SOWIE LITHOGRAPHIEANLAGE

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Übertragung von elektri- sehen Signalen sowie eine Lithographieanlage mit einer solchen Vorrichtung.

Der Inhalt der Prioritätsanmeldung DE 10 2016 217 285.9 wird durch Bezug ^¬ nahme vollumfänglich mit einbezogen. Lithographie wird zur Herstellung mikro- und nanostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise, angewendet. Der Lithographiepro- zess wird mit einer Lithographieanlage durchgeführt, welche ein Beleuchtungs ^¬ system und ein Projektionssystem aufweist. Das Bild einer mittels des Beleuch ^¬ tungssystems beleuchteten Maske (Retikel) wird hierbei mittels des Projektions- Systems auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionssystems angeordnetes Substrat (z. B. ein Silizium wafer) projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Be- schichtung des Substrats zu übertragen. Daher wird Projektions- oder Nutzlicht zum Abbilden einer lithografischen

Struktur auf die Bild- oder Waferebene eingesetzt. Getrieben durch das Streben nach immer kleineren Strukturen bei der Herstellung integrierter Schaltungen werden derzeit EUV- Lithographieanlagen entwickelt, welche Projektions- oder Nutzlicht mit einer Wellenlänge im Bereich von 0,1 nm bis 30 nm, insbesondere 13,5 nm, verwenden. Bei solchen EUV-Lithographieanlagen müssen wegen der hohen Absorption der meisten Materialien von Licht dieser Wellenlänge reflek ^¬ tierende Optiken, das heißt Spiegel, anstelle von— wie bisher— brechenden Opti ^¬ ken, das heißt Linsen, eingesetzt werden. Bei derartig kleinen Strukturen ist es wichtig, eine hohe Abbildungsgüte zu er ^¬ reichen. Dies trifft insbesondere auch auf Prozesse mit mehrfachen Belichtungen zu. Aus diesem Grund müssen jegliche Fehlerquellen, die zu einer Verschlechte- rung der Abbildung beitragen, betrachtet und bestenfalls ausgeschaltet werden. Typische Abbildungsfehler können beispielsweise mit adaptiven Optiken mini ^¬ miert werden. Starken Einfluss können insbesondere Vibrationen haben. Diese entstehen in allen Bereichen einer Lithographieanlage selbst, beispielsweise durch strömendes Kühlwasser oder Luftströmungen, als auch durch menschliche Aktivität in dem Gebäude oder durch Verkehr in der Umgebung. Vibrationen können dazu führen, dass optische Elemente selbst in Schwingung geraten, wo ^¬ bei sich beispielsweise deren Oberfläche deformieren kann, was die Eigenschaf ^¬ ten des optischen Elements beeinträchtigt. Insbesondere bei Spiegeln wirken sich derartige Fehler doppelt aus, da ein Fehler im Einfallswinkel einen gleich großen Fehler im Ausfallswinkel induziert.

Es gibt verschiedene Maßnahmen, um sensitive Bauteile oder Baugruppen, bei ^¬ spielsweise die Projektionsoptik einer Lithographieanlage, mechanisch von der Umgebung zu entkoppeln. Allerdings ist es bei adaptiven Optiken nötig, sowohl Steuersignale für Bauteile, wie Aktoren oder Sensoren, zwischen der Optik und einer externen Steuerung sowie eine Versorgungsspannung zu den aktiven Bau ^¬ teilen zu übertragen. Hierfür sind Signal- und Stromleitungen nötig. In Abhän ^¬ gigkeit von den Anforderungen der Lithographieanlage sind die Leitungskabel isoliert und/oder abgeschirmt. Insbesondere bei Signalleitungen besteht der Be ^¬ darf, die Leitungen von unerwünschten Einflüssen abzuschirmen, um eine feh ^¬ lerfreie Signalübertragung zu gewährleisten. Dies wird beispielsweise durch ei ^¬ nen mehrschichtigen Aufbau, wie bei mehrfach geschirmten Signalleitungen oder Koaxialkabeln, erreicht. Ein solcher mehrschichtiger Aufbau eines Kabels führt zu einer nicht unerheblichen Steifigkeit des Kabels. Ein solches steifes Kabel stellt daher auch eine mechanische Kopplung eines äußeren Rahmens mit der Projektionsoptik bzw. den verschiedenen aktiven Bauelementen her. Eine große Zahl an steuerbaren Bauelementen bedingt eine entsprechend große Zahl an Ka ^¬ beln, was die mechanische Kopplung entsprechend verstärkt. Beispielsweise werden für eine Verbindung nach USB 1.0 Spezifikation vier Adern benötigt: Masse, +5V, Daten+, Daten-. Die USB 3.1 Spezifikation weist bereits 24 Adern aus, die beispielsweise in einem Kabel zusammengefasst sind. Je mehr Adern ein Kabel aufweist, umso steifer wird es. Dementsprechend erhöht sich auch eine mechanische Kopplungs stärke über das Kabel. Ebenso erhöht sich die mechani ^¬ sche Kopplung, wenn mehrere Kabel verwendet werden. Eine Möglichkeit, um die Anzahl an Kabeln zu reduzieren, besteht in einer drahtlosen Kommunikation. Hierfür müssen allerdings alle mechatronischen Komponenten mit einem entsprechenden Empfänger ausgerüstet sein. Diese Art der Datenübertragung ist anfälliger für Störungen im Vergleich mit kabelgebun ^¬ denen Systemen. Ferner ist die Datenübertragungsrate stärker begrenzt. Zuletzt ist auch bei diesen Systemen eine Stromversorgung nötig, so dass zumindest eine gewisse Anzahl an drahtgebundenen Übertragungen vorhanden sein muss.

Bekannte kabelgebundene Systeme verwenden beispielsweise Kabelschleifen und längere Kabel als nötig, um eine Übertragung von Vibrationen über die Kabel zu reduzieren. Um eine geringe mechanische Kopplung zu realisieren, wird bei ^¬ spielsweise die Kabellänge in Abhängigkeit einer Kabelsteifigkeit gewählt. Diese Lösung hat jedoch einen entsprechend großen Platzbedarf und ist daher nicht immer einsetzbar. Vor diesem Hintergrund besteht eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, eine verbesserte Vorrichtung zur Übertragung von elektrischen Signalen in einer Lithographieanlage bereitzustellen.

Gemäß einem ersten Aspekt wird eine Vorrichtung zur Übertragung von elektri- sehen Signalen zwischen einem ersten Schnittstellenelement und einem zweiten Schnittstellenelement vorgeschlagen. Das erste Schnittstellenelement ist an ei ^¬ ner ersten Struktur der Lithographieanlage angeordnet und das zweite Schnitt ^¬ stellenelement ist an einer zweiten Struktur der Lithographieanlage angeordnet. Ein elektrischer Leiter verbindet die beiden Schnittstellenelemente miteinander. Ferner ist ein Hohlkörper zur elektromagnetischen Abschirmung des elektri ^¬ schen Leiters vorgesehen, der den elektrischen Leiter zumindest abschnittsweise umgibt. Ein Spalt in dem Hohlkörper oder zwischen dem Hohlkörper und einer der Strukturen lässt dabei eine Relativbewegung der ersten Struktur und der zweiten Struktur zu, so dass eine mechanische Entkopplung der ersten Struktur und der zweiten Struktur erzielt ist. Die vorgeschlagene Vorrichtung ermöglicht eine optimale Abschirmung des elektrischen Leiters von äußeren Störfeldern. Der Hohlkörper dient dabei als Schirm, mit dem Zweck, äußere elektrische, magnetische und/oder elektromagne ^¬ tische Felder von seinem Innenraum fernzuhalten oder zu schwächen. Dies wird im Folgenden mit elektromagnetischer Abschirmung oder auch kurz mit Ab- schirmung bezeichnet. In dem abgeschirmten Innenraum des Hohlkörpers ver ^¬ laufende elektrische Leiter können daher ohne eine individuelle Abschirmung oder nur mit einer einfachen Abschirmung ausgebildet sein. Dies ermöglicht es, eine Flexibilität des elektrischen Leiters zu verbessern. Die durch den Hohlkörper bewirkte elektromagnetische Abschirmung des elektrischen Leiters hat verschiedene positive Effekte, wie im Folgenden verdeut ^¬ licht wird.

