有机发光二极管或有机发光显示器 ( Organic Light Emitting Diode Display, OLED )又称为有机电致发光二极管， 是自 20世纪中期发展起来 的一种新型显示技术。 与液晶显示器相比， 有机电致发光二极管具有全固 态、 主动发光、 高亮度、 ¾ 、 j" ^匕变、 超薄、 低成本、 低功耗、 快速响应、 宽视角、 工作温度范围宽、 易于柔性显示等诸多优点。 有机电致发光二极 管的结构一般包括： 基板、 阳极、 阴极和有机功能层， 其发光原理是通过 阳极和阴极间蒸镀的非常薄的多层有机材料， 由正负载流子注入有机半导 体薄膜后复合产生发光。 有机电致发光二极管的有机功能层， 一般.由三个 功能层构成， 分别为空穴传输功能层 ( Hole Transport Layer, HTL ) 、 发 光功能.层 ( Emissive Layer, EML ) 、 电 ΐ 专愉功能.层 ( Electron Transport Layer, ETL ) 。 每个功能层可以是一层, 或者一层以上， 例如空穴传输功 能层， 有时可以细分为空穴注入层和空穴传输层； 电子传输功能层， 可以 细分为电子传输层和电子注入层， 但其功能相近， 故统称为空穴传输功能 层， 电子传输功能层。

目前， 全彩有机电致发光二极管的制作方法以红绿蓝 （RGB ) 三色并 列独立发光法、 白光加彩色滤光片法， 色转换法三种方式为主， 其中红绿 蓝三色并列独立发光法最有潜力， 实际应用最多， 其制作方法是红绿蓝选 用不同主体和客体的发光材料。

有机电致发光二极管， 根据其驱动方式， 可以分为无源驱动和有源驱 动两大类。 即直接寻址和薄膜晶体管 （TFT ) 矩阵寻址两类。 所述有源驱 动类有机电致发光二极管即是有源矩阵式有机 电致发光二极管 （Active Matrix Organic Light Emitting Device, AMOLED ) 。

小尺寸 AMOLED 显示屏目前的技术路线是低温多晶硅薄膜晶体 管

( LTPS TFT ) 背板搭载顶发光 ( TOP Emission ) 的 OLED, 其阴极使用镁 / 银（Mg/Ag )合金， Mg的功函数是- 3,68ev, Ag的功函数是 4,26ev， 这样 可以使电子能比较容易从阴极注入到电子传输 层， 并且 10- 20mn的 Mg/Ag 合金也具有非常好的穿透率， 使发光层内部激子跃迁发出的光能从器件内 一般功函数越高的金属越活泼， 例如锂 （li ) 的功函数- 2, lev; 钠 ( Na ) 的功函数- 2,28ev; 钙 （ Ca ) 的功函数- 2,9ev， 越活泼的金属越容易 被氧化， Na 需要在煤油中保存， 遇到空气和水汽就会发生反应， 剧烈时 会燃烧爆炸。 所以为了便于使用选择了功函数相对较高的 Mg， 但是 Mg 在空气中^然会被氧化 , 其表面会形成一层致密的氧化镁薄层。

氧化镁在镀膜机里加热蒸镀过程中， 会以很小微粒形式鋒放出来， 简 称 "镁灰" 。 这种镁灰的质量很轻， 大量的氧化锾在镀膜机腔体中， 污染 腔体， 最重要的是可以漂浮到基板上， 在像素 （pixel ) 中形成缺陷， 导致 发光区呈现黑点， 影响寿命和良率。

' 本发明的目的在于提供一种金属镁的预处理装 置， 其结构简单， 能有 效去除金属镁表面的氧化镁， 且有效减小金属镁外露面积， 进而有效减小 金属镁再次氧化的面积， 提高金属镁的纯度。

本发明的另一目的在于提供一种金属镁的预处 理方法， 其操作简单， 能有效去除金属镁表面的氧化锾， 且有效减小金属镁外露面积， 进而有效 减小金属镁再次氧化的面积， 提高金属锾的纯度。

