上記目的を達成するために、本発明の一� ��様に係る表示装置は、発光素子と、前記発� ��素子に電流を供給して前記発光素子を発光� ��せる電源線と、電荷を蓄積するコンデンサ� ��、前記コンデンサに蓄積された電荷に応じ� ��電流を前記電源線から前記発光素子に流さ� ��る駆動素子と、前記発光素子に電流を供給� ��るに従って前記発光素子に形成されるエネ� ��ギー準位であるトラップ準位を、前記発光� ��子の使用時間に対応させて記憶しているメ� ��リと、前記発光素子の使用時間を計測する� ��得部と、前記取得部から取得した前記発光� ��子の使用時間に基づいて、前記メモリを参� ��して、前記発光素子の使用時間に対応する� ��ラップ準位を読み出し、前記読み出したト� ��ップ準位に対応した電圧量の逆バイアスを� ��記発光素子に印加してトラップ準位にたま� ��た電荷を抜き去る制御部と、を具備し、前� ��制御部は、前記発光素子の使用時間が長く� ��るほど、前記発光素子に印加する逆バイア� ��の電圧量が大きくなるように、前記発光素� ��に印加する逆バイアスの電圧量を変動させ� ��ことを特徴とする。

 本態様によると、前記発光素子に電流を� ��給するに従って前記発光素子に形成される� ��ネルギー準位であるトラップ準位に基づい� ��、前記トラップ準位に対応した電圧量の逆� ��イアスを前記発光素子に印加してトラップ� ��位にたまった電荷を抜き去る。これにより� ��前記トラップ準位に対応して、前記発光素� ��に印加する逆バイアスの電圧量が変動する� ��で、異常に高い逆バイアス電圧を印加して� ��光素子を破壊するのを防止し、発光素子の� ��度回復を適切に行い、発光素子の長寿命化� ��図ることができる。

 また、前記発光素子に電流を供給するに� ��って前記発光素子に形成されるエネルギー� ��位であるトラップ準位を判断するのに、前� ��発光素子の使用時間に着目することにより� ��前記発光素子に電流を供給するに従って前� ��発光素子に形成されるトラップ準位を簡易� ��つ適正に判断できる。そのため、前記発光� ��子の使用時間に対応して、前記発光素子に� ��加する逆バイアスの電圧量が変動するので� ��異常に高い逆バイアス電圧を印加して発光� ��子を破壊するのを確実に防止し、発光素子� ��輝度回復を適切に行い、発光素子の長寿命� ��を図ることができる。

 また、好ましくは、前記メモリは、前記� ��光素子の使用時間及び前記発光素子の温度� ��対応させて前記発光素子のトラップ準位を� ��憶しており、前記表示装置は、さらに、前� ��発光素子の温度を計測する第2取得部を有し 、前記制御部は、前記取得部から取得した前 記発光素子の使用時間及び前記第2取得部か� �取得した前記発光素子の温度に基づいて、� �記メモリを参照して、前記発光素子の使用� �間及び前記発光素子の温度に対応するトラ� �プ準位を読み出し、前記読み出したトラッ� �準位に対応した電圧量の逆バイアスを前記� �光素子に印加し、前記制御部は、前記発光� �子の使用時間が長くなるほど、前記発光素� �に印加する逆バイアスの電圧量が大きくな� �ように、前記発光素子に印加する逆バイア� �の電圧量を変動させることを特徴とする。

 本態様によると、前記発光素子の温度も� ��慮したトラップ準位に対応して、前記発光� ��子に印加する逆バイアスの電圧量が変動す� ��ので、異常に高い逆バイアス電圧を印加し� ��発光素子を破壊するのを防止し、発光素子� ��輝度回復を適切に行い、発光素子の長寿命� ��を図ることができる。

 また、好ましくは、前記発光素子の使用� ��間は、前回前記発光素子に逆バイアスを印� ��したときから今回前記発光素子に逆バイア� ��を印加するときまでに対応する時間である� ��とを特徴とする。

 本態様によると、前記発光素子の使用時� ��は、前記発光素子に逆バイアスが印加され� ��からの時間である。つまり、前記発光素子� ��使用時間は、発光素子の輝度回復が行われ� ��からの時間である。このため、適切な使用� ��間に対応した電圧量の逆バイアスが発光素� ��に印加されるので、異常に高い逆バイアス� ��圧を印加して発光素子を破壊するのを防止� ��、発光素子の輝度回復を適切に行い、発光� ��子の長寿命化を図ることができる。

 また、発光素子と、前記発光素子に電流� ��供給して前記発光素子を発光させる電源線� ��、電荷を蓄積するコンデンサと、前記コン� ��ンサに蓄積された電荷に応じた電流を前記� ��源線から前記発光素子に流させる駆動素子� ��、前記発光素子に電流を供給するに従って� ��記発光素子に形成されるエネルギー準位で� ��るトラップ準位を、前記発光素子の使用時� ��に対応させて記憶しているメモリと、前記� ��光素子の使用時間を計測する取得部と、前� ��発光素子のアノードとカソードとを短絡さ� ��る短絡トランジスタと、前記取得部から取� ��した前記発光素子の使用時間に基づいて、� ��記メモリを参照して、前記発光素子の使用� ��間に対応するトラップ準位を読み出し、前� ��読み出したトラップ準位に対応した短絡時� ��の間、前記短絡トランジスタで短絡させて� ��ラップ準位にたまった電荷を抜き去る制御� ��と、を具備し、前記制御部は、前記発光素� ��の使用時間が長くなるほど、前記短絡トラ� ��ジスタで短絡させる短絡時間が長くなるよ� ��に、前記短絡トランジスタで短絡させる短� ��時間を変動させることを特徴とする。

 本態様によると、前記発光素子に電流を� ��給するに従って前記発光素子に形成される� ��ネルギー準位であるトラップ準位に基づい� ��、前記トラップ準位に対応した短絡時間の� ��、前記短絡トランジスタで前記発光素子の� ��ノードとカソードとを短絡させてトラップ� ��位にたまった電荷を抜き去る。これにより� ��前記トラップ準位に対応して、前記短絡ト� ��ンジスタで短絡させる短絡時間が変動する� ��で、発光素子の輝度回復を適切に行い、発� ��素子の長寿命化を図ることができる。

 また、前記発光素子に電流を供給するに� ��って前記発光素子に形成されるエネルギー� ��位であるトラップ準位を判断するのに、前� ��発光素子の使用時間に着目することにより� ��前記発光素子に電流を供給するに従って前� ��発光素子に形成されるトラップ準位を簡易� ��つ適正に判断できる。そのため、前記発光� ��子の使用時間に対応して、前記短絡トラン� ��スタで短絡させる短絡時間が変動するので� ��発光素子の輝度回復を適切に行い、発光素� ��の長寿命化を図ることができる。

 また、好ましくは、前記発光素子の使用� ��間は、前回前記短絡トランジスタによる短� ��を終了したときから今回前記短絡トランジ� ��タによる短絡を開始するときまでに対応す� ��時間であることを特徴とする。

 本態様によると、前記発光素子の使用時� ��は、前記発光素子のアノードとカソードと� ��短絡されてからの時間である。つまり、前� ��発光素子の使用時間は、発光素子の輝度回� ��が行われてからの時間である。このため、� ��切な使用時間に対応した短絡時間の間、短� ��が行われるので、発光素子の輝度回復を適� ��な時間で行い、発光素子の長寿命化を図る� ��とができる。

 また、発光素子と、前記発光素子に電流� ��供給して前記発光素子を発光させる電源線� ��、電荷を蓄積するコンデンサと、前記コン� ��ンサに蓄積された電荷に応じた電流を前記� ��源線から前記発光素子に流させる駆動素子� ��、前記発光素子の発光電圧を取得する第1取 得部と、前記発光素子の発光電流を取得する 第2取得部と、前記発光素子に電流を供給す� �に従って前記発光素子に形成されるエネル� �ー準位であるトラップ準位を、前記発光素� �の輝度劣化度合に対応させて記憶している� �モリと、前記発光素子の発光電圧及び発光� �流に基づいて、同一電圧により前記発光素� �に流れる発光電流の低下度合又は前記発光� �子に同じ電流を流すために必要とされる電� �の増加度合を示す前記発光素子の輝度劣化� �合を算出し、前記算出した輝度劣化度合に� �応する前記発光素子のトラップ準位を前記� �モリから読み出し、前記読み出したトラッ� �準位に対応した電圧量の逆バイアスを前記� �光素子に印加してトラップ準位にたまった� �荷を抜き去る制御部と、を具備し、前記制� �部は、前記発光素子の輝度劣化度合が大き� �なるほど、前記発光素子に印加する逆バイ� �スの電圧量が大きくなるように、前記発光� �子に印加する逆バイアスの電圧量を変動さ� �ることを特徴とする。

 本態様によると、前記発光素子に電流を� ��給するに従って前記発光素子に形成される� ��ネルギー準位であるトラップ準位に基づい� ��、前記トラップ準位に対応した電圧量の逆� ��イアスを前記発光素子に印加してトラップ� ��位にたまった電荷を抜き去る。これにより� ��前記トラップ準位に対応して、前記発光素� ��に印加する逆バイアスの電圧量が変動する� ��で、異常に高い逆バイアス電圧を印加して� ��光素子を破壊するのを防止し、発光素子の� ��度回復を適切に行い、発光素子の長寿命化� ��図ることができる。

 また、前記発光素子に電流を供給するに� ��って前記発光素子に形成されるエネルギー� ��位であるトラップ準位を判断するのに、前� ��発光素子の輝度劣化度合に着目することに� ��り、前記発光素子に電流を供給するに従っ� ��前記発光素子に形成されるトラップ準位を� ��正に判断できる。そのため、前記発光素子� ��輝度劣化度合に対応して、前記発光素子に� ��加する逆バイアスの電圧量が変動するので� ��異常に高い逆バイアス電圧を印加して発光� ��子を破壊するのを確実に防止し、発光素子� ��輝度回復を適切に行い、発光素子の長寿命� ��を図ることができる。

 また、好ましくは、前記発光素子の輝度� ��化度合は、前記発光素子の所定の使用時間� ��対応したものであることを特徴とする。

 本態様によると、前記発光素子の輝度劣� ��度合は、前記発光素子の所定の使用時間に� ��応している。つまり、前記発光素子の使用� ��間が長くなるほど、前記発光素子の輝度劣� ��度合は大きくなる。そのため、前記発光素� ��の使用時間に対応して、前記発光素子の輝� ��劣化度合は変動し、前記発光素子の輝度劣� ��度合に対応して、前記発光素子に印加する� ��バイアスの電圧量が変動するので、異常に� ��い逆バイアス電圧を印加して発光素子を破� ��するのを確実に防止し、発光素子の輝度回� ��を適切に行い、発光素子の長寿命化を図る� ��とができる。

