Die vorliegende Erfindung betrifft einen Differenzdrucksensor und ein Verfahren zu seiner Herstellung.

Differenzdrucksensoren messen bestimmungsgemäß den Differenzdruck zwischen einem ersten Mediendruck und einem zweiten Mediendruck, wobei der Bereich des zu messenden Differenzdrucks erheblich kleiner ist als der erste bzw. der zweite Mediendruck. Dies führt zu widerstreitenden Zielgrößen beim Entwurf des

Differenzdrucksensors, denn einerseits soll er einen kleinen Differenzdruck messen und andererseits großen Mediendrücken standhalten, wobei insbesondere im Falle von Fehlbedienungen, der Differenzdruck durchaus die Größenordnung des Mediendrucks erreichen kann. Ohne Schutzmaßnahmen kann eine Messmembran eines Differenzdrucksensors durch einen derart hohen Differenzdruck zerstört werden.

Als Schutzmaßnahmen sind beispielsweise Überlastmembranen bekannt, welche einen Anstieg des Differenzdrucks über einen kritischen Wert verhindert. Diese Überlastmembranen sind in ein hydraulisches Messwerk integriert, welches den ersten und zweiten Mediendruck über hydraulische Pfade, die sich jeweils von einer Trennmembrankammer, die mit einer Trennmembran überdeckt ist, zu einer Seite der Messmembran erstrecken, mittels einer Übertragungsflüssigkeit zuleitet. Die Überlastmembran ist zum Differenzdrucksensor bzw. zu dessen Messmembran parallel geschaltet. Wenn nun der Differenzdruck einen kritischen Wert übersteigt, wird die Überlastmembran so weit ausgelenkt, dass das gesamte Volumen der Übertragungsflüssigkeit in der Trennmembrankammer auf der Seite des höheren Drucks von der Überlastmembran aufgenommen wird, und die Trennmembran zur Anlage kommt. Damit ist ein weiterer Anstieg des Differenzdrucks zuverlässig verhindert. Der Einsatz von Überlastmembranen führt jedoch zwingend zu größeren Volumenhüben der Übertragungsflüssigkeit und damit - bei gleicher

Leistungsfähigkeit - zu größeren Trennmembranflächen, was größere

Geräteabmessungen, und höhere Kosten zur Konsequenz hat. Außerdem wird die Messwerksdynamik durch die Überlastmembran und das größere Volumen der Übertragungsflüssigkeit negativ beeinflusst.

Es sind daher Bemühungen bekannt, den Überlastschutz für die Messmembran durch Membranbetten zu realisieren. Hierbei soll sich die Messmembran bei Überschreiten eines Grenzwerts für den Überdruck zumindest in dem Maße an dem Membranbett abstützen, dass die Berstspannung der Messmembran auch bei einem weiteren Druckanstieg nicht erreicht wird.

Dafür sind insbesondere asphärische Membranbetten geeignet, welche die

Biegelinie der Messmembran bei dem Grenzwert für den Überdruck approximieren.

Die Patentschrift US 4 458 537 offenbart einen kapazitiven Differenzdrucksensor mit einem asphärischen Membranbett aus Glas, welches in eine Struktur koaxialer Ringe eingebracht ist, wobei die Höhen der Ringe eine Kontur bilden, welche der Biegelinie der Messmembran entspricht.

Die Offenlegungsschrift DE 10 2009 046 229 A1 offenbart einen Drucksensor bzw. Differenzdrucksensor mit einem asphärischen Membranbett aus Glas, welches durch thermisches Einsinken geformt ist.

Die Patentschrift US 7 360 431 B2 offenbart einen Drucksensor bzw.

Differenzdrucksensor mit einem asphärischen Membranbett, welches in Silizium mittels Grauskalenlithographie präpariert ist. Die Offenlegungsschrift DE 10 2010 028 773 A1 offenbart einen Drucksensor bzw. Differenzdrucksensor mit einem asphärischen Membranbett, welches in Silizium mittels Laserablation, gefolgt von einem Oxidationsschritt und einem abschließenden Ätzen präpariert ist. JP10078366A offenbart einen resistiven Halbleiterdrucksensor mit einem gestuften Membranbett, welches in Silizium präpariert ist.