Elektrische Signale liegen beispielsweise als digitale Signale vor, die einen Da- tenstrom bilden können. Beispielsweise kann ein Sensor erfasste Sensordaten als ein Datenstrom an eine Auswertevorrichtung senden. Insbesondere bei der digi ^¬ talen Datenübertragung ist eine fehlerfreie Übertragung erstrebenswert, da da ^¬ mit ein Nutzdatendurchsatz erhöht werden kann. Je weniger störanfällig eine digitale Signalverbindung ist, umso weniger Kontrolldatenpakete werden benö- tigt, um die übertragenen Nutzdaten zu verifizieren. Die gesamte übertragene Datenmenge setzt sich hierbei zumindest aus den Nutzdaten und den Kontroll ^¬ daten zusammen. Die Kontrolldatenpakete können als Overhead bezeichnet wer ^¬ den, da sie nicht zur eigentlichen Informationsübertragung beitragen. Da Sen ^¬ sorsysteme eine sehr große Datenmenge in kurzer Zeit erfassen können, sind entsprechend schnelle Datenverbindungen wünschenswert. Wenn beispielsweise der Overhead reduziert werden kann, so kann eine entsprechend höhere Nutzda ^¬ tenmenge übertragen werden. Beispielsweise kann auch ein Temperatursensor vorgesehen sein, dessen Wider ^¬ standswert in Abhängigkeit seiner Temperatur variiert. Hierbei ist das Sensor ^¬ signal ein analoges elektrisches Signal. Auch bei analogen Signalen können elektromagnetische Störfelder zu einer fehlerhaften Signalübertragung führen. Ferner können Bauteile, die an einen elektrischen Leiter angeschlossen sind, sehr empfindlich gegenüber auftretenden Spannungs- und/oder Stromschwan ^¬ kungen sein. Derartige Schwankungen können durch äußere Störfelder induziert werden und können bis zur Zerstörung eines Bauteils führen. Beispielsweise kann eine Aktuierungsstärke eines mechanischen Aktuators von einer Versor ^¬ gungsspannung abhängen. Wenn Störfelder Spannungsschwankungen der Ver ^¬ sorgungsspannung verursachen, kann dies somit zu einer fehlerhaften Aktuie- rung durch den Aktuator führen. Unter elektromagnetischen Störfeldern werden vorliegend alle denkbaren Arten einer Beeinflussung eines elektrischen Signals umfasst. Damit sind beispielswei ^¬ se auch statische oder nur sehr langsam variierende elektrische oder magneti ^¬ sche Felder gemeint. Eine Lithographieanlage umfasst mehrere Strukturen, wie beispielsweise eine Lichtquelle, eine Strahlformungsoptik, eine Lithographiemaske, eine Projekti ^¬ onsoptik, einen Waferschlitten, sowie verschiedene weitere funktionelle und/oder Stabilität vermittelnde Strukturen. Insbesondere bei der Belichtung von Wafern ist es wichtig, dass während einer Belichtungszeit, die beispielsweise einen Bruchteil einer Sekunde bis hin zu mehrere Sekunden umfassen kann, Relativ ^¬ bewegungen insbesondere eines zu belichtenden Wafers zu einem erzeugten Ab ^¬ bild der Lithographiemaske vermieden werden. Auch ungewollte Verschiebungen von einzelnen optischen Komponenten, die die Abbildung der Lithographiemaske durch das Projektionsobjektiv beeinflussen können, sind zu vermeiden. Eine Amplitude einer Relativbewegung sollte dabei eine vorgesehene Maximalgrenze nicht überschreiten. Diese kann im Bereich von Nanometern liegen. Um dies si ^¬ cherzustellen sind beispielsweise Erschütterungen, Schwingungen, Stöße, Vibra- tionen und dergleichen von der Lithographieanlage oder von den Strukturen der Lithographieanlage fernzuhalten. Dabei ist zu beachten, dass beispielsweise auch elektrische Leiter und Kabel eine mechanische Kopplung erzeugen. Um die ^¬ se mechanische Kopplung zu minimieren, kann mit der vorgeschlagenen Vorrich- tung beispielsweise auf eine individuelle Kabelabschirmung verzichtet werden. Vorteilhaft können somit flexible elektrische Leiter zur Verbindung der beiden Schnittstellenelemente verwendet werden.

Ein Schnittstellenelement kann beispielsweise als ein Stecker oder eine Buchse ausgebildet sein. Das Schnittstellenelement kann auch durch einzelne Pins oder Kontaktpunkte realisiert sein. Vorteilhafterweise weisen das erste und das zwei ^¬ te Schnittstellenelement eine gleich große Anzahl an Kontakten auf. Für jeden Kontakt ist dann ein elektrischer Leiter benötigt, der mit dem korrespondieren ^¬ den Kontakt des weiteren Schnittstellenelements verbunden wird. Eine Verbin- dung kann beispielsweise durch Steckverbinder hergestellt werden. Auch kleben, löten, pressen, schweißen und/oder ähnliche Verfahren können zur Verbindung des elektrischen Leiters mit einem Schnittstellenelement verwendet werden. Das Schnittstellenelement kann im Folgenden auch verkürzt einfach als Schnittstelle bezeichnet werden.

Der Hohlkörper weist eine Hülle auf. Die Hülle ist insbesondere aus einem Mate ^¬ rial gefertigt, das eine gute Abschirmeigenschaft für die relevanten Störfelder aufweist. Beispielsweise kann das Material für eine Abschirmung elektrischer Felder elektrisch gut leitend sein. Zur Abschirmung magnetischer Felder, insbe- sondere niederfrequenter magnetischer Felder, kann das Material beispielsweise ferromagnetisch sein. Der Innenraum des Hohlkörpers ist dann ein von elektro ^¬ magnetischen Störfeldern abgeschirmtes Volumen. Ein elektrischer Leiter, der durch diesen Innenraum verläuft, ist daher zumindest in dem Bereich des Innen ^¬ raums abgeschirmt. Im Folgenden kann mit Hohlkörper sowohl das gesamte von dem Hohlkörper umfasste Volumen als auch lediglich die Hülle des Hohlkörpers bezeichnet werden. Der Hohlkörper kann beispielsweise aus einem starren, selbsttragenden Material gefertigt sein. Der Hohlkörper kann auch unterschiedliche Materialien umfassen. Beispielsweise kann der Hohlkörper eine Stützstruktur aufweisen, die mit einem metallischen Netz belegt ist. Eine solche Ausführungsform des Hohlkörpers kann Gewichtsvorteile mit sich bringen und flexibler einsetzbar sein.

Der Hohlkörper weist beispielsweise einen Spalt auf. Der Spalt ist dabei so ange ^¬ legt, dass elektromagnetische Störfelder durch diesen nicht oder zumindest nicht wesentlich in das Innere des Hohlkörpers eindringen können. Dies kann durch eine entsprechende Dimensionierung des Spalts erreicht werden. Dabei ist es vorteilhaft, den Spalt nicht größer als benötigt zu machen.

Der Hohlkörper kann aber auch so ausgebildet sein, dass er mit einer der beiden Strukturen einen Spalt ausbildet.