 また、発光素子と、前記発光素子に電流� ��供給して前記発光素子を発光させる電源線� ��、電荷を蓄積するコンデンサと、前記コン� ��ンサに蓄積された電荷に応じた電流を前記� ��源線から前記発光素子に流させる駆動素子� ��、前記発光素子の発光電圧を取得する第1取 得部と、前記発光素子の発光電流を取得する 第2取得部と、前記発光素子に電流を供給す� �に従って前記発光素子に形成されるエネル� �ー準位であるトラップ準位を、前記発光素� �の輝度劣化度合に対応させて記憶している� �モリと、前記発光素子のアノードとカソー� �とを短絡させる短絡トランジスタと、前記� �光素子の発光電圧及び発光電流に基づいて� �同一電圧により前記発光素子に流れる発光� �流の低下度合又は前記発光素子に同じ電流� �流すために必要とされる電圧の増加度合を� �す前記発光素子の輝度劣化度合を算出し、� �記算出した輝度劣化度合に対応する前記発� �素子のトラップ準位を前記メモリから読み� �し、前記読み出したトラップ準位に対応し� �短絡時間の間、前記短絡トランジスタで短� �させてトラップ準位にたまった電荷を抜き� �る制御部と、を具備し、前記制御部は、前� �発光素子の輝度劣化度合が大きくなるほど� �前記短絡トランジスタで短絡させる短絡時� �が長くなるように、前記短絡トランジスタ� �短絡させる短絡時間を変動させることを特� �とする。

 本態様によると、前記発光素子に電流を� ��給するに従って前記発光素子に形成される� ��ネルギー準位であるトラップ準位に基づい� ��、前記トラップ準位に対応した短絡時間の� ��、前記短絡トランジスタで前記発光素子の� ��ノードとカソードとを短絡させてトラップ� ��位にたまった電荷を抜き去る。これにより� ��前記トラップ準位に対応して、前記短絡ト� ��ンジスタで短絡させる短絡時間が変動する� ��で、発光素子の輝度回復を適切に行い、発� ��素子の長寿命化を図ることができる。

 また、前記発光素子に電流を供給するに� ��って前記発光素子に形成されるエネルギー� ��位であるトラップ準位を判断するのに、前� ��発光素子の輝度劣化度合に着目することに� ��り、前記発光素子に電流を供給するに従っ� ��前記発光素子に形成されるトラップ準位を� ��正に判断できる。そのため、前記発光素子� ��輝度劣化度合に対応して、前記短絡トラン� ��スタで短絡させる短絡時間が変動するので� ��発光素子の輝度回復を適切に行い、発光素� ��の長寿命化を図ることができる。

 また、好ましくは、前記発光素子の輝度� ��化度合は、前記発光素子の所定の使用時間� ��対応したものであることを特徴とする。

 本態様によると、前記発光素子の輝度劣� ��度合は、前記発光素子の所定の使用時間に� ��応している。つまり、前記発光素子の使用� ��間が長くなるほど、前記発光素子の輝度劣� ��度合は大きくなる。そのため、前記発光素� ��の使用時間に対応して、前記発光素子の輝� ��劣化度合は変動し、前記発光素子の輝度劣� ��度合に対応して、前記短絡トランジスタで� ��絡させる短絡時間が変動するので、発光素� ��の輝度回復を適切な時間で行い、発光素子� ��長寿命化を図ることができる。

 また、発光素子と、前記発光素子に電流� ��供給して前記発光素子を発光させる電源線� ��、電荷を蓄積するコンデンサと、前記コン� ��ンサに蓄積された電荷に応じた電流を前記� ��源線から前記発光素子に流させる駆動素子� ��、前記発光素子に電流を供給するに従って� ��記発光素子に形成されるエネルギー準位で� ��るトラップ準位に対応した逆バイアス電圧� ��を、前記発光素子の使用時間に対応させて� ��憶しているメモリと、前記発光素子の使用� ��間を計測する取得部と、前記取得部から取� ��した前記発光素子の使用時間に基づいて、� ��記メモリを参照して、前記発光素子の使用� ��間に対応する逆バイアス電圧量を読み出し� ��前記読み出した電圧量の逆バイアスを前記� ��光素子に印加してトラップ準位にたまった� ��荷を抜き去る制御部と、を具備し、前記制� ��部は、前記発光素子の使用時間が長くなる� ��ど、前記発光素子に印加する逆バイアスの� ��圧量が大きくなるように、前記発光素子に� ��加する逆バイアスの電圧量を変動させるこ� ��を特徴とする。

 本態様によると、前記発光素子に電流を� ��給するに従って前記発光素子に形成される� ��ネルギー準位であるトラップ準位に対応す� ��電圧量の逆バイアスを、前記発光素子の使� ��時間に応じて変動させて前記発光素子に印� ��し、トラップ準位にたまった電荷を抜き去� ��。これにより、前記発光素子の使用時間に� ��応して、前記発光素子に電流を供給するに� ��って前記発光素子に形成されるエネルギー� ��位であるトラップ準位を反映させて、前記� ��光素子に印加する逆バイアスの電圧量を変� ��させる。そのため、異常に高い逆バイアス� ��圧を印加して発光素子を破壊するのを防止� ��、発光素子の輝度回復を適切に行い、発光� ��子の長寿命化を図ることができる。

 また、前記発光素子に電流を供給するに� ��って前記発光素子に形成されるエネルギー� ��位であるトラップ準位を判断するのに、前� ��発光素子の使用時間に着目することにより� ��前記発光素子に電流を供給するに従って前� ��発光素子に形成されるトラップ準位を簡易� ��つ適正に判断できる。そのため、前記発光� ��子の使用時間に対応して、前記発光素子に� ��加する逆バイアスの電圧量が変動するので� ��異常に高い逆バイアス電圧を印加して発光� ��子を破壊するのを確実に防止し、発光素子� ��輝度回復を適切に行い、発光素子の長寿命� ��を図ることができる。

 また、発光素子と、前記発光素子に電流� ��供給して前記発光素子を発光させる電源線� ��、電荷を蓄積するコンデンサと、前記コン� ��ンサに蓄積された電荷に応じた電流を前記� ��源線から前記発光素子に流させる駆動素子� ��、前記発光素子の発光電圧を取得する第1取 得部と、前記発光素子の発光電流を取得する 第2取得部と、前記発光素子に電流を供給す� �に従って前記発光素子に形成されるエネル� �ー準位であるトラップ準位に対応する逆バ� �アス電圧量を、前記発光素子の輝度劣化度� �に対応させて記憶しているメモリと、前記� �光素子の発光電圧及び発光電流に基づいて� �同一電圧により前記発光素子に流れる発光� �流の低下度合又は前記発光素子に同じ電流� �流すために必要とされる電圧の増加度合を� �す前記発光素子の輝度劣化度合を算出し、� �記メモリを参照して、前記算出した輝度劣� �度合に対応する逆バイアス電圧量を読み出� �、前記読み出した電圧量の逆バイアスを前� �発光素子に印加してトラップ準位にたまっ� �電荷を抜き去る制御部と、を具備し、前記� �御部は、前記発光素子の輝度劣化度合が大� �くなるほど、前記発光素子に印加する逆バ� �アスの電圧量が大きくなるように、前記発� �素子に印加する逆バイアスの電圧量を変動� �せることを特徴とする。

 本態様によると、前記発光素子に電流を� ��給するに従って前記発光素子に形成される� ��ネルギー準位であるトラップ準位に対応す� ��電圧量の逆バイアスを、前記発光素子の輝� ��劣化度合に応じて変動させて前記発光素子� ��印加し、トラップ準位にたまった電荷を抜� ��去る。これにより、前記発光素子の輝度劣� ��度合に対応して、前記発光素子に電流を供� ��するに従って前記発光素子に形成されるエ� ��ルギー準位であるトラップ準位を反映させ� ��、前記発光素子に印加する逆バイアスの電� ��量を変動させる。そのため、異常に高い逆� ��イアス電圧を印加して発光素子を破壊する� ��を防止し、発光素子の輝度回復を適切に行� ��、発光素子の長寿命化を図ることができる� ��

 また、前記発光素子に電流を供給するに� ��って前記発光素子に形成されるエネルギー� ��位であるトラップ準位を判断するのに、前� ��発光素子の輝度劣化度合に着目することに� ��り、前記発光素子に電流を供給するに従っ� ��前記発光素子に形成されるトラップ準位を� ��正に判断できる。そのため、前記発光素子� ��輝度劣化度合に対応して、前記発光素子に� ��加する逆バイアスの電圧量が変動するので� ��異常に高い逆バイアス電圧を印加して発光� ��子を破壊するのを確実に防止し、発光素子� ��輝度回復を適切に行い、発光素子の長寿命� ��を図ることができる。

 なお、本発明は、このような表示装置と� ��て実現することができるだけでなく、その� ��示装置を制御するための制御方法やプログ� ��ム、そのプログラムを格納する記憶媒体と� ��ても実現することができる。

 (実施の形態1)
 以下、本発明の実施の形態1について図面を 用いて詳細に説明する。

 図1は、本発明の実施の形態1に係る表示� �置1の構成を示すブロック図である。

 同図に示すように、表示装置1は、表示部 10、走査線駆動回路20、データ線駆動回路30、 使用時間取得部50、素子温度取得部60、及び� �復措置部90を備えている。

 また、表示部10は、マトリクス状に配置� �れた複数の画素部100を備えている。また、� �復措置部90は、電圧印加部40、記憶部70、及� �制御部80を備えている。

 図2は、本実施の形態1に係る表示部10の有 する一画素部の回路構成及びその周辺回路と の接続を示す図である。

 画素部100は、表示部10の有する一画素部� �あり、データ線を介して供給された信号電� �により発光する機能を有する。同図に示す� �うに、画素部100は、発光素子110、駆動トラ� �ジスタ120、スイッチングトランジスタ130、� �持容量140、走査線21、データ線31、電圧印加� ��41、スイッチ121、及び電源線151を備えてい� �。

 また、画素部100の周辺回路は、走査線駆� ��回路20、データ線駆動回路30、電圧印加部40� ��電源150、及び電源160を備えている。

 まず、画素部100の内部回路構成について� ��図2を用いて説明する。

 発光素子110は、アノードが駆動トランジ� ��タ120のソースおよびドレインの一方に接続� ��れ、カソードが電源160に接続されたEL(エレ� ��トロルミネッセンス)素子である。発光素子 110は、駆動トランジスタ120によって駆動され た電流が流れることにより発光する機能を有 する。つまり、電源線151によって発光素子110 に電流が供給され、発光素子110が発光する。 なお、発光素子110は、例えば、有機EL素子で� ��る。

 駆動トランジスタ120は、ゲートがスイッ� ��ングトランジスタ130を介してデータ線31に� �続され、ソースおよびドレインの他方がス� �ッチ121に接続されている。駆動トランジス� �120は、このスイッチ121を介して、電源150又� �電圧印加部40に接続される。また、駆動トラ ンジスタ120は、データ線31から供給された信� ��電圧を、その大きさに応じた信号電流に変� ��する機能を有する。

 スイッチングトランジスタ130は、ゲート� ��走査線21に接続され、ソース及びドレイン� �一方がデータ線31に接続され、ソース及びド レインの他方が駆動トランジスタ120のゲート に接続されている。スイッチングトランジス タ130は、データ線31と駆動トランジスタ120の� ��ートとの導通及び非導通を切り換える。つ� ��り、スイッチングトランジスタ130は、画素� ��100に対しデータ線31の信号電圧値を、走査� �21がハイレベルの期間供給する機能を有する 。