Die Patentschrift US 5 381 299 offenbart einen aus Silizium gefertigten kapazitiven Drucksensor mit einem gestuften Membranbett, welches die Biegelinie der

Messmembran approximiert, wobei die Hüllkurve des Membranbetts im zentralen Bereich einen größeren Krümmungsradius aufweist als die Messmembran.

Die genannten Drucksensoren weisen Membranbetten auf, die grundsätzlich dem genannten Zweck genügen, jedoch ist die Präparation der Membranbetten bzw. die Integration in einen Drucksensor aufwändig. Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen einfach herstellbaren, überlastfesten Differenzdrucksensor und ein Verfahren zu seiner Herstellung bereitzustellen. Die Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch den Differenzdrucksensor gemäß Anspruch 1 und das Verfahren gemäß Anspruch 14.

Der erfindungsgemäße Differenzdrucksensor umfasst eine Messmembran; einen ersten Gegenkörper; einen zweiten Gegenkörper; wobei die Messmembran zwischen dem ersten und dem zweiten Gegenkörper angeordnet ist, wobei die Messmembran mit dem ersten Gegenkörper und dem zweiten Gegenkörper jeweils über eine erste isolierende Schicht unter Bildung einer ersten bzw. zweiten Druckkammer zwischen den Gegenkörpern und der Messmembran druckdicht verbunden ist, wobei der Differenzdrucksensor weiterhin einen elektrischen Wandler zum Erfassen einer druckabhängigen Auslenkung der Messmembran aufweist, wobei der erste

Gegenkörper und/oder der zweite Gegenkörper Stützstellen aufweist, an welchem die Messmembran im Falle einer einseitigen Überlast zumindest teilweise anliegt, wobei die Stützstellen positionsabhängige Höhen h gegenüber einer Referenzebene aufweisen, die parallel zu einer Ebene verläuft, die durch die Messmembran aufgespannt ist, wobei erfindungsgemäß die Stützstellen durch isotropes Ätzen in der ersten isolierenden Schicht gebildet sind, und die jeweilige Höhe h einer Stützstelle jeweils eine Funktion einer Erstreckung einer Basis der Stützstelle in der Referenzebene ist. Die Referenzebene kann insbesondere die Ebene sein, an welcher ein Zentrum der Messmembran im Falle einer Überlast anliegt.

Die isolierende Schicht weist gemäß einer Weiterbildung der Erfindung insbesondere Siliziumoxyd auf.

In einer Weiterbildung der Erfindung ist die Höhe einer Stützstelle eine monotone Funktion der jeweiligen minimalen Erstreckung der Basis der Stützstelle in der Referenzebene an der Position der Höhe h der Stützstellen. In einer Weiterbildung der Erfindung weist die Messmembran einen kreisflächenförmigen auslenkbaren Bereich auf, wobei zumindest eine Stützstelle einen zur Messmembran koaxialen kreisförmigen oder kreisbogenförmigen Verlauf aufweist, wobei die Stützstelle zumindest abschnittsweise eine konstante Höhe aufweist. In einer Weiterbildung der Erfindung weist die Messmembran einen

kreisflächenförmigen auslenkbaren Bereich auf, wobei zumindest eine Stützstelle, bezogen auf eine senkrecht zur Kreisfläche durch deren Mittelpunkt verlaufende Achse einen radialen Verlauf aufweist, wobei die Stützstelle zumindest

abschnittsweise eine mit der radialen Position veränderliche Höhe h aufweist.

In einer Weiterbildung der Erfindung weisen die Stützstellen in einem inneren radialen Bereich der Druckkammer einen kreisförmigen oder kreisbogenförmigen Verlauf auf.

In einer Weiterbildung der Erfindung weisen die Stützstellen in einem äußeren radialen Bereich der Druckkammer einen radialen Verlauf auf.

In einer Weiterbildung der Erfindung weist der elektrische Wandler einen kapazitiven Wandler auf, welcher mindestens eine Gegenkörperelektrode umfasst, die gegenüber Messmembran elektrisch isoliert ist, und deren Kapazität gegenüber der Messmembran von einem zu messenden Differenzdruck abhängt.

In einer Weiterbildung der Erfindung ist die mindestens eine Gegenkörperelektrode von einem ringförmigen Graben umgeben, wobei die Gegenkörperelektrode durch den Graben von einem den Graben umgebenden Teil des Gegenkörpers, elektrisch isoliert ist.