Aufgrund des Spalts ist eine Relativbewegung zwischen den beiden Strukturen möglich. Es geht dabei weniger um eine beabsichtigte Verschiebung der beiden Strukturen zueinander, obwohl auch dies eine mögliche Anwendung der Vorrich ^¬ tung ist. Insbesondere werden von dem Hohlkörper keine Schwingungen, Vibra- tionen, Stöße oder weitere mechanische Impulse von der ersten Struktur auf die zweite Struktur übertragen. Aufgrund des abgeschirmten Innenraums des Hohl ^¬ körpers können in dem Innenraum des Hohlkörpers verlaufende elektrische Lei ^¬ ter und/oder Kabel einfacher aufgebaut werden, insbesondere können Maßnah ^¬ men zur Abschirmung reduziert werden. Dies wiederum hat zu Folge, dass eine mechanische Kopplung der Schnittstellenelemente über den elektrischen Leiter und/oder das Kabel reduziert werden kann. Insgesamt eignet sich die vorge ^¬ schlagene Vorrichtung somit zu einer kabelgebundenen elektrischen Signalüber ^¬ tragung zwischen zwei Schnittstellenelementen bei minimierter mechanischer Kopplung. Gemäß einer ersten Ausführungsform ist die Vorrichtung in einem Vakuumge ^¬ häuse angeordnet. Das Vakuumgehäuse kann auch als evakuiertes Gehäuse be ^¬ zeichnet werden. Lithographieanlagen können evakuierte Gehäuse aufweisen, da dies für die ver ^¬ wendete UV- Strahlung vorteilhaft sein kann. Insbesondere bei EUV- Lithographieanlagen wird das Projektionslicht vorzugsweise durch Vakuum ge ^¬ führt, da bereits typische Gase eine unerwünschte Absorption der EUV- Strahlung aufweisen. Beispielsweise kann das Projektionsobjektiv insgesamt evakuiert sein. Dann stellt das Gehäuse des Projektionsobjektivs ein Vakuumge ^¬ häuse dar. Das erste Schnittstellenelement kann beispielsweise auf einer Innen ^¬ seite des Projektionsobjektivs angeordnet sein und das zweite Schnittstellenele ^¬ ment kann beispielsweise an einer mechanisch von dem Projektionsobjektiv ent ^¬ koppelten Linsen- oder Spiegelhalterung angeordnet sein.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Vorrichtung ist der elektrische Lei ^¬ ter zumindest abschnittsweise als eine flexible Leiterplatte ausgebildet.

Eine flexible Leiterplatte weist beispielsweise ein flexibles Substrat auf. Das Substrat kann zum Beispiel aus Polyamid und/oder Polyimid bestehen. Auf die ^¬ ses Substrat ist beispielsweise eine Leiterbahn aufgebracht. Die Leiterbahn kann zum Beispiel aus Kupfer bestehen. Die Leiterbahn kann dabei beispielsweise auf das Substrat geklebt oder mit diesem verschweißt sein. Da eine strukturelle In ^¬ tegrität und mechanische Stabilität von dem flexiblen Substrat geleistet wird, kann die Leiterbahn einen sehr kleinen Querschnitt aufweisen. Beispielsweise kann eine Leiterbahn einen rechteckigen Querschnitt mit einer Höhe von weni ^¬ gen Mikrometern aufweisen. Aufgrund der geringen Höhe lässt diese Leiterbahn eine variable Krümmung um eine Achse entlang einer Breite der Leiterbahn zu. Insgesamt weist die flexible Leiterplatte daher eine hohe Flexibilität auf, was zu einer reduzierten mechanischen Kopplungsstärke beiträgt. Eine flexible Leiterplatte kann auch einen mehrschichtigen Aufbau aufweisen. Dabei kann jede Schicht Leiterbahnen aufnehmen. Bevorzugt ist zwischen je ^¬ weils zwei Schichten mit einer Leiterbahn eine isolierende Schicht eingefügt. In einer Schicht können auch mehrere Leiterbahnen nebeneinander angeordnet sein.

Diese Ausführungsform ist besonders vorteilhaft, wenn wenig Platz für eine Ver ^¬ kabelung gegeben ist. Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Vorrichtung ist der Hohlkörper an der ersten Struktur angeordnet und leitend mit dieser verbunden. Ferner weist der Hohlkörper eine der zweiten Struktur zugewandte Öffnung auf. Die Öffnung wird von einem Rand des Hohlkörpers begrenzt, welcher mit der zweiten Struk ^¬ tur den Spalt ausbildet.

In dieser Ausführungsform ist der Hohlkörper somit ein einstückiger Körper. Der Rand des Hohlkörpers kann dabei eine vorgegebene Form aufweisen, beispiels ^¬ weise kann der Rand durch eine umlaufende Fläche gebildet werden, die jeweils abschnittsweise entsprechend einer Krümmung der zweiten Struktur gekrümmt ist. Der Rand kann aber auch nur durch einen Querschnitt der Hülle des Hohl ^¬ körpers gebildet sein. Zwischen dem Rand und der zweiten Struktur bildet sich hierbei der Spalt aus, welcher eine Relativbewegung des Hohlkörpers zu der zweiten Struktur und damit auch eine Relativbewegung der ersten Struktur zu der zweiten Struktur zulässt.

Aufgrund der leitenden Verbindung des Hohlkörpers mit der ersten Struktur ist das Potential des Hohlkörpers gleich dem Potential der ersten Struktur. Vorteil ^¬ haft weist auch die zweite Struktur dieses Potential auf, beispielsweise ein Mas ^¬ sepotential.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Vorrichtung umfasst der Hohlkör ^¬ per zwei Teilkörper. Ein erster Teilkörper ist an der ersten Struktur angeordnet und leitend mit dieser verbunden. Ein zweiter Teilkörper ist an der zweiten Struktur angeordnet und leitend mit dieser verbunden. Der Spalt ist in einem Uberdeckungsabschnitt zwischen den beiden Teilkörpern in dem Hohlkörper ausgebildet.

Die beiden Teilkörper des Hohlkörpers können gleich, aber auch unterschiedlich ausgebildet sein. Beispielsweise ist vorstellbar, dass der erste Teilkörper aus ei ^¬ nem massiven Metall gebildet ist und der zweite Teilkörper eine mehrteilige Hül ^¬ le aufweist. Beispielsweise kann der zweite Teilkörper aus einer tragenden Ske- lettstruktur und einer abschirmenden, auf der Skelettstruktur aufliegenden Netzstruktur gebildet sein. Die Teilkörper sind leitend mit der jeweiligen Struk ^¬ tur verbunden, wodurch sie das jeweilige Potential der Struktur aufweisen. Vor ^¬ teilhaft ist das Potential der ersten Struktur und das Potential der zweiten Struktur das gleiche Potential, beispielsweise ein Massepotential. Die Teilkörper können auch unterschiedliche Potentiale aufweisen.

Die beiden Teilkörper weisen insbesondere einen Uberdeckungsabschnitt auf. Hierfür sind die Teilkörper in dem Überdeckungsabschnitt so geformt, dass sie eine geometrisch ähnliche Form aufweisen. Beispielsweise sind die beiden Teil- körper als Rohre mit einem kreisförmigen Querschnitt ausgebildet. Vorteilhaft ist in dem Uberdeckungsabschnitt der Außenradius des einen Teilkörpers kleiner als der Innenradius des anderen Teilkörpers. Dann können die Teilkörper ein Stück weit ineinander geschoben werden, was einen vergrößerten Uberde ^¬ ckungsabschnitt mit sich bringt, der verbesserte Abschirmeigenschaften gegen- über einem Spalt mit kleinerem Uberdeckungsabschnitt aufweist. Es ist aber auch möglich, dass die beiden Teilkörper eine gleiche Form und gleiche Größe aufweisen und der Spalt zwischen den stoßseitigen Querschnitten der Hüllen gebildet wird. Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Vorrichtung ist in dem ersten Teil ^¬ körper eine erste Leiterplatte vorgesehen, die mit dem ersten Schnittstellenele ^¬ ment elektrisch verbunden ist. In dem zweiten Teilkörper ist eine zweite Leiter- platte vorgesehen, die mit dem zweiten Schnittstellenelement elektrisch verbun ^¬ den ist. Ferner ist die erste Leiterplatte mit der zweiten Leiterplatte über den elektrischen Leiter verbunden. Die erste Leiterplatte und die zweite Leiterplatte sind hierbei insbesondere als starre Leiterplatten ausgebildet. Die Leiterplatte ist jeweils mit dem Schnittstel ^¬ lenelement verbunden. Eine Verbindung der Leiterplatte mit dem jeweiligen Schnittstellenelement kann dabei mittels starrer Drähte, Kabel oder Leitungen erfolgen, da eine mechanische Entkopplung bei dieser Verbindung nicht maßgeb- lieh ist. Dabei kann die Leiterplatte dazu eingerichtet sein, die von dem jeweili ^¬ gen Schnittstellenelement bereitgestellten Kontakte zu reproduzieren. Alternativ kann es aber auch vorgesehen sein, auf der Leiterplatte bereits elektronische Bauteile wie Signalverstärker, Spannungswandler, Schalter, Transistoren, Dio ^¬ den und/oder weitere Bauelement dieser Art anzuordnen. Da die Leiterplatten in dem abgeschirmten Innenraum des Hohlkörpers angeordnet sind, sind diese Bauteile automatisch von äußeren Störfeldern abgeschirmt.