 保持容量140は、電荷を蓄積するコンデン� ��である。保持容量140は、駆動トランジスタ1 20のソースおよびドレインの一方と駆動トラ� ��ジスタ120のゲート端子との間に接続されて� ��る。つまり、保持容量140に蓄積された電荷� ��応じた電流が、駆動トランジスタ120によっ� ��、電源線151から発光素子110に流される。

 電源150は、電源線151に接続された、駆動� ��ランジスタ120の定電圧源であり、例えば、1 0Vに設定されている。

 電源160は、発光素子110の定電圧源であり� ��例えば、アースされている。本実施の形態� ��場合、電源150の電位は、電源160の電位より� ��高く設定されている。

 次に、図1に記載された構成要素について 、その機能を説明する。

 走査線駆動回路20は、走査線21に接続され ており、画素部100のスイッチングトランジス タ130の導通・非導通を制御する機能を有する 。

 データ線駆動回路30は、データ線31に接続 されており、信号電圧を出力して、駆動トラ ンジスタ120に流れる信号電流を決定する機能 を有する。

 使用時間取得部50は、画素部100ごとに、� �光素子110が使用された時間である使用時間� �取得する機能を有する。ここで、使用時間� �は、発光素子110が発光した発光時間の累積� �である。

 例えば、60Hzで発光素子110が発光している 場合、1回のサイクル(以下、1フィールドとい う)は1s/60=約16.6msecである。そして、使用時間 とは、この1フィールドの時間内に発光素子11 0が発光している時間を、対象のフィールド� �ついて累積した値である。ここで、対象の� �ィールドとは、前回、回復措置部90が発光素 子110の輝度の劣化を回復させたときから、今 回、回復措置部90が発光素子110の輝度の劣化� ��回復させるときまでの全フィールドである� ��

 このため、回復措置部90が発光素子110の� �度の劣化を回復させた場合、発光素子110の� �用時間はリセットされる。

 素子温度取得部60は、画素部100ごとに、� �光素子110の温度である素子温度を取得する� �能を有する。なお、素子温度取得部60が発光 素子110の素子温度を取得する詳細については 、後述する。

 回復措置部90は、使用時間取得部50が取得 した使用時間の大きさに応じて、発光素子110 の輝度の劣化を回復させる回復条件を変更し て、変更された回復条件に従って発光素子110 の輝度の劣化を回復させる機能を有する。こ こでの回復条件は、発光素子110のアノード及 びカソードの少なくとも一方にバイアス電圧 を印加して発光素子110の輝度の劣化を回復さ せる場合の、バイアス電圧の電圧値の大きさ である。

 具体的には、回復措置部90は、電圧印加� �40、記憶部70、及び制御部80を備えている。

 電圧印加部40は、制御部80の指示に従って 、発光素子110のアノード及びカソードの少な くとも一方に、バイアス電圧を印加する機能 を有する。具体的には、電圧印加部40は、電� ��印加線41に接続されており、発光素子110に� �バイアスがかかるように、スイッチ121を介� �て発光素子110のアノードにバイアス電圧を� �加することで、発光素子110の輝度の劣化を� �復する。

 記憶部70は、発光素子110の使用時間及び� �子温度ごとのトラップ準位、及びトラップ� �位に対応した逆バイアス電圧を記憶する機� �を有する。つまり、記憶部70は、発光素子110 の使用時間及び素子温度ごとの、発光素子110 の発光電圧と発光電流との関係から予め算出 された発光素子110のトラップ準位を記憶して いる。また、記憶部70は、トラップ準位と逆� ��イアス電圧との関係から予め算出されたト� ��ップ準位に対応した逆バイアス電圧を記憶� ��ている。

 ここで、発光電流は、発光素子110を発光� ��るために発光素子110に流れる電流であり、� ��動トランジスタ120に流れる信号電流と同じ� ��流値である。また、発光電圧は、発光素子1 10に発光電流が流れたときの発光素子110のア� ��ードとカソードの間の電圧である。

 具体的には、記憶部70は、発光素子110の� �用時間、素子温度、及びトラップ準位が対� �付けられたトラップ準位テーブル71と、トラ ップ準位と逆バイアス電圧とが対応付けられ たトラップバイアステーブル72とを記憶して� ��る。なお、トラップ準位とは、発光素子110� ��電流が供給されるに従って発光素子110に形� ��されるエネルギー準位であり、このトラッ� ��準位の形成により、発光素子110の輝度が劣� ��する。

 以下に、このトラップ準位について、詳� ��に説明する。

 図3A及び図3Bは、トラップ準位の形成によ り発光素子110の輝度が劣化することを説明す る図である。

 具体的には、図3Aは、電圧が印加される� �光素子110の構成を示す模式図であり、図3Bは 、発光素子110を発光するための電圧値を示す グラフである。また、これらの図の(a)は、発 光素子110に電圧を印加する前の初期状態を示 しており、これらの図の(b)は、発光素子110に 電圧が印加された後のトラップ準位が形成さ れた状態を示している。

 これらの図に示すように、発光素子110は� ��ホール注入電極111、電子注入電極112、及び� ��ホール注入電極111と電子注入電極112との間� ��配置された有機発光層113を備えている。

 まず、図3Aの(a)に示される状態から、発� �素子110に電圧が印加される。

 すると、有機発光層113の層界面付近(同図 の(b)に示されるAの部分)の電子注入電極112側� ��電子が蓄積する。また、有機発光層113の層� ��面付近(同図の(b)に示されるAの部分)のホー� ��注入電極111側にホールが蓄積する。

 これにより、同図の(b)に示されるように� ��有機発光層113にトラップ準位が形成され、� ��位障害が高くなる。この電位障害は、発光� ��子110の輝度の劣化の要因となる。また、電� ��が多く印加されるほど、深いトラップ準位� ��形成され、発光素子110の輝度の劣化は大き� ��なる。

 具体的には、図3Bの(a)に示すように、初� �状態では、発光素子110を発光させるために� �要な電圧は、同図に示す電圧aである。そし� ��、発光素子110に電圧が印加されて発光した� ��、トラップ準位が形成され、電位障害が高� ��なる。このため、同図の(b)に示すように、� ��光素子110を発光させるために必要な電圧の� ��値が上昇し、同じ輝度を得るために電圧aよ りも大きな電圧bを印加する必要が生じる。

 つまり、発光素子110が使用されるのに伴� ��、トラップ準位が形成され、電荷がトラッ� ��されることにより、電圧ロスが生じ、発光� ��子110の輝度低下(素子劣化)が起こる。

 また、発光素子110に逆バイアス電圧を印� ��することで、有機発光層113の層界面付近の� ��子注入電極112側に蓄積した電子及びホール� ��入電極111側に蓄積したホールが放電され、� ��位障壁が下がる。つまり、逆バイアス電圧� ��印加することで、トラップ準位にたまった� ��荷を抜き去ることにより、発光素子110の劣� ��をもとに戻らせることができる。

 これにより、同図の(a)に示されるような� ��期状態に近い状態に戻ることで、発光素子1 10の輝度の劣化は回復する。なお、発光素子1 10の劣化度合いが進む(使用時間が進む)につ� �て、トラップ準位が深くなり、そこにトラ� �プされた電荷を抜くために、より大きな量� �逆バイアス電圧を印加すること必要となる� �

 次に、記憶部70が記憶しているトラップ� �位テーブル71について説明する。

 図4は、本実施の形態1に係るトラップ準� �テーブル71の一例を示す図である。

 同図に示すように、トラップ準位テーブ� ��71は、使用時間、素子温度、及びトラップ� �位などからなる。ここで、使用時間は、発� �素子110の使用時間であり、素子温度は、発� �素子110の素子温度である。また、トラップ� �位は、発光素子110の使用時間及び素子温度� �とのトラップ準位である。

 次に、トラップ準位テーブル71のトラッ� �準位は、発光素子110の発光電圧と発光電流� �の関係から算出されることについて説明す� �。

 図5は、使用時間ごとの発光素子110の発光 電圧と発光電流との関係を示す図である。

 同図は、発光素子110に一定の発光電圧を� ��加して発光させた場合の、使用時間t経過後 の発光素子110に流れる発光電流を測定して、 グラフに示したものである。ここで、グラフ の横軸は発光電圧の対数値、縦軸は発光電流 の対数値である。つまり、同図は、使用時間 tが0時間から313時間にかけて大きくなってい� ��際の、使用時間tごとの発光電圧と発光電流 との関係を示したグラフである。また、発光 電流の計測と同時に、発光素子110の素子温度 を計測することで、各使用時間における発光 素子110の平均的な素子温度が算出される。

 ここで、使用時間t経過後の、発光電流を I、発光電圧をV、素子温度をT、トラップ準位 をEt、ボルツマン定数をKとすると、以下の式 1が成り立つ。

   I∝V ^(Et/KT+1)                 (式1)

 そして、同図に示された使用時間tごとの 発光電圧Vと発光電流Iとの関係と、算出され� ��素子温度Tと、式1とから、トラップ準位Etが 算出される。具体的には、同図は発光電圧V� �発光電流Iの両対数グラフであるため、グラ� ��の傾きが式1のEt/KT+1である。また、同図に� �されたグラフは、使用時間tが大きくなるほ� ��傾きも大きくなっている。つまり、使用時� ��tが大きくなるほどトラップ準位Etは深くな� ��。

 このようにして、発光素子110の発光電圧� ��発光電流との関係から、発光素子110の使用� ��間t及び素子温度Tごとのトラップ準位Etが算 出される。

 そして、このようにして作成されたトラ� ��プ準位テーブル71は、予め記憶部70に記憶さ れている。なお、トラップ準位テーブル71は� ��画素部100ごとに作成されていてもよいし、� ��ての画素部100共通の1つのトラップ準位テー ブル71が作成されていてもよい。

 次に、記憶部70が記憶しているトラップ� �イアステーブル72について説明する。

 図6は、本実施の形態1に係るトラップバ� �アステーブル72の一例を示す図である。

 同図に示すように、トラップバイアステ� ��ブル72は、トラップ準位及び逆バイアス電� �などからなる。トラップ準位は、発光素子11 0のトラップ準位であり、逆バイアス電圧は� �発光素子110に印加する逆バイアス電圧の電� �値である。ここで、トラップ準位と逆バイ� �ス電圧との関係について、以下に説明する� �

 図7は、本実施の形態1に係るトラップ準� �と逆バイアス電圧の電圧値との関係の一例� �示す図である。

 同図に示された横軸は発光素子110のトラ� ��プ準位であり、縦軸は、発光素子110に印加� ��ることで発光素子110の輝度の劣化を回復す� ��ことができる最小の逆バイアス電圧の電圧� ��である。

 具体的には、縦軸の最小逆バイアス電圧� ��は、発光素子110の輝度の劣化を回復するこ� ��ができる逆バイアス電圧のうちの、最小の� ��圧値である。つまり、最小逆バイアス電圧� ��りも大きな電圧を印加しても、発光素子110� ��輝度の劣化の回復は、最小逆バイアス電圧� ��印加した場合と同等である。この最小逆バ� ��アス電圧を発光素子110に印加することで、� ��光素子110に電圧を印加し過ぎることがない� ��め、発光素子110の長寿命化に寄与する。