In einer Weiterbildung der Erfindung weist der Graben eine Breite auf, die mindestens das 20-fache vorzugsweise mindestens das 40-fache und besonders mindestens das 80-fache des Abstands zwischen der Gegenkörperelektrode und der Messmembran in der Ruhelage der Messmembran beträgt.

In einer Weiterbildung der Erfindung weist die Messmembran einen auslenkbaren Bereich auf, dessen Durchmesser mindestens das 200-fache, insbesondere mindestens das 400-fache und bevorzugt mindestens das 800-fache des Abstands zwischen der Messmembran in der Ruhelage und der mindestens einen

Gegenkörperelektrode beträgt. In einer Weiterbildung der Erfindung beträgt die Stärke der ersten isolierenden

Schicht nicht mehr als 16 μιη, insbesondere nicht mehr als 8 μιη und bevorzugt nicht mehr als 4 μιτι. In einer Weiterbildung der Erfindung weist der Gegenkörper eine Schichtstruktur mit einer ersten leitfähigen Schicht und einer zweiten leitfähigen Schicht auf, die durch eine zweite isolierende Schicht voneinander getrennt sind, wobei die erste leitfähige Schicht der Messmembran zugewandt ist und die Gegenkörperelektrode aufweist, wobei sich der Graben durch die erste leitfähige Schicht bis zur zweiten isolierenden Schicht erstreckt.

In einer Weiterbildung der Erfindung weist die zweite isolierende Schicht eine Stärke auf, die nicht weniger als die Stärke der ersten isolierenden Schicht beträgt, wobei die Stärke der zweiten isolierenden Schicht insbesondere nicht weniger als das Doppelte, vorzugsweise nicht weniger als das Dreifache der ersten isolierenden Schicht beträgt.

In einer Weiterbildung der Erfindung weist der Gegenkörper einen ebenen

Oberflächenabschnitt auf, von dem sich die Stützstellen erheben, wobei der Oberflächenabschnitt durch den Graben begrenzt ist, wobei der

Oberflächenabschnitt auf nicht mehr als 20%, insbesondere nicht mehr als 10 % und bevorzugt nicht mehr als 7,5% seiner Oberfläche Erhebungen von Stützstellen aufweist.

Das erfindungsgemäße Verfahren zum Präparieren eines Gegenkörpers für einen Differenzdrucksensor weist die folgenden Schritte auf: Bereitstellen eines zumindest abschnittsweise leitfähigen Körpers, welcher eine Deckschicht aus einem elektrisch isolierenden Werkstoff aufweist; Maskieren der Deckschicht mit einer Ätzmaske, wobei die Ätzmaske in einem zeitgesteuerten, isotropen Ätzprozess zumindest abschnittsweise unterätzt werden soll, um die Deckschicht in einem Bereich des Körpers bis auf Stützstellen mit positionsabhängigen Höhen zu entfernen, wobei die Ätzmaske Durchbrüche aufweist, durch welche eine Ätzlösung die Deckschicht angreifen kann, wobei der Abstand zwischen benachbarten Durchbrüchen, zwischen denen Stützstelle zu präparieren sind, in Abhängigkeit der angestrebten Höhe bzw. des angestrebten Höhenverlaufs der Stützstelle gegeben ist, wobei der Abstand mit zunehmender Höhe der Stützstelle ansteigt; Ätzen der Deckschicht durch die Ätzmaske hindurch; Stoppen des Ätzvorgangs nach einer vorgegebene Zeit; und Entfernen der Ätzmaske.

In einer Weiterbildung der Erfindung weisen der leitfähige Körper Silizium und die Deckschicht amorphes Siliziumdioxid auf. In einer Weiterbildung der Erfindung weist die Maske Chrom oder einen Photolack auf, oder sie ist als Hartmaske gestaltet, insbesondere als metallische Hartmaske.

In einer Weiterbildung der Erfindung erfolgt das Ätzen mittels HF wobei HF insbesondere, reinoder verdünnt bereitgestellt wird.

In einer Weiterbildung der Erfindung umfasst das Ätzen ein Trockenchemisches Ätzverfahren, insbesondere unter Verwendung von SF ₆ , insbesondere RIE oder DRIE.