Diese Ausführungsform kann auch vorteilhaft sein, wenn eine größere Strecke zwischen den zu verbindenden Schnittstellenelementen liegt. Dann kann ein Großteil der Strecke mit herkömmliche Leitern oder Kabeln verbunden werden, und lediglich eine kürzere Strecke zwischen den beiden Leiterplatten, insbeson ^¬ dere der Abschnitt über den Spalt, kann mit einem flexiblen Leiter ausgebildet sein. Flexible Leiter sind meist teurer als herkömmliche Leiter, weshalb dies zu einer Kostenreduzierung beitragen kann.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Vorrichtung ist die erste Leiterplat ^¬ te mit der zweiten Leiterplatte über die flexible Leiterplatte verbunden.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Vorrichtung weist die flexible Lei- terplatte einen ersten Randabschnitt und einen dem ersten Randabschnitt ge ^¬ genüberliegenden zweiten Randabschnitt auf, wobei die flexible Leiterplatte ent- lang ihres Verlaufs derart verdreht ist, dass sie einen Abschnitt aufweist, in dem der erste Randabschnitt und der zweite Randabschnitt eine Helixform bilden.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Vorrichtung weist die flexible Lei- terplatte zumindest einen bestimmten Abschnitt auf, der gebogen und/oder ver ^¬ dreht ist.

Unter gebogen wird vorliegend verstanden, dass die Längsachse dieses bestimm ^¬ ten Abschnitts der flexiblen Leiterplatte keine Strecke ist, sondern beispielsweise ein Bogen.

Unter verdreht wird vorliegend verstanden, dass die Normalenvektoren auf die flexible Leiterplatte in diesem bestimmten Abschnitt der flexiblen Leiterplatte unterschiedliche Richtungen haben und eine jede Gruppe von drei der Norma ^¬ lenvektoren zueinander linear unabhängig sind. Die letztere Eigenschaft kann auch wie folgt beschrieben werden^ Eine jede Gruppe von drei der Normalenvek ^¬ toren spannen stets einen dreidimensionalen Raum auf. Dies gilt insbesondere für die Normalenvektoren auf die Längsachse des bestimmten Abschnitts der flexiblen Leiterplatte.

Eine flexible Leiterplatte ist beispielsweise als eine flache Bandstruktur mit ei ^¬ nem Querschnitt mit einer großen Breite und einer kleinen Höhe senkrecht zu einer Länge der flexiblen Leiterplatte ausgebildet. Die Orientierung der Band ^¬ struktur im Raum kann beispielsweise mittels eines Breitevektors, eines Höhen- vektors und eines Längenvektors beschrieben werden. Eine solche Bandstruktur besitzt eine Flexibilität in einer Richtung senkrecht zu dem Breitevektor, bei ^¬ spielsweise eine χ-Richtung. Die Flexibilität in einer Richtung entlang des Brei ^¬ tevektors, beispielsweise einer y-Richtung, wenn χ-y ein kartesisches Koordina ^¬ tensystem aufspannen, ist deutlich schlechter, wobei dies beispielsweise von ei- nem Aspektverhältnis Breite/Höhe abhängt. Indem die Bandstruktur beispiels ^¬ weise entlang einer Länge der flexiblen Leiterplatte um 90° gedreht wird, weist die flexible Leiterplatte in Abschnitten somit eine Flexibilität in χ-Richtung auf und in weiteren Abschnitten eine Flexibilität in y-Richtung. Insgesamt ist somit eine zweidimensionale Flexibilität erreicht.

Die flexible Leiterplatte kann dabei in dem Abschnitt um beliebige Drehgrade verdreht sein. Vorteilhaft ist sie zumindest um 90° verdreht. Aber auch 180°, 270°, 360° oder weitere Drehgrade sind möglich.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist die Vorrichtung in einer Nieder ^¬ druck-Atmosphäre mit erhöhtem Wasserstoffgehalt angeordnet. Dann ist der Spalt derart eingerichtet, dass ein Eindringen von Wasserstoff in den Hohlkörper reduziert oder unterdrückt wird. Unter einem Eindringen kann beispielsweise auch eine Diffusion verstanden werden.

Insbesondere bei EUV-Lithographieanlagen können sich auf den reflektierenden Elementen Kontaminationen ablagern, die die optischen Eigenschaften ver ^¬ schlechtern. Eine Möglichkeit, die optischen Elemente zu reinigen ist es, diese mit Wasserstoff zu bestrahlen, wobei zumindest ein Anteil des Wasserstoffs als atomarer Wasserstoff, d.h. dissoziiert vorliegt. Der atomare Wasserstoff reagiert mit den meisten Kontaminationen unter Bildung flüchtiger Stoffe. Jedoch rei- chert sich durch diese Reinigungsmethode auch atomarer Wasserstoff in dem evakuierten Gehäuse an. Aufgrund der Reaktivität des atomaren Wasserstoffs ist es vorteilhaft, wenn empfindliche Strukturen, insbesondere organische Materia ^¬ lien wie Kabelisolierungen, Epoxidharze, Klebeverbindungen und flexible Leiter ^¬ platten, vor dem atomaren Wasserstoff geschützt werden.

In dieser Ausführungsform ist der Spalt dazu eingerichtet, das Eindringen von atomarem Wasserstoff einzuschränken. Damit ist sichergestellt, dass die ver ^¬ schiedenen in dem Hohlkörper angeordneten Teile oder Elemente, insbesondere Kabel, Leitungsisolierungen, Leiterplatten, Schnittstellen und dergleichen, vor dem atomaren Wasserstoff geschützt sind. Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Vorrichtung herrscht auf einer ers ^¬ ten Seite der ersten Struktur ein erster Druck und auf einer zweiten Seite der ersten Struktur herrscht ein gegenüber dem ersten Druck erhöhter, zweiter Druck. Das erste Schnittstellenelement ist auf einer Leiterplatte auf der ersten Seite ausgebildet, wobei die Leiterplatte ein weiteres Schnittstellenelement auf der zweiten Seite aufweist.

In dieser Ausführungsform dient die Leiterplatte vorteilhaft zugleich als eine Vakuumdurchführung, was den konstruktiven Aufwand reduzieren und Kosten senken kann.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Vorrichtung sind das erste Schnitt ^¬ stellenelement und/oder das zweite Schnittstellenelement als eine Leiterplatte ausgebildet. Dies hat den Vorteil, dass eine Verdrahtung des Schnittstellenele- ments zu einer Leiterplatte entfallen kann.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Vorrichtung ist der Spalt derart ausgebildet, dass er eine Relativbewegung zwischen der ersten Struktur und der zweiten Struktur von höchstens 200 μηι, bevorzugt von höchstens 100 μηι, weiter bevorzugt von höchstens 10 μηι, zulässt.

Die benötigte Spaltgröße hängt insbesondere von der Vorgabe der mechanischen Entkopplung und den auftretenden Bewegungsamplituden ab. Unterschiedliche Strukturen, beispielsweise ineinander liegende Strukturen können mehrfach von weiteren Strukturen mechanisch entkoppelt sein. Beispielsweise kann das Ge ^¬ häuse der Projektionsoptik von einem die Lithographieanlage umfassenden Ge ^¬ häuse entkoppelt sein. Ferner können die optischen Elemente der Projektionsop ^¬ tik selbst von dem Gehäuse der Projektionsoptik entkoppelt sein. Weiterhin kann ein Sensor, beispielsweise zur Erfassung einer Auslenkung eines Spiegels, noch- mals entkoppelt angeordnet sein. Mit jeder Entkopplungsstufe steigt beispiels ^¬ weise dabei die Anforderung an die Entkopplung, wobei gleichzeitig die erlaubten und damit zu erwartenden Bewegungsamplituden der zu entkoppelnden Struk ^¬ turen sinken.