 また、同図に示すように、トラップ準位� ��深くなるほど、最小逆バイアス電圧の電圧� ��は大きくなる。これは、例えば、トラップ� ��位を変化させて逆バイアス電圧を印加する� ��験などから、トラップ準位に対応した最小� ��バイアス電圧の電圧量が算出される。なお� ��同図では、トラップ準位が深くなるほど最� ��逆バイアス電圧の電圧量は直線的に増えて� ��るが、最小逆バイアス電圧の電圧量の増え� ��は直線的に限られない。

 そして、このトラップ準位に対応する最� ��逆バイアス電圧が、トラップバイアステー� ��ル72の逆バイアス電圧に記憶されている。

 図1に戻り、制御部80は、使用時間が大き� ��なるほど、発光素子110のカソードの電圧値� ��らアノードの電圧値を減じた値が大きくな� ��ように、回復条件としてのバイアス電圧の� ��圧値を変更して、変更された電圧値のバイ� ��ス電圧を印加するように電圧印加部40を制� �する。

 具体的には、制御部80は、使用時間取得� �50が取得した発光素子110の使用時間と素子温 度取得部60が取得した発光素子110の素子温度� ��に基づいて、記憶部70が記憶しているトラ� �プ準位テーブル71を参照して、発光素子110の 使用時間に対応するトラップ準位を読み出し 、読み出したトラップ準位に対応した電圧量 の逆バイアスを発光素子110に印加してトラッ プ準位にたまった電荷を抜き去る。

 また、制御部80は、発光素子110の使用時� �が長くなるほど、発光素子110に印加する逆� �イアスの電圧量が大きくなるように、発光� �子110に印加する逆バイアスの電圧量を変動� �せる。

 次に、発光素子110の輝度の劣化を回復す� ��表示装置1の駆動方法について説明する。

 図8は、本発明の実施の形態1における発� �素子110の輝度劣化を回復する表示装置1の駆� ��方法の一例を示すフローチャートである。

 まず、使用時間取得部50は、発光素子110� �使用時間を取得する(S102)。ここで、発光素� �110の使用時間は、電圧印加部40が前回発光素 子110に逆バイアスを印加したときから、今回 発光素子110に逆バイアスを印加するときまで に対応する時間である。つまり、この間に発 光素子110が発光した時間の累積値が、発光素 子110の使用時間である。

 また、この使用時間は、表示装置1に内蔵 されたタイマーなどから算出された値である 。つまり、使用時間取得部50は、発光素子110� ��発光時にのみ計時される蓄積型カウンタな� ��から、使用時間を取得する。

 ここでは、制御部80が当該カウンタを保� �するとともに、記憶部70が記憶している図9� �示すような使用時間テーブル73に、制御部80� ��発光素子110ごとの使用時間を書き込むこと� ��する。図9は、本実施の形態1に係る使用時� �テーブル73の一例を示す図である。なお、同 図に示される発光素子の(i,j)は、座標が(i,j)� �位置にある発光素子110を指し、使用時間のt( i,j)は、当該発光素子110の使用時間を示して� �る。

 そして、電圧印加部40が発光素子110に逆� �イアスを印加した場合、制御部80が当該カウ ンタをリセットする。つまり、使用時間テー ブル73の逆バイアスを印加された発光素子110� ��使用時間は、「0」に書き換えられる。使用 時間取得部50は、使用時間テーブル73から、� �得対象の発光素子110の使用時間を取得する� �

 そして、図8に戻り、素子温度取得部60は� ��発光素子110の素子温度を取得する(S104)。具� ��的には、制御部80が、駆動トランジスタ120� �特性から駆動トランジスタ120の温度を算出� �、素子温度取得部60は、駆動トランジスタ120 の温度を発光素子110の素子温度として取得す る。

 以下に、素子温度取得部60が発光素子110� �素子温度を取得する方法について、詳細に� �明する。

 まず、制御部80は、駆動トランジスタ120の� �ース-ドレイン間にテスト電流I _test を流し、駆動トランジスタ120のゲートの電圧 であるゲート電圧V _g を測定することで、駆動トランジスタ120の移 動度βを算出する。駆動トランジスタ120のソ� ��スに印加された電圧であるソース電圧をV _s とすると、以下の式2が成り立つ。

   I _test =(β/2)(V _g -V _s -V _th ) ²           (式2)

 ここで、V _th は、駆動トランジスタ120の閾値電圧である。 つまり、テスト電流I _test 、ゲート電圧V _g 及びソース電圧V _s から、移動度βと閾値電圧V _th とを算出することができる。

 具体的には、式2より、大きさの異なる2種� �のテスト電流I ₁ 及びI ₂ を与えたときの、駆動トランジスタ120のゲー ト電圧の測定値をそれぞれV _g1 及びV _g2 とすると、以下のような連立方程式が得られ る。

   I ₁ =(β/2)(V _g1 -V _s -V _th ) ²           (式3)
   I ₂ =(β/2)(V _g2 -V _s -V _th ) ²           (式4)

 この連立方程式を解くことで、移動度βと� �値電圧V _th とを算出することができる。

 次に、制御部80は、駆動トランジスタ120� �移動度βから、駆動トランジスタ120の温度T� �、係数kを用いて以下の式5により算出する。

   β∝exp(1/kT)               (式5)

 なお、式5に示された駆動トランジスタ120 の移動度βと温度Tとの関係が、図10に示すよ� ��な温度テーブル74として、予め記憶部70に記 憶されていてもよい。図10は、本実施の形態1 に係る温度テーブル74の一例を示す図である� ��つまり、制御部80は、温度テーブル74を参照 することで、駆動トランジスタ120の移動度β� ��ら、駆動トランジスタ120の温度Tを取得する 。

 そして、素子温度取得部60は、制御部80が 算出した駆動トランジスタ120の温度Tを、発� �素子110の素子温度として取得する。

 次に、制御部80は、取得された使用時間� �び素子温度と、記憶部70に予め記憶されてい るトラップ準位テーブル71とから、トラップ� ��位を取得する(S106)。具体的には、制御部80� �、トラップ準位テーブル71の使用時間、素子 温度及びトラップ準位を参照することで、取 得された使用時間及び素子温度から、トラッ プ準位を取得する。

 そして、制御部80は、取得されたトラッ� �準位から、バイアス電圧の電圧値を決定す� �(S108)。ここで、発光素子110にトラップ準位� �生じた場合に、発光素子110に逆バイアス電� �を印加することで、発光素子110の輝度の劣� �を回復することができる。

 具体的には、制御部80は、記憶部70に記憶 されているトラップバイアステーブル72を参� ��して、取得されたトラップ準位に対応した� ��バイアス電圧の電圧値を取得することで、� ��イアス電圧の電圧値を決定する。

 なお、使用時間が長くなるほどトラップ� ��位は深くなる。また、トラップ準位が深く� ��るほど逆バイアス電圧の電圧量は大きくな� ��。つまり、使用時間が長くなるほど、逆バ� ��アス電圧の電圧量は大きくなる。

 そして、制御部80は、決定されたバイア� �電圧の電圧値を発光素子110のアノードに印� �するように電圧印加部40を制御し、電圧印加 部40は、バイアス電圧を印加する(S110)。つま� ��、電圧印加部40は、0V以上の逆バイアス電圧 を発光素子110に印加する。

 具体的には、図2に示されたように、発光 素子110が発光する際には、スイッチ121が電源 線151に接続されている。このため、発光素子 110が発光しなくてよい短い時間内に、スイッ チ121が、電圧印加線41に接続されるように切� ��替えられる。これによって、電圧印加部40� �発光素子110のアノードと接続される。そし� �、制御部80は、電圧印加部40に、決定された� ��イアス電圧の電圧値の指示を与える。これ� ��より、電圧印加部40は、発光素子110のアノ� �ドに、決定された電圧値のバイアス電圧を� �加する。

 つまり、制御部80は、使用時間が大きく� �るほど、発光素子110のカソードの電圧値か� �アノードの電圧値を減じた値が大きくなる� �うに、バイアス電圧の電圧値を変更して、� �更された電圧値のバイアス電圧を印加する� �うに電圧印加部40を制御する。そして、電圧 印加部40は、制御部80の制御に従って、バイ� �ス電圧を印加する。

 これにより、使用時間及び素子温度に応� ��たバイアス電圧が印加されるため、発光素� ��110の輝度劣化の回復が最適に行われ、発光� ��子110の長寿命化を図ることができる。

 つまり、トラップ準位に基づいて、トラ� ��プ準位に対応した電圧量の逆バイアスを発� ��素子110に印加してトラップ準位にたまった� ��荷を抜き去る。これにより、トラップ準位� ��対応して、発光素子110に印加する逆バイア� ��の電圧量が変動する。また、トラップ準位� ��判断するのに、発光素子110の使用時間に着� ��することにより、トラップ準位を簡易かつ� ��正に判断できる。そのため、発光素子110の� ��用時間に対応して、発光素子110に印加する� ��バイアスの電圧量が変動する。また、発光� ��子110の使用時間は、発光素子110の輝度回復� ��行われてからの時間であるため、適切な使� ��時間に対応した電圧量の逆バイアスが発光� ��子110に印加される。

 これらにより、異常に高い逆バイアス電� ��を印加して発光素子110を破壊するのを防止� ��、発光素子110の輝度回復を適切に行い、発� ��素子110の長寿命化を図ることができる。

 (実施の形態1の変形例1)
 ここで、本実施の形態1における第1の変形� �について説明する。上記実施の形態1では、� ��光素子110に逆バイアス電圧を印加すること� ��、発光素子110の輝度劣化を回復することと� ��た。しかし、本変形例1では、発光素子110の アノードとカソードとを短絡することで、発 光素子110の輝度劣化を回復する。

 図11は、本実施の形態1の変形例1に係る表 示装置1の構成を示すブロック図である。

 同図に示すように、表示装置1は、表示部 10、走査線駆動回路20、データ線駆動回路30、 使用時間取得部50、素子温度取得部60、及び� �復措置部90を備えている。

 また、表示部10は、マトリクス状に配置� �れた複数の画素部100を備えている。また、� �復措置部90は、短絡部45、記憶部70、及び制� �部80を備えている。

 図12は、本実施の形態1の変形例1に係る画 素部100の回路構成及びその周辺回路との接続 を示す図である。

 同図に示すように、画素部100は、発光素� ��110、駆動トランジスタ120、スイッチングト� ��ンジスタ130、保持容量140、走査線21、デー� �線31、電源線151、及び短絡用トランジスタ170 を備えている。

 また、画素部100の周辺回路は、走査線駆� ��回路20、データ線駆動回路30、短絡部45、電� ��150、及び電源160を備えている。

 なお、図1及び図2での説明と同じ機能を� �するものについては、以下説明を省略する� �

 回復措置部90は、使用時間取得部50が取得 した使用時間の大きさに応じて、発光素子110 の輝度の劣化を回復させる回復条件を変更し て、変更された回復条件に従って発光素子110 の輝度の劣化を回復させる機能を有する。こ こでの回復条件は、発光素子110のアノードと カソードとを短絡して、発光素子110の輝度の 劣化を回復させる場合の短絡時間の長さであ る。

 そして、回復措置部90が備える短絡部45は 、制御部80の指示に従って、画素部100の短絡� ��トランジスタ170の導通・非導通を制御する� ��能を有する。つまり、短絡部45は、発光素� �110のアノードとカソードとを短絡する機能� �有する。