为实现上述目的， 本发明提供一种金属镁的预处理装置， 包括： 腔 体、 安装于腔体内的加热装置、 设于腔体上的进气口及设于腔体上的抽气 口， 所述进气口与外界的惰性气体注入设备相连通 ， 用于向腔体内注入惰 性气体， 所述抽气口与外部真空抽气装置相连通， 用于将腔体内抽成真 空， 所述加热装置用于加热表面被氧化的金属镁， 在真空环境下使得金属 镁表面的一层氧化镁挥发， 得到纯金属镁。

所述进气口上设置有进气阀门， 用于控制进气口的打开与关闭； 所述 抽气口上设有抽气阀门， 用于控制抽气口的打开与关闭。

还包括控制装置， 用于控制所述进气阔门与抽气阀门的开与关。

还包括设置于腔体内的氧气传感器、 设置于腔体内的真空计， 所述氧 气传感器用于检测腔体内的氧气含量， 所述真空计用于检测腔体内的压 力。

所述加热装置包括底座。 设于底座上的加热线圈及设于底座上且位于 加热线圖外围的罩体， 所述加热线圈由铁铬铝合金、 或镍铬合金电热丝缠 绕制成； 所述底座与罩体均由金属制成， 该加热装置通过控制装置控制是 否进行加热。

所述罩体内安装有温度传感器， 用于检测加热装置的温度。

所述腔体内还设有照明装置， 且该腔体的一个侧壁上， 设有透明开 窗， 用于观察腔体内表面被氧化的金属镁的熔融状 况。

还包括可拆卸安装于腔体内的内衬防着板。

所述^ 制装置安装于腔体上或集成于镀膜机上。

本发明还提供一种金属锾的预处理装置， 包括： 腔体、 安装于腔体内 的加热装置、 设于腔体上的进气口及设于腔体上的抽气口， 所述进气口与 外界的惰性气体注入设备相连通， 用于向腔体内注入惰性气体， 所述抽气 口与外部真空抽气装置相连通， 用于将腔体内抽成真空， 所述加热装置用 于加热表面被氧化的金属镁， 在真空环境下使得金属镁表面的一层氧化镁 挥发， 得到纯金属镁；

其中， 所述进气口上设置有进气阔门， 用于控制进气口的打开与关 闭； 所述抽气口上设有抽气阀门， 用于控制抽气口的打开与关闭；

还包括 ·控制装置， 用于控制所述进气阀门与抽气阀门的开与关； 还包括设置于腔体内的氧气传感器、 设置于腔体内的真空计， 所述氧 气传感器用于检测腔体内的氧气含量， 所述真空计用于检测腔体内的压 力；

其中， 所述加热装置包括底座、 设于底座上的加热线圈及设于底座上 且位于加热线圈外围的罩体， 所述加热线圈由铁铬铝合金、 或镍铬合金电 热丝缠绕制成； 所述底座与罩体均由金属制成， 该加热装置通过控制装置 控制是否进行加热。

所述罩体内安装有温度传感器， 用于检测加热装置的温度。

所述腔体内还设有照明装置， 且该腔体的一个侧壁上， 设有透明开 窗， 用于观察腔体内表面被氧化的金属镁的熔融状 况。

还包括可拆卸安装于腔体内的内村防着板。

所述控制装置安装于腔体上或集成于镀膜机上 。

本发明还提供一种金属镁的预处理方法， 包括以下步骤：

步骤 1、 提供预处理装置， 该预处理装置包括： 腔体、 安装于腔体内 的加热装置、 设于腔体上的进气口及设于腔体上的抽气口， 所述进气口与 外界的惰性气体注入设备相连通， 所述抽气口与外部真空抽气装置相连 通；

步骤 2、 将表面被氧化的金属镁置于坩埚内， 并将坩埚放置于加热装 置内； 步骤 3、 通过抽气口将腔体内抽成真空；

步骤 4、 通过进气口向腔体内注入惰性气体；

步骤 5、 重复步驟 3与步骤 4， 至腔体内的氧气含量小于 Ippm;