Die Erfindung wird nun anhand der in den Zeichnungen dargestellten

Ausführungsbeispiele näher erläutert. Es zeigt:

Fig. 1 : einen schematischen Längsschnitt durch ein Ausführungsbeispiel erfindungsgemäßen Differenzdrucksensors;

Fig. 2: eine schematische Darstellung der Schrittfolge eines

Ausführungsbeispiels eines Verfahrens zur Präparation von Stützstellen auf einer Gegenkörperoberfläche.

Fig. 3: Darstellungen von Masken zur Präparation erfindungsgemäßer

Stützstellen auf einer Gegenkörperoberfläche; und

Fig. 4: REM-Aufnahmen von Gegenkörperoberflächen mit Stützstellen.

Der in Fig. 1 dargestellte Differenzdrucksensor 1 umfasst eine Messmembran 10 aus Silizium, die zwischen zwei Gegenkörpern 20 angeordnet und entlang eines ringflächenförmigen Randbereiches 1 1 , der einen kreisscheibenförmigen, auslenkbaren Bereich 12 umgibt, mit beiden Gegenkörpern 20 druckdicht verbunden ist. Die Messmembran weist eine Stärke von einigen 10 μιη auf, beispielsweise etwa 40 μιη, wobei die Stärke der Messmembran im Verhältnis zum Radius des auslenkbaren Bereichs in Abhängigkeit des angestrebten Messbereichs zu wählen ist. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel beträgt der Radius des auslenkbaren Bereichs 12 der Messmembran etwa 1 100 μιη.

Die beiden Gegenkörper 20 weisen vorzugsweise, bezogen auf eine Mittenebene der Messmembran, einen mikromechanisch im wesentlichen symmetrischen Aufbau auf, so dass die folgende Beschreibung der Struktur eines Gegenkörpers 20 auch für den anderen gilt. Der Gegenkörper 20 weist eine Schichtstruktur auf, deren Schichtfolgen nun von außen nach innen beschrieben wird.

Der Gegenkörper 20 weist an seiner äußeren Oberfläche eine erste Isolationsschicht 22 auf, die beispielsweise eine Stärke von einigen wenigen μιτι, insbesondere weniger als 5 μιη, vorzugsweise 2 μιτι auf, welche bevorzugt Si0 ₂ aufweist. Die erste Isolationsschicht 22 bedeckt eine Trägerschicht 23, welche eine Stärke von einigen hundert Mikrometern, insbesondere etwa 300 μιη aufweist, wobei die Trägerschicht 23 insbesondere Silizium aufweist. Der Trägerschicht 23 folgt eine zweite

Isolationsschicht, 24, welche beispielsweise eine Stärke von 4 μιτι aufweist, und bevorzugt S1O2 aufweist. Die zweite Isolationsschicht 24 isoliert die Trägerschicht 23 von einer Elektrodenschicht 25, welche beispielsweise eine Stärke von 50 μιη aufweist und bevorzugt Si aufweist. Die Elektrodenschicht 25 weist eine zentrale Gegenkörperelektrode 25a mit einem Radius von etwa 750 μιη und einen die Gegenkörperelektrode umgebenden Randbereich 25b auf, wobei die

Gegenkörperelektrode 25a und der Randbereich 25b durch einen ringförmigen Graben 25c voneinander getrennt sind. Der Graben 25c weist beispielsweise eine Breite von 50 μιη auf. Auf die Elektrodenschicht 25 folgt eine dritte Isolationsschicht 26, deren zentraler Bereich bis auf Stützstellen 27 weggeätzt ist. Die dritte

Isolationsschicht 26 weist eine Stärke von beispielsweise 2 μιτι auf. Ein Randbereich der dritten Isolationsschicht 26, welcher die Stützstellen 27 ringförmig umgibt, ist druckdicht mit der Messmembran 10 verbunden, beispielsweise über Fusion-Bond, insbesondere Hochtemperatur-Fusion-Bond. Die Stützstellen weisen zueinander einen Abstand von nicht mehr als einigen 10 μιη auf, beispielsweise 20 μιη bis 30 μιη.

Sinn und Zweck der Stützstellen 27 ist es, die Messmembran 12 im Überlastfall abzustützen, also zu gewährleisten, dass die Messmembran ab einem bestimmten Überlastdruck an den Stützstellen anliegt, und damit eine weitere Auslenkung der Messmembran vermieden bzw. verringert wird, um damit die Zugspannungen in der Messmembran unter der Berstspannung des Werkstoffs, hier Si, zu halten.