 短絡用トランジスタ170は、ゲートが短絡� ��45に接続され、ソースおよびドレインの一� �が発光素子110のアノードに、他方が発光素� �110のカソードに接続されている。短絡用ト� �ンジスタ170は、第2のスイッチングトランジ� ��タであり、発光素子110のアノードとカソー� ��との導通及び非導通を切り換える。つまり� ��短絡用トランジスタ170は、短絡部45から電� �が供給されて、発光素子110のアノードとカ� �ードとを短絡する。

 制御部80は、使用時間が長くなるほど短� �時間が長くなるように、回復条件としての� �絡時間を変更して、変更された短絡時間の� �発光素子のアノードとカソードとを短絡す� �ように短絡部45を制御する。

 具体的には、制御部80は、使用時間取得� �50が取得した発光素子110の使用時間と素子温 度取得部60が取得した発光素子110の素子温度� ��に基づいて、記憶部70が記憶しているトラ� �プ準位テーブル71を参照して、発光素子110の 使用時間に対応するトラップ準位を読み出し 、読み出したトラップ準位に対応した短絡時 間の間、短絡用トランジスタ170で短絡させて トラップ準位にたまった電荷を抜き去る。

 また、制御部80は、発光素子110の使用時� �が長くなるほど、短絡用トランジスタ170で� �絡させる短絡時間が長くなるように、短絡� �トランジスタ170で短絡させる短絡時間を変� �させる。

 ここで、発光素子110の使用時間は、前回� ��絡用トランジスタ170による短絡を終了した� ��きから、今回短絡用トランジスタ170による� ��絡を開始するときまでに対応する時間であ� ��。つまり、この間に発光素子110が発光した� ��間の累積値が、発光素子110の使用時間であ� ��。

 記憶部70は、図4に示されたトラップ準位� ��ーブル71と、トラップ準位と短絡時間とが� �応付けられたトラップ短絡テーブル75とを記 憶している。以下に、記憶部70が記憶してい� ��トラップ短絡テーブル75について説明する� �

 図13は、本実施の形態1の変形例1に係るト ラップ短絡テーブル75の一例を示す図である� ��

 同図に示すように、トラップ短絡テーブ� ��75は、トラップ準位及び短絡時間などから� �る。トラップ準位は、発光素子110のトラッ� �準位であり、短絡時間は、発光素子110のア� �ードとカソードとを短絡する時間である。� �こで、トラップ準位と短絡時間との関係に� �いて、以下に説明する。

 図14は、本実施の形態1の変形例1に係るト ラップ準位と短絡時間との関係の一例を示す 図である。

 同図に示された横軸は発光素子110のトラ� ��プ準位であり、縦軸は、発光素子110のアノ� ��ドとカソードとを短絡する短絡時間である� ��

 具体的には、縦軸の短絡時間とは、発光� ��子110の輝度の劣化を回復することができる� ��絡時間のうちの、最小の短絡時間である。� ��の短絡時間の間、発光素子110のアノードと� ��ソードとを短絡することで、最小の時間で� ��光素子110の輝度の劣化を回復することがで� ��る。

 また、同図に示すように、トラップ準位� ��深くなるほど、短絡時間は長くなる。これ� ��、例えば、トラップ準位を変化させて、所� ��の短絡時間の間、発光素子110のアノードと� ��ソードとを短絡する実験などから、トラッ� ��準位に対応した最小の短絡時間が算出され� ��。なお、同図では、トラップ準位が深くな� ��ほど短絡時間は直線的に増えているが、短� ��時間の増え方は直線的に限られない。

 そして、このトラップ準位に対応する短� ��時間が、トラップ短絡テーブル75に記憶さ� �ている。

 次に、変形例1に係る発光素子110の輝度劣 化を回復する表示装置1の駆動方法について� �説明する。

 図15は、本実施の形態1の変形例1に係る発 光素子110の輝度劣化を回復する表示装置1の� �動方法の一例を示すフローチャートである� �

 まず、使用時間取得部50は、発光素子110� �使用時間を取得し(S202)、素子温度取得部60は 、発光素子110の素子温度を取得する(S204)。そ して、制御部80は、取得された使用時間及び� ��子温度とトラップ準位テーブル71とから、� �ラップ準位を取得する(S206)。なお、使用時� �、素子温度及びトラップ準位の取得の詳細� �、図8での説明と同様であるため、省略する� ��

 次に、制御部80は、取得されたトラップ� �位から、発光素子110のアノードとカソード� �を短絡する短絡時間を決定する(S208)。ここ� �、発光素子110にトラップ準位が生じた場合� �、発光素子110のアノードとカソードとを短� �することで、発光素子110の輝度の劣化を回� �することができる。

 具体的には、制御部80は、記憶部70に記憶 されているトラップ短絡テーブル75を参照し� ��、取得されたトラップ準位に対応した短絡� ��間を取得することで、短絡時間を決定する� ��

 なお、使用時間が長くなるほどトラップ� ��位は深くなる。また、トラップ準位が深く� ��ると短絡時間が長くなる。つまり、使用時� ��が長くなるほど、短絡時間も長くなる。

 そして、制御部80は、決定された短絡時� �の間、発光素子110のアノードとカソードと� �短絡するように短絡部45を制御し、短絡部45� ��短絡を行う(S210)。

 具体的には、制御部80は、短絡部45に短絡 時間の間短絡するように指示を与える。そし て、図8に示されたように、短絡部45が短絡用 トランジスタ170を短絡時間の間オンにするこ とで、発光素子110のアノードとカソードとが 導通され、短絡時間の間短絡される。

 制御部80は、使用時間が長くなるほど短� �時間が長くなるように、短絡時間を変更し� �、変更された短絡時間の間発光素子のアノ� �ドとカソードとを短絡するように短絡部45を 制御する。そして、短絡部45は、制御部80の� �御に従って、変更された短絡時間の間、発� �素子110のアノードとカソードとを短絡する� �

 これにより、使用時間及び素子温度に応� ��た短絡時間の間、発光素子110のアノードと� ��ソードとが短絡されるため、発光素子110の� ��度劣化の回復が最適に行われ、発光素子110� ��長寿命化を図ることができる。

 つまり、トラップ準位に基づいて、トラ� ��プ準位に対応した短絡時間の間、短絡用ト� ��ンジスタ170で発光素子110のアノードとカソ� ��ドとを短絡させてトラップ準位にたまった� ��荷を抜き去る。これにより、トラップ準位� ��対応して、短絡用トランジスタ170で短絡さ� ��る短絡時間が変動する。また、トラップ準� ��を判断するのに、発光素子110の使用時間に� ��目することにより、トラップ準位を簡易か� ��適正に判断できる。そのため、発光素子110� ��使用時間に対応して、短絡用トランジスタ1 70で短絡させる短絡時間が変動する。また、� ��光素子110の使用時間は、発光素子110の輝度� ��復が行われてからの時間であるため、適切� ��使用時間に対応した短絡時間の間、短絡が� ��われる。

 これらにより、発光素子110の輝度回復を� ��切に行い、発光素子110の長寿命化を図るこ� ��ができる。

 (実施の形態1の変形例2)
 ここで、本実施の形態1における第2の変形� �について説明する。上記実施の形態1及び変� ��例1では、発光素子110の使用時間が長くなる ほど、印加する逆バイアス電圧を大きく又は 短絡時間を長くしていくことで、発光素子110 の輝度劣化を回復することとした。しかし、 本変形例2では、発光素子110の輝度の劣化度� �が大きくなるほど、発光素子110に印加する� �バイアス電圧を大きくしていくことで、発� �素子110の輝度劣化を回復する。

 図16は、本実施の形態1の変形例2に係る表 示装置1の構成を示すブロック図である。

 同図に示すように、表示装置1は、表示部 10、走査線駆動回路20、データ線駆動回路30、 使用時間取得部50、電圧電流取得部65、及び� �復措置部90を備えている。回復措置部90は、� ��圧印加部40、記憶部70、及び制御部80を備え� ��いる。また、画素部100の回路構成及びその� ��辺回路との接続は、図2に示した構成と同様 である。なお、図1及び図2での説明と同じ機� ��を有するものについては、以下説明を省略� ��る。

 電圧電流取得部65は、発光素子110の発光� �圧と発光電流とを取得する機能を有する。

 記憶部70は、使用時間に対応した発光素� �110の輝度の劣化度合ごとの発光素子110のト� �ップ準位、及びトラップ準位に対応した逆� �イアス電圧を記憶する機能を有する。具体� �には、記憶部70は、輝度劣化度合及びトラッ プ準位が対応付けられたトラップ準位テーブ ル71aと、図6に示されたトラップバイアステ� �ブル72とを記憶している。

 図17は、本実施の形態1の変形例2に係るト ラップ準位テーブル71aの一例を示す図である 。

 同図に示すように、トラップ準位テーブ� ��71aは、輝度劣化度合及びトラップ準位など� ��らなる。ここで、輝度劣化度合は、発光素� ��110の所定の使用時間に対応した発光素子110� ��輝度の劣化度合である。具体的には、輝度� ��化度合は、データ線駆動回路30が同じ電圧� �データ線に供給した場合の発光素子110に流� �る発光電流の低下度合、または、発光素子11 0に同じ電流を流すために必要なデータ線に� �給する電圧の増加度合である。また、発光� �流の低下度合とは、低下前の発光電流に対� �る発光電流の低下量の割り合いである。ま� �、電圧の増加度合とは、増加前の電圧に対� �る電圧の増加量の割り合いである。つまり� �発光素子110の輝度劣化度合は、使用時間に� �ける発光素子110の発光電圧と発光電流とか� �算出される。

 また、図5での説明で、発光素子110の発光 電圧と発光電流との関係から、発光素子110の 使用時間ごとのトラップ準位が算出されるこ とを示した。そして、この発光素子110の使用 時間ごとのトラップ準位の算出と同様にして 、発光素子110の輝度劣化度合ごとの発光素子 110の発光電圧と発光電流との関係から、発光 素子110の輝度劣化度合ごとの発光素子110のト ラップ準位が算出される。

 また、図5での説明で、使用時間が大きく なるほどトラップ準位は深くなることを示し た。そして、使用時間が大きくなるほど、発 光素子110の輝度劣化度合は大きくなる。つま り、発光素子110の輝度劣化度合が大きくなる ほどトラップ準位は深くなる。

 このようにして、発光素子110の発光電圧� ��発光電流との関係から、発光素子110の輝度� ��化度合ごとのトラップ準位が算出される。

 なお、発光素子110の輝度の劣化度合に対� ��したトラップ準位は、発光素子110の素子温� ��又は輝度に依存しない。つまり、素子温度� ��は輝度が変化しても、発光素子110の輝度の� ��化度合に対応したトラップ準位は変化しな� ��。このため、トラップ準位を算出する際に� ��子温度や輝度を考慮に入れる必要がなく、� ��度の良いトラップ準位が算出される。

 そして、このようにして作成されたトラ� ��プ準位テーブル71aは、予め記憶部70に記憶� �れている。なお、トラップ準位テーブル71a� �、画素部100ごとに作成されていてもよいし� �全ての画素部100共通の1つのトラップ準位テ� ��ブル71aが作成されていてもよい。

