.

Nutzt man zwei Teilstrahlen kann man die Genauigkeit der Messung bereits signifikant erhöhen, da sich der Einfluss des Reflexionsgrades eliminieren lässt. Dies ist für viele Aufgaben bereits ausreichend, z.B. in dem Fall das auf dem Messobjekt keine teildurchlässigen Schichten vorhanden sind oder deren Ein fluss vernachlässigt werden kann.

Der Einsatz von mehr als zwei Teilstrahlen kann zur Verbesserung der Robust heit der Messung durch Erhöhung der Daten-Redundanz genutzt werden.

Nachfolgend wird beispielhaft mit Bezug auf eine Höhenmessung an einem Wafer und ohne Einschränkung der Allgemeinheit die Korrektur für ein einzel nes Detektorelement und für eine einzelne Wellenlänge li dargestellt. Um die Profilmessung mit hoher Geschwindigkeit zu realisieren, werden vorteilhafter weise Zeilenkameras mit mehreren Detektorzeilen eingesetzt. Das am Interfe rometrie-Detektor ankommende Signal Si kann dargestellt werden als

Hierbei bezeichnet q die Intensität der Lichtquelle, R der effektive Reflexions koeffizient der Oberfläche des Messobjektes bei der Wellenlänge l,, g eine Ge rätekonstante, die sich aus Detektorsensitivität, Absorptions- und Reflexions- Verlusten an den Optiken ergibt sowie z _r , und z _s die Abstände zwischen dem Teilerspiegel des Interferometers und dem Referenzspiegel bzw. der Oberflä che des Messobjektes und f die Phasenverschiebung die ggf. durch teildurch lässige Schichten auf der Messobjektoberfläche erzeugt wird.

Für den Fall vernachlässigbarer Phasenverschiebung f ~ 0 ergibt sich durch Kombination zweier Teilstrahlbündel i = 1 ,2 für das Verhältnis der gemessenen Intensitäten:

Dies lässt sich mit

Zur Ermittlung des gesuchten realen Abstandes der Oberfläche des Messob jektes ist Az durch Lösung der transzendenten Gleichung zu bestimmen. Da Az _r eine bekannte Größe ist (bzw. durch eine Eichmessung mit einem ebenen Spie- gel anstelle des Messobjektes ermittelt werden kann) kann damit das Oberflä chenprofil des Messobjektes ermittelt werden, solange es keine senkrechten Stufen aufweist, welche größer als die halbe Wellenlänge des verwendeten Lichtes sind. Bei Nutzung nur einer Wellenlänge für die Interferomtriemessung und der bisher dargestellten erfindungsgemäßen Lösung bleibt der Abstands-Arbeitsbereich der Messung auf eine halbe Wellenlänge des benutzten Lichtes eingeschränkt. Außerhalb dieses Bereiches wird der Zusammenhang zwischen Intensität und Abstand mehrdeutig, da aus der Signalintensität allein nicht unmittelbar ermittelt werden kann wie viele Perioden der Wegunterschied zwischen Referenzstrahl und Objektstrahl beträgt. Herkömmliche Interferometer lösen dies durch Ermitt lung eines Referenzabstandes bei der Initialisierung und anschließender unun terbrochener Zählung der gemessenen Intensitätsperioden. Dies ist für die er findungsgemäße Nutzung eines zeilenartigen Interferometers jedoch ungeeig net, da eine Referenz zur Verfügung stehen müsste, die auf besser als eine halbe Wellenlänge parallel zur Interferometer-Zeilenanordnung ist und es keine Stufen auf dem Messobjekt von mehr als einer halben Wellenlänge Höhe geben dürfte. Zumindest letzteres ist aber z.B. für die Vermessung der Kontaktstruktu ren auf Wafern nicht gegeben.

Nutzt man hingegen zwei oder mehr unterschiedliche Wellenlängen lässt sich der Arbeitsbereich erweitern innerhalb dessen die Messung ohne Start-Refe renz und Periodenzählung eindeutig erfolgen kann, da die verschiedenen Wel lenlängen eine unterschiedliche Periodizität aufweisen und somit aus der Kom bination der Signale der genutzten Wellenlängen in einem weiteren Bereich eine eindeutige Messung erfolgen kann. Grundlagen eines solchen Verfahrens sind in„Multi-Wavelength Interferometry for Length Measurements Using Diode Lasers“ von K. Meiners-Hagen et all dargestellt. Der unmittelbar erfassbare Ar beitsbereich A beträgt für zwei Wellenlängen li und l ₂ :

Betrachtet man nicht nur den Gesamtintensitätsverlauf der synthetisierten Wel lenlänge L, sondern die beiden beide Wellenlängen li und l ₂ jeweils für sich, lässt sich der Arbeitsbereich A auf ein Vielfaches der Wellenlängen li und l ₂ ausdehnen (Methode der exakten Phasenbruchteile). Das in der o.g. Veröffentlichung dargestellte Verfahren ist jedoch für eine Hö henmessung auf einem Wafer so nicht einsetzbar, da die Intensität der gemes senen Interferometriesignale zusätzlich vom Material der zu messenden Struk tur und ihrer Umgebung abhängt. Das oben dargestellte erfindungsgemäße Verfahren löst dieses Problem.

Mit Hilfe der gleichzeitig gemessenen zwei, phasenversetzten Interferometrie signale können die Interferometrie-Messungen bei den verschiedenen Wellen längen jede für sich korrigiert werden. Die Materialabhängigkeit wird dadurch eliminiert. Anschließend kann innerhalb des eindeutigen Arbeitsbereiches wie in o.g. Veröffentlichung dargestellt der Abstand für jeden mit der Zeilensenso ranordnung aufgenommen Punkt einzeln berechnet werden. Es entsteht somit ein präzises Abstandsbild der Oberfläche. Durch den Einsatz von Zeilensenso ren mit hohen Taktraten kann eine sehr hohe Messgeschwindigkeit erreicht werden. Mit der erfindungsgemäßen Vorrichtung und System können Profile von bis zu einigen 100pm Höhe mit einer Auflösung bis unterhalb 0,1 pm erfasst werden. Dies ist insbesondere für viele Anforderungen bei Messung der eingangs be schriebenen Halbleiter-Chips und Wafer ausreichend. Anwendungen sind z.B.: die Vermessung der Höhen der Kontaktstrukturen (Lötkugeln oder Zylinder), Vermessung der Höhe von Leiterbahnen der obersten Verdrahtungsebene der Chips oder die Bestimmung der Planarität auf rekonstruierten Wafern (Wafer, welche durch eine Einbettung von zuvor vereinzelten Chips in ein Trägermate rial, i.d.R. Epoxid zusammengesetzt werden). Analoge Aufgabenstellungen be stehen auch für andere Strukturen und in anderen Industriezweigen. Solche Aufgaben sind z.B. die Vermessung von Strukturen auf Elektronik-Boards und Leiterplatten oder die Vermessung einer Vielzahl von mechanisch-elektrischen Systemkomponenten (MEMS) wie Drucksensoren, Geschwindigkeitssensoren oder Gyroskope. Die Anordnung ermöglicht bei geeigneter Beleuchtung des Messbereichs auf der Objektoberfläche und bei Verwendung von geeigneten Zeilen- oder Flä chendetektoren die simultane Messung an mehreren Punkten. Anders als bei spielsweise bei der Weißlichtinterferometrie wird das Messergebnis bereits durch eine einzige Messung bei verschiedenen Wellenlängen erreicht, ohne dass Objekt oder Detektor in ihrem Abstand verändert werden müssen. Dadurch wird die Messung erheblich beschleunigt.

Vorzugsweise ist eine Aufnahmevorrichtung zur Aufnahme eines Objekts in Form eines Wafers oder eines anderen flachen Objekts mit einer ebenen Ob- jektoberfläche vorgesehen. In der Aufnahmevorrichtung wird das zu vermes sende flache Objekt gerade so positioniert, dass die Objektoberfläche mit dem Messlicht in gewünschter Weise beleuchtet wird.