Aus der Zielsetzung ergibt sich, dass die Stützstellen 27 einerseits hinreichend dicht gesetzt sein sollen, um bei einem zu erwartenden Überlastdruck die Spannungen unter der Berstspannung zu halten. Die Stützstellen weisen zueinander einen Abstand von nicht mehr als einigen 10 μιη auf, beispielsweise nicht mehr als 80 μιη, insbesondere nicht mehr als 40 μιη, vorzugsweise 20 μιη bis 30 μιη. Bei ringförmigen Stützstellen kann ein konstanter Abstand zwischen zwei benachbarten konzentrischen Ringen gegeben sein. Bei radial verlaufenden Stützstellen variiert der Abstand mit dem Radius.

Selbstverständlich sind auch andere Formen für die Stützstellen möglich.

Um die die Messmembran bestimmungsgemäß abstützen zu können, weisen die Stützstellen wirksame Höhen h(r) als Funktion des Radius r auf, die mit dem Radius monoton ansteigen. Die wirksamen Höhen sind die Höhen jener Bereiche der Stützstellen, an denen die Messmembran zur Anlage kommt.

Die wirksamen Höhen h(r) können beispielsweise jeweils der Höhe gemäß der Biegelinie d -[1 -(1-(r/Ro) ² ) ² ] der Messmembran entsprechen, aber auch einfachere Formen wie d -(r/R ₀ ) können schon eine wirksame Abstützung bieten, wobei d der Abstand zwischen dem auslenkbaren Bereich 12 der Messemembran und der zentralen Elektrode 25a ist, und R ₀ den Radius des auslenkbaren Bereichs 12 der Messmembran bezeichnet. Grundsätzlich sind auch beliebige andere Funktionen h(r) geeignet, die eine übermäßige Durchbiegung der Messmembran verhindern.

Stützstellen sind insbesondere in den radialen Bereichen erwünscht, in denen hohe Spannungen bei einer Durchbiegung der Messmembran zu erwarten sind, um diese Spannungen zu begrenzen. Dies ist insbesondere am äußeren Rand des

auslenkbaren Bereichs 12 der Messmembran der Fall. Insofern ist es sinnvoll, in der Nähe des Rands Stützstellen bereitzustellen. Diese Erwägung beeinflusst die Positionierung und Dimensionierung des Grabens 25c zwischen der zentralen Gegenkörperelektrode 25a und dem Randbereich 25b. Der Graben 25c begrenzt mit seinem Innenradius η einerseits die Fläche der Gegenkörperelektrode 25a und damit deren Kapazität, gegenüber der Messmembran. Andererseits dient der Graben 25c dazu, eine Streukapazität der Gegenkörperelektrode 25a zum Randbereich 25b zu verringern. Dazu ist eine Mindestgrabenbreite r _a - η von einigen 10 μιη,

beispielsweise 50 μιη vorteilhaft. Um dennoch die Kapazität zwischen der

Messmembran 12 und der Gegenkörperelektrode nicht zu sehr zu begrenzen, würde man den Graben bei gegebener Breite r _a - η zunächst so weit wie möglich nach außen positionieren, so dass gilt r _a = R ₀ . Wobei R ₀ der Radius des auslenkbaren Bereichs 12 der Messmembran ist. Entgegen dieser Erwägung ist der Graben jedoch um einige 100 μιη, beispielsweise etwa 300 μιη nach innen verlegt, um zwischen dem Außenradius r _a des Grabens und dem Radius R ₀ des auslenkbaren Bereichs 12 der Messmembran, noch Stützstellen 27 bereitstellen zu können, um die

Messmembran 10 gerade in diesem Bereich höchster Zugspannungen im

Überlastfall entlasten zu können.

Die Präparation der Stützstellen 27 durch Ätzen von Teilen der dritten

Isolationsschicht 26 wird nun schematisch anhand von Fig. 2 erläutert.