 図16に戻り、制御部80は、発光素子110の発 光電圧及び発光電流に基づいて、発光素子110 の輝度劣化度合を算出し、記憶部70が記憶し� ��いるトラップ準位テーブル71aを参照して、� ��出した輝度劣化度合に対応する発光素子110� ��トラップ準位を読み出し、読み出したトラ� ��プ準位に対応した電圧量の逆バイアスを発� ��素子110に印加してトラップ準位にたまった� ��荷を抜き去る。

 また、制御部80は、発光素子110の輝度劣� �度合が大きくなるほど、発光素子110に印加� �る逆バイアスの電圧量が大きくなるように� �発光素子110に印加する逆バイアスの電圧量� �変動させる。

 次に、発光素子110の輝度の劣化を回復す� ��表示装置1の駆動方法について説明する。

 図18は、本実施の形態1の変形例2に係る発 光素子110の輝度劣化を回復する表示装置1の� �動方法の一例を示すフローチャートである� �

 まず、電圧電流取得部65は、発光素子110� �発光電圧と発光電流とを取得する(S302)。こ� �発光電圧と発光電流は、実際に計測された� �でも、また算出された値でもよい。

 次に、制御部80は、電圧電流取得部65が取 得した発光素子110の発光電圧と発光電流とか ら、発光素子110の輝度劣化度合を算出する(S3 04)。

 そして、制御部80は、算出された発光素� �110の輝度劣化度合と、記憶部70に記憶されて いるトラップ準位テーブル71aとから、トラッ プ準位を取得する(S306)。具体的には、制御部 80は、トラップ準位テーブル71aの輝度劣化度� ��及びトラップ準位を参照することで、算出� ��れた輝度劣化度合から、トラップ準位を取� ��する。

 そして、制御部80は、トラップバイアス� �ーブル72を参照して、取得されたトラップ準 位に対応した逆バイアス電圧の電圧値を取得 することで、バイアス電圧の電圧値を決定す る(S308)。

 ここで、発光素子110の輝度劣化度合が大� ��くなるほどトラップ準位は深くなる。また� ��トラップ準位が深くなると逆バイアス電圧� ��電圧量は大きくなることが分かっている。� ��まり、発光素子110の輝度劣化度合が大きく� ��るほど、逆バイアス電圧の電圧量も大きく� ��る。

 このように、制御部80は、トラップ準位� �対応したバイアス電圧の電圧値を算出する� �とで、バイアス電圧の電圧値を決定する。

 そして、制御部80は、決定されたバイア� �電圧の電圧値を発光素子110のアノードに印� �するように電圧印加部40を制御し、電圧印加 部40は、バイアス電圧を印加する(S310)。

 これにより、発光素子110の輝度劣化度合� ��応じたバイアス電圧が印加されるため、発� ��素子110の輝度劣化の回復が最適に行われ、� ��光素子110の長寿命化を図ることができる。

 つまり、トラップ準位に基づいて、トラ� ��プ準位に対応した電圧量の逆バイアスを発� ��素子110に印加してトラップ準位にたまった� ��荷を抜き去る。これにより、トラップ準位� ��対応して、発光素子110に印加する逆バイア� ��の電圧量が変動する。また、トラップ準位� ��判断するのに、発光素子110の輝度劣化度合� ��着目することにより、トラップ準位を適正� ��判断できる。そのため、発光素子110の輝度� ��化度合に対応して、発光素子110に印加する� ��バイアスの電圧量が変動する。

 また、発光素子110の輝度劣化度合は、発� ��素子110の所定の使用時間に対応している。� ��まり、発光素子110の使用時間が長くなるほ� ��、発光素子110の輝度劣化度合は大きくなる� ��そのため、発光素子110の使用時間に対応し� ��、発光素子110の輝度劣化度合は変動し、発� ��素子110の輝度劣化度合に対応して、発光素� ��110に印加する逆バイアスの電圧量が変動す� ��。

 これらにより、異常に高い逆バイアス電� ��を印加して発光素子110を破壊するのを確実� ��防止し、発光素子110の輝度回復を適切に行� ��、発光素子110の長寿命化を図ることができ� ��。

 (実施の形態1の変形例3)
 ここで、本実施の形態1における第3の変形� �について説明する。上記実施の形態1及び変� ��例1では、発光素子110の使用時間が長くなる ほど印加する逆バイアス電圧を大きく又は短 絡時間を長くしていくことで、発光素子110の 輝度劣化を回復することとした。また、変形 例2では、発光素子110の輝度の劣化度合が大� �くなるほど発光素子110に印加する逆バイア� �電圧を大きくしていくことで、発光素子110� �輝度劣化を回復することとした。しかし、� �変形例3では、発光素子110の輝度の劣化度合� ��大きくなるほど、発光素子110の短絡時間を� ��くしていくことで、発光素子110の輝度劣化� ��回復する。

 図19は、本実施の形態1の変形例3に係る表 示装置1の構成を示すブロック図である。

 同図に示すように、表示装置1は、表示部 10、走査線駆動回路20、データ線駆動回路30、 使用時間取得部50、電圧電流取得部65、及び� �復措置部90を備えている。回復措置部90は、� ��絡部45、記憶部70、及び制御部80を備えてい� ��。また、画素部100の回路構成及びその周辺� ��路との接続は、図12に示した構成と同様で� �る。

 なお、変形例3に係る表示装置1の構成は� �図11及び図12に示した構成の素子温度取得部6 0及びトラップ準位テーブル71を、図16に示し� ��電圧電流取得部65及びトラップ準位テーブ� �71aに変更したものである。このため、変形� �3に係る表示装置1の構成はすべて、図11、図1 2及び図16に示したものと同じ機能を有するた め、詳細の説明は省略する。

 ここで、制御部80は、発光素子110の発光� �圧及び発光電流に基づいて、発光素子110の� �度劣化度合を算出し、記憶部70が記憶してい るトラップ準位テーブル71aを参照して、算出 した輝度劣化度合に対応する発光素子110のト ラップ準位を読み出し、読み出したトラップ 準位に対応した短絡時間の間、短絡用トラン ジスタ170で短絡させてトラップ準位にたまっ た電荷を抜き去る。

 また、制御部80は、発光素子110の輝度劣� �度合が大きくなるほど、短絡用トランジス� �170で短絡させる短絡時間が長くなるように� �短絡用トランジスタ170で短絡させる短絡時� �を変動させる。

 図20は、本実施の形態1の変形例3に係る発 光素子110の輝度劣化を回復する表示装置1の� �動方法の一例を示すフローチャートである� �

 まず、電圧電流取得部65は、発光素子110� �発光電圧と発光電流とを取得し(S402)、制御� �80は、発光素子110の輝度劣化度合を算出し(S4 04)、また、制御部80は、トラップ準位を取得� ��る(S406)。なお詳細は、図18での説明と同様� �あるため、省略する。

 次に、制御部80は、取得されたトラップ� �位から、発光素子110のアノードとカソード� �を短絡する短絡時間を決定する(S408)。

 ここで、トラップ準位が深くなると短絡� ��間が長くなることが分かっている。つまり� ��発光素子110の輝度劣化度合が大きくなるほ� ��、短絡時間も長くなる。

 このように、制御部80は、トラップ準位� �対応した短絡時間を算出することで、短絡� �間を決定する。

 そして、制御部80は、決定された短絡時� �の間、発光素子110のアノードとカソードと� �短絡するように短絡部45を制御し、短絡部45� ��短絡を行う(S410)。

 これにより、発光素子110の輝度劣化度合� ��応じた短絡時間の間、発光素子110のアノー� ��とカソードとが短絡されるため、発光素子1 10の輝度劣化の回復が最適に行われ、発光素� ��110の長寿命化を図ることができる。

 つまり、トラップ準位に基づいて、トラ� ��プ準位に対応した短絡時間の間、短絡用ト� ��ンジスタ170で発光素子110のアノードとカソ� ��ドとを短絡させてトラップ準位にたまった� ��荷を抜き去る。これにより、トラップ準位� ��対応して、短絡用トランジスタ170で短絡さ� ��る短絡時間が変動する。また、トラップ準� ��を判断するのに、発光素子110の輝度劣化度� ��に着目することにより、トラップ準位を適� ��に判断できる。そのため、発光素子110の輝� ��劣化度合に対応して、短絡用トランジスタ1 70で短絡させる短絡時間が変動する。

 また、発光素子110の輝度劣化度合は、発� ��素子110の所定の使用時間に対応している。� ��まり、発光素子110の使用時間が長くなるほ� ��、発光素子110の輝度劣化度合は大きくなる� ��そのため、発光素子110の使用時間に対応し� ��、発光素子110の輝度劣化度合は変動し、発� ��素子110の輝度劣化度合に対応して、短絡用� ��ランジスタ170で短絡させる短絡時間が変動� ��る。

 これらにより、発光素子110の輝度回復を� ��切な時間で行い、発光素子110の長寿命化を� ��ることができる。

 (実施の形態2)
 上記実施の形態1では、制御部80は、使用時� ��及び素子温度から、トラップ準位テーブル7 1を参照してトラップ準位を取得し、取得し� �トラップ準位から、トラップバイアステー� �ル72を参照して逆バイアス電圧の電圧値を取 得することとした。しかし、本実施の形態2� �は、制御部80は、トラップ準位を取得するこ となく、逆バイアス電圧の電圧値を取得する 。

 図21は、本実施の形態2に係る表示装置1の 構成を示すブロック図である。

 同図に示すように、表示装置1は、表示部 10、走査線駆動回路20、データ線駆動回路30、 使用時間取得部50、素子温度取得部60、及び� �復措置部90を備えている。回復措置部90は、� ��圧印加部40、記憶部70、及び制御部80を備え� ��いる。また、画素部100の回路構成及びその� ��辺回路との接続は、図2に示した構成と同様 である。なお、図1及び図2での説明と同じ機� ��を有するものについては、以下説明を省略� ��る。

 記憶部70は、発光素子110の使用時間及び� �子温度ごとの逆バイアス電圧を記憶する機� �を有する。具体的には、記憶部70は、発光素 子110の使用時間、素子温度、及び逆バイアス 電圧とが対応付けられた逆バイアステーブル 76を記憶している。

 図22は、本実施の形態2に係る逆バイアス� ��ーブル76の一例を示す図である。

 同図に示すように、逆バイアステーブル7 6は、使用時間、素子温度、及び逆バイアス� �圧などからなる。ここで、使用時間は、発� �素子110の使用時間であり、素子温度は、発� �素子110の素子温度である。また、逆バイア� �電圧は、発光素子110に印加する逆バイアス� �圧の電圧値である。

 つまり、逆バイアステーブル76は、図4に� ��されたトラップ準位テーブル71と、図6に示� ��れたトラップバイアステーブル72とを1つに� ��とめたテーブルである。このため、逆バイ� ��ステーブル76は、トラップ準位テーブル71と トラップバイアステーブル72とから作成する� ��とができるため、詳細な説明は省略する。