Ein schmalerer Spalt ist dabei für eine Abschirmung vorteilhaft, da durch den Spalt möglicherweise elektromagnetische Störfelder weniger stark eindringen können.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Vorrichtung weist der elektrische Leiter eine mechanische Kopplungsstärke von höchstens 200 N/m, bevorzugt höchstens 100 N/m, weiter bevorzugt höchstens 20 N/m und noch weiter bevor ^¬ zugt höchstens 7 N/m, auf.

Je geringer die mechanische Kopplungsstärke ist, umso weniger Vibrationen o- der Schwingungen werden von dem elektrischen Leiter übertragen.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Vorrichtung ist der elektrische Lei ^¬ ter als Teil eines das erste Schnittstellenelement und das zweite Schnittstellen ^¬ element verbindendes Kabel ausgebildet. Das Kabel weist eine Anzahl von ein ^¬ fach abgeschirmten Aderpaaren und/oder eine Anzahl von Spannungsversor- gungsleitungen in einem Kabelmantel auf.

Mehrere elektrische Leiter können zu einem Kabel zusammengefasst werden. Beispielsweise weist ein Kabel fünf Aderpaare auf, von denen jedes zur Signal ^¬ übertragung eingerichtet ist. Die Aderpaare sind vorteilhaft verdrillt, da sich damit Störeinflüsse auf beide Adern gleich auswirken. Bei differenzieller Signal ^¬ übertragung mittelt sich ein Störeinfluss damit weitgehend heraus. Die Aderpaa ^¬ re sind beispielsweise jeweils abgeschirmt, um sich nicht gegenseitig zu beein ^¬ flussen. Die fünf verdrillten und einfach geschirmten Aderpaare sind in einem Kabel zusammengefasst. Da das Kabel in dem Hohlkörper verläuft, kann auf ei- ne äußere Abschirmung des Kabels verzichtet werden. Dies ist für die Flexibilität des Kabels von entscheidendem Vorteil, da eine Kabelabschirmung, beispielswei- se mit einem flexiblen Drahtnetz, einen großen Teil der Steifigkeit eines derart abgeschirmten Kabels bedingt.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Vorrichtung weist die flexible Lei- terplatte mehrere Leiterbahnen in mehreren Schichten auf, wobei in zumindest jeder zweiten Schicht zumindest eine Leiterbahn verläuft.

Indem die Abmessung von einzelnen Leiterbahnen als auch eine Anordnung der einzelnen Leiterbahnen entsprechend gewählt wird, können auch mit einer fle- xiblen Leiterplatte zumindest einfach geschirmte Leiterbahnpaare realisiert werden. Beispielsweise sind zwei Leiterbahnen auf einer mittleren Schicht ne ^¬ beneinander angeordnet. Jeweils außen neben diesen Leiterbahnen auf der mitt ^¬ leren Schicht sind zwei weitere Leiterbahnen vorgesehen, die auf ein Massepo ^¬ tential gesetzt werden. Ferner ist in einer oberen Schicht und in einer unteren Schicht jeweils eine Leiterbahn vorgesehen, deren Breite so gewählt ist, dass sie die vier auf der mittleren Schicht angeordneten Leiterbahnen überdecken. Die Leiterbahn der oberen Schicht und der unteren Schicht werden ebenfalls auf ein Massepotential gesetzt. Mit einer solchen Anordnung ist eine einfache Abschir ^¬ mung der beiden erstgenannten Leiterbahnen, die innere Leiterbahnen darstel- len beispielsweise zur differenziellen Signalübertragung, ermöglicht. Neben die ^¬ ser beispielhaften Ausführung sind verschiedene weitere Anordnungen denkbar, die zu einer verbesserten Abschirmung beitragen können.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Vorrichtung ist der Spalt durch eine in dem Bereich des Überdeckungsabschnitts erste Randstruktur des ersten Teil ^¬ körpers und eine zu der ersten Randstruktur korrespondierende zweite Rand ^¬ struktur des zweiten Teilkörpers ausgebildet. Dabei sind die erste Randstruktur und die zweite Randstruktur ineinandergreifende Strukturen. Somit bilden die erste Randstruktur und die zweite Randstruktur ein Stück und ein Gegenstück. In dieser Ausführungsform kann ein Eindringen von elektro ^¬ magnetischen Störfeldern in den Innenraum effizient unterdrückt werden. Fer- ner kann hiermit auch ein Eindringen, insbesondere eine Wasserstoffdiffusion, gehemmt werden.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Vorrichtung ist der Hohlkörper an der ersten Struktur angeordnet und leitend mit dieser verbunden. Ferner ist er als ein einstückiger Hohlkörper ausgebildet, der eine der zweiten Struktur zuge ^¬ wandten Öffnung aufweist. Der Rand des Hohlkörpers zu der Öffnung bildet mit der zweiten Struktur den Spalt. Die zweite Struktur weist dabei insbesondere eine Randstruktur auf, die zu dem Rand des Hohlkörpers korrespondierend ist.

Die Randstruktur der zweiten Struktur gehört dabei nicht zu dem Hohlkörper. Die Randstruktur ermöglicht es insbesondere, auch bei einem einstückig ausge ^¬ bildeten Hohlkörper eine verbesserte Abschirmung von elektromagnetischen Störfeldern in dem Bereich des Rands sowie ein reduziertes Eindringen von Gasatomen zu erreichen.

Gemäß einem zweiten Aspekt wird eine Lithographieanlage mit einer Vorrich ^¬ tung zur Übertragung von elektrischen Signalen gemäß dem ersten Aspekt oder einer der Ausführungsformen des ersten Aspekts vorgeschlagen.

Gemäß einem dritten Aspekt wird eine Vorrichtung zum Ubertragen von elektri ^¬ schen Signalen in einer Lithographieanlage vorgeschlagen. Die Vorrichtung weist ein an einer ersten Struktur der Lithographieanlage angeordnetes erstes Schnittstellenelement sowie ein an einer zweiten Struktur der Lithographieanla- ge angeordnetes zweites Schnittstellenelement auf. Das erste Schnittstellenele ^¬ ment ist mit dem zweiten Schnittstellenelement über eine flexible Leiterplatte zur Übertragung von elektrischen Signalen verbunden. Die flexible Leiterplatte weist mehrere Schichten auf, wobei zumindest drei übereinanderliegende Schich ^¬ ten mit Leiterbahnen vorgesehen sind. Die Leiterbahnen sind derart angeordnet, dass zumindest eine Leiterbahn, welche in einer mittleren Schicht angeordnet ist, durch weitere Leiterbahnen in der mittleren Schicht und/oder in weiteren Schichten elektromagnetisch abgeschirmt ist. Die Ausführungsformen des ersten Aspekts stellen dabei auch Ausführungsfor ^¬ men des dritten Aspekts dar. Weitere mögliche Implementierungen der Erfindung umfassen auch nicht expli ^¬ zit genannte Kombinationen von zuvor oder im Folgenden bezüglich der Ausfüh ^¬ rungsbeispiele beschriebenen Merkmale oder Ausführungsformen. Dabei wird der Fachmann auch Einzelaspekte als Verbesserungen oder Ergänzungen zu der jeweiligen Grundform der Erfindung hinzufügen.

Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen und Aspekte der Erfindung sind Gegen ^¬ stand der Unteransprüche sowie der im Folgenden beschriebenen Ausführungs ^¬ beispiele der Erfindung. Im Weiteren wird die Erfindung anhand von bevorzug ^¬ ten Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die beigelegten Figuren näher erläutert.

Fig. la zeigt eine schematische Ansicht einer EUV- Lithographieanlage; Fig. lb zeigt eine schematische Ansicht einer DUV- Lithographieanlage;

Fig. 2 zeigt einen Querschnitt eines ersten Ausführungsbeispiels der Vorrichtung zur Übertragung von elektrischen Signalen!

Fig. 3 zeigt einen Querschnitt eines zweiten Ausführungsbeispiels der Vorrich- tung zur Übertragung von elektrischen Signalen!

Fig. 4 zeigt einen Querschnitt eines dritten Ausführungsbeispiels der Vorrich ^¬ tung zur Übertragung von elektrischen Signalen! Fig. 5 zeigt einen Querschnitt eines vierten Ausführungsbeispiels der Vorrich ^¬ tung zur Übertragung von elektrischen Signalen! Fig. 6 zeigt einen Querschnitt eines fünften Ausführungsbeispiels der Vorrich ^¬ tung zur Übertragung von elektrischen Signalen!