步骤 6、 通过抽气口将腔体内抽成真空， 使得腔体内的压强小于或等 于】0- ⁴ Pa;

步骤 7、 通过加热装置加热表面被氧化的金属镁， 使得氧化镁完全挥 发；

步骤 8、 进行冷却后， 得到纯金属镁；

所述进气口上设置有进气阀门， 用于控制进气口的打开与关闭； 所述 抽气口上设有抽气阀门， 用于控制抽气口的打开与关闭；

所述预处理装置还包括控制装置， 用于控制所述进气阀门与抽气阀门 的开与关；

所述预处理装置还包括设置于腔体内的氧气传 感器、 设置于腔体内的 真空计， 所述氧气传感器用于检测腔体内的氧气含量， 所述真空计用于检 测腔体内的压力；

所述加热装置包括底座、 设于底座上的加热线圈及设于底座上且位于 加热线圈外围的罩体， 所述加热线圈由铁鉻铝合金、 或镍铬合金电热丝缠 绕制成； 所述底座与罩体均由金属制成， 该加热装置通过控制装置控制是 否进行加热；

所述罩体内安装有温度传感器， 用于检测加热装置的温度；

所述腔体内还设有照明装置， 且该腔体的一个侧壁上， 设有透明开 窗， 用于观察腔体内表面被氧化的金属镁的熔融状 况；

所述预处理装置还包括可拆卸安装于腔体内的 内衬防着板；

所述控制装置安装于腔体上或集成于镀膜机上 。

本发明的有益效果： 本发明的金属镁的预处理装置和方法， 通过前期 预处理可以除去金属镁颗粒表面的氧化镁， 且大大减小坩埚中金属锾外露 的表面积， 降低氧化镁的含量， 使得在镀膜腔体中， 只需预处理极少量的 氧化镁， 可以防止镀膜腔体被大量氧化镁污染， 并大大降低由氧化镁导致 的产品不良的机率； 且腔体无太多氧化镁， 可以降低停机保养的频率， 减 少内衬防着板更换的次数， 提高机器稼动率， 节省成本。

为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内 容， 请参阔以下有关本 发明的详细说明与附图， 然而附图仅提供参考与说明用， 并非用来对本发 明加以限制。 附图说明

下面结合附图， 通过对本发明的具体实施方式详细描述， 将使本发明 的技术方案及其它有益效果显而易见。

附图中，

图 1为本发明金属镁的预处理装置的立体结构示� �图；

图 2为本发明金属镁的预处理装置的平面结构示� �图；

图 3为本发明金属镁的预处理装置的加热装置的� �面结构示意图； 图 4为本发明金属镁的预处理方法的流程图；

图 5为氧化镁的固液-气转化曲线图。 具体实旅方式

为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其 效果， 以下结合本发明 的优选实施例及其附图进行详 ·细描述.

请参阅图 i 至图 3， 本发明提供一种金属镁的预处理装置， 包括： 腔 体 20、 安装于腔体 20内的加热装置 22。 设于腔体 20上的进气口 24及设 于腔体 20上的抽气口 26， 所述进气口 24与外界的惰性气体注入设备（未 图示）相连通， 用于向腔体 20内注入惰性气体， 所述抽气口 26与外部真 空抽气装置 （未图示）相连通， 用于将腔体 20 内抽成真空， 所述加热装 置 22 用于加热表面被氧化的金属镁， 在真空环境下使得金属镁表面的一 层氧化镁挥发， 得到纯金属锾。 由于该预处理装置是将表面被氧化的金属 镁置于坩埚 （未图示） 中进行的， 在预处理完成后， 纯金属镁外露的表面 积小于或等于坩埚的开口面积， 即使暴露在空气中， 其也只能氧化该外露 的表面， 大大减小金属镁的氧化面积， 降低金属镁再次被氧化产生的氧化 镁的含量， 提高金属镁的纯度。