Als Strahlungsquellen können Laser genutzt werden, da sie hinreichend mono chromatisches Licht mit hoher Strahlungsintensität bereitstellen. Wegen ihrer hohen Strahlungsintensität innerhalb eines sehr kleinen Wellenlängenbereichs sind Laser als Strahlungsquellen für die vorliegende Erfindung besonders ge eignet. Es kann jedoch auch eine oder mehrere spektral breitbandige Strah lungsquellein) benutzt werden, welche mit entsprechend Spektralfilter(n) verse hen ist (sind). Die Verwendung mehrerer Spektralfilter ermöglicht es auch, meh- rere Wellenlängen aus einer Strahlungsquelle zu erzeugen.

Insbesondere kann bei der Erfindung vorgesehen sein, dass die Strahlungs quellen Licht bei Wellenlängen erzeugen, bei denen keine Wellenlänge ein ganzzahliges Vielfaches der Wellenlänge einer der anderen Strahlungsquellen ist. Eine Wellenlänge ist beispielsweise nicht genau das Doppelte der Wellen- länge einer anderen Strahlungsquelle. Je geringer die Differenz der Wellenlän gen ist, umso größer wird der Arbeitsbereich. Allerdings ist in der Praxis zu be rücksichtigen, dass die Strahlungsbündel nie völlig monochromatisch sind und immer eine Bandbreite haben, welche bei der Auswahl der Wellenlängen zu berücksichtigen ist. Die Zusammenführung der Strahlung bei Nutzung von verschiedenen Wellen längen kann durch verspleiste Lichtwellenleiter oder dichroitische Spiegel erfol gen. Verspleiste Lichtwellenleiter sind Lichtwellenleiter, die in einem bestimm ten Abschnitt miteinander verschmolzen sind oder eng nebeneinander geführt werden, so dass das Licht von einem Lichtwellenleiter in den anderen Lichtwel lenleiter Übertritt. Bei dichroitischen Spiegeln wird nur das Licht eines bestimm ten Wellenlängenbereiches reflektiert, während das Licht mindestens eines an deren Wellenlängenbereiches hindurchgelassen wird. Solche Spiegel können für den Einsatz bei verschiedenen Winkeln dimensioniert sein. Die häufigste Nutzung geschieht bei 45°. Bei geeigneter Anordnung kann so das abgehende reflektierte Licht und das durchgelassene Licht die gleiche Ausbreitungsrich tung besitzen.

Die für die Anordnung (Vorrichtung und System) erforderliche Phasendifferenz von Strahlenbündeln kann sowohl durch eine Wegdifferenz, des von den Licht- bündeln zurückzulegenden Weges als auch durch den Durchgang oder die Re- flektion an unterschiedlichen Medien erzeugt werden.

Für die Trennung der Lichtstrahlen unterschiedlicher Wellenlänge können ein oder mehrere Prismen, Gitter oder andere spektral dispersiven Elemente ge nutzt werden. Durch die räumliche Trennung können die Signale simultan auf- genommen werden, was eine hohe Messgeschwindigkeit erlaubt. Es kann aber auch eine zeitliche Trennung durch Nacheinanderausführung der Messung bei den verschiedenen Wellenlängen erfolgen, wobei eine größere Messzeit in Kauf genommen wird.

Eine besonders bevorzugte Ausgestaltung der Erfindung sieht vor, dass jede der Detektoranordnungen eine mehrkanalige Time-Delayed-Integration-(TDI)- Zeilenkamera umfasst. Diese Kameras umfassen mehrere TDI-Blöcke die je weils für einen bestimmten Wellenlängenbereich sensitiv sind. Somit kann die TDI-Anordnung zur Erzeugung eines hohen Signal-Rauschabstandes genutzt werden und gleichzeitig können alle benutzten Wellenlängen simultan gemes- sen werden. Damit ist eine besonders schnelle und sehr präzise Messung mög lich. Ebenso können aber auch einkanalige TDI-Zeilenkameras im sogenannten Area-Mode, also wie eine normale Flächenkamera benutzt werden, indem die benutzten unterschiedlichen Wellenlängen durch ein dispersives Element, bei spielsweise ein Prisma, über die Sensorfläche verteilt werden. Dadurch kann die große Breite der TDI-Detektorzeile von z.B. 16384 Pixeln für einen hohen Durchsatz genutzt werden und gleichzeitig stehen die z.B. 48, 96 oder 256 Zei len der TDI für die gleichzeitige, separate Aufnahme der verschiedenen Wel lenlängen zur Verfügung. Bei dieser Anordnung ist eine geringere Messge schwindigkeit durch den geringeren Takt in diesem Flächenauslesemodus ver fügbar. Gleiches gilt für die ebenfalls mögliche Nutzung von normalen Flächen kameras.

Insbesondere kann vorgesehen sein, dass die optische Vorrichtung, mit der die Interferenz erzeugt wird, einen halbdurchlässigen Spiegel umfasst, welcher ei nen Teil der Strahlung an einer ersten Oberfläche in Richtung auf die Objekt oberfläche reflektiert (Messstrahl) und einen anderen Teil der Strahlung durch lässt (Referenzstrahl). Die reflektierte Strahlung kann anschließend mit dem durchgelassenen Strahl vereinigt werden. Dies kann beispielsweise erfolgen, indem der durchgelassene Strahl (Referenzstrahl) an einem Spiegel in sich zu rückreflektiert wird (als Spiegelstrahl) und an dem halbdurchlässigen Spiegel in den reflektierten Strahl (Objektstrahl) eingekoppelt wird. Eine solche Anordnung nennt man Michelson-Interferometer. Es sind jedoch auch andere Anordnungen verwendbar, wie z.B. ein sogenanntes Mach-Zehnder-Interferometer, bei dem das eingestrahlte Licht aufgeteilt und nach der Reflektion eines Teilstrahles an der Probenoberfläche wiedervereinigt wird.

Das erfindungsgemäße Verfahren zum Erfassen des Oberflächenprofils einer Objektoberfläche (30) eines Objekts mittels interferometrischer Abstandsmes sung umfasst mehrere Schritte, wie Aussenden eines monochromatischen Lichtstrahls mittels einer Lichtquelle in Richtung einer optischen Vorrichtung, Aufspalten des Lichtstrahls der Lichtquelle in einen ersten und zweiten Teil- strahl mittels eines Strahlaufspalters, Aufteilen jedes Teilstrahls in einen Refe renzstrahl und einen Messstrahl, bevorzugt mittels eines Strahlteilers, Leiten der Referenzstrahlen zu einem Spiegel, Reflektieren der Referenzstrahlen an dem Spiegel und Bilden von Spiegelstrahlen, welche einen Phasenversatz auf weisen. Die Spiegelstrahlen werden zu dem Strahlleiter geleitet und an ihm re flektiert. Die Messstrahlen werden auf einen Messbereich auf der Objektober fläche geleitet und dort reflektiert, wodurch Objektstrahlen gebildet werden, die zu dem Strahlleiter geleitet werden. In weiteren Schritten interferieren die Spie gelstrahlen und Objektstrahlen und bilden Auswertungsstrahlen, die eine Pha senversatz aufweisen. Ein Schritt sieht vor, die Auswertungsstrahlen zu detek- tieren, bevorzugt mittels einer Detektoreinheit, auszuwerten und bevorzugt mit tels einer Signalauswerteeinheit das Oberflächenprofil der Objektoberfläche zu ermitteln. Dabei werden die zwei gemessenen Intensitätswerte der Auswerte strahlen, welche beide vom selben Ort auf der Objektoberfläche reflektiert wur den, genutzt, um den Einfluss des Reflexionsgrades der Lichtstrahlen an der Objektoberfläche beim Ermitteln des Oberflächenprofils zu kompensieren. Auf diese Weise wird ein korrektes Profil der Oberfläche ermittelt, zum einen für Objektoberflächen mit nicht 100% Reflexion und zum anderen für Objektober flächen mit unterschiedlichen Reflexionskoeffizienten innerhalb des zu vermes senden Bereichs.