Fig. 7 zeigt einen Querschnitt eines Ausführungsbeispiels einer flexiblen Leiter- platte!

Fig. 8a zeigt schematisch einen Ausschnitt einer in einem Abschnitt zu einer He- lixform verdrehten flexiblen Leiterplatte! Fig. 8b zeigt eine schematische Ansicht einer Ausführungsform eines bestimmten Abschnitts einer flexiblen Leiterplatte!

Fig. 8c zeigt eine schematische Ansicht einer weiteren Ausführungsform eines bestimmten Abschnitts einer flexiblen Leiterplatte!

Fig. 9 zeigt schematisch ein Ausführungsbeispiel einer Leiterplatte als eine Va ^¬ kuumdurchführung; und

Fig. 10a - Fig. 10c zeigen verschiedene Ausführungsbeispiele von Randstruktu- ren zur Ausbildung eines Spalts.

In den Figuren sind gleiche oder funktions gleiche Elemente mit denselben Be ^¬ zugszeichen versehen worden, sofern nichts anderes angegeben ist. Fig. la zeigt eine schematische Ansicht einer EUV- Lithographieanlage 100A, welche ein Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und ein Projektions ^¬ system 104 umfasst. Dabei steht EUV für„extremes Ultraviolett" (Engl.: extreme ultraviolet, EUV) und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts (auch Nutz ^¬ strahlung genannt) zwischen 0,1 und 30 nm. Das Strahlformungs- und Beleuch- tungssystem 102 und das Projektionssystem 104 sind in einem Vakuumgehäuse 101 angeordnet. Das Vakuumgehäuse 101 wird mit Hilfe einer nicht dargestell ^¬ ten Evakuierungsvorrichtung evakuiert. Das Vakuumgehäuse 101 ist von einem nicht dargestellten Maschinenraum umgeben, in welchem beispielsweise Steue ^¬ rungen zum Einstellen der optischen Elemente vorgesehen sind.

Zum Übertragen der elektrischen Signale weist die Lithographieanlage 100A ei- ne Vorrichtung 1 auf. Die Vorrichtung 1 umfasst eine erste Schnittstelle 11, wel ^¬ che an einer ersten Struktur 10, die vorliegend ein Gehäuseteil des Vakuumge ^¬ häuses 101 darstellt, angeordnet ist. Weiterhin umfasst die Vorrichtung 1 eine an einer zweiten Struktur 20 angeordnete zweite Schnittstelle 21. Die zweite Struktur 20 ist vorliegend ein Teil des Gehäuses des Projektionssystems 104. Ferner umfasst die Vorrichtung 1 einen Hohlkörper 40 und einen in dem Hohl ^¬ körper 40 verlaufenden elektrischen Leiter 30, welche die erste Schnittstelle 10 mit der zweiten Schnittstelle 20 verbindet. Insbesondere ist der Hohlkörper 40 so beschaffen, dass sein Innenraum ein im Wesentlichen von elektromagnetischen Störfeldern freies Volumen 42 darstellt. Verschiedene Ausführungsbeispiele der Vorrichtung 1 sind in den Fig. 2 - Fig. 6 gezeigt.

Die EUV- Lithographieanlage 100A weist eine EUV- Lichtquelle 106A auf. Als EUV- Lichtquelle 106A kann beispielsweise eine Plasmaquelle (oder ein Syn ^¬ chrotron) vorgesehen sein, welche Strahlung 108A im EUV- Bereich (extrem ult- ra violetter Bereich), also z.B. im Wellenlängenbereich von 0,1 nm bis 30 nm, aus ^¬ sendet. Im Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 wird die EUV- Strahlung 108A gebündelt und die gewünschte Betriebswellenlänge aus der EUV-Strahlung 108A herausgefiltert. Die von der EUV- Lichtquelle 106A erzeug ^¬ te EUV-Strahlung 108A weist eine relativ niedrige Transmissivität durch Luft auf, weshalb die Strahlführungsräume im Strahlungs- und Beleuchtungssystem 102 und im Projektionssystem 104 evakuiert sind.

Das in Fig. la dargestellte Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 weist fünf Spiegel 110, 112, 114, 116, 118 auf. Nach dem Durchgang durch das Strahl- formungs- und Beleuchtungssystem 102 wird die EUV-Strahlung 108A auf die Photomaske (Engl.: reticle) 120 geleitet. Die Photomaske 120 ist beispielsweise als reflektives optisches Element ausgebildet und kann außerhalb der Systeme 102, 104 angeordnet sein. Weiter kann die EUV-Strahlung 108A mittels eines Spiegels 122 auf die Photomaske 120 gelenkt werden. Die Photomaske 120 weist Strukturen auf, welche mittels des Projektionssystems 104 verkleinert auf einen Wafer 124 oder dergleichen abgebildet werden. Dabei ist der Wafer 124 in der Bildebene des Projektionssystems 104 angeordnet.

Das Projektionssystem 104 (auch als Projektionsobjektiv bezeichnet) weist sechs Spiegel Ml - M6 zur Abbildung der Photomaske 120 auf den Wafer 124 auf. Da ^¬ bei können einzelne Spiegel Ml - M6 des Projektionssystems 104 symmetrisch zur optischen Achse 126 des Projektionssystems 104 angeordnet sein. Es sollte beachtet werden, dass die Anzahl der Spiegel der EUV-Lithographieanlage 100A nicht auf die dargestellte Anzahl beschränkt ist. Es können auch mehr oder we ^¬ niger Spiegel vorgesehen sein. Des Weiteren sind die Spiegel i.d.R. an ihrer Vor ^¬ derseite zur Strahlformung gekrümmt.

Fig. lb zeigt eine schematische Ansicht einer DUV- Lithographieanlage 100B, welche ein Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und ein Projektions ^¬ system 104 umfasst. Dabei steht DUV für„tiefes Ultraviolett" (Engl.: deep ultra- violet, DUV) und bezeichnet eine Wellenlänge des Arbeitslichts (auch Nutzstrah- lung genannt) zwischen 30 und 250 nm. Das Strahlformungs- und Beleuchtungs ^¬ system 102 und das Projektionssystem 104 können— wie bereits mit Bezug zu Fig. la beschrieben— in einem Vakuumgehäuse angeordnet und/oder von einem Maschinenraum mit entsprechenden Steuereinrichtungen umgeben sein. In der Fig. lb ist lediglich ein Vakuumgehäuse 101, welches das Projektionssystem 104, die Photomaske 120 sowie eine Vorrichtung 1 umfasst, gezeigt. Die Vorrichtung 1 ist— wie ebenfalls im Bezug zu Fig. la beschrieben— zur elektrischen Signal ^¬ übertragung zu dem Projektionssystem 104 eingerichtet. Verschiedene Ausfüh ^¬ rungsbeispiele der Vorrichtung 1 sind in den Fig. 2— Fig. 6 gezeigt. Die DUV- Lithographieanlage 100B weist eine DUV- Lichtquelle 106B auf. Als DUV- Lichtquelle 106B kann beispielsweise ein ArF-Excimerlaser vorgesehen sein, welcher Strahlung 108B im DUV- Bereich bei beispielsweise 193 nm emit ^¬ tiert.

Das in Fig. 1B dargestellte Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 leitet die DUV-Strahlung 108B auf eine Photomaske 120. Die Photomaske 120 ist als transmissives optisches Element ausgebildet und kann außerhalb der Systeme 102, 104 angeordnet sein. Die Photomaske 120 weist Strukturen auf, welche mit ^¬ tels des Projektionssystems 104 verkleinert auf einen Wafer 124 oder dergleichen abgebildet werden. Dabei ist der Wafer 124 in der Bildebene des Projektionssys- tems 104 angeordnet.