 なお、逆バイアステーブル76は、画素部10 0ごとに作成されていてもよいし、全ての画� �部100共通の1つの逆バイアステーブル76が作� �されていてもよい。

 図21に戻り、制御部80は、使用時間取得部 50が取得した発光素子110の使用時間に基づい� ��、記憶部70が記憶している逆バイアステー� �ル76を参照して、発光素子110の使用時間に対 応する逆バイアス電圧量を読み出し、読み出 した電圧量の逆バイアスを発光素子110に印加 してトラップ準位にたまった電荷を抜き去る 。

 また、制御部80は、発光素子110の使用時� �が長くなるほど、発光素子110に印加する逆� �イアスの電圧量が大きくなるように、発光� �子110に印加する逆バイアスの電圧量を変動� �せる。

 次に、発光素子110の輝度の劣化を回復す� ��表示装置1の駆動方法について説明する。

 図23は、本実施の形態2に係る発光素子110� ��輝度劣化を回復する表示装置1の駆動方法の 一例を示すフローチャートである。

 まず、使用時間取得部50は、発光素子110� �使用時間を取得し(S502)、素子温度取得部60は 、発光素子110の素子温度を取得する(S504)。な お、使用時間及び素子温度を取得する処理の 詳細は、実施の形態1における図8での説明と� ��様であるため、省略する。

 そして、制御部80は、取得された使用時� �及び素子温度から、逆バイアステーブル76を 参照し、逆バイアス電圧の電圧値を取得する ことで、バイアス電圧の電圧値を決定する(S5 08)。

 そして、制御部80は、決定したバイアス� �圧の電圧値を発光素子110のアノードに印加� �るように電圧印加部40を制御し、電圧印加部 40は、バイアス電圧を印加する(S510)。つまり� ��電圧印加部40は、制御部80が取得した逆バイ アス電圧を発光素子110に印加する。なお、こ の逆バイアス電圧を印加する処理の詳細は、 実施の形態1における図8での説明と同様であ� ��ため、省略する。

 これにより、制御部80は、トラップ準位� �取得することなく、逆バイアス電圧の電圧� �を取得し、当該逆バイアス電圧が発光素子11 0に印加される。このため、使用時間及び素� �温度に応じたバイアス電圧が印加されるた� �、発光素子110の輝度劣化の回復が最適に行� �れ、発光素子110の長寿命化を図ることがで� �る。

 つまり、トラップ準位に対応する電圧量� ��逆バイアスを、発光素子110の使用時間に応� ��て変動させて発光素子110に印加し、トラッ� ��準位にたまった電荷を抜き去る。これによ� ��、発光素子110の使用時間に対応して、トラ� ��プ準位を反映させて、発光素子110に印加す� ��逆バイアスの電圧量を変動させる。また、� ��ラップ準位を判断するのに、発光素子110の� ��用時間に着目することにより、トラップ準� ��を簡易かつ適正に判断できる。そのため、� ��光素子110の使用時間に対応して、発光素子1 10に印加する逆バイアスの電圧量が変動する� ��

 これらにより、異常に高い逆バイアス電� ��を印加して発光素子110を破壊するのを確実� ��防止し、発光素子110の輝度回復を適切に行� ��、発光素子110の長寿命化を図ることができ� ��。

 (実施の形態2の変形例1)
 ここで、本実施の形態2における第1の変形� �について説明する。上記実施の形態2では、� ��光素子110に逆バイアス電圧を印加すること� ��、発光素子110の輝度劣化を回復することと� ��た。しかし、本変形例1では、発光素子110の アノードとカソードとを短絡することで、発 光素子110の輝度劣化を回復する。

 図24は、本実施の形態2の変形例1に係る表 示装置1の構成を示すブロック図である。

 同図に示すように、表示装置1は、表示部 10、走査線駆動回路20、データ線駆動回路30、 使用時間取得部50、素子温度取得部60、及び� �復措置部90を備えている。また、回復措置部 90は、短絡部45、記憶部70、及び制御部80を備� ��ている。また、画素部100の回路構成及びそ� ��周辺回路との接続は、図12に示した構成と� �様である。なお、図11及び図12での説明と同� ��機能を有するものについては、以下説明を� ��略する。

 記憶部70は、発光素子110の使用時間及び� �子温度ごとの短絡時間を記憶する機能を有� �る。具体的には、記憶部70は、発光素子110の 使用時間、素子温度、及び短絡時間とが対応 付けられた短絡時間テーブル77を記憶してい� ��。

 図25は、本実施の形態2の変形例1に係る短 絡時間テーブル77の一例を示す図である。

 同図に示すように、短絡時間テーブル77� �、使用時間、素子温度、及び短絡時間など� �らなる。ここで、使用時間は、発光素子110� �使用時間であり、素子温度は、発光素子110� �素子温度である。また、短絡時間は、発光� �子110のアノードとカソードとを短絡する時� �である。

 つまり、短絡時間テーブル77は、図4に示� ��れたトラップ準位テーブル71と、図13に示さ れたトラップ短絡テーブル75とを1つにまとめ たテーブルである。このため、短絡時間テー ブル77は、トラップ準位テーブル71とトラッ� �短絡テーブル75とから作成することができる ため、詳細な説明は省略する。

 なお、短絡時間テーブル77は、画素部100� �とに作成されていてもよいし、全ての画素� �100共通の1つの短絡時間テーブル77が作成さ� �ていてもよい。

 図24に戻り、制御部80は、使用時間取得部 50が取得した発光素子110の使用時間と素子温� ��取得部60が取得した発光素子110の素子温度� �に基づいて、記憶部70が記憶している短絡時 間テーブル77を参照して、短絡時間を読み出� ��、読み出した短絡時間の間、短絡用トラン� ��スタ170で短絡させてトラップ準位にたまっ� ��電荷を抜き去る。

 また、制御部80は、発光素子110の使用時� �が長くなるほど、短絡用トランジスタ170で� �絡させる短絡時間が長くなるように、短絡� �トランジスタ170で短絡させる短絡時間を変� �させる。

 次に、発光素子110の輝度の劣化を回復す� ��表示装置1の駆動方法について説明する。

 図26は、本実施の形態2の変形例1に係る発 光素子110の輝度劣化を回復する表示装置1の� �動方法の一例を示すフローチャートである� �

 まず、使用時間取得部50は、発光素子110� �使用時間を取得し(S602)、素子温度取得部60は 、発光素子110の素子温度を取得する(S604)。な お、使用時間及び素子温度を取得する処理の 詳細は、実施の形態1における図15での説明と 同様であるため、省略する。

 そして、制御部80は、取得された使用時� �及び素子温度から、短絡時間テーブル77を参 照し、短絡時間を取得することで、短絡時間 を決定する(S608)。

 そして、制御部80は、決定された短絡時� �の間、発光素子110のアノードとカソードと� �短絡するように短絡部45を制御し、短絡部45� ��短絡を行う(S610)。なお、この短絡を行う処� ��の詳細は、実施の形態1における図15での説� ��と同様であるため、省略する。

 これにより、制御部80は、トラップ準位� �取得することなく、短絡時間を取得し、当� �短絡時間の間、発光素子110のアノードとカ� �ードとが短絡される。このため、使用時間� �び素子温度に応じた短絡時間の間、発光素� �110のアノードとカソードとが短絡されるた� �、発光素子110の輝度劣化の回復が最適に行� �れ、発光素子110の長寿命化を図ることがで� �る。

 (実施の形態2の変形例2)
 ここで、本実施の形態2における第2の変形� �について説明する。上記実施の形態2及びそ� ��変形例1では、発光素子110の使用時間が長く なるほど、印加する逆バイアス電圧を大きく 又は短絡時間を長くしていくことで、発光素 子110の輝度劣化を回復することとした。しか し、本変形例2では、発光素子110の輝度の劣� �度合が大きくなるほど、発光素子110に印加� �る逆バイアス電圧を大きくしていくことで� �発光素子110の輝度劣化を回復する。

 図27は、本実施の形態2の変形例2に係る表 示装置1の構成を示すブロック図である。

 同図に示すように、表示装置1は、表示部 10、走査線駆動回路20、データ線駆動回路30、 使用時間取得部50、電圧電流取得部65、及び� �復措置部90を備えている。回復措置部90は、� ��圧印加部40、記憶部70、及び制御部80を備え� ��いる。また、画素部100の回路構成及びその� ��辺回路との接続は、図2に示した構成と同様 である。なお、図2及び図16での説明と同じ機 能を有するものについては、以下説明を省略 する。

 記憶部70は、使用時間に対応した発光素� �110の輝度の劣化度合ごとの逆バイアス電圧� �記憶する機能を有する。具体的には、記憶� �70は、発光素子110の輝度の劣化度合と逆バイ アス電圧とが対応付けられた逆バイアステー ブル76aを記憶している。

 図28は、本実施の形態2の変形例2に係る逆 バイアステーブル76aの一例を示す図である。

 同図に示すように、逆バイアステーブル7 6aは、輝度劣化度合及び逆バイアス電圧など� ��らなる。ここで、輝度劣化度合は、使用時� ��に対応した発光素子110の輝度の劣化度合で� ��る。また、逆バイアス電圧は、発光素子110� ��印加する逆バイアス電圧の電圧値である。

 つまり、逆バイアステーブル76aは、図17� �示されたトラップ準位テーブル71aと、図6に� ��されたトラップバイアステーブル72とを1つ� ��まとめたテーブルである。このため、逆バ� ��アステーブル76aは、トラップ準位テーブル7 1aとトラップバイアステーブル72とから作成� �ることができるため、詳細な説明は省略す� �。

 なお、逆バイアステーブル76aは、画素部1 00ごとに作成されていてもよいし、全ての画� ��部100共通の1つの逆バイアステーブル76aが作 成されていてもよい。

 図27に戻り、制御部80は、発光素子110の発 光電圧及び発光電流に基づいて、発光素子110 の輝度劣化度合を算出し、記憶部70が記憶し� ��いる逆バイアステーブル76aを参照して、算� ��した輝度劣化度合に対応する逆バイアス電� ��量を読み出し、読み出した電圧量の逆バイ� ��スを発光素子110に印加してトラップ準位に� ��まった電荷を抜き去る。

 また、制御部80は、発光素子110の輝度劣� �度合が大きくなるほど、発光素子110に印加� �る逆バイアスの電圧量が大きくなるように� �発光素子110に印加する逆バイアスの電圧量� �変動させる。

 次に、発光素子110の輝度の劣化を回復す� ��表示装置1の駆動方法について説明する。

 図29は、本実施の形態2の変形例2に係る発 光素子110の輝度劣化を回復する表示装置1の� �動方法の一例を示すフローチャートである� �

 まず、電圧電流取得部65は、発光素子110� �発光電圧と発光電流とを取得し(S702)、制御� �80は、発光素子110の輝度劣化度合を算出する (S704)。なお、発光電圧と発光電流とを取得し 輝度劣化度合を算出する処理の詳細は、実施 の形態1における図18での説明と同様であるた め、省略する。

 そして、制御部80は、算出された発光素� �110の輝度劣化度合から、逆バイアステーブ� �76aを参照し、逆バイアス電圧の電圧値を取� �することで、バイアス電圧の電圧値を決定� �る(S708)。