Bevorzugt wird mittels des Verfahrens ein monochromatisches Inspektionsbild für jede Wellenlänge aus den ermittelten Reflexionskoeffizienten der Objekt oberfläche erstellt . Dabei werden die Reflexionskoeffizienten aus dem zuvor ermittelten Höhenprofil und der gemessenen Signalintensität mindestens einer der Strahlen (Auswertungsstrahlen) berechnet. Besonders bevorzugt werden jedoch die Signalintensitäten beider Auswertungsstrahlen genutzt.

Im Nachfolgenden wird das Verfahren ohne Beschränkung der Allgemeinheit am Beispiel der Wafer erläutert. Es kann jedoch in gleicher Weise für andere flache Objekte oder Prüfobjekte zur Vermessung von Oberflächenprofilen und Profilen eingesetzt werden. Bevorzugte Ausgestaltungen der Erfindung werden in den abhängigen Ansprü chen beschrieben. Es versteht sich, dass die vorstehend genannten und die nachstehend noch zu erläuternden Merkmale nicht nur in der jeweils angege benen Kombination, sondern auch in anderen Kombinationen oder in Alleinstel- lung verwendbar sind, ohne den Rahmen der vorliegenden Erfindung zu verlas sen. Insbesondere kann das Verfahren für die Vorrichtung und das System zum Erfassen des Oberflächenprofils einer Objektoberfläche eines Objekts mittels interferometrischer Abstandsmessung entsprechend den in den abhängigen Ansprüchen beschriebenen Ausgestaltungen ausgeführt sein. Im Folgenden wird ein Ausführungsbeispiel der Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügten Abbildungen beschrieben. Es zeigen:

Fig. 1 eine schematische Darstellung eines erfindungsgemäßen Systems zur interferometrischen Abstandsmessung mit drei Laserlichtquel len; Fig. 2 eine schematische Darstellung von Verfahrensschritte zur Einrich tung des Systems und zur interferometrischen Abstandsmessung.

Fig. 3 eine Detaildarstellung der von einem ersten Teilstrahl des Lichts zu rückgelegten Weglängen und die zugehörigen Richtungen in einem vergrößerten Ausschnitt aus Figur 1 ; Fig. 4 eine Detaildarstellung der von einem zweiten Teilstrahl des Lichts zurückgelegten Weglängen und die zugehörigen Richtungen in ei nem vergrößerten Ausschnitt aus Figur 1 ;

Fig. 5 eine schematische Darstellung einer ersten Ausführung des erfin dungsgemäßen Systems gemäß Figur 1 ; und Fig. 6 eine schematische Darstellung einer zweiten Ausführung des erfin dungsgemäßen Systems gemäß Figur 1 . Fig. 1 zeigt eine Ausführung des erfindungsgemäßen Systems 1 mit einer opti schen Vorrichtung 2, wenigstens einer Lichtquelle 7, einer Detektoreinheit 8 und einer Signalauswerteeinheit 9. Die optische Vorrichtung 2 umfasst einen Strahl- aufspalter 3, einen Strahlteiler 4 und einen Spiegel 5. Der Spiegel 5 weist zwei Spiegelsegmente 6 auf, die wiederum in Form von zwei Spiegeln 60, 70 ausge bildet sind. Der Strahlaufspalter 3 ist bevorzugt als Strahlformungsoptik 80 aus gebildet. Der Strahlteiler 4 ist bevorzugt ein teildurchlässiger Spiegel 90 mit be vorzugt einer 50 %-Teildurchlässigkeit. Die wenigstens eine Lichtquelle 7 um fasst bevorzugt, wie hier gezeigt, drei Laserquellen 1 10, 120, 130.

Im Folgenden wird der Aufbau des Systems 1 und der Strahlengang in dem System 1 am Beispiel eines Wafers als Messobjekt beschrieben. In dem Sys tem 1 werden Wafer 20 oder andere flache Objekte, deren Oberflächenprofil erfasst werden soll, nacheinander relativ zu einer Kamera (Detektoreinheit 8) bewegt.

Im vorliegenden bevorzugten Ausführungsbeispiel ist die Kamera stationär und die Objekte werden unterhalb der Kamera hindurchbewegt. Dazu ist bevorzugt eine Halte- und Transporteinheit 10 vorgesehen, die die Wafer 20 lagert und bewegt. Die Bewegung erfolgt bevorzugt in einer Richtung senkrecht zur Flä chennormalen der Objektoberfläche 30 des Wafers 20. In einem anderen Aus führungsbeispiel kann die Kamera bewegt werden. In einem alternativen Aus führungsbeispiel kann die Relativbewegung auf Kamera und Objekt aufgeteilt werden, so dass zum Beispiel die Kamera bevorzugt die Bewegung in einer Achsenrichtung ausführt, während das Objekt bevorzugt in der dazu senkrech ten Richtung bewegbar ist. Die Bewegung zwischen Kamera und Objekt ist be vorzugt kontinuierlich.

Das Ausführungsbeispiel in Fig. 1 verwendet drei Laser als Lichtquellen 7 und zwei TDI-Mehrkanal-Zeilenkameras (TDI = time delayed Integration) als Senso ren bzw. Detektoren der Detektoreinheit 8. Es kann jedoch auch eine andere Anzahl von Lichtquellen benutzt werden. Ebenso kann alternativ eine breitban- digere Lichtquelle in Kombination mit schmalbandigen Filtern benutzt werden. Ebenso können anstelle der TDI-Sensoren auch einfache Mehrkanal-Zeilen sensoren (ohne TDI-Verfahren) oder Flächenkameras oder ein Set von mehre ren Zeilenkameras benutzt werden.

In Fig.1 sind zur Vereinfachung der Darstellung die Strahloffsets, welche beim Durchgang der Strahlen durch eine planparallele Platte erzeugt werden wegge lassen. Im Ausführungsbeispiel in Fig. 1 wird das Licht der 3 Laserquellen 110, 120 und 130 durch einen Faserkoppler 100 vereint. In dem Faserkoppler 100 sind die 3, von den Laserquellen gespeisten Fasern 170, 180, 190 verspleißt, so dass das Licht der Laserquellen in einem gemeinsamen, mehrfarbigen Licht- strahl 84 austritt. Die Übertragung über einen Lichtleiter dient lediglich der Ent kopplung der Laser vom eigentlichen Aufnahmesystem. Anstelle der Licht leiterübertragung können die Laser-Strahlen auch direkt über geeignete Optik in die Aufnahmeeinheit gelenkt werden, was Verluste reduziert, jedoch einen höheren Justageaufwand erfordert. Ebenso kann die Vereinigung der drei Strahlen aus den 3 Lasermodulen auch über dichroitische Spiegel erfolgen.

Mit der Strahlformungsoptik 80 wird der Lichtstrahl 84 zu einem parallelen Licht bündel bestehend aus den beiden Bündelhälften, so genannten Teilstrahlen, 410 und 420 mit an die Aufnahmefläche angepasstem Querschnitt geformt. Die Bündelhälften 410 und 420 sind um die Strahlmittelachse 400 angeordnet. Sie müssen nicht zwingend aneinander angrenzen, d.h. es kann ein zentraler Be reich zwischen ihnen ungenutzt bleiben. Die Aufspaltung ist vorzugsweise aber nicht unbedingt zwingend symmetrisch. Dabei sind alle Wellenlängenanteile über den gesamten Querschnitt und insbesondere zwischen den Bündelhälften (Teilstrahlen) 410 und 420 gleichmäßig verteilt. Das Lichtbündel (bestehend aus den Teilstrahlen 410, 420) wird durch den 50% teildurchlässigen Spiegel 90 zum Teil als Teilbündel (Messstrahlen 430 und 440) über ein Objektiv 50 auf die zu messenden Waferoberfläche 40 gelenkt. Die anderen 50% des Lichtbün dels (Teilstrahlen 410, 420) passieren den teildurchlässigen Spiegel 90 als Teil bündel (Referenzstrahlen) 470 und 480. Die Referenzstrahlen 470 und 480 treffen auf die zwei Referenzspiegel 60 und 70, wo sie reflektiert werden. Die so entstehenden Teilbündel (Spiegelstrahlen 490 und 500) werden wieder zu 50% am teildurchlässigen Spiegel 90 reflektiert.