Das Projektionssystem 104 weist mehrere Linsen 128 und/oder Spiegel 130 zur Abbildung der Photomaske 120 auf den Wafer 124 auf. Dabei können einzelne Linsen 128 und/oder Spiegel 130 des Projektionssystems 104 symmetrisch zur optischen Achse 126 des Projektionssystems 104 angeordnet sein. Es sollte be ^¬ achtet werden, dass die Anzahl der Linsen und Spiegel der DUV- Lithographieanlage 100B nicht auf die dargestellte Anzahl beschränkt ist. Es können auch mehr oder weniger Linsen und/oder Spiegel vorgesehen sein. Des Weiteren sind die Spiegel in der Regel an ihrer Vorderseite zur Strahlformung gekrümmt.

Ein Luftspalt zwischen der letzten Linse 128 und dem Wafer 124 kann durch ein flüssiges Medium 132 ersetzt sein, welches einen Brechungsindex > 1 aufweist. Das flüssige Medium kann beispielsweise hochreines Wasser sein. Ein solcher Aufbau wird auch als Immersionslithographie bezeichnet und weist eine erhöhte photolithographische Auflösung auf.

Die in den Fig. 2 - Fig. 6 gezeigten Ausführungsbeispiele der Vorrichtung 1 eig ^¬ nen sich jeweils beispielsweise zur Informations-, Leistungs- oder Datenübertra- gung in einer der in den Fig. la und Fig. lb gezeigten Lithographieanlagen 100A, 100B. Fig. 2 zeigt einen Querschnitt einer ersten Ausführungsbeispiels der Vorrichtung 1 zur Übertragung von elektrischen Signalen zwischen einer ersten Struktur 10 und einer zweiten Struktur 20. In dem ersten Ausführungsbeispiel ist der Hohl ^¬ körper 40 als ein einstückiger Hohlkörper 40 ausgebildet, der an der ersten Struktur 10 angeordnet und leitend mit dieser verbunden ist. Er weist einen Rand 41 auf, der eine Öffnung zu der zweiten Struktur 20 hin bildet. Zwischen dem Rand 41 und der zweiten Struktur 20 bildet sich ein Spalt 43 aus. Der Hohl ^¬ körper 40 umschließt ein Volumen 42, welches in der Fig. 2 gepunktet hinterlegt ist und welches ein im Wesentlichen störf eidfreies Volumen 42 darstellt. An der ersten Struktur 10 ist ein erstes Schnittstellenelement 11 angeordnet, welches über einen elektrischen Leiter 30, der als ein flexibles Kabel 30 ausgebildet ist und der in dem Volumen 42 verläuft, mit einem an der zweiten Struktur 20 an ^¬ geordneten zweiten Schnittstellenelement 21 verbunden ist. Aufgrund des Spalts 43 können sich die zweite Struktur 20 und der Hohlkörper 40 unabhängig vonei- nander bewegen, sofern eine Bewegungsamplitude nicht größer als der Spalt 43 ist. Die erste Struktur 10 und die zweite Struktur 20 als auch der Hohlkörper 40 sind in dem Ausführungsbeispiel auf ein Massepotential gelegt (nicht darge ^¬ stellt). Fig. 3 zeigt einen Querschnitt eines zweiten Ausführungsbeispiels der Vorrich ^¬ tung 1 zur Übertragung von elektrischen Signalen zwischen einer ersten Struk ^¬ tur 10 und einer zweiten Struktur 20. In diesem Ausführungsbeispiel umfasst der Hohlkörper 40 zwei Teilkörper 44 und 45, die sich in einem Überdeckungsab ^¬ schnitt 46 überschneiden. Der Spalt 43 wird in diesem Überdeckungsabschnitt 46 ausgebildet. Der erste Teilkörper 44 ist an der ersten Struktur 10 angeordnet und leitend mit dieser verbunden. Der zweite Teilkörper 45 ist an der zweiten Struktur 20 angeordnet und leitend mit dieser verbunden. Die weiteren Merkma ^¬ le entsprechen jenen des ersten Ausführungsbeispiels der Fig. 2. Fig. 4 zeigt einen Querschnitt eines dritten Ausführungsbeispiels der Vorrich ^¬ tung 1 zur Übertragung von elektrischen Signalen zwischen einer ersten Struk ^¬ tur 10 und einer zweiten Struktur 20. In diesem Ausführungsbeispiel ist der Hohlkörper 40, wie in dem zweiten Ausführungsbeispiel der Fig. 3, zweiteilig aufgebaut. Darüber hinaus sind hier Leiterplatten 32, 33 vorgesehen, wobei je ^¬ weils eine Leiterplatte 32, 33 in einem der Teilkörper 44, 45 angeordnet ist. Das erste Schnittstellenelement 11 umfasst vier einzelne Schnittstellen, die mittels starrer Leitungen 38 mit entsprechenden Kontakten 11' auf der ersten Leiter ^¬ platte 32 verbunden sind. Auch das Schnittstellenelement 21 umfasst vier ein ^¬ zelne Schnittstellen, die mittels starrer Leitungen 38 mit entsprechenden Kon ^¬ takten 21' auf der zweiten Leiterplatte 33 verbunden sind. Die erste Leiterplatte 32 ist mit der zweiten Leiterplatte 33 über ein flexibles Kabel 30 verbunden, wel- ches die benötigte Anzahl an Einzeladern aufweist. Die weiteren Merkmale die ^¬ ses Ausführungsbeispiels entsprechen jenen des Ausführungsbeispiels der Fig. 3.

Fig. 5 zeigt einen Querschnitt eines vierten Ausführungsbeispiels der Vorrich ^¬ tung 1 zur Übertragung von elektrischen Signalen zwischen einer ersten Struk- tur 10 und einer zweiten Struktur 20. Das gezeigte vierte Ausführungsbeispiel unterscheidet sich von dem dritten Ausführungsbeispiel der Fig. 4 dadurch, dass eine flexible Leiterplatte 31 anstelle des flexiblen Kabels 30 die beiden in den Teilkörpern 44, 45 angeordneten Leiterplatten 32 und 33 verbindet. Die weiteren Merkmale entsprechen jenen des dritten Ausführungsbeispiels.

Fig. 6 zeigt einen Querschnitt eines fünften Ausführungsbeispiels der Vorrich ^¬ tung 1 zur Übertragung von elektrischen Signalen zwischen einer ersten Struk ^¬ tur 10 und einer zweiten Struktur 20. Dieses Ausführungsbeispiel unterscheidet sich von dem vierten Ausführungsbeispiel der Fig. 5 dadurch, dass das zweite Schnittstellenelement 21 als eine Leiterplatte 21 ausgebildet ist, welche über ei ^¬ ne flexible Leiterplatte 31 mit der ersten Leiterplatte 32 in dem ersten Teilkörper 44 verbunden ist. Man kann auch sagen, dass die zweite Leiterplatte 33 (siehe Fig. 5) an der zweiten Struktur 20 angeordnet ist. Die weiteren Merkmale ent ^¬ sprechen jenen der dritten oder auch der vierten Ausführungsform.

Es ist über die Darstellung hinaus möglich, dass alternativ oder zusätzlich das erste Schnittstellenelement 11 als eine Leiterplatte ausgebildet ist. Fig. 7 zeigt einen Querschnitt eines Ausführungsbeispiels einer flexiblen Leiter ^¬ platte 31. Die Darstellung ist derart, dass die flexible Leiterplatte 31 in die Pa ^¬ pierebene hinein- bzw. aus der Papierebene heraustritt. Die dargestellte Leiter- platte 31 weist insgesamt fünf übereinander angeordnete Schichten auf. Dabei sind in einer ersten, dritten und fünften Schicht jeweils Leiterbahnen 321, 322, 323 vorgesehen. Eine zweite und vierte Schicht dient als Substrat für die flexible Leiterplatte 31, welches diese mechanisch stabilisiert, die Schichten zusammen ^¬ hält sowie übereinander angeordnete Leiterbahnen 321, 322, 323 gegeneinander isoliert. Das Substratmaterial 324 ist beispielsweise Polyimid. Insbesondere in der dritten Schicht sind mehrere Leiterbahnen 321, 322, 323 nebeneinander an ^¬ geordnet, welche durch das dazwischen angeordnete Substratmaterial 324 ge ^¬ geneinander isoliert sind. Die Leiterbahnen 321 und 322 dienen in diesem Aus ^¬ führungsbeispiel der Signalübertragung, wobei eine differenzielle Signalübertra- gung bereitgestellt werden kann. In der ersten und der fünften Schicht sind je ^¬ weils breite Leiterbahnen 323 vorgesehen. Die Leiterbahnen 323 sind auf ein Massepotential gesetzt. Die gezeigte Anordnung weist somit abschirmende Ei ^¬ genschaften für die mittig angeordneten Leiterbahnen 321 und 322 auf. Eine gemäß diesem Ausführungsbeispiel aufgebaute flexible Leiterplatte 31 eignet sich beispielsweise zur Verwendung in der Vorrichtung 1 gemäß einem der ge ^¬ nannten Ausführungsbeispiele der Vorrichtung 1.