 そして、制御部80は、決定したバイアス� �圧の電圧値を発光素子110のアノードに印加� �るように電圧印加部40を制御し、電圧印加部 40は、バイアス電圧を印加する(S710)。つまり� ��電圧印加部40は、制御部80が取得した逆バイ アス電圧を発光素子110に印加する。なお、こ の逆バイアス電圧を印加する処理の詳細は、 実施の形態1における図18での説明と同様であ るため、省略する。

 これにより、制御部80は、トラップ準位� �取得することなく、逆バイアス電圧の電圧� �を取得し、当該逆バイアス電圧が発光素子11 0に印加される。このため、発光素子110の輝� �劣化度合に応じたバイアス電圧が印加され� �ため、発光素子110の輝度劣化の回復が最適� �行われ、発光素子110の長寿命化を図ること� �できる。

 つまり、トラップ準位に対応する電圧量� ��逆バイアスを、発光素子110の輝度劣化度合� ��応じて変動させて発光素子110に印加し、ト� ��ップ準位にたまった電荷を抜き去る。これ� ��より、発光素子110の輝度劣化度合に対応し� ��、トラップ準位を反映させて、発光素子110� ��印加する逆バイアスの電圧量を変動させる� ��また、トラップ準位を判断するのに、発光� ��子110の輝度劣化度合に着目することにより� ��トラップ準位を適正に判断できる。そのた� ��、発光素子110の輝度劣化度合に対応して、� ��光素子110に印加する逆バイアスの電圧量が� ��動する。

 これらにより、異常に高い逆バイアス電� ��を印加して発光素子110を破壊するのを確実� ��防止し、発光素子110の輝度回復を適切に行� ��、発光素子110の長寿命化を図ることができ� ��。

 (実施の形態2の変形例3)
 ここで、本実施の形態2における第3の変形� �について説明する。上記実施の形態2及びそ� ��変形例1では、発光素子110の使用時間が長く なるほど印加する逆バイアス電圧を大きく又 は短絡時間を長くしていくことで、発光素子 110の輝度劣化を回復することとした。また、 その変形例2では、発光素子110の輝度の劣化� �合が大きくなるほど発光素子110に印加する� �バイアス電圧を大きくしていくことで、発� �素子110の輝度劣化を回復することとした。� �かし、本変形例3では、発光素子110の輝度の� ��化度合が大きくなるほど、発光素子110の短� ��時間を長くしていくことで、発光素子110の� ��度劣化を回復する。

 図30は、本実施の形態2の変形例3に係る表 示装置1の構成を示すブロック図である。

 同図に示すように、表示装置1は、表示部 10、走査線駆動回路20、データ線駆動回路30、 使用時間取得部50、電圧電流取得部65、及び� �復措置部90を備えている。回復措置部90は、� ��絡部45、記憶部70、及び制御部80を備えてい� ��。また、画素部100の回路構成及びその周辺� ��路との接続は、図12に示した構成と同様で� �る。なお、図12及び図19での説明と同じ機能� ��有するものについては、以下説明を省略す� ��。

 記憶部70は、使用時間に対応した発光素� �110の輝度の劣化度合ごとの短絡時間を記憶� �る機能を有する。具体的には、記憶部70は、 発光素子110の輝度の劣化度合と短絡時間とが 対応付けられた短絡時間テーブル77aを記憶し ている。

 図31は、本実施の形態2の変形例3に係る短 絡時間テーブル77aの一例を示す図である。

 同図に示すように、短絡時間テーブル77a� ��、輝度劣化度合及び短絡時間などからなる� ��ここで、輝度劣化度合は、使用時間に対応� ��た発光素子110の輝度の劣化度合である。ま� ��、短絡時間は、発光素子110のアノードとカ� ��ードとを短絡する時間である。

 つまり、短絡時間テーブル77aは、図17に� �されたトラップ準位テーブル71aと、図13に示 されたトラップ短絡テーブル75とを1つにまと めたテーブルである。このため、短絡時間テ ーブル77aは、トラップ準位テーブル71aとトラ ップ短絡テーブル75とから作成することがで� ��るため、詳細な説明は省略する。

 なお、短絡時間テーブル77aは、画素部100� ��とに作成されていてもよいし、全ての画素� ��100共通の1つの短絡時間テーブル77aが作成さ れていてもよい。

 図30に戻り、制御部80は、発光素子110の発 光電圧及び発光電流に基づいて、発光素子110 の輝度劣化度合を算出し、記憶部70が記憶し� ��いる短絡時間テーブル77aを参照して、算出� ��た輝度劣化度合に対応する短絡時間を読み� ��し、当該短絡時間の間、短絡用トランジス� ��170で短絡させてトラップ準位にたまった電� ��を抜き去る。

 また、制御部80は、発光素子110の輝度劣� �度合が大きくなるほど、短絡用トランジス� �170で短絡させる短絡時間が長くなるように� �短絡用トランジスタ170で短絡させる短絡時� �を変動させる。

 次に、発光素子110の輝度の劣化を回復す� ��表示装置1の駆動方法について説明する。

 図32は、本実施の形態2の変形例3に係る発 光素子110の輝度劣化を回復する表示装置1の� �動方法の一例を示すフローチャートである� �

 まず、電圧電流取得部65は、発光素子110� �発光電圧と発光電流とを取得し(S802)、制御� �80は、発光素子110の輝度劣化度合を算出する (S804)。なお、発光電圧と発光電流とを取得し 輝度劣化度合を算出する処理の詳細は、実施 の形態1における図20での説明と同様であるた め、省略する。

 そして、制御部80は、算出された発光素� �110の輝度劣化度合から、短絡時間テーブル77 aを参照し、短絡時間を取得することで、短� �時間を決定する(S808)。

 そして、制御部80は、決定された短絡時� �の間、発光素子110のアノードとカソードと� �短絡するように短絡部45を制御し、短絡部45� ��短絡を行う(S810)。なお、この短絡を行う処� ��の詳細は、実施の形態1における図20での説� ��と同様であるため、省略する。

 これにより、制御部80は、トラップ準位� �取得することなく、短絡時間を取得し、当� �短絡時間の間、発光素子110のアノードとカ� �ードとが短絡される。このため、発光素子11 0の輝度劣化度合に応じた短絡時間の間、発� �素子110のアノードとカソードとが短絡され� �ため、発光素子110の輝度劣化の回復が最適� �行われ、発光素子110の長寿命化を図ること� �できる。

 また、例えば、本発明に係る表示装置1は 、図33に記載されたような薄型フラットTVに� �蔵される。本発明に係る表示装置1により、� ��光素子110の輝度劣化の回復を最適に行うこ� ��ができるディスプレイを備えた薄型フラッ� ��TVが実現される。

 以上、本発明に係る表示装置1について、 上記実施の形態およびその変形例を用いて説 明したが、本発明は、これに限定されるもの ではない。

 つまり、今回開示された実施の形態はす� ��ての点で例示であって制限的なものではな� ��と考えられるべきである。本発明の範囲は� ��記した説明ではなくて請求の範囲によって� ��され、請求の範囲と均等の意味及び範囲内� ��のすべての変更が含まれることが意図され� ��。また、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、� ��記複数の実施の形態における各構成要素を� ��意に組み合わせても良い。

 例えば、本実施の形態1、2及びその変形� �では、使用時間取得部50は、発光素子110が発 光した発光時間の累積値を使用時間として取 得することとした。しかし、使用時間取得部 50は、表示装置1が駆動した時間の累積値、又 は発光素子110の発光電圧の電圧値と発光時間 とを乗じて累積した値を使用時間として取得 することにしてもよい。    

 また、本実施の形態1、2及びその変形例1� ��は、素子温度取得部60は、駆動トランジス� �120の特性から、発光素子110の素子温度を取� �することとした。しかし、素子温度取得部60 は、温度センサによって発光素子110の素子温 度を計測することで、発光素子110の素子温度 を取得することにしてもよい。

 また、本実施の形態1、2及びその変形例1� ��は、素子温度取得部60は、画素部100ごとに� �発光素子110の素子温度を取得することとし� �。しかし、素子温度取得部60は、複数の画素 部100の中から、代表的な1つの発光素子110の� �子温度を取得し、当該素子温度を他の全て� �発光素子110の素子温度に適用することにし� �もよい。

 また、本実施の形態1、2及びその変形例1� ��は、制御部80は、素子温度取得部60が取得し た素子温度から、バイアス電圧の電圧値や短 絡時間を決定することとした。しかし、制御 部80は、予め素子温度を典型的な値に定めて� ��くことで、素子温度取得部60によって素子� �度を取得することなく、バイアス電圧の電� �値や短絡時間を決定することにしてもよい� �

 また、本実施の形態1、2及びその変形例2� ��は、制御部80は、使用時間又は輝度の劣化� �合が大きくなるほど、バイアス電圧の電圧� �が大きくなるように制御することとした。� �かし、制御部80は、使用時間又は輝度の劣化 度合が大きくなるほど、バイアス電圧の電圧 値が大きくなり、かつ、バイアス電圧の印加 時間も長くなるように制御することにしても よい。

 また、本実施の形態1、2の変形例1及び変� ��例3では、制御部80は、使用時間又は輝度の� ��化度合が大きくなるほど、短絡時間が長く� ��るように制御することとした。しかし、制� ��部80は、発光素子110のアノードとカソード� �間が短絡されておらず、発光素子110に一定� �逆バイアス電圧が印加されている場合でも� �使用時間又は輝度の劣化度合が大きくなる� �ど、一定の逆バイアス電圧の印加時間が長� �なるように制御することにしてもよい。

 また、本実施の形態1、2及びその変形例2� ��は、制御部80は、発光素子110のアノードに� �イアス電圧を印加することで、発光素子110� �輝度劣化を回復することとした。しかし、� �御部80は、発光素子110のカソードの方がアノ ードより電位が高くなるように、カソードの 一方又はアノード及びカソードの双方にバイ アス電圧を印加することで、発光素子110の輝 度劣化を回復することにしてもよい。また、 発光素子110のアノードがカソードと同じか少 し高い電位であっても、発光素子110の輝度劣 化を回復することができるのであれば、制御 部80は、当該電位になるように、バイアス電� ��を印加することにしてもよい。

 また、本実施の形態1及びその変形例では 、制御部80は、記憶部70に予め記憶されたト� �ップ準位テーブル71又は71aからトラップ準位 を取得することとした。しかし、制御部80は� ��計測された発光素子110の発光電圧及び発光� ��流から算出されるトラップ準位に基づいて� ��新されるトラップ準位テーブル71又は71aか� �、トラップ準位を取得することにしてもよ� �。

 また、本実施の形態2及びその変形例2で� �、制御部80は、記憶部70に予め記憶された逆� ��イアステーブル76又は76aから逆バイアス電� �の電圧値を取得することとした。しかし、� �御部80は、計測された発光素子110の発光電圧 及び発光電流から算出されるトラップ準位に 基づいて更新される逆バイアステーブル76又� ��76aから、逆バイアス電圧の電圧値を取得す� ��ことにしてもよい。

 また、本実施の形態2の変形例1及びその� �形例3では、制御部80は、記憶部70に予め記憶 された短絡時間テーブル77又は77aから短絡時� ��を取得することとした。しかし、制御部80� �、計測された発光素子110の発光電圧及び発� �電流から算出されるトラップ準位に基づい� �更新される短絡時間テーブル77又は77aから、 短絡時間を取得することにしてもよい。