Die auf die Waferoberfläche 40 gelenkten Teilbündel, Messstrahlen 430 und 440, werden durch das Objektiv 50 in einem gemeinsamen Abbildungsgebiet fokussiert. Durch die Reflexion an der Waferoberfläche 40 werden sie durch das Objektiv 50 als Teilbündel (Objektstrahlen) 450 und 460 zurück reflektiert. Dabei umfasst der erste Objektstrahl 450 das reflektierte Licht des ersten Messstrahls 430 und der zweite Objektstrahl 460 das reflektierte Licht des zweiten Mess- Strahls 440. Jeweils die Hälfte des Lichtes aus den Objektstrahlen 450 und 460 passiert den teildurchlässigen Spiegel 90. Das aus dem ersten Objektstrahl 450 stammende Licht interferiert danach mit dem am teildurchlässigen Spiegel 90 reflektierten Licht des ersten Spiegelstrahls 490 in einem Lichtbündel zum ers ten Auswertungsstrahl 520. Der erste Auswertungsstrahl 520 ist nunmehr durch die Interferenz der Licht wellen entsprechend des Abstandsunterschieds zwischen teildurchlässigem Spiegel 90 und Spiegel 60 einerseits sowie teildurchlässigem Spiegel 90 und Waferoberfläche 40 andererseits in seiner Intensität moduliert. Die Intensitäts modulation erfolgt für alle drei enthaltenen Wellenlängen unabhängig voneinan- der.

In gleicher Weise entsteht ein Interferometriesignal aus dem Licht des zweiten Objektstrahls 460. Das aus dem zweiten Objektstrahl 460 stammende Licht in terferiert nach Durchquerung des teildurchlässigen Spiegels 90 mit dem am teil durchlässigen Spiegel 90 reflektierten Licht des zweiten Spiegelstrahls 500 in einem Lichtbündel, dem zweiten Auswertungsstrahl 510.

Der zweite Auswertungsstrahl 510 ist nunmehr durch die Interferenz der Licht wellen entsprechend des Abstandsunterschieds zwischen teildurchlässigem Spiegel 90 und Spiegel 70 einerseits sowie teildurchlässigem Spiegel 90 und Waferoberfläche 40 andererseits in seiner Intensität moduliert. Die Intensitäts modulation erfolgt ebenfalls für alle drei enthaltenen Wellenlängen unabhängig voneinander. Die Fig. 3 und 4 zeigen vergrößerte Ausschnitte aus Fig. 1 zur Veranschaulichung der Entstehung der Interferenz und den zu berücksichtigen- den Wegunterschieden.

Die beiden Auswertungsstrahlen 510 und 520 unterscheiden sich in ihrer Inten sität in den drei genutzten Wellenlängen. Die Intensitätsdifferenz jeder Wellen länge für sich betrachtet wird ausschließlich durch den an den Spiegeln 60 und 70 erzeugten Phasenversatz bestimmt. Im dargestellten Ausführungsbeispiel wird der Phasenversatz durch einen unterschiedlichen Abstand der beiden Spiegel 60 und 70 vom teildurchlässigen Spiegel 90 erzeugt. Der Phasenver satz kann jedoch auch auf andere Weise erzeugt werden, z.B. durch eine Be schichtung eines der Spiegelsegmente 6 oder der Teilspiegel (z.B. Spiegel 70) mit einer transparenten Beschichtung. Der zweite Auswertungsstrahl 510 wird durch Spiegel 260 als zweiter Detekti onsstrahl 540 auf ein Prisma 270 gelenkt. Das Prisma 270 dient der spektralen Aufspaltung des Lichtes aus dem zweiten Detektionsstrahl 540 in die drei Wel lenlängenkomponenten li, l2 und l ₃ . Es kann ohne Beschränkung der Allge meinheit anstelle des Prismas 270 auch ein anderes, geeignetes dispersives Element, wie zum Beispiel ein Gitter verwendet werden. Die so aufgespaltenen spektralen Anteile aus dem zweiten Detektionsstrahl 540 werden durch eine erste T ubusoptik 200 auf eine TDI-Mehrkanal-Zeilenkamera 210 fokussiert. Bei Verwendung von TDI-Mehrkanal-Zeilenkameras mit vor den Sensorblöcken fest installierten Farbfiltern kann die spektrale Aufspaltung des Strahles auch entfallen.

Durch Aufzeichnung der auf jedem Pixel der Zeilenkamera 210 auftreffenden Lichtintensität werden somit drei Signale ii _,i , h _,i und _,i erzeugt, die durch die Profilhöhe am jeweiligen Ort der Waferoberfläche 40 in ihrer Intensität moduliert sind und somit zur interferometrischen Bestimmung des Oberflächenprofils ge nutzt werden können. Hierbei steht der erste Index für die Wellenlänge und der zweite Index für die Kamera (210), die das Signal liefert.

Da Spiegel 260 nur den Weg des zweiten Auswertungsstrahls 510 blockiert, trifft der durch Interferenz intensitätsmodulierte erste Auswertungsstrahl 520 als erster Detektionsstrahl 530 ungehindert auf Prisma 250. Prisma 250 dient der spektralen Aufspaltung des Lichtes aus dem ersten Detektionsstrahl 530 in die drei Wellenlängenkomponenten li, l2 und l3. Es kann ohne Beschränkung der Allgemeinheit anstelle des Prismas 250 auch ein anderes, geeignetes dispersi- ves Element, wie zum Beispiel ein Gitter verwendet werden. Die so aufgespal tenen spektralen Anteile aus dem ersten Detektionsstrahl 530 werden durch eine zweite Tubusoptik 230 auf eine TDI-Mehrkanal-Zeilenkamera 220 fokus siert. Durch Aufzeichnung der auf jedem Pixel der Zeilenkamera 220 auftreffen den Lichtintensität werden somit drei Signale 11 _, 2, h,2 und 13,2 erzeugt, die durch das Oberflächenprofil der Waferoberfläche 40 in ihrer Intensität moduliert sind und somit zur interferometrischen Bestimmung des Oberflächenprofils genutzt werden können.

Fig. 5 zeigt eine alternative Ausführungsform des erfindungsgemäßen Systems, bei dem der Teilerspiegel 90 und die beiden Spiegel 60, 70 (Referenzspiegel) ersetzt werden durch ein Prisma 600, das aus zwei miteinander verklebten Blö cken besteht, wobei an der verklebten 45°-Fläche eine teilspiegelnde Schicht vorgesehen ist. Diese Schicht bildet den teildurchlässigen Spiegel 610, der die beiden Teilstrahlen 410, 420 aufspaltet, wie es der Spiegel 90 gemäß der Aus führungsform von Fig. 1 macht. Die Details und Strahlengänge der einzelnen Strahlen sind in Fig. 1 beschrieben und sind zur Übersichtlichkeit in Fig. 5 nicht mehr dargestellt.

Die gemäß der Ausführungsform von Fig. 1 vorhandenen beiden Spiegel 60, 70, die als Referenzspiegel dienen, sind auf der Außenfläche des Prismas 600 vorgesehen. Hierzu können beispielsweise Verspiegelungen auf die Außenflä che aufgedampft oder Spiegelflächen aufgebracht oder aufgeklebt werden. Durch entsprechende Konstruierung des Prismas 600 kann der notwendige Versatz an der Außenfläche erzeugt werden, sodass die Spiegel 60, 70 den gleichen Versatz aufweisen, wie er in Fig. 1 gezeigt ist.