Fig. 2a zeigt einen Ausschnitt der dritten Isolationsschicht 26 auf der

Elektrodenschicht 25. Auf der dritten Isolationsschicht 26 wird eine teilweise durchbrochene Ätzmaske 30 präpariert, wie in Fig. 2b dargestellt ist. Die Maske kann beispielsweise Chrom oder einen Photolack umfassen, oder aus einer Hartmaske aus Metallen wie Aluminium oder Gold präpariert sein. In einem isotropen Ätzprozess, der in Fign. 2c und 2d dargestellt ist, wird die Maske 30 teilweise unterätzt, wobei der Ätzprozess so lange durchgeführt wird, bis die dritte Isolationsschicht 26 in jenen Bereichen, die nicht von der Maske 30 geschützt sind, bis auf die Elektrodenschicht 25 vollständig weggeätzt ist. Es bleiben nur Stützstellen 27 stehen, deren Höhen gegenüber der Oberfläche der Elektrodenschicht 25 sich aus den Breiten b, (i= 1 , 2, 3, ...) deckender Maskenbereiche ergeben, wie in Fig. 2c dargestellt ist. Um nämlich die dritte Oxidschicht 26 unter einem deckenden Bereich der Maske weg zu ätzen, erfolgt zunächst eine laterale Unterätzung, bis die beiden Ätzfronten in der Mitte des abgedeckten Bereichs zusammentreffen. Erst ab diesem Zeitpunkt wird die Höhe des abgedeckten Bereichs reduziert.

Da die Zeitdauer, bis die Ätzfronten beim Unterätzen zusammentreffen, von der Breite der abgedeckten Bereiche abhängt, und da die Gesamtzeit für den Ätzvorgang konstant gehalten wird, kann damit über die Breite der abgedeckten Bereiche deren verbleibende Höhe gesteuert werden.

Nach Entfernen der Ätzmaske bleiben Stützstellen 27 stehen, wie in Fig. 2e dargestellt ist.

Fig. 3 zeigt Beispiele von Masken mit radial verlaufenden Maskierungsstreifen deren Breite jeweils mit dem Radius ansteigt, um Stützstellen mit einem entsprechenden Anstieg der wirksamen Höhen zu präparieren. Hierbei unterscheiden sich die Masken in Fign. 3a und 3b dadurch, dass die einzelnen Maskierungsstreifen in Fig. 3a einen größeren Winkelbereich überdecken als jene in Fig. 3b. Dies führt - zumindest bei kleinen Radien - tendenziell zu einer zu engen Struktur.

Insbesondere dann, wenn radiale Maskierungsstreifen im Bereich größerer Radien in einer hohen Zahlendichte Ν/φ vorliegen, kann es sinnvoll sein bei kleineren Radien die Zahlendichte zu verringern, um noch ausreichende Abstände für einen definierten Ätzprozess zwischen den Maskierungsstreifen zu ermöglichen. Die Zahlendichte kann insbesondere dadurch reduziert werden, dass nur jeder zweite, dritte oder n-te Maskierungsstreifen sich bis zu kleineren Radien erstreckt, wie in Fig. 3b dargestellt ist.

Fig. 4 zeigt schließlich REM-Aufnahmen von Stützstellen 27, 127, die durch

Unterätzen in der dritten Isolationsschicht 25präpariert wurden.

Fig. 4a zeigt konzentrische Ringsegmente 27a, ... , 27d auf der Elektrodenschicht 25, wobei die Ringsegmente 27a, 27b bei großen Radien eine größere wirksame Höhe h aufweisen als die Ringsegmente 27c, 27d bei kleineren Radien. Die durch die äußeren Ringsegmente 27a, 27b gebildeten höheren Stützstellen weisen aus den zuvor beschriebenen Gründen auch eine größere Breite auf als die durch die inneren Ringsegmente 27c, 27b gebildeten niedrigeren Stützstellen. Tatsächlich ist es so dass die äußeren Ringsegmente hier sogar eine solche Bereite aufweisen, dass es bei ihrer Präparation nicht zu einer vollständigen Unterätzung gekommen ist. D. h., die äußeren Ringsegmente weisen jeweils ein Plateau konstanter Höhe auf, wobei die Höhe durch die Materialstärke der Oxydschicht vorgegeben ist.

Der gezeigte radiale Durchbruch zwischen den Ringsegmenten erleichtert die Befüllung der Kavität zwischen der Messmembran und der Elektrodenschicht mit einem Druckübertragungsmedium, beispielsweise einem Öl.

Fign. 4b und 4c zeigen radial verlaufende Stützstellen 127 in unterschiedlicher Zahlendichte Ν/φ.