Fig. 8a zeigt schematisch einen Ausschnitt einer in einem Abschnitt zu einer He- lixform verdrehten flexiblen Leiterplatte 31. Die flexible Leiterplatte 31 erstreckt sich in dieser Darstellung von links nach rechts. Ferner sind in der Darstellung eine Oberseite und eine Unterseite der Leiterplatte 31 durch unterschiedliche Schraffuren kenntlich gemacht. Die flexible Leiterplatte 31 weist einen ersten Randabschnitt 35 und einen gegenüberliegenden zweiten Randabschnitt 36 auf. Von links kommend ist der zweite Randabschnitt 36 ein oberer Randabschnitt. In dieser Orientierung weist die Oberseite der Leiterplatte 31 aus der Papierebene heraus. Entlang des Verlaufs der Leiterplatte 31 nach rechts weist die Leiter ^¬ platte 31 einen Abschnitt 37 auf, in dem die flexible Leiterplatte 31 verdreht ist. Die Randabschnitte 35, 36 bilden in diesem Abschnitt 37 eine Helixform aus. Der Drehgrad in diesem Ausführungsbeispiel beträgt beispielhaft 180°. Dies führt dazu, dass weiter rechts, nach dem Abschnitt 37, die Randabschnitte vertauscht sind, so dass nun der erste Randabschnitt 35 ein oberer Randabschnitt ist. Fer- ner weist in dieser Orientierung nun die Unterseite der Leiterplatte 31 aus der Papierebene heraus. In der Fig. 8a sind ferner zwei nicht bezeichnete Hilfslinien eingezeichnet, die den Orientierungswechsel verdeutlichen. Die dargestellte Aus ^¬ führungsform weist eine Flexibilität in der Papierebene auf, welche ohne einen verdrehten Abschnitt 37 nicht oder nur sehr gering vorhanden wäre.

Fig. 8b zeigt eine schematische Ansicht einer Ausführungsform eines bestimmten Abschnitts einer flexiblen Leiterplatte 31. Die flexible Leiterplatte 31 der Fig. 8b erstreckt sich in dieser Darstellung von links nach rechts. Der bestimmte Ab ^¬ schnitt der flexiblen Leiterplatte 31 der Fig. 8b ist gebogen. Mit anderen Worten bildet die Längsachse dieses Abschnitts der flexiblen Leiterplatte 31 keine Stre ^¬ cke, sondern einen Bogen aus. Die Normalenvektoren n auf der Längsachse der flexiblen Leiterplatte 31 der Fig. 8b haben unterschiedliche Richtungen und lie ^¬ gen in einer Ebene. Fig. 8c zeigt eine schematische Ansicht einer weiteren Ausführungsform eines bestimmten Abschnitts einer flexiblen Leiterplatte 31. Der bestimmte Abschnitt der flexiblen Leiterplatte 31 gemäß Fig. 8c ist verdreht. Verdreht bedeutet hier, dass die Normalenvektoren n auf die Längsachse des bestimmten Abschnitts der flexiblen Leiterplatte 31 in diesem bestimmten Abschnitt unterschiedliche Rich- tungen haben und eine jede Gruppe von drei der Normalenvektoren n zueinander linear unabhängig sind. Letztere Eigenschaft kann auch damit beschrieben wer ^¬ den, dass eine jede Gruppe von drei der Normalenvektoren n in Fig. 8c stets ei ^¬ nen dreidimensionalen Raum aufspannen. Fig. 9 zeigt schematisch ein Ausführungsbeispiel einer Leiterplatte 32, die als Vakuumdurchführung verwendet wird. Die Leiterplatte 32 ist hierzu in die erste Struktur 10 eingearbeitet. Auf einer ersten Seite 12 der ersten Struktur 10 herrscht ein erster Druck und auf einer zweiten Seite 13 der ersten Struktur 10 herrscht ein gegenüber dem ersten Druck erhöhter, zweiter Druck. Das erste Schnittstellenelement 11 ist auf der Leiterplatte 32 auf der ersten Seite 12 aus ^¬ gebildet und ein weiteres Schnittstellenelement 14 ist auf der Leiterplatte 32 auf zweiten Seite 13 ausgebildet. Die gezeigte Anordnung lässt sich analog auch auf die zweite Struktur 20 (siehe eine der Fig. 1— 6) übertragen.

Fig. 10a - Fig. 10c zeigen verschiedene Ausführungsbeispiele von Randstruktu ^¬ ren 47, 48 zur Ausbildung eines Spalts 43. Die gezeigten Ausführungsbeispiele basieren auf einem zweiteilig ausgebildeten Hohlkörper 40, beispielsweise gemäß dem zweiten, dem dritten, dem vierten oder dem fünften Ausführungsbeispiel der Vorrichtung 1. Die Randstruktur 47 ist dabei dem Teilkörper 44 zugeordnet und die Randstruktur 48 ist dem Teilkörper 45 zugeordnet. Die Randstruktur 47 bil ^¬ det beispielsweise ein Stück und die Randstruktur 48 bildet ein Gegenstück. Die beiden Randstrukturen 47, 48 überlappen sich in dem Überdeckungsbereich 46. Der Spalt 43, der sich zwischen den Randstrukturen 47,48 ausbildet, verläuft in den Fig. 10a - 10c jeweils schlangenförmig. Man kann auch von einer zick-zack Form sprechen oder von einer mäandrierenden Form. Eine solche Spaltform kann eine Abschirmung verbessern. Ferner kann eine solche Spaltform eine ver- besserte Eindringbarriere oder Diffusionsbarriere darstellen.

Neben der Darstellung mit zwei Teilkörpern 44, 45 ist es möglich, dass einer der Randabschnitte 47, 48 direkt an einer der Strukturen 10, 20 angeordnet ist.

Dann kann der Hohlkörper 40 auch einstückig ausgebildet sein, beispielsweise wie es in der ersten Ausführungsform der Vorrichtung 1 gezeigt ist.

Obwohl die vorliegende Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen beschrie ^¬ ben wurde, ist sie vielfältig modifizierbar. BEZUGSZEICHENLISTE

1 Vorrichtung

10 erste Struktur

11 erstes Schnittstellenelement

11' Kontakt

12 erste Seite der ersten Struktur

13 zweite Seite der ersten Struktur

14 weiteres Schnittstellenelement

20 zweite Struktur

21 zweites Schnittstellenelement

21' Kontakt

30 elektrischer Leiter

31 flexible Leiterplatte

32 erste Leiterplatte

33 zweite Leiterplatte

35 erster Randabschnitt

36 zweiter Randabschnitt

37 Abschnitt

38 Leitungen

40 Hohlkörper

41 Rand

42 elektromagnetisch abgeschirmtes Volumen

43 Spalt

44 erster Teilkörper

45 zweiter Teilkörper

46 Überdeckungsabschnitt

47 Randstruktur

48 Randstruktur

100 Lithographieanlage

100A EUV- Lithographieanlage

100B DUV- Lithographieanlage 101 Vakuumgehäuse

102 Strahlformungs- und Beleuchtungssysti

104 Proj ektions System

106A EUV-Lichtquelle

106B DUV-Lichtquelle

108A EUV- Strahlung

108B DUV- Strahlung

110 - 118 Spiegel

120 Photomaske

122 Spiegel

124 Wafer

126 optische Achse

128 Linse

130 Spiegel

132 Immersionsflüssigkeit

321 Leiterbahn

322 Leiterbahn

323 Leiterbahn

324 Substratmaterial

Spiegel

Normalenvektor