Nachdem die Spiegelstrahlen 490, 500 und die Objektstrahlen 450, 460 im Prisma 600 interferieren und die Auswertungsstrahlen 520 und 510 bilden, wer den diese Strahlen mittels einer Bündeloptik 620 gebündelt und auf ein opti sches Element 700 gelenkt. Das optische Element 700 hat bevorzugt eine rechteckige oder quadratische Grundfläche. An den beiden der Bündeloptik 620 zugewandten Seiten sind Verspiegelungen oder Spiegel 730, 740 angeordnet, die auftreffende Strahlen reflektieren. Die Spiegel 730, 740 können auch als eigenständige Spiegel oder spiegelnde Elemente ausgebildet sein; müssen dann aber ausgerichtet oder justiert werden.

Am optischen Element 700 werden auftreffende Strahlen umgelenkt. An den Spiegeln 730, 740 werden die beiden Auswertungsstrahlen 520 und 510 vonei- nander getrennt und zu den Kameras 210, 220 geleitet. Am Spiegel 730 wird der Auswertungsstrahl 520 in einen ersten Detektionsstrahl 530 reflektiert, der mittels eines Umlenkspiegels 710 zur ersten Kamera 210 gelenkt wird. Der zweite Auswertungsstrahl 510 wird am Spiegel 740 als zweiter Detektionsstrahl 540 zu einem Umlenkspiegel 710 gelenkt, sodass der zweite Detektionsstrahl 540 auf die zweite Kamera 210 auftrifft. Die mit den Kameras 210 und 220 auf genommenen Signale werden in der Signalauswerteeinheit 9 verarbeitet, so dass das Profil der Waferoberfläche 40 des Wafers 20 erfasst wird.

Bei der hier gezeigten Ausführungsform werden die Detektionsstrahlen 530, 540 ebenfalls derart fokussiert, dass sie an einem einzelnen Punkt auf den Ka- meras 210, 220 auftreffen.

Fig. 6 zeigt eine alternative Ausführungsform des erfindungsgemäßen Sys tems 1 , die dem Aufbau nach der Ausführungsform gemäß Fig. 5 entspricht. Die beiden Ausführungsformen der Fig. 5 und 6 unterscheiden sich lediglich durch die Verwendung des optischen Elements, das die beiden Auswertungs strahlen 510, 520 in die Detektionsstrahlen 530, 540 umlenkt. Gemäß Fig. 6 wird ein flacheres optisches Element 750 verwendet, sodass keine rechtwink lige Strahlenführung erzielt wird, wie es in der Ausführungsform gemäß Fig. 5 vorgesehen ist. Gemäß Fig. 5 werden die Auswertungsstrahlen um 90° auf die beiden Umlenkspiegel 710, 720 gelenkt, die im 45°-Winkel angeordnet sind, sodass die Detektionsstrahlen 530, 540 nach ihrem Auftreffen im 90°-Winkel zu den beiden Kameras 210, 220 geleitet werden.

Gemäß Fig. 6 erfolgt mittels des optischen Elements 750 und den beiden Spie- geln 730, 740 eine von 90° verschiedene Umlenkung aufgrund der Anordnung der Spiegel 730, 740 an den nicht rechtwinklig angeordneten Seitenflächen des rautenförmigen optischen Elements 750. Die beiden Umlenkspiegel 710 und 720 sind entsprechend angeordnet, damit die Detektionsstrahlen auf einen Punkt auf der jeweiligen Kamera 210, 220 gelenkt, bevorzugt fokussiert werden. Hierdurch lässt sich ein deutlich kompakterer Messaufbau realisieren, sodass das System kleiner und kompakter aufgebaut und die Genauigkeit der Messun gen erhöht werden kann.

Selbstverständlich kann das Prisma 600 aus den Figuren 5 und 6 bevorzugt auch in einer Ausführungsform der Erfindung gemäß Figur 1 eingesetzt werden, wobei der teildurchlässige Spiegel 90 und die Spiegel 60, 70 ersetzt werden. Auch kann die optische Vorrichtung 2 aus Figur 1 in die Ausführungen gemäß den Figuren 5, 6 verwendet werden.

Ebenso kann die Detektionseinheit gemäß Figur 1 , die die Kameras 210, 220 und die Prismen 275, 270, die Tubusoptiken 200, 230 und die Spiegel 260 um- fasst, durch die Detektionseinheit gemäß der Figuren 5, 6 ersetzt werden, so dass die Bündeloptik 620, das optische Element 700 oder 750, die Spiegel 710, 720, 730 und 740 sowie die Kameras 210, 220 verwendet werden. Gleiches gilt vice versa. Siqnalauswertunq

Die nachfolgende Erläuterung der Berechnung des Oberflächenprofiles aus den gewonnen Signalen i _x , r _x und q _x mit x = 1 , 2, 3 für die drei Wellenlängen li, l2 und l3 wird nur für ein Pixel der Kamerasensoren der Zeilenkameras 210 bzw. 220 ausgeführt. Es versteht sich, dass diese Berechnung für jedes Pixel der

Kameras 210, 220 durchgeführt werden kann. Es ist somit möglich entspre chend der Sensorgröße und Anordnung eine Vielzahl von Höhenpunkten des Profils gleichzeitig zu ermitteln.

Für eine Zeilenkamera mit heute z. B. verfügbaren 16384 Punkten pro Zeile sind dies entsprechend 16384 Höhenwerte für jeden Auslesetakt der Kameras. Weiterhin kann man bei der hier beschriebenen Anordnung die Zeilenkameras 210, 220 kontinuierlich relativ zum Wafer 20 bewegen. Man erhält entsprechend der Taktgeschwindigkeit der Kameras entsprechend viele Zeilen mit Höhenin formationen pro Zeiteinheit. Bei einem Takt der vorgeschlagenen Mehrkanal- TDI-Zeilenkameras von z.B. 100 kHz erhält man also mehr als 1600 Mio. Hö henwerte pro Sekunde. Solche Kameras werden von verschiedenen Herstellern angeboten (z.B. von Vieworks und von Dalsa Teledyne). Die Verwendung der artiger TDI-Mehrkanalzeilenkameras ist eine besonders geeignete Variante, da sich so sehr hohe Messgeschwindigkeiten erzielen lassen. Diese Kameras ent- halten mehrere (in der Regel 4) TDI-Blöcke in einer Kamera, die sich simultan betreiben und auslesen lassen. Bei Einsatz solcher Kameras wird die Aufnahme der genutzten Wellenlängen, die zu einer Zeile auf der Waferoberfläche gehö ren, nacheinander erfolgen. D.h. während der erste TDI-Block den Zeilenbe reich bei li aufnimmt, ermittelt der zweite TDI-Block das Signal bei l2 und der dritte TDI-Block das Signal l3.

Für die nachfolgend dargestellte Berechnung ist dieser zeitliche Versatz prinzi piell unerheblich. Es müssen lediglich die erhaltenen Signalbilder zeitlich ge staffelt (entsprechend dem räumlichen Versatz der TDI-Blöcke) zugeordnet und ausgewertet werden. Mit dieser Anordnung lässt sich besonders gut eine hohe Signalqualität (entsprechend hoch aufgelöste und robuste Messung) mit hoher Geschwindigkeit vereinbaren. Alternative Anordnungen werden weiter unten er läutert.

Der Ablauf der Messung und Ihrer Vorbereitung ist in Fig. 2 illustriert. Für eine korrekte Bestimmung der Höhenwerte muss die Messung mittels einer Dunkel signalmessung und einer Bestimmung der Übertragungsfunktion der Optik und Sensorik vorbereitet werden.

In der Dunkelsignalmessung wird bei abgeschalteter Lichtquelle das Signal d an jedem Kamerapixel y der beiden Zeilenkameras 210 und 220 gemessen. Damit wird das sogenannte Dunkelrauschen der Kamera bestimmt, welches für jede weitere Messung ein Offset darstellt und vom Signal abgezogen wird. Dies wird für beide Zeilenkameras (Sensoranordnungen) 210 (Index z=1 ) und 220 (Index z=2) durchgeführt. d _xyz ausgelesener Signalwert bei Wellenlänge x ( l _c ) am Pixel y des

Sensors z (5)

Zur Bestimmung der optischen und elektrischen Transferfunktion der Anord nung (System 1 ) wird eine Hellsignalmessung h mit einem bekannten ebenen Objekt durchgeführt. Dazu wird die Waferoberfläche 40 durch ein ebenes Re ferenzstück mit bekannten Reflexionseigenschaften ersetzt. Da das Signal h an jedem Sensorpixel eindeutig durch die Intensität der Lichtquelle (Signalwert q), der Transferfunktion M, dem Reflexionsgrad des Referenzstückes r , der Weg differenz l _z der beiden interferierenden Lichtbündel (erster Objektstrahl 450 und erster Spiegelstrahl 490) (auftreffend auf Sensor (Zeilenkamera) 220, z = 2) bzw. zweiter Spiegelstrahl 500 und zweiter Objektstrahl 460 (auftreffend auf Sensor (Zeilenkamera) 210, z = 1 ) und dem Dunkelsignal d bestimmt ist, lässt sich bei bekannten Werten h, q, r, und d die Transferfunktion M für jede Wellen länge x, für jedes Pixel y und für beide Sensoren z als Funktion der Wegdiffe renz ermitteln. Die Transferfunktion ist im Allgemeinen für jede Wellenlänge x, jeden Pixel y und jede Kamera z unterschiedlich. Sie wird bestimmt durch die Empfindlichkeit der einzelnen Pixel, durch die Ausleuchtung, Materialeigen schaften, die Beschichtungen und Abbildungsfehler der Optik. Um die Ausgangsintensität jeder Laserlichtquelle 1 10, 120, 130 zu überprüfen und in die Rechnung als Korrektur- bzw. Referenzwert einfließen zu lassen, können die Signale q-i, q2 und q ₃ der üblicherweise in jedem Lasermodul einge bauten Monitordioden (auf der dem Ausgang abgewandten Seite des Lasers) 140, 150, 160 direkt benutzt werden.

Das Signal h der Hellreferenzmessung ist:

Dabei sind: h _xyz, href (lz) Messwert der Referenzmessung bei Wellenlänge x am Pixel y des

Sensors z (Interferometer, Zeilenkameras 210 [z = 1 ] und 220 [z = 2]) als Funktion der Wegdifferenz l _z . q _X yz, href eingestrahlte Lichtintensität der Referenzmessung bei Wellenlänge x am Pixel y.

M _xyz (l _z ) Transferfunktion bei Wellenlänge x am Pixel y des Sensors z als

Funktion der Wegdifferenz l _z . r _{x, ref} Reflexionskoeffizient der Referenzmessung (bekanntes Material) bei Wellenlänge x. dxyz ausgelesener Dunkel-Signalwert (kein Anregungslicht) bei Wellen länge x am Pixel y des Sensors z. Anmerkung: Die Dunkel-Signalwerte sind trotz„dunkel = ohne Licht“„wellenlän genabhängig“, da für die verschiedenen Wellenlängen unterschiedliche Sensor pixel genutzt werden - diese können unterschiedliche Dunkelzählwerte haben. Das Argument l _z bezeichnet hierbei die Wegdifferenz, die die beiden interferie renden Bündel, also erster Objektstrahl 450 und erster Spiegelstrahl 490, auf treffend auf Zeilenkamera 220, z = 2 bzw. zweiter Objektstrahl 460 und zweiter Spiegelstrahl 500, auftreffend auf Zeilenkamera 210, z = 1 jeweils zueinander haben.

In Fig. 3 sind die Verhältnisse für das Lichtbündel-Paar erster Objektstrahl 450 und erster Spiegelstrahl 490 dargestellt. Wie daraus ersichtlich, ist die Weg- Differenz h gerade 2x (z _m irror2 - z _S am _P ie), da sich der Wegunterschied Zdifferenz auf hebt, weil er von jedem Teilbündel (erster Messstrahl 430 und zweiter Teilstrahl 420) genau einmal durchlaufen wird. Der Abstand z _mirror 2 des Referenzspiegels

60 trägt hier den Index 2, da die beiden Referenzspiegel 60, 70 ohne Beschrän kung der Allgemeinheit zur Herstellung des erfindungsgemäßen Phasenversat zes einen unterschiedlichen Abstand vom Teilerspiegel 90 des Strahlteilers 4 haben. Für das Lichtbündelpaar zweiter Objektstrahl 460 und zweiter Spiegelstrahl 500 gelten analoge Verhältnisse, wie in Fig. 4 dargestellt. Hier durchlaufen beide später interferierenden Teilbündel (erstes Teilbündel umfassend zweiten Teil strahl 420 und zweiten Objektstrahl 460; zweites Teilbündel umfassend zweiten Referenzstrahl 480 und zweiten Spiegelstrahl 500) den Wegunterschied Z _differenz genau 2 mal, wodurch er sich wiederum aufhebt und die zu berücksichtigende Wegdifferenz h gerade gleich 2x (z _m irrori - z _S am _P ie) ist.

Zur Bestimmung des Abstandes der Waferoberfläche 40 von der Sensoranord nung z _S am _P ie (diese entspricht der optischen Vorrichtung 2) können für Definition und Verwendung der T ransferfunktion leicht unterschiedliche Verfahren genutzt werden. Das ausgewählte Verfahren wird für beide Sensoren Zeilenkameras 210 und 220 gleichermaßen eingesetzt.

Zum einen kann die Transferfunktion M(l) in einen nicht-interferierten Faktor M ^max und die Interferenzwirkung zerlegt werden. Den Faktor M ^max erhält man, indem die T ransferfunktion M(l) nur in Ihren Maxima bestimmt wird. Die Intensi tätsmodulation durch die Interferenz lässt sich dann direkt aus den Werten des Messdurchlaufs ermitteln. Dieser erste Weg ist nachfolgend weiter beschrieben.

Zum anderen kann die Intensitätsmodulation durch die Interferenz in die Trans- ferfunktion M(l) einbezogen werden. Dann wird M(l) in der Referenzmessung für den gesamten Arbeitsbereich als Funktion der Wegdifferenz der beiden Bün del (erster und zweiter Teilstrahl) und der Abstand zu der Waferoberfläche er mittelt. Die Abstandsdifferenz zur Waferoberfläche wird im Messdurchlauf durch den Vergleich der Transferfunktionswerte mit denen der als Referenz durchge- führten Hellsignalmessung ermittelt. Dieser Vergleich erfolgt jeweils für das T riplet der Wellenlängen x = 1 ,2,3 und für beide Sensoren z=1 ,2 und sucht den zu allen drei Wellenlängen und beiden Sensoren passenden Abstand.

Für die Sensoren Zeilenkameras 210 und 220 gelten die Transferfunktionen (wobei sich die 12 im Nenner aus dem 2x Durchlauf durch die Differenz z _mirror - Z _sampie ergibt):

Dabei sind:

M _xyz (l _z ) Transferfunktion bei Wellenlänge x am Pixel y des Sensors z als

Funktion der Wegdifferenz l _z . maximaler Wert der Transferfunktion bei Wellenlänge x am Pixel y des Sensors z -» kontruktive Interferenz = Wegdifferenz l _z . = ganz zahliges Vielfaches der Wellenlänge l _c

Zmirror, z Abstand des Teilerspiegels 90 vom Spiegel 60 bzw. 70 (vgl. Fig. 4)

Zsample Abstand des Teilerspielgels 90 von der Waferoberfläche 40 (vgl.

Fig. 4) Bestimmt man hierfür für jede der drei Wellenlängen x = 1 ,2,3 die maximalen Signalwerte, so lässt sich M ^max für jede Wellenlänge ermitteln ¹

Dabei ist: I _{z für hmax (x)} Wegdifferenz, bei der das Signal am Sensor z maximal ist, also l _z ein ganzzahliges Vielfaches der Wellenlänge l _c ist.

Die Bestimmung von M ^max erfolgt für jede Wellenlänge z.B. indem man den Abstand Z _sampie des Referenzstückes kontinuierlich verändert, und so für alle drei Wellenlängen x = 1 , 2, 3 und beide Sensoren z = 1 , 2 eine volle Wellenlängen- Periode durchläuft. Dabei lässt sich auch aus den jeweiligen z _S am _P ie,y Positionen, bei denen der Maximalwert auftritt ermittelten, wie groß der Phasenversatz Dz _G = Zmirrori , _y - z _mirror 2, _y der beiden Spiegel 60 und 70 an jedem Pixel y ist.

Im Messdurchlauf mit der zu untersuchenden unbekannten Waferoberfläche 40 werden nunmehr gleichzeitig die Sensorsignale i _zi , i _Z 2 und der Kamerasenso- ren 210 [z=1] und 220 [z=2] aufgenommen sowie die Ausgangsintensitäten der Laser-Lichtquellen 1 10, 120, 130 mittels der eingebauten Monitordioden 140, 150, 160.

Für die Signale an den Sensoren, Zeilenkameras 210 und 220, gilt:

Vxy,wafer d xyz (10)

Dabei sind:

Interferometrie-Messwert bei Wellenlänge x am Pixel y des Sensors z eingestrahlte Lichtintensität der Messung bei Wellenlänge x am Pi xel y n _/i max

1 ^l xyz maximaler Wert der Transferfunktion bei Wellenlänge x am Pixel y des Sensors z -» kontruktive Interferenz = Wegdifferenz l _z . = ganz zahliges Vielfaches der Wellenlänge l _c r _{xy, wafer} Reflexionskoeffizient des Wafers 20 bei Wellenlänge x am Pixel y dxyz ausgelesener Dunkel-Signalwert (kein Anregungslicht) bei Wellen länge x am Pixel y des Sensors z

Mit der Relation Az _ry = z _m irrori , _y - z _m irror2, _y und der Umformung Az _y = z _m irrori , _y - z _S ampie, _y lassen sich die Gleichungen für die beiden Sensoren vereinfachen zu:

Da für die Profilmessung der Waferoberfläche 40, also die Erfassung des Ober flächenprofils des Wafers, die Bestimmung von Az _y ausreichend ist und die Ab standsdifferenzen Dz^ aus der Vormessung zur Ermittlung der Maxima der Transferfunktionen M ^max bekannt ist, definiert dieses Paar Signalgleichungen (1 1 ), (12) für jeden Pixel y ein Gleichungssystem aus 6 Gleichungen (für die

Argumente gilt x = 1 , 2, 3 und z = 1 , 2) für die 4 unbekannten Größen: die drei Reflexionskoeffizienten r _{xy Wa} f _er der Waferoberfläche 40 die gesuchte Abstandsdifferenz Az _y , die das Profil der Waferoberfläche 40 ergibt Durch geeignete Wahl der Wellenlängen li, l ₂ und l3 für x = 1 , 2, 3 lässt sich ohne Schwierigkeiten ein Arbeitsbereich von 0,5 mm mit eindeutiger Zuordnung der beiden Intensitätsmesswerttripel i _xyl und i _xy2 zu einer Wegdifferenz Az _y hersteilen, was für eine Vielzahl von Profilmessaufgaben ausreichend ist. Dies ist in eingangs genannter Veröffentlichung von K.Meiners-Hagen, R. Schrödel, F. Pollinger und A. Abou-Zeid erläutert. In der darin bekannt gemachten Anord nung werden beispielsweise die Wellenlängen 532 nm, 632 nm und 780 nm verwendet und es wird ein Arbeitsbereich von 0,6 mm mit eindeutiger Zuord nung der Abstandsdifferenz erreicht. Zur Vereinfachung der mathematischen Auswertung können die Gleichungen zusammengefasst werden:

Damit reduziert sich die Aufgabe für jedes Pixel y auf die Bestimmung von Az _y aus den verbleibenden 3 Gleichungen, welche jeweils gleichzeitig erfüllt sein müssen. Durch die Zusammenfassung gehen in die Berechnung die Intensitä- ten q-i _y , q2 _y und q _3y der Laserquellen nicht mehr unmittelbar ein und die Reflexi onskoeffizienten r _X y _Wa f _er der Waferoberfläche 40 müssen nicht explizit be stimmt werden. Stellt man Az _y in Einheiten der halben Wellenlänge dar, so kann Az _y für jede der drei Wellenlängen _x a\s Summe aus ganzzahligen Anteilen _< 5 und dem Rest f _x dargestellt werden als:

Die gesuchte Wegdifferenz Az _y ermittelt man aus den D z _yx , indem man das Triple d _c ganzzahliger Anteile ermittelt, für welches die mittlere Abweichung der zugehörigen Az _yx vom jeweiligen Mittelwert minimal ist.

Nutzung eines Referenzprofiles für die Höhenmessunq von wiederkehrenden Strukturen Eine wichtige Anwendung der hier dargestellten Höhenprofilmessung ist die Vermessung der Höhen der Kontaktstrukturen auf Wafern. Hierbei ist lediglich die Höhe der Struktur von Interesse, um beim späteren Einbringen und Kontak tieren der Chips im Gehäuse oder bei der 3-dimensionalen Integration von meh reren Chips sicher zu gehen, dass alle Kontaktstrukturen tatsächlich elektri- sehen Kontakt haben und keine der Strukturen so groß ist, dass der Chip beim Einbau mechanisch beschädigt wird. Dafür soll jeweils ermittelt werden, ob die Zenitpunkte aller Kontaktstrukturen mit hinreichend geringer Toleranz in einer Ebene liegen.

Um diese Aufgabe schnell und zuverlässig zu lösen, wird vorgeschlagen, eine hochauflösende Referenzmessung an einigen wenigen Exemplaren der Kon taktstrukturen auszuführen, daraus ein Referenzmodell der Kontaktstruktur zu erstellen und zur routinemäßigen Messung gleichartiger Wafer nur so viele Messpunkte aufzunehmen, das mit Sicherheit einige davon auf der Kontakt strukturoberseite liegen. Ein solches Referenzmodell kann mit demselben, oben beschriebenen Profil messverfahren erstellt werden. Dazu kann in einer ersten Ausführungsform der Erfindung das Objektiv 50 als Wechselobjektiv mit verschiedenen Vergrößerun gen ausgeführt sein. Die Referenzmessung kann dann mit einer hohen Vergrö ßerung ausgeführt werden. Das Referenzmodell kann z.B. durch Mittelung oder Medianberechnung aus mehreren vermessenen Kontakten erzeugt werden. Die Routinemessung kann mit einer niedrigeren Vergrößerung ausgeführt wer den, so dass gerade noch genug Messpunkte auf der Kontaktoberfläche ermit telt werden, um einen zuverlässigen Vergleich mit dem Referenzmodell durch führen zu können.

In einem anderen, alternativen Verfahren kann Objektiv 50 ein festes Objektiv mit einer festen Vergrößerung sein. Die Referenzmessung kann hierbei durch mehrfache Messung mit kleinem lateralem Versatz ausgeführt werden. Dadurch wird wiederum eine dichtere Messpunktabdeckung für den vermessenen Kon takt gewonnen. Das Referenzmodell kann wieder durch Mittelung oder Median berechnung aus mehreren vermessenen Kontakten erzeugt werden. Der Vergleich mit einem Referenzmodell hat zur Ermittlung der Zenitpunkte den Vorteil, dass man die Messpunktdichte geringer wählen kann. Man ist nicht da rauf angewiesen, den Zenitpunkt selbst immer als Messpunkt treffen zu müs sen. Vielmehr genügt es, einige wenige Punkte, z.B. 5 bis 10 Punkte auf der Kontaktoberfläche zu benutzen. Diese können an beliebigen Stellen auf dem Kontakt liegen. Die Zenithöhe wird dann durch Anpassung der Modellhöhe an die gemessenen Punkte bestimmt. Dadurch kann insgesamt mit einer geringe ren Messpunktdichte und somit mit einem höheren Durchsatz gearbeitet wer den und trotzdem eine zuverlässige Messung der Zenithöhen der Kontakte er folgen.