具体地， 所述进气口 24上设置有进气阀门 242, 用于控制进气口 24 的打开与关闭； 所述抽气 α 26 上设有抽气阀门 262， 用于控制抽气口 26 的打开与关闭， 该进气阀门 242与抽气阀门 262的开与关通过控制装置进 行控制， 在本实施例中， 控制装置为可编程逻辑控制器 （PLC ) , 其可直 接安装于腔体 20 上或集成于镀膜机（未图示）上， 在本实施例中， 所述 控制装置直接安装于腔体 20上， 并通过控制面板 40进行具体操作。

进一步地， 所述金属镁的预处理装置还包括设置于腔体 20 内的氧气 传感器 21、 设置于腔体 20 内的真空计 23， 所述氧气传感器 21 用于检测 腔体 20 内的氧气含量， 所述真空计 23用于检测腔体 20 内的压力， 进而 保证腔体 20 内的氧气含量与压力达到预定标准， 以保证预处理后的金属 镁的纯度。

所述加热装置 22包括底座 222、 设于底座 222上的加热线圈 224及设 于底座 222上且位于加热线圈 224外围的罩体 226, 所述加热线圈 224由 铁铬铝合金、 或镍铬合金电热丝缠绕制成； 所述底座 222与罩体 226均由 导热性能较高的金属制成， 该加热装置 22 通过控制装置控制是否进行加 热。 且， 所述罩体 226内安装有温度传感器 228 , 用于检测加热装置 22的 温度， 以便控制加热温度在预定范围内。

值得一提的是， 所述腔体 20内还设有照明装置 25， 且该腔体 20的一 个侧壁上， 设有透明开窗 27， 通过照明装置 25 的照射， 可以通过透明开 窗 27观察腔体 20内表面被氧化的金属镁的熔融状况。

进一步地， 所述金属镁的預处理装置还包括可拆卸安装于 腔体 20 内 的内衬防着板 60, 供所述氧化镁挥发后附着， 以避免氧化镁直接酎着于腔 体的内壁上。 由于该内衬防着板 60 可拆卸， 当氧化镁附着到一定的量 时， 可将该内衬防着板 60 拆下进行清洗， 有效延长金属镁的预处理装置 的使用寿命。

请参阅图 4， 并参考图 〗 至图 3 , 本发明还提供一种金属镁的预处理 方法， 包括以下步骤：

步骤 1、 提供预处理装置， 该预处理装置包括： 腔体 20、 安装于腔体 20内的加热装置 22、 设于腔体 20上的进气口 24及设于腔体 20上的抽气 口 26, 所述进气口 24 与外界的惰性气体注入设备（未图示）相连通 ， 用 于向腔体 20内注入惰性气体， 所述抽气口 26与外部真空抽气装置 （未图 示）相连通， 用于将腔体 20内抽成真空， 所述加热装置 22用于加热表面 被氧化的金属镁， 在真空环境下使得金属镁表面的一层氧化镁挥 发， 得到 纯金属镁。 由于该预处理装置是将表面被氧化的金属镁置 于坩埚 （未图 示） 中进行的， 在预处理完成后， 纯金属镁外露的表面积小于或等于坩埚 的开口面积， 即使暴露在空气中， 其也只能氧化该外露的表面， 大大减小 金属镁的氧化面积， 降低金属镁再次被氧化产生的氧化镁的含量， 提高金 属镁的純度。

具体地， 所述进气口 24上设置有进气阀门 242, 用于控制进气口 24 的打开与关闭； 所述抽气口 26上设有抽气阀门 262 , 用于控制抽气口 26 的打开与关闭， 该进气阀门 242与抽气阀门 262的开与关通过控制装置进 行控制， 在本实施例中， 控制装置为可编程逻辑控制器 （PLC ) ， 其可直 接安装于腔体 20 上或集成于镀膜机（未图示）上， 在本实施例中， 所述 控制装置直接安装于腔体 20上， 并通过控制面板 40进行具体操作。 进一步地， 所述金属镁的预处理装置还包括设置于腔体 20 内的氧气 传感器 21、 设置于腔体 20 内的真空计 23 , 所述氧气传感器 21 用于检测 腔体 20 内的氧气含量， 所述真空计 23用于检测腔体 20 内的压力， 进而 保证腔体 20 内的氧气含量与压力达到预定标准， 以保证预处理后的金属 镁的纯度。