Nutzung zur Inspektion

Nach Bestimmung des Höhenprofiles der Oberfläche sind die Werte Az _y be kannt. Damit können aus den Intensitätsdaten i _xyi eines der Kanäle die Werte für die Reflexionskoeffizienten r _xyW afer nach Gleichung (1 1 ) ermittelt werden:

Daraus kann für jede Wellenlänge l _c ein monochromatisches Bild bei der jewei ligen Wellenlänge durch Zusammenführen der so berechneten Pixel-Werte für alle y-Orte erstellt werden. Zur Verbesserung der Bildqualität können auch die Intensitätswerte beider Ka näle (z = 1 , 2) nach Gl. (18) genutzt und ein gemitteltes Bild erstellt werden.

Diese Bilder können für weitere Aufgaben, wie z.B. die Suche nach Defekten oder die Prüfung der lateralen Ausrichtung der Daten-Aufnahmen benutzt wer den.

Ausführunqsvarianten

Alternative Ausführungsvarianten sollen ohne Beschränkung der Allgemeinheit Bestandteil der Erfindung sein. So dient der Einsatz der TDI-Technik in der erläuterten Erfindung lediglich der Verbesserung des Signal-Rauschverhältnisses und ist für das erfindungsge mäße Prinzip nicht notwendig. Für einfachere Anforderungen kann daher an stelle von TDI-Mehrkanal-Kamerazeilensensoren (Zeilenkameras 210 und 220) auch eine Anordnung aus jeweils drei unabhängigen Zeilensensorkameras o- der von drei unabhängigen, einkanaligen TDI-Zeilensensorkameras gewählt werden. Die für diese Ausführung erforderliche weitere räumliche Aufspaltung lässt sich durch Vergrößerung des jeweiligen Abstandes zwischen den Prismen 250 bzw. 270 und den Tubusoptiken 230 resp. 200 erreichen. Die Tubusoptiken 230 resp. 200 können dazu auch als 3 einzelne Optiken ausgebildet werden. Alternativ können auch übliche Flächenkameras eingesetzt werden oder TDI- Einkanalzeilenkameras, die im Flächenauslesungsmodus betrieben werden. Bei einer solchen Anordnung verringert sich die Taktfrequenz entsprechend auf z.B. einen Takt von 1 kHz (für den beschriebenen Flächenauslesungsmodus einer TDI- Einkanalzeilenkamera) und man erhält immer noch mehr als 16 Mio. Höhenwerte pro Sekunde.

Es versteht sich, dass bei Nutzung von Flächenkameras oder TDI- Einkanalzeilenkameras im Flächenauslesungsmodus die drei Wellenlängen li, l2 und l3 auf den Kamerasensoren auf unterschiedliche Zeilen x = 1 , 2, 3 abge- bildet werden. Die Zuordnung der erhaltenen Signalbilder zueinander, die bei den drei Wellenlängen jeweils den gleichen Punkt auf der Waferoberfläche 40 betrachten, erfolgt hier durch eine räumliche Zuordnung der Bereiche des Ka merasensors. Für die prinzipielle oben dargestellte Auswertung ist es unerheb lich, ob die Zuordnung räumlich (bei flächigen Sensoren) oder zeitlich gestaffelt (bei Zeilensensoren) erfolgt.

Es ist zu beachten, dass für lateral hochauflösende Anwendungen (z.B. im ein stelligen pm-Bereich) durch den Einsatz mehrerer Kameras ohnehin eine late rale und rotatorische Korrektur für die aufgenommenen Signalbilder erforderlich ist, da eine Justage der gesamten Anordnung auf einen Versatz der Kamera- von weniger als 1 pm mechanisch kaum erreichbar ist. Eine solche mathemati sche Korrektur kann üblicherweise durch die Aufnahme eines Referenzmusters ermöglicht werden, aus dem der genaue Ort auf dem Wafer, der von jedem Pixel betrachtet wird ermittelt werden kann.

In weiteren Ausführungsvarianten kann die Zahl der eingesetzten Wellenlängen dem benötigten Arbeitsbereich angepasst werden. Für besonders kleine Ar beitsbereiche ist bereits eine Ausführung mit nur einer Wellenlänge möglich o- der für kleine Bereiche mit zwei Wellenlängen. Bei nur einer Wellenlänge dient die erfindungsgemäße Nutzung der dargestellten zwei„Sensorarme“ der Ermitt lung des Reflexionsgrades der Probe und ermöglicht somit - im Unterschied zu herkömmlichen Multi-Wellenlängen-Interferometrieanordnungen - die Mes sung von Profilen mit wechselnden oder unbekannten Materialien. Für noch größere Arbeitsbereiche oder eine Verbesserung der Zuverlässigkeit durch Re dundanz der Messung bietet sich die Ausdehnung auf mehr als 3 Wellenlängen an, die insbesondere mit der oben genannten Multi-Block-TDI-Kamera realisiert werden kann (es wurden bereits Kameras mit 7 TDI-Blöcken vorgestellt).

In weiteren Ausführungsvarianten kann die hier vorgestellte Kombination von 2 Interferometrie-Sensoren (Zeilenkameras 210, 220) auch in eine Ausführung von zwei nacheinander erfolgenden Messungen aufgeteilt bzw. in zwei nachei- nander einzusetzenden Messköpfen realisiert werden.

Die Beleuchtung kann geeignet mit kontinuierlich strahlenden, monochromati schen Lichtquellen erfolgen. Laser sind dafür ebenso geeignet wie andere breit- bandigere Strahlquellen, welche mit entsprechenden Interferenzfiltern kombi niert sein können. Einzige Bedingung ist, dass die Kohärenzlänge des einge- setzten Lichtes für den zu realisierenden Arbeitsbereich ausreichend groß ist.

Für das erfindungsgemäße Verfahren ist ausreichend, dass ein Phasenversatz zwischen den zwei Strahlenbündeln, also zwischen dem ersten Spiegelstrahl 490 und dem zweiten Spiegelstrahl 500 des„Referenzarmes“ erzeugt wird, der für alle eingesetzten Wellenlängen verschieden von einem ganzzahligen Viel- fachen der Wellenlänge ist. Dies kann wie im Ausführungsbeispiel dargestellt durch einen räumlichen Versatz der Spiegel 60 und 70 erfolgen. Es kann jedoch auch ein Spiegel mit einer oder zwei unterschiedlichen Beschichtungen verse hen werden, um den Phasenversatz zu erzeugen. Z.B. entsteht an einer aufge brachten transparenten Schicht durch Interferenz der an Vorder- und Rückseite der Schicht reflektierten Strahlen ein Phasenversatz.

Ebenso kann anstelle des Strahlteilers 90 ein geklebtes Prisma mit quadrati schem Querschnitt genutzt werden, welches in der geklebten 45°-Fläche mit einer teilverspiegelnden Schicht versehen ist. Somit wird ein teildurchlässiger Spiegel gebildet. Bei Verwendung eines solchen Prismas kann der„Referenz arm“ durch Aufdampfen einer Verspiegelung direkt auf die Außenfläche des Prismas erzeugt werden. Durch Aufbringen zweier unterschiedlicher Schichtdi cken oder unterschiedlicher Materialien kann wieder der erforderliche Phasen- versatz erzeugt werden. Diese Anordnung führt zwar wegen der deutlich unter schiedlichen Dispersion im„Referenz- und Messarm“ des Interferometers zu einer Verringerung des Interferenzkontrastes; ist aber jedenfalls für einfache Anforderung aufgrund seiner Robustheit vorteilhaft. Eine Ausführungsform mit einem geklebten Prisma ist in den Figuren 5 und 6 gezeigt.