所述加热装置 22包括底座 222、 设于底座 222上的加热线圈 224及设 于底座 222上且位于加热线圈 224外围的罩体 226, 所述加热线圈 224由 铁铬铝合金， 或镍铬合金电热丝缠绕制成； 所述底座 222与罩体 226均由 导热性能较高的金属制成， 该加热装置 22 通过控制装置控制是否进行加 热。 且， 所述罩体 226内安装有温度传感器 228， 用于检测加热装置 22的 温度， 以便控制加热温度在预定范围内。

值得一提的是， 所述腔体 20内还设有照明装置 25， 且该腔体 20的一 个侧壁上， 设有透明开窗 27, 通过照明装置 25 的照射， 可以通过透明开 窗 27观察腔体 20内表面被氧化的金属镁的熔融状况。

进一步地， 所述金属镁的预处理装置还包括可拆卸安装于 腔体 20 内 的内村防着板 60， 供所述氧化镁挥发后附着， 以避.免氧化镁直接附着于腔 体的内壁上。 由于该内衬防着板 60 可拆卸， 当氧化镁附着到一定的量 时， 可将该内衬防着板 60拆下进行清洗， 有效延长金属镁的预处理装置 的使用寿命。

步骤 2、 将表面被氧化的金属镁置于坩埚内， 并将坩埚放置于加热装 实际操作可为： 将采购的金属镁颗粒填入镀膜机使用的镁泔埚 中， 由 于在生产及加工镁颗粒过程中， 不是全程在真空及惰性气体保护环境下进 行, 镁颗粒能与空气接触， 由于镁是很活泼的金属， 很容易被空气中的氧 气氧化， 表面形成一层氧化锾。

步骤 3、 通过抽气口 26将腔体 20内抽成真空。

具体地， 可通过干泵、 分子泵、 油泵、 低温泵或者不同泵的组合对腔 步骤 4、 通过进气口 24向腔体 20内注入惰性气体。

步骤 5、 重复步骤 3与步骤 4， 至腔体 20内的氧气含量小于 lppm。 步骤 6。 通过.抽气 α 26将腔体 20内抽成真空， 使得腔体 20内的压强 小于或等于 (T ⁴ Pa。

步骤 7、 通过加热装置 22加热表面被氧化的金属镁， 使得氧化镁完全 挥发。 请参阋图 5 , 其中， OB和 OC线分别表示气态与液态和固态相互转变 的临界线， 当气 /液和气 /固转变时体积变化很大， 随压力身高， 转变温度 也显著升高； OD表示液态与固态相互转变的临近线， 几乎与温度坐标垂 直， 压力变化对液 /固转变温度没有影响， 可知， 氧化镁在压强为 l(T ⁴ Pa， 温度为 450 - 600°C的环境下， 会自动挥发。

步骤 8、 进行冷却后， 得到纯金属镁。

进一步地， 把装有预处理好的镁的坩埚放入镀膜机的加热 源中， 待镀 膜机腔体真空度到达 IE- 4 以下， 开始升温， 把表面及少量的氧化镁去 除， 然后就可以正常镀膜了。 此时坩埚中已无氧化镁， 在沉积形成阴极 时， 亦无氧化镁沉积到阴极上， 基本上消除了氧化镁导致的缺陷。

综上所述， 本发明的金属镁的预处理装置和方法， 通过前期预处理可 以除去金属镁颗粒表面的氧化镁， 且大大减小坩埚中金属镁外露的表面 积， 降低氧化锾的含量， 使得在镀膜腔体中， 只需预处理极少量的氧化 镁， 可以防止镀膜腔体被大量氧化镁污染， 并大大降低由氧化镁导致的产 品不良的机率； 且腔体无太多氧化镁， 可以降低停机保养的频率， 减少内 衬防着板更换的次数， 提高机器稼动率， 节省成本。

以上所述， 对于本领域的普通技术人员来说， 可以根据本发明的技术 方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变 形， 而所有这些改变和变形 都应属于本发明权利要求的保